JPH01261829A - 有機金属気相エピタキシー用基板の前処理方法 - Google Patents
有機金属気相エピタキシー用基板の前処理方法Info
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- JPH01261829A JPH01261829A JP9081288A JP9081288A JPH01261829A JP H01261829 A JPH01261829 A JP H01261829A JP 9081288 A JP9081288 A JP 9081288A JP 9081288 A JP9081288 A JP 9081288A JP H01261829 A JPH01261829 A JP H01261829A
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- chamber
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title abstract 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 title 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 87
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 13
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機金属気相エピタキシー用基板の前処理方
法に関する。
法に関する。
有機金属気相エピタキシー法によるエピタキシー成長に
用いられる基板は、エピタキシー成長が行なわれる反応
炉に導入される前に、予め化学的な前処理によってその
表面が洗浄される。しかしながら、従来は大気中で基板
の洗浄が行なわれていた。
用いられる基板は、エピタキシー成長が行なわれる反応
炉に導入される前に、予め化学的な前処理によってその
表面が洗浄される。しかしながら、従来は大気中で基板
の洗浄が行なわれていた。
このため、基板洗浄後に大気中の水分等の不純物が基板
表面に付着したり吸着されることがあり、これが原因で
反応炉において形成されるエピタキシーの高純度化を保
証できないという問題があった。
表面に付着したり吸着されることがあり、これが原因で
反応炉において形成されるエピタキシーの高純度化を保
証できないという問題があった。
そこで、本発明は上述の事情に鑑み、洗浄後の基板表面
が不純物により汚染されることを防止して、反応炉にお
いて形成されるエピタキシーの高純度化を保証し得る有
機金属気相エピタキシー用基板の前処理方法を提供する
ことを目的としている。
が不純物により汚染されることを防止して、反応炉にお
いて形成されるエピタキシーの高純度化を保証し得る有
機金属気相エピタキシー用基板の前処理方法を提供する
ことを目的としている。
上述の目的を達成するため、本発明による有機金属気相
エピタキシー用基板の前処理方法においては、基板上に
有機金属気相エピタキシー成長を行なう反応炉に選択的
に連通ずる清浄予備室を設け、清浄予備室内にて基板を
洗浄することを特徴としている。
エピタキシー用基板の前処理方法においては、基板上に
有機金属気相エピタキシー成長を行なう反応炉に選択的
に連通ずる清浄予備室を設け、清浄予備室内にて基板を
洗浄することを特徴としている。
更に、清浄予備室内に洗浄ガスを均一に供給しつつ、清
浄予備室から洗浄ガスを排出して清浄予備室内の洗浄ガ
ス濃度を均一に保ち、洗浄ガスをプラズマ化して基板の
洗浄を行なうことが望ましい。
浄予備室から洗浄ガスを排出して清浄予備室内の洗浄ガ
ス濃度を均一に保ち、洗浄ガスをプラズマ化して基板の
洗浄を行なうことが望ましい。
上記のように、反応炉に選択的に連通ずる清浄予備室内
にて基板の洗浄を行なうことにより、洗浄後の基板表面
が水分等の不純物により汚染されることを防止でき、か
つ、清浄な基板をそのまま速やかに反応炉に搬入するこ
とが可能となる。
にて基板の洗浄を行なうことにより、洗浄後の基板表面
が水分等の不純物により汚染されることを防止でき、か
つ、清浄な基板をそのまま速やかに反応炉に搬入するこ
とが可能となる。
更に、清浄予備室内に供給される洗浄ガスを入れ替えつ
つその濃度の均一化を図り、洗浄ガスをプラズマ化して
２！仮の洗浄を行なうことにより、基板表面を均一に洗
浄することが可能となる。
つその濃度の均一化を図り、洗浄ガスをプラズマ化して
２！仮の洗浄を行なうことにより、基板表面を均一に洗
浄することが可能となる。
以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ説
明する。
明する。
図は、本発明が適用される有機金属気相エピタキシー成
長装置の一部を示している。図から明らかな様に、この
装置においては、基板上に有機金属気相エピタキシー成
長を行なう反応炉に連通ずる清浄予備室１が設けられて
いる。反応炉と清浄予備室１との間に形成された連通路
２には、連通路２を密閉し得る開閉シャッタ３が設けら
れており、反応炉と清浄予備室１とは選択的に連通し得
るよう構成されている。また、清浄予備室１にはハツチ
５により密閉可能な基板搬入口６が設けられており、基
板搬入口６から清浄予備室１内に基板７が搬入される。
長装置の一部を示している。図から明らかな様に、この
装置においては、基板上に有機金属気相エピタキシー成
長を行なう反応炉に連通ずる清浄予備室１が設けられて
いる。反応炉と清浄予備室１との間に形成された連通路
２には、連通路２を密閉し得る開閉シャッタ３が設けら
れており、反応炉と清浄予備室１とは選択的に連通し得
るよう構成されている。また、清浄予備室１にはハツチ
５により密閉可能な基板搬入口６が設けられており、基
板搬入口６から清浄予備室１内に基板７が搬入される。
基板７は図示した様に、基板同士の相互間に適当な間隔
を開けて積層された状態で、電気的に接地されたカセッ
ト８に担持されて清浄予備室１内に搬入される。
を開けて積層された状態で、電気的に接地されたカセッ
ト８に担持されて清浄予備室１内に搬入される。
清浄予備室１内には洗浄ガスを清浄予備室１内に導入す
るためのノズル１０が設けられている。
るためのノズル１０が設けられている。
ノズル１０は、例えば清浄予備室１の土壁に沿って偏平
に形成され、その下面に複数のガス噴出口１１が互いに
等間隔をおいて設けられており、清浄予備室１内に洗浄
ガスをむらなく均一に供給できるよう構成されている。
に形成され、その下面に複数のガス噴出口１１が互いに
等間隔をおいて設けられており、清浄予備室１内に洗浄
ガスをむらなく均一に供給できるよう構成されている。
また、ノズル１０は導電性部材から形成されており、ノ
ズル１０には高周波電源１２により高周波電圧が印加さ
れるようになっている。なお、ノズル１０には図示しな
い洗浄ガス供給手段からＨ、Ｎ やＡｒ、Ｋｒ等の不
活性ガスや、ＨＣｌ、Ｃ１２等のエツチングガス等から
なる洗浄ガスが所定の供給速度で供給されるようになっ
ている。
ズル１０には高周波電源１２により高周波電圧が印加さ
れるようになっている。なお、ノズル１０には図示しな
い洗浄ガス供給手段からＨ、Ｎ やＡｒ、Ｋｒ等の不
活性ガスや、ＨＣｌ、Ｃ１２等のエツチングガス等から
なる洗浄ガスが所定の供給速度で供給されるようになっ
ている。
一方、清浄予備室１内の下方部にはカセット８が載置さ
れる底板１３が設けられている。底板１３には透孔１５
が等間隔に穿設されており、透孔１５を通して清浄予備
室１内に供給された洗浄ガスは、図示しない真空ポンプ
等の排気手段により吸引され、清浄予備室１内に供給さ
れる洗浄ガスの量と均衡を保ちつつ、清浄予備室１外に
排出されるようになっている。
れる底板１３が設けられている。底板１３には透孔１５
が等間隔に穿設されており、透孔１５を通して清浄予備
室１内に供給された洗浄ガスは、図示しない真空ポンプ
等の排気手段により吸引され、清浄予備室１内に供給さ
れる洗浄ガスの量と均衡を保ちつつ、清浄予備室１外に
排出されるようになっている。
上述した装置を使用して行なわれる基板７の洗浄は、次
の如く行なわれることになる。
の如く行なわれることになる。
まず、基板７がカセット８に担持されて清浄予備室１内
に搬入され、シャッタ３及びハツチ５により清浄予備室
１は反応炉及び大気との連通が断たれ、密閉状態とされ
る。そして、清浄予備室１内は排気手段により真空度が
１０ ”−５Ｔｏｒｒ以下の高真空状態とされ、基板７
をとりまく雰囲気中の不純物が除去される。次いで、ノ
ズル１０から洗浄ガスを清浄予備室１内にむらなく均一
に供給しつつ、洗浄ガスを排気手段により底板１３の透
孔１５を通して排気し、清浄予備室１内の圧力を数ｍＴ
ｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒの範囲内で一定に保つことにより洗
浄ガス濃度を一定に保ち、ノズル１０に高周波電圧を高
周波電源１２により印加し、洗浄ガスをプラズマ化させ
る。
に搬入され、シャッタ３及びハツチ５により清浄予備室
１は反応炉及び大気との連通が断たれ、密閉状態とされ
る。そして、清浄予備室１内は排気手段により真空度が
１０ ”−５Ｔｏｒｒ以下の高真空状態とされ、基板７
をとりまく雰囲気中の不純物が除去される。次いで、ノ
ズル１０から洗浄ガスを清浄予備室１内にむらなく均一
に供給しつつ、洗浄ガスを排気手段により底板１３の透
孔１５を通して排気し、清浄予備室１内の圧力を数ｍＴ
ｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒの範囲内で一定に保つことにより洗
浄ガス濃度を一定に保ち、ノズル１０に高周波電圧を高
周波電源１２により印加し、洗浄ガスをプラズマ化させ
る。
清浄予備室１内にむらなく供給され濃度が均一に保たれ
た洗浄ガスをプラズマ化させることにより、基板表面は
均一に高周波プラズマクリーニングがなされる。
た洗浄ガスをプラズマ化させることにより、基板表面は
均一に高周波プラズマクリーニングがなされる。
高周波プラズマクリーニングの完了後、再び清浄予備室
１内を高真空に排気して高周波プラズマクリーニングに
よって発生したダストを除去し、その後にシャッタ３を
開いてクリーニング完了直後の基板７を反応炉へ搬入す
る。
１内を高真空に排気して高周波プラズマクリーニングに
よって発生したダストを除去し、その後にシャッタ３を
開いてクリーニング完了直後の基板７を反応炉へ搬入す
る。
なお、上述の実施例においては、ノズル１０に高周波電
圧を印加して洗浄ガスをプラズマ化することとしている
が、洗浄予備室１内にノズル１０を囲繞するようにコイ
ル（図示せず）を設け、このコイルに高周波電圧を印加
することにより洗浄ガスをプラズマ化することも可能で
ある。
圧を印加して洗浄ガスをプラズマ化することとしている
が、洗浄予備室１内にノズル１０を囲繞するようにコイ
ル（図示せず）を設け、このコイルに高周波電圧を印加
することにより洗浄ガスをプラズマ化することも可能で
ある。
以上、詳細に説明した様に、本発明による有機金属気相
エピタキシー用基板の前処理方法においては、基板上に
有機金属気相エピタキシー成長を行なう反応炉に選択的
に連通ずる清浄予備室を設け、清浄予備室内にて基板を
洗浄することとしているので、基板洗浄後の基板表面の
不純物による汚染を防止でき、かつ、洗浄完了直後の基
板を速やかに反応炉に搬入することが可能となる。従っ
て、反応炉において基板上に高純度のエピタキシーが成
長することが保証される。
エピタキシー用基板の前処理方法においては、基板上に
有機金属気相エピタキシー成長を行なう反応炉に選択的
に連通ずる清浄予備室を設け、清浄予備室内にて基板を
洗浄することとしているので、基板洗浄後の基板表面の
不純物による汚染を防止でき、かつ、洗浄完了直後の基
板を速やかに反応炉に搬入することが可能となる。従っ
て、反応炉において基板上に高純度のエピタキシーが成
長することが保証される。
更に、清浄予備室内に洗浄ガスを均一に供給しつつ、排
出して清浄予備室内の洗浄ガス濃度を均一に保ち、洗浄
ガスをプラズマ化して基板表面を洗浄することとすれば
、基板表面の均一な洗浄が可能となり、同時に洗浄され
た基板から得られるデバイスの性能が均一となり、かつ
歩留りが向上する。
出して清浄予備室内の洗浄ガス濃度を均一に保ち、洗浄
ガスをプラズマ化して基板表面を洗浄することとすれば
、基板表面の均一な洗浄が可能となり、同時に洗浄され
た基板から得られるデバイスの性能が均一となり、かつ
歩留りが向上する。
図は本発明が適用される有機金属気相エピタキシー成長
装置の一部を示した断面図である。 １・・・清浄予備室、３・・・シャッタ、５・・・ハツ
チ、７・・・基板、８・・・カセット、１０・・・ノズ
ル、１１・・・ガス噴射口、１２・・・高周波電源、１
５・・・透孔。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹排気系 実施例の秩蘭
装置の一部を示した断面図である。 １・・・清浄予備室、３・・・シャッタ、５・・・ハツ
チ、７・・・基板、８・・・カセット、１０・・・ノズ
ル、１１・・・ガス噴射口、１２・・・高周波電源、１
５・・・透孔。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹排気系 実施例の秩蘭
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に有機金属気相エピタキシー成長を行なう反
応炉に選択的に連通する清浄予備室を設け、前記清浄予
備室内にて前記基板の洗浄を行なうことを特徴とする有
機金属気相エピタキシー用基板の前処理方法。 ２、前記清浄予備室内に洗浄ガスを均一に供給しつつ前
記清浄予備室から前記洗浄ガスを排出して前記清浄予備
室内の洗浄ガス濃度を均一に保ち、前記洗浄ガスをプラ
ズマ化して前記基板の洗浄を行なうことを特徴とする請
求項１記載の有機金属気相エピタキシー用基板の前処理
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9081288A JPH01261829A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 有機金属気相エピタキシー用基板の前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9081288A JPH01261829A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 有機金属気相エピタキシー用基板の前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01261829A true JPH01261829A (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=14009010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9081288A Pending JPH01261829A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 有機金属気相エピタキシー用基板の前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01261829A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191908A (en) * | 1990-12-28 | 1993-03-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Dipping type surface treatment apparatus |
| US6874516B2 (en) * | 2001-05-31 | 2005-04-05 | m•FSI Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP9081288A patent/JPH01261829A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5191908A (en) * | 1990-12-28 | 1993-03-09 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Dipping type surface treatment apparatus |
| US6874516B2 (en) * | 2001-05-31 | 2005-04-05 | m•FSI Ltd. | Substrate cleaning apparatus |
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