JPS6326357A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS6326357A JPS6326357A JP16839286A JP16839286A JPS6326357A JP S6326357 A JPS6326357 A JP S6326357A JP 16839286 A JP16839286 A JP 16839286A JP 16839286 A JP16839286 A JP 16839286A JP S6326357 A JPS6326357 A JP S6326357A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- moved
- sputtering apparatus
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はスパッタリング装置に係り、特に１つの真空槽
内に複数の基板処理室を設けて基板を一枚ずつ処理する
枚葉処理方式のスパッタリング装置に関する。
内に複数の基板処理室を設けて基板を一枚ずつ処理する
枚葉処理方式のスパッタリング装置に関する。
（従来の技術）
近年、薄膜形成装置としてターゲットをスパッタして飛
翔した粒子を例えば半導体ウェハ等の基板に付着させて
薄膜を形成するスパッタリング装置が盛んに使用されて
いる。
翔した粒子を例えば半導体ウェハ等の基板に付着させて
薄膜を形成するスパッタリング装置が盛んに使用されて
いる。
ところでスパッタリング装置には多くの種類のものがあ
るが１つの真空槽内に複数の基板処理室を設けて基板を
一枚ずつ処理するいわゆる枚葉処理方式のスパッタリン
グ装置がある。この装置は真空槽内の回転板に複数の基
板を同心円状に配置し、この回転板の行路に同心円状に
対向配置して各基板処理室を設ける。
るが１つの真空槽内に複数の基板処理室を設けて基板を
一枚ずつ処理するいわゆる枚葉処理方式のスパッタリン
グ装置がある。この装置は真空槽内の回転板に複数の基
板を同心円状に配置し、この回転板の行路に同心円状に
対向配置して各基板処理室を設ける。
この各基板処理室は一連の処理作業に合わせて配列され
ており、例えば基板挿脱室、スバツタエッチング処理室
、成膜処理室を順次配置し、回転板を回転させることに
より一連の基板処理作業を連続して行なう。
ており、例えば基板挿脱室、スバツタエッチング処理室
、成膜処理室を順次配置し、回転板を回転させることに
より一連の基板処理作業を連続して行なう。
このように１つの真空槽内に複数の基板を配置した枚葉
処理方式のスパッタリング装置は一連の処理作業を連続
的に行なうので基板ごとの膜厚のばらつきが少なく、個
々の基板に対して任意の条件で成膜が行なえる等の利点
がおった。
処理方式のスパッタリング装置は一連の処理作業を連続
的に行なうので基板ごとの膜厚のばらつきが少なく、個
々の基板に対して任意の条件で成膜が行なえる等の利点
がおった。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら上述したようなスパッタリング装置ではエ
ツチング処理室と成膜処理室が１つの真空槽内に配置さ
れているためエツチング処理により発生した塵埃または
ガスがわずかで（よあるが成膜処理室に侵入して成膜処
理室の基板上に付着するいわゆるクロスコンタミネーシ
ョンが発生する場合があるという問題があった。
ツチング処理室と成膜処理室が１つの真空槽内に配置さ
れているためエツチング処理により発生した塵埃または
ガスがわずかで（よあるが成膜処理室に侵入して成膜処
理室の基板上に付着するいわゆるクロスコンタミネーシ
ョンが発生する場合があるという問題があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
でエツチング処理室と成膜処理室間におけるクロスコン
タミネーションの発生がないスパッタリング装置を提供
することを目的とする。
でエツチング処理室と成膜処理室間におけるクロスコン
タミネーションの発生がないスパッタリング装置を提供
することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明によれば、真空槽内に被スパッタ基板を移動させ
て、複数の独立した処理室に順次案内して成膜処理を行
なうスパッタリング装置において、複数の処理室のうち
上記被スパッタ基板から表面材を除去する処理室に少な
くとも上記被スパッタ基板から移動された期間独立した
気密容器を構成する機構を設けてなることを特徴とする
スパッタリング装置が得られる。
て、複数の独立した処理室に順次案内して成膜処理を行
なうスパッタリング装置において、複数の処理室のうち
上記被スパッタ基板から表面材を除去する処理室に少な
くとも上記被スパッタ基板から移動された期間独立した
気密容器を構成する機構を設けてなることを特徴とする
スパッタリング装置が得られる。
く作 用）
本発明では、表面材を除去する処理室を独立した真空系
とすることにより成膜処理室とのクロスコンタミネーシ
ョンを防止するものである（実施例） 以下本発明の一実施例について図を参照にして説明する
。
とすることにより成膜処理室とのクロスコンタミネーシ
ョンを防止するものである（実施例） 以下本発明の一実施例について図を参照にして説明する
。
真空槽１内には半導体ウェハ２を移動例えば複数同心円
状に配置したトランスファープレー１〜（回転板）３と
が設けられている。このトランスファープレート３の回
転により半導体ウェハ２は複数の処理室例えば、エツチ
ング処理室、ウェハ加熱処理室そして成膜処理室と移動
し、各処理を受ける。このトランスファープレート３と
同軸にプレッシャープレートラム４により図中Ｙ方向へ
進退可能にプレッシャープレート５が取り付けられてい
る。エツチングに際してエツチング室が独立に排気され
る構成になっている。
状に配置したトランスファープレー１〜（回転板）３と
が設けられている。このトランスファープレート３の回
転により半導体ウェハ２は複数の処理室例えば、エツチ
ング処理室、ウェハ加熱処理室そして成膜処理室と移動
し、各処理を受ける。このトランスファープレート３と
同軸にプレッシャープレートラム４により図中Ｙ方向へ
進退可能にプレッシャープレート５が取り付けられてい
る。エツチングに際してエツチング室が独立に排気され
る構成になっている。
スパッタエツチングステーション６は一端を真空槽１に
取付けられ自由端をプレッシャープレート５と接するダ
イナミックへローズ７で覆われており、このダイナミッ
クベローズ７を側壁とし、一方面は半導体ウェハ、他方
面をターボポンプ８による気密室を構成する。この気密
保持のためシール材としてガスケット１２が各所に設け
られている。気密が形成された後ターボポンプ８により
ダイナミックベローズ７で構成されるエツチング室の真
空引きを行なう。なお真空槽１内全体の真空引きはター
ボポンプ９で行なう。
取付けられ自由端をプレッシャープレート５と接するダ
イナミックへローズ７で覆われており、このダイナミッ
クベローズ７を側壁とし、一方面は半導体ウェハ、他方
面をターボポンプ８による気密室を構成する。この気密
保持のためシール材としてガスケット１２が各所に設け
られている。気密が形成された後ターボポンプ８により
ダイナミックベローズ７で構成されるエツチング室の真
空引きを行なう。なお真空槽１内全体の真空引きはター
ボポンプ９で行なう。
このような構成のスパッタリング装置の動作に ５ 一
ついて説明する。
半導体ウェハ２が図示を省略したウェハカセットから垂
直に押し上げられ、シールドドア１０を通してトランス
ファープレート３に固定されるとこのトランスファープ
レート３が回転してスパッタエツチングステーション６
まで半導体ウェハ２を移動させる。半導体ウェハ２がエ
ツチングステーション６に位置した後、ダイナミックベ
ローズ７が装着されたプレッシャープレート５をガスケ
ット１２を介してトランスファープレート３と第１図（
ａ）の如く気密圧着し、独立したエツチング室６を形成
する。次に、このエツチング室６内を排気した後、エツ
チングガスを導入し、ドライエツチングを行なう。すな
わち、スパッタエツチングステーション６では気相エツ
チング例えばＲＦヘッド１１が装着されておりＲＦ電力
を印加してプラズマを発生させスパッタエツチングを行
なう。このエツチング期間中排気動作を継続させてもよ
い。
直に押し上げられ、シールドドア１０を通してトランス
ファープレート３に固定されるとこのトランスファープ
レート３が回転してスパッタエツチングステーション６
まで半導体ウェハ２を移動させる。半導体ウェハ２がエ
ツチングステーション６に位置した後、ダイナミックベ
ローズ７が装着されたプレッシャープレート５をガスケ
ット１２を介してトランスファープレート３と第１図（
ａ）の如く気密圧着し、独立したエツチング室６を形成
する。次に、このエツチング室６内を排気した後、エツ
チングガスを導入し、ドライエツチングを行なう。すな
わち、スパッタエツチングステーション６では気相エツ
チング例えばＲＦヘッド１１が装着されておりＲＦ電力
を印加してプラズマを発生させスパッタエツチングを行
なう。このエツチング期間中排気動作を継続させてもよ
い。
エツチングが終了した後、プレッシャープレート５を後
退させて第１図（ｂ）の如く、半導体ウェハ２の回転を
可能ならしめ、半導体ウェハ２はさらにトランスファー
プレート３を回転させて図示を省略した加熱ステーショ
ンを経て成膜ステーションへと移動されこの成膜ステー
ションでスパッタ処理されて薄膜が形成される。
退させて第１図（ｂ）の如く、半導体ウェハ２の回転を
可能ならしめ、半導体ウェハ２はさらにトランスファー
プレート３を回転させて図示を省略した加熱ステーショ
ンを経て成膜ステーションへと移動されこの成膜ステー
ションでスパッタ処理されて薄膜が形成される。
全ステーションでの作業が終了した半導体ウェハは再び
シールドドア１０を通して搬出される。
シールドドア１０を通して搬出される。
上述したように一連の作業を１つの真空槽内で枚葉方式
で処理するスパッタリング装置ではエツチングステーシ
ョン６で発生した塵埃またはガスが成膜ステーション等
の他のウェハ処理室へ浸入するいわゆるクロスコンタミ
ネーションの発生が問題となっていたが、この実施例で
は上述説明したようにエツチングステーション６をダイ
ナミックベローズ７により他のウェハ処理室と隔離して
独立した真空系とすることでこの問題を解決した。
で処理するスパッタリング装置ではエツチングステーシ
ョン６で発生した塵埃またはガスが成膜ステーション等
の他のウェハ処理室へ浸入するいわゆるクロスコンタミ
ネーションの発生が問題となっていたが、この実施例で
は上述説明したようにエツチングステーション６をダイ
ナミックベローズ７により他のウェハ処理室と隔離して
独立した真空系とすることでこの問題を解決した。
またターボポンプ８等の真空引き装置または真空引きポ
ートを半導体ウェハ２面と対向配置することで発生した
塵埃の除去がすみやかに行なわれる。
ートを半導体ウェハ２面と対向配置することで発生した
塵埃の除去がすみやかに行なわれる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明のスパッタリング装置によれ
ば、被スパッタ基板を移動させて順次処理を行なうもの
においてエツチング処理室から他の基板処理室へのクロ
スコンタミネーションを防止することが可能となる。
ば、被スパッタ基板を移動させて順次処理を行なうもの
においてエツチング処理室から他の基板処理室へのクロ
スコンタミネーションを防止することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例のスパッタリング装置の概念
的な構成を示す縦断面図である。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・半導体ウェハ、
３・・・・・・トランスファープレート（回転板）、６
・・・・・・エツチングステーション、７・・・・・・
ダイナミックベローズ、８・・・・・・ターボポンプ、
１２・・・・・・ガスケット。 出願人 東京エレク１〜ロン株式会社代理人
弁理士 須 山 佐 − （ａ＞ 第 （ｂ） １図
的な構成を示す縦断面図である。 １・・・・・・真空槽、２・・・・・・半導体ウェハ、
３・・・・・・トランスファープレート（回転板）、６
・・・・・・エツチングステーション、７・・・・・・
ダイナミックベローズ、８・・・・・・ターボポンプ、
１２・・・・・・ガスケット。 出願人 東京エレク１〜ロン株式会社代理人
弁理士 須 山 佐 − （ａ＞ 第 （ｂ） １図
Claims (3)
- （１）真空槽内に被スパッタ基板を移動させて、複数の
独立した処理室に順次案内して成膜処理を行なうスパッ
タリング装置において、 前記複数の処理室のうち上記被スパッタ基板から表面材
を除去する処理室に少なくとも上記被スパッタ基板から
移動された期間独立した気密容器を構成する機構を設け
てなることを特徴とするスパッタリング装置。 - （２）気密容器を構成する機構は被スパッタ基板を一壁
面とし、ベローズを側壁とする構造である特許請求の範
囲第１項記載のスパッタリング装置。 - （３）複数の独立した処理室がエッチング処理室と基板
加熱処理室と成膜処理室からなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16839286A JPS6326357A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16839286A JPS6326357A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326357A true JPS6326357A (ja) | 1988-02-03 |
Family
ID=15867262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16839286A Pending JPS6326357A (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005240115A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | 真空装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116372A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Hitachi Ltd | 連続真空処理装置 |
| JPS59179786A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
| JPS60100687A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP16839286A patent/JPS6326357A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116372A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | Hitachi Ltd | 連続真空処理装置 |
| JPS59179786A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-12 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
| JPS60100687A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-04 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005240115A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Murata Mfg Co Ltd | 真空装置 |
| JP4496803B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2010-07-07 | 株式会社村田製作所 | 真空装置 |
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