JPS63291421A - 半導体ウエハの処理方法 - Google Patents
半導体ウエハの処理方法Info
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- JPS63291421A JPS63291421A JP12759987A JP12759987A JPS63291421A JP S63291421 A JPS63291421 A JP S63291421A JP 12759987 A JP12759987 A JP 12759987A JP 12759987 A JP12759987 A JP 12759987A JP S63291421 A JPS63291421 A JP S63291421A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体ウェハの処理方法に関する。
(従来の技術)
従来、半導体ウェハの処理装置例えばプラズマエツチン
グ装置やスパッタリング装置等を使用したウェハの処理
作業は、高真空の環境下で行われている。
グ装置やスパッタリング装置等を使用したウェハの処理
作業は、高真空の環境下で行われている。
例えば、スパッタエツチング装置では、高真空の処理室
内に一対の電極例えば高周波電極を配置し、該電極に高
周波電力を印加して処理室内に導入した反応気体例えば
アルゴンガス等をプラズマ化する。そしてこのプラズマ
粒子を利用して基板例えば半導体ウェハ(以下、ウェハ
)のエッヂング処理を行う装置である。
内に一対の電極例えば高周波電極を配置し、該電極に高
周波電力を印加して処理室内に導入した反応気体例えば
アルゴンガス等をプラズマ化する。そしてこのプラズマ
粒子を利用して基板例えば半導体ウェハ(以下、ウェハ
)のエッヂング処理を行う装置である。
このようなウェハ処理作業では、ユニフォミティの向上
を図ること、薄膜中に不純物が混入しないようにするこ
と等の理由から、真空ポンプ等で処理室内を高真空とし
て塵埃や水分等を完全に除去した雰囲気の中で処理を行
わなければならない。
を図ること、薄膜中に不純物が混入しないようにするこ
と等の理由から、真空ポンプ等で処理室内を高真空とし
て塵埃や水分等を完全に除去した雰囲気の中で処理を行
わなければならない。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、ウェハや装置全体を楕或している部材例
えばシリコンやステンレス等には若干ではあるが水分が
含有されており、このようなウェハ処理装置による処理
作業時には、この水分等の含有物質がウェハ処理中に処
理室内に徐々に蒸発し、この放出ガスにより、ユニフォ
ミティの低下や薄膜中の不純物の混入が発生するという
問題があった。この問題を解決するために真空ポンプの
能力な向上させることも考えられるが、装置が大型化す
るばかりかコスト高になるという問題があり、さらに装
置構造上ウェハ処理部近傍に真空ポンプを設置すること
は困難であるため、放出ガスや処理室内に残留している
塵埃を迅速に除去することは不可能であった。
えばシリコンやステンレス等には若干ではあるが水分が
含有されており、このようなウェハ処理装置による処理
作業時には、この水分等の含有物質がウェハ処理中に処
理室内に徐々に蒸発し、この放出ガスにより、ユニフォ
ミティの低下や薄膜中の不純物の混入が発生するという
問題があった。この問題を解決するために真空ポンプの
能力な向上させることも考えられるが、装置が大型化す
るばかりかコスト高になるという問題があり、さらに装
置構造上ウェハ処理部近傍に真空ポンプを設置すること
は困難であるため、放出ガスや処理室内に残留している
塵埃を迅速に除去することは不可能であった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされ、処理
室内で発生した放出ガスや残留塵埃等の不純物粒子を迅
速に除去できる半導体ウェハの処理方法を提供すること
を目的とする。
室内で発生した放出ガスや残留塵埃等の不純物粒子を迅
速に除去できる半導体ウェハの処理方法を提供すること
を目的とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明方法は、真空処理室内に半導体ウェハを配置して
処理を行う半導体ウェハの処理方法において、この真空
処理室内を真空ポンプにより高真空にした後、この真空
処理室内に配設したゲッターポンプにより処理室内部の
露呈面にゲッター面を形成し〜しかる後所定の真空度で
半導体ウェハの処理を行うことを特徴とする。
処理を行う半導体ウェハの処理方法において、この真空
処理室内を真空ポンプにより高真空にした後、この真空
処理室内に配設したゲッターポンプにより処理室内部の
露呈面にゲッター面を形成し〜しかる後所定の真空度で
半導体ウェハの処理を行うことを特徴とする。
(作 用)
真空処理室内に形成されたゲッター面は、化学的に活性
な物質であり、処理室内で発生した放出ガスや残留塵埃
は、活性化金属のゲッター作用によりゲッター面に吸着
され、処理室内の排気到達圧力を著しく向上させること
ができる。
な物質であり、処理室内で発生した放出ガスや残留塵埃
は、活性化金属のゲッター作用によりゲッター面に吸着
され、処理室内の排気到達圧力を著しく向上させること
ができる。
(実施例)
以下、本発明方法をスパッタエツチング装置に適用した
一実施例について第1図および第2図を参照して説明す
る。
一実施例について第1図および第2図を参照して説明す
る。
気密を保持する処理室1の一方の内壁には高周波電源2
に接続した円盤状の高周波電極3が嵌挿されており、他
方の内壁からは円筒状の隔壁4が処理室1のほぼ中間の
位置まで延設されている。
に接続した円盤状の高周波電極3が嵌挿されており、他
方の内壁からは円筒状の隔壁4が処理室1のほぼ中間の
位置まで延設されている。
半導体ウェハ5は搬送機構により搬送されて高周波?S
極3に当接される。
極3に当接される。
高周波電極3には、その軸部を貫通して処理室1内へ反
応気体例えばアルゴンガスを導入するためのガス導入管
6が設けられており、反応気体の一部はこの導入管6内
を流れて高周波を極3表面外周に設けられた排出口6a
より処理室1内へと流入する。
応気体例えばアルゴンガスを導入するためのガス導入管
6が設けられており、反応気体の一部はこの導入管6内
を流れて高周波を極3表面外周に設けられた排出口6a
より処理室1内へと流入する。
隔壁4前縁部内周にはウェハ5と平行なフランジ部を有
する円筒状のアースシールド7が取付けられており、エ
ツチング処理室1内で生成されたプラズマガスBがエツ
チング処理室外へ影響をおよぼさないようにしている。
する円筒状のアースシールド7が取付けられており、エ
ツチング処理室1内で生成されたプラズマガスBがエツ
チング処理室外へ影響をおよぼさないようにしている。
このアースシールド7はステンレス製の薄板からなり、
その表面は層面を形成している。
その表面は層面を形成している。
該アースシールド7の中心軸上には、ゲッターポンプ例
えばチタンサブリメーションポンプ8が高周波電極の対
向側の内壁を貫通して処理室のほぼ中央部に位置するよ
うに配設されている。
えばチタンサブリメーションポンプ8が高周波電極の対
向側の内壁を貫通して処理室のほぼ中央部に位置するよ
うに配設されている。
このチタンサブリメーションポンプ8としては、本例で
はチタン製ケーシング内にヒータを内蔵し、この内蔵し
−タを過熱させてケーシングのチタンを蒸発させるいわ
ゆる輻射型のものを使用したが、チタンのリボン等を通
電過熱して直接蒸発させる直接過熱型のものでもよい。
はチタン製ケーシング内にヒータを内蔵し、この内蔵し
−タを過熱させてケーシングのチタンを蒸発させるいわ
ゆる輻射型のものを使用したが、チタンのリボン等を通
電過熱して直接蒸発させる直接過熱型のものでもよい。
チタンサブリメーションポンプ8の先端方向には、その
先端部かられずかな間隙をおいてシールド板9が配設さ
れており、このシールド板9は、チタンサブリメーショ
ンポンプ8から蒸発した活性化チタン原子Aがウェハ5
に付着することのないような形状に構成されている。
先端部かられずかな間隙をおいてシールド板9が配設さ
れており、このシールド板9は、チタンサブリメーショ
ンポンプ8から蒸発した活性化チタン原子Aがウェハ5
に付着することのないような形状に構成されている。
このようなスパッタエツチング装置におけるエツチング
方法について以下に説明する。
方法について以下に説明する。
ウェハ搬送機構により、エツチング処理室内の高周波電
極3にウェハ6を当接しな後(101) 、処理室1内
をクライオポンプ等の真空ポンプ10により高真空例え
ば1O−7Torr程度の真空度とする(102)。
極3にウェハ6を当接しな後(101) 、処理室1内
をクライオポンプ等の真空ポンプ10により高真空例え
ば1O−7Torr程度の真空度とする(102)。
次に、チタンサブリメーションポンプ8を作動させて活
性化したチタン原子Aをアースシールド4や処理室1内
の内部露呈面の少なくとも一部に蒸着させて活性化チタ
ンの薄膜即ちゲッター面を形成する(103)。このと
きウェハ5に向って飛翔したチタン粒子は、シールド板
9によって遮蔽されるためウェハ5に付着することはな
い、また、ポンプの作動は例えば1500℃で1〜5分
程度でよい。尚、ゲッター面はチタン粒子に限らすゲッ
ター作用を有するものであればいずれでもよい。
性化したチタン原子Aをアースシールド4や処理室1内
の内部露呈面の少なくとも一部に蒸着させて活性化チタ
ンの薄膜即ちゲッター面を形成する(103)。このと
きウェハ5に向って飛翔したチタン粒子は、シールド板
9によって遮蔽されるためウェハ5に付着することはな
い、また、ポンプの作動は例えば1500℃で1〜5分
程度でよい。尚、ゲッター面はチタン粒子に限らすゲッ
ター作用を有するものであればいずれでもよい。
こうしてチタンの薄膜を形成した後、反応気体例えばア
ルゴンガスを処理室1内に導入して、処理室1内を10
−’ Torr程度の真空度とする(104) 。
ルゴンガスを処理室1内に導入して、処理室1内を10
−’ Torr程度の真空度とする(104) 。
しかる後予め定められたタイミングで高周波電極3に高
周波例えば13.75MHzの電力を印加して高周波放
電を発生させ、生成されたプラズマ粒子Bによりエツチ
ングを行う(105) 。
周波例えば13.75MHzの電力を印加して高周波放
電を発生させ、生成されたプラズマ粒子Bによりエツチ
ングを行う(105) 。
このような処理方法では、ウェハ処理中にウェハ内部や
装置内部露呈面から蒸発した放出ガスや処理室内に残留
している塵埃は、ゲッター作用によりゲッター面に吸着
されるため、常にクリーンな状態でウェハの処理ができ
る。
装置内部露呈面から蒸発した放出ガスや処理室内に残留
している塵埃は、ゲッター作用によりゲッター面に吸着
されるため、常にクリーンな状態でウェハの処理ができ
る。
またチタンサブリメーションポンプ8は、真空ポンプ1
0の補助としても作用するため、処理室内を迅速に高真
空とすることができる。
0の補助としても作用するため、処理室内を迅速に高真
空とすることができる。
上述実施例を用いて、アルゴンガスにより 6インチウ
ェハを500ワツトの高周波電力で60秒秒間用波エツ
チングしたところ、従来は粒径0.3μlの粒子が約3
00個付着していたものが50個に低減され大きな効果
が認められた。尚、ゲッター面な形成するシールド板や
その他の内部露呈面を粗面としておけば薄膜の剥離防止
効果があり好ましい。
ェハを500ワツトの高周波電力で60秒秒間用波エツ
チングしたところ、従来は粒径0.3μlの粒子が約3
00個付着していたものが50個に低減され大きな効果
が認められた。尚、ゲッター面な形成するシールド板や
その他の内部露呈面を粗面としておけば薄膜の剥離防止
効果があり好ましい。
ところで、形成したゲッター面は、処理室を大気解放し
なければその効果は持続し、定期的にゲッター面の再形
成を行えば100枚程度のウェハ処理が可能であり、作
業性にも優れている。
なければその効果は持続し、定期的にゲッター面の再形
成を行えば100枚程度のウェハ処理が可能であり、作
業性にも優れている。
前述実施例では本発明方法をスパッタエツチング装置に
適用した例を示したが、本発明方法はこれに限定される
ものではなく、例えばプラズマエツチング装置等のエツ
チング装置やスパッタリング装置等の真空処理室内で半
導体の製造処理をする装置であればいずれにも適用可能
である。また使用するポンプとしては例えばオービトロ
ンボンブやスパヅターイオンポンプ等、ゲッターポンプ
であれば機種を選ばない。
適用した例を示したが、本発明方法はこれに限定される
ものではなく、例えばプラズマエツチング装置等のエツ
チング装置やスパッタリング装置等の真空処理室内で半
導体の製造処理をする装置であればいずれにも適用可能
である。また使用するポンプとしては例えばオービトロ
ンボンブやスパヅターイオンポンプ等、ゲッターポンプ
であれば機種を選ばない。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の半導体ウェハの処理方法
によれば、ウェハ処理中に発生する放出ガスや残留ガス
を迅速に除去することができ、しかも処理室内の排気速
度および到達圧力速度を著第1図は本発明方法をスパッ
タエツチング装置に適用した実施例の構成を示す断面図
、第2図は実施例の作業方法を示すフローチャートであ
る。
によれば、ウェハ処理中に発生する放出ガスや残留ガス
を迅速に除去することができ、しかも処理室内の排気速
度および到達圧力速度を著第1図は本発明方法をスパッ
タエツチング装置に適用した実施例の構成を示す断面図
、第2図は実施例の作業方法を示すフローチャートであ
る。
1・・・・・・処理室、3・・・・・・高周波電極、5
・・・・・・ウェハ、7・・・・・・アースシールド、
8・・・・・・チタンサブリメーションポンプ、9・・
・・・・シールド板、10・・・・・・真空ポンプ。
・・・・・・ウェハ、7・・・・・・アースシールド、
8・・・・・・チタンサブリメーションポンプ、9・・
・・・・シールド板、10・・・・・・真空ポンプ。
出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁
理士 須 山 佐 −第1図 第2図
理士 須 山 佐 −第1図 第2図
Claims (3)
- (1)真空処理室内に半導体ウェハを配置して処理を行
う半導体ウェハの処理方法において、前記真空処理室内
を真空ポンプにより高真空にした後、この真空処理室内
に配設したゲッターポンプにより処理室内部の露呈面に
ゲッター面を形成し、しかる後所定の真空度で半導体ウ
ェハの処理を行うことを特徴とする半導体ウェハの処理
方法。 - (2)真空処理室内にゲッター面形成材が配設され、こ
のゲッター面形成材にゲッター面を形成することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の半導体ウェハの処理
方法。 - (3)真空処理室が、ゲッターポンプから飛翔した粒子
が半導体ウェハ上に付着しないように粒子軌跡上に遮蔽
板を具備していることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の半導体ウェハの処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12759987A JPH0680639B2 (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 半導体ウエハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12759987A JPH0680639B2 (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 半導体ウエハの処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63291421A true JPS63291421A (ja) | 1988-11-29 |
JPH0680639B2 JPH0680639B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=14964071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12759987A Expired - Fee Related JPH0680639B2 (ja) | 1987-05-25 | 1987-05-25 | 半導体ウエハの処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0680639B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002324663A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Toshiba Corp | 電場発光ランプとその製造方法 |
JP2011210562A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法及び有機elパネルの製造方法 |
WO2012045187A3 (en) * | 2010-10-05 | 2012-06-28 | Oc Oerlikon Balzers Ag | In-situ conditioning for vacuum processing of polymer substrates |
CN114588738A (zh) * | 2020-12-07 | 2022-06-07 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 双环射频容性耦合放电等离子体加强型吸气剂装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5685963A (en) * | 1994-10-31 | 1997-11-11 | Saes Pure Gas, Inc. | In situ getter pump system and method |
-
1987
- 1987-05-25 JP JP12759987A patent/JPH0680639B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002324663A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Toshiba Corp | 電場発光ランプとその製造方法 |
JP2011210562A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子の製造方法及び有機elパネルの製造方法 |
WO2012045187A3 (en) * | 2010-10-05 | 2012-06-28 | Oc Oerlikon Balzers Ag | In-situ conditioning for vacuum processing of polymer substrates |
US9719177B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-08-01 | Evatec Ag | In-situ conditioning for vacuum processing of polymer substrates |
CN114588738A (zh) * | 2020-12-07 | 2022-06-07 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 双环射频容性耦合放电等离子体加强型吸气剂装置 |
CN114588738B (zh) * | 2020-12-07 | 2022-11-15 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 双环射频容性耦合放电等离子体加强型吸气剂装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0680639B2 (ja) | 1994-10-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |