JPS62243783A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPS62243783A JPS62243783A JP8595186A JP8595186A JPS62243783A JP S62243783 A JPS62243783 A JP S62243783A JP 8595186 A JP8595186 A JP 8595186A JP 8595186 A JP8595186 A JP 8595186A JP S62243783 A JPS62243783 A JP S62243783A
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- processing chamber
- electrode part
- chamber
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Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空処理装置に係り、特にスパッタ装置、蒸
着装置、ＣＶＤ装置、ドライエツチング装置等の試料が
減圧下で処理され処理室内部を放電洗浄するのに好適な
真空処理装置に関するものである。
着装置、ＣＶＤ装置、ドライエツチング装置等の試料が
減圧下で処理され処理室内部を放電洗浄するのに好適な
真空処理装置に関するものである。
真空容器内部を放電洗浄する技術としては、真空容器内
にアノードを設置しグロー放電な起こして洗浄するもの
や、マイクロ波プラズマにより洗浄するものが知られて
いる。
にアノードを設置しグロー放電な起こして洗浄するもの
や、マイクロ波プラズマにより洗浄するものが知られて
いる。
なお、この種の技術に関連するものとして、例えば、ジ
ャーナル・オブ・ニュークリア・マテリアルズ、９３と
９４（１９８０）、第３２２頁〜第３２９頁（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｎｕｃｌｅａｒ Ｍａｔｅｒｉａｌｇ。
ャーナル・オブ・ニュークリア・マテリアルズ、９３と
９４（１９８０）、第３２２頁〜第３２９頁（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ｎｕｃｌｅａｒ Ｍａｔｅｒｉａｌｇ。
９３４９４（１９８０）、ＰＰ、３２２〜３２９）。
真空、第２４巻、第４号（１９８ｔ）、第７１頁〜第７
４頁が挙げられる。
４頁が挙げられる。
上記従来技術では、放電洗浄用の電極部が真空容器中に
固定して設けられている。このため、このような技術を
、スパッタ装置や蒸着装置等のように成膜材料が試料の
被成膜面のみならず他の部分にも飛散して堆積を生じる
装置では、放電洗浄用の電極部の電気的な絶縁不良や放
電洗浄用の電極部からの堆積物の刺継による異物発生に
より製品歩留りが低下するといった問題がある。また、
ＣＶＤ装置やドライエツチング装置のように腐食性１反
応性ガスを使用する装置には、適用が難しいという問題
がある。
固定して設けられている。このため、このような技術を
、スパッタ装置や蒸着装置等のように成膜材料が試料の
被成膜面のみならず他の部分にも飛散して堆積を生じる
装置では、放電洗浄用の電極部の電気的な絶縁不良や放
電洗浄用の電極部からの堆積物の刺継による異物発生に
より製品歩留りが低下するといった問題がある。また、
ＣＶＤ装置やドライエツチング装置のように腐食性１反
応性ガスを使用する装置には、適用が難しいという問題
がある。
本発明の目的は、放電洗浄用の電極部を試料の処理時に
処理室から退避可能とすることで、製品歩留りの低下を
防止できる真空処理装置を提供することにある。
処理室から退避可能とすることで、製品歩留りの低下を
防止できる真空処理装置を提供することにある。
上記目的は、試料が減圧下で処理される処理室に放電洗
浄用電極部を挿脱可能薯こ設けたことにより、達成され
る。
浄用電極部を挿脱可能薯こ設けたことにより、達成され
る。
処理室で試料が減圧下で処理され、また、処理室内部の
放電洗浄が不要のとき、放電洗浄用電極部は処理室外へ
退避させられる。これにより試料の成膜処理時に飛散す
る成膜材料の放電洗浄用電極部への付着、堆積が防止さ
れ、放電洗浄用電極部からの異物発生が防止される。一
方、処理室内部の放電洗浄が必要なときは、処理室外に
退避させられていた放電洗浄用′＠電極部、処理室内に
入れられ、その後、放電洗浄用電極部で放電を発生させ
ることで処理室内部は放電洗浄される。この放電洗浄終
了後、放電洗浄用電極部は処理室外へ再び退避させられ
る。
放電洗浄が不要のとき、放電洗浄用電極部は処理室外へ
退避させられる。これにより試料の成膜処理時に飛散す
る成膜材料の放電洗浄用電極部への付着、堆積が防止さ
れ、放電洗浄用電極部からの異物発生が防止される。一
方、処理室内部の放電洗浄が必要なときは、処理室外に
退避させられていた放電洗浄用′＠電極部、処理室内に
入れられ、その後、放電洗浄用電極部で放電を発生させ
ることで処理室内部は放電洗浄される。この放電洗浄終
了後、放電洗浄用電極部は処理室外へ再び退避させられ
る。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
’Ｍ１図で、処理室１０には、例えば、スパッタ電極部
（９）が内設されている。スパッタ電極部加は、処理室
１０の、この場合、右側側壁に対応して設けられている
。また、スパッタ電極部Ｉの処理室ｌＯの左側側壁に対
応する側にはターゲラトガが略垂直姿勢にて添装されて
いる。また、処理室ｌＯには、スパッタ電極美つまりタ
ーゲット２１と対向して試料（図示省略）の成膜面を保
持する試料保持手段（図示省略）が内設されている。ガ
ス導入用の導管美の一端は、ガス源を含むガス供給手段
３１に連結され、他端は、処理室１０内に連通して処理
室１０の側壁に連結されている。導管菊の途中には弁部
が設けられている。ロードロック家信は、真空間遮断手
段、例えば、ゲートバルブ（資）を介し処理室ｌＯの左
側側壁に設けられている。ロードロック室１０の左側側
壁には、大気−真空間遮断手段、例えば、ゲートバルブ
５１が設けられている。排気管ωの一端は、祖引きポツ
プ６１の吸気口に連結され、他端は、処理室１０内に連
通して処理室１０の底壁に連結されている。排気管ωの
途中には弁軸が設けられている。排気管Ｂの一端は、高
真空ポンプθの吸気口に連結され、他端は、処理室１０
内に連通して処理室１０の底壁に連結されている。排気
管臼の途中には弁田が設けられている。粗引きポンプ６
１と弁６２との間の排気管ωと高真空ポンプθと弁Ｓと
の間の排気管臼とは、排気管θで連結されている。排気
管ωには弁ａが設けられている。粗引きポンプ６１と弁
６２との間で排気管８より分岐した排気管臼は、ロード
ロック家信内に連通してロードロック家信の底壁に連結
されている。排気管臼には弁ωが設けられている。大気
圧復帰のための、例えば、窒素ガス導入用の導管７０の
一端は、窒素ガス源７１に連結され、他端は、ロードロ
ック室准内に連通してロードロック家信の頂壁に設けら
れている。導管７０には弁ｎが設けられている。処理室
１０の、この場合、頂壁には、真空間遮断手段、例えば
、ゲートバルブ５２が設けられている０処理室ｌＯ外で
ゲートバルブ５２と対向する上方の位置には、仕切板（
資）があり、ゲートバルブ５２と仕切板肋には、ゲート
バルブ５２と仕切板（資）と共に空間８１を形成し、か
つ、伸縮可能な部材、例えば、ベローズ羽が跨設されて
いる。空間８１には、放電洗浄用電極部間が内股されて
いる。放電洗浄用１を極部間は電源特に電気的に接続さ
れている。また、電源匍と処理室１０とは電気的に接続
されている。仕切板（資）と放電洗浄用電極部田とは電
気的に絶縁されている。
（９）が内設されている。スパッタ電極部加は、処理室
１０の、この場合、右側側壁に対応して設けられている
。また、スパッタ電極部Ｉの処理室ｌＯの左側側壁に対
応する側にはターゲラトガが略垂直姿勢にて添装されて
いる。また、処理室ｌＯには、スパッタ電極美つまりタ
ーゲット２１と対向して試料（図示省略）の成膜面を保
持する試料保持手段（図示省略）が内設されている。ガ
ス導入用の導管美の一端は、ガス源を含むガス供給手段
３１に連結され、他端は、処理室１０内に連通して処理
室１０の側壁に連結されている。導管菊の途中には弁部
が設けられている。ロードロック家信は、真空間遮断手
段、例えば、ゲートバルブ（資）を介し処理室ｌＯの左
側側壁に設けられている。ロードロック室１０の左側側
壁には、大気−真空間遮断手段、例えば、ゲートバルブ
５１が設けられている。排気管ωの一端は、祖引きポツ
プ６１の吸気口に連結され、他端は、処理室１０内に連
通して処理室１０の底壁に連結されている。排気管ωの
途中には弁軸が設けられている。排気管Ｂの一端は、高
真空ポンプθの吸気口に連結され、他端は、処理室１０
内に連通して処理室１０の底壁に連結されている。排気
管臼の途中には弁田が設けられている。粗引きポンプ６
１と弁６２との間の排気管ωと高真空ポンプθと弁Ｓと
の間の排気管臼とは、排気管θで連結されている。排気
管ωには弁ａが設けられている。粗引きポンプ６１と弁
６２との間で排気管８より分岐した排気管臼は、ロード
ロック家信内に連通してロードロック家信の底壁に連結
されている。排気管臼には弁ωが設けられている。大気
圧復帰のための、例えば、窒素ガス導入用の導管７０の
一端は、窒素ガス源７１に連結され、他端は、ロードロ
ック室准内に連通してロードロック家信の頂壁に設けら
れている。導管７０には弁ｎが設けられている。処理室
１０の、この場合、頂壁には、真空間遮断手段、例えば
、ゲートバルブ５２が設けられている０処理室ｌＯ外で
ゲートバルブ５２と対向する上方の位置には、仕切板（
資）があり、ゲートバルブ５２と仕切板肋には、ゲート
バルブ５２と仕切板（資）と共に空間８１を形成し、か
つ、伸縮可能な部材、例えば、ベローズ羽が跨設されて
いる。空間８１には、放電洗浄用電極部間が内股されて
いる。放電洗浄用１を極部間は電源特に電気的に接続さ
れている。また、電源匍と処理室１０とは電気的に接続
されている。仕切板（資）と放電洗浄用電極部田とは電
気的に絶縁されている。
第１図は、放電洗浄用電極部間が処理室ｌＯ外に退避さ
せられている状態を示す。また、空間８１は処理室１０
内の減圧排気時にゲートバルブ５２を開ける二とで、処
理室１０内と同圧力に減圧排気される。
せられている状態を示す。また、空間８１は処理室１０
内の減圧排気時にゲートバルブ５２を開ける二とで、処
理室１０内と同圧力に減圧排気される。
このような空間８１の減圧排気完了後、ゲートバルブ５
２は閉められ処理室１０内と空間８１とは遮断される。
２は閉められ処理室１０内と空間８１とは遮断される。
第１図で、処理室ｌＯ内部の放電洗浄が必要になった時
点でゲートバルブ５２が開けられ、処理室ｌＯ内と空間
８１とは連通させられる。なお、事前に処理室１０での
スパッタ成膜処理は停止させられている。その後、仕切
板間をゲートバルブ５２に向って、例えば、手動で押し
出すことで放電洗浄用電極部簡は、ゲートバ８ブ５２を
介して処理室１０内に入れられ、例えば、ストッパ手段
（開示省略）を作動させることで、放電洗浄用電極部簡
の移動は停止８ブる。この状態で、電源美より放電洗浄
用電極部羽に通電が開始８れ、放電が発生する。この場
合、処理室１０内には、ガス供給手段３１より、例えば
、アルゴンガスが所定流量で導入され、また、真空排気
系を作動させることで処理室１０内は所定圧力に調節さ
れて維持される。また、処理室１０には、電源特により
バイアス電圧が印加される。放電によりアルゴンガスは
イオン化され、イオン化されたアルゴンは、バイアス電
圧が印加されている処理室１０の内壁面に加速されて入
射し、該内借面に付着されている気体分子にエネルギを
与え、これを該内壁面から離脱させる。処理室１０の内
壁面から離脱させられた気体分子は、作動している真空
排気系により処理室１０外へ排出される。このようにし
て、処理室１０内は、放電洗浄される。このような放電
洗浄用電極、放電洗浄用電極部ａ３への通電並びに処理
室１０へのバイアス電圧の印加は停止される。その後、
ストッパーを解除し仕切板間を手動で引戻すことで、放
電洗浄用電極部田は、ゲートバ絶縁５２を介して処理室
１０内から空間８１に 。
点でゲートバルブ５２が開けられ、処理室ｌＯ内と空間
８１とは連通させられる。なお、事前に処理室１０での
スパッタ成膜処理は停止させられている。その後、仕切
板間をゲートバルブ５２に向って、例えば、手動で押し
出すことで放電洗浄用電極部簡は、ゲートバ８ブ５２を
介して処理室１０内に入れられ、例えば、ストッパ手段
（開示省略）を作動させることで、放電洗浄用電極部簡
の移動は停止８ブる。この状態で、電源美より放電洗浄
用電極部羽に通電が開始８れ、放電が発生する。この場
合、処理室１０内には、ガス供給手段３１より、例えば
、アルゴンガスが所定流量で導入され、また、真空排気
系を作動させることで処理室１０内は所定圧力に調節さ
れて維持される。また、処理室１０には、電源特により
バイアス電圧が印加される。放電によりアルゴンガスは
イオン化され、イオン化されたアルゴンは、バイアス電
圧が印加されている処理室１０の内壁面に加速されて入
射し、該内借面に付着されている気体分子にエネルギを
与え、これを該内壁面から離脱させる。処理室１０の内
壁面から離脱させられた気体分子は、作動している真空
排気系により処理室１０外へ排出される。このようにし
て、処理室１０内は、放電洗浄される。このような放電
洗浄用電極、放電洗浄用電極部ａ３への通電並びに処理
室１０へのバイアス電圧の印加は停止される。その後、
ストッパーを解除し仕切板間を手動で引戻すことで、放
電洗浄用電極部田は、ゲートバ絶縁５２を介して処理室
１０内から空間８１に 。
戻され、その後、ゲートバルブ５２は閉められる。
このような、放電洗浄用電極部簡の処理室ｌＯ８ブの退
避操作完了後、処理室１０内では、試料へのスパッタ成
膜処理が再開される。
避操作完了後、処理室１０内では、試料へのスパッタ成
膜処理が再開される。
本実施例では、処理室内での試料へのスパッタ成膜処理
時に放電洗浄用電極部は処理室外へ退避させられるため
、試料へのスパッタ成膜処理時にターゲットから飛散す
るスパッタ粒子の放電洗浄用゛電極部への付着、堆積が
防止される。このため、放電洗浄用電極部からの異物発
生が防止され製品歩留りの低下を防止できる。また、放
電洗浄用電極部を処理室に挿脱可能に設けているため、
放電排気時間を短縮できると共にガス使用量を減員でき
る。
時に放電洗浄用電極部は処理室外へ退避させられるため
、試料へのスパッタ成膜処理時にターゲットから飛散す
るスパッタ粒子の放電洗浄用゛電極部への付着、堆積が
防止される。このため、放電洗浄用電極部からの異物発
生が防止され製品歩留りの低下を防止できる。また、放
電洗浄用電極部を処理室に挿脱可能に設けているため、
放電排気時間を短縮できると共にガス使用量を減員でき
る。
なお、本実施例では、仕切板を手動で往復動さ性用電極
部を収容する空間を、本実施例のように伸縮可能とせず
に固定された空間としても良い。
部を収容する空間を、本実施例のように伸縮可能とせず
に固定された空間としても良い。
−′ この場合、該空間の気密を保持して放
電洗浄用電極部を往復動させることが必要である。また
、ＣＶ／装置やドライエツチング装置のように腐食性。
電洗浄用電極部を往復動させることが必要である。また
、ＣＶ／装置やドライエツチング装置のように腐食性。
反応性ガスを使用する装置でも放電洗浄用電極部への腐
食性１反応性ガスの悪影響が防止されるため、適用が極
めて容易になる。
食性１反応性ガスの悪影響が防止されるため、適用が極
めて容易になる。
本発明によれば、放ｍ洗浄用の電極部を試料の処理時に
処理室から退避できるので、放電洗浄用の電極部からの
異物発生を防止でき製品歩留りの低下を防止できるとい
う効果がある。
処理室から退避できるので、放電洗浄用の電極部からの
異物発生を防止でき製品歩留りの低下を防止できるとい
う効果がある。
第１因は、本発明の一実施例のスパッタ装置の構成図で
ある。
ある。
Claims (1)
- １、試料が減圧下で処理される処理室に、放電洗浄用電
極部を挿脱可能に設けたことを特徴とする真空処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8595186A JPS62243783A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8595186A JPS62243783A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243783A true JPS62243783A (ja) | 1987-10-24 |
Family
ID=13873065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8595186A Pending JPS62243783A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62243783A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05106020A (ja) * | 1990-03-02 | 1993-04-27 | Applied Materials Inc | 物理的蒸着室の微粒子を減少するためのシールド準備法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662964A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-29 | Japan Atom Energy Res Inst | Coating method for first wall surface of nuclear fusion apparatus |
| JPS58133370A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 物理蒸着における被処理物の放電処理方法 |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP8595186A patent/JPS62243783A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662964A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-29 | Japan Atom Energy Res Inst | Coating method for first wall surface of nuclear fusion apparatus |
| JPS58133370A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 物理蒸着における被処理物の放電処理方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05106020A (ja) * | 1990-03-02 | 1993-04-27 | Applied Materials Inc | 物理的蒸着室の微粒子を減少するためのシールド準備法 |
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