JPS5853027A - 磁気記録体の製造装置 - Google Patents
磁気記録体の製造装置Info
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- JPS5853027A JPS5853027A JP15091981A JP15091981A JPS5853027A JP S5853027 A JPS5853027 A JP S5853027A JP 15091981 A JP15091981 A JP 15091981A JP 15091981 A JP15091981 A JP 15091981A JP S5853027 A JPS5853027 A JP S5853027A
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- JP
- Japan
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- vapor
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- oxygen gas
- coercive force
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本員＠鉱鼻気テーゾ・磁気フィルムその他の一気記―体
の製造装置ＫＩＩする。
の製造装置ＫＩＩする。
従来のこのｌｌ１ｌ襞置として、真９！、九理璽内にそ
の下方に金属コバルトその他の磁性材料の蒸発−と、そ
の上方に斜めに傾斜させて合成樹脂フィルムその他の非
磁性材料のサブストレートと。
の下方に金属コバルトその他の磁性材料の蒸発−と、そ
の上方に斜めに傾斜させて合成樹脂フィルムその他の非
磁性材料のサブストレートと。
その外部の＠素ガス源に遅る給気口とを備え、骸サブス
トレー）１腋傾斜に従って下向きに走行させクク該蒸発
源の蒸気ｔ＃ナブストレートの１ｆｌＫ斜めに入射させ
ると共に＃真９処ａｍ内に酸素ガスの微量を尋人して＃
ｌ＆理富内を主としてＩＩ累ガスからなる高真９雰囲気
とし、該サブストレートの面上に該蒸気の豪族管形成さ
せて、為い保磁力ｔＯＷする磁気記録体を得るようにし
たｔのか知られる。
トレー）１腋傾斜に従って下向きに走行させクク該蒸発
源の蒸気ｔ＃ナブストレートの１ｆｌＫ斜めに入射させ
ると共に＃真９処ａｍ内に酸素ガスの微量を尋人して＃
ｌ＆理富内を主としてＩＩ累ガスからなる高真９雰囲気
とし、該サブストレートの面上に該蒸気の豪族管形成さ
せて、為い保磁力ｔＯＷする磁気記録体を得るようにし
たｔのか知られる。
この場合、＠素ガスＩＮＫ逼ゐ給気口はノズルで形成さ
れ、単に蒸発源とＩｌ素とが充分拠金するように、蒸発
源の近傍に配置されるｔ一般とするもので、ｌ１ｌｌ造
される磁気記録体の保磁力との関係においてノズルの配
置に骨別な配置管し次磁気配線体の製造彊置扛存在しな
かった。
れ、単に蒸発源とＩｌ素とが充分拠金するように、蒸発
源の近傍に配置されるｔ一般とするもので、ｌ１ｌｌ造
される磁気記録体の保磁力との関係においてノズルの配
置に骨別な配置管し次磁気配線体の製造彊置扛存在しな
かった。
然し乍ら、発明者の実験によれば、その配置が極めて１
ｋｌ！であり、その配置の如何によって紘、よ）Ａい保
磁力會有する磁気記―体會得る仁とができる事を確認し
た。
ｋｌ！であり、その配置の如何によって紘、よ）Ａい保
磁力會有する磁気記―体會得る仁とができる事を確認し
た。
本発明はかかる考案に暴いてな葛れ’ｆＦ−％ので。
真空処１１ｉ１［内にその下方に金属コＡルトその他の
磁性材料の蒸発源と、その上方に斜めに傾斜させて合１
ｔ＊＊ｙイルムその他の非磁性材料のサシストレートと
、その外部の欺素ガス源に運る給気口と會備え、該サブ
ストレート【該傾斜に従って斜め下ｆｔｆＪきに走行さ
せクク該蒸発源の蒸気を骸サブストレートの１ｌｉＫ斜
めに入射させると共に皺真空処！ｌ１ｉＩ内に酸素ガス
の微量を導入して該ｌ＆＠重円を主として酸素ガスから
なるＡＸ！２ＩＦＩｉｌ気とし、該サシストレートの向
上に＃蒸気のＩＩ属を形成させる式のものにｓＰｉて、
斜め入射ＯＪＩ着向の下位に前記給気口を対設し瞥 て威る。
磁性材料の蒸発源と、その上方に斜めに傾斜させて合１
ｔ＊＊ｙイルムその他の非磁性材料のサシストレートと
、その外部の欺素ガス源に運る給気口と會備え、該サブ
ストレート【該傾斜に従って斜め下ｆｔｆＪきに走行さ
せクク該蒸発源の蒸気を骸サブストレートの１ｌｉＫ斜
めに入射させると共に皺真空処！ｌ１ｉＩ内に酸素ガス
の微量を導入して該ｌ＆＠重円を主として酸素ガスから
なるＡＸ！２ＩＦＩｉｌ気とし、該サシストレートの向
上に＃蒸気のＩＩ属を形成させる式のものにｓＰｉて、
斜め入射ＯＪＩ着向の下位に前記給気口を対設し瞥 て威る。
本発明の実施例【別紙図面に付説明する。
図示の実ｌ１ｆ１１は斜め蒸着による磁気記録体の羨造
装置ｔＴｏられし九ｔのでＳ図面で（１）は真９見理１
ｉｃｔ示し、ｌ１ｌｉｉ（１）内位そノ１ＩＩＩｉｉＩ
ｌｏ排気口（６）で外部の真空ポンプ（１）に連通され
て適宜の真ｇ装置に保たれるようにした。
装置ｔＴｏられし九ｔのでＳ図面で（１）は真９見理１
ｉｃｔ示し、ｌ１ｌｉｉ（１）内位そノ１ＩＩＩｉｉＩ
ｌｏ排気口（６）で外部の真空ポンプ（１）に連通され
て適宜の真ｇ装置に保たれるようにした。
サブストレート（３）は上方の送出用の壱枠係）と下方
の円筒状のキャン（９）を介した上方の巻取用の壱枠輪
との間に俵設される長尺物ＫＩＩ成嘔れ、送出用の巻枠
（８）とキャン（９）との間において斜め下向＠に走行
畜せるようにした。
の円筒状のキャン（９）を介した上方の巻取用の壱枠輪
との間に俵設される長尺物ＫＩＩ成嘔れ、送出用の巻枠
（８）とキャン（９）との間において斜め下向＠に走行
畜せるようにした。
蒸発１１（２）は、るつぼ（ロ）内の試料（２）すなわ
ち磁性材料管電子銃の出力電子ビームで照射する皺式と
し、送出用の巻枠（８）とキャン（１）とによシ傾斜さ
ぜられたナシストレート値）のｉｉｌに対向させて、そ
の下方に配置させ、かくて該蒸発１１（２）の蒸気は該
サブストレート（３） （０面に斜め入射して％咳向上
にそれの蒸着量Ｊ［即ちｉａ磁性材料遼農が形成される
ようにし九。この鳩舎、訪蒸気の斜め入射は該被膜内に
斜めにのびる柱状晶を生じ、これが該被膜に優れた保磁
力を提供すること嬬既に知られるところである。
ち磁性材料管電子銃の出力電子ビームで照射する皺式と
し、送出用の巻枠（８）とキャン（１）とによシ傾斜さ
ぜられたナシストレート値）のｉｉｌに対向させて、そ
の下方に配置させ、かくて該蒸発１１（２）の蒸気は該
サブストレート（３） （０面に斜め入射して％咳向上
にそれの蒸着量Ｊ［即ちｉａ磁性材料遼農が形成される
ようにし九。この鳩舎、訪蒸気の斜め入射は該被膜内に
斜めにのびる柱状晶を生じ、これが該被膜に優れた保磁
力を提供すること嬬既に知られるところである。
更に本発明によれば真窒処ＩＩ Ｎ （１）に外部の駅
素ガス源（４）Ｋ連ゐ給気口（ｉ＞ を備える％０で、
＃給気口（１）は真空処ＩＩ ！ （１）の底°郁中央
から立設されたＩＩＩ状ＯＩＩ素流路轡の先端をキャン
（９）に沿わせて内外方に延ａＳさせ、その先端の細口
部で形成され、該−口部よｊｌｍｌｉｌｌ（幻の蒸気が
低入射角で蒸着層れるサシストレート（１） Ｏ爾に向
けて駿累ガスｔｑＲ出さぜ、その上流の高入射角で蒸着
されるナシストレート値）の画に比して相対的に多量Ｏ
ＩＩ素ガスが供１１畜れるようにした。
素ガス源（４）Ｋ連ゐ給気口（ｉ＞ を備える％０で、
＃給気口（１）は真空処ＩＩ ！ （１）の底°郁中央
から立設されたＩＩＩ状ＯＩＩ素流路轡の先端をキャン
（９）に沿わせて内外方に延ａＳさせ、その先端の細口
部で形成され、該−口部よｊｌｍｌｉｌｌ（幻の蒸気が
低入射角で蒸着層れるサシストレート（１） Ｏ爾に向
けて駿累ガスｔｑＲ出さぜ、その上流の高入射角で蒸着
されるナシストレート値）の画に比して相対的に多量Ｏ
ＩＩ素ガスが供１１畜れるようにした。
図中０４は防着ａｔ示す、尚、図示のキャン（９）を用
−てナシストレー） （３） ｔ ＩＩ斜させる場合＃
ｃｄ蒸気の入射角は４０″〜９０°ｓ度とな〉１ｍ示に
ないプレートを用−る鳩舎には６０＠〜８０＠１ｉｌＥ
となる。
−てナシストレー） （３） ｔ ＩＩ斜させる場合＃
ｃｄ蒸気の入射角は４０″〜９０°ｓ度とな〉１ｍ示に
ないプレートを用−る鳩舎には６０＠〜８０＠１ｉｌＥ
となる。
か（して得られ九負晶紘、ＩＩ素がス源に連る給気口（
２）を単Ｋｌ１発ＩＮ（り（Ｄ近傍に配置するようにし
穴ｔの或％ＡＨ単に真！九臘璽（１）内の任意の位ＩＩ
Ｋ配置すみようにし九％Ｏから得られゐ磁気記曇体よ＃
＊ｌｌ力に優れ＊、製品が得られる。
２）を単Ｋｌ１発ＩＮ（り（Ｄ近傍に配置するようにし
穴ｔの或％ＡＨ単に真！九臘璽（１）内の任意の位ＩＩ
Ｋ配置すみようにし九％Ｏから得られゐ磁気記曇体よ＃
＊ｌｌ力に優れ＊、製品が得られる。
これを発明者の実験によシ説明すると、実験俟ｔは第２
酌示の如く一般的な斜め蒸着によるものを用いるｔので
、給気口係）を形成するノズルｔＸ空処ｌｌ璽（１）内
の８箇所に順次薯動させ、６箇所において敵素分圧’を
変化させながら蒸着層の磁気特性すなわち保磁力にクー
て一定するようにした。
酌示の如く一般的な斜め蒸着によるものを用いるｔので
、給気口係）を形成するノズルｔＸ空処ｌｌ璽（１）内
の８箇所に順次薯動させ、６箇所において敵素分圧’を
変化させながら蒸着層の磁気特性すなわち保磁力にクー
て一定するようにした。
名らに１この実験装置を詳述すれば、 ＃ｉｉ置は先ず
真空ポンプにより真！処理ｍ１（１）Ｐｆｔ ｌＸｌ０
’Ｔｏｒｒ以下の高真空まで排気し、その後送出用の壱
枠傳）から巻取用の壱枠鱒へ走行丁ゐポリエステルフィ
ルムから成るナシストレート（８３管下方の水冷キヤ？
（９）で冷却すると共に除素會ノズル（ｉ）から噴出さ
せ、電子ぜ一ム會利用し九蒸発源（！］から発゛生ずる
蒸気を皺４リエステルフイルム（ｓ）ｌｆＩ上に斜め蒸
着させるようにした％Ｏであｐ１該蒸気の入射角の餉＠
紘防着板ＩＪ４會用−て行なイ、ソノ角ＩＩ ａ Ｘ
９処ＩＩ ｉＫ （１）内ＫＩｌ＊ガｘ（’供給しな−
斜め蒸着の装置の入射角６０６〜９０°に比して低入射
角となるようにした。
真空ポンプにより真！処理ｍ１（１）Ｐｆｔ ｌＸｌ０
’Ｔｏｒｒ以下の高真空まで排気し、その後送出用の壱
枠傳）から巻取用の壱枠鱒へ走行丁ゐポリエステルフィ
ルムから成るナシストレート（８３管下方の水冷キヤ？
（９）で冷却すると共に除素會ノズル（ｉ）から噴出さ
せ、電子ぜ一ム會利用し九蒸発源（！］から発゛生ずる
蒸気を皺４リエステルフイルム（ｓ）ｌｆＩ上に斜め蒸
着させるようにした％Ｏであｐ１該蒸気の入射角の餉＠
紘防着板ＩＪ４會用−て行なイ、ソノ角ＩＩ ａ Ｘ
９処ＩＩ ｉＫ （１）内ＫＩｌ＊ガｘ（’供給しな−
斜め蒸着の装置の入射角６０６〜９０°に比して低入射
角となるようにした。
仁の実験は以下の条件により行なわれたものである。
蒸発源（２）の材料 ０ｏ−３０ＸＮｉ合金ノズル
（６）の内径 ８ψ １！！素分圧の調整手段 酸素ガス供給経路に介設し九
ノ々リアプルリー クＡルブ ポリエステルフィルムに対するＯｏ −３０ＸＮｉ合金
の入射素置 ４２＠〜９０＠ 電子♂−ムの出力 ７！ｃＷ 膜厚 １００ ｏｋ 結果を第３１Ｉｉｌ’Ｃ示す。
（６）の内径 ８ψ １！！素分圧の調整手段 酸素ガス供給経路に介設し九
ノ々リアプルリー クＡルブ ポリエステルフィルムに対するＯｏ −３０ＸＮｉ合金
の入射素置 ４２＠〜９０＠ 電子♂−ムの出力 ７！ｃＷ 膜厚 １００ ｏｋ 結果を第３１Ｉｉｌ’Ｃ示す。
この冥験結果から明らかなように、ノズル（６）の位置
によや保磁力が大きく影替されることかわかる。
によや保磁力が大きく影替されることかわかる。
蒸発Ｓ輿の近傍すなわちＯ，Ｄ、ｌの位ＩＩＫノズル（
６） を配置する従来式のｔのは、Ｐの位置に配１１畜
れたｔのを除１他の位置に配置されたちのに比して保磁
力が低く、一方Ａ、Ｂの位１１１にノズル（６）を配置
する本発明と同様のｔのは、従来式のもの０２倚＠度の
保磁力を有する。
６） を配置する従来式のｔのは、Ｐの位置に配１１畜
れたｔのを除１他の位置に配置されたちのに比して保磁
力が低く、一方Ａ、Ｂの位１１１にノズル（６）を配置
する本発明と同様のｔのは、従来式のもの０２倚＠度の
保磁力を有する。
この保磁力の同上社、ノズル（Ｉ）１％ポリエステルフ
ィルム（３）の面に対して蒸気か低入射角で蒸着される
位ｔＫ、対設した仁とによる％０で、その理由は必ずし
％明瞭で扛ないが１次の現象に基〈ｔのと思料する。即
ち、ポリエステルフィルム（３）を斜め下向きに走行さ
せる斜め蒸着法の場合、誼ポリエステルフィルム（Ａ）
には蒸気の為入射角位置で被生成が起り、ポリエステル
フィルム（３）の走行とと％に蒸気の低入射角側で蒸着
が進むが、第４図示の如く蒸着電子の成長扛最初の核の
方向に規制される。したかりて保磁力の高低は最初に発
生ずゐ核の方向、！！直、結晶配向、結晶構造等により
大きく影４１−ｇれるものと考えられて−る。第４ｗＪ
Ｋよれ＃ｉｚリエステルフイルム（８３ＫＩして−る側
は数子の密度が小さく且つ粒子の径も小１いが、４リエ
ステルスイルム（３）から遠ざかるに従い粒子の径が大
きくなｐ、蒸着膜のＩＩ向１１においては相隣る数子が
互いＫｌｌ触するように′＆る。ＩＩ素ガスを導入しな
がら蒸着を行なうと保磁力が高くなゐと１う効果は、こ
れら粒子間に＠素原子が介入し、′ｓ気粒子間の接触を
防止しているためと考えられる。し九がって一最を酸素
ガス【必要とする箇所は蒸着膜のａｍ側すなわち蒸気の
低入射真値ｌｌになるわけである。ところが、従来式の
ものにおいては、ポリエステルフィルム（３）に対する
ｌｌ素鳳子Ｏ入射Ｓ［は蒸気の為入射角位置と低入射自
位置とでそれ＠変わらず、一方蒸気のぼりエステルフィ
ルム（３）に対する入射Ｓｔは灸婁上蒸気ＩＩ（りと４
リエステルフイルム（１）との距離が小さ一低入射角位
置において着しく大Ｉ％Ａ。
ィルム（３）の面に対して蒸気か低入射角で蒸着される
位ｔＫ、対設した仁とによる％０で、その理由は必ずし
％明瞭で扛ないが１次の現象に基〈ｔのと思料する。即
ち、ポリエステルフィルム（３）を斜め下向きに走行さ
せる斜め蒸着法の場合、誼ポリエステルフィルム（Ａ）
には蒸気の為入射角位置で被生成が起り、ポリエステル
フィルム（３）の走行とと％に蒸気の低入射角側で蒸着
が進むが、第４図示の如く蒸着電子の成長扛最初の核の
方向に規制される。したかりて保磁力の高低は最初に発
生ずゐ核の方向、！！直、結晶配向、結晶構造等により
大きく影４１−ｇれるものと考えられて−る。第４ｗＪ
Ｋよれ＃ｉｚリエステルフイルム（８３ＫＩして−る側
は数子の密度が小さく且つ粒子の径も小１いが、４リエ
ステルスイルム（３）から遠ざかるに従い粒子の径が大
きくなｐ、蒸着膜のＩＩ向１１においては相隣る数子が
互いＫｌｌ触するように′＆る。ＩＩ素ガスを導入しな
がら蒸着を行なうと保磁力が高くなゐと１う効果は、こ
れら粒子間に＠素原子が介入し、′ｓ気粒子間の接触を
防止しているためと考えられる。し九がって一最を酸素
ガス【必要とする箇所は蒸着膜のａｍ側すなわち蒸気の
低入射真値ｌｌになるわけである。ところが、従来式の
ものにおいては、ポリエステルフィルム（３）に対する
ｌｌ素鳳子Ｏ入射Ｓ［は蒸気の為入射角位置と低入射自
位置とでそれ＠変わらず、一方蒸気のぼりエステルフィ
ルム（３）に対する入射Ｓｔは灸婁上蒸気ＩＩ（りと４
リエステルフイルム（１）との距離が小さ一低入射角位
置において着しく大Ｉ％Ａ。
し次がって蒸着膜はポリエステルフィルム（３）側で蒸
気粒子に対すゐＩＩ素原子の割合が大きくなｐ、保磁力
か烏（ならないｔのと思われる。轡にノズル（旬ｔＦの
位置に配置した場合は％核発先の―、ｌ［素原子の割合
が著しく大匙く、蒸気粒子が酸化１１１１に＆ってしま
い、有効な被ＫｔらｔｋＶｈ危めノズル（Ｉ）を他の位
置に配置したものに比して、保磁力が低くなるｔのと考
えられる。
気粒子に対すゐＩＩ素原子の割合が大きくなｐ、保磁力
か烏（ならないｔのと思われる。轡にノズル（旬ｔＦの
位置に配置した場合は％核発先の―、ｌ［素原子の割合
が著しく大匙く、蒸気粒子が酸化１１１１に＆ってしま
い、有効な被ＫｔらｔｋＶｈ危めノズル（Ｉ）を他の位
置に配置したものに比して、保磁力が低くなるｔのと考
えられる。
以上のことから、Ｉ［素ガスの真空処理＠ （１）内へ
の導入は、蒸気の低入射角側に多くして、蒸気原子と酸
素原子との割合管低入射角儒と高入射角側とで略尋しく
することのできる本発明と同様のＡ或いはＢ位ＩＩＫノ
ズル（Ｓ） を配置するｔ。
の導入は、蒸気の低入射角側に多くして、蒸気原子と酸
素原子との割合管低入射角儒と高入射角側とで略尋しく
することのできる本発明と同様のＡ或いはＢ位ＩＩＫノ
ズル（Ｓ） を配置するｔ。
がＭ筐しｖｈｃとがわかる。また、斜め蒸着膜の磁気記
―体として、ポリエステルフィルム（３）の面上に磁性
金属層とＡＩ 、 Ｔｉ 、 Ｍｅ 等の非磁性材料
の層とｔ−交互に積層して記鍮再生特性を同上させてい
る碑気記銀体が知られるが、この場合には、第５図示の
如く磁性金属の蒸発Ｉｔ （１）と非磁性材料の蒸発源
（至）との間にノズル（Ｉｓ） を配置し。
―体として、ポリエステルフィルム（３）の面上に磁性
金属層とＡＩ 、 Ｔｉ 、 Ｍｅ 等の非磁性材料
の層とｔ−交互に積層して記鍮再生特性を同上させてい
る碑気記銀体が知られるが、この場合には、第５図示の
如く磁性金属の蒸発Ｉｔ （１）と非磁性材料の蒸発源
（至）との間にノズル（Ｉｓ） を配置し。
非磁性材料ｔＣ＠嵩ガスが収着されないようにする必要
がある。
がある。
このように本発明によるときは駿嵩ガス詠に逼気口を他
の任意の位置に配置したｔのに比して保磁力が優れた特
性のｌＩ＃Ｉが得られゐ効果を有する。
の任意の位置に配置したｔのに比して保磁力が優れた特
性のｌＩ＃Ｉが得られゐ効果を有する。
籐１図は本発明の製造張膜の１例の説明線図。
第２図は興験装置の説明線図、第、３図は保磁力特性の
比較１１図、第４図は斜め蒸着法により得られる磁気記
録体の原理の説明−図、籐５図は本発明の詳細な説明−
図である。 （１）・・・・・・真空外ａｌｌ （２）・・・・・
・蒸発源。 （３）・・・・・・サブストレート、 （４）・・・・・・Ｉｌｌガス源、（６）・・・・・・
給気口。 外２名 第３図 兼！分圧（ｘＩＱ”Ｔｏｒｒ）
比較１１図、第４図は斜め蒸着法により得られる磁気記
録体の原理の説明−図、籐５図は本発明の詳細な説明−
図である。 （１）・・・・・・真空外ａｌｌ （２）・・・・・
・蒸発源。 （３）・・・・・・サブストレート、 （４）・・・・・・Ｉｌｌガス源、（６）・・・・・・
給気口。 外２名 第３図 兼！分圧（ｘＩＱ”Ｔｏｒｒ）
Claims (1)
- Ｘ９処１１１ｉ１１）’３にその下方に金属コバルトそ
の麹の磁性材料の蒸発源と、その上方に斜めに傾斜させ
て合成樹脂フィルムその佃ｏ＊ｉｉｉ性材料のサブスト
レートと、その外部の駅素ガー橡に運る給気口とｔ備え
％＃サブストレートを該傾斜に＠−’）て斜め下向きに
走行させクク該蒸発源の蒸気ｔ＃ナシストレートのＩｉ
Ｋ斜めに入射させると共に該真空錫塩室内に酸素ガスの
微量を導入して該４６１１璽内を主としてｌｌ嵩ガスか
らなｈ真Ｘ！２１Ｆ園気とし、ｌ［ナブストと一トの面
上に峡ｉｕａの被膜管形成させる式のものにお−て、斜
め入射０１１１１１１１Ｅ）下位に前記紬気口を対設し
て准る鼻気記―体の擬造ｉｉｔ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15091981A JPS5853027A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 磁気記録体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15091981A JPS5853027A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 磁気記録体の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853027A true JPS5853027A (ja) | 1983-03-29 |
| JPH0413769B2 JPH0413769B2 (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=15507264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15091981A Granted JPS5853027A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 磁気記録体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0138515A2 (en) * | 1983-10-07 | 1985-04-24 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | An apparatus for use in manufacturing a perpendicular magnetic recording member |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5419199A (en) * | 1977-07-12 | 1979-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium porcess |
| JPS5634148A (en) * | 1979-08-25 | 1981-04-06 | Hitachi Maxell Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
| JPS5638812A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of corrosion resistive magnetic thin film |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP15091981A patent/JPS5853027A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413769B2 (ja) | 1992-03-10 |
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