JP3291566B2 - 透明安定被膜形成方法 - Google Patents
透明安定被膜形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、イオンプレーティング
で各種基板表面に金属酸化物の薄膜を形成する方法に関
し、特に成膜時の雰囲気等の改良により、上記基板表面
に緻密で透明な被膜を形成する透明安定被膜形成方法に
関する。
で各種基板表面に金属酸化物の薄膜を形成する方法に関
し、特に成膜時の雰囲気等の改良により、上記基板表面
に緻密で透明な被膜を形成する透明安定被膜形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造装置などではアルミニ
ウム合金の真空容器を用いることが多くなっているが、
半導体製造プロセスでは、腐食性ガスを用いることが多
く、アルミニウム合金の腐食性に問題が起こる。そのた
め、上記アルミニウム合金表面へ酸化アルミニウム被膜
を形成して耐食性を向上させる工夫がなされてきた。
ウム合金の真空容器を用いることが多くなっているが、
半導体製造プロセスでは、腐食性ガスを用いることが多
く、アルミニウム合金の腐食性に問題が起こる。そのた
め、上記アルミニウム合金表面へ酸化アルミニウム被膜
を形成して耐食性を向上させる工夫がなされてきた。
【０００３】従来アルミニウム合金表面に酸化アルミニ
ウム被膜を形成する方法としては、陽極酸化処理が採用
されている。
ウム被膜を形成する方法としては、陽極酸化処理が採用
されている。
【０００４】一方、プラスチックフィルムを真空パック
に用いる場合、プラスチックフィルムに存在する微小な
穴からガスの透過が起こり、プラスチックフィルムに封
入した食品，クリーニング，精密電子部品などを長期間
にわたり安定した状態では保存できないという問題があ
る。また、マイクロ波を真空中に導入する場合の窓とし
てプラスチックフィルムを用いる場合も、同様の問題が
ある。そのため、上記プラスチックフィルム表面にガス
の透過を押えるガスバリアーとしての安定被膜を形成す
ることが考えられ、一部試みられている。
に用いる場合、プラスチックフィルムに存在する微小な
穴からガスの透過が起こり、プラスチックフィルムに封
入した食品，クリーニング，精密電子部品などを長期間
にわたり安定した状態では保存できないという問題があ
る。また、マイクロ波を真空中に導入する場合の窓とし
てプラスチックフィルムを用いる場合も、同様の問題が
ある。そのため、上記プラスチックフィルム表面にガス
の透過を押えるガスバリアーとしての安定被膜を形成す
ることが考えられ、一部試みられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の従来
のアルミニウム合金表面に陽極酸化処理により酸化アル
ミニウム被膜を形成する方法では、同酸化アルミニウム
被膜はポーラスで水分を含んでおり、高真空域ではガス
放出による真空特性の悪化が問題となるとともに、緻密
さに欠けているため耐食性が十分でないという問題点が
ある。
のアルミニウム合金表面に陽極酸化処理により酸化アル
ミニウム被膜を形成する方法では、同酸化アルミニウム
被膜はポーラスで水分を含んでおり、高真空域ではガス
放出による真空特性の悪化が問題となるとともに、緻密
さに欠けているため耐食性が十分でないという問題点が
ある。
【０００６】また上記アルミニウム合金を加熱すると、
上記のアルミニウム合金と酸化アルミニウム被膜との熱
膨張率の違いから安定被膜に微小な割れが発生し、耐食
性が非常に悪化するという問題点もある。
上記のアルミニウム合金と酸化アルミニウム被膜との熱
膨張率の違いから安定被膜に微小な割れが発生し、耐食
性が非常に悪化するという問題点もある。
【０００７】一方、前述したプラスチックフィルム表面
に形成されるガスバリアーとしての安定被膜は、可視
光，電子レンジのマイクロ波，一般のマイクロ波に対し
て透明であることが望ましいが、このような緻密で無色
透明な安定被膜をある程度の低温でしかも大量に工業化
規模で形成する適当な方法は未だ確立されていない。
に形成されるガスバリアーとしての安定被膜は、可視
光，電子レンジのマイクロ波，一般のマイクロ波に対し
て透明であることが望ましいが、このような緻密で無色
透明な安定被膜をある程度の低温でしかも大量に工業化
規模で形成する適当な方法は未だ確立されていない。
【０００８】本発明は、このような問題点の解決をはか
ろうとするもので、イオン源としてはＬaＢ6の陰極を有
する圧力勾配型プラズマ発生装置を採用し、到達圧力10
-8Torr台の真空容器内において水分の割合が100ppb以下
の高純度のガスを用いて酸素ガスによる反応性イオンプ
レーティングにより、上記真空容器内の母材の表面に緻
密で透明なサファイア状被膜等の安定被膜を低温で形成
できるようにするとともに、上記真空容器内へ導入する
上記酸素ガスの導入流量の制御によって傾斜的な熱膨張
率分布を有する被膜を形成できるようにした、透明安定
被膜形成方法を提供することを目的とする。
ろうとするもので、イオン源としてはＬaＢ6の陰極を有
する圧力勾配型プラズマ発生装置を採用し、到達圧力10
-8Torr台の真空容器内において水分の割合が100ppb以下
の高純度のガスを用いて酸素ガスによる反応性イオンプ
レーティングにより、上記真空容器内の母材の表面に緻
密で透明なサファイア状被膜等の安定被膜を低温で形成
できるようにするとともに、上記真空容器内へ導入する
上記酸素ガスの導入流量の制御によって傾斜的な熱膨張
率分布を有する被膜を形成できるようにした、透明安定
被膜形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明の透明安定被膜形成方法は、到達圧力を10-8
Torr台に保たれる真空容器の内部に、ＬaＢ6の陰極を有
する圧力勾配型プラズマ発生装置により水分に関して10
0ppb台の純度を有する不活性ガスを用い発生させたプラ
ズマを導入して、同プラズマを上記真空容器内のアルミ
ニウムブロックへ導くことによりアルミニウムを蒸発さ
せ上記プラズマ内でイオン化するとともに、同アルミニ
ウムのイオンと反応してアルミニウム酸化物を生じさせ
るべく、水分に関して上記不活性ガスとほぼ同等の純度
を有する酸素ガスを上記真空容器内に導入することによ
り、あらかじめ上記真空容器内に配置した母材の表面に
緻密で透明なサファイア状被膜を形成することを特徴と
している。
め、本発明の透明安定被膜形成方法は、到達圧力を10-8
Torr台に保たれる真空容器の内部に、ＬaＢ6の陰極を有
する圧力勾配型プラズマ発生装置により水分に関して10
0ppb台の純度を有する不活性ガスを用い発生させたプラ
ズマを導入して、同プラズマを上記真空容器内のアルミ
ニウムブロックへ導くことによりアルミニウムを蒸発さ
せ上記プラズマ内でイオン化するとともに、同アルミニ
ウムのイオンと反応してアルミニウム酸化物を生じさせ
るべく、水分に関して上記不活性ガスとほぼ同等の純度
を有する酸素ガスを上記真空容器内に導入することによ
り、あらかじめ上記真空容器内に配置した母材の表面に
緻密で透明なサファイア状被膜を形成することを特徴と
している。
【００１０】また、本発明の透明安定被膜形成方法は、
上記母材としてアルミニウムを主成分とする素材を用
い、同素材と上記緻密で透明なサファイア状被膜との中
間に熱膨張係数が緩やかに変化する中間層が形成される
ように、上記酸素ガスの上記真空容器内への導入流量を
次第に増加させる制御を行なうことを特徴としている。
上記母材としてアルミニウムを主成分とする素材を用
い、同素材と上記緻密で透明なサファイア状被膜との中
間に熱膨張係数が緩やかに変化する中間層が形成される
ように、上記酸素ガスの上記真空容器内への導入流量を
次第に増加させる制御を行なうことを特徴としている。
【００１１】さらに本発明の透明安定被膜形成方法は、
上記母材としてアルミニウムよりも熱膨張係数の小さい
金属材を用い、同金属材と上記緻密で透明なサファイア
状被膜との中間に熱膨張係数が緩やかに変化する中間層
が形成されるように、上記酸素ガスの上記真空容器内へ
の導入流量を次第に増加させる制御を行なうことを特徴
としている。
上記母材としてアルミニウムよりも熱膨張係数の小さい
金属材を用い、同金属材と上記緻密で透明なサファイア
状被膜との中間に熱膨張係数が緩やかに変化する中間層
が形成されるように、上記酸素ガスの上記真空容器内へ
の導入流量を次第に増加させる制御を行なうことを特徴
としている。
【００１２】また、本発明の透明安定被膜形成方法は、
到達圧力を10-8Torr台に保たれる真空容器の内部に、Ｌ
aＢ6の陰極を有する圧力勾配型プラズマ発生装置により
水分に関して100ppb台の純度を有する不活性ガスを用い
発生させたプラズマを導入して、同プラズマを上記真空
容器内のシリコンブロックへ導くことにより同シリコン
を蒸発させ上記プラズマ内でイオン化するとともに、同
シリコンのイオンと反応してシリコン酸化物を生じさせ
るべく、水分に関して上記不活性ガスとほぼ同等の純度
を有する酸素ガスを上記真空容器内に導入することによ
り、あらかじめ上記真空容器内に配置した母材の表面に
緻密で透明な石英状被膜を形成することを特徴としてい
る。
到達圧力を10-8Torr台に保たれる真空容器の内部に、Ｌ
aＢ6の陰極を有する圧力勾配型プラズマ発生装置により
水分に関して100ppb台の純度を有する不活性ガスを用い
発生させたプラズマを導入して、同プラズマを上記真空
容器内のシリコンブロックへ導くことにより同シリコン
を蒸発させ上記プラズマ内でイオン化するとともに、同
シリコンのイオンと反応してシリコン酸化物を生じさせ
るべく、水分に関して上記不活性ガスとほぼ同等の純度
を有する酸素ガスを上記真空容器内に導入することによ
り、あらかじめ上記真空容器内に配置した母材の表面に
緻密で透明な石英状被膜を形成することを特徴としてい
る。
【００１３】
【作用】前述の本発明の透明安定被膜形成方法では、ま
ず真空容器内が10-8Torr台まで排気された後ＬaＢ6の陰
極に有するプラズマ発生装置で発生させたプラズマによ
り上記真空容器内のアルミニウムあるいはシリコンを加
熱蒸発させるとともに、上記プラズマ内でイオン化させ
る作用が行なわれる。そして上記真空容器内に導入され
た酸素のイオンと反応しながら上記真空容器に配置され
た母材の表面に緻密で透明な安定被膜を堆積させる作用
が行なわれる。
ず真空容器内が10-8Torr台まで排気された後ＬaＢ6の陰
極に有するプラズマ発生装置で発生させたプラズマによ
り上記真空容器内のアルミニウムあるいはシリコンを加
熱蒸発させるとともに、上記プラズマ内でイオン化させ
る作用が行なわれる。そして上記真空容器内に導入され
た酸素のイオンと反応しながら上記真空容器に配置され
た母材の表面に緻密で透明な安定被膜を堆積させる作用
が行なわれる。
【００１４】また、真空容器内に導入される酸素の流量
を制御することにより、形成される被膜の熱膨張係数を
変化させる作用が行なわれる。
を制御することにより、形成される被膜の熱膨張係数を
変化させる作用が行なわれる。
【００１５】
【実施例】以下、図面により本発明の一実施例としての
透明安定被膜形成方法について説明すると、図１は同方
法のための装置構成図である。
透明安定被膜形成方法について説明すると、図１は同方
法のための装置構成図である。
【００１６】図１に示すように、本実施例のための成膜
装置は、真空ポンプ接続口７を介して高度な排気系12に
より到達圧力10-8Torr台まで排気されるようになってい
る。なお、10 -8 Torr台まで排気しうる高度な排気系12と
しては、補助ポンプやブースターポンプと共に、油拡散
ポンプ，ターボ分子ポンプあるいはクライオポンプなど
が用いられる。そして、真空容器１は、同容器内へプラ
ズマを導入しうる圧力勾配型プラズマ発生装置２（公開
特許公報昭58-73770号参照）と、真空容器１内に酸素ガ
ス導入口６を介してある流量の酸素ガスを導入しうる酸
素ガス導入流量制御装置11とをそなえている。
装置は、真空ポンプ接続口７を介して高度な排気系12に
より到達圧力10-8Torr台まで排気されるようになってい
る。なお、10 -8 Torr台まで排気しうる高度な排気系12と
しては、補助ポンプやブースターポンプと共に、油拡散
ポンプ，ターボ分子ポンプあるいはクライオポンプなど
が用いられる。そして、真空容器１は、同容器内へプラ
ズマを導入しうる圧力勾配型プラズマ発生装置２（公開
特許公報昭58-73770号参照）と、真空容器１内に酸素ガ
ス導入口６を介してある流量の酸素ガスを導入しうる酸
素ガス導入流量制御装置11とをそなえている。
【００１７】圧力勾配型プラズマ発生装置２には、同装
置を動作中に冷却するための冷却水接続口９と、不活性
ガスを導入するためのキャリアガス導入口８とが設けら
れている。この圧力勾配型プラズマ発生装置２はＬaＢ6
の陰極を有しており、キャリアガス導入口８から導入さ
れた水分に関して100ppb台の純度を有する不活性ガスを
用いプラズマを発生させられるようになっている。
置を動作中に冷却するための冷却水接続口９と、不活性
ガスを導入するためのキャリアガス導入口８とが設けら
れている。この圧力勾配型プラズマ発生装置２はＬaＢ6
の陰極を有しており、キャリアガス導入口８から導入さ
れた水分に関して100ppb台の純度を有する不活性ガスを
用いプラズマを発生させられるようになっている。
【００１８】また、真空容器１は、上記プラズマにより
融解されるブロック５を設置するための冷却水接続口９
を有する水冷るつぼ３を有するとともに、真空容器１の
外部に設けられたモータＭ等により旋回可能に母材４を
取付けるための取付台Ｎをそなえ、融解される材料５と
母材４との間には、シャッタ10が設けられている。この
ような構成により、本実施例の透明安定被膜形成方法で
は、融解されるブロック５としてアルミニウムブロック
を用いた場合には、まず到達圧力を10-8Torr台に真空容
器１を排気し、圧力勾配型プラズマ発生装置２により発
生させたプラズマを真空容器１の内部に導入して、同プ
ラズマによりアルミニウムを蒸発させて上記プラズマ内
でイオン化する。
融解されるブロック５を設置するための冷却水接続口９
を有する水冷るつぼ３を有するとともに、真空容器１の
外部に設けられたモータＭ等により旋回可能に母材４を
取付けるための取付台Ｎをそなえ、融解される材料５と
母材４との間には、シャッタ10が設けられている。この
ような構成により、本実施例の透明安定被膜形成方法で
は、融解されるブロック５としてアルミニウムブロック
を用いた場合には、まず到達圧力を10-8Torr台に真空容
器１を排気し、圧力勾配型プラズマ発生装置２により発
生させたプラズマを真空容器１の内部に導入して、同プ
ラズマによりアルミニウムを蒸発させて上記プラズマ内
でイオン化する。
【００１９】一方、酸素ガス導入口６からは、水分に関
して100ppb台の純度を有する酸素ガスを導入する。そし
て、アルミニウムブロック５と母材４との間のシャッタ
10を移動させて、同酸素ガスと上記アルミニウムのイオ
ンとを反応させることにより母材４の表面に緻密で透明
なサファイア状被膜を形成する。
して100ppb台の純度を有する酸素ガスを導入する。そし
て、アルミニウムブロック５と母材４との間のシャッタ
10を移動させて、同酸素ガスと上記アルミニウムのイオ
ンとを反応させることにより母材４の表面に緻密で透明
なサファイア状被膜を形成する。
【００２０】また、融解されるブロック５としてシリコ
ンブロックを用いた場合には、同様の方法により、母材
４の表面に緻密で透明な石英状被膜が形成されることに
なる。なお、母材４の表面に均一な被膜を形成するた
め、同母材４をモータＭにより旋回機構を介して旋回さ
せるようにしてもよい。
ンブロックを用いた場合には、同様の方法により、母材
４の表面に緻密で透明な石英状被膜が形成されることに
なる。なお、母材４の表面に均一な被膜を形成するた
め、同母材４をモータＭにより旋回機構を介して旋回さ
せるようにしてもよい。
【００２１】本実施例の透明安定被膜形成方法によれ
ば、真空容器１を到達真空度10-8Torr台にまで排気して
水分を除去するとともに、水分に関して純度の高いガス
を用いるため、120℃程度の低温で母材４の表面に緻密
で透明なサファイア状被膜や石英状被膜を形成すること
ができる。したがって、熱の影響を受け易い材料である
プラスチックフィルム上にも、ガスバリアーとして緻密
な安定被膜を形成することが可能となる。この安定被膜
はマイクロ波に対して透明であるため、上記安定被膜付
プラスチックフィルムは、食品用真空パック，真空中に
マイクロ波を導入する窓等の応用に有効である。
ば、真空容器１を到達真空度10-8Torr台にまで排気して
水分を除去するとともに、水分に関して純度の高いガス
を用いるため、120℃程度の低温で母材４の表面に緻密
で透明なサファイア状被膜や石英状被膜を形成すること
ができる。したがって、熱の影響を受け易い材料である
プラスチックフィルム上にも、ガスバリアーとして緻密
な安定被膜を形成することが可能となる。この安定被膜
はマイクロ波に対して透明であるため、上記安定被膜付
プラスチックフィルムは、食品用真空パック，真空中に
マイクロ波を導入する窓等の応用に有効である。
【００２２】また、融解させるブロック５としてアルミ
ニウムブロックを使用し、母材４としてアルミニウムを
主成分とする素材（アルミニウム合金）あるいはアルミ
ニウムよりも熱膨張係数の小さい金属材を用いる場合に
は、母材上に形成される被膜の最表面に堆積される緻密
で透明なサファイア状被膜との中間に、熱膨張係数が母
材のそれからサファイア状被膜のそれまで緩やかに変化
する中間層が形成されるように、酸素ガスの流量が次第
に増加されるよう制御される。
ニウムブロックを使用し、母材４としてアルミニウムを
主成分とする素材（アルミニウム合金）あるいはアルミ
ニウムよりも熱膨張係数の小さい金属材を用いる場合に
は、母材上に形成される被膜の最表面に堆積される緻密
で透明なサファイア状被膜との中間に、熱膨張係数が母
材のそれからサファイア状被膜のそれまで緩やかに変化
する中間層が形成されるように、酸素ガスの流量が次第
に増加されるよう制御される。
【００２３】これにより、従来真空容器用のアルミニウ
ム合金に陽極酸化、あるいはその他の手法で酸化アルミ
ニウム被膜を形成する場合に、上記のアルミニウム合金
と酸化アルミニウム被膜との間の熱膨張係数の不一致に
より発生していた割れの問題が、上記中間層の存在によ
って解決されるため、信頼度の高い耐食性を有する、緻
密な安定被膜付きアルミニウム合金製真空容器を実現す
ることができる。
ム合金に陽極酸化、あるいはその他の手法で酸化アルミ
ニウム被膜を形成する場合に、上記のアルミニウム合金
と酸化アルミニウム被膜との間の熱膨張係数の不一致に
より発生していた割れの問題が、上記中間層の存在によ
って解決されるため、信頼度の高い耐食性を有する、緻
密な安定被膜付きアルミニウム合金製真空容器を実現す
ることができる。
【００２４】もちろん、このような緻密かつ透明な安定
被膜は、上述のプラスチックフィルム、アルミニウム合
金に限らず、高い耐食性や密封性が要求されるような材
料の表面被膜として適用される。
被膜は、上述のプラスチックフィルム、アルミニウム合
金に限らず、高い耐食性や密封性が要求されるような材
料の表面被膜として適用される。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の透明安
定被膜形成方法によれば、低温で緻密かつ透明なサファ
イア状あるいは石英状の被膜という安定被膜を形成する
ことができるため、熱影響を受け易い真空パック等に用
いられるプラスチックフィルムにもガスバリアーとして
の十分な緻密性とマイクロ波の透過が可能な透過性とを
もった安定被膜を形成することができるようになる。ま
た、アルミニウム合金あるいはその他のアルミニウムよ
りも熱膨張係数の小さい金属材の表面には、母材と最表
面のサファイア状被膜との間に熱膨張係数が緩やかに変
化する中間層が設けられるため、母材を加熱した際等の
母材とサファイア状被膜との間の熱膨張係数の違いが発
生する割れの問題が解消し、信頼性の高い，耐食性の高
い安定被膜を提供することができる。
定被膜形成方法によれば、低温で緻密かつ透明なサファ
イア状あるいは石英状の被膜という安定被膜を形成する
ことができるため、熱影響を受け易い真空パック等に用
いられるプラスチックフィルムにもガスバリアーとして
の十分な緻密性とマイクロ波の透過が可能な透過性とを
もった安定被膜を形成することができるようになる。ま
た、アルミニウム合金あるいはその他のアルミニウムよ
りも熱膨張係数の小さい金属材の表面には、母材と最表
面のサファイア状被膜との間に熱膨張係数が緩やかに変
化する中間層が設けられるため、母材を加熱した際等の
母材とサファイア状被膜との間の熱膨張係数の違いが発
生する割れの問題が解消し、信頼性の高い，耐食性の高
い安定被膜を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例としての透明安定被膜形成方
法のための装置構成図である。
法のための装置構成図である。
１ 真空容器 ２ 圧力勾配型プラズマ発生装置 ３ 水冷るつぼ ４ 母材 ５ 融解させるブロック（アルミニウムまたはシリコ
ン） ６ 酸素ガス ７ 真空ポンプ接続口 ８ キャリアガス導入口 ９ 冷却水接続 10 シャッタ 11 酸素ガス導入流量制御装置 12 排気系 Ｍ モータ Ｎ 取付台
ン） ６ 酸素ガス ７ 真空ポンプ接続口 ８ キャリアガス導入口 ９ 冷却水接続 10 シャッタ 11 酸素ガス導入流量制御装置 12 排気系 Ｍ モータ Ｎ 取付台
フロントページの続き (72)発明者 高橋 善則 東京都中央区佃２丁目17番15号 月島機 械株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−908（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−20457（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56
Claims (4)
- 【請求項１】 到達圧力を10-8Torr台に保たれる真空容
器の内部に、ＬaＢ6の陰極を有する圧力勾配型プラズマ
発生装置により水分に関して100ppb台の純度を有する不
活性ガスを用い発生させたプラズマを導入して、同プラ
ズマを上記真空容器内のアルミニウムブロックへ導くこ
とによりアルミニウムを蒸発させ上記プラズマ内でイオ
ン化するとともに、同アルミニウムのイオンと反応して
アルミニウム酸化物を生じさせるべく、水分に関して上
記不活性ガスとほぼ同等の純度を有する酸素ガスを上記
真空容器内に導入することにより、あらかじめ上記真空
容器内に配置した母材の表面に緻密で透明なサファイア
状被膜を形成することを特徴とする、透明安定被膜形成
方法。 - 【請求項２】 上記母材としてアルミニウムを主成分と
する素材を用い、同素材と上記緻密で透明なサファイア
状被膜との中間に熱膨張係数が緩やかに変化する中間層
が形成されるように、上記酸素ガスの上記真空容器内へ
の導入流量を次第に増加させる制御を行なうことを特徴
とする、請求項１に記載の透明安定被膜形成方法。 - 【請求項３】 上記母材としてアルミニウムよりも熱膨
張係数の小さい金属材を用い、同金属材と上記緻密で透
明なサファイア状被膜との中間に熱膨張係数が緩やかに
変化する中間層が形成されるように、上記酸素ガスの上
記真空容器内への導入流量を次第に増加させる制御を行
なうことを特徴とする、請求項１に記載の透明安定被膜
形成方法。 - 【請求項４】 到達圧力を10-8Torr台に保たれる真空容
器の内部に、ＬaＢ6の陰極を有する圧力勾配型プラズマ
発生装置により水分に関して100ppb台の純度を有する不
活性ガスを用い発生させたプラズマを導入して、同プラ
ズマを上記真空容器内のシリコンブロックへ導くことに
よりシリコンを蒸発させ上記プラズマ内でイオン化する
とともに、同シリコンのイオンと反応してシリコン酸化
物を生じさせるべく、水分に関して上記不活性ガスとほ
ぼ同等の純度を有する酸素ガスを上記真空容器内に導入
することにより、あらかじめ上記真空容器内に配置した
母材の表面に緻密で透明な石英状被膜を形成することを
特徴とする、透明安定被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12003292A JP3291566B2 (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 透明安定被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12003292A JP3291566B2 (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 透明安定被膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0673536A JPH0673536A (ja) | 1994-03-15 |
| JP3291566B2 true JP3291566B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=14776220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12003292A Expired - Lifetime JP3291566B2 (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 透明安定被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3291566B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6087276A (en) * | 1996-10-29 | 2000-07-11 | National Science Council | Method of making a TFT having an ion plated silicon dioxide capping layer |
-
1992
- 1992-04-14 JP JP12003292A patent/JP3291566B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0673536A (ja) | 1994-03-15 |
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