JP3275360B2 - 膜形成方法 - Google Patents
膜形成方法Info
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- forming
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、各種膜を各種基体上
に形成して、例えば基体の耐摩耗性を向上させたり、基
体の耐食性を向上させたり、あるいは、各種機能を有す
る膜を基体上に形成して半導体分野に応用する等の際の
膜形成方法に関する。
に形成して、例えば基体の耐摩耗性を向上させたり、基
体の耐食性を向上させたり、あるいは、各種機能を有す
る膜を基体上に形成して半導体分野に応用する等の際の
膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基体上に膜を形成する方法には、例えば
ＣＶＤ法（化学的気相法）やＰＶＤ法（物理的気相法）
等があり、更にこれらのＣＶＤ法やＰＶＤ法の中にも、
プラズマを用いるもの、熱を用いるもの、光を用いるも
の、あるいは蒸着を利用するもの、スパッタリングを利
用するもの等、各種の方法がある。
ＣＶＤ法（化学的気相法）やＰＶＤ法（物理的気相法）
等があり、更にこれらのＣＶＤ法やＰＶＤ法の中にも、
プラズマを用いるもの、熱を用いるもの、光を用いるも
の、あるいは蒸着を利用するもの、スパッタリングを利
用するもの等、各種の方法がある。
【０００３】また、これらの方法には、それぞれ特徴が
あり、例えばＣＶＤ法は、一般的に膜の堆積速度（成膜
速度）が速く、また基体に対する膜の付回り性質（陰の
部分を作らずに膜が形成されること）が良い。しかしな
がら、原料ガスを分解させ、反応させ、基体上に膜を形
成するためには、基体を高温に加熱する必要があり、基
体にはこの温度に耐え得るものしか用いることができな
い。
あり、例えばＣＶＤ法は、一般的に膜の堆積速度（成膜
速度）が速く、また基体に対する膜の付回り性質（陰の
部分を作らずに膜が形成されること）が良い。しかしな
がら、原料ガスを分解させ、反応させ、基体上に膜を形
成するためには、基体を高温に加熱する必要があり、基
体にはこの温度に耐え得るものしか用いることができな
い。
【０００４】また、ＰＶＤ法の一種である蒸着法は、装
置が簡単で安価であり、かつ基体を加熱することなく膜
を形成することができるので、半導体分野等において用
いられる絶縁膜や配線材料の形成等に用いられるが、膜
の基体に対する密着力は前記ＣＶＤ法に劣り、また化合
物より成る膜を形成するのが不得手である。
置が簡単で安価であり、かつ基体を加熱することなく膜
を形成することができるので、半導体分野等において用
いられる絶縁膜や配線材料の形成等に用いられるが、膜
の基体に対する密着力は前記ＣＶＤ法に劣り、また化合
物より成る膜を形成するのが不得手である。
【０００５】このように、上記のような各成膜方法には
それぞれ特徴があり、膜や基体の種類、更には使用目的
等によって、複数の方法を組み合わせて同一基体上に膜
を形成することも考えられている。例えば、膜の密着性
の良い第１の膜形成方法を用いて、密着性に優れた第１
の膜を基体上に形成した後に、成膜速度の高い第２の膜
形成方法を用いて、前記第１の膜の上に第２の膜を速い
速度で形成することが考えられ、このようにすれば、基
体上に密着強度の高い膜を高い成膜速度で形成すること
ができることになる。
それぞれ特徴があり、膜や基体の種類、更には使用目的
等によって、複数の方法を組み合わせて同一基体上に膜
を形成することも考えられている。例えば、膜の密着性
の良い第１の膜形成方法を用いて、密着性に優れた第１
の膜を基体上に形成した後に、成膜速度の高い第２の膜
形成方法を用いて、前記第１の膜の上に第２の膜を速い
速度で形成することが考えられ、このようにすれば、基
体上に密着強度の高い膜を高い成膜速度で形成すること
ができることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、複数の膜形
成方法を組み合わせる方法には、実際上は次のような問
題がある。即ち、第１の膜形成方法による第１の膜形成
装置内（即ち真空中）で処理された基体を一旦真空外に
取り出し、その後第２の膜形成方法による第２の膜形成
装置内（即ち真空中）において処理することにより、そ
の間に、先の工程において形成された第１の膜が大気に
触れることになり、その結果、第１の膜の表面が酸化さ
れ、これが次の工程にて当該第１の膜の上に形成される
第２の膜の特性に悪影響を及ぼすようになる。更に、第
１の膜が大気にさらされること等によって汚染されたり
腐食されたりする可能性があり、これが上記と同様、次
の工程にて当該第１の膜の上に形成される第２の膜の特
性を劣化させる危険性がある。つまり、第１の膜と第２
の膜との界面の状態が当初より予定していた状態と大き
く異なり、その結果、所要の膜特性が得られないという
問題が生じる。
成方法を組み合わせる方法には、実際上は次のような問
題がある。即ち、第１の膜形成方法による第１の膜形成
装置内（即ち真空中）で処理された基体を一旦真空外に
取り出し、その後第２の膜形成方法による第２の膜形成
装置内（即ち真空中）において処理することにより、そ
の間に、先の工程において形成された第１の膜が大気に
触れることになり、その結果、第１の膜の表面が酸化さ
れ、これが次の工程にて当該第１の膜の上に形成される
第２の膜の特性に悪影響を及ぼすようになる。更に、第
１の膜が大気にさらされること等によって汚染されたり
腐食されたりする可能性があり、これが上記と同様、次
の工程にて当該第１の膜の上に形成される第２の膜の特
性を劣化させる危険性がある。つまり、第１の膜と第２
の膜との界面の状態が当初より予定していた状態と大き
く異なり、その結果、所要の膜特性が得られないという
問題が生じる。
【０００７】これを解決するには、複数の膜形成方法を
真空下で連続的に行うことができる装置を構成すれば良
いことになるが、そのためには基体搬送用の複雑な搬送
機構等が必要になり、装置全体が大型化すると共にその
コストも嵩み、工業的に利用するのが困難になる。
真空下で連続的に行うことができる装置を構成すれば良
いことになるが、そのためには基体搬送用の複雑な搬送
機構等が必要になり、装置全体が大型化すると共にその
コストも嵩み、工業的に利用するのが困難になる。
【０００８】そこでこの発明は、第１の膜形成装置によ
って基体上に第１の膜を形成した上に第２の膜形成装置
によって第２の膜を更に形成する方法において、基体を
一旦真空外に取り出す場合でも、第１の膜の酸化、汚染
および腐食を防いで、その上に形成される第２の膜の密
着性低下、特性劣化等を防止することができる膜形成方
法を提供することを主たる目的とする。
って基体上に第１の膜を形成した上に第２の膜形成装置
によって第２の膜を更に形成する方法において、基体を
一旦真空外に取り出す場合でも、第１の膜の酸化、汚染
および腐食を防いで、その上に形成される第２の膜の密
着性低下、特性劣化等を防止することができる膜形成方
法を提供することを主たる目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の膜形成方法は、第１の膜形成装置におい
て基体上に第１の膜を形成した後、同装置内において第
１の膜上に当該膜を保護する保護膜を形成し、その後こ
の基体を第１の膜形成装置から取り出して第２の膜形成
装置内に収納し、この第２の膜形成装置において前記保
護膜を除去した後、前記第１の膜上に前記第２の膜を形
成することを特徴とする。
め、この発明の膜形成方法は、第１の膜形成装置におい
て基体上に第１の膜を形成した後、同装置内において第
１の膜上に当該膜を保護する保護膜を形成し、その後こ
の基体を第１の膜形成装置から取り出して第２の膜形成
装置内に収納し、この第２の膜形成装置において前記保
護膜を除去した後、前記第１の膜上に前記第２の膜を形
成することを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記方法によれば、基体上に第１の膜を形成し
たのと同じ第１の膜形成装置内で第１の膜上に保護膜を
形成し、この保護膜を、第２の膜を形成するのと同じ第
２の膜形成装置内で除去するので、第１の膜形成装置で
基体上に第１の膜を形成した後に基体を一旦真空外に取
り出すにしても、第１の膜が大気に触れることがない。
従って、第１の膜の酸化、汚染および腐食を防いで、そ
の上に形成される第２の膜の密着性低下、特性劣化等を
防止することができる。
たのと同じ第１の膜形成装置内で第１の膜上に保護膜を
形成し、この保護膜を、第２の膜を形成するのと同じ第
２の膜形成装置内で除去するので、第１の膜形成装置で
基体上に第１の膜を形成した後に基体を一旦真空外に取
り出すにしても、第１の膜が大気に触れることがない。
従って、第１の膜の酸化、汚染および腐食を防いで、そ
の上に形成される第２の膜の密着性低下、特性劣化等を
防止することができる。
【００１１】
【実施例】図１は、この発明に係る膜形成方法に使用す
る第１の膜形成装置の一例を示す概略図であり、図２
は、この発明に係る膜形成方法に使用する第２の膜形成
装置の一例を示す概略図である。
る第１の膜形成装置の一例を示す概略図であり、図２
は、この発明に係る膜形成方法に使用する第２の膜形成
装置の一例を示す概略図である。
【００１２】第１の（図１の）膜形成装置は、基本的に
は真空蒸着とイオン照射を併用する方法によって膜を形
成する装置であり、図示しない真空排気装置によって真
空排気される真空容器２と、この真空容器２内に収納さ
れた基体１４に蒸発粒子８を蒸着させて膜を形成する蒸
発源６と、同基体１４に向けてイオン１２を照射するイ
オン源１０とを備えている。真空容器２内には、基体１
４を保持するホルダ４が設けられている。
は真空蒸着とイオン照射を併用する方法によって膜を形
成する装置であり、図示しない真空排気装置によって真
空排気される真空容器２と、この真空容器２内に収納さ
れた基体１４に蒸発粒子８を蒸着させて膜を形成する蒸
発源６と、同基体１４に向けてイオン１２を照射するイ
オン源１０とを備えている。真空容器２内には、基体１
４を保持するホルダ４が設けられている。
【００１３】第２の（図２の）膜形成装置は、基本的に
はＣＶＤ法によって膜を形成する装置であり、排ガス処
理装置４０を経由して図示しない真空排気装置によって
真空排気される真空容器２２を備えている。この真空容
器２２内には、この例では互いに連通する反応室２２ａ
および前処理室２２ｂが形成されている。
はＣＶＤ法によって膜を形成する装置であり、排ガス処
理装置４０を経由して図示しない真空排気装置によって
真空排気される真空容器２２を備えている。この真空容
器２２内には、この例では互いに連通する反応室２２ａ
および前処理室２２ｂが形成されている。
【００１４】反応室２２ａは、成膜を行う部屋であり、
その内側には基体１４を保持するホルダ２４ａが、その
外側には基体１４を加熱するヒータ２６が、それぞれ設
けられている。またこの反応室２２ａにはガス源２８、
３０および蒸発器３２が接続されていて、それらから原
料ガス（反応ガスとキャリヤガスとの混合ガス）３４が
導入される。
その内側には基体１４を保持するホルダ２４ａが、その
外側には基体１４を加熱するヒータ２６が、それぞれ設
けられている。またこの反応室２２ａにはガス源２８、
３０および蒸発器３２が接続されていて、それらから原
料ガス（反応ガスとキャリヤガスとの混合ガス）３４が
導入される。
【００１５】前処理室２２ｂは、先の工程で基体１４上
に形成された保護膜１７を除去するための部屋であり、
その内側には基体１４を保持するホルダ２４ｂが設けら
れており、壁面にはホルダ２４ｂ上の基体１４に向けて
不活性ガスイオン３８を照射するイオン源３６が設けら
れている。
に形成された保護膜１７を除去するための部屋であり、
その内側には基体１４を保持するホルダ２４ｂが設けら
れており、壁面にはホルダ２４ｂ上の基体１４に向けて
不活性ガスイオン３８を照射するイオン源３６が設けら
れている。
【００１６】これらの膜形成装置を用いて、基体１４上
に第１の膜１６および第２の膜１８を形成する方法の一
例を示すと次のとおりである。
に第１の膜１６および第２の膜１８を形成する方法の一
例を示すと次のとおりである。
【００１７】まず、第１の膜形成装置内のホルダ４に所
要の基体１４を取り付け、真空容器２内を所定の真空度
に排気した後、蒸発源６からの蒸発粒子８を基体１４上
に蒸着させるのと同時、交互あるいは蒸着後に、イオン
源１０からのイオン１２を基体１４に向けて照射する。
これによって、基体１４上に第１の膜１６が形成され
る。このとき、イオン１２に蒸発粒子８と反応するもの
を用いれば、膜１６として化合物膜を形成することもで
きる。また、この第１の膜１６と基体１４との界面に
は、イオン１２の押し込み作用によって、基体１４およ
び膜１６の構成元素より成る混合層が形成され、これに
よって膜１６の基体１４に対する密着性が著しく向上す
る。
要の基体１４を取り付け、真空容器２内を所定の真空度
に排気した後、蒸発源６からの蒸発粒子８を基体１４上
に蒸着させるのと同時、交互あるいは蒸着後に、イオン
源１０からのイオン１２を基体１４に向けて照射する。
これによって、基体１４上に第１の膜１６が形成され
る。このとき、イオン１２に蒸発粒子８と反応するもの
を用いれば、膜１６として化合物膜を形成することもで
きる。また、この第１の膜１６と基体１４との界面に
は、イオン１２の押し込み作用によって、基体１４およ
び膜１６の構成元素より成る混合層が形成され、これに
よって膜１６の基体１４に対する密着性が著しく向上す
る。
【００１８】その後、同装置内において、例えば、蒸発
源６からの蒸発粒子８の蒸着のみによって（即ちイオン
源１０を使用せずに）、第１の膜１６の上に当該膜１６
を保護する保護膜１７を形成する。この保護膜１７は、
例えば金属膜であるが、その他、各種酸化物膜、窒化物
膜、炭化物膜、ホウ化物膜等でも良い。このように保護
膜１７を形成するのに、第１の膜１６を形成するのに使
用した蒸発源６を用いれば、保護膜１７の形成が非常に
簡単になる。
源６からの蒸発粒子８の蒸着のみによって（即ちイオン
源１０を使用せずに）、第１の膜１６の上に当該膜１６
を保護する保護膜１７を形成する。この保護膜１７は、
例えば金属膜であるが、その他、各種酸化物膜、窒化物
膜、炭化物膜、ホウ化物膜等でも良い。このように保護
膜１７を形成するのに、第１の膜１６を形成するのに使
用した蒸発源６を用いれば、保護膜１７の形成が非常に
簡単になる。
【００１９】このようにして保護膜１７を形成した後、
基体１４を第１の膜形成装置の真空容器２から外に（即
ち大気中に）取り出し、第２の膜形成装置の真空容器２
２内に収納する。具体的にはこの例では、基体１４をま
ず前処理室２２ｂ内のホルダ２４ｂに取り付け、真空容
器２２内を所定の真空度に排気した後、イオン源３６か
ら不活性ガスイオン（例えばアルゴンイオン）３８を引
き出してそれを基体１４上の保護膜１７に照射し、スパ
ッタリングによって当該保護膜１７を除去する。この保
護膜１７が完全に除去されたか否かは、例えば、そのス
パッタレートが分かっているから、スパッタリングの時
間を管理することによって知ることができる。
基体１４を第１の膜形成装置の真空容器２から外に（即
ち大気中に）取り出し、第２の膜形成装置の真空容器２
２内に収納する。具体的にはこの例では、基体１４をま
ず前処理室２２ｂ内のホルダ２４ｂに取り付け、真空容
器２２内を所定の真空度に排気した後、イオン源３６か
ら不活性ガスイオン（例えばアルゴンイオン）３８を引
き出してそれを基体１４上の保護膜１７に照射し、スパ
ッタリングによって当該保護膜１７を除去する。この保
護膜１７が完全に除去されたか否かは、例えば、そのス
パッタレートが分かっているから、スパッタリングの時
間を管理することによって知ることができる。
【００２０】保護膜１７を完全に除去したら、基体１４
を図示しない移送手段によって反応室２２ａ内に移送
し、そこに所望の原料ガス３４を導入すると共にヒータ
２６によって基体１４を加熱する。これによって、基体
１４の表面における原料ガス３４の化学反応によって、
基体１４上の第１の膜１６上に、所望の第２の膜１８が
形成される。
を図示しない移送手段によって反応室２２ａ内に移送
し、そこに所望の原料ガス３４を導入すると共にヒータ
２６によって基体１４を加熱する。これによって、基体
１４の表面における原料ガス３４の化学反応によって、
基体１４上の第１の膜１６上に、所望の第２の膜１８が
形成される。
【００２１】上記の場合、第１の膜１６と第２の膜１８
とは互いに同種の膜でも良いし、異種の膜でも良い。
とは互いに同種の膜でも良いし、異種の膜でも良い。
【００２２】次に、この発明に従ったより具体的な実施
例と、従来例相当の比較例とについて説明する。
例と、従来例相当の比較例とについて説明する。
【００２３】実施例 まず、超硬合金（Ｋ１０種）より成る基体１４を図１の
装置のホルダ４に設置し、真空容器２内を真空排気して
１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度に保持する。その後、
蒸発源６よりチタン（Ｔi）を蒸発させてそれを基体１
４上に蒸着させると同時に、イオン源１０よりイオン１
２として窒素イオンを加速エネルギー１０ＫｅＶにて引
き出してそれを基体１４に向けて照射し、これによって
基体１４上に、第１の膜１６として、窒化チタン（Ｔi
Ｎ）膜を１μｍの膜厚に成膜した。このとき、窒化チタ
ン膜内のチタンと窒素の原子数比（Ｔi／Ｎ組成比）が
１となるように、チタンの蒸発量と窒素イオンの照射量
とを調整した。
装置のホルダ４に設置し、真空容器２内を真空排気して
１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度に保持する。その後、
蒸発源６よりチタン（Ｔi）を蒸発させてそれを基体１
４上に蒸着させると同時に、イオン源１０よりイオン１
２として窒素イオンを加速エネルギー１０ＫｅＶにて引
き出してそれを基体１４に向けて照射し、これによって
基体１４上に、第１の膜１６として、窒化チタン（Ｔi
Ｎ）膜を１μｍの膜厚に成膜した。このとき、窒化チタ
ン膜内のチタンと窒素の原子数比（Ｔi／Ｎ組成比）が
１となるように、チタンの蒸発量と窒素イオンの照射量
とを調整した。
【００２４】その後、蒸発源６よりシリコン（Ｓi）を
蒸発させ、上記基体１４上の窒化チタン膜上に、保護膜
１７として、シリコン膜を２００ｎｍの膜厚に成膜し
た。
蒸発させ、上記基体１４上の窒化チタン膜上に、保護膜
１７として、シリコン膜を２００ｎｍの膜厚に成膜し
た。
【００２５】次に、当該基体１４を装置より取り出し、
図２に示した装置の前処理室２２ｂ内に納め、真空容器
２２内を真空排気して１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度
に保持した。そして、イオン源３６より不活性ガスイオ
ン３８としてアルゴンイオンを加速エネルギー３ＫｅＶ
にて引き出してそれを基体１４の表面に形成されている
シリコン膜に照射し、スパッタリングによって当該シリ
コン膜を除去した。このとき、アルゴンイオンはシリコ
ン膜の表面に対する法線より４５度の角度で照射し、予
め実験によって求めていたアルゴンイオンによるシリコ
ンのスパッタ率を元に、スパッタリング時間を調整する
ことにより、シリコン膜厚２００ｎｍ分をスパッタリン
グによって除去した。
図２に示した装置の前処理室２２ｂ内に納め、真空容器
２２内を真空排気して１×１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空度
に保持した。そして、イオン源３６より不活性ガスイオ
ン３８としてアルゴンイオンを加速エネルギー３ＫｅＶ
にて引き出してそれを基体１４の表面に形成されている
シリコン膜に照射し、スパッタリングによって当該シリ
コン膜を除去した。このとき、アルゴンイオンはシリコ
ン膜の表面に対する法線より４５度の角度で照射し、予
め実験によって求めていたアルゴンイオンによるシリコ
ンのスパッタ率を元に、スパッタリング時間を調整する
ことにより、シリコン膜厚２００ｎｍ分をスパッタリン
グによって除去した。
【００２６】次に、真空容器２２内の真空度を１×１０
-6Ｔｏｒｒ以下の真空度に保ったまま、基体１４を反応
室２２ａ内に移送してホルダ２４ａ上に載せた。その
後、蒸発器３２からのＴiＣl4、ガス源２８からのＣＨ
4 およびガス源３０からのＨ2を混合して原料ガス３４
として反応室２２ａ内に導入し、かつヒータ２６によっ
て基体１４を約１０００℃に加熱し、基体１４上の膜１
６上に、第２の膜１８として、炭化チタン（ＴiＣ）膜
を１μｍの膜厚に成膜した。このとき、炭化チタン膜内
のチタン炭素の原子数比（Ｔi／Ｃ組成比）が１となる
ように、各ガスの流量を調整した。
-6Ｔｏｒｒ以下の真空度に保ったまま、基体１４を反応
室２２ａ内に移送してホルダ２４ａ上に載せた。その
後、蒸発器３２からのＴiＣl4、ガス源２８からのＣＨ
4 およびガス源３０からのＨ2を混合して原料ガス３４
として反応室２２ａ内に導入し、かつヒータ２６によっ
て基体１４を約１０００℃に加熱し、基体１４上の膜１
６上に、第２の膜１８として、炭化チタン（ＴiＣ）膜
を１μｍの膜厚に成膜した。このとき、炭化チタン膜内
のチタン炭素の原子数比（Ｔi／Ｃ組成比）が１となる
ように、各ガスの流量を調整した。
【００２７】比較例 上記実施例と同じく、図１および図２に示す装置を用い
て、基体１４上に第１の膜１６として窒化チタン膜を形
成し、その上に第２の膜１８として炭化チタン膜を形成
した。但し、図１の装置を用いて窒化チタン膜を形成し
た後、保護膜１７としてのシリコン膜は形成せず、その
まま基体１４を大気中に取り出し、そして図２の装置に
納めた。
て、基体１４上に第１の膜１６として窒化チタン膜を形
成し、その上に第２の膜１８として炭化チタン膜を形成
した。但し、図１の装置を用いて窒化チタン膜を形成し
た後、保護膜１７としてのシリコン膜は形成せず、その
まま基体１４を大気中に取り出し、そして図２の装置に
納めた。
【００２８】評価 上記実施例と比較例の膜を、ＡＥ（アコースティックエ
ミッション）センサ付自動スクラッチ試験機を用いて荷
重を連続的に増加させながら引っ掻き、膜が剥離した際
にＡＥ信号が急激に立ち上がる荷重で膜の密着強度を測
定した。その結果、実施例のものは３５Ｎで膜が基体１
４より剥離したのに対して、比較例のものは１８Ｎで窒
化チタン膜と炭化チタン膜との界面にて膜が剥離した。
ミッション）センサ付自動スクラッチ試験機を用いて荷
重を連続的に増加させながら引っ掻き、膜が剥離した際
にＡＥ信号が急激に立ち上がる荷重で膜の密着強度を測
定した。その結果、実施例のものは３５Ｎで膜が基体１
４より剥離したのに対して、比較例のものは１８Ｎで窒
化チタン膜と炭化チタン膜との界面にて膜が剥離した。
【００２９】また、実施例と比較例の膜について、窒化
チタン膜と炭化チタン膜との界面を光電子分光法（ＸＰ
Ｓ）によって分析したところ、比較例の窒化チタン膜の
表面からはチタンの酸化物が検出され、実施例のものか
らは検出されなかった。この窒化チタン膜と炭化チタン
膜との界面の酸化物の生成が比較例の膜の密着性を劣る
ものにしたと考えられ、これは比較例において、窒化チ
タン膜の上に炭化チタン膜を形成する途中で基体１４を
大気に曝したことによって生じたものと考えられる。こ
れにより、この発明による膜形成方法が、膜の密着性等
を優れたものにすることが確かめられた。
チタン膜と炭化チタン膜との界面を光電子分光法（ＸＰ
Ｓ）によって分析したところ、比較例の窒化チタン膜の
表面からはチタンの酸化物が検出され、実施例のものか
らは検出されなかった。この窒化チタン膜と炭化チタン
膜との界面の酸化物の生成が比較例の膜の密着性を劣る
ものにしたと考えられ、これは比較例において、窒化チ
タン膜の上に炭化チタン膜を形成する途中で基体１４を
大気に曝したことによって生じたものと考えられる。こ
れにより、この発明による膜形成方法が、膜の密着性等
を優れたものにすることが確かめられた。
【００３０】なお、第１および第２の膜形成装置におけ
る成膜の方法は、互いに異種の成膜方法である限りにお
いて、上記実施例のような、真空蒸着とイオン照射の併
用法およびＣＶＤ法に限定されるものではなく、各種Ｃ
ＶＤ法および各種ＰＶＤ法を任意に組み合わせることが
できる。
る成膜の方法は、互いに異種の成膜方法である限りにお
いて、上記実施例のような、真空蒸着とイオン照射の併
用法およびＣＶＤ法に限定されるものではなく、各種Ｃ
ＶＤ法および各種ＰＶＤ法を任意に組み合わせることが
できる。
【００３１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、第１の
膜形成装置における成膜方法と、それとは異種の第２の
膜形成装置における成膜方法とを、それぞれの特徴を生
かして互いに組み合わせて同一基体上への成膜に使用す
ることができるので、基体上に特性の優れた膜を形成す
ることができる。しかも、第１の膜形成装置によって基
体上に第１の膜を形成した上に第２の膜形成装置によっ
て第２の膜を更に形成する際に、基体を一旦真空外に取
り出す場合でも、第１の膜の上に形成した保護膜によっ
て、第１の膜の酸化、汚染および腐食を防ぐことがで
き、それによってその上に形成される第２の膜の密着性
低下、特性劣化等を防止することができる。
膜形成装置における成膜方法と、それとは異種の第２の
膜形成装置における成膜方法とを、それぞれの特徴を生
かして互いに組み合わせて同一基体上への成膜に使用す
ることができるので、基体上に特性の優れた膜を形成す
ることができる。しかも、第１の膜形成装置によって基
体上に第１の膜を形成した上に第２の膜形成装置によっ
て第２の膜を更に形成する際に、基体を一旦真空外に取
り出す場合でも、第１の膜の上に形成した保護膜によっ
て、第１の膜の酸化、汚染および腐食を防ぐことがで
き、それによってその上に形成される第２の膜の密着性
低下、特性劣化等を防止することができる。
【図１】 この発明に係る膜形成方法に使用する第１の
膜形成装置の一例を示す概略図である。
膜形成装置の一例を示す概略図である。
【図２】 この発明に係る膜形成方法に使用する第２の
膜形成装置の一例を示す概略図である。
膜形成装置の一例を示す概略図である。
２ 真空容器 ６ 蒸発源 １０ イオン源 １４ 基体 １６ 第１の膜 １７ 保護膜 １８ 第２の膜 ２２ 真空容器 ２２ａ 反応室 ２２ｂ 前処理室 ２６ ヒータ ３４ 原料ガス ３６ イオン源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−289621（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−275342（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/203 - 21/205
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内に収納された基体に膜を形成
する第１の膜形成装置と、前記とは別の真空容器内に収
納された基体に第１の膜形成装置とは異種の成膜方法に
よって膜を形成する第２の膜形成装置とを用い、第１の
膜形成装置によって基体上に第１の膜を形成した上に、
第２の膜形成装置によって第２の膜を更に形成する膜形
成方法において、前記第１の膜形成装置において基体上
に前記第１の膜を形成した後、同装置内において第１の
膜上に当該膜を保護する保護膜を形成し、その後この基
体を第１の膜形成装置から取り出して前記第２の膜形成
装置内に収納し、この第２の膜形成装置において前記保
護膜を除去した後、前記第１の膜上に前記第２の膜を形
成することを特徴とする膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10858092A JP3275360B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10858092A JP3275360B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279842A JPH05279842A (ja) | 1993-10-26 |
| JP3275360B2 true JP3275360B2 (ja) | 2002-04-15 |
Family
ID=14488422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10858092A Expired - Fee Related JP3275360B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3275360B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5228397B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-07-03 | 住友金属鉱山株式会社 | 耐熱遮光フィルムとその製造方法、及びそれを用いた絞り又は光量調整装置 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP10858092A patent/JP3275360B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05279842A (ja) | 1993-10-26 |
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