JP6566750B2 - 不連続金属膜の形成方法 - Google Patents
不連続金属膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6566750B2 JP6566750B2 JP2015133944A JP2015133944A JP6566750B2 JP 6566750 B2 JP6566750 B2 JP 6566750B2 JP 2015133944 A JP2015133944 A JP 2015133944A JP 2015133944 A JP2015133944 A JP 2015133944A JP 6566750 B2 JP6566750 B2 JP 6566750B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- film
- sputtering
- discontinuous
- discontinuous metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 68
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
(スパッタリング基礎条件)
基材:ポリカーボネート(90×50mm)
ターゲット:In−Sn合金(90:10)
ベース圧力:2.0×10−03Pa
Ar(アルゴン)流量:150sccm
スパッタ圧力:0.3Pa
また、表1に示すスパッタリング時間、休止時間の条件により、実施例1〜5及び比較例1、2の、基材表面に金属膜を形成した成形品を得た。なお、スパッタリング時間とは、スパッタリング装置の稼働時間を意味する。
(10mm間抵抗値の測定)
形成した表面の金属膜の10mm間抵抗値を、テスターを用いて測定した。その結果を表1に示す。
(不連続性の評価)
形成した表面の金属膜の不連続性について、金属探知機を用いて評価を行った。金属膜の表面を金属探知機でスキャンして、金属膜感知の反応を調べて以下の基準で評価した。
◎:反応なし
○:やや反応あり
×:反応あり
なお、本発明の評価基準では、◎及び○を不連続金属膜の合格とし、×を不合格とした。その結果を表1に示す。
本発明の不連続金属膜の形成方法により不連続金属膜を形成した成形品は、レーダー用電波のミリ波を透過する特性を有するとともに、金属光沢を有することから、自動車のフロントグリルに取付けられるエンブレム等として好適に用いることができる。
2 チャンバー
3 回転装置
4 基材
5 ターゲット
6 不活性ガス制御装置
7 電圧印加装置
Claims (2)
- スパッタリング法による不連続金属膜の形成方法であって、
ターゲットとして、少なくともIn−Sn合金、In、Snの何れかを用い、
該ターゲットの金属粒子を基材表面に0.02〜0.12秒の範囲で到達させた後、0.48〜1.88秒の範囲で到達を休止させて間隔を置く工程を30〜200回繰り返すことにより、金属粒子のエネルギーを損失させて定着させ、これを核として島構造を段階的に成長させることを特徴とする不連続金属膜の形成方法。 - チャンバー内にカルーセル式の回転装置を備えたスパッタリング装置を用い、前記回転装置の外周に前記基材を載置するとともに、前記ターゲットを前記チャンバー内の前記基材と向かい合う位置に固定して載置し、前記回転装置を回転させながらスパッタリングを行うことにより、前記基材表面に島構造を段階的に成長させることを特徴とする請求項1に記載の不連続金属膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015133944A JP6566750B2 (ja) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | 不連続金属膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015133944A JP6566750B2 (ja) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | 不連続金属膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017014585A JP2017014585A (ja) | 2017-01-19 |
JP6566750B2 true JP6566750B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=57829200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015133944A Expired - Fee Related JP6566750B2 (ja) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | 不連続金属膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6566750B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021182380A1 (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4573450B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2010-11-04 | 朋延 畑 | スパッタリング装置 |
JP4706596B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2011-06-22 | 豊田合成株式会社 | 樹脂製品及びその製造方法並びに金属皮膜の成膜方法 |
JP4732147B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-07-27 | 豊田合成株式会社 | 樹脂製品及びその製造方法並びに金属皮膜の成膜方法 |
JP4967354B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | シード膜の成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体 |
JP2008007806A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Tokki Corp | スパッタリング成膜装置、封止膜の製造方法及び有機el素子 |
CN101809185B (zh) * | 2007-10-26 | 2013-05-08 | 沉积科学公司 | 薄膜涂覆系统和方法 |
JP2009228062A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | スパッタ成膜装置及びスパッタ成膜方法 |
JP2009298006A (ja) * | 2008-06-12 | 2009-12-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 電磁波透過性光輝樹脂製品及び製造方法 |
JP2012067331A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Shibaura Mechatronics Corp | 成膜方法およびスパッタリング装置 |
JP2014009400A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-01-20 | Seiko Epson Corp | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
-
2015
- 2015-07-02 JP JP2015133944A patent/JP6566750B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017014585A (ja) | 2017-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2005503482A (ja) | 集合組織結晶粒を有する粉末冶金タンタル・スパッタリング・ターゲット | |
WO2009020129A1 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2011516728A5 (ja) | ||
CN104988464B (zh) | 一种轴对称曲面件内表面均匀磁控溅射沉积方法及其装置 | |
CN106868460B (zh) | 一种质量厚度为400~2000μg/cm2自支撑Ir靶的制备工艺 | |
Brackmann et al. | Glow discharge plasma as a surface preparation tool for microstructure investigations | |
CN105908047B (zh) | 一种钛铝硅钽合金材料及其制备方法 | |
JP6566750B2 (ja) | 不連続金属膜の形成方法 | |
Lopes et al. | Study of the electrical behavior of nanostructured Ti–Ag thin films, prepared by Glancing Angle Deposition | |
CN104810228B (zh) | 螺旋形磁控管及磁控溅射设备 | |
CN104752138B (zh) | 聚焦环和应用聚焦环的溅射反应器 | |
JP6425431B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
CN106048539A (zh) | 一种金属钛铝氮化物复合硬质膜的制备方法 | |
CN102418078A (zh) | 一种超高强度纳米晶金属Ru薄膜的制备方法 | |
CN103866241A (zh) | 一种离子辅助热蒸发复合磁控溅射镀膜装置 | |
JPH05508509A (ja) | コンパクトディスクのコーティング用改良スパッタリングターゲットとその使用方法及びその製造方法 | |
US20150004432A1 (en) | Titanium-nickel alloy thin film, and preparation method of titanium-nickel alloy thin film using multiple sputtering method | |
CN106544634B (zh) | 一种膜层的形成方法、靶材及靶材制作方法 | |
CN108504993A (zh) | 一种Cu-Mo梯度薄膜材料及其制备方法 | |
CN105304736B (zh) | 磁控溅射联合快速退火技术制备Ge/Si量子点 | |
CN105339521A (zh) | 用于执行稳定的反应溅射工艺的靶老化补偿方法 | |
CN110724921B (zh) | 用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法 | |
US6774009B1 (en) | Silicon target assembly | |
KR20150061617A (ko) | 고 경도 저마찰 Cr―Ti―B―N 코팅 및 그 제조방법 | |
CN110004419A (zh) | 一种利用非平衡磁控溅射技术制备Fe-Si薄膜的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180419 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190730 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6566750 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |