JPS5850419B2 - 圧電性薄膜の製造方法 - Google Patents
圧電性薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS5850419B2 JPS5850419B2 JP50046791A JP4679175A JPS5850419B2 JP S5850419 B2 JPS5850419 B2 JP S5850419B2 JP 50046791 A JP50046791 A JP 50046791A JP 4679175 A JP4679175 A JP 4679175A JP S5850419 B2 JPS5850419 B2 JP S5850419B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- piezoelectric thin
- cathode
- piezoelectric
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧電性薄膜の製造方法に関するものである。
従来、圧電性薄膜、例えば硫化カドミニウム薄膜、酸化
亜鉛薄膜などは、真空蒸着装置あるいは平行平板形スパ
ッタリング蒸着装置などで形成されていた。
亜鉛薄膜などは、真空蒸着装置あるいは平行平板形スパ
ッタリング蒸着装置などで形成されていた。
これらの圧電性薄膜は、一般には非晶質基板上に形成し
て用いるから、形成された上記圧電性薄膜の結晶軸の成
長方向に任意性がある。
て用いるから、形成された上記圧電性薄膜の結晶軸の成
長方向に任意性がある。
したがって、はぼ同一の形成条件においても、例えば電
気軸（Ｃ軸）が膜面に存在したり、膜と垂直であったり
して、実用上問題があった。
気軸（Ｃ軸）が膜面に存在したり、膜と垂直であったり
して、実用上問題があった。
本発明はスパッタリング法においてその電極構造を改良
することにより、上記電気軸の方向を正確にかつ容易に
制御させ、実用上有効な圧電性薄膜の製造法を提供する
ものである。
することにより、上記電気軸の方向を正確にかつ容易に
制御させ、実用上有効な圧電性薄膜の製造法を提供する
ものである。
以下本発明を実施例によって説明する。
図面は本発明の一実施例を説明するための高周波放電ス
パッタリング装置を示し、スパッタリング装置の主要部
分は、ガラスあるいは金属の例えば円筒状の気密容器１
と、同軸状に配置された一対の内側円柱陰極２と外側円
筒陽極３および前記外側円筒陽極３に近接し、しかも上
記円筒状陽極面と平行関係に配置された基板４からなる
。
パッタリング装置を示し、スパッタリング装置の主要部
分は、ガラスあるいは金属の例えば円筒状の気密容器１
と、同軸状に配置された一対の内側円柱陰極２と外側円
筒陽極３および前記外側円筒陽極３に近接し、しかも上
記円筒状陽極面と平行関係に配置された基板４からなる
。
この基板は必要に応じて、基板ホルダー５に配置される
。
。
さらに上記同軸状電極２，３の軸方向に磁界を加え、ス
パッタリングをより効率よく行なうため、ソレノイド状
の磁界発生コイル５を設ける。
パッタリングをより効率よく行なうため、ソレノイド状
の磁界発生コイル５を設ける。
前記陰極２の全体あるいは少くとも表面は、圧電性物質
例えば酸化亜鉛で構成する。
例えば酸化亜鉛で構成する。
前記陽極３は金属例えば銅、アルミニウムやステンレス
で構成する。
で構成する。
基板４を陽極３の外側に配置する場合は、陽極３を有孔
状にする。
状にする。
基板４は必要に応じて加熱あるいは冷却装置より例えば
１０〜２００℃の温度に保持する。
１０〜２００℃の温度に保持する。
この種のスパッタリング装置において、陰極２の直径を
例えば３Ｑｍｉ１陰極２と陽極３間の距離を例えば２０
ｒｎｒ／Ｌ１上記陰極および陽極の軸長を例えば１００
ｍ７Ｍ、上記磁界発生コイル５による磁界を例えば１０
０ガウス、気密容器１内の雰囲気を例えば１０μＨｇの
アルゴンと酸素の混合ガスにし、電極２，３の間に５０
０〜２０００Ｖの高周波電圧、例えば１３．５６■ｈの
高周波電圧を加えて１０〜５００ｍＡ程度の放電電流圧
とを電極２，３の間に流すと、電極２，３の間に所謂高
周波グロー放電が発生する。
例えば３Ｑｍｉ１陰極２と陽極３間の距離を例えば２０
ｒｎｒ／Ｌ１上記陰極および陽極の軸長を例えば１００
ｍ７Ｍ、上記磁界発生コイル５による磁界を例えば１０
０ガウス、気密容器１内の雰囲気を例えば１０μＨｇの
アルゴンと酸素の混合ガスにし、電極２，３の間に５０
０〜２０００Ｖの高周波電圧、例えば１３．５６■ｈの
高周波電圧を加えて１０〜５００ｍＡ程度の放電電流圧
とを電極２，３の間に流すと、電極２，３の間に所謂高
周波グロー放電が発生する。
この場合放電により、陰極表面にある圧電性物質酸化亜
鉛はスパッタリング蒸発して、酸化亜鉛からなる圧電性
薄膜が基板４に付着する。
鉛はスパッタリング蒸発して、酸化亜鉛からなる圧電性
薄膜が基板４に付着する。
このような同軸状スパッタリング法によると、形成され
た圧電性薄膜の膜厚があらゆる基板位置において均一で
あるばかりでなく、下表に示すごとく本発明の方法で形
成された圧電性薄膜は、従来の方法に比べて、結晶性、
配向性共に優れており、その方向は例えば酸化亜鉛薄膜
では膜面とほぼ垂直にある。
た圧電性薄膜の膜厚があらゆる基板位置において均一で
あるばかりでなく、下表に示すごとく本発明の方法で形
成された圧電性薄膜は、従来の方法に比べて、結晶性、
配向性共に優れており、その方向は例えば酸化亜鉛薄膜
では膜面とほぼ垂直にある。
これらの理由は明らかでないが、同軸状電極配置のため
、所謂全方向スパッタリングが実現され上記実施例のご
とく、基板を同一円筒面上に配置すると、薄膜の成長速
度、スパッタ粒子の基板へ入射角等、結晶成長の仕方を
左右させる要因が、すべての基板位置に対して同一であ
る事、さらに上記スパッタ粒子の基板への入射角が従来
広く用いられていた平行平板型スパッタ装置より本質的
に狭い事等があげられる。
、所謂全方向スパッタリングが実現され上記実施例のご
とく、基板を同一円筒面上に配置すると、薄膜の成長速
度、スパッタ粒子の基板へ入射角等、結晶成長の仕方を
左右させる要因が、すべての基板位置に対して同一であ
る事、さらに上記スパッタ粒子の基板への入射角が従来
広く用いられていた平行平板型スパッタ装置より本質的
に狭い事等があげられる。
γ：電子線回折のアーク長（Ｃ軸の分布の割合に依存す
る） φ：Ｃ軸の基板に垂直な方向からのずれ。
る） φ：Ｃ軸の基板に垂直な方向からのずれ。
Ｊ（２θ）：Ｃ軸に相当するＸ線回折強度の半値巾（結
晶性が良いほど小さい） なお、上記の実施例では酸化亜鉛からなる圧電性薄膜に
ついて示したが、実施例以外の圧電性物質例えば酸化カ
ドミニウム、ニオブ酸リチウム、タンクル酸リチウムの
ような酸化物圧電性物質の薄膜が上記実施例と同一の方
法で形成出来る。
晶性が良いほど小さい） なお、上記の実施例では酸化亜鉛からなる圧電性薄膜に
ついて示したが、実施例以外の圧電性物質例えば酸化カ
ドミニウム、ニオブ酸リチウム、タンクル酸リチウムの
ような酸化物圧電性物質の薄膜が上記実施例と同一の方
法で形成出来る。
酸化物以外の圧電性物質、例えば硫化カドミニウム、硫
化亜鉛のような硫化物の場合は、上記気密容器の雰囲気
を硫化性雰囲気例えばアルゴンと硫化水系の混合ガスに
する事によって、硫化物圧電性薄膜が、窒化アルミニウ
ム、窒化カリウムのような窒化物の場合は上記雰囲気を
窒化性雰囲気例えば、窒化とアルゴンの混合ガスにする
事によって窒化物圧電性薄膜が得られ、これらの薄膜の
膜厚の均一性あるいは配向軸方向の均一性は上記実施例
の酸化亜鉛の場合と同一である。
化亜鉛のような硫化物の場合は、上記気密容器の雰囲気
を硫化性雰囲気例えばアルゴンと硫化水系の混合ガスに
する事によって、硫化物圧電性薄膜が、窒化アルミニウ
ム、窒化カリウムのような窒化物の場合は上記雰囲気を
窒化性雰囲気例えば、窒化とアルゴンの混合ガスにする
事によって窒化物圧電性薄膜が得られ、これらの薄膜の
膜厚の均一性あるいは配向軸方向の均一性は上記実施例
の酸化亜鉛の場合と同一である。
また、上記実施例では高周波グロー放電スパッタリング
法を用いたが、直流グロー放電スパッタリング法を用い
ても、陰極の構成物質の電気抵抗率を下げる事によって
実施出来る。
法を用いたが、直流グロー放電スパッタリング法を用い
ても、陰極の構成物質の電気抵抗率を下げる事によって
実施出来る。
酸化物薄膜例えば酸化亜鉛薄膜の場合は亜鉛金属あるい
は電気抵抗率の低い酸化亜鉛を陰極に用いる。
は電気抵抗率の低い酸化亜鉛を陰極に用いる。
また硫化物薄膜例えば硫化カドミニウム薄膜の場合は、
カドミウム金属あるいは電気抵抗率の低い硫化カドミウ
ムを陰極に用いる。
カドミウム金属あるいは電気抵抗率の低い硫化カドミウ
ムを陰極に用いる。
窒化物薄膜、例えば窒化アルミニウム薄膜ではアルミニ
ウム金属を陰極に用いる。
ウム金属を陰極に用いる。
いずれの場合でも、上記高周波グロー放電および直流グ
ロー放電との間の本質的な差異はない。
ロー放電との間の本質的な差異はない。
以上の実施例に示したごとく、本発明の圧電性薄膜の製
造方法によると、均一な特性の圧電性薄膜が大量に形成
出来る上、例えば従来の平行平板型装置を用いる方法よ
り放電の損失が少なく、より少ない消費電力で上記薄膜
を形成出来る上、例えば高周波グロー放電を用いる時は
、外部への高周波電界の放射が少ないという特色を示し
、その実用性は高い。
造方法によると、均一な特性の圧電性薄膜が大量に形成
出来る上、例えば従来の平行平板型装置を用いる方法よ
り放電の損失が少なく、より少ない消費電力で上記薄膜
を形成出来る上、例えば高周波グロー放電を用いる時は
、外部への高周波電界の放射が少ないという特色を示し
、その実用性は高い。
図面は本発明の圧電性薄膜の製造方法を説明するための
圧電性薄膜の製造装置の構成図である。 １・・・・・・気密容器、２・・・・・・陰極、３・・
・・・・陽極、４・・・・・・基板、５・・・・・・磁
界発生コイル。
圧電性薄膜の製造装置の構成図である。 １・・・・・・気密容器、２・・・・・・陰極、３・・
・・・・陽極、４・・・・・・基板、５・・・・・・磁
界発生コイル。
Claims (1)
- １ 内側円柱陰極および外側円筒陽極を同軸状に配置し
、少なくとも前記内側円柱陰極の一部を圧電性物質で構
成し、前記外側円筒陽極の内部あるいは外部に基板を配
し、前記内側円柱陰極を構成する前記圧電物質をスパッ
タリング蒸発させて前記基板面に前記圧電物質の薄膜を
形成することを特徴とする圧電性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50046791A JPS5850419B2 (ja) | 1975-04-16 | 1975-04-16 | 圧電性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50046791A JPS5850419B2 (ja) | 1975-04-16 | 1975-04-16 | 圧電性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51121255A JPS51121255A (en) | 1976-10-23 |
| JPS5850419B2 true JPS5850419B2 (ja) | 1983-11-10 |
Family
ID=12757142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50046791A Expired JPS5850419B2 (ja) | 1975-04-16 | 1975-04-16 | 圧電性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850419B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017146124A1 (ja) | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 国立大学法人大阪大学 | 立体的細胞組織の製造方法 |
| WO2019039452A1 (ja) | 2017-08-21 | 2019-02-28 | 凸版印刷株式会社 | 抗がん効果の評価方法、及びがん免疫療法の奏効性予測方法 |
| WO2019039457A1 (ja) | 2017-08-21 | 2019-02-28 | 凸版印刷株式会社 | 初代培養方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54127879A (en) * | 1978-03-28 | 1979-10-04 | Itaru Mori | Sputtering method |
| JPS5810817A (ja) * | 1981-07-13 | 1983-01-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アモルフアス半導体膜の生成法 |
| JPS5916326A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜の製造方法 |
| JPS6281076A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜作製方法 |
-
1975
- 1975-04-16 JP JP50046791A patent/JPS5850419B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017146124A1 (ja) | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 国立大学法人大阪大学 | 立体的細胞組織の製造方法 |
| WO2019039452A1 (ja) | 2017-08-21 | 2019-02-28 | 凸版印刷株式会社 | 抗がん効果の評価方法、及びがん免疫療法の奏効性予測方法 |
| WO2019039457A1 (ja) | 2017-08-21 | 2019-02-28 | 凸版印刷株式会社 | 初代培養方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51121255A (en) | 1976-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5095412B2 (ja) | ＬｉＣｏＯ２の堆積 | |
| US4170662A (en) | Plasma plating | |
| US4842704A (en) | Magnetron deposition of ceramic oxide-superconductor thin films | |
| US3962988A (en) | Ion-plating apparatus having an h.f. electrode for providing an h.f. glow discharge region | |
| US2754259A (en) | Process and apparatus for growing single crystals | |
| US4960753A (en) | Magnetron deposition of ceramic oxide-superconductor thin films | |
| US3763026A (en) | Method of making resistor thin films by reactive sputtering from a composite source | |
| JP5129530B2 (ja) | ＬｉＣｏＯ２の堆積 | |
| CN103510048A (zh) | 一种多孔结构铜纳米线阵列的制备方法及其薄膜电导率的测试方法 | |
| US3887451A (en) | Method for sputtering garnet compound layer | |
| US3749658A (en) | Method of fabricating transparent conductors | |
| JPS5850419B2 (ja) | 圧電性薄膜の製造方法 | |
| JPH04365853A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 | |
| Naoe et al. | High rate deposition of magnetic films by sputtering from two facing targets | |
| US5466665A (en) | Method of manufacturing Y-Ba-Cu-O superconducting thin film | |
| JPH0329216A (ja) | 透明電導膜の形成方法 | |
| JPH03232959A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| RU1840832C (ru) | Способ получения твердого электролита в виде тонких газоплотных пленок для электрохимических устройств | |
| JPS5813006B2 (ja) | サンカブツハンドウタイハクマクノ セイゾウホウホウ | |
| JPS5946306B2 (ja) | 蒸着装置 | |
| JP3122600B2 (ja) | 高周波プラズマ成膜装置 | |
| JPS6017070A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH02296724A (ja) | 薄膜超電導体の製造方法 | |
| JPS628409A (ja) | 透明電導性金属酸化物膜の形成方法 | |
| Kapsa et al. | The AES and EELS study of thin alumina films deposited on niobium |