JP3227795B2 - アルミニウム膜の結晶配向制御方法 - Google Patents
アルミニウム膜の結晶配向制御方法Info
- Publication number
- JP3227795B2 JP3227795B2 JP15869392A JP15869392A JP3227795B2 JP 3227795 B2 JP3227795 B2 JP 3227795B2 JP 15869392 A JP15869392 A JP 15869392A JP 15869392 A JP15869392 A JP 15869392A JP 3227795 B2 JP3227795 B2 JP 3227795B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- aluminum
- film
- irradiation
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基体の表面にＰＶＤ
法（物理蒸着法）等によって形成されるアルミニウム膜
（より具体的にはそれを構成するアルミニウム）の（１
１１）面の結晶配向を制御する方法に関する。
法（物理蒸着法）等によって形成されるアルミニウム膜
（より具体的にはそれを構成するアルミニウム）の（１
１１）面の結晶配向を制御する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム膜を例えば半導体デバイス
やフィルムコンデンサ等の電極材料として用いる場合、
当該アルミニウム膜に電極材料として必要な低抵抗特
性、更にはエッチングや環境に対する高耐食性を持たせ
るために、アルミニウム膜を結晶化させることが望まし
い。より具体的には、アルミニウム膜においては、アル
ミニウム原子の配列が最も密になる（１１１）面を多く
配向させるほど耐食性が向上するので、基体上にアルミ
ニウムの（１１１）面に配向した結晶を多く成長させる
ことが望ましい。
やフィルムコンデンサ等の電極材料として用いる場合、
当該アルミニウム膜に電極材料として必要な低抵抗特
性、更にはエッチングや環境に対する高耐食性を持たせ
るために、アルミニウム膜を結晶化させることが望まし
い。より具体的には、アルミニウム膜においては、アル
ミニウム原子の配列が最も密になる（１１１）面を多く
配向させるほど耐食性が向上するので、基体上にアルミ
ニウムの（１１１）面に配向した結晶を多く成長させる
ことが望ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、基体上に単に
アルミニウムを真空蒸着等によって被着しただけでは、
結晶成長の核となるものが少ない等の理由から、アルミ
ニウム膜の多くの結晶化は望めず、またアルミニウム膜
の結晶配向は基体表面の状態（例えば基体表面の結晶構
造や表面の凹凸や濡れ性等）に強く影響されるため、所
望の結晶面（ここでは（１１１）面）を優先的に成長さ
せるのは困難である。
アルミニウムを真空蒸着等によって被着しただけでは、
結晶成長の核となるものが少ない等の理由から、アルミ
ニウム膜の多くの結晶化は望めず、またアルミニウム膜
の結晶配向は基体表面の状態（例えば基体表面の結晶構
造や表面の凹凸や濡れ性等）に強く影響されるため、所
望の結晶面（ここでは（１１１）面）を優先的に成長さ
せるのは困難である。
【０００４】そこで従来は、目的とする結晶面が成長し
やすくなるように、成膜の際の基体を所定の温度に加熱
しながら成膜を行う方法が採られてきた。しかし、成膜
しようとする基体が高温に加熱できない材料（例えばプ
ラスチックや高分子材料等）から成る場合にはこの方法
を用いることができず、また基体を高温に加熱するため
に基体が歪んでしまう問題が生じ、そのため基体材料の
種類に関係なく所望の結晶面を優先的に成長させること
は不可能であった。
やすくなるように、成膜の際の基体を所定の温度に加熱
しながら成膜を行う方法が採られてきた。しかし、成膜
しようとする基体が高温に加熱できない材料（例えばプ
ラスチックや高分子材料等）から成る場合にはこの方法
を用いることができず、また基体を高温に加熱するため
に基体が歪んでしまう問題が生じ、そのため基体材料の
種類に関係なく所望の結晶面を優先的に成長させること
は不可能であった。
【０００５】そこでこの発明は、基体の結晶構造や表面
状態の影響を受けることなく、かつ基体を加熱すること
なく、当該基体の表面に形成されるアルミニウム膜の
（１１１）面の結晶配向を制御することができる方法を
提供することを主たる目的とする。
状態の影響を受けることなく、かつ基体を加熱すること
なく、当該基体の表面に形成されるアルミニウム膜の
（１１１）面の結晶配向を制御することができる方法を
提供することを主たる目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、基体の表面にアルミニウム膜を形成す
る際に、その成膜前に当該基体の表面に、１００ｅＶ〜
２０ｋｅＶの範囲内のエネルギーのイオンの照射を、１
×１０ 15 個／ｃｍ 2 〜１×１０ 20 個／ｃｍ 2 の範囲内の
照射量で行うことにより、当該基体の表面に形成される
アルミニウム膜の（１１１）面の結晶配向を制御するこ
とを特徴とする。
め、この発明は、基体の表面にアルミニウム膜を形成す
る際に、その成膜前に当該基体の表面に、１００ｅＶ〜
２０ｋｅＶの範囲内のエネルギーのイオンの照射を、１
×１０ 15 個／ｃｍ 2 〜１×１０ 20 個／ｃｍ 2 の範囲内の
照射量で行うことにより、当該基体の表面に形成される
アルミニウム膜の（１１１）面の結晶配向を制御するこ
とを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記のようにアルミニウム膜の成膜前に、基体
の表面にイオン照射を行うことにより、当該基体上にア
ルミニウムの（１１１）面に配向した結晶が良く成長す
ることが分かった。その理由としては、イオン照射によ
って基体の表面がスパッタされて表面に多数の小さい凹
凸ができ、これによって基体表面の濡れ性が変わってア
ルミニウムの結晶核のでき方が（１１１）面の配向に都
合の良いように変化したためであると考えられる。
の表面にイオン照射を行うことにより、当該基体上にア
ルミニウムの（１１１）面に配向した結晶が良く成長す
ることが分かった。その理由としては、イオン照射によ
って基体の表面がスパッタされて表面に多数の小さい凹
凸ができ、これによって基体表面の濡れ性が変わってア
ルミニウムの結晶核のでき方が（１１１）面の配向に都
合の良いように変化したためであると考えられる。
【０００８】また、基体に照射するイオンの照射量およ
び照射エネルギーの少なくとも一方を前記範囲内で変化
させることによって、アルミニウム膜の（１１１）面の
結晶配向量を任意に制御することができることも分かっ
た。
び照射エネルギーの少なくとも一方を前記範囲内で変化
させることによって、アルミニウム膜の（１１１）面の
結晶配向量を任意に制御することができることも分かっ
た。
【０００９】
【実施例】図１は、実施例に用いた装置を示す概略図で
ある。図示しない真空容器内に基体４を保持するホルダ
２が設けられており、それに向けて蒸発源６およびイオ
ン源１０が配置されている。
ある。図示しない真空容器内に基体４を保持するホルダ
２が設けられており、それに向けて蒸発源６およびイオ
ン源１０が配置されている。
【００１０】蒸発源６は、ホルダ２上の基体４にアルミ
ニウム８を蒸着させるものであり、この例では電子ビー
ム７によってアルミニウムを加熱蒸発させるものを用い
ているが、それ以外に、抵抗加熱によってアルミニウム
を加熱蒸発させるもの、あるいはターゲットをスパッタ
してアルミニウムを蒸発させるもの等でも良い。
ニウム８を蒸着させるものであり、この例では電子ビー
ム７によってアルミニウムを加熱蒸発させるものを用い
ているが、それ以外に、抵抗加熱によってアルミニウム
を加熱蒸発させるもの、あるいはターゲットをスパッタ
してアルミニウムを蒸発させるもの等でも良い。
【００１１】イオン源１０は、所望のイオン１２を加速
して引き出してそれをホルダ２上の基体４に照射するも
のであり、例えば多極磁場型のいわゆるバケット型イオ
ン源が大電流大面積等の点で好ましいが、勿論それ以外
のイオン源でも良い。このイオン源１０から引き出すイ
オン１２の種類等については後述する。
して引き出してそれをホルダ２上の基体４に照射するも
のであり、例えば多極磁場型のいわゆるバケット型イオ
ン源が大電流大面積等の点で好ましいが、勿論それ以外
のイオン源でも良い。このイオン源１０から引き出すイ
オン１２の種類等については後述する。
【００１２】またこの例では、ホルダ２の近傍に、基体
４に対するアルミニウム８の蒸着量を計測するための膜
厚モニタ１４および基体４に対するイオン１２の照射量
を計測するためのイオン電流モニタ１６が配置されてい
る。
４に対するアルミニウム８の蒸着量を計測するための膜
厚モニタ１４および基体４に対するイオン１２の照射量
を計測するためのイオン電流モニタ１６が配置されてい
る。
【００１３】成膜に際しては、アルミニウム膜を形成し
ようとする所望の基体４をホルダ２に取り付け、真空容
器内を所定の真空度（例えば約１×１０-6Ｔｏｒｒ程
度）にまで排気した後、まず、イオン源１０からイオン
１２を引き出してそれを基体４の表面に照射し、その
後、蒸発源６からアルミニウム８を蒸発させてそれを基
体４の表面に所望の膜厚になるように蒸着させる。
ようとする所望の基体４をホルダ２に取り付け、真空容
器内を所定の真空度（例えば約１×１０-6Ｔｏｒｒ程
度）にまで排気した後、まず、イオン源１０からイオン
１２を引き出してそれを基体４の表面に照射し、その
後、蒸発源６からアルミニウム８を蒸発させてそれを基
体４の表面に所望の膜厚になるように蒸着させる。
【００１４】上記の場合に用いるイオン１２の種類は、
特定のものに限定されるものではなく、例えば水素イオ
ン、窒素イオン、酸素イオン、ヘリウムイオン、ネオン
イオン、アルゴンイオン、クリプトンイオン等のいずれ
でも良く、要は当該イオン１２によって基体４の表面を
スパッタできれば良い。
特定のものに限定されるものではなく、例えば水素イオ
ン、窒素イオン、酸素イオン、ヘリウムイオン、ネオン
イオン、アルゴンイオン、クリプトンイオン等のいずれ
でも良く、要は当該イオン１２によって基体４の表面を
スパッタできれば良い。
【００１５】また、基体４に照射するイオン１２のエネ
ルギーは、あまり小さいと照射の効果が少なくあまり大
きいと基体４に与える損傷が大きくなるので、例えば１
００ｅＶ〜２０ｋｅＶ程度の範囲内が適当であり、イオ
ン１２の照射量も、あまり少ないと照射の効果が少なく
あまり大きいと基体４に与える損傷が大きくなるので、
例えば１×１０14個／ｃｍ2 〜１×１０20個／ｃｍ2 程
度の範囲内が適当であるが、具体的には、イオン１２の
種類や基体４の材質等によって異なり、上記範囲内で適
宜選べば良い。基体４に対するイオン１２の照射角度θ
（図１参照）についても、イオン１２の種類や基体４の
材質等によって適宜選べば良い。
ルギーは、あまり小さいと照射の効果が少なくあまり大
きいと基体４に与える損傷が大きくなるので、例えば１
００ｅＶ〜２０ｋｅＶ程度の範囲内が適当であり、イオ
ン１２の照射量も、あまり少ないと照射の効果が少なく
あまり大きいと基体４に与える損傷が大きくなるので、
例えば１×１０14個／ｃｍ2 〜１×１０20個／ｃｍ2 程
度の範囲内が適当であるが、具体的には、イオン１２の
種類や基体４の材質等によって異なり、上記範囲内で適
宜選べば良い。基体４に対するイオン１２の照射角度θ
（図１参照）についても、イオン１２の種類や基体４の
材質等によって適宜選べば良い。
【００１６】より具体的な実施例を説明すると、上記の
ような基体４の一例としてフィルムコンデンサ用のポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用い、これの表面に
イオン１２としてアルゴンイオンを２ｋｅＶのエネルギ
ーで１．５×１０16個／ｃｍ2 照射した。このとき、フ
ィルム表面に対するアルゴンイオンの照射角度θは４５
度とした。また、イオン照射に伴って発生する熱による
フィルムの変形等を防止するために、ホルダ２に冷却水
を流してフィルムの冷却を十分に行った。その後、上記
のようにしてアルゴンイオンを照射してスパッタしたフ
ィルムの表面に、アルミニウム膜を電子ビーム加熱式の
蒸発源６を用いて成膜速度１０Å／秒で３０００Åの膜
厚に成膜した。また比較のために、イオン照射を行って
ない未処理のポリエチレンテレフタレートフィルムの表
面に、上記と同様にしてアルミニウム膜を３０００Åの
膜厚に成膜することも行った。
ような基体４の一例としてフィルムコンデンサ用のポリ
エチレンテレフタレートフィルムを用い、これの表面に
イオン１２としてアルゴンイオンを２ｋｅＶのエネルギ
ーで１．５×１０16個／ｃｍ2 照射した。このとき、フ
ィルム表面に対するアルゴンイオンの照射角度θは４５
度とした。また、イオン照射に伴って発生する熱による
フィルムの変形等を防止するために、ホルダ２に冷却水
を流してフィルムの冷却を十分に行った。その後、上記
のようにしてアルゴンイオンを照射してスパッタしたフ
ィルムの表面に、アルミニウム膜を電子ビーム加熱式の
蒸発源６を用いて成膜速度１０Å／秒で３０００Åの膜
厚に成膜した。また比較のために、イオン照射を行って
ない未処理のポリエチレンテレフタレートフィルムの表
面に、上記と同様にしてアルミニウム膜を３０００Åの
膜厚に成膜することも行った。
【００１７】上記のようにしてポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの表面に形成したアルミニウム膜の結晶性
をＸ線回折法により調べた結果を図２および図３に示
す。図２がイオン照射を施していない未処理のものを示
し、図３がアルゴンイオンを照射したものを示す。
ートフィルムの表面に形成したアルミニウム膜の結晶性
をＸ線回折法により調べた結果を図２および図３に示
す。図２がイオン照射を施していない未処理のものを示
し、図３がアルゴンイオンを照射したものを示す。
【００１８】図２に示されているように、イオン照射を
施していないフィルム上にアルミニウム膜を成膜した場
合は、回折角２θ＝３９度付近に、アルミニウム結晶の
（１１１）面を示す回折のピークがわずかに表れるだけ
であり、アルミニウムを単に真空蒸着させただけではあ
まりアルミニウムの（１１１）面の結晶配向が表れてい
ないことが分かる。なお、図２および図３中のＳで示す
部分は、フィルムからのＸ線回折によるものである。
施していないフィルム上にアルミニウム膜を成膜した場
合は、回折角２θ＝３９度付近に、アルミニウム結晶の
（１１１）面を示す回折のピークがわずかに表れるだけ
であり、アルミニウムを単に真空蒸着させただけではあ
まりアルミニウムの（１１１）面の結晶配向が表れてい
ないことが分かる。なお、図２および図３中のＳで示す
部分は、フィルムからのＸ線回折によるものである。
【００１９】これに対して、図３に示されているよう
に、アルゴンイオンを２ｋｅＶで１．５×１０16個／ｃ
ｍ2 照射したフィルム表面に成膜した場合のアルミニウ
ム膜について見ると、アルミニウムの（１１１）面を示
すピークが大きく増大していることが分かる。
に、アルゴンイオンを２ｋｅＶで１．５×１０16個／ｃ
ｍ2 照射したフィルム表面に成膜した場合のアルミニウ
ム膜について見ると、アルミニウムの（１１１）面を示
すピークが大きく増大していることが分かる。
【００２０】また、イオンの照射量と単位膜厚当りのア
ルミニウムの（１１１）面のＸ線回折強度との関係を、
照射イオンのエネルギーを変えて調べた結果を図４に示
すが、この図から、イオンの照射量が多くなるに伴っ
て、また照射エネルギーが高いほど、アルミニウムの
（１１１）面のＸ線回折強度が増加し、多くの（１１
１）面の配向が得られることが分かる。即ちこの発明の
方法によれば、照射イオンのエネルギーおよび照射量の
少なくとも一方を制御することにより、アルミニウムの
（１１１）面の配向量を任意に制御することができる。
ルミニウムの（１１１）面のＸ線回折強度との関係を、
照射イオンのエネルギーを変えて調べた結果を図４に示
すが、この図から、イオンの照射量が多くなるに伴っ
て、また照射エネルギーが高いほど、アルミニウムの
（１１１）面のＸ線回折強度が増加し、多くの（１１
１）面の配向が得られることが分かる。即ちこの発明の
方法によれば、照射イオンのエネルギーおよび照射量の
少なくとも一方を制御することにより、アルミニウムの
（１１１）面の配向量を任意に制御することができる。
【００２１】例えば、同じ量の（１１１）面の配向量を
得るにしても、イオンの照射量を多くする方法と照射エ
ネルギーを高くする方法とが採れるが、イオンの照射量
を多くすればそのぶん処理時間が伸びて生産性が低下す
るのに対して、イオンのエネルギーを高くしても処理時
間は伸びないので生産性が良くなり、その結果生産コス
トも安くなる。
得るにしても、イオンの照射量を多くする方法と照射エ
ネルギーを高くする方法とが採れるが、イオンの照射量
を多くすればそのぶん処理時間が伸びて生産性が低下す
るのに対して、イオンのエネルギーを高くしても処理時
間は伸びないので生産性が良くなり、その結果生産コス
トも安くなる。
【００２２】即ちこの発明の方法によれば、照射イオン
のエネルギーを変えることにより、少ない照射量でより
多くのアルミニウム（１１１）面の結晶配向を得ること
ができ、そのようにすれば処理時間が短くて済むので生
産性が良くなり、このことは、この発明の方法を実際の
生産機等に応用する場合において特に効果が大きい。
のエネルギーを変えることにより、少ない照射量でより
多くのアルミニウム（１１１）面の結晶配向を得ること
ができ、そのようにすれば処理時間が短くて済むので生
産性が良くなり、このことは、この発明の方法を実際の
生産機等に応用する場合において特に効果が大きい。
【００２３】フィルム表面にイオン照射を行うことによ
って、アルミニウムの（１１１）面に配向した結晶が良
く成長する理由としては、イオン照射によってフィルム
表面がスパッタされて表面に多数の小さい凹凸ができ、
これによってフィルム表面の濡れ性が良くなってアルミ
ニウムの結晶核のでき方が（１１１）面の配向に都合の
良いように変化したためと考えられ、またイオンの照射
エネルギーが高いほどその凹凸の量やサイズを大にでき
るためであると考えられる。
って、アルミニウムの（１１１）面に配向した結晶が良
く成長する理由としては、イオン照射によってフィルム
表面がスパッタされて表面に多数の小さい凹凸ができ、
これによってフィルム表面の濡れ性が良くなってアルミ
ニウムの結晶核のでき方が（１１１）面の配向に都合の
良いように変化したためと考えられ、またイオンの照射
エネルギーが高いほどその凹凸の量やサイズを大にでき
るためであると考えられる。
【００２４】また、イオン照射によって基体表面の状態
が消去されるので、即ちイオン照射によって基体表面を
細かく凹凸化することによって基体の元の結晶構造や表
面状態が解消されるので、基体材料の種類に関係なくい
ずれの基体上にも、アルミニウム膜の最密面である（１
１１）面を優先的に配向させることが可能になる。
が消去されるので、即ちイオン照射によって基体表面を
細かく凹凸化することによって基体の元の結晶構造や表
面状態が解消されるので、基体材料の種類に関係なくい
ずれの基体上にも、アルミニウム膜の最密面である（１
１１）面を優先的に配向させることが可能になる。
【００２５】また、イオン照射は、基体を加熱する場合
と異なり、基体材料の種類に限定されることなく行うこ
とができるので、この発明の方法は、基体が、これまで
加熱が不可能であるとされていたプラスチックや高分子
材料等から成る場合に特に有効である。
と異なり、基体材料の種類に限定されることなく行うこ
とができるので、この発明の方法は、基体が、これまで
加熱が不可能であるとされていたプラスチックや高分子
材料等から成る場合に特に有効である。
【００２６】なお、以上においては、イオン照射後の基
体上にアルミニウム膜を形成する方法として、アルミニ
ウムを加熱やスパッタによって蒸発させるものを例に説
明したが、この発明は成膜前の基体の表面にイオン照射
を施すことが重要であり、アルミニウム膜自体の形成方
法は特に重要ではないので、上記例以外の方法によって
アルミニウム膜を形成しても良い。
体上にアルミニウム膜を形成する方法として、アルミニ
ウムを加熱やスパッタによって蒸発させるものを例に説
明したが、この発明は成膜前の基体の表面にイオン照射
を施すことが重要であり、アルミニウム膜自体の形成方
法は特に重要ではないので、上記例以外の方法によって
アルミニウム膜を形成しても良い。
【００２７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、基体の
結晶構造や表面状態の影響を受けることなくかつ基体を
加熱することなく、それゆえ基体材料の種類に関係な
く、当該基体の表面に形成されるアルミニウム膜の（１
１１）面の結晶配向を制御することができる。
結晶構造や表面状態の影響を受けることなくかつ基体を
加熱することなく、それゆえ基体材料の種類に関係な
く、当該基体の表面に形成されるアルミニウム膜の（１
１１）面の結晶配向を制御することができる。
【００２８】しかも、イオンの照射量および照射エネル
ギーの少なくとも一方を前記範囲内で変化させることに
よって、アルミニウム膜の（１１１）面の結晶配向量を
任意に制御することができる。特に、イオンの照射エネ
ルギーを変えることによって、少ない照射量で多くの
（１１１）面の配向量を得ることもでき、そのようにす
れば処理時間が短くて済むので生産性が良くなる。
ギーの少なくとも一方を前記範囲内で変化させることに
よって、アルミニウム膜の（１１１）面の結晶配向量を
任意に制御することができる。特に、イオンの照射エネ
ルギーを変えることによって、少ない照射量で多くの
（１１１）面の配向量を得ることもでき、そのようにす
れば処理時間が短くて済むので生産性が良くなる。
【図１】 実施例に用いた装置を示す概略図である。
【図２】 イオン照射を施していないポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にアルミニウムを真空蒸着した時
のＸ線回折図形である。
フタレートフィルム上にアルミニウムを真空蒸着した時
のＸ線回折図形である。
【図３】 アルゴンイオンを２ｋｅＶで１．５×１０16
個／ｃｍ2 照射したポリエチレンテレフタレートフィル
ム上にアルミニウムを真空蒸着した時のアルミニウム膜
の結晶状態を示すＸ線回折図形である。
個／ｃｍ2 照射したポリエチレンテレフタレートフィル
ム上にアルミニウムを真空蒸着した時のアルミニウム膜
の結晶状態を示すＸ線回折図形である。
【図４】 イオンの照射量と単位膜厚当りのアルミニウ
ムの（１１１）面のＸ線回折強度との関係を、照射イオ
ンのエネルギーを変えて調べた結果を示す図である。
ムの（１１１）面のＸ線回折強度との関係を、照射イオ
ンのエネルギーを変えて調べた結果を示す図である。
４ 基体 ６ 蒸発源 ８ アルミニウム １０ イオン源 １２ イオン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鞍谷 直人 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機株式会社内 (72)発明者 岡崎 泰三 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機株式会社内 (56)参考文献 Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏ ｃ．，Ｖｏｌ．138，Ｎｏ．４, （1991），ｐ．1089−1097 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58 ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】 基体の表面にアルミニウム膜を形成する
際に、その成膜前に当該基体の表面に、１００ｅＶ〜２
０ｋｅＶの範囲内のエネルギーのイオンの照射を、１×
１０ 15 個／ｃｍ 2 〜１×１０ 20 個／ｃｍ 2 の範囲内の照
射量で行うことにより、当該基体の表面に形成されるア
ルミニウム膜の（１１１）面の結晶配向を制御すること
を特徴とするアルミニウム膜の結晶配向制御方法。 - 【請求項２】 前記イオンの照射量および照射エネルギ
ーの少なくとも一方を前記範囲内で変化させることによ
り、前記アルミニウム膜の（１１１）面の結晶配向量を
制御する請求項１記載のアルミニウム膜の結晶配向制御
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15869392A JP3227795B2 (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | アルミニウム膜の結晶配向制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15869392A JP3227795B2 (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | アルミニウム膜の結晶配向制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05320868A JPH05320868A (ja) | 1993-12-07 |
| JP3227795B2 true JP3227795B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=15677295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15869392A Expired - Fee Related JP3227795B2 (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | アルミニウム膜の結晶配向制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3227795B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023166633A1 (ja) * | 2022-03-02 | 2023-09-07 | Tdk株式会社 | 集電体、蓄電デバイス用電極およびリチウムイオン二次電池 |
| CN115161600B (zh) * | 2022-07-14 | 2023-07-28 | 扬州纳力新材料科技有限公司 | 铝复合集流体及其制备方法、正极片、电池和用电装置 |
| WO2024057665A1 (ja) * | 2022-09-12 | 2024-03-21 | 東レＫｐフィルム株式会社 | 二次電池正極用金属化フィルム、および、その製造方法 |
| WO2024101196A1 (ja) * | 2022-11-10 | 2024-05-16 | 東レ株式会社 | 二次電池正極用金属化フィルム、およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-05-25 JP JP15869392A patent/JP3227795B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１３８，Ｎｏ．４，（１９９１），ｐ．１０８９−１０９７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05320868A (ja) | 1993-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0468228B1 (en) | Method of producing amorphous magnetic film | |
| EP0565766B1 (en) | Copper film coated substrate and method of forming copper film on substrate | |
| JP3227795B2 (ja) | アルミニウム膜の結晶配向制御方法 | |
| JP4167833B2 (ja) | 成膜装置、酸化物薄膜成膜用基板及びその製造方法 | |
| JP3227768B2 (ja) | 銅薄膜の結晶配向制御方法 | |
| Satou et al. | Variation of crystallization with arrival ratio in titanium nitride films formed by dynamic mixing method | |
| JPH02129361A (ja) | 二酸化クロム薄膜の形成方法 | |
| Knorr et al. | Texture development in thin metallic films | |
| JPS6326349A (ja) | 立方晶窒化硼素被膜の形成方法 | |
| JPH04337445A (ja) | 検鏡用試料作製法 | |
| JP2985472B2 (ja) | シリコン膜の形成方法 | |
| JPH05287506A (ja) | 銅膜被覆基体 | |
| Sakai et al. | Crystal structure of aluminum films prepared by ion beam assisted technology | |
| Kunibe et al. | Development of ion mixing equipment for R&D use and preparation of tin films by N2 gas assisted ion beam mixing | |
| JPH06944B2 (ja) | 結晶質酸化アルミニウム薄膜の形成方法 | |
| JPH0762229B2 (ja) | 炭素薄膜の作成方法 | |
| JP3389639B2 (ja) | 膜の内部応力制御方法 | |
| Cortenraad et al. | Cleaning procedure for single-crystal tungsten substrates | |
| Harper et al. | In-plane crystallographic texture of BCC metal thin films on amorphous substrates | |
| JPH04114904A (ja) | 高品質酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH05271902A (ja) | Ｃｕ薄膜の形成方法 | |
| JP2562730B2 (ja) | 高機能薄膜の形成方法 | |
| JPS61190064A (ja) | 窒化チタン薄膜形成方法 | |
| CN116043325A (zh) | 一种薄膜沉积装置及薄膜沉积方法 | |
| JPH048506B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070907 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080907 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |