JPS59153882A - スパツタ−蒸着法 - Google Patents
スパツタ−蒸着法Info
- Publication number
- JPS59153882A JPS59153882A JP2836283A JP2836283A JPS59153882A JP S59153882 A JPS59153882 A JP S59153882A JP 2836283 A JP2836283 A JP 2836283A JP 2836283 A JP2836283 A JP 2836283A JP S59153882 A JPS59153882 A JP S59153882A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- film
- anode
- sputtering
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は所望の化学組成比をイｉする膜を再現性よく作
るスパッター蒸着法の薄膜形成方法に関するものである
。
るスパッター蒸着法の薄膜形成方法に関するものである
。
従来、スパッター蒸着による化合物薄膜の形成には、化
合物のターゲット全車いＡｒなど不活性気体を使ってス
パッターする方法・およびこの方法に加えて雰囲気中に
種々の気体を混入して、スパッターした原子・粒子と反
応させて化合物薄膜を形成する方法が用いられる。
合物のターゲット全車いＡｒなど不活性気体を使ってス
パッターする方法・およびこの方法に加えて雰囲気中に
種々の気体を混入して、スパッターした原子・粒子と反
応させて化合物薄膜を形成する方法が用いられる。
このような方法の場合、化合物薄膜の組成比の制御は、
化合物ターゲットの組成比を変えることや、スパッター
リング雰囲ｇＬヲ変えることによ：ｌａ行なわれる。
化合物ターゲットの組成比を変えることや、スパッター
リング雰囲ｇＬヲ変えることによ：ｌａ行なわれる。
化合物ターゲットの組成比を変える方法では・連続的に
組成比を変えることは不可能であるＯまた一物、に１所
望の組成比の化合物ターゲットを用いてスパッター蒸＊
ｔ−行なっても、ターゲットの組成と同一組成の膜ｒｔ
得ることは困難であり、種々の組成比のターゲットをｌ
１ＩＩ造して組成比を検討する必要がある０−万、雰囲
気中に気体を混入してスパッター蒸３Ｉｌを行ない化合
物薄膜を形成する方法では、連、続１的に組成比を変え
ることはでさるが、しかし雰囲気中の不純物残留ガスの
影響などにより再現性に劣る欠点があった。
組成比を変えることは不可能であるＯまた一物、に１所
望の組成比の化合物ターゲットを用いてスパッター蒸＊
ｔ−行なっても、ターゲットの組成と同一組成の膜ｒｔ
得ることは困難であり、種々の組成比のターゲットをｌ
１ＩＩ造して組成比を検討する必要がある０−万、雰囲
気中に気体を混入してスパッター蒸３Ｉｌを行ない化合
物薄膜を形成する方法では、連、続１的に組成比を変え
ることはでさるが、しかし雰囲気中の不純物残留ガスの
影響などにより再現性に劣る欠点があった。
このような欠点を解決するため、所望の膜組成の各成分
を個別に有する摺合ターゲットを用いて各成分のターゲ
ットの面積比を変えて所望の組成比の化合物薄！ＩＬ−
形成する方法（特願昭５７一２０９２９Ｂ）がある０こ
の方法では、第１図（場に示すようなターゲラトラ用い
てスパッター蒸着を行なう。所望とする化合物＃膜の化
学成分１ｉ−Ａ 。
を個別に有する摺合ターゲットを用いて各成分のターゲ
ットの面積比を変えて所望の組成比の化合物薄！ＩＬ−
形成する方法（特願昭５７一２０９２９Ｂ）がある０こ
の方法では、第１図（場に示すようなターゲラトラ用い
てスパッター蒸着を行なう。所望とする化合物＃膜の化
学成分１ｉ−Ａ 。
Ｂとすると、第１図において符号１，２．８で示す領域
は、それぞれ化学成分へのターゲット、化学成分Ｂのタ
ーゲット、高エネルギー粒子の照射域である。スパッタ
ー蒸着は、ターゲット１，２に符号８で示す高エネルギ
ー粒子を照射してターゲットの面積比を制御することに
より所望の組成比のスパッター蒸ＮＭを得る。この方法
では、第１図（ｂ）のように高エネルギー粒子の照射領
域８が円形で、しかもターゲットの中心と一致している
詩には、ターゲットの面積比と膜の組成比の間に比例関
係が成立し膜組成の再現性は良い。しかし一般的に高エ
ネルギー粒子の照射＠域８が円形でる場合や、第１図（
ｄ）ｖｃ示すように高エネルギー粒子の照射領域８が、
円形でない場合には、スパッター蒸着膜の成分り再現性
に問題があった。
は、それぞれ化学成分へのターゲット、化学成分Ｂのタ
ーゲット、高エネルギー粒子の照射域である。スパッタ
ー蒸着は、ターゲット１，２に符号８で示す高エネルギ
ー粒子を照射してターゲットの面積比を制御することに
より所望の組成比のスパッター蒸ＮＭを得る。この方法
では、第１図（ｂ）のように高エネルギー粒子の照射領
域８が円形で、しかもターゲットの中心と一致している
詩には、ターゲットの面積比と膜の組成比の間に比例関
係が成立し膜組成の再現性は良い。しかし一般的に高エ
ネルギー粒子の照射＠域８が円形でる場合や、第１図（
ｄ）ｖｃ示すように高エネルギー粒子の照射領域８が、
円形でない場合には、スパッター蒸着膜の成分り再現性
に問題があった。
本発明は、これらの欠点？除去するためになされたもの
で、ターゲットに照射される高エネルギー粒子の照射領
域の形状、照射の場所にかがねらず、所望の組成比？再
現性よく制御でさるスパッター蒸着法と提供すること？
目的とする。
で、ターゲットに照射される高エネルギー粒子の照射領
域の形状、照射の場所にかがねらず、所望の組成比？再
現性よく制御でさるスパッター蒸着法と提供すること？
目的とする。
以下、本発明の実ＩＭ例？第２図に基づいてにＱ明する
０ 図示するものは、本発明を実施するためのサドルフィー
ルド型の高速原子線源？用いたスパッター蒸着装置の概
略構成である。図において、会はアースされたカソード
、５は電源の陽極Ｖｃｉｍ続されたアノード、６はグラ
ファイトメツシュ、７はターゲット、８はターゲット７
を回転だせるためのモーター、９は基板、１０はスパッ
ター薄膜である。
０ 図示するものは、本発明を実施するためのサドルフィー
ルド型の高速原子線源？用いたスパッター蒸着装置の概
略構成である。図において、会はアースされたカソード
、５は電源の陽極Ｖｃｉｍ続されたアノード、６はグラ
ファイトメツシュ、７はターゲット、８はターゲット７
を回転だせるためのモーター、９は基板、１０はスパッ
ター薄膜である。
これを動作させるには、カソード４、アノード５、グラ
ファイト６、ターゲット７および基板９？備えた本装詮
内ｋ ／ ０−６Ｔｏｒｒ以上の高真空にした後、１Ｏ
−３〜ｌθ−４Ｔｏｒｒ程度の不活性気体（例えばＡｒ
）で満たし、カソード４と５のアノードとの間に３〜ｓ
ＫＶ程度の品電圧？印ＤＯして放電ｒ生起し、グラ７ア
イト６のメツシュ越しに〃ｕ速した中性原子（例えばＡ
ｙ原子）をターゲット７に照射し、ターゲット物質を飛
散させる０飛散された原子・粒子は、基板９０表面にス
パッター薄膜ｌＯとして付着し、薄膜形成かをされる。
ファイト６、ターゲット７および基板９？備えた本装詮
内ｋ ／ ０−６Ｔｏｒｒ以上の高真空にした後、１Ｏ
−３〜ｌθ−４Ｔｏｒｒ程度の不活性気体（例えばＡｒ
）で満たし、カソード４と５のアノードとの間に３〜ｓ
ＫＶ程度の品電圧？印ＤＯして放電ｒ生起し、グラ７ア
イト６のメツシュ越しに〃ｕ速した中性原子（例えばＡ
ｙ原子）をターゲット７に照射し、ターゲット物質を飛
散させる０飛散された原子・粒子は、基板９０表面にス
パッター薄膜ｌＯとして付着し、薄膜形成かをされる。
ターゲット７は前述した第１図（ａｌと同様に構成され
ており、このターゲット？自体はモーター８ｖｃより回
転させられながらスパッター蒸着が行なわれる。
ており、このターゲット？自体はモーター８ｖｃより回
転させられながらスパッター蒸着が行なわれる。
このようにターゲツト７自体が回転しながらスパッター
蒸着が行なわれるので、高エネルギー粒子の照射領域８
が円形でなくても、あるいはターゲットの中心と高エネ
ルギー粒子の照射領域８の中心がずれていても、化学成
分へのターゲラ）１と化学成分Ｂのターゲット２の各頂
角、！１１ち面積比が一定ならば、スパッター蒸着によ
り再現性よく所望の組成比の化合物薄膜と得ることがで
きる。
蒸着が行なわれるので、高エネルギー粒子の照射領域８
が円形でなくても、あるいはターゲットの中心と高エネ
ルギー粒子の照射領域８の中心がずれていても、化学成
分へのターゲラ）１と化学成分Ｂのターゲット２の各頂
角、！１１ち面積比が一定ならば、スパッター蒸着によ
り再現性よく所望の組成比の化合物薄膜と得ることがで
きる。
本実施例では、サドルフィールド型の尚運原子線源？用
いているが本発明はこれに限定されるものではない。：
ｆた、本実施例でターゲット７の回転駆動にモーター８
を用いているが、本発明は、これに限定されるものでは
なく、他の駆動手段によってターゲット？？回転させる
ように成してもよし翫。
いているが本発明はこれに限定されるものではない。：
ｆた、本実施例でターゲット７の回転駆動にモーター８
を用いているが、本発明は、これに限定されるものでは
なく、他の駆動手段によってターゲット？？回転させる
ように成してもよし翫。
また、ターゲット７は本実施例のような円形のものに限
られることなく、方形ターゲットなど多角形のターゲッ
トも適用可能である。
られることなく、方形ターゲットなど多角形のターゲッ
トも適用可能である。
以上説明したように、この発明に係るスパンター蒸着法
によれば、複数に分割された上面の小部分が異なる元素
で構成されているターゲット？回転させながらスパッタ
ー蒸着を行なうから、ターゲットに照射する高エネルギ
ー粒子の照射領域が円形でなく、あるいはターゲットの
中心と高エネルギー粒子の照射領域の中心がずれていた
としても・各元素のターゲットの面積比が一斤匡１あれ
ば、再現性よく所望の組成比の化合物薄膜を得ることが
でざる０またこのように所望の組成比の化合物薄膜を再
現性よく得ることができるので、半導体装詩乃製造、超
云導体装置の製造、機械部品の製造などのあらゆる分野
において応用可能である。
によれば、複数に分割された上面の小部分が異なる元素
で構成されているターゲット？回転させながらスパッタ
ー蒸着を行なうから、ターゲットに照射する高エネルギ
ー粒子の照射領域が円形でなく、あるいはターゲットの
中心と高エネルギー粒子の照射領域の中心がずれていた
としても・各元素のターゲットの面積比が一斤匡１あれ
ば、再現性よく所望の組成比の化合物薄膜を得ることが
でざる０またこのように所望の組成比の化合物薄膜を再
現性よく得ることができるので、半導体装詩乃製造、超
云導体装置の製造、機械部品の製造などのあらゆる分野
において応用可能である。
第１図はターゲットの平面図、第２図は本発明を実、施
するための装置の一例を示す概略構成図である。 ｌ・・・・・・ターゲット、２・・・・・・ターゲット
、８・・・・・・高ｘ ＊ Ａ キー 粒子の照射領域
、４・・・・・カソード、５・・・・・・アノード、６
・・・・・・グラファイトメツシュ、７・・・・・・タ
ーゲット、８・・・・・・モーター、９・・・・・・基
板、ＩＯ・・・用スパッター薄膜。 出即人日本屯信°成話公社 第に図 第２図 乙
するための装置の一例を示す概略構成図である。 ｌ・・・・・・ターゲット、２・・・・・・ターゲット
、８・・・・・・高ｘ ＊ Ａ キー 粒子の照射領域
、４・・・・・カソード、５・・・・・・アノード、６
・・・・・・グラファイトメツシュ、７・・・・・・タ
ーゲット、８・・・・・・モーター、９・・・・・・基
板、ＩＯ・・・用スパッター薄膜。 出即人日本屯信°成話公社 第に図 第２図 乙
Claims (1)
- 上面が複数の小部分に分割され、かつ各小１部分が異な
る元素で構成されている平板状のターゲット？真空中で
回転だせつつ、そのターゲットに高エネルギー粒子？照
射させてスパッター？おこし、そのスパッターを基敬上
に蒸着せしめることを特徴とするスパッター蒸着法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2836283A JPS59153882A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | スパツタ−蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2836283A JPS59153882A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | スパツタ−蒸着法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59153882A true JPS59153882A (ja) | 1984-09-01 |
Family
ID=12246504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2836283A Pending JPS59153882A (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | スパツタ−蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59153882A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473075A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Hitachi Ltd | Film forming device by ion beam sputtering |
| JP2007238143A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Rengo Co Ltd | 把手孔構造および該把手孔構造を用いた包装箱 |
-
1983
- 1983-02-22 JP JP2836283A patent/JPS59153882A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473075A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Hitachi Ltd | Film forming device by ion beam sputtering |
| JP2007238143A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Rengo Co Ltd | 把手孔構造および該把手孔構造を用いた包装箱 |
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