JPS6147221B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6147221B2 JPS6147221B2 JP13082282A JP13082282A JPS6147221B2 JP S6147221 B2 JPS6147221 B2 JP S6147221B2 JP 13082282 A JP13082282 A JP 13082282A JP 13082282 A JP13082282 A JP 13082282A JP S6147221 B2 JPS6147221 B2 JP S6147221B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- evaporation
- vapor deposition
- melting
- irradiation
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 17
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は、金属薄膜型磁気記録媒体や、他の機
能薄膜を連続して長時間安定に生産するに適した
蒸着方法に関する。 広幅の高分子成形基板上に、Co，Co合金等を
酸素雰囲気中で斜め蒸着して、高密度記録に適し
た媒体を製造する技術が、磁気テープの新しい製
造技術として注目されている。 これに用いられる蒸発方法としては、耐火物を
容器とした、電子ビーム加熱式のものが良いとさ
れている。 この方法で、連続して長尺ものへの蒸着を行う
上で、当然行われなければならない要件として、
蒸発材料の補給がある。 その場合、電子ビームの制御性の良さに着目し
て、供給材料への電子ビームの照射と、蒸発溶湯
面への照射とを、偏向磁界を工夫することでひと
つの電子ビーム発生器で行う方法と、溶解供給専
用に別に電子ビーム発生器を設ける方法の２種類
が、当然考えられる。 しかしこれらは、これまで具体的に実施された
例がなく、そこで本発明者が両者について実施し
たところ、前者は、蒸発が不安定になることと、
溶解供給位置が蒸発域と溶解域とをひとつの電子
ビームの走査で加熱することから、蒸発域の端部
と極めて近くなり、この結果スプラツシユの影響
を受け、ピンホールの多数の発生、または基板に
穴があくなど、磁気記録媒体の製造に不都合が生
じやすく、また、後者は設備コストの高くなる点
と、溶解専用の電子ビーム発生器の真空放電が蒸
発用の電子ビーム発生器を誘発しやすいという欠
点が明らかになつた。 本発明は、後者の欠点をなくすためになされた
もので、その要旨とするところは、蒸発用の電子
ビームの加速電圧をＥV〔KV〕とし、溶解供給用
の電子ビームの加速電圧をＥM〔KV〕とすると、
ＥV−ＥM＞５〔KV〕の関係を満たす条件で蒸発
源を加熱し蒸発せしめるものである。 以下に具体的に本発明の実施例を図面を用い説
明する。 〔実施例 １〕 図に示すように円筒状キヤン１（直径１ｍ、幅
70cm）に沿つて60ｍ／minの速度で移動するポリ
エチレンテレフタレートフイルム基板２（厚さ
10.5μｍ）上に、２×10-5Torrの酸素雰囲気中
で、Co80％、Ni20％の磁性層を最小入射角45゜
で0.1μｍの厚さに形成した。蒸発源容器３は
ZrO2製で、内容積は2.5である。蒸着材料とし
てCo80％、Ni20％からなる直径1.5mmのワイヤ４
を供給することとし、また蒸発用の電子ビームの
加速電圧ＥVをＥV＝30〔KV〕、溶解用の電子ビー
ム６の加速電圧ＥMをＥM＝20〔KV〕とした。 なお図における７はスプラツシユの影響を抑制
するための防着板、８は送り出し軸、９は巻取り
軸、１０は中間ローラーである。 蒸着長さは9000ｍとし、５回実施した。 下表は、以上の実施例における放電状況をまと
めて示すものである。
能薄膜を連続して長時間安定に生産するに適した
蒸着方法に関する。 広幅の高分子成形基板上に、Co，Co合金等を
酸素雰囲気中で斜め蒸着して、高密度記録に適し
た媒体を製造する技術が、磁気テープの新しい製
造技術として注目されている。 これに用いられる蒸発方法としては、耐火物を
容器とした、電子ビーム加熱式のものが良いとさ
れている。 この方法で、連続して長尺ものへの蒸着を行う
上で、当然行われなければならない要件として、
蒸発材料の補給がある。 その場合、電子ビームの制御性の良さに着目し
て、供給材料への電子ビームの照射と、蒸発溶湯
面への照射とを、偏向磁界を工夫することでひと
つの電子ビーム発生器で行う方法と、溶解供給専
用に別に電子ビーム発生器を設ける方法の２種類
が、当然考えられる。 しかしこれらは、これまで具体的に実施された
例がなく、そこで本発明者が両者について実施し
たところ、前者は、蒸発が不安定になることと、
溶解供給位置が蒸発域と溶解域とをひとつの電子
ビームの走査で加熱することから、蒸発域の端部
と極めて近くなり、この結果スプラツシユの影響
を受け、ピンホールの多数の発生、または基板に
穴があくなど、磁気記録媒体の製造に不都合が生
じやすく、また、後者は設備コストの高くなる点
と、溶解専用の電子ビーム発生器の真空放電が蒸
発用の電子ビーム発生器を誘発しやすいという欠
点が明らかになつた。 本発明は、後者の欠点をなくすためになされた
もので、その要旨とするところは、蒸発用の電子
ビームの加速電圧をＥV〔KV〕とし、溶解供給用
の電子ビームの加速電圧をＥM〔KV〕とすると、
ＥV−ＥM＞５〔KV〕の関係を満たす条件で蒸発
源を加熱し蒸発せしめるものである。 以下に具体的に本発明の実施例を図面を用い説
明する。 〔実施例 １〕 図に示すように円筒状キヤン１（直径１ｍ、幅
70cm）に沿つて60ｍ／minの速度で移動するポリ
エチレンテレフタレートフイルム基板２（厚さ
10.5μｍ）上に、２×10-5Torrの酸素雰囲気中
で、Co80％、Ni20％の磁性層を最小入射角45゜
で0.1μｍの厚さに形成した。蒸発源容器３は
ZrO2製で、内容積は2.5である。蒸着材料とし
てCo80％、Ni20％からなる直径1.5mmのワイヤ４
を供給することとし、また蒸発用の電子ビームの
加速電圧ＥVをＥV＝30〔KV〕、溶解用の電子ビー
ム６の加速電圧ＥMをＥM＝20〔KV〕とした。 なお図における７はスプラツシユの影響を抑制
するための防着板、８は送り出し軸、９は巻取り
軸、１０は中間ローラーである。 蒸着長さは9000ｍとし、５回実施した。 下表は、以上の実施例における放電状況をまと
めて示すものである。
実施例１におけるワイヤの代わりに棒（直径32
mm）を供給材料として用い、ＥV＝40KV、ＥM＝
30KVで他の条件は実施例１と同じ条件とし実施
した。その結果を下の表に示す。
mm）を供給材料として用い、ＥV＝40KV、ＥM＝
30KVで他の条件は実施例１と同じ条件とし実施
した。その結果を下の表に示す。
【表】
一方ＥV＝40KV、ＥM＝40KVで実施すると影響
受けた放電は90％あつた。他の多くの組合せで、
影響を受ける率をまとめたところＥV−ＥMの値と
強い相関性をもち、他の条件とはほとんど相関性
がなかつた。 なお以上のことは、基本的な条件として、スプ
ラツシユの少ない材料を用いることが当然行われ
た上でのことである。 さて以上のことから、ＥV−ＥMが5KV以上あれ
ば、蒸発側の放電のうち溶解側の影響を受けた放
電の割合が、10％以下に抑えられる。そして好ま
しくは10KV以上の差をもたせることで、相互干
渉をより抑制できる。 なおここで、蒸発用にしても、溶解用にしても
エネルギー効率を良くするために、ビームを集束
しやすい条件を選択することになり、そこで勢い
高い加速電圧を選ぶことになり、結果的に放電が
起つた時には逆に放電のエネルギーが大きくな
り、以上のことから複数台の電子ビーム発生器を
隣接して用いると、相互干渉を誘発しやすいこと
に上述のの条件範囲が存在しているものと考えら
れる。 以上のように本発明によると蒸着を安定に行う
ことが可能となる。 なお本発明は、例えばSiの蒸着、イオンプレー
テイング等と組み合わせた他の材料の蒸着等にお
いても充分その効果を発揮するものである。
受けた放電は90％あつた。他の多くの組合せで、
影響を受ける率をまとめたところＥV−ＥMの値と
強い相関性をもち、他の条件とはほとんど相関性
がなかつた。 なお以上のことは、基本的な条件として、スプ
ラツシユの少ない材料を用いることが当然行われ
た上でのことである。 さて以上のことから、ＥV−ＥMが5KV以上あれ
ば、蒸発側の放電のうち溶解側の影響を受けた放
電の割合が、10％以下に抑えられる。そして好ま
しくは10KV以上の差をもたせることで、相互干
渉をより抑制できる。 なおここで、蒸発用にしても、溶解用にしても
エネルギー効率を良くするために、ビームを集束
しやすい条件を選択することになり、そこで勢い
高い加速電圧を選ぶことになり、結果的に放電が
起つた時には逆に放電のエネルギーが大きくな
り、以上のことから複数台の電子ビーム発生器を
隣接して用いると、相互干渉を誘発しやすいこと
に上述のの条件範囲が存在しているものと考えら
れる。 以上のように本発明によると蒸着を安定に行う
ことが可能となる。 なお本発明は、例えばSiの蒸着、イオンプレー
テイング等と組み合わせた他の材料の蒸着等にお
いても充分その効果を発揮するものである。
図は本発明の実施例において用いられた蒸着装
置の要部の斜視図である。 １……円筒状キヤン、２……基板、３……蒸発
源容器、５……蒸発用電子ビーム、６……溶解用
電子ビーム。
置の要部の斜視図である。 １……円筒状キヤン、２……基板、３……蒸発
源容器、５……蒸発用電子ビーム、６……溶解用
電子ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 移動中の基板の幅方向と平行な方向に長軸を
有する容器中に供給された蒸着材料を溶解用の電
子ビームの照射により加熱溶解し、さらに、溶解
した蒸着材料を蒸発用の電子ビームの照射により
加熱蒸発せしめて上記基板上に蒸着膜を形成する
に際し、上記溶解用の電子ビームの加速電圧をＥ
M〔KV〕、上記蒸発用の電子ビームの加速電圧を
ＥV〔KV〕とすると、ＥV−ＥM＞５〔KV〕の条
件を満たすようにすることを特徴とする蒸着方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13082282A JPS5920468A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13082282A JPS5920468A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5920468A JPS5920468A (ja) | 1984-02-02 |
| JPS6147221B2 true JPS6147221B2 (ja) | 1986-10-17 |
Family
ID=15043520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13082282A Granted JPS5920468A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5920468A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013100581A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着装置及び蒸着方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2812955B2 (ja) * | 1988-06-30 | 1998-10-22 | ソニー株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP13082282A patent/JPS5920468A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013100581A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着装置及び蒸着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5920468A (ja) | 1984-02-02 |
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