JPH02239428A - 金属薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は金属薄膜の製造方法に係わり，さらに詳しくは
走行する高分子材料よりなるフィルム基体上に、強磁性
金属材料などからなる金属薄膜を真空蒸着法によって連
続的に形成させる金属簿膜の製造方法の改良に関する． 〔従来の技術〕 従来、走行する高分子材料よりなるフィルム基体上に，
真空蒸着法により金属磁性材料などからなる金属薄膜を
形成させる方法として，高分子フィルム基体を冷却用の
円筒状キャンロールの周面に沿わせて走行させながら蒸
着を行うという方法が最も優れているので一般的に採用
されている．第２図に，従来の代表的な連続式真空蒸着
装置の構造の一例を示す．＠において，高分子フィルム
基体３は、円筒状キャンロール２の局面に沿って矢印の
方向に走行する．なお、円筒状キャンロール２の表面は
クロムなどの金属光沢メッキが施され、その内部は冷却
されている．高分子フィルム基体３は、送り出しロール
８から円筒状キャンロール２の局面に沿って移動する間
に，蒸発源７からの金属蒸気に接触することによって高
分子フィルム基体３の表面に金属磁性材料などからなる
金属薄膜が蒸薯され，巻き取りロール９によって巻き取
られる．このような真空蒸着装置を用いて、高分子材料
よりなるフィルム基体上に金属薄膜を蒸看させる場合に
，蒸着する金属薄膜の膜厚が，例えば数百人程度以下と
非常に薄い場合には安定して良質の金属薄膜の形成が可
能であるが，膜厚の大きい金属薄膜を高堆積速度で形成
させる場合には，蒸発源からの輻射熱や蒸発金属粒子の
凝縮熱などによって．高分子フィルム基体は熱変形や熱
変質（熱分解）を起こし、安定して良質の金属蒸着膜が
得られないという問題があった．この問題の解決方法の
一つとして、特開昭６０　−　９２４６７号公報におい
て提案されている金属薄膜の製造方法がある．これは、
高分子フィルム基体と円筒状キャンロールまたは表面を
絶縁層で被覆した円筒状キャンロールとの間に，電圧を
印加し電位差を与えて静電気的な引力を生じさせ，円筒
状キャンロールに高分子フィルム基体または片面に金属
薄膜層を設けた高分子フィルム基体を密着させながら蒸
着を行うという方法であるが、この方法は上記円筒状キ
ャンロールと基体との間に電位差を与える煩雑な手段が
必要であり、かつ金属蒸着膜に電位を加える方法である
ため、蒸着初期の金属蒸着膜の膜厚が薄い部分で電位差
を与えることができず，その部分に熱負けが生じ，熱変
形さらには熱分解を起こしてフィルム基体に穴が生じた
りするなどの欠点があった． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述したごとく，従来技術において，高分子フィルム基
体と円筒状キャンロールとの間に電位差を与えても，高
分子フィルム基体のキャンロールとの張り付き度合が不
十分であり、そのために高分子フィルム基体が十分に冷
却されず、形成される金属薄膜層にしわが生じたり，あ
るいはフィルム基体の熱変形さらには熱分解により穴が
あいたりするなどの問題があった． 本発明の目的は，上記従来技術における問題点を屏消し
，高分子フィルム基体が冷却用の円筒状キャンロールに
常に安定した密着状態で走行し、高分子フィルム基体の
冷却効率が極めて高く，高品質の金属蒸着膜が得られる
真空蒸着法による金属薄膜の製造方法を提供することに
ある．〔課題を解決するための手段〕 上記本発明の目的は，高分子フィルム基体を、冷却用の
円筒状キャンロールの局面に沿わせて走行させながら．
真空蒸着法により金属磁性薄膜などの金属薄膜を製造す
る方法において、上記走行する高分子フィルム基体上に
，金属薄膜を蒸看させる前に、高分子フィルム基体に電
子線を照射して，高分子フィルム基体の深部にまで電子
線を侵入させ，高分子フィルム基体を安定したマイナス
の電位に帯電させることにより、円筒状キャンロールの
表面に常にプラスの電荷を誘起させて、走行する高分子
フィルム基体と円筒状キャンロールとの間に生じる安定
した電気的引力により，両者の密着性を一段と良好にし
た後、蒸発源からの金属蒸気を接触させて蒸着を行うこ
とにより達成される． 本発明の金属薄膜の製造方法に適用し得る金属材料は、
Ｇｏ，ＮｉまたはＦｅなとの単体金属、もしくはそれら
の元素を主成分とする合金からなる強磁性材料，あるい
はその他の必要とする任意の金属または合金からなる金
属材料を用いることができ、本発明の改良された真空蒸
着法によって高分子フィルム基体上に高品質の金属薄膜
を形成させることができる． 〔実施例〕 以下に、本発明の一実施例を挙げ，図面に基づいてさら
に詳細に説明する． 第１図（ａ）に示す連続式真空蒸着装置を用い、真空槽
１内に設けられた，高分子フィルム基体３を送り出しロ
ール８から冷却されている円筒状キャンロール２の局面
に沿って走行させ、まず最初に、電子銃５から電圧２０
０ｖで加速した電子線を、円筒状キャンロール２に沿っ
て走行する高分子フィルム基体３の表面に照射して、高
分子フィルム基体３を充分にマイナスの電位に帯電させ
て、円筒状キャンロール２にプラスの電位を誘起させ電
気的引力を発生させた後，蒸発源７からＣｏ−Ｎｉ（８
０　−　２０ａｔ％）合金の蒸気を、上記高分子フィル
ム基体表面に接触させ，　Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ合金よ
りなる金属薄膜を、約０．３μｍの膜厚に形成させた．
なお、本実施例に対する比較例として、高分子フィルム
基体への電子線照射を省略した以外は、本実施例と同様
にして金属薄膜を形成させた．以上の実施例および比較
例において、円筒状キャンロール２の冷却温度を変化さ
せて、高分子フィルム基体３に熱変形が発生する円筒状
キャンロール２の冷却限界温度を調べた．その結果、比
較例においては、−１５℃以下に円筒状キャンロール２
を冷却しなければ高分子フィルム基体に熱変形が生じた
が．本実施例においては、円筒状キャンロール２の冷却
温度をおおよそＯ℃以下に冷却するだけで、全く熱変形
が見られず、良質の金属薄膜を高分子フィルム基体上に
形成させることができた． 〔発明の効果〕 以上詳細に説明したごとく、本発明による金属薄膜の製
造方法は，蒸着の前に走行する高分子フィルム基体に電
子線を十分に照射して、基体の深部にまで電子線を侵入
させて安定した帯電状態を与えることができ、高分子フ
ィルム基体は円筒状キャンロールに良く密着した状態で
金属薄膜の蒸着が行われるので、高分子フィルム基体は
十分に冷却され熱変形あるいは熱分解が生じることなく
良質の金属薄膜を連続的に製造することができる．

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の実施例において用いた連続式真
空蒸着装置の構造の一例を示す模式図，第１図（ｂ）は
第１図（ａ）に示す装置における高分子フィルム基体と
円筒状キャンロールとの間の帯電状態を示す説明図、第
２図は従来の連続式真空蒸着装置の構造の一例を示す模
式図である．１・・・真空槽 ２・・・円筒状キャンロール ３・・・高分子フィルム基体

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空槽内で高分子フィルム基体を、冷却用の円筒状
   キャンロールの周面に沿わせて走行させながら、真空蒸
   着法によって上記基体上に金属薄膜を形成する方法にお
   いて、上記基体上に金属薄膜を蒸着させる前に、走行す
   る上記基体上に電子線を照射して、該基体をマイナスの
   電位に帯電させて上記円筒状キャンロールとの密着性を
   良くし、その後に蒸発源からの金属蒸気と接触させて蒸
   着を行うことを特徴とする金属薄膜の製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の金属薄膜の製造方法に
   おいて、電子線の照射手段が電子銃によることを特徴と
   する金属薄膜の製造方法。