JPH0223527A - 金属薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高分子フィルム上に金属薄膜を形成する金属
薄膜の製造方法に関するものである。

従来の技術 従来、高分子フィルム玉に金属薄膜を高い生産性で形成
する方法として真空蒸着法がある。第６図は、一般に生
産に使用されている真空蒸着装置内部の一例の概略を示
す正面図である。高分子フィルムｌは円筒状キャン２の
周面に沿って矢印Ａの方向に走行する。この高分子フィ
ルムｌ上に蒸発Ｒ５によって金属薄膜が形成される。３
及び４はそれぞれ高分子フィルム１の供給ロール及び巻
き取りロールである。蒸発源５としては、抵抗加熱蒸発
源、誘導加熱蒸発源、電子ビーム蒸発源等が用いられる
。蒸発１１５と円筒状キャン２との間には、蒸発源５か
ら蒸発する蒸気７が不要な部分に付着するのを防止する
ために、遮蔽板６が配置されている。遮蔽板６は、Ｓで
示されるように間口しており、この開口部Ｓを通過した
蒸気が高分子フィルム１上に付着する。第６図に示した
真空蒸着装置の内部を第６１！ｌにおいて右側から見た
側面図を第７図に示す、遮蔽板６の間口部Ｓの、高分子
フィルムｌの幅方向における暢りは、高分子フィルムｌ
の幅Ｗよりも狭くなっており、蒸気が円筒状キャン２に
付着することを防止している。

このように、遮蔽板６の間口部Ｓの暢りが、高分子フィ
ルム１０幅Ｗよりも狭く設定されているために、金属薄
膜は高分子フィルム１上の第７図の斜線で示した領域８
に形成され、その輻Ｊは高分子フィルムｌの＠Ｗより狭
くなる。従って、高分子フィルムｌ上には金属薄膜８の
形成されないマージン部（第７図で斜線の引いていない
領域）９が、高分子フィルムｌの両端にできる。このマ
ージン部９の幅Ｍは一般にｆｅｒｎ程度である。

発明が解決しようとする錦３ しかしながら、金属薄膜８の形成された高分子フィルム
ｌの用途には、コンデンサーや磁気テープ等がある。こ
れらの用途においては、膜厚の薄い高分子フィルムを使
用する必要がある。実際に、コンデンサーの場合には２
μｍ程度、磁気テープの場合には１０μｍ程度の膜厚の
高分子フィルムが使用される。ところが、このような薄
い高分子フィルム上に第６図で示す真空蒸着装置により
金属薄膜を形成すると、高分子フィルムに第８図に示す
ような波状のしわが入るという問題が生じる。

本発明は、このような従来技術の課題を解決した金属薄
膜の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は、円Ｗ吠キャンの周面に沿って走行しつつある
高分子フィルム上に金属薄膜を真空蒸着法により製造す
る際、前記高分子フィルムの両端を前記円筒状キャンの
周面に固定した状態で蒸着を行う金属薄膜の製造方法で
ある。

作用 本発明の製造方法によれば、高分子フィルム上に金属薄
膜を形成する際に、高分子フィルムの幅方向に張力が働
くので波状のしわの発生を防止できる。

実施例 以下に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

本発明は、円筒状キャンの周面に沿って走行しつつある
高分子フィルム上に金属薄膜を真空蒸着法により製造す
る際、前記高分子フィルムの両端を前記円筒状キャンの
周面に固定した状態で蒸着を行うことを特徴とする金属
薄膜の製造方法であって、高分子フィルムの両端を円筒
状キャンの周面に固定する方法として２種の方法を考案
したものである。

第１図〜第５図を用いて本発明の実施例について説明す
る。

実施例１ 第１図は、本発明の一実施例における金属薄膜の製造方
法に用いる真空蒸着装置の内部構造の概略側面図である
。第３図は、同真空蒸着装置の正面図である０円筒状キ
ャン２の絶縁体円筒部１３の幅Ｃが高分子フィルムｌの
幅Ｗよりも狭くなっている。破線１４で示したものは絶
縁体円筒部１３と金属円筒部１２との境界である。遮蔽
板６０閏ロ部Ｓの輻りは、高分子フィルムｌの幅Ｗより
狭くなっており、その結果高分子フィルムｌ上において
輻Ｊの金属薄膜（第１図において斜線の弓いである領域
）８の形成されないＩＩ＠Ｍのマージン部９が高分子フ
ィルムｌの両端にできる。また、遮蔽板６の間口部Ｓの
輻りは、円筒状キャン２の絶縁体円筒部１３の幅Ｃより
も広くなっており、高分子フィルム１上に形成される金
属薄膜８の両端の一部は、Ｎで示すように金属円筒部１
２と重なり合う。このような状態で金属薄膜８と金属円
筒部１２との間に電位差を設けると、高分子フィルムｌ
のうち両端のＮで示される部分が静電引力により金属円
筒部１２の周面に張り付けられる。

一般に、高分子フィルム上に金属薄膜を形成すると、金
属薄膜形成時の熱負荷により高分子フィルムは収縮する
。従って、高分子フィルム１の両端のＮの部分が円筒状
キャン２の周面に固定されると両端のＮの間の部分には
蒸着時に張力が働き、波状のしわの発生が防止される。

尚、金属薄膜８と金属円筒部１２との間に電位差を設け
る方法は第３図に示されている。電［１１が円筒状キャ
ン２とフリーローラー１０の間に接続されており、フリ
ーローラー１０を介して高分子フィルムｌ上の金属薄膜
８に電位差が付与される。電源１１として第３図では直
流電源を示しているが交流電源でもよい。

円筒状キャン２の絶縁体円筒部１３が金属円筒の周面に
絶縁体被覆されたものである場合は、絶縁体の下層に金
属部分があるため電位差によって高分子フィルムｌ上に
形成された金属薄膜８の中央部も両端のＮの部分と同様
に円筒状キャン２の周面に張り付いてしまい、高分子フ
ィルム１の幅方向に張力が有効に働かなくなる。このよ
うな場合には絶縁体の膜厚を厚くすればよい。絶縁体被
覆の方法としては、反応蒸着法や溶射法等があるがいず
れの方法でもよい、また、絶縁体の材料としては、Ｓｉ
ｏ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯのうちのひとつあるいはそれ
らの混合物を主体とするものが、機械特性あるいは熱物
性の点で優れている。

以下に、金属薄膜としてＣｏ−Ｃｒ膜、高分子フィルム
としてポリイミドフィルムを選んだ場合についての具体
実施例について説明する。尚、ｃ。

−Ｃｒ膜は、高密度記録が可能な磁気記録媒体として注
目されているものである。

第１図及び第３図に示すような真空蒸着装置にて、絶縁
体円筒部１３の蝙Ｃが１８ｃｍの本発明の円筒状キャン
２を使用して、輻Ｗが２２　ｃ　ｍ。

膜厚が８μｍのポリイミドフィルムを用い、閏日部Ｓの
＠Ｌを２０ｃｍとして、膜厚２００ｎｒｎのＣｏ−Ｃｒ
膜を蒸着した。Ｃｏ−Ｃｒ膜を蒸着する際に、Ｃｏ−Ｃ
ｒ膜と金属円筒部１２の周面との間に１５０Ｖの電位差
を設けた。その結果、波状のしわのない長尺のＣｏ−Ｃ
ｒ膜が形成できた。

尚、絶縁体円筒部１３の絶縁体被覆はＡｌ２Ｏ３を反応
蒸着によって形成した。Ａｌ２Ｏ３の膜厚は２００μｍ
とした。

実施例２ 第４図は、本発明の他の実施例における金属薄膜の製造
方法に用いる真空蒸着装置の内部構造の概略構成の側面
図である。電子銃１５により発生された電子ビーム１６
を円筒状キャン２の周面に沿って走行しつつある高分子
フィルム１の両端に差し向は電子を打ち込む。尚、電子
銃１５としては、電子ビームを広範囲に容易に走査でき
る点からピアス型電子銃がよい。電子が不要な部分に打
ち込まれるのを防止するために電子遮蔽板１７が設置さ
れている。第４図に示した真空蒸着ｉｉ！鷹の内部を第
４１３！ｆｆにおいて左側から見た側面図を第２図に示
している。電子ビーム１６により高分子ブィルムｌの両
端に電子を打ち込む。電子遮蔽板１７により、電子打ち
込み領域を規制する。電子遮蔽板１７の幅には高分子フ
ィルムｌの幅Ｗより狭く設定されており、高分子フィル
ムｌの両端のＥで示した部分に電子が打ち込まれる。電
子遮蔽板１７の＠には概ね形成される金属薄膜の幅と等
しくなるように設定すればよい。電子が打ち込まれた部
分Ｅは静電引力により円筒状キャン２の周面に張り付け
られ固定される。

一般に、高分子フィルム上に金属薄膜を形成すると、金
属薄膜形成時の熱負荷により高分子フィルムは収縮する
。従って、高分子フィルム１の両端のＥの部分が円筒状
キャン２の周面に固定されるとＥの閑の部分には蒸着時
に張力が働き、波状のしわの発生が防止される。

以下に、金属薄膜としてＣｏ−Ｃｒ膜、高分子フィルム
としてポリイミドフィルムを選んだ場合についての具体
実施例について説明する。

第２図及び第４図に示すような真空蒸着装置にて、＃Ａ
Ｗが２２　ｃ　ｍ、　　膜厚が８μｍのポリイミドフィ
ルムを用い、間口部Ｓの＠Ｌを２０ｃｍとして、膜厚２
００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ膜を蒸着した。

電子遮蔽板１７としては幅２０ｃｍのものを用いた。電
子銃１５としては加速電圧３０ｋＶのピアス型電子銃を
用いた。その結果、波状のしわのない長尺のＣｏ−Ｃｒ
膜が形成できた。尚、蒸着後の高分子フィルム１が円筒
状キャン２より剥離する際に電子が打ち込まれた部分Ｅ
にしわが発生する場合があった。このような場合には、
第５図に示すようにイオン銃１８によりイオン及び電子
１９を発生させ高分子フィルム１の電子が打ち込まれた
部分Ｅに照射すればよい。

以上の実施例では、Ｃｏ−Ｃｒ膜とポリイミドフィルム
の組み合わした場合についてのみの説明をしたが、当然
のことながら、Ｃｏ−Ｃｒ膜以外の金属薄膜、ポリイミ
ドフィルム以外の高分子フィルムの場合でも全く同様に
本発明が有効であることは明白である。

発明の効果 本発明によれば、円筒状キャンの周面に沿って走行しつ
つある高分子フィルム上に金属薄膜を真空蒸着法により
製造する際、前記高分子フィルムの両端を前記円筒状キ
ャンの周面に固定した状態で蒸着を行うので、例えば、
膜厚１０μｍ程度の薄い高分子フィルムを基板として使
用した金属薄膜を、しわの発生なしに安定に作製できる
。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の一実施例における金属薄膜
の製造方法に用いる真空蒸着装置の内部構造の概略を示
す側面図、第３図及び第４図はそれぞれ第１図及び第２
図の本発明の一実施例における金属薄膜の製造方法に用
いる真空蒸着装置の内部構造の概略を示す正面図、第５
図は高分子フィルムの両端にしわが発生する場合の対策
を構じた本発明の一実施例における金属薄膜の製造方法
に用いる真空蒸着装置の内部構造の概略を示す側面図、
第６図は従来法の一実施例における真空蒸着装置の内部
構造の概略を示す側面図、第７図は第６図の従来法の一
実施例における真空蒸着装置の内部構造の概略を示す正
面図、第８図は波状のしわの説明するための正面図であ
る。 ｌ・・・高分子フィルム、２・・・円筒状キャン、３・
・・供給ロール、４・・・巻き取り口ｉル、５・・・蒸
発源、６・・・遮蔽板、７・・・蒸気、８・・・金属薄
膜、９・・・マージン部、１０◆・・蒸着膜と円筒状キ
ャン周面との間に電位差を設けるためのフリーローラー
１１・・・電源、１２・・・金属円筒部、１３・・・絶
縁体円筒部、１４・・・金属円筒部と絶縁体円筒部の境
界１５・・・電子銃、１６・０電子ビーム、１７・φ・
電子遮蔽板、１８・・・イオン銃、１９・・・イオン及
び電子、Ａ・・・矢印、Ｃ・・・絶縁体円筒部の幅、Ｅ
・・・高分子フィルムの電子の打ち込まれる部分、Ｊ・
・・蒸着部（金属薄膜）の幅、Ｋ・・・電子遮蔽板の幅
、Ｌ・・・間口部の幅、Ｍ・・・マージン部の幅、Ｎ・
・・高分子フィルム上に形成された金属薄膜の金属円筒
部と重なり合う部分、Ｓ・・・間口部、Ｗ・・・高分子
フィルムの幅。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第１　図 １２図 第４図 し誹−５ 第３図 第５図 陶ご−５ 第６図 第７図 旧；；誹−５

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）円筒状キャンの周面に沿って走行しつつある高分
   子フィルム上に金属薄膜を真空蒸着法により製造する際
   、前記高分子フィルムの両端を前記円筒状キャンの周面
   に固定した状態で蒸着を行うことを特徴とする金属薄膜
   の製造方法。
2. （２）高分子フィルム上に形成される金属薄膜の幅より
   も狭い幅の絶縁体円筒部と前記絶縁体円筒部の両側に接
   して前記絶縁体円筒部とほぼ同径の金属円筒部とから成
   る円筒状キャンの周面に沿って前記高分子フィルムを走
   行させ、前記金属薄膜と前記金属円筒部の周面との間に
   電位差を設け、前記金属薄膜の両端を円筒状キャンの周
   面に固定した状態で蒸着を行うことを特徴とする請求項
   １記載の金属薄膜の製造方法。
3. （３）絶縁体円筒部が金属円筒の周面を絶縁体によって
   被覆して成ることを特徴とする請求項２記載の金属薄膜
   の製造方法。
4. （４）金属薄膜が形成される前に、前記円筒状キャンの
   周面において前記高分子フィルムの両端に電子を打ち込
   み、前記高分子フィルムの両端を前記円筒状キャンの周
   面に固定した状態で蒸着を行うことを特徴とする請求項
   １記載の金属薄膜の製造方法。
5. （５）ピアス型電子銃を用いて電子を打ち込み、前記蒸
   着を行うことを特徴とする請求項４記載の金属薄膜の製
   造方法。