JPS63288420A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高分子フィルム上に金属薄膜からなる磁性層
を形成した磁気記録媒体の製造方法に関する。

（従来の技術） 従来の磁気記録媒体は高分子フィルム等の非磁性基板上
に磁性粉を塗付した塗付型が一般的であったが、近時は
より高い記録密度を達成するためにスパッタ法や、真空
蒸着法等によって磁性粉に代る金属薄膜を磁性層とする
薄膜磁気記録媒体が実用されるようになってきており、
その中でも特に、垂直磁気異方性を有するＣ、ｏ基磁性
薄膜を磁性層とした垂直磁気記録媒体が、優れた短波長
記録特性を有するところから注目を集めている。

Ｃｏ基の垂直磁気異方性膜としては、たとえば、Ｃｏ−
Ｃｒ、　Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、　Ｃｏ　−Ｖ　、　Ｇｏ−
Ｃｒ−Ｗ。

Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｏ、　Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｂ、　Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａ等の合金薄膜が主として検討されている。これら
Ｃｏ基垂直磁気異方性膜はスパッタ法や、イオンブレー
ティング法のような蒸発原子の一部をイオン化して薄膜
を形成する場合を含む真空蒸着法等によって製造され、
とくに真空蒸着法によれば数１０００人／秒以上の速度
の堆積が可能で量産に適している。

第５図はそのような従来の薄膜型磁気記録媒体を製造す
る真空蒸着装置の内部構造の一部を示し。

第６図は、その右側からみた断面概略図である。

高分子フィルム１は円筒状キャプスタン２の局発源であ
り、それからの金属蒸気によって磁性層が高分子フィル
ム１上に形成される。

蒸発源５としては抵抗加熱、誘導加熱、電子ビーム加熱
等によるものがあるが、高融点金属であるＣｏ基合金を
高速で蒸発させるためには電子ビーム蒸発源が用いられ
る。６は蒸発源５から発する金属蒸気７が高分子フィル
ム１の不要部分に蒸着されるのを防止するための遮蔽板
であり、開口部Ｓを有し、その高分子フィルム１の幅方
向の開口幅Ｌ（第６図）は高分子フィルム１の幅Ｗより
も狭く形成されており、そのため金属蒸気７が高分子フ
ィルム１に蒸着されてなる斜線で示す磁性層８の幅Ｊは
、上記高分子フィルム１の幅Ｗよりも短く形成される。

したがって、磁性層８の形成されない無斜線のマージン
領域９が、高分子フィルム１の端縁部に生じ、その幅Ｍ
は一般に約１ａ１程度である。なお、蒸着時には第７図
のように、高分子フィルム１上の蒸着膜に接するフリー
ローラ１０と円筒状キャプスタン２の局面間に電源１１
を接続することにより電位差を付与する。この電位差は
静電引力により高分子フィルム１を円筒状キャプスタン
２に強く接触させ、それにより、蒸着時の蒸発源５から
の輻射熱や、蒸着原子の凝縮熱等の熱の円筒状キャプス
タン２への伝導をよくシ、高分子フィルム１の熱ダメー
ジを軽減させる効果があり、電位差としては蒸着膜が１
０−程度では約５０ないし３００　Ｖ程度が適当であり
、電源は交流、直流を問わず、また高分子フィルム１に
電子を打ち込んで帯電させてもよい。

（発明が解決しようとする問題点） 従来のＣＯ基合金薄膜垂直磁気記録媒体の製造方法は、
上記のようになされるが、ＶＴＲ用の磁気テープとして
実用化するには、高分子フィルム１の膜厚は約１５−以
下にすることが必要で、家庭用のＶＴＲでは１０−前後
の極めて薄いものが要求される。

その要求を満足させて膜厚８ｐ、幅２０１の高分子フィ
ルム１上に、たとえば膜厚２０００人のＣｏ−Ｃｒ垂直
磁気異方性膜をマージン領域９の幅Ｍを１ａ１として、
第５図で示した電子ビーム真空蒸着法により形成させる
と、高分子フィルム１にしわが発生し、それはマージン
領域９において顕著に発生する。

本発明はそのような磁気テープとして致命的な薄膜蒸着
時のしわの発生を防止することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明は上記の目的を、円筒状キャプスタンの周面に沿
って走行させる高分子フィルム面に、電子ビーム蒸発源
を用いて金属薄膜からなる磁性層を形成する磁気記録媒
体の製造方法において、上記円筒状キャプスタンと電子
ビーム蒸発源との間に、円筒状キャプスタンに最近接す
る部分よりも離間する部分において狭くなされている。

蒸発源からの金属蒸気の一部を遮蔽する遮蔽板を配置し
、かつ、上記磁性層と円筒状キャプスタンの周辺との間
に電位差を付与して製造することより達成する。

（作　用） 本発明によれば電子ビーム蒸発源からの反射電子による
高分子フィルムの帯電量を軽減でき、そのためしわのな
い垂直磁気記録媒体を製造することが可能になる。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第１図は本発明の一実施例の真空蒸着装置内部の概略を
示す概略図で、説明しない符号は前回までの説明を援用
し、１２は本発明の構成に特徴の遮蔽板であり、その下
方から見た斜視図を第２図（ａ）に示し、その矢印Ａは
第１図において高分子フィルム１の走行方向を指してい
る。なお、（ｂ）図は従来の遮蔽板６を示している。

本発明に使用する遮蔽板１２は、この第２図（ａ）によ
って明らかなように開口部Ｓの幅は、遮蔽板１２の厚み
方向で一定でなく、円筒状キャプスタン２に近接して配
置した時、円筒状キャプスタン２から離間するに従い１
幅し工から幅Ｌ２に変化している。

このように本発明に用いる遮蔽板１２は高分子フィルム
１以外の円筒状キャプスタン２の周面に付着する蒸発原
子を少なくするために、幅Ｌ１は高分子フィルムｌの幅
Ｗよりも短くなされており、−例としてＬｌ、Ｌ、はそ
れぞれ１９．６３．１８．０ａｍでし第７図で示した従
来装置の遮蔽板６の代りに用いてＣｏ−Ｃｒ垂直磁気異
方性膜を高分子フィルム１に蒸着したところ、しわは全
く発生しなかった。

その理由は未だ明確でないが、電子ビーム蒸発源５から
の反射電子による高分子フィルム１のマージン領域９の
帯電量が大幅に減少することが考えられる。すなわち、
従来の遮蔽板６では蒸発原子はマージン領域９には付着
せずに１反射電子のみが回り込んで付着し、その結果マ
ージン領域９が強く帯電し、蒸着膜が形成された高分子
フィルム１が走行して円筒状キャプスタン２から離間す
るときに１幅方向で均一に離れずに不均一になること、
また、蒸着膜を形成した高分子フィルム１を巻取る時に
、幅方向に不均一な巻取になること等のためにしわを生
ずるものと考えられる。

これに対して本発明は遮蔽板１２の構造の特徴から、蒸
発原子はマージン領域９にも僅少ながら侵入し付着する
。その結果、従来のようなマージン領域９の帯電がなく
なって、しわを生じないと考えられる。

なお、従来の遮蔽板６によっても円筒状キャプスタン２
から離間して配置すればマージン領域９に回り込む蒸発
原子が増加し、その部分の帯電量を減少させ得ることに
なるが、実際には蒸発原子は円筒状キャプスタン２側に
も可成り侵入するために高分子フィルム１の側面部にも
蒸着原子が付着して円筒状キャプスタン２と蒸着膜とを
導通させ、したがって、それらの間には電位差付与が不
可能になる。また、遮蔽板の幅を高分子フィルムの幅に
近似させてマージン領域９に蒸着し、しわの発生を抑圧
することが考えられるが、実際には高分子フィルム１の
側面への蒸着を避けることが不可能で、しわの発生を防
止できない。

第３図は遮蔽板１２の他の構造を示し、円筒状キャブタ
ン２に最近接する部分の開口幅に比べ、それより狭い開
口部分を他の部分に有するように二重構造になされたも
のである。

また第４図は更に他の遮蔽板１２の構造を示し、円筒状
キャプスタン２に最近接する部分の幅に比べて、それよ
り狭い開口幅の部分が、高分子フィルム１の走行方向Ａ
全体にわたって設けられずに、一部分のみに有する例で
ある０本発明はこのような遮蔽板によっても目的が達成
される。

以上本発明を説明したが、磁性膜はＣｏ−Ｃｒ膜以外の
Ｃｏ基合金薄膜により形成するとき同様に実施でき、ま
た高分子フィルム１上にＣｏ基合金薄膜を直接蒸着する
ことなく、Ｃｏ基合金薄膜の垂直磁気異方性を改善する
ような下地層を介して蒸着する場合も全く同様に実施可
能である。

さらに、蒸発原子は点状の蒸発源からの場合として説明
したが、広い幅の高分子フィルムに対して蒸着膜の厚さ
を均一にするため、蒸着源を高分子フィルム面に対して
走査させる場合にも実施可能で、同様な効果が得られる
。

（発明の効果） 以上詳細に説明して明らかなように本発明は、膜厚１０
ｐ程度の極めて薄い高分子フィルムを基板とする垂直磁
気記録媒体を、しわの発生なく安定に製造可能であるか
ら、たとえばディジタルＶＴＲ等に使用する超高記録密
度の垂直磁気記録テープの大量生産が容易になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の真空蒸着装置内部の概略を
示す概略図、第２図は遮蔽板の下方からみた斜視図、第
３図および第４図は本発明の実施に用いる遮蔽板の他の
構造を示す図、第５図は従来の薄膜型磁気記録媒体を製
造する真空蒸着装置の内部構造の一部を示す図、第６図
は、その右側から示す概略図、第７図は電位差の付与を
説明する図である。 １　・・・高分子フィルム、　２　・・・円筒状キャプ
スタン、　３　・・・供給ロール、　４　・・・巻取ロ
ール、　５　・・・蒸発源、　６，１２・・・遮蔽板、
　７・・・金属蒸気、　８・・・磁性膜、　９　・・・
マージン領域、１０・・・フリーローラ、１１・・・電
源。 第１図 Ｗ−°″南分ｊフィしムラ暢 Ｌｌ　　°゛　用肖状゛〜Ｖアスクン１；通も總Ａ・奢
りり関口暢Ｌ２　°°゛Ｐ１肖杖〜マブスタンつ・う期
會丸ｒぐ奸ナタ開口幅第２図 （ａン １２・・・本光！＋）３９　＊に＋；’、丈用１ｈ遍敗
板（ｂ） Ａ・・・高砂３フィｌレム　１５　　曳行ガ旬６・・＜
Ｌ＊　イｆ’３１＝　）ｆｌ　Ｌ”ｚ　Ｉ　＆　Ｖｌ第
３図 ２　・・円商状大ヤアスタン ５　・・ゑ光導 ７　・＆為、Ｘ気 ８　　虎棒場 ９　７−−ｉン礫域 １２　・・　遭蔽飄 第４図 １　°Ａ＋３フィルム　　　　　　２・・Ｋ目句枚Ｎｖ
ブスクン３・・ろ夫拾ローＡ／４°゛°Ｊｅ：収ローレ
５　　チ、発λ　　　　　　　　　６・　逮蔽ル（７・
・　金焉瓜梃 第６図 第７図 １０　・・フリーローラ １１シ象

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）円筒状キャプスタンの周辺に沿って走行させる高
   分子フィルム面に、電子ビーム蒸発源を用いて金属薄膜
   からなる磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法にお
   いて、上記円筒状キャプスタンと電子ビーム蒸発源との
   間に、円筒状キャプスタンに最近接する部分よりも離間
   する部分において狭くなされた開口を有する、上記蒸発
   源からの金属蒸気の一部を遮蔽する遮蔽板を配置し、か
   つ、上記磁性層と円筒状キャプスタンの周辺との間に電
   位差を付与して製造することを特徴とする磁気記録媒体
   の製造方法。
2. （２）遮蔽板の高分子フィルムの走行方向の開口幅を、
   高分子フィルムの走行方向の長さ部分全体について、円
   筒状キャプスタンに最近接する部分よりも離間する部分
   で狭くしたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
   記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. （３）遮蔽板の高分子フィルムの走行方向の開口幅を、
   高分子フィルムの走行方向の長さ部分の一部について、
   円筒状キャプスタンに最近接する部分よりも離間する部
   分で狭くしたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）
   項記載の磁気記録媒体の製造方法。