JP2009209381A - 成膜装置、ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺の基板を搬送する第1の搬送手段と、チャンバと、チャンバ内を所定の真空度にする真空排気部と、基板の搬送方向と直交する方向に回転軸を有し、かつ基板の幅方向における基板の長さよりも長く、第1の搬送手段により搬送された基板が表面に巻き掛けられる回転可能なドラムと、ドラムに巻き掛けられた基板を搬送する第2の搬送手段と、ドラムに巻き掛けられた基板の表面に気相成膜法により、成膜物質を堆積させて膜を形成する成膜部と、ドラムに対向して設けられたマスクとを有する。マスクは、ドラムで基板が巻き掛けられていない第1の領域と、ドラムに巻き掛けられた基板のうち、ドラムの回転方向の最下流側の第2の領域とを遮るものである。
【選択図】図1
Description
この成膜装置では、ドラムの所定領域に基板を巻き掛けてドラムを回転することにより、基板を所定の成膜位置に位置して長手方向に搬送しつつ、ドラムと電極との間に高周波電圧を印加して電界を形成し、かつ、ドラムと電極との間に、成膜のための原料ガス、さらにはアルゴンガスなどを導入して、基板の表面にプラズマCVDによる成膜を行う。
このため、成膜装置を所定の時間稼動させた後に、このドラムに付着した反応生成物を取り除いている。ドラムに付着した反応生成物を取り除く場合、成膜装置を一度停止させて、大気開放し、再度所定の真空度にする必要があり、時間がかかる。そこで、ドラムに付着した反応生成物を、効率よく取り除くことができる製造装置が提案されている(特許文献1参照)。
また、特許文献1の薄膜半導体の製造装置においては、サセプターロールを、加熱ロールに着脱可能な構成が記載されており、これにより、反応生成物の除去・清掃作業をさらに容易なものとしている。
さらに、成膜装置において、成膜時には、基板をドラムに巻掛けて長手方向に搬送しつつ、反応生成物を順次堆積させて最終的に所定の厚さの膜としているが、基板の長手方向における電極の端部と対向する基板の領域における膜質と、電極の中心部と対向する基板の領域における膜質とも異なる。このことから、成膜開始時の膜質と成膜終了時の膜質が異なり、厚さ方向における膜質が異なってしまう。このため、厚さ方向において均質な膜が得られない虞がある。
また、本発明において、前記成膜部は、前記ドラムに対向して、所定の隙間を設けて、前記マスクを挟んで配置された成膜電極と、前記成膜電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、膜を形成するための原料ガスを前記隙間に供給する原料ガス供給部とを有することが好ましい。
また、本発明において、前記マスクは、前記第1の領域を遮る平面状の第1の部分と、前記第2の領域を遮る平面状の第2の部分とを有するものであり、前記第1の部分および前記第2の部分は、前記ドラムに対向する面と反対側の面が、粗面化されていることが好ましい。
さらにまた、本発明において、前記マスクは、更に前記第3の領域を遮る平面状の第3の部分を有し、前記第3の部分は、前記ドラムに対向する面と反対側の面が、粗面化されていることが好ましい。
前記ガスバリア膜は、本発明の第1の態様の膜装置を用いて製造されたことを特徴とするガスバリアフィルムを提供するものである。
また、本発明の成膜装置によれば、上述のように、基板に膜を形成している際に、ドラムの表面において基板が巻き掛けられていない領域に、膜となる成膜物質の堆積が抑制されるため、パーティクルの発生を抑制することができ、形成される膜の膜質の低下を抑制することもでき、ひいては、品質の良い製品を製造することができる。
また、本発明のガスバリアフィルムの製造方法によれば、ガスバリア膜を本発明の成膜装置により形成しているため、膜質が良好なガスバリア膜を、高い生産効率で形成することができる。
図1は、本発明の実施形態に係る成膜装置を示す模式図であり、図2(a)は、図1に示す成膜装置の成膜室の模式的側面図であり、(b)は、成膜室におけるドラムとマスクと成膜電極との配置位置を示す模式的斜視図である。なお、図2(a)は、図1に比して、構成を簡略化して図示しており、後述するドラム26、成膜電極42、高周波電源44、仕切部48、マスク50を示し、それ以外の構成については、図示を省略している。
成膜装置10は、長尺の基板Z(ウェブ状の基板Z)に連続で成膜を行う装置であって、基本的に、長尺な基板Zを供給する供給室12と、長尺な基板Zに膜を形成する成膜室(チャンバ)14と、膜が形成された長尺な基板Zを巻き取る巻取り室16と、真空排気部32と、制御部36とを有する。この制御部36により、成膜装置10における各要素の動作が制御される。
また、成膜装置10においては、供給室12と成膜室14とを区画する壁15a、および成膜室14と巻取り室16とを区画する壁15bには、基板Zが通過するスリット状の開口15cが形成されている。
真空排気部32は、供給室12、成膜室14および巻取り室16を排気して所定の真空度に保つものであり、ドライポンプおよびターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有するものである。また、供給室12、成膜室14および巻取り室16には、それぞれ内部の圧力を測定する圧力センサ(図示せず)が設けられている。
なお、真空排気部32による供給室12、成膜室14および巻取り室16の到達真空度には、特に限定はなく、実施する成膜方法等に応じて、十分な真空度を保てればよい。この真空排気部32は、制御部36により制御される。
基板ロール20は、長尺な基板Zを連続的に送り出すものであり、例えば、反時計回りに基板Zが巻回されている。
基板ロール20は、例えば、駆動源としてモータ(図示せず)が接続されている。このモータによって基板ロール20が基板Zを巻き戻す方向rに回転されて、本実施形態では、時計回りに回転されて、基板Zが連続的に送り出される。
本実施形態の成膜装置10においては、ガイドローラ21は、駆動ローラまたは従動ローラでもよい。また、ガイドローラ21は、基板Zの搬送時における張力を調整するテンションローラとして作用するローラであってもよい。
この巻取りロール30は、例えば、駆動源としてモータ(図示せず)が接続されている。このモータにより巻取りロール30が回転されて、成膜済の基板Zが巻き取られる。
巻取りロール30においては、モータによって基板Zを巻き取る方向Rに回転されて、本実施形態では、時計回りに回転されて、成膜済の基板Zを連続的に、例えば、時計回りに巻き取る。
成膜室14は、例えば、ステンレスなど、各種の真空チャンバで利用されている材料を用いて構成されている。
ガイドローラ24と、ガイドローラ28とが、所定の間隔を設けて対向して、平行に配置されており、また、ガイドローラ24、およびガイドローラ28は、基板Zの搬送方向Dに対して、その長手方向を直交させて配置されている。
なお、基板ロール20、ガイドローラ21、ガイドローラ24により、本発明の第1の搬送手段が構成される。
なお、ガイドローラ28、ガイドローラ31、巻取りロール30により、本発明の第2の搬送手段が構成される。
また、ガイドローラ24、ガイドローラ28は、上記構成以外は、供給室12に設けられたガイドローラ21と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
このドラム26は、例えば、円筒状を呈し、軸方向Aに回転軸を有し、回転方向ωに回転可能なものである。かつ図2(a)および(b)に示すように、ドラム26は、軸方向Aにおける長さが基板Zの幅よりも長い。ドラム26においては、基板Zの幅方向における中心と、ドラム26の軸方向Aの中心とを合わせて、基板Zを、その表面(周面)に巻き掛けた場合、その両側の端部26aは、基板Zが掛からない領域(第1の領域)となる。
ドラム26は、その表面(周面)に基板Zが巻き掛けられて、回転することにより、基板Zを所定の成膜位置に保持しつつ、搬送方向Dに基板Zを搬送するものである。
成膜部40は、気相成膜法のうち、例えば、プラズマCVDを用いて膜を形成するものであり、成膜電極42、高周波電源44、原料ガス供給部46、仕切部48およびマスク50を有する。制御部36により、成膜部40の高周波電源44、および原料ガス供給部46が制御される。
また、成膜電極42は、高周波電源44が接続されており、この高周波電源44により、成膜電極42に高周波電圧が印加される。
また、成膜電極42と高周波電源44とは、必要に応じて、インピーダンス整合をとるためのマッチングボックスを介して接続してもよい。
基板Zは、ドラム26に巻き掛けられて、搬送されると、その位置は変わるものの、搬送されている基板Zにおいても、ドラム26の回転方向ωにおける最上流部Zu、または最下流部Zdに位置したときには、基板Zの最上流部Zu、または最下流部Zdという。
本実施形態においては、原料ガスは、例えば、SiO2膜を形成する場合、TEOSガス、および活性種ガスとして酸素ガスが用いられる。
また、原料ガス供給部46においては、原料ガスのみならず、アルゴンガスまたは窒素ガスなどの不活性ガス、および酸素ガス等の活性種ガス等、プラズマCVDで用いられている各種のガスを、原料ガスと共に、隙間Sに供給してもよい。このように、複数種のガスを導入する場合には、各ガスを同じ配管で混合して、成膜電極42の複数の穴を通して隙間Sに供給しても、各ガスを異なる配管から成膜電極42の複数の穴を通して隙間Sに供給してもよい。
さらに、原料ガスまたはその他、不活性ガスおよび活性種ガスの種類または導入量も、形成する膜の種類、または目的とする成膜レート等に応じて、適宜、選択/設定すればよい。
この仕切部48は、例えば、一対の仕切板48aにより構成されており、一対の仕切板48aで、成膜電極42を挟むようにして配置されている。
各仕切板48aは、それぞれドラム26の長さ方向に伸びた板状部材であり、ドラム26側の端部が、成膜電極42とは反対側に折曲している。この仕切部48により、隙間S、すなわち、プラズマ発生空間が、成膜室14内において区画されている。
マスク50は、開口部54をドラム26に対向して配置されており、軸方向Aにその長手方向を一致させている。マスク50においては、平板52の外形は成膜電極42の外形と略相似形であり、その大きさは成膜電極42よりも大きい。開口部の外形54は、成膜電極の外形42と略相似形であり、その大きさは、成膜電極42よりも小さい。
マスク50の平板52の軸方向Aの領域52aは、基板Zの搬送方向Dの上流Du側に配置され、ドラム26に巻き掛けられた基板Zのうち、ドラム26の回転方向ωの最上流部Zuを遮るものである。
マスク50の平板52の軸方向A(幅方向W)の両側の領域52bは、ドラム26の表面において基板Zが巻き掛けられていない領域(ドラム26の端部26a(第1の領域))を遮るものである。
マスク50の平板52の軸方向Aの領域52cは、基板Zの搬送方向Dの下流Dd側に配置され、ドラム26に巻き掛けられた基板Zのうち、ドラム26の回転方向ωの最下流部Zdを遮るものである。
これにより、成膜時には、マスク50により、基板Zは、最上流部Zuおよび最下流部Zdが遮られ、成膜ゾーンαの回転方向ωにおける両端に、膜となる反応生成物(成膜物質)の堆積が抑制される。
また、ドラム26においても、マスク50により、ドラム26の表面において基板Zが巻き掛けられていない領域(ドラム26の端部26a)が遮られる。
さらには、ドラム26の表面において基板Zが巻き掛けられていない領域(ドラム26の端部26a)においても、成膜時に、プラズマにより生成される反応生成物が基板Zの表面Zfに付着することが抑制される。これにより、後述するように、高い生産性で、かつ成膜室14内を汚染させることなく膜質の良い膜を得ることができる。
このマスク50aの構成でも、本実施形態のマスク50と同様の効果が得られ、ドラム26の基板Zが掛けられない領域への反応生成物の付着が抑制されるとともに、厚さ方向に均質な膜を得ることができる。
また、ドラム26には、高周波電圧を印加する他の高周波電源部(図示せず)を設けてもよい。この他の高周波電源部により、ドラム26にはバイアス電圧が印加されるため、イオンボンバードメント効果により、緻密な膜を得ることができる。
成膜装置10は、供給室12から成膜室14を経て巻取り室16に至る所定の経路で、供給室12から巻取り室16まで長尺な基板Zを通して搬送しつつ、成膜室14において、基板Zに膜を形成するものである。
このとき、マスク50の領域52a〜52cで、成膜電極42の外縁(端部43a〜43c)で生成された反応生成物が基板Zの表面Zfに到達することが遮られ、ドラム26の表面26a、ドラム26に巻き掛けられた基板Zの最上流部Zuと、最下流部(第2の領域)Zdとにおいて、反応生成物の堆積が抑制される。
一方、マスク50の開口部54を通り、成膜電極42の中央部で生成された反応生成物が、基板Zの表面Zfに堆積して所定の膜厚の膜が形成される。
このようにして、本実施形態の成膜装置10の成膜方法においては、表面Zfに所定の膜が形成された基板Z、すなわち、機能性フィルムを製造することができる。
このため、ドラム26に形成された反応生成物(成膜物質)を除去するため、成膜室14を大気開放する必要がなく、メンテナンスに要する時間を減らすことができ、成膜装置10を連続して稼働させることができ、成膜装置10の稼働率を高くすることができる。
さらには、ドラム26の表面26aへの反応生成物(成膜物質)の堆積が抑制されるため、パーティクルの発生が抑制されて、膜質の低下も抑制される。
このように、本実施形態の成膜装置10においては、高い稼働率で、長尺な基板Zへの成膜を連続して安定して行うことができ、しかも、パーティクルの発生が抑制されるため、品質が良好な膜を、高い生産性で形成することができる。
また、本実施形態においては、成膜電極42の長さを、基板Zの幅よりも小さくする必要がないため、端部を切断するなどのこともないことから、歩留まりもよく製造することができる。
さらに、成膜する膜は、単層に限定はされず、複数層であってもよい。膜を複数層形成する場合には、各層は、同じものであっても、互いに異なるものであってもよい。
また、機能性フィルムとして、有機ELディスプレイおよび液晶ディスプレイのような表示装置などの各種のデバイスまたは装置の保護フィルムを製造する際には、膜として、酸化ケイ素膜等の無機膜を成膜する。
さらに、機能性フィルムとして、光反射防止フィルム、光反射フィルム、各種のフィルタ等の光学フィルムを製造する際には、膜として、目的とする光学特性を有する膜、または目的とする光学特性を発現する材料からなる膜を成膜する。
12 供給室
14 成膜室
16 巻取り室
20 基板ロール
21,24,28,31 ガイドローラ
30 巻取りロール
32 真空排気部
36 制御部
40 成膜部
42 成膜電極
44 高周波電源
46 原料ガス供給部
50 マスク
52a〜52c 領域
D 搬送方向
Z 基板
Claims (8)
- 所定の搬送経路で、長尺の基板を搬送する第1の搬送手段と、
チャンバと、
前記チャンバ内を所定の真空度にする真空排気部と、
前記チャンバ内に設けられ、前記基板の搬送方向と直交する方向に回転軸を有し、かつ前記基板の搬送方向と直交する幅方向における前記基板の長さよりも長く、前記第1の搬送手段により搬送された基板が表面の所定の領域に巻き掛けられる回転可能なドラムと、
所定の搬送経路で、前記ドラムに巻き掛けられた基板を搬送する第2の搬送手段と、
前記チャンバ内に設けられ、前記ドラムに巻き掛けられた前記基板の表面の所定の範囲に、気相成膜法により、成膜物質を堆積させて膜を形成する成膜部と、
前記ドラムに対向して設けられたマスクとを有し、
前記マスクは、前記ドラムにおいて前記基板が巻き掛けられていない第1の領域と、前記基板において前記成膜部により前記膜が形成される範囲のうち、前記ドラムの回転方向の最下流部の第2の領域とを遮るものであることを特徴とする成膜装置。 - 前記マスクは、更に、前記基板において前記成膜部により前記膜が形成される範囲のうち、前記ドラムの回転方向の最上流部の第3の領域とを遮るものである請求項1に記載の成膜装置。
- 前記成膜部は、前記ドラムに対向して、所定の隙間を設けて、前記マスクを挟んで配置された成膜電極と、前記成膜電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、膜を形成するための原料ガスを前記隙間に供給する原料ガス供給部とを有する請求項1または2に記載の成膜装置。
- 前記マスクは、絶縁物により構成されている請求項1〜3のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記マスクは、前記第1の領域を遮る平面状の第1の部分と、前記第2の領域を遮る平面状の第2の部分とを有するものであり、前記第1の部分および前記第2の部分は、前記ドラムに対向する面と反対側の面が、粗面化されている請求項1〜4のいずれかに記載の成膜装置。
- 前記マスクは、更に前記第3の領域を遮る平面状の第3の部分を有し、前記第3の部分は、前記ドラムに対向する面と反対側の面が、粗面化されている請求項5に記載の成膜装置。
- 基板と、前記基板の表面に形成されたガスバリア膜とを有し、
前記ガスバリア膜は、前記請求項1〜6のいずれか1項に記載の成膜装置を用いて製造されたことを特徴とするガスバリアフィルム。 - 基板の表面に、ガスバリア膜を前記請求項1〜6のいずれか1項に記載の成膜装置を用いて形成することを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。
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