JP5009845B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
この成膜装置では、ドラムの所定領域に基板を巻き掛けてドラムを回転することにより、基板を所定の成膜位置に位置して長手方向に搬送しつつ、ドラムと電極との間に高周波電圧を印加して電界を形成し、かつ、ドラムと電極との間に、成膜のための原料ガス、さらにはアルゴンガスなどを導入して、基板の表面にプラズマCVDによる成膜を行う。このような成膜装置が従来から提案されている(特許文献1参照)。
反応室には、内部のガスを排出するガス排出部が、4個設けられており(特許文献1の図1参照)、各ガス排出部には、例えば、メカニカル・ブースター・ポンプやロータリーポンプ等の真空ポンプが設けられている。
また、アノード電極は湾曲した第1放電面を有する一方、カソード電極は第1放電面に沿って湾曲した第2放電面を有する。カソード電極には、アノード電極の直径方向に移動させる電極間距離調節機構が設けられており、さらには、アノード電極とカソード電極との距離に基づいて、第2放電面の曲率を微小調整する曲率調整機構が設けられている。
このことから、本発明の成膜装置により形成された膜を有する機能性フィルムにおいては、膜が、特に基板の幅方向における膜厚均一性が優れ膜厚が均一なため、機能性フィルムが、例えば、ガスバリアフィルムであれば、ガスバリア性能が良いものとなる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る成膜装置を示す模式図である。図2は、図1に示す成膜装置の成膜室における成膜電極の構成を示す模式的側面図である。
図3(a)は、図1に示す成膜装置の成膜室におけるドラム、成膜電極および覆板の配置位置を示す模式的斜視図であり、(b)は、図1に示す成膜装置の成膜室におけるドラム、成膜電極および覆板の配置位置を示す模式的側断面図である。
成膜装置10は、長尺の基板Z(ウェブ状の基板Z)に連続で成膜を行う装置であって、基本的に、長尺な基板Zを供給する供給室12と、長尺な基板Zに膜を形成する成膜室(チャンバ)14と、膜が形成された長尺な基板Zを巻き取る巻取り室16と、真空排気部32と、制御部36とを有する。この制御部36により、成膜装置10における各要素の動作が制御される。
また、成膜装置10においては、供給室12と成膜室14とを区画する壁15a、および成膜室14と巻取り室16とを区画する壁15bには、基板Zが通過するスリット状の開口15cが形成されている。
真空排気部32は、供給室12、成膜室14および巻取り室16を排気して所定の真空度に保つものであり、ドライポンプおよびターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有するものである。また、供給室12、成膜室14および巻取り室16には、それぞれ内部の圧力を測定する圧力センサ(図示せず)が設けられている。
なお、真空排気部32による供給室12、成膜室14および巻取り室16の到達真空度には、特に限定はなく、実施する成膜方法等に応じて、十分な真空度を保てればよい。この真空排気部32は、制御部36により制御される。
基板ロール20は、長尺な基板Zを連続的に送り出すものであり、例えば、反時計回りに基板Zが巻回されている。
基板ロール20は、例えば、駆動源としてモータ(図示せず)が接続されている。このモータによって基板ロール20が基板Zを巻き戻す方向rに回転されて、本実施形態では、時計回りに回転されて、基板Zが連続的に送り出される。
本実施形態の成膜装置10においては、ガイドローラ21は、駆動ローラまたは従動ローラでもよい。また、ガイドローラ21は、基板Zの搬送時における張力を調整するテンションローラとして作用するローラであってもよい。
この巻取りロール30は、例えば、駆動源としてモータ(図示せず)が接続されている。このモータにより巻取りロール30が回転されて、成膜済の基板Zが巻き取られる。
巻取りロール30においては、モータによって基板Zを巻き取る方向Rに回転されて、本実施形態では、時計回りに回転されて、成膜済の基板Zを連続的に、例えば、時計回りに巻き取る。
成膜室14は、例えば、ステンレスなど、各種の真空チャンバで利用されている材料を用いて構成されている。
ガイドローラ24と、ガイドローラ28とが、所定の間隔を設けて対向して、平行に配置されており、また、ガイドローラ24、およびガイドローラ28は、基板Zの搬送方向Dに対して、その長手方向を直交させて配置されている。
なお、基板ロール20、ガイドローラ21、ガイドローラ24により、本発明の第1の搬送手段が構成される。
なお、ガイドローラ28、ガイドローラ31、巻取りロール30により、本発明の第2の搬送手段が構成される。
また、ガイドローラ24、ガイドローラ28は、上記構成以外は、供給室12に設けられたガイドローラ21と同様の構成であるため、その詳細な説明は省略する。
このドラム26は、例えば、円筒状を呈し、回転軸L(図3(a)参照)を有している。ドラム26は、回転軸Lと直交する面が端面26aであり、回転軸Lが延びる軸方向A(回転軸方向)において対向している(図3(a)参照)。このドラム26は、回転軸Lに対して回転方向ωに回転可能なものであり、かつドラム26は、軸方向Aにおける長さが基板Zの幅よりも長い。ドラム26は、その表面27(周面)に基板Zが巻き掛けられて、回転することにより、基板Zを所定の成膜位置に保持しつつ、搬送方向Dに基板Zを搬送するものである。
なお、ドラム26の回転方向ωの進行方向側、すなわち、基板Zが搬送される側が、下流Dd側であり、この下流Ddの反対側が上流Duである。
成膜部40は、例えば、容量結合型プラズマCVD法(CCP−CVD法)により膜を形成するものである。この成膜部40は、成膜電極42、高周波電源44および原料ガス供給部46を有する。制御部36により、成膜部40の高周波電源44、および原料ガス供給部46が制御される。
成膜電極42は、図2(a)に示すように、成膜電極板60と、この成膜電極板60を保持する保持部62とを有する。
成膜電極板60は、その長手方向をドラム26の回転軸Lと平行にし、かつ表面60aをドラム26の表面27に向けて、ドラム26の表面27を囲むように回転方向ωに沿うようにして配置されている。
本実施形態においては、例えば、成膜電極板60は、ドラム26の表面27の同心円に一致するように配置されている。成膜電極板60は、いずれの領域においても、その表面60aに垂直で、かつドラム26の回転中心Oを通る線上における成膜電極板60の表面60aとドラム60の表面60aとの距離が所定の設定距離である。
後述するように、原料ガス供給部46から供給された原料ガスGは、配管47、保持部62の空洞、および成膜電極板60の複数の貫通孔を経て、成膜電極板60の表面60aから放出され、隙間Sに原料ガスGが均一に供給される。
このように、ドラム26および成膜電極板60に、それぞれヒータ(図示せず)および成膜電極板60温度測定する温度センサ(図示せず)を設けることにより、ドラム26と成膜電極板60との温度を同じにできる。
本実施形態においては、原料ガスGは、例えば、SiO2膜を形成する場合、TEOSガス、および活性種ガスとして酸素ガスが用いられる。また、窒化珪素膜を形成する場合、SiH4ガス、NH3ガス、およびN2ガス(希釈ガス)が用いられる。本実施形態においては、活性種ガスおよび希釈ガスが含まれていても、単に原料ガスという。
また、原料ガス供給部46においては、原料ガスGのみならず、アルゴンガスまたは窒素ガスなどの不活性ガス、および酸素ガス等の活性種ガス等、CVD法で用いられている各種のガスを、原料ガスと共に、隙間Sに供給してもよい。このように、複数種のガスを導入する場合には、各ガスを同じ配管で混合して、成膜電極42の複数の貫通孔を通して隙間Sに供給しても、各ガスを異なる配管から成膜電極42の複数の貫通孔を通して隙間Sに供給してもよい。
さらに、原料ガスまたはその他、不活性ガスおよび活性種ガスの種類または導入量も、形成する膜の種類、または目的とする成膜レート等に応じて、適宜、選択/設定すればよい。
なお、成膜電極42は、成膜電極板60の表面60aに貫通孔を形成する構成としたが、成膜空間である隙間Sに均一に原料ガスGを供給することができれば、これに限定されるものではない。例えば、成膜電極板60の屈曲部にスリット状の開口部を形成し、このスリット状の開口部から原料ガスGを放出させるようにしてもよい。
図3(a)および(b)に示すように、覆板50は、ドラム26と成膜電極板60とにより構成される隙間Sのうち、ドラム26の軸方向A(ドラム26の長手方向)における両側の端部γを覆うものである。この覆板50は、図3(a)および(b)に示すように、成膜電極60の軸方向Aにおける各端部60dに、それぞれ設けられている。
覆板50は、湾曲した成膜電極板60と同じ曲率で湾曲している平板状の部材からなり、隙間Sの端部γを覆い、かつドラム26の端面26aの一部に重なるものである。この覆板50のドラム26の端面26aに対向する面50aと、ドラム26の端面26aとは所定の距離s1をあけて配置されている。この距離s1は、隙間Sの距離dよりも短い。また、覆板50は、例えば、アルミナなどのセラミックス等の絶縁物により構成されている。本実施形態において、回転方向ωにおける隙間Sの端部α、βは、成膜室14内と連通し開放されている。
すなわち、流体の流れ易さを示す指標であるコンダクタンスにおいても、ドラム26の回転方向ωにおける第1のコンダクタンスの方が、ドラム26の長手方向(基板Zの幅方向W)における第2のコンダクタンスよりも大きい。なお、コンダクタンスは、大きい程流れ易いことを示す。
覆部材52を設ける場合、成膜電極板60を軸方向Aにおける長さを基板Zの幅と略同じにし、基板Zがドラム26に巻き掛けられている領域27aに対向して配置する。
本実施形態の変形例においても、本実施形態と同様の効果を得ることができるとともに、更に、ドラム26において基板Zが巻き掛けられない領域27bに、成膜電極板60が達していないため、反応生成物が堆積することが抑制される。
成膜装置10は、供給室12から成膜室14を経て巻取り室16に至る所定の経路で、供給室12から巻取り室16まで長尺な基板Zを通して搬送しつつ、成膜室14において、基板Zに膜を形成するものである。
このとき、ドラム26と成膜電極42(成膜電極板60)との隙間Sにおいては、隙間Sと成膜室14内の差圧により、図4に示すように、ドラム26の回転方向ωに反応ガスGがドラム26の表面27に沿って優先的に排気され、ドラム26の軸方向Aに原料ガスGが流れることが制限される。これにより、隙間Sの原料ガスGが、基板Zの幅方向Wにおいて均一に排気され、幅方向Wにおいて原料ガスGが均一に供給される。このため、基板Zの幅方向Wにおいて、原料ガスGによる反応生成物が均一に供給されて、反応生成物が基板Zの幅方向Wにおいて均一に基板Zの表面Zfに堆積される。これにより、幅方向Wにおいて膜厚分布が小さく均一な膜が、所定の膜厚で形成される。
図6(a)は、本発明の第2の実施形態に係る成膜装置のドラム、成膜電極板および端部材の配置位置を示す模式的斜視図であり、(b)は、本発明の第2の実施形態に係る成膜装置のドラム、成膜電極板および端部材の配置位置を示す模式的側断面図である。
また、図6(a)および(b)においては、ドラム、成膜電極板および端部材だけを図示し、他の構成についての図示は省略している。図6(a)および(b)において、図示していない他の構成は、第1の実施形態の成膜装置と同様の構成である。
端部材58は、例えば、アルミナなどのセラミックス等の絶縁物により構成されている。
これにより、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、成膜時に、原料ガスGが供給された隙間Sと成膜室14内との差圧により、ドラム26の回転方向ωに反応ガスGがドラム26の表面27に沿って優先的に流れ、隙間Sの軸方向Aに原料ガスGが流れることが抑制され、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図7は、本発明の第3の実施形態に係る成膜装置の成膜室を示す模式的側断面図である。
なお、図7は、構成を簡略化して図示しており、ドラム、成膜電極および高周波電源だけを図示し、他の構成についての図示は省略している。図7において、図示していない他の構成については、第1の実施形態の成膜装置と同様の構成である。
また、本実施形態においては、図1〜図4に示す第1の実施形態の成膜装置、および図5に示す第1の実施形態の変形例と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
また、本実施形態においては、部材を設けることなく、隙間Sにおける流体の流れ易さの方向を制御することができ、コストを低減することができる。
さらに、成膜する膜は、単層に限定はされず、複数層であってもよい。膜を複数層形成する場合には、各層は、同じものであっても、互いに異なるものであってもよい。
また、機能性フィルムとして、有機ELディスプレイおよび液晶ディスプレイのような表示装置などの各種のデバイスまたは装置の保護フィルムを製造する際には、膜として、酸化ケイ素膜等の無機膜を成膜する。
さらに、機能性フィルムとして、光反射防止フィルム、光反射フィルム、各種のフィルタ等の光学フィルムを製造する際には、膜として、目的とする光学特性を有する膜、または目的とする光学特性を発現する材料からなる膜を成膜する。
12 供給室
14 成膜室
16 巻取り室
20 基板ロール
21,24,28,31 ガイドローラ
27 表面
29 成膜ゾーン
30 巻取りロール
32 真空排気部
36 制御部
40 成膜部
42 成膜電極
44 高周波電源
46 原料ガス供給部
50 覆板
52 覆部材
54 第1の部材
56 第2の部材
58 端部材
60 成膜電極板
D 搬送方向
Z 基板
ω 回転方向
Claims (1)
- 所定の搬送経路で、長尺の基板を搬送する第1の搬送手段と、
チャンバと、
前記チャンバ内を所定の真空度にする真空排気部と、
前記チャンバ内に設けられ、前記基板の搬送方向と直交する方向に回転軸を有し、かつ前記基板の搬送方向と直交する方向における前記基板の長さよりも長く、前記第1の搬送手段により搬送された基板が、表面の所定の領域に巻き掛けられる回転可能な円筒状のドラムと、
所定の搬送経路で、前記ドラムに巻き掛けられた基板を搬送する第2の搬送手段と、
前記ドラムの表面に対向して所定の距離離間して配置された成膜電極、前記成膜電極に高周波電圧を印加する高周波電源部、および前記膜を形成するための原料ガスを前記ドラムと前記成膜電極との隙間に供給する原料ガス供給部を備える成膜部とを有し、
前記成膜電極は、シャワー電極であり、
前記ドラムと前記成膜電極との隙間は、前記ドラムの前記回転方向における第1のコンダクタンスの方が前記ドラムの前記回転軸方向における第2のコンダクタンスよりも大きく、膜形成時に前記原料ガスが供給された場合、前記ドラムの回転方向の方が前記ドラムの前記回転軸方向よりも、前記原料ガスが流れ易く、
前記ドラムと前記成膜電極との隙間のうち、前記ドラムの回転軸方向におけるそれぞれの端部には、各端部を覆う第1のカバー部材が設けられており、
前記第1のカバー部材は、前記ドラムの表面において前記基板が巻き掛けられていない領域に対向し、かつ前記成膜電極の前記ドラムの回転軸方向における端部から一体的に設けられた第1の部材と、前記第1の部材に接続され、前記ドラムの回転軸方向における端部を覆う第2の部材とからなることを特徴とする成膜装置。
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