KR920005439B1 - 박막 제조방법 - Google Patents
박막 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920005439B1 KR920005439B1 KR1019900003576A KR900003576A KR920005439B1 KR 920005439 B1 KR920005439 B1 KR 920005439B1 KR 1019900003576 A KR1019900003576 A KR 1019900003576A KR 900003576 A KR900003576 A KR 900003576A KR 920005439 B1 KR920005439 B1 KR 920005439B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polymer film
- thin film
- film
- cylindrical
- ions
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 139
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 108
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 12
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 12
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 claims 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/16—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0866—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using particle radiation
- B29C2035/0872—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using particle radiation using ion-radiation, e.g. alpha-rays
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
- B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
- B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
- B29C35/0866—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using particle radiation
- B29C2035/0877—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using particle radiation using electron radiation, e.g. beta-rays
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명의 한가지 실시예에 의한 박막 제조방법을 수행하기 위한 진공 증착 장치의 개략도.
제2도 내지 제 4도는 본 발명의 기타 실시예에 의한 방법을 수행하기 위한 수정된 진공 증착 장치의 개략도.
제5도는 종래의 진공 증착 장치의 개략도.
제6도는 이온총의 구조를 도시한 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 고분자 필름 2 : 원통캔
3 : 공급 로울 4 : 권취 로울
5 : 증발원 6 : 차폐판
7 : 전자 비임 8 : 전자총
11 : 글로우 방전 전극 12, 15, 22 : 이온총
13, 16 : 이온 및 전자 14 : 전원
17 : 간막이벽 18 : 그리드
19 : 이온 20 : 중화 장치
21 : 전자 22 : 제2이온총
23 : 이온 S : 개구부
본 발명은 진공 석출법, 즉 진공 증착법에 의해 중합체 필름, 즉 고분자 필름 위에 박막(thin film)을 연속으로 형성 또는 증착시키는 박막 제조방법에 관한 것이다.
종래, 고분자 필름 위에 금속 박막을 높은 생산성으로 형성하는 방법으로서 진공 증착 방법이 있다. 제5도에 일반적으로 박막 제조에 사용되는 진공 증착 장치의 내부 구조의 한가지 예가 개략적으로 도시되어 있다. 고분자 필름(1)은 원통캔(2) 주위를 따라 화살표 A의 방향으로 표시된 원통캔(2)의 외주 주변 표면위에서 원주 방향으로 이동한다. 이 고분자 필름(1) 위에 증발원(evaporation source)(5)에 의하여 박막이 증착된다. 참조번호(3) 및 (4)는 각각 고분자 필름(1)의 공급 로울 및 권취 로울을 표시한다. 참조번호(9) 및 (10)은 각각 자유 로울러(free roller)를 표시한다. 증발원(5)으로서는 저항가열 증발원, 유도가열 증발원, 전자비임 증발원 등을 이용한다. 진공 증발원으로부터 증발하는 증기가 불필요한 부분에 부착하지 않도록 증발원(5)과 원통캔(2) 사이에 차폐판(6)을 배치한다. 차폐판(6)에는 S로 나타내어지도록 개구부(開口部)를 가지고 있고, 이 개구부를 통과한 증기가 고분자 필름(1)위에 부착한다. 진공 증착 방법으로 높은 증착 속도로 박막을 제조할 때는, 증발원으로부터의 복사열 및 증발된 원자와 응축열로 인해 고분자 필름은 쉽사리 열분해 및 열변형을 일으키게 된다.
따라서, 높은 증착 속도로 박막을 형성하는 동안 그러한 열적 손상을 막기 위해서는 고분자 필름(1)을 원통캔(2)의 외부 주변 표면에 긴밀히 접하도록 배치해서 고분자 필름(1)이 받은 열을 효율적으로 원통캔(2)의 본체에 이동시킬 필요가 있다. 고분자 필름(1)을 원통캔(2)의 외부 주변에 접촉시키는 하나의 방법은 원통캔(2)의 외부 주변을 따라 접촉되어 있는 상태에서 고분자 필름(1)에 전자총(8)으로부터 전자 비임(7)을 조사((照射)하므로써 전자를 고분자 필름(1)속으로 투과시켜 고분자 필름(1)과 원통캔(2)과의 사이에 발생하는 정전인력(靜電引力)을 이용하는 방법이 있다. 일반적인 전자총으로는 넓은 범위에 걸쳐 주사(走査)할 수 있는 피어스형 전자총(pierce-type electron gun)을 이용한다. 고분자 필름(1)은 박막이 형성된 후에도 전기적으로 강하게 대전된 상태에 있다. 고분자 필름(1)이 대전되어 있으면 고분자 필름(1)을 안정한 방법으로 이동시키는데 어려움이 있기 때문에, 통상 고분자 필름(1)으로부터 정전하(靜電荷)를 제거하기 위하여 고분자 필름(1)을 글로우 방전(glow discharge) 처리를 한다. 글로우 방전 처리는 진공실(vacuum chamber)내에 가스를 도입하여 글로우 방전 전극(11)을 사용하여 실시한다.
제5도에 나와 있는 진공 증착 장치를 사용하는 종래의 방법에 따라 박막을 만들때, 원통캔이 고온일 경우 및 탈가스 처리된 고분자 필름을 사용할 경우에는 전자를 고분자 필름에 조사하는 공정에서 고분자 필름에 주름살이 일어나기 쉽다는 문제가 있었고, 또한 제조된 피막과 고분자 필름 사이의 부착력이 불충분하다는 문제가 있었다. 더욱이, 고분자 필름 위에 직접 박막을 제조할때, 어떤 경우에 있어서는 고분자 필름의 영향으로 인하여 박막의 특성이 만족스럽지 않을 경우가 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 이러한 종래의 기술의 문제점을 해결한 박막을 제조하는 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 한가지 특성에 따라 다음 공정단계로 되어 있는 박막 제조방법을 제공한다.
(a) 원통캔의 주변 표면을 따라 원주 방향으로 고분자 필름을 이동시키고,
(b) 고분자 필름이 원통캔의 주변 표면을 따라 이동하는 동안 이온총(ion gun)으로부터 이온 및 전자를 고분자 필름에 조사(照射)한 다음,
(c) 전자총으로부터 전자를 고분자 필름에 조사한 후,
(d) 진공 증착에 의해 고분자 필름박막을 증착시킨다.
본 발명의 두번째 특징에 따라 고분자 필름이 원통캔의 주변 표면을 따라 원주 방향으로 이동하는 동안 고분자 필름 위에 박막을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 그 단계는 다음과 같다.
(a) 제 1 이온총으로부터 이온 및 전자를 고분자 필름에 조사하고,
(b) 이어서, 제 2 이온총으로부터 이온을 고분자 필름에 조사한 후,
(c) 전자총으로부터 전자를 고분자 필름에 조사한 다음,
(d) 진공 증착법에 의해 고분자 필름 위에 박막을 증착시킨다.
본 발명을 도면에 따라 설명한다.
제1도에 도시된 진공 증착 장치는 글로우 방전 전극(11)이 없다는 점과 이온총(12)이 배치되어 있다는 점을 제외하고는 제5도에 있는 종래의 진공 증착 장치와 거의 유사하다.
이온총(12)으로부터 나오는 이온 및 전자(13)는 원통캔(2)의 외부 주변 표면을 따라 원주 방향으로 이동하는 박막 형성전의 고분자 필름(1)을 향해 방사(放射)된다. 여기서, 이온총(12)은 이온뿐만 아니라 전자도 방사하도록 하는 것이 중요하다. 제 6도는 이온총(12)의 구조를 개략적으로 도시한 것이다. 이온총(12)은 이온 비임 스퍼터링(ion beam sputtering), 이온 밀링(ion milling), 기판(基板)의 전처리 등에 이용되는 것과 유사하다. 이온총(12)의 그리드(18)로부터는 Ar, N2, F2, O2등의 가속된 이온(19)이 발생한다. 그런데, 일반적으로는 아르곤(Ar)이 이용된다. 참조 번호(20)은 중화 장치(neutrlizer)를 표시하고, 전류가 중화 장치(20)를 통해 흐를 때 전자(21)가 발생한다. 제1도의 참조 번호(13)은 이온(19)과 전자(21)의 혼합물을 표시한다. 이온을 조사함으로써 박막과 기판 사이에 부착력을 향상시키는 것은 일반적으로 행해지고 있으나, 기판으로서는 유리판 및 금속판과 같이 두껍고 단단한 것이었다. 본 발명에서 사용되는 기판으로서의 고분자 필름(1)은 그 두께가 얇은 대략 10㎛의 것이다. 이와 같이 두께가 얇은 고분자 필름(1)에 이온만을 조사하면, 조사된 이온에 의하여 고분자 필름(1)은 정전하(靜電荷)로 대전되어, 결과적으로 고분자 필름(1)에 어떠한 주름살도 없게 하면서 고분자 필름(1)을 안정한 방법으로 원통캔(2)의 외부 주변 표면을 따라 이동시킨다는 것은 곤란하게 된다. 고분자 필름에 이온을 조사하지 않더라도 마찰 및 접촉으로 인하여 발생하는 약간의 정전기에 의해서도 주름살이 발생하여 고분자 필름의 이동은 불안정하게 된다.
고분자 필름(1)의 대전은 양(+) 부분도 있고 음(-) 부분도 있으므로 고분자 필름에서의 이들의 분포는 균일하지 않다. 그러나, 이온충(12)에서 이온 및 전자(13)를 고분자 필름(1)에 조사할때 이온조사에 의한 대전은 물론 없고, 더욱이 고분자 필름(1)이 양 또는 음으로 대전될지라도 그러한 전하는 사실상 제거된다. 결과적으로 고분자 필름(1)을 주름살 없이 안정한 형태로 원통캔(2) 주변 표면을 따라 이동시킬 수 있다. 이 방법에 있어서, 고온의 원통캔(2)과 접촉한 고분자 필름(1)이 열적 변형을 일으킬 경우에서도 실질적으로 전하가 고분자 필름에 존재하지 않으므로, 고분자 필름(1)은 원통캔(2)에 대해 쉽게 미끄러진다. 따라서, 고분자 필름(1)은 주름살 없이 안정한 형태로 이동할 수 있다. 또한, 미리 충분히 탈가스 처리(degassing treatment)된 고분자 필름(1)도 마찬가지로 전하가 존재하지 않으므로 쉽게 미끄러진다. 따라서, 고분자 필름(1)은 주름살 없이 안정하게 이동할 수 있다. 탈가스 처리되지 않은 고분자 필름(1)은 진공 증착 장치내에서 함유 가스(거의 물)를 방출하면서 이동하므로, 방출된 가스는 고분자 필름(1) 및 원통캔(2)의 외부 주변 표면과의 사이에서 층을 형성한다. 따라서, 고분자 필름(1)은 원통캔(2)의 외부 주변 표면을 따라 상대적으로 쉽게 이동할 수 있다. 그러나, 진공 증착중에 고분자 필름으로부터 가스가 방출되면, 고분자 필름(1) 위에 증착된 박막의 특성이 저하되는 문제가 있었다. 한편, 미리 탈가스 처리된 고분자 필름(1)의 경우에는 고분자 필름(1)과 원통캔(2)과의 사이에 아무것도 존재하지 않고, 게다가 고분자 필름(1)은 물을 거의 함유하지 않으므로 전기적으로 대전되기 쉽다. 이 경우에 있어서도 고분자 필름(1)을 주름살없이 안정한 방법으로 이동시키기가 곤란하였다.
제2도는 고분자 필름(1)의 표면 개질(改質)을 적극적으로 실시함을 목적으로 한 본 발명의 한갖 실시예에 사용된 수정된 진공 증착 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 것이다. 제2도의 장치는 제1이온총(12) 외에도 제2이온총(22)이 배치되어 있는 것을 제외하면 제1도의 진공 증착 장치와 유사하다. 제2이온총(22)은 고분자 필름(1)의 표면 개질을 목적으로 하는 것으로서 제1이온총과는 그 사용방법이 다르다. 즉, 제 2이온총(22)은 중화장치를 구비하지 않기 때문에 단지 이온만을 조사한다. 더욱이, 제 2이온총(22)은 제1이온총에 비하여 이온의 가속전압을 높게 하여 사용한다. 이러한 구조 때문에 고분자 필름(1) 위의 정전하는 제1이온총에서 방사된 이온과 전자에 의해 제거되므로, 주름살 없이 고분자 필름(1)은 원통캔(2)의 외부 주변과 계속 접촉하여 있게 된다. 그 다음에는, 고분자 필름(1)은 제 2이온총(22)에서 방사된 고에너지의 이온(23)에 의해 대전되어 고분자 필름(1)은 원통캔(2)의 외부 주변과 긴밀히 접촉하게 됨과 동시에, 고분자 필름(1)의 표면이 개질되므로 박막의 특성 및 부착력이 향상된다. 이 경우에 있어서, 제2이온총(22)을 사용하지 않고 단지 제1이온총(12)만으로 고분자 필름(1)의 표면을 충분히 개질할 수는 없다. 그 이유는 다음과 같이 설명할 수 있다. 우선, 제 2이온총(22)은 원통캔(2)과 접촉하도록 고분자 필름(1)을 정전기적으로 대전시켜 원통캔(2)에 접하도록 한다. 그러나, 제1이온총(12)은 고분자 필름(1) 위의 정전하를 제거하므로 고분자 필름(1)은 원통캔(2)에 붙지 않는다. 만일, 제1이온총(12)에서 방사된 이온의 에너지를 높여 주면, 이온의 에너지는 원통캔(2)에 전달되지 않으므로 고분자 필름(1)은 열적 손상을 받게 된다.
전자총(8)으로 고분자 필름(1)에 전자를 조사할 때 이들 전자를 가속해야 한다. 소요되는 가속전압은 고분자 필름(1)의 종류와 진공 증착 조건에 따라 약간 변하겠으나 1KV 이상이면 충분하고, 이 전압은 상황에 맞도록 설정하면 좋다. 만일, 낮은 가속전합하에서 전자가 방사된다면, 이들 전자들은 고분자 필름(1) 깊숙히 침투하지 못하고 금속 박막의 부착 등에 의하여 분리된다. 이와 같은 상태에서는 정전인력이 상실되므로 고분자 필름(1)이 받는 열을 원통캔(2)에다 분산시킬 수가 없다. 보통 사용하는 전자총(8)은 피어스형(pierce-type)이다. 피어스형 전자총(8)은 주사범위가 넓고 폭이 넓은 웨브(web)형상의 고분자 필름(1)에 전자를 조사하기에 적합하다. 더욱이, 이러한 종류의 전자총은 가속전압이 30KV 이상이므로 사용하기에 적당하다. 고분자 필름(1)의 폭이 좁을 경우의 피어스형 전자총을 설치할 수 없는 경우에는 더 작은 크기의 전자총을 사용하여도좋다. 전자를 고분자 필름(1)에 조사하여 원통캔(2)과 접하도록 하는데, 이 방법의 장점은 고분자 필름(1)에 핀홀(pinhole)등의 결합이 있을 경우라도 사용할 수 있다는 것이다. 이 방법의 단점은, 주름살 또는 이물질(異物質)이 존재함으로 인하여 전자를 조사한 후, 고분자 필름(1)과 원통캔(2)과의 사이에 부분적으로 틈이 형성되면, 바로 그 부분은 진공 증착중에 열분해를 일으키는 것이다. 고분자 필름(1)이 열분해 되면, 분해 가스가 발생하므로 고분자 필름(1)과 원통캔(2) 사이의 틈이 상당히 벌어진다. 전자 조사에 의하여 고분자 필름(1)을 원통캔(2)에 계속 접하여 있도록 해야 할 경우에는 고분자 필름에 주름살이 없도록 하는 것이 특히 필요하다.
여기서, 고분자 필름을 원통캔의 외부 주변 표면과 계속 접촉해 있도록 할 수 있는 효과적인 보조수단에 대해 설명한다. 형성될 박막이 도전성(導電性)일 경우에는 박막과 원통캔 사이에 전위차(電位差)를 부여한다. 제 3도와 제 4도에 있는 바와 같이, 자유 로울러(10)와 원통캔(2) 사이에 전원(14)을 접속하고 자유 로울러(10)를 통해 박막과 원통캔(2) 사이에 전위차를 부여한다. 이 전위차에 의하여 정전인력이 발생되고, 박막이 형성된 순간부터 고분자 필름(1)이 원통캔(2)에 접하게 된다. 이 방법의 장점은 이물질 등으로 인하여 일부 고분자 필름(1)이 원통캔(2)의 외부 주변 표면에서 공간을 두어 떨어진 상태가 된 경우라도 고분자 필름(1)의 광범위한 열분해를 피할 수 있다는 것이다. 이 방법의 단점은 만일 고분자 필름(1)에 핀홀 등의 결함이 있으면 이 방법은 효과가 없다는 것이다. 특히 인가(印加) 전압이 높으면 고분자 필름을 원통캔에 계속하여 접촉된 상태로 유지하는데는 효과적이지만 그 손상은 크다. 전자의 조사 및 전위차 부여를 함께 이용하는 것은 인가전압을 낮게 할 수 있기 때문에 극히 유효하다.
진공 증착 후의 고분자 필름(1)은 고분자 필름(1)에 조사되어 속으로 관통한 전자가 잔존하고 있기 때문에 대전된 상태로 있게 된다. 고분자 필름(1)이 정전기적으로 대전되어 있으면, 앞서 나온 바와 같이 고분자 필름(1)의 이동은 불안정하게 되고 주름살도 쉽게 발생한다. 또한, 고분자 필름(1)이 원통캔(2)의 외부 주변 표면으로부터 떨어질때 불꽃 방전(spark discharge)이 발생하여, 이로 인해 고분자 필름(1)이 손상을 입을 가능성도 있다. 이러한 현상은 높은 전기 저항율을 가진 고분자 필름(1)에 박막을 진공 증착할 때 현저하다. 이러한 경우에 있어서, 고분자 필름(1)에서 정전하를 제거해야 한다. 정전하를 제거하는 종래의 방법은 진공 증착 장치내에 가스를 도입하여 글로우 방전 처리를 하는 것이었다. 이 방법에 의해 고분자 필름에서 정전하가 제거될지라도 형성되는 박막에 미치는 도입 가스의 영향을 피할 수는 없었다. 이 문제는 본 발명에 있어서 제 3도와 제 4도에 있는 바와 같이 박막을 형성한 후, 고분자 필름(1)에 이온총(15)으로부터 이온 및 전자(16)를 조사하므로써 해결된다. 고분자 필름(1)에 대한 이온 및 전자(16)의 조사는 박막이 형성되어 있는 면에 대해서도, 그리고 박막이 형성되어 있지 않은 면, 소위 이면(裏面)에 대해서도 유효하다. 고분자 필름(1)이 원통캔(2)의 외부 주변 표면으로부터 분리되는 박리부 부근에서 고분자 필름(1)의 이면에 이온 및 전자(16)를 조사하는 것이 보다 유효하다. 여기서 조사되는 이온 및 전자(16)가 개구부(S)를 통해 다량으로 박막 형성부, 즉 박막이 형성되는 필름(1)의 일부에 도달한다는 것은 바람직하지 않다. 그 이유는 박막 형성부에 있어서 필요로 하게 되는 정전인력이 상실되어 안정한 증착이 곤란하게 되기 때문이다. 따라서, 박막 형성부에 이온 및 전자가 다량으로 도달하지 않도록 이온총(15)의 방향과 차폐판의 설치에 대하여 고려할 필요가 있다.
제1도에서 제1단계 공정에서 이온총(12)으로부터 이온 및 전자(13)를 고분자 필름(1)에 조사하는 것이지만, 이 조사후의 제2단계 공정인 전자총(8)에 의한 전자 조사 공정과의 간섭을 방지하기 위한 간막이벽을 설치하는 것이 바람직하다. 특히 장치의 규모로 이하여 두가지 공정을 충분히 멀리하여 실시할 수 없을 경우에는 간막이벽이 필요하다. 즉, 전자총(12)으로부터의 이온 및 전자(13)는 제어되고, 발란스를 취한 상태에 있어야 한다. 만일 기타 다른 전자가 혼입되면 발란스가 깨어져서 제어가 어렵게 된다. 따라서, 제 3도에 있는 바와 같이, 이온총(12)에 의해 이온 및 전자(13)를 조사하는 공정과, 전자총(8)에 의해 전자를 조사하는 공정과의 사이에 다른 전자의 혼입을 억제하는 간막이벽(17)을 설치하는 것이 유효하다. 이것은 제2도에 있어서도 마찬가지이다. 더욱 구체적으로는 이 경우에 있어서, 제1단계 공정에서 제1이온총(12)으로부터 이온 및 전자(13)를 고분자 필름(1)에 조사하고, 제2단계 공정에서 제2이온총(22)으로부터 이온(23)을 고분자 필름(1)에 조사하면, 제3단계 공정에서 전자총(8)으로부터 전자를 고분자 필름에 조사한다. 이들 서로 다른 세가지 공정 단계가 서로간에 간섭을 받지 않도록 간막이벽(17)을 설치하는 것이 바람직하다. 특히 장치의 규모로 인하여 세가지 공정을 충분히 멀리하여 실시할 수 없을 경우에는 간막이벽이 필요하다. 제4도에 있는 바와 같이, 제1이온총(12)에 의해 이온 및 전자(13)를 조사하는 공정단계와 제2이온총(22)에 의해 이온(23)을 조사하는 공정 단계를 수행하는 두 위치 사이에 간막이벽(17)을 설치한다.
다음의 구체적 실시예에 대하여 본 발명을 설명한다.
[실시예 1]
제3도에 있는 진공 증착 장치를 사용하여 Co-Cr으로 된 합금 금속 박막을 형성하였다. 그런데, Co-Cr 박막은 고밀도 자기기록 매체로 이용되기 때문에 주목되고 있는 것이다.
탈가스 처리된 폭 50㎝ 및 두께 7㎛의 폴리이미드(poiyimide) 필름을 고분자 필름(1)으로 사용하였다. 폴리이미드 필름(1)을 공급 로울(3)에서 공급하여 20m/min의 속도로 화살표 방향으로 원통캔(2)의 외부 주변 표면에서 이동시켜 권취 로울(4)에서 권취하였다. 원통캔(2)의 온도는 250℃이었다. 이온총(12)에서 이온 및 전자(13)를 폴리이미드 필름에 조사하였다. 이온 가속 전압은 500V이었고, 이온의 전류밀도는 0.1mA/㎠이었으며, 전자의 전류밀도는 이온밀도와 마찬가지인 0.1mA/㎠이었다. 아르곤(Ar)을 이온화되는 가스로 사용하였다. 아르곤의 도입량은 20cc/min이었다. 가속전압이 30KV인 피어스형 전자총을 원통캔(2)과 폴리이미드 필름을 계속해서 접촉시켜두기 위한 전자총(8)으로 사용하였다. 방출전류는 100mA이었고 방출된 전자 비임을 폴리이미드 필름의 폭방향으로 600Hz로 주사(走査)하였다. 전자 비임 증발원을 증발원(5)으로 사용하였다. 원통캔(2)에 폴리이미드 필름을 계속 접촉시키기 위한 보조수단으로서 Co-Cr 박막과 원통캔(2) 사이에 100V의 직류전압을 전원(14)으로부터 인가하였다.
폴리이미드 필름에서 정전하를 제거하기 위해 이온총(15)에서 이온 및 전자(16)를 폴리이미드 필름 이면에 조사하였다. 이온가속 전압은 0.1mA/㎠이었고, 전자의 전류밀도 및 이온의 전류밀도는 각각 0.1mA/㎠이었다. 이온화되는 가스로서는 아르곤(Ar)을 사용하였다. 아르곤의 도입량은 10cc/min이었다. 이 방법에 있어서, 0.2㎛ 두께의 Co-Cr 박막을 폴리이미드 필름에 형성하였다. 그 결과, 주름살이 없고 폴리이미드 필름에 높은 부착력을 가진 Co-Cr 박막을 길이가 길게 안정한 방법으로 제조할 수 있었다.
[실시예 2]
Co-Cr 합금의 금속 박막을 제4도에 있는 진공 증착 장치를 사용하여 형성하였다.
고분자 필름(1)으로서는 탈가스 처리된 폭 50㎝, 두께 7㎛의 폴리이미드 필름을 사용하였다. 폴리이미드 필름을 공급 로울(3)에서 공급하여 원통캔(2)의 외부 주변 표면에서 화살표 방향으로 100m/min의 속도로 이동시켜 권취 로울(3)에서 권취하였다. 제1이온총(12)에 있어서, 이온 가속전압은 500V이었고, 전자의 전류밀도 및 이온의 전류밀도는 각각 1mA/㎠이었다. 또한 제2이온총(22)에 있어서, 이온 가속전압은 1000V(시료 C의 경우)이었고, 시료 D의 경우에는 1500V이었다. 이온의 전류밀도는 1mA/㎠이었다. 그리고, 비교를 위하여 다음에 나오는 비교 박막 A와 B의 경우에 대해서도 검토하였다. 즉, 비교 박막 B를 증착하는 경우에 있어서, 제1이온총(12)을 박막 C 및 D와 같은 조건하에서 사용하였고, 제2이온총(22)을 사용하지 않았다. 비교박막A를 증착하는 경우에 있어서, 제1 및 제2이온총(12), (22)을 사용하지 않았다. 이들을 제외하면, 비교 박막 A 및 B는 본 발명의 박막 C 및 D의 경우와 동일한 조건하에서 제조하였다. 이온화되는 가스로서 아르곤(Ar)을 사용하였다. 아르곤 가스의 도입량은 80cc/min이었다. 가속전압이 30kV인 피어스형 전자총을, 원통캔(2)과 폴리이미드 필름을 계속해서 접촉시켜두기 위한 전자총(8)으로 사용하였다.
방출전류는 1A이었고, 방출된 전자 비임을 폴리이미드 필름의 폭방향으로 600Hz로 주사하였다. 증발원(5)으로서는 전자 비임 증발원을 사용하였다. 원통캔(2)에 폴리이미드 필름을 계속 접촉시키기 위한 보조수단으로서 Cr-Co 박막과 원통캔(2) 사이에 100V의 직류전압을 전원(14)으로부터 인가하였다. 플리이미드 필름에서 정전하를 제거하기 위해 이온총(15)에서 이온 및 전자(16)를 폴리이미드 필름의 이면에 조사하였다. 이온 가속 전압은 500V이었고, 이온의 전류밀도 및 전자의 전류 밀도는 각각 0.1mA/㎠이었다. 이온화된 가스로서 아르곤(Ar)을 사용하였다. Ar의 도입량을 50cc/min으로 하였다. 이 방법에 있어서 두께가 0.2㎛인 Co-Cr 합금 박막을 폴리이미드 필름 위에 형성하였다. 박막 A에서 D까지의 성질을 진동 시료형 자력계(vibrating sample magnetometer)로 평가하였다.
그 결과는 아래의 표에 나와 있다. 제1 및 제2이온총(12),(22)으로부터 이온을 조사하지 않은 비교 박막 A에 있어서, 비등방성 자계(anisotropic magnetic field) Hk는 약 2.5kOe이었고, 박막의 평면에 수직인 방향의 보자력(保磁力) Hc는 약 600Oe이었다. 한편, 본 발명의 방법에 의하면 제2이온총(22)의 가속전압이 1500V인 박막 D의 경우에 있어서, 비등방성 자계 Hk는 약 5kOe이었고, 보자력 Hc는 약 1100Oe이었다. 따라서 두가지 자기(磁氣) 특성이 크게 향상되고 있다. 그리고 이온 조사가 없을 경우에는 주름살 없는 긴 박막을 제조하기가 매우 어려웠고, 더욱이 형성된 박막의 고분자 필름에 대한 부착력은 만족스럽지 못하였다. 그러나, 본 발명의 방법에 의하면, 주름살 없이 높은 부착력을 가진 Co-Cr박막을 안정된 방법으로 길이가 길게 제조할 수 있었다.
[표]
※ 시료 A와 B는 비교를 위한 박막임
상기 두 실시예에서 Co-Cr 박막을 폴리이미드 필름에 형성한 경우에 대해서만 설명하였으나, 폴리이미드 필름 이외의 적당한 고분자 필름을 사용하여도 좋고, 본 발명의 장점은 Co-Cr 박막 이외의 어떤 적당한 박막에 대해서도 유효하다.
Claims (13)
- (a) 원통캔의 주변 표면을 따라 원주 방향으로 고분자 필름을 이동시키고, (b) 고분자 필름이 원통캔의 주변 표면을 따라 이동하는 동안 이온총으로부터 이온 및 전자를 고분자 필름에 조사한 다음, (c) 전자총으로부터 전자를 고분자 필름에 조사한 후, (d) 진공 증착에 의해 고분자 필름위에 박막을 증착시키는 공정 단계를 특징으로 하는 박막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 박막을 고분자 필름위에 증착되는 박막은 전도성이고, 이 전도성 박막과 원통캔 사이에 전위차를 부여함을 특징으로 하는 박막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 박막을 고분자 필름위에 증착시킨 후, 이온총으로부터 이온 및 전자를 고분자 필름에 조사하는 공정 단계를 포함함을 특징으로 하는 박막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 공정 단계(b) 실시 부분과 공정 단계(c) 실시 부분 사이에 간막이벽을 설치함을 특징으로 하는 박막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 공정 단계(a)에서의 고분자 필름은 탈가스 처리된 고분자 필름이거나 탈가스 처리되지 않은 고분자 필름임을 특징으로 하는 박막 제조방법.
- 고분자 필름을 원통캔의 주변 표면을 따라 원주 방향으로 이동시키면서 고분자 필름위에 박막을 증착하는 방법의 단계로서 (a) 제 1이온총으로부터 이온 및 전자를 고분자 필름에 조사하고, (b) 이어서, 제 2이온총으로부터 이온을 고분자 필름에 게속 조사한 후, (c) 전자총으로부터 전자를 고분자 필름에 조사한 다음, (d) 진공 증착법에 의해 고분자 필름위에 박막을 증착시키는 공정 단계를 특징으로 하는 박막 증착방법.
- 제6항에 있어서, 제2이온총의 이온의 가속전압은 제1이온총의 이온의 전압보다 높은 것을 특징으로 하는 박막 증착방법.
- 제6항에 있어서, 고분자 필름위에 증착되는 박막은 전도성이고, 이 전도성 박막과 원통캔 사이에 전위차를 부여함을 특징으로 하는 박막 증착방법.
- 제6항에 있어서, 박막을 고분자 필름위에 증착시킨 후, 이온총으로부터 이온 및 전자를 고분자 필름에 조사하는 공정 단계를 포함함을 특징으로 하는 박막 증착방법.
- 제6항에 있어서, 공정 단계(a) 실시 부분과 공정 단계(b) 실시 부분 사이에 간막이벽을 설치하는 공정 단계를 포함함을 특징으로 하는 박막 증착방법.
- 제6항에 있어서, 공정 단계(b) 실시 부분과 공정 단계(c) 실시 부분 사이에 간막이벽을 설치하는 공정 단계를 포함함을 특징으로 하는 박막 증착방법.
- 제6항에 있어서, 상기 공정 단계(a) 실시 부분과 상기 공정 단계(b) 실시 부분 사이에 제1간막이벽을 설치하는 공정단계와, 상기 공정 단계(b) 실시 부분과 상기 공정 단계(c) 실시 부분 사이에 제2간막이벽을 설치하는 공정 단계를 포함함을 특징으로 하는 박막 증착방법.
- 제6항에 있어서, 공정단계(a)에서의 고분자 필름은 탈가스 처리된 고분자 필름이거나 탈가스 처리되지 않은 고분자 필름임을 특징으로 하는 박막 증착방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-067062 | 1989-03-17 | ||
| JP1-67062 | 1989-03-17 | ||
| JP1067062A JPH089782B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | 薄膜の製造方法 |
| JP1-156522 | 1989-06-19 | ||
| JP1156522A JP2679260B2 (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900014626A KR900014626A (ko) | 1990-10-24 |
| KR920005439B1 true KR920005439B1 (ko) | 1992-07-04 |
Family
ID=26408264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900003576A KR920005439B1 (ko) | 1989-03-17 | 1990-03-17 | 박막 제조방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5087476A (ko) |
| EP (1) | EP0387904B1 (ko) |
| KR (1) | KR920005439B1 (ko) |
| DE (1) | DE69013948T2 (ko) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5316802A (en) * | 1992-02-20 | 1994-05-31 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of forming copper film on substrate |
| US6294479B1 (en) * | 1992-05-21 | 2001-09-25 | Nissin Electric Co., Ltd | Film forming method and apparatus |
| DE4227873A1 (de) * | 1992-08-22 | 1994-02-24 | Leybold Ag | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Beschichten von nichtleitenden Folien im Vakuum |
| US6083628A (en) | 1994-11-04 | 2000-07-04 | Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. | Hybrid polymer film |
| US6010600A (en) * | 1996-02-22 | 2000-01-04 | The Regents Of The University Of California | Maskless deposition technique for the physical vapor deposition of thin film and multilayer coatings with subnanometer precision and accuracy |
| US5743966A (en) * | 1996-05-31 | 1998-04-28 | The Boc Group, Inc. | Unwinding of plastic film in the presence of a plasma |
| GB2323855B (en) * | 1997-04-01 | 2002-06-05 | Ion Coat Ltd | Method and apparatus for depositing a coating on a conductive substrate |
| US6555182B1 (en) * | 1998-07-03 | 2003-04-29 | Sony Corporation | Surface hardened resins for disk substrates, methods of manufacture thereof and production devices for the manufacture thereof |
| DE19906008A1 (de) * | 1999-02-15 | 2000-08-17 | Binder Kletten Haftverschlus S | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Haftverschlußteilen aus strahlengehärteten Kunststoffen |
| JP4516304B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2010-08-04 | 株式会社アルバック | 巻取式真空蒸着方法及び巻取式真空蒸着装置 |
| JP5059597B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2012-10-24 | 株式会社アルバック | 巻取式真空成膜装置 |
| DE102006028581A1 (de) | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Gottlieb Binder Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenfunktionalisierung von Haftverschlußteilen |
| US7906182B1 (en) | 2008-01-17 | 2011-03-15 | University Of South Florida | Method of thin film electrospray deposition |
| US9689068B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-06-27 | Nanoedit, Llc | Deposition and patterning using emitted electrons |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1297782B (de) * | 1965-01-07 | 1969-06-19 | Akad Wissenschaften Ddr | Vorrichtung zum Beseitigen von elektrostatischen Ladungen bei Nichtleitern |
| DE3172124D1 (en) * | 1980-06-10 | 1985-10-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A method of vacuum depositing a layer on a plastics film substrate |
| JPS5754314A (ja) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Shinkunaihimakukeiseisochi |
| US4495242A (en) * | 1981-04-02 | 1985-01-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US4489124A (en) * | 1981-04-06 | 1984-12-18 | Olympus Optical Co | Process for forming thin film, heat treatment process of thin film sheet, and heat treatment apparatus therefor |
| JPS5864381A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空蒸着装置 |
| JPS5942635A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59113176A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-29 | Ricoh Co Ltd | 真空蒸着方法 |
| JPS60184674A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 連続薄膜形成用真空装置 |
| US4560577A (en) * | 1984-09-14 | 1985-12-24 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Oxidation protection coatings for polymers |
| EP0387619A3 (en) * | 1985-05-31 | 1991-10-09 | Hitachi Maxell Ltd. | Method of and apparatus for making magnetic recording medium |
| DE3641718A1 (de) * | 1986-12-06 | 1988-06-16 | Leybold Ag | Verfahren zum herstellen von wickeln aus im vakuum leitfaehig beschichteten isolierstoff-folien |
| US4886681A (en) * | 1987-01-20 | 1989-12-12 | International Business Machines Corporation | Metal-polymer adhesion by low energy bombardment |
| US4776925A (en) * | 1987-04-30 | 1988-10-11 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method of forming dielectric thin films on silicon by low energy ion beam bombardment |
| JPH01165032A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Canon Inc | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-02 US US07/487,273 patent/US5087476A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-16 EP EP90105033A patent/EP0387904B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-16 DE DE69013948T patent/DE69013948T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-17 KR KR1019900003576A patent/KR920005439B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5087476A (en) | 1992-02-11 |
| EP0387904A2 (en) | 1990-09-19 |
| DE69013948T2 (de) | 1995-06-14 |
| DE69013948D1 (de) | 1994-12-15 |
| KR900014626A (ko) | 1990-10-24 |
| EP0387904A3 (en) | 1991-10-30 |
| EP0387904B1 (en) | 1994-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920005439B1 (ko) | 박막 제조방법 | |
| JP4516304B2 (ja) | 巻取式真空蒸着方法及び巻取式真空蒸着装置 | |
| EP1849888B1 (en) | Vacuum deposition apparatus of the winding type | |
| US4393091A (en) | Method of vacuum depositing a layer on a plastic film substrate | |
| US6919107B2 (en) | Method and device for treating surfaces using a glow discharge plasma | |
| JPH02247383A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| US4399013A (en) | Method of producing a magnetic recording medium | |
| JP2679260B2 (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JP2010163693A (ja) | 巻取式真空蒸着方法 | |
| JPS59124038A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6240373A (ja) | 半連続巻取式真空蒸着装置 | |
| JPH0221052B2 (ko) | ||
| JPH0223527A (ja) | 金属薄膜の製造方法 | |
| JPH0121540B2 (ko) | ||
| KR930001231B1 (ko) | 다중극 자장억류 원리를 이용한 대용량 이온플레이팅 방법 및 그장치 | |
| JP3726423B2 (ja) | 表面改質方法及び表面改質装置 | |
| JP2812517B2 (ja) | イオンプレーティング方法および装置 | |
| JP2003301260A (ja) | 巻き取り式電子ビーム真空蒸着装置 | |
| JPH062117A (ja) | 電子ビーム加熱式蒸着装置および蒸着方法 | |
| JPS60184674A (ja) | 連続薄膜形成用真空装置 | |
| JPS6046181B2 (ja) | 真空蒸着方法 | |
| JPH04346665A (ja) | 電子ビーム加熱式蒸着装置 | |
| JPH07103466B2 (ja) | イオン源装置、および連続蒸着媒体の製造方法 | |
| JPS63169374A (ja) | 金属薄膜の製造方法 | |
| JPH06173003A (ja) | 蒸着装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060626 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |