JPH10130815A

JPH10130815A - 蒸着薄膜形成装置

Info

Publication number: JPH10130815A
Application number: JP28522996A
Authority: JP
Inventors: Takashi Chiba; 隆嗣千葉
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-10-28
Filing date: 1996-10-28
Publication date: 1998-05-19

Abstract

(57)【要約】【課題】コスト高とならず、かつ基板が切れ易くなる
ことがなく、熱負けを抑えて、歩留まりを向上させるこ
とのできる蒸着薄膜形成装置を提供すること。【解決手段】ベース２が蒸着される成膜室３２を区画
している真空槽２０の内部に、一方向に移動するベース
２を巻装し成膜室３２に一部が臨む冷却キャン１２を配
設し、この冷却キャン１２の下方に位置する成膜室３２
に、ルツボ１４に内設され電子線Ｒによって蒸発させら
れる蒸発物質１３を設ける。更に、蒸発物質１３の蒸着
を抑止する遮蔽マスク１５、１６を冷却キャン１２の近
傍に設け、成膜室３２の上流に、すなわち遮蔽マスク１
５の近傍に、表面を被覆しているゴム部１７ｂの弾力に
よりベース２を冷却キャン１２側に押圧し、中空部１８
に冷媒が流れることによりベース２の熱い蒸発物質１３
が蒸着される面を冷却する冷却タッチロール１７を設け
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着により薄膜を
形成する装置に関し、特に磁気テープなどの製造時にお
いて、一方向に移動する基板に、蒸着によって薄膜を形
成する装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】蒸着テープは、蒸着によって金属磁性材
料を基板上に付着、堆積させて磁性層を形成したテープ
である。従って、接着剤などの余分な塗布剤が不要であ
るので、高域特性の改善とテープの薄膜化が期待でき
る。しかしながら、この蒸着テープは、基板すなわち、
ベース上に金属磁性材料でなる蒸発物質が蒸着するとき
にこの蒸発物質の熱がベースに伝達されるため、その一
部が溶ける（場合によってはベースに穴が開き、ベース
が切れる）という現象、所謂、熱負けが生じる。この熱
負けは、蒸着テープの製造において、歩留まりを低下さ
せる原因の一つとなっている。

【０００３】そこで、通常、蒸着が行われる際には、ベ
ースは冷却効果を持つ冷却支持体に当接されている。す
なわち、蒸発物質の熱を受ける面の冷却という点では効
果的ではないが、ベースの蒸着される面とは反対側の面
が冷却された状態で蒸着が行われる。しかしながら、何
らかの原因（例えばベースの表面の凹凸形状など）によ
り、冷却支持体とベースとの間に隙間ができると、熱負
けが発生しやすくなる。そこで、熱負けが発生しないよ
うに、冷却支持体の温度を更に下げたり、ベース張力を
強めて冷却支持体への密着性を上げたりする方法が行わ
れていた。しかしながら、冷却支持体の温度を下げると
いうのは、機械的に限界があり、またコスト高となる。
なおまた、ベース張力を強めると、ベースが切れ易くな
るという問題が生じる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題に
鑑みてなされ、ベースが切れ易くコスト高となるという
問題を生ぜずに、薄膜が蒸着される基板の熱負けの発生
を抑えて、歩留まりを向上させ、そして生産性を向上さ
せることのできる蒸着薄膜形成装置を提供することを課
題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】以上の課題は、非磁性材
料で成り一方向に移動する基板（例えば、実施例の２：
以下、同様）と、該基板（２）に当接して、該基板
（２）を冷却する冷却支持体（１２）と、該冷却支持体
（１２）の下方に位置し、金属磁性材料でなる蒸発物質
（１３）と、該蒸発物質（１３）を蒸発させる蒸発源
（１４、３４、３５）と、前記蒸発物質（１３）の蒸着
を抑止するために前記冷却支持体（１２）の近傍に配設
される遮蔽マスク（１５、１６）と、前記基板（２）、
前記冷却支持体（１２）、前記蒸発物質（１３）、前記
蒸発源（１４、３４、３５）及び前記遮蔽マスク（１
５、１６）を内設している真空槽（２０）とを少なくと
も具備している蒸着薄膜形成装置において、前記基板が
蒸着される位置（３２）のすぐ上流に、前記基板（２）
を前記冷却支持体（１２）側に押圧し、前記基板（２）
の前記蒸発物質（１３）が蒸着される面を冷却する冷却
装置（１７）を設けることを特徴とする蒸着薄膜形成装
置（１０）、によって解決される。

【０００６】すなわち、冷却装置が、基板を冷却支持体
側に押圧するので、基板の張力を強くせずとも、基板の
冷却支持体への密着性が向上する。従って、基板が切れ
易くなるという問題を生ぜずに、基板の蒸着される面と
反対側の面の冷却効果を高くすることができる。また、
冷却装置が、基板が蒸着される位置のすぐ上流に配設さ
れて、基板の蒸発物質が蒸着される面を冷却するので、
すなわち金属磁性材料で成る熱い蒸発物質の熱を受ける
直前に、その熱を受ける側の面を直接、冷却することが
できるので、蒸着される面が低い温度を保ったまま、熱
を受ける。従って、ベースが切れ易くコスト高となると
いう問題を生ぜずに、熱負けの発生を低く抑えることが
でき、歩留まりを向上させることができる。

【０００７】

【発明の実施の形態】真空槽の内部に、非磁性材料で成
り一方向に移動する基板と、この基板に当接して、基板
を冷却する冷却支持体と、冷却支持体の下方に位置し、
金属磁性材料でなる蒸発物質と、蒸発物質を蒸発させる
蒸発源（物質に熱エネルギーを与えて、蒸発させるため
の機構）と、蒸発物質の蒸着を抑止するために冷却支持
体の近傍に配設される遮蔽マスクとを配設し、更に、基
板が蒸着される位置のすぐ上流に、基板を冷却支持体側
に押圧し、基板の蒸発物質が蒸着される面を冷却する冷
却装置を設ける。この冷却装置によって、基板の冷却支
持体への密着度が向上し、蒸着される面と反対側の面か
らの冷却効果を高めることができ、それと同時に、蒸着
される直前で、基板の蒸発物質の熱の伝達を受ける表面
が直接、冷却されるので、蒸着される面は一層、冷却さ
れる。従って、熱負けを抑えることができ、歩留まりを
向上させることができる。なお、この冷却装置の配設す
る位置を、基板が蒸着される位置の近くにすればする
程、電子線により加熱、蒸発された熱い蒸発物質の熱の
伝達を受ける基板の冷却効果は高くなり、効果的に熱負
けを抑制することができる。

【０００８】また、冷却装置が中空のローラであり、ロ
ーラを支持するアームに、ローラの中空部と連通する空
間が形成され、空間を介して中空部に冷媒が流れるよう
にすれば、簡単な構造で、基板の蒸着される面を冷却す
ることができる。また、冷却装置が中空のローラである
ので、すなわち基板と当接する面が回転するので、一方
向に移動する基板と冷却装置との間の摩擦が生じにく
く、基板が摩擦によるダメージをほとんど受けない。ま
た、ローラの基板を圧接する表面が、薄いゴムで被覆さ
れているようにすれば、摩擦の影響を一層、小さくしな
がら、冷却効果を低下させることがない。また、この場
合には、外周を被覆するゴムの弾性力によって、基板が
押圧されるので、すなわち簡単な構成で、基板を冷却支
持体側に押圧させることもできる。なおまた、中空部に
流れる冷媒の温度が低い程、その熱負けの数は小さくな
るが、冷媒の温度をマイナス１０℃以下とすれば、熱負
けを充分に抑制することができる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図１乃至図
３を参照して説明する。

【００１０】図１は、本発明の蒸着薄膜形成装置を示す
が、これは連続巻き取り式の蒸着装置であり、全体とし
て１０で示されている。この蒸着薄膜形成装置１０は真
空槽２０で覆われており、この真空槽２０は、バルブ２
１、３６を介して図示しない真空ポンプに接続されてい
る。真空槽２０の内部は、隔壁２０ａ、２０ｂ、２０ｃ
によって、供給・巻取室３１と、成膜室３２と、電子線
通過室３３とに区画されており、成膜室３２は供給・巻
取室３１と電子線通過室３３とに連通している。

【００１１】供給・巻取室３１には、巻装しているベー
ス２を冷却する冷却キャン１２が設けられている。この
冷却キャン１２は、直径が約０．９ｍ〜１．５ｍ程度の
ローラであり、内部は公知の構造をし、すなわち（図示
しないが）冷媒が流れて、例えば−２０℃に冷却されて
いる。なお、冷却キャン１２に冷却されるベース２は、
供給ローラ２３から引き出された後、ローラ２９を介し
て冷却キャン１２に巻装され、冷却キャン１２に当接し
たまま蒸着室３２を通過し、更にローラ２８を介して巻
取りローラ２２に巻き取られる。

【００１２】冷却キャン１２は、巻装されているベース
２の一部が成膜室３２に臨むように設けられているが、
この冷却キャン１２の左側下方、すなわち成膜室３２に
は、ルツボ１４が配設されている。このルツボ１４に
は、金属磁性材料（例えばコバルト１００％）で成る蒸
発物質１３が内設されており、電子線Ｒが照射されるこ
とによって、すなわち公知の電子線蒸着法により加熱さ
れ、本実施例では１００ｍ／ｍｉｎの蒸着速度で蒸発さ
せられる。なお、この電子線Ｒは、真空槽２０に設けら
れた電子銃３４から発射され、電子線通過室３３に配設
されている磁石３５で曲げられて、蒸発物質１３に照射
される。

【００１３】更に、冷却キャン１２の近傍には、遮蔽マ
スク１５、１６が設けられている。遮蔽マスク１５は、
隔壁２０ｂに一体的に設けられ、供給・巻取室３１と成
膜室３２とを区画している壁の一部であり、後述する冷
却タッチロール１７に蒸発物質１３が蒸着しないように
している。一方、遮蔽マスク１６も真空槽２０に設けら
れた壁であり、冷却キャン１２に巻装されたベース２に
蒸発物質１３が蒸着しないように、すなわちベース２に
蒸着される範囲を定めるために設けられている。遮蔽マ
スク１６は、その傾斜角度ψを変えることで、蒸着の終
わりの入射角度θ₂ を可変とし、本実施例では、その入
射角度θ₂ が４５度となるように固設されている。な
お、このときのベース２に蒸着される初めの入射角度θ
₁ は９０度であるので、ベース２は、入射角度θ₁ の位
置Ｐから入射角度θ₂ の位置Ｐ’までの間で蒸発物質１
３が蒸着される。更に、遮蔽マスク１６と冷却キャン１
２との間には、バルブ２４を介して図示しない０₂ ボン
ベに接続する酸素導入管２７が配設され、その酸素噴出
口２７ａは、ベース２に蒸発物質１３が蒸着される位置
の方向に向いている。

【００１４】供給・巻取室３１の遮蔽マスク１５の近傍
には、すなわち冷却キャン１２に巻装されたベース２が
蒸着される成膜室３２の上流には、冷却タッチロール１
７が配設されている。この冷却タッチロール１７は、両
端部がアーム１９に支持された中空のローラであり、そ
の詳細は図２及び図３に示されている。冷却タッチロー
ル１７は、図２に示すように、中空部１８を有し、外径
φ_S が例えば９８ｍｍで厚みｔ_s が５ｍｍ程度のＳＵＳ
製の本体部１７ａでなり、その外周は厚みｔ_gが１ｍｍ
程度のゴム部１７ｂで被覆されている。従って、本実施
例の冷却タッチロールの外径φは１００ｍｍであり、中
空部１８の外径は８８ｍｍである。

【００１５】また、冷却タッチロール１７の両端を支持
するアーム１９は、Ｌ字形の管形状をしており、その一
端部１９ｂは径が大きくなって、冷却タッチロール１７
の中空部１８に、ベアリング３７及び図示しないシール
リングを介して、挿入されている。また、アーム１９の
空間１９ａは、図３で示すように、中空部１８と連通
し、空間１９ａ及び中空部１８には、例えばフロンなど
の冷媒が真空槽２０の外方から一方向（例えば矢印Ｂで
示す方向）に流れており、圧接するベース２を冷却す
る。

【００１６】更に、図１で示されるように、供給・巻取
室３１内の冷却キャン１２と巻取りローラ２２との途中
には、蛍光灯２５が配設されている。この蛍光灯２５
は、蒸発物質１３が蒸着されたベース２を、ベース２側
から照射するものである。そして、光を照射されてい
る、蒸着されたベース２が目視できるように、真空槽２
０にはガラス窓３０が設けられている。すなわち、矢印
Ｃの方向から、照射された（蒸着後の）ベース２を目視
すると、熱負けした箇所は他の部分より色が薄く見える
ため、熱負けを観測できる。従って、蛍光灯２５は、熱
負けしている箇所を観測するために配設されている。

【００１７】以上、本発明の蒸着薄膜形成装置１０の構
造について説明したが、次にその作用について説明す
る。

【００１８】まず、供給ローラ２３に、例えば幅３０ｃ
ｍ、厚さ５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレー
ト）でなるベース２のロールがセットされた後、ベース
２はローラ２９、冷却キャン１２、ローラ２８に巻装し
て、供給ローラ２３から巻取りローラ２２に張設され
る。そして、冷却タッチロール１７をベース２に圧接さ
せると、冷却タッチロール１７のゴム部１７ｂの弾性力
で、ベース２は冷却キャン１２側に押圧される。この
後、バルブ２１、３６を開いて、図示しない真空ポンプ
で真空槽２０の内部を１×１０^-2Ｐａ以下に真空引きす
る。ただし、成膜室３２は供給・巻取室３１よりもやや
高い真空度にする。そして、冷却タッチロール１７に冷
媒を流し（場合によっては、もっと早くから冷媒を流
す）、酸素導入管２７から、例えば５００ｃｃ／ｍｉｎ
の流量で酸素を供給する。更に、電子銃３４から発射さ
れる電子線Ｒは磁石３５で曲げられて、ルツボ１４に収
容されている金属磁性材料で成る蒸発物質１３に照射
し、蒸発物質１３を加熱して蒸発させる。そして、ベー
ス２を、３ｋｇ／１２０ｍｍの張力を保ったまま、矢印
Ａで示される方向に約５０ｍ／ｍｉｎの速度で移動させ
る。

【００１９】供給ローラ２３から引き出されたベース２
は、ローラ２９を通過した後、冷却キャン１２に至り、
冷却キャン１２に、その蒸着される面と反対側の面が当
接して、冷却される。その後、ベース２は、成膜室３２
のすぐ上流に至り、冷却タッチロール１７と冷却キャン
１２との間で挟圧される。すなわち、冷却タッチロール
１７によって、ベース２は蒸着される面と反対側の面を
冷却する冷却キャン１２側にゴム部１７ｂの弾性力で押
圧され、同時に、蒸着される面も冷却される。その直後
に、ベース２は、冷却キャン１２に当接されながら、ベ
ース２の成膜室３２に至り、入射角度θ₁ （本実施例で
は９０度）から入射角度θ₂ （本実施例では４５度）ま
での角度で斜め蒸着される。これによりベース２には、
蒸発物質１３が１００ｎｍ程度の膜厚で成膜されて磁性
層を有する蒸着磁気テープとなり、ローラ２８を通過し
て巻取りローラ２２に巻き取られる。

【００２０】このとき、本発明の蒸着薄膜形成装置１０
を用いて生成された蒸着磁気テープに発生する熱負けの
数を、ガラス窓３０から１分間観察して熱負けの数をカ
ウントした。すなわち、ベース２の幅は３０ｃｍであ
り、その送り速度は５０ｍ／ｍｉｎであるので、１．５
ｍ² の面積に対しての熱負けの数をカウントした。ま
た、従来のように冷却装置を設けないとき、すなわち冷
却タッチロール１７の中空部１８を流れる冷媒を常温
（ここでは２３℃とする）としたときに発生する熱負け
の数も併せて表１に示す。なお、これらの測定は、それ
ぞれ５回ずつ行った。なおまた、熱負けしている部分の
大きさは、大きくとも２〜３ｍｍ程度である（これ以上
大きい場合には、磁気テープ１が切れる）。

【００２１】

【表１】

【００２２】また、表１から求められた平均値を図４に
示す。この図４から明らかなように、従来、１０個程
度、発生していた熱負けは、冷却タッチロール１７を流
れる冷媒の温度が低くなる程、その発生が抑えられてい
る。すなわち、本発明を用いた蒸着薄膜形成装置１０で
は、確実に、熱負けを抑制できる。また、冷却タッチロ
ール１７の中空部１８を流れる冷媒の温度をマイナス１
０℃以下とすると、熱負けの数は平均で２個程度とな
り、熱負けが充分に抑制される。

【００２３】本発明は、べース２が蒸着される蒸着室３
２のすぐ上流に、ベース２を冷却キャン１２側に押圧
し、ベース２の蒸発物質１３が蒸着される面を冷却する
冷却タッチロール１７を設けたので、熱い蒸発物質１３
が蒸着される直前に、ベース２の蒸着される面を充分に
冷却することができる。従って、熱負けの発生を抑制す
ることができる。また、本実施例では、冷却装置である
冷却タッチロール１７は、中空のローラでなり、このロ
ーラを支持するアームの、中空部１８と連通する空間１
９ａを介して、冷媒が流れるので、簡単な構造で、ベー
ス２を冷却することができる。更に、本実施例では、中
空のローラの外周が薄いゴムで覆われているので、冷却
タッチロール１７とベース２との間の摩擦を少なくでき
るとともに、これにより冷却キャン１２側に基板を押圧
しており、そのためベース２の蒸着される面とは反対側
の面からの冷却効果を高めることができる。

【００２４】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明は、これに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基づいて、種々の変形が可能である。

【００２５】例えば、上記実施例では、蒸着時にベース
２を支持する冷却キャン１７が矢印Ａの方向に回転する
ので、ベース２が蒸着される上流、すなわち遮蔽マスク
１５の近傍に設けたが、矢印Ａで示される方向と反対に
回転するような冷却支持体の場合には、すなわちベース
２が逆方向に移動する場合には、ベース２が蒸着される
位置のすぐ上流、すなわち酸素供給管２７と冷却キャン
１２との間の隙間Ｓを大きくし、この隙間Ｓに冷却装置
を設けるようにすればよい。また、この場合に、酸素供
給管２７は、その酸素噴出口２７ａがベース２に蒸発物
質１３が蒸着される位置（すなわち成膜室３２）の方向
に向けば、例えば遮蔽マスク１５の近傍に設けるように
してもよい。更に、上記実施例では、冷却装置である冷
却タッチロール１７は１つだけしか設けなかったが、複
数設けてもよい。なお、この際には、なるべく蒸着がさ
れる位置に近いところに、すなわち成膜室３２直前に冷
却タッチロール１７を配設させれば、冷却された表面の
温度上昇が少ない状態で、ベース２の蒸着面に蒸発物質
１３が蒸着されることになるので、冷却効果が高くな
る。

【００２６】また、連続巻取り式は、図１に示した方法
以外のものでもよく、例えば図５又は図６に示すような
斜め蒸着を行う蒸着薄膜形成装置４０、５０としてもよ
い。すなわち、図５に示される蒸着薄膜形成装置４０
は、供給ローラ及び巻取りローラとなるローラ４１、４
２を有し、ローラ４１、４２の間に、非磁性材料でなり
矢印Ｄで示される方向に移動する基板２’の上面に当接
して、基板２’を冷却する冷却支持体５２が配設されて
いる。この冷却支持体５２の下方には、ルツボ１４’に
内設された蒸発物質１３’が設けられており、公知の方
法で蒸発させられている。また、冷却支持体５２の近傍
には、蒸発物質１３’の蒸着を抑止するために、すなわ
ち基板２’に蒸着される範囲（大きい入射角度θ’と小
さい入射角度θ”）を定める遮蔽マスク５３、５４が配
設されている。更に、基板２’が蒸着される位置（位置
Ｐ₁ から位置Ｐ₂ までにあるときに蒸着される）のすぐ
上流に、冷却装置１７’が配設されている。このような
蒸着薄膜形成装置４０としても、本発明の効果は得られ
る。なお、基板２’が矢印Ｄで示される方向と反対の方
向（一点鎖線の矢印Ｅで示される方向）に基板２’が移
動する場合には、基板２’に蒸着される位置のすぐ上流
に、すなわち一点鎖線で示されるように冷却装置１７’
を配設すればよい。また、図６に示される蒸着薄膜形成
装置５０では、例えば矢印Ｆで示される方向に移動する
基板を当接した冷却支持体５２’がローラ４１、４２の
間に配設され、その冷却支持体５２’の近傍に遮蔽マス
ク５５、５６、５７が配設されて、更に基板２’が蒸着
される位置（位置Ｐ₃ から位置Ｐ₄ まで、位置Ｐ₅ から
位置Ｐ₆ までに蒸着される）のすぐ上流に、冷却装置１
７”が配設されるようにしてもよい。また、遮蔽マスク
５７と冷却支持体５２’との間Ｓ’に、すなわち位置Ｐ
₅ から位置Ｐ₆ までに行われる蒸着のすぐ上流に、冷却
装置１７”を配設するようにしてもよい。なお、遮蔽マ
スク５３、５４、５５、５６、５７は、基板への蒸着を
抑止する、すなわち蒸着する範囲を定めるだけではな
く、冷却装置１７’、１７”への蒸着も抑止する。ま
た、蒸着は斜め蒸着を対象に説明したが、一方向に移動
する基板に蒸着薄膜を形成するための装置であれば、他
の蒸着装置に冷却装置を設けても、本発明の蒸着薄膜形
成装置は得られる。

【００２７】更に、本実施例の冷却装置である冷却タッ
チロール１７は、両端部をアーム１９に支持された中空
のローラであり、アーム１９の空間１９ａとローラの中
空部１８とを連通させて、ここに冷媒が流れるような構
造とし、またベース２と当接する表面がゴム部１７ｂで
成るようにしたが、基板を冷却支持体側に押圧し、かつ
基板の蒸発物質が蒸着される面を、その面側から冷却す
る構造をもつ冷却装置であれば、例えば、基板と当接す
る面がゴムでなるがローラでない冷却装置であってもよ
い。なおまた、蒸発源側に面している外面に蒸発物質が
蒸着しても問題が生じないような冷却装置であれば、そ
の外面が蒸着物質の蒸着を抑止するための遮蔽マスクと
して働くので、冷却装置側に別個に遮蔽マスクを設けず
ともよい。更に、上記実施例では、冷却タッチロール１
７は、ゴム部１７ｂの弾性力により基板を冷却支持体で
ある冷却キャン１２に押圧したが、他の方法、例えば、
ばねを有した冷却装置として、ばねの弾性力により基板
を押圧するようにしてもよい。

【００２８】また、上記実施例では、基板であるベース
２はＰＥＴでなるが、非磁性材料であれば、他の材質で
もよく、また蒸着させる蒸発物質の金属磁性材料として
コバルトを使用したが、これも他の金属磁性材料を用い
てもよい。なお上記実施例では、電子ビームを用いた方
法で蒸発物質を加熱し蒸発させたが、他の方法、例えば
高周波誘導加熱や抵抗加熱を用いてもよい。

【００２９】

【発明の効果】以上、述べたように、本発明の蒸着薄膜
形成装置は、基板に蒸発物質が蒸着される位置のすぐ上
流で、電子線により加熱、蒸発させられた熱い蒸発物質
の熱の伝達を受ける基板の蒸着面が、その蒸着される面
側から冷却され、それと同時に（基板が冷却支持体側に
押圧されるので）この蒸着される面とは反対側の面から
の冷却効果を高めることができる。従って、基板に蒸発
物質が蒸着される際に発生する熱負けを抑えることがで
きるので、歩留まりが向上し、生産性を向上させること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の蒸着薄膜形成装置の正面図である。

【図２】本発明における要部の拡大部分断面図である。

【図３】本発明における冷却装置の斜視図である。

【図４】本発明における冷却装置に流れる冷媒の温度と
発生した熱負けの数との関係を示す図である。

【図５】本発明の第１変形例を示す図である。

【図６】本発明の第２変形例を示す図である。

【符号の説明】

２……ベース、２’……基板、１０……蒸着薄膜形成装
置、１２……冷却キャン、１３、１３’……蒸発物質、
１４、１４’……ルツボ、１５、１６……遮蔽マスク、
１７……冷却タッチロール、１７ａ……本体部、１７ｂ
……ゴム部、１７’、１７”……冷却装置、１８……中
空部、１９……アーム、１９ａ……空間、２０……真空
槽、３２……成膜室、３４……電子銃、３５……磁石、
５２、５２’……冷却支持体、５３、５４、５５、５
６、５７……遮蔽マスク、Ｒ……電子線。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性材料で成り一方向に移動する基板
と、該基板に当接して、該基板を冷却する冷却支持体と、該冷却支持体の下方に位置し、金属磁性材料で成る蒸発
物質と、該蒸発物質を蒸発させる蒸発源と、前記蒸発物質の蒸着を抑止するために前記冷却支持体の
近傍に配設される遮蔽マスクと、前記基板、前記冷却支持体、前記蒸発物質、前記蒸発源
及び前記遮蔽マスクを内設している真空槽とを少なくと
も具備している蒸着薄膜形成装置において、前記基板が蒸着される位置のすぐ上流に、前記基板を前記冷却支持体側に押圧し、前記基板の前記
蒸発物質が蒸着される面を冷却する冷却装置を設けるこ
とを特徴とする蒸着薄膜形成装置。
【請求項２】前記冷却装置が中空のローラであり、該ローラを支持するアームに、前記ローラの中空部と連
通する空間が形成され、該空間を介して前記中空部に冷媒が流れるようにしたこ
とを特徴とする請求項１に記載の蒸着薄膜形成装置。
【請求項３】前記ローラの前記基板を圧接する表面
が、薄いゴムで被覆されていることを特徴とする請求項
２に記載の蒸着薄膜形成装置。
【請求項４】前記冷媒の温度が、マイナス１０℃以下
であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の
蒸着薄膜形成装置。