KR102444086B1 - 스윙 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 이송 챔버로부터 기판을 수용하기 위한 스윙 모듈, 및 진공 프로세싱 시스템 - Google Patents

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Abstract

종축을 갖는 하나 이상의 증착 소스들에 대해 기판을 이동시키기 위한 스윙 장치가 개시된다. 스윙 장치는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 이송 또는 수평 배향으로부터 프로세싱 영역의 프로세싱 또는 수직 배향으로 기판 배향을 변화시키도록 회전축을 중심으로 일정 각도만큼 기판을 이동시키기 위한, 지지 바디에 커플링된 회전 메커니즘; 및 기판이 프로세싱 배향에 있을 때, 증착 소스의 종축에 대해 기판을 병진시키기 위한, 지지 바디에 커플링된 선형 모션 메커니즘을 포함한다.

Description

스윙 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 이송 챔버로부터 기판을 수용하기 위한 스윙 모듈, 및 진공 프로세싱 시스템
[0001] 본 개시 내용의 실시예들은, 하나 이상의 증착 소스들에 대해 기판을 이동시키기 위한 스윙 장치들 및 모듈들에 관한 것이다. 또한, 본 개시 내용의 실시예들은 기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 진공 프로세싱 시스템들에 관한 것이다.
[0002] 기판 상에 재료를 증착하기 위한 몇몇 방법들이 알려져 있다. 예컨대, 기판들은 증발 프로세스, 물리 기상 증착(PVD) 프로세스, 이를테면 스퍼터링 프로세스, 스프레이 프로세스 등, 또는 화학 기상 증착(CVD) 프로세스를 사용하여 코팅될 수 있다. 프로세스는 코팅될 기판이 위치되는 증착 장치의 프로세싱 챔버에서 수행될 수 있다. 증착 재료가 프로세싱 챔버에 제공된다. 스퍼터 증착 프로세스는 기판 상에 재료 층, 예컨대 절연 재료의 층을 증착하는 데 사용될 수 있다. 이는 타겟으로부터 기판 상으로 재료를 분출하는 것을 수반한다. 기판 상에 증착될 타겟 재료는 타겟의 표면으로부터 타겟 재료의 원자들을 이탈시키기 위해 플라즈마 구역에서 생성된 이온들로 타격된다. 이탈된 원자는 기판 상에 재료 층을 형성할 수 있다. 반응성 스퍼터 증착 프로세스에서, 이탈된 원자들은 플라즈마 구역 내의 가스, 예컨대 질소 또는 산소와 반응하여, 기판 상에 타겟 재료의 산화물, 질화물 또는 산질화물을 형성할 수 있다. 추가로, 에칭, 구조화, 어닐링 등과 같은 다른 프로세스들이 프로세싱 챔버들에서 수행될 수 있다.
[0003] 예컨대, 코팅 프로세스들은, 예컨대 디스플레이 제조 기술에서, 대면적 기판들에 대해 고려될 수 있다. 코팅된 기판들은 여러 애플리케이션들 및 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 애플리케이션들은 절연 패널들, 마이크로 일렉트로닉스, 이를테면 반도체 디바이스들, 박막 트랜지스터(TFT)들을 갖는 기판들, 컬러 필터들 등을 포함할 수 있다.
[0004] 더 복잡하고 더 얇은 코팅들을 갖는 더 큰 기판들을 추구하는 경향은 더 큰 프로세스 모듈들을 초래한다. 직렬로 연결된 수직 프로세스 모듈들은 풋프린트, 리던던시, 및 비용들로 인해 몇 가지 단점들을 가질 수 있다. 대면적 기판들의 코팅을 위해, 유리는 유리 에지 상의 및/또는 후면 상의 코팅을 방지하고 유리 핸들 영역으로부터 프로세스 룸을 밀봉하기 위해 마스크와 정렬될 수 있다. 클램프들은 프로세스 동안 기판의 에지들 상에 기판을 홀딩한다. 이는, 클램프들에 대한 측면 증착, 및 유리 마스크 정렬들(섀도잉 효과)로 인한 균일성 및 입자들에 관한 문제들을 초래할 수 있다. 또한, 타겟 기판 외부의 프로세싱 챔버에 생성된 입자들이 프로세스 모듈들의 컴포넌트들, 예컨대 이동하는 기계적 엘리먼트들 상에 증착되는 것은 상기 엘리먼트들의 성능 및 그에 따라 신뢰성에 부정적으로 영향을 미칠 수 있다.
[0005] 위의 관점에서, 프로세싱 챔버에서 또는 프로세싱 챔버에 근처에서 입자 생성을 감소시킬 뿐만 아니라 증착된 층의 개선된 균일성을 제공할 수 있는 장치들, 모듈들, 방법들 및 시스템들에 대한 필요성이 존재한다.
[0006] 스윙 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 이송 챔버로부터 기판을 수용하기 위한 스윙 모듈, 및 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 추가의 특징들, 세부 사항들, 양상들 및 수정들은 종속 청구항들, 상세한 설명 및 도면들로부터 도출될 수 있다.
[0007] 일 실시예에 따르면, 종축을 갖는 하나 이상의 증착 소스들에 대해 기판을 이동시키기 위한 스윙 장치가 제공된다. 스윙 장치는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 이송 또는 수평 배향으로부터 프로세싱 영역의 프로세싱 또는 수직 배향으로 기판 배향을 변화시키도록 회전축을 중심으로 일정 각도만큼 기판을 이동시키기 위한, 지지 바디에 커플링된 회전 메커니즘; 및 기판이 프로세싱 배향에 있을 때, 증착 소스의 종축에 대해 기판을 병진시키기 위한, 지지 바디에 커플링된 선형 모션 메커니즘을 포함한다.
[0008] 다른 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 지지 바디 상에 기판을 홀딩하는 단계; 종축을 갖는, 기판을 프로세싱하기 위한 증착 소스에 대해 기판을 이동시키는 단계 ― 기판의 이동은, 지지 바디에 커플링된 회전 메커니즘에 의해, 이송 또는 수평 배향으로부터 프로세싱 또는 수직 배향으로 기판 배향을 변화시키도록 회전축을 중심으로 일정 각도만큼 수행됨 ―; 증착 소스로 기판의 표면을 프로세싱하는 단계; 및 기판이 지지 바디에 커플링된 선형 모션 메커니즘에 의해 프로세싱 배향에 있을 때, 증착 소스의 종축에 대해 기판을 병진시키는 단계를 포함한다.
[0009] 다른 실시예에 따르면, 진공 프로세싱 시스템의 이송 챔버로부터 기판을 수용하기 위한 그리고 진공 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역에 상기 기판을 포지셔닝하기 위한 스윙 모듈이 제공된다. 스윙 모듈은, 진공 챔버; 진공 챔버 내에 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 이송 또는 수평 배향으로부터 프로세싱 또는 수직 배향으로 기판 배향을 변화시키도록 회전축을 중심으로 일정 각도만큼 기판을 이동시키기 위한, 지지 바디에 커플링된 회전 메커니즘; 및 기판이 프로세싱 배향에 있을 때, 증착 소스의 종축에 대해 측방향으로 기판을 병진시키기 위한, 지지 바디에 커플링된 선형 모션 메커니즘을 포함한다.
[0010] 다른 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 시스템은, 기판을 프로세싱하기 위한, 종축을 갖는 증착 소스를 포함하는 적어도 프로세싱 챔버; 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역에 기판을 포지셔닝하기 위한, 프로세싱 챔버에 동작 가능하게 커플링된 적어도 스윙 모듈; 및 기판을 스윙 모듈로 이동시키기 위한, 스윙 모듈에 동작 가능하게 커플링된 이송 챔버를 포함한다. 스윙 모듈은, 진공 챔버; 진공 챔버 내에 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 이송 또는 수평 배향으로부터 프로세싱 또는 수직 배향으로 기판 배향을 변화시키도록 회전축을 중심으로 일정 각도만큼 기판을 이동시키기 위한, 지지 바디에 커플링된 회전 메커니즘; 및 기판이 프로세싱 배향에 있을 때, 증착 소스의 종축에 대해 측방향으로 기판을 병진시키기 위한, 지지 바디에 커플링된 선형 모션 메커니즘을 포함한다.
[0011] 본 개시 내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시 내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시 내용의 실시예들에 관한 것이고, 이하에서 설명된다 :
도 1은 증착 소스에 대해 기판을 이동시키기 위한 스윙 장치의 개략도를 도시한다.
도 2a는 도 1의 스윙 장치의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 2b는 도 1의 스윙 장치의 개략적인 배면도를 도시한다.
도 2c는 스윙 장치의 개략적인 분해도를 도시한다.
도 3은 스윙 장치를 포함하는 스윙 모듈의 개략도를 도시한다.
도 4는 진공 프로세싱 시스템의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 5는 진공 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 6은 기판을 프로세싱하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0012] 이제 본 개시 내용의 다양한 실시예들이 상세하게 참조될 것이며, 이 실시예들 중 하나 이상의 예가 도면에 예시되어 있다. 이하의 도면들의 설명에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 개별적인 실시예들에 대한 차이점들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시 내용의 설명으로 제공되며, 본 개시 내용의 제한으로서 의도되지 않는다. 게다가, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 설명된 특징들은 또 다른 실시예를 산출하기 위해 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0013] 달리 특정되지 않는 한, 일 실시예에서의 부분 또는 양상의 설명은 다른 실시예에서의 대응하는 부분 또는 양상에도 적용된다.
[0014] 본원에서 설명되는 실시예들은 대면적 코팅 기판들을 검사하기 위해, 예컨대 제조된 디스플레이들을 위해 활용될 수 있다. 본원에서 설명되는 장치들 및 방법들이 구성되는 기판 수용 영역들 및 기판들은, 예컨대 1 m2 이상의 사이즈를 갖는 대면적 기판들일 수 있다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는 약 0.67 m2 기판들(0.73 m × 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m × 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m × 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m × 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 약 8.7 m2 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 영역들이 유사하게 구현될 수 있다. 예컨대, OLED 디스플레이 제조의 경우, GEN 6을 포함하여, 위에서 언급된 기판 세대들의 절반 사이즈들은 재료를 증발시키기 위한 장치의 증발에 의해 코팅될 수 있다. 절반 사이즈들의 기판 생성은 전체 기판 사이즈 상에서 실행되는 일부 프로세스들 및 이전에 프로세싱된 기판의 절반 상에서 실행되는 후속 프로세스들로부터 초래될 수 있다.
[0015] 본원에서 사용되는 바와 같은 "기판"이라는 용어는 특히, 실질적으로 비가요성 기판들, 예컨대 웨이퍼, 사파이어 등과 같은 투명 결정의 슬라이스들, 또는 유리 플레이트를 포괄할 수 있다. 그러나, 본 개시 내용은 이에 제한되지 않으며, "기판"이라는 용어는 웹 또는 포일과 같은 가요성 기판들을 포괄할 수 있다. 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은 유리, 이를테면 소다-석회 유리 또는 붕규산 유리, 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료, 운모 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판의 주 표면에 수직인 방향으로의 기판의 두께는 0.1 mm 내지 1.8 mm의 범위 내, 이를테면 0.7 mm, 0.5 mm, 또는 0.3 mm일 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판의 두께는 50 ㎛ 이상일 수 있다. 기판의 두께는 900 ㎛ 이하일 수 있다.
[0016] 도 1은 본 개시 내용의 실시예에 따른 스윙 장치(10)의 개략적인 측면도를 도시한다. 스윙 장치(10)는 증착 소스(30)에 대해 기판(20)을 이동시키는 데 사용된다. 증착 소스(30)는 종축(31)을 가지며, 기판(20)을 프로세싱하도록, 특히 기판(20)의 한 표면, 즉 전면을 프로세싱하도록 의도된다. 일부 실시예들에 따르면, 하나 이상의 수직으로 배향된 스퍼터 소스들이 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본 개시 내용의 일부 실시예들에 따르면, 증착 소스는 라인 소스일 수 있다. 예컨대, 하나 이상의 회전 가능 스퍼터 캐소드들이 제공될 수 있다. 회전 가능 스퍼터 캐소드는 증착될 재료의 타겟과 같은 실린더형 타겟을 가질 수 있다. 2개 이상의 스퍼터 캐소드들이 어레이를 형성할 수 있다. 회전 캐소드들의 어레이는 코팅된 재료 층에 대해 리플(ripple)을 생성할 수 있다.
[0017] 스윙 장치(10)는 기판(20)을 홀딩하기 위한 지지 바디(40)를 포함한다. 예컨대, 증착 소스(30)에 의해 처리되는, 기판(20)의 전면의 반대편인 후면은 지지 바디(40)와 접촉한다. 스윙 장치(10)는, 이송 또는 수평 배향(I)으로부터 프로세싱 영역의 프로세싱 또는 수직 배향(II)으로 회전축(44)을 중심으로 일정 각도(12)만큼 기판(20)을 이동시키기 위한, 지지 바디(40)에 커플링된 회전 메커니즘(42)을 더 포함한다. 또한, 스윙 장치(10)는, 기판(20)이 프로세싱 배향(II)에 있을 때, 증착 소스(30)의 종축(31)에 대해 측방향으로 기판(20)을 병진시키기 위한, 지지 바디(40)에 커플링된 선형 모션 메커니즘(46)을 포함한다(도 2a 및 도 2b에서 더 상세히 설명됨).
[0018] 지지 바디(40)의 이동은 회전 메커니즘(42)에 배열된 조인트(43)를 중심으로 한 회전에 의해 설명될 수 있으며, 조인트(43)는 회전축(44)을 형성한다. 지지 바디(40)의 이동은 또한, 폴딩 업(folding up) 또는 플랩 업(flap up) 이동으로서 이해될 수 있다. 도 1의 파선 윤곽들(10')은 이송 또는 수평 배향(I)으로부터 프로세싱 또는 수직 배향(II)으로 일정 각도(12), 예컨대 약 90도 회전 이동된 지지 바디(40)를 도시한다. "이송 배향"이라는 용어는, 기판(20)이 다른 챔버로 또는 다른 챔버로부터 용이하게 이송될 수 있도록 기판(20)의 전면이 상방으로 지향된 배향을 설명하는 것으로 의도된다. "프로세싱 배향"이라는 용어는, 타겟 재료가 기판(20) 상에 증착될 수 있도록 기판(20)의 전면이 증착 소스(30)를 향한 배향을 설명하는 것으로 의도된다. 도 1의 화살표들(32)은 소스로부터 분출된 재료 또는 이온들의 방향을 도시한다.
[0019] 기판(20)은 일정 각도(12)만큼, 예컨대 축(44)을 중심으로 한 회전에 의해 프로세싱 영역(72) 내로 이동된다. 일정 각도(12)만큼 프로세싱 영역(72) 내로의 기판(20)의 이동은 각도 변위를 포함하는 것으로 설명될 수 있다. 실시예들에서, 일정 각도(12)만큼 기판(20)의 이동은 병진 모션을 포함할 수 있다. 예컨대, 회전축은 기판의 에지에 대해 오프셋되어 기판이 일정 각도만큼 이동하는 동안 병진 이동을 제공할 수 있다. 회전축은 추가적으로 특히 프로세싱 영역(72)을 향해 변위될 수 있다. 일정 각도(12)만큼 기판(20)을 이동시키도록 구성된 지지 바디(40)는 지지 바디(40)에 부착되어 있는 기판 표면의 배향을 변경하기 위해, 축(44)을 중심으로, 예컨대, 조인트(43)를 중심으로 적어도 회전 또는 스윙하도록 구성된 회전 가능 장착형 지지 바디(40)로서 이해될 수 있다.
[0020] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 지지 바디(40)는 기판(20)을 비-수직 배향(I)으로부터 비-수평 배향(II)으로 이동시키도록 구성된다. 비-수직 배향(I)은, 특히 기판(20) 배향을 지칭할 때, 수평 방향 또는 배향으로부터 +/- 20도 이하, 예컨대 +/- 10도 이하의 편차를 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 마찬가지로, 비-수평 배향(II)은 수직 방향 또는 배향으로부터 +/- 20도 이하, 예컨대 +/- 10도 이하의 편차를 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 기판 지지부의 수직 배향(II)으로부터의 편차는, 예컨대 기판 프로세싱 동안, 특히 층 증착 프로세스 동안 더 안정적인 기판 배향을 초래할 수 있다. 게다가, 특히 프로세싱 영역(72)으로 기판(20)을 이동시키기 전에, 기판(20)의 운송 및/또는 정렬을 가능하게 하기 위해, 기판의 수평 배향(I)의 편차를 갖는 것이 유익할 수 있다.
[0021] 도 2a 및 도 2b는 각각 평면도 및 배면도에 따른 도 1의 스윙 장치를 도시한다. 지지 바디(40) 및 그에 따라 기판(20)은 증착 소스(30)에 대해 그리고 구체적으로는 상기 증착 소스(30)의 종축(31)에 대해 측방향으로 병진될 수 있다는 것이 주목된다. 도면들의 이중 화살표들(14)은 지지 바디(40)가 증착 소스(30)의 우측 및 좌측으로 병진할 수 있다는 것을 표시한다. 측방향 병진은, 기판(20)이 프로세싱 배향(II)에 있을 때, 즉, 기판(20)의 전면이 증착 소스(30)를 향할 때 수행된다. 특히, 이동은, 지지 바디(40)에 커플링되고 회전 메커니즘(42) 아래에 위치된 선형 모션 메커니즘(46)의 작동에 의해 가능하게 된다.
[0022] 증착 소스(30)에 대한 기판(20)의 측방향 이동은 증착된 층의 균일성이 개선되게 한다. 예컨대, 증착 소스 어레이의 리플은 증착 소스들, 예컨대 라인 소스들의 축들에 수직인 방향으로 기판을 이동시킴으로써 제거될 수 있다. 이는 마이크로파 광 전도성 붕괴 측정(μPCD) 또는 X-선 방법들과 같은 여러 측정 기법들에 의해 확인될 수 있다. 예컨대, μPCD는 단일 층 균일성 튜닝을 위한 지표일 수 있다.
[0023] 일정 각도(12)만큼 프로세싱 영역(72) 내로의 기판(20)의 이동은 실질적으로 각도 변위로서 설명될 수 있다. 실시예들에서, 일정 각도(12)만큼 기판(20)의 이동은 약간의 병진 모션을 포함할 수 있다. 도 1을 참조하면, 지지 바디(40)는 프로세싱 영역(72)을 향해 회전축을 중심으로 일정 각도(12)만큼 그리고 수평 방향으로 정렬된 병진 이동에 의해 이동될 수 있다. 다시 말해서, 지지 바디(40)는, 이송 배향(I)으로부터 프로세싱 배향(II)으로의 이동 그리고 프로세싱 배향(II)으로부터 이송 배향(I)으로의 이동 동안 증착 소스(30)의 종축(31)에 수직인 수평 선형 방향으로 기판(20)을 이동시키고, 프로세싱 영역(72)을 향하는 기판(20)의 에지와 증착 소스(30)의 종축(31) 사이에 선형 오프셋(48)을 제공하도록 구성된다.
[0024] 도 1 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 회전 메커니즘(42)은 선형 모션 메커니즘(46) 위에 위치된다. 특히, 회전 메커니즘(42)은 선형 모션 메커니즘(46)에 의해 지지된다. 이는, 기계적 회전 및 병진 메커니즘들의 이동 부분들을 스윙 장치(10)의 더 콤팩트하고 제한된 영역에 포지셔닝하는 이점으로 이어진다.
[0025] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 스윙 장치(10)는 프로세싱 영역 내에서 증착 소스(30)에 의해 생성되는 입자들을 감소시키기 위한 보호 유닛(50)을 포함한다. 보호 유닛(50)은 회전 메커니즘(42) 및/또는 선형 모션 메커니즘(46)의 이동 부분들을 보호하는, 즉, 칸막이로 가리는(screening off) 단일 엘리먼트일 수 있거나, 이들 이동 부분들의 상이한 부분을 각각 보호하는 2개 이상의 엘리먼트들의 조합일 수 있다. 이러한 방식으로, 프로세싱 영역(72)에서 또는 프로세싱 영역 근처에서 입자 생성이 감소되거나 또는 프로세싱 영역에서 생성된 입자들의 진입이 감소될 수 있다.
[0026] 예컨대, 보호 유닛(50)은 적어도 벨로우즈 엘리먼트를 포함할 수 있다. 회전 메커니즘(42)은 상기 벨로우즈 엘리먼트 내부에 위치된 적어도 회전 샤프트(47)를 포함할 수 있다. 벨로우즈는 회전 메커니즘(42)의 회전 샤프트(47)를 둘러싸고 덮는 가요성 튜브들 또는 로드 튜브들의 형태일 수 있다.
[0027] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 보호 유닛(50)은 적어도 추가의 또는 제2 벨로우즈 엘리먼트를 포함할 수 있고, 선형 모션 메커니즘(46)은 상기 추가의 또는 제2 벨로우즈 엘리먼트 내부에 위치된 선형 가이드들(49)을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 3에 개략적으로 도시된 선형 가이드들(49)은 증착 소스(30)와 관련하여 측방향으로 기판(20)의 병진 이동들을 제공하는 역할을 한다. 이러한 방식으로, 하나 이상의 벨로우즈는 선형 모션 메커니즘(46)의 선형 가이드들(49)을 둘러싸고 덮는 가요성 튜브들 또는 로드 튜브들의 형태일 수 있다. 벨로우즈는 선형 가이드들(49)에 커플링된 선형 액추에이터들과 같은 선형 모션 메커니즘(46)의 다른 부분들을 커버할 수 있고, 따라서 보호할 수 있다. 회전 메커니즘(42)이 선형 모션 메커니즘(46)에 의해 지지된다는 사실로 인해, 단일 벨로우즈 엘리먼트는 회전 샤프트(47) 및 선형 가이드들(49) 둘 모두를 보호하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 2개의 분리된 벨로우즈들이 회전 메커니즘(42)의 회전 샤프트(47) 및 선형 모션 메커니즘(46)의 선형 가이드들(49)을 보호하는 데 사용될 수 있다.
[0028] 실시예들에 따르면, 지지 바디(40)는 기판(20)을 홀딩하도록 구성된 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 예컨대, 지지 바디(40)는 강성 바디, 이를테면 프레임 또는 플레이트일 수 있다. 특히, 지지 바디(40)는 기판(20)의 표면, 이를테면 기판(20)의 후면을 지지하도록 구성될 수 있다.
[0029] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 지지 바디(40)는 기판(20)을 가열하기 위한 서셉터를 포함한다. 특히, 지지 바디(40)는 기판(20), 즉 기판(20)의 후면과 직접 접촉하는 가열 플레이트를 포함할 수 있다. 가열은 프로세싱 영역(72)에서의 타겟 재료의 증착 프로세스 동안 발생할 수 있다.
[0030] 본 개시 내용에서, 클램핑 엘리먼트들은, 본원에서 설명되는 기판(20)을 부착하기 위한 고정력을 제공하도록 구성된 홀딩 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 특히, 기판(20)은 에지들에 있는 클램프들을 통해 지지 바디(40)에 홀딩될 수 있다.
[0031] 도 2c는 스윙 장치(10)을 묘사하며 분해도로 컴포넌트들을 도시한다. 예컨대, 회전 메커니즘(42)은, 수평으로부터 수직 배향으로 일정 각도만큼 기판(20)(즉, 지지 바디(40))을 이동시키기 위해 적어도 2개의 스플라인 샤프트 연결 엘리먼트들(421) 및 적어도 2개의 회전 모터들(422)을 포함한다. 스윙 장치(10)는 회전 메커니즘(42)의 회전 샤프트(47)의 좌측 및 우측 부분을 대칭적으로 커버하는 2개의 튜브형 벨로우즈(52)를 포함한다. 회전 샤프트(47) 아래에는, 벨로우즈(52)에 의해 부가적으로 커버될 수 있는 선형 가이드들(49)을 갖는 선형 모션 메커니즘(46)이 위치된다. 스윙 장치는 프로세싱 영역(72)에 위치된 수직 프레임(22)을 더 포함할 수 있다. 지지 바디(40)가 회전되고 수직 배향에 홀딩될 때, 기판(20)은 프로세싱 영역(72)에 포지셔닝되고, 증착 프로세싱될 준비가 된다.
[0032] 실시예들에 따르면, 기판(20)이 지지 바디(40) 상에 배열되기 전에, 기판(20)은 지지 바디(40)와 정렬될 수 있다. 정렬은, 예컨대, 운송 프레임에 의해 수행될 수 있으며, 운송 프레임은 수평 배향으로 지지 바디(40) 위에 있는 기판(20)을 운송한다. 정렬 또는 센터링 방식으로 지지 바디(40) 상에 기판(20)을 포지셔닝하기 위해 핀 어레이가 제공될 수 있다. 기판(20)은 또한, 기판(20)이 지지 바디(40) 상에 놓이고 클램프들에 의해 부착되기 전에 간단한 푸셔들에 의해 정렬될 수 있다.
[0033] 정렬 후에, 기판(20)은, 예컨대 수평 배향으로 지지 바디(40) 상에 부착 또는 클램핑될 수 있다. 이어서, 지지 바디(40)는 수직 방향으로 포지셔닝될 수 있다. 배향의 변화 시, 중력으로 인해 기판(20)은 처짐을 겪을 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본 개시 내용의 일부 실시예들에 따르면, 프로세싱 후에 지지 바디(40)로부터의 기판(20)의 감소된 처짐 및 용이한 릴리즈의 조합을 가능하게 하기 위해, 클램프들이 에지들에 제공될 수 있다.
[0034] 본 개시 내용에서, 회전 메커니즘(42)과 관련하여, 축(44)을 중심으로 지지 바디(40)를 이동시키기 위해 적어도 액추에이터가 제공된다. 액추에이터는, 프로세싱 스테이션 전방으로 축(44)을 중심으로 지지 바디(40)를 이동시키도록 구성된 회전 모터 또는 연장 가능한 실린더, 예컨대, 유압, 공압, 기계 또는 전기 구동 실린더로서 이해될 수 있다. 액추에이터는 또한, 랙 및 피니언 시스템을 갖는 선형 액추에이터로서 이해될 수 있다. 축, 특히 회전축은 피벗(pivot), 스위블(swivel), 스윙, 또는 회전 조인트로서 구성될 수 있다. 축은, 예컨대 모터 및 기어를 갖는 액추에이터를 포함할 수 있다. 축은 직접 구동될 수 있다. 모터 및/또는 기어가 제공될 수 있다. 액추에이터는 자기-구동(self-driven)되거나 또는 회전 가능하게 장착된 로드일 수 있다. 액추에이터는 지지 바디(40) 및/또는 축에 고정될 수 있다.
[0035] 본 개시 내용에서, 선형 모션 메커니즘(46)과 관련하여, 증착 소스(30)의 종축(31)에 대해 측방향으로, 지지 바디(40) 및 그에 따라 기판(20)을 병진시키기 위해 적어도 액추에이터가 제공된다. 예컨대, 액추에이터는 랙 및 피니언 시스템을 갖는 선형 액추에이터로서 이해될 수 있다. 액추에이터는, 리드 스크루 또는 볼 스크루에 의해 유체식(이를테면, 유압식 또는 공압식)으로 또는 전동식으로 동력을 공급 받을 수 있는 로드형 액추에이터일 수 있다. 대안적으로, 액추에이터는 로드리스 액추에이터일 수 있으며, 로드리스 액추에이터는 리드 스크루, 볼 스크루, 벨트 또는 선형 모터를 통해 유체식으로 또는 전기식으로 동력을 공급 받을 수 있다. 두 유형의 액추에이터들 모두가 가이드 시스템들에 적용된다. 가이드 엘리먼트들은 프로파일링된 레일, 원형 레일, 또는 다른 롤링 또는 슬라이딩 시스템들일 수 있다.
[0036] 도 3 및 도 4는 진공 프로세싱 시스템의 이송 챔버(80)로부터 기판(20)을 수용하기 위한 그리고 진공 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버(70)의 프로세싱 영역(72)에 상기 기판(20)을 포지셔닝하기 위한 스윙 모듈(60)을 설명한다. 스윙 모듈(60)은 진공 챔버(62), 및 진공 챔버(62) 내에 위치된 기판(20)을 홀딩하기 위한 지지 바디(40)를 포함한다. 지지 바디(40)에 커플링된 회전 메커니즘(42)은 이송 또는 수평 배향(I)으로부터 프로세싱 또는 수직 배향(II)으로 회전축(44)을 중심으로 일정 각도(12)만큼 기판(20)을 이동시키기 위해 사용된다. 도 3은 이송 배향(I)에 있는 기판을 도시한다. 기판(20)이 프로세싱 배향(II)에 있을 때, 지지 바디(40)에 커플링된 선형 모션 메커니즘(46)은 증착 소스(30)의 종축(31)에 대해 측방향으로 기판(20)을 병진시키기 위해 사용된다. 위에서 언급된 바와 같이 기판의 병진 이동을 수행하기 위해, 선형 모션 메커니즘(46)에는 회전 메커니즘(42) 아래에 위치된 선형 가이드들(49)에 커플링된 선형 액추에이터가 제공된다. 또한, 증착 소스(30)에 의해 생성된 입자들로부터 회전 메커니즘(42) 및 선형 모션 메커니즘(46) 둘 모두를 보호하기 위한 보호 유닛(50)이 제공된다.
[0037] 도 4는, 적어도 프로세싱 챔버(70), 프로세싱 챔버(70)의 프로세싱 영역(72)에 기판(20)을 포지셔닝하기 위한, 프로세싱 챔버(70)에 동작 가능하게 커플링된 적어도 스윙 모듈(60), 및 기판(20)을 스윙 모듈(60)로 이동시키기 위한, 스윙 모듈(60)에 동작 가능하게 커플링된 적어도 이송 챔버(80)를 포함하는 예시적인 진공 프로세싱 시스템(90)을 도시한다. 특히, 스윙 모듈(60)은 진공 챔버(62), 및 진공 챔버(62) 내에 기판(20)을 홀딩하기 위한 지지 바디(40)를 포함한다. 또한, 스윙 모듈(60)은, 이송 또는 수평 배향(I)으로부터 프로세싱 또는 수직 배향(II)으로 회전축(44)을 중심으로 일정 각도(12)만큼 기판(20)을 이동시키기 위한, 지지 바디(40)에 커플링된 회전 메커니즘(42)을 포함한다. 게다가, 스윙 모듈(60)은 기판(20)이 프로세싱 배향(II)에 있을 때, 증착 소스(30)의 종축(31)에 대해 측방향으로 기판(20)을 병진시키기 위한, 지지 바디(40)에 커플링된 선형 모션 메커니즘(46)을 포함한다.
[0038] 이송 챔버(80)뿐만 아니라 스윙 모듈(60)의 진공 챔버(62)에는 스탠드들(64)이 제공될 수 있다. 스윙 모듈(60)은 지지 필러들(74)이 제공될 수 있는 프로세싱 챔버(70)를 포함할 수 있거나 프로세싱 챔버(70)에 연결될 수 있다.
[0039] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 5에 예시된 바와 같이, 진공 프로세싱 시스템(90)은 진공 이송 챔버(80)를 포함할 수 있으며, 여기서, 하나 초과, 특히 2개 이상의 스윙 모듈들(60A, 60B, 60C, 그리고 60D)이 진공 이송 챔버(80)에 인접하게 배열된다. 기판(20)(도면에 파선들로 도시됨)이 예컨대 로드 챔버 또는 로드 모듈(92)을 통해 진공 이송 챔버(80)로 이송된다. 진공 이송 챔버(80)는 기판(20)을 제1 스윙 모듈(60A)의 진공 챔버로 이동시킬 수 있다. 진공 프로세싱 시스템(90)은 기판들의 저장 등과 같은 특정 부가적인 기능들을 수행하기 위해 진공 이송 챔버(80)에 배열된 지지 챔버를 포함할 수 있다. 또한, 하나 초과의 로드락 챔버가 제공될 수 있다. 예컨대, 이송 챔버 내로 기판들을 로딩하기 위한 하나의 로드락 챔버가 제공될 수 있고, 이송 챔버로부터 기판들을 언-로딩하기 위한 하나의 로드락 챔버가 제공될 수 있다.
[0040] 기판(20)은 제1 스윙 모듈(60A)의 진공 챔버 내의 클램프들에 의해 지지 바디(40) 상에 배열 또는 부착될 수 있다. 본원에 설명된 바와 같이, 지지 바디(40)는, 비-수직 배향(I)으로부터 프로세싱 챔버(70A)의 프로세싱 영역의 비-수평 배향(II)으로 일정 각도(12)만큼 기판(20)을 마스크(도시되지 않음) 전방으로 이동시킨다. 프로세싱 챔버(70A)의 프로세싱 영역에서 기판(20)을 프로세싱한 후, 기판(20)은 프로세싱 영역으로부터 비-수직 배향(I)으로 제1 스윙 모듈(60A)의 진공 챔버 내로 이동된다. 기판(20)은 스윙 모듈(60A)의 진공 챔버로부터 이송 챔버(80)로 다시 이동된다. 스윙 모듈(60A)의 진공 챔버로부터 기판(20)을 획득한 후에, 이송 챔버(80)는 기판(20)을, 추가의 프로세싱 챔버들(70B, 70C, 70D)을 각각 갖는 추가의 스윙 모듈(60B 또는 60C 또는 60D)로 이동시킬 수 있다.
[0041] 실시예들에 따르면, 스윙 모듈(60A)로부터 추가 스윙 모듈(60B, 60C, 60D)로의 기판(20)의 이동은 기판(20)의 수평 이동으로서 이해될 수 있으며, 여기서 기판(20)은 비-수직 배향(I)에 있는 동안 이동된다. 이송 챔버(80)는, 예컨대 기판(20)을 프로세스 챔버로 이동시키기 전에 기판(20)의 정렬을 가능하게 하기 위해 기판(20)을 회전시키도록 구성될 수 있다. 기판(20)은 이송 챔버(80)에 의해, 제1 스윙 모듈(60A)의 진공 챔버로부터, 이송 챔버(80)에 배열된 스윙 모듈(60B, 60C, 60D)의 임의의 다른 진공 챔버로, 정해지지 않은 순서로 이동될 수 있다.
[0042] 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템(90)은 하나 초과의 로드 모듈(92), 이송 챔버(80), 스윙 모듈(60) 또는 프로세싱 챔버(70)를 포함할 수 있다.
[0043] 로드 모듈(92)은 기판(20)의 인테이크(intake) 또는 수용 및/또는 기판의 아웃테이크(outtake) 또는 제거가 가능한 모듈로서 이해될 수 있다. 로드 모듈(92) 또는 로드락 챔버는, 일 측의 개구가 기판(20)을 수용하도록 구성되는 챔버일 수 있다. 로드 모듈(92)은 기판(20)을 로드 모듈(92)로 운송하도록 구성된 운송 디바이스에 연결될 수 있다. 예컨대, 로드 모듈(92)은 기판(20)을 낮은 압력을 갖는 챔버, 특히 진공 압력을 갖는 챔버로 이송하기 위한 에어락(air lock)으로서 이해될 수 있다. 실시예들에 따르면, 로드 모듈은 이송 챔버(80)에 연결된다.
[0044] 이송 챔버(80)는 다른 기판 프로세싱 모듈들, 챔버들 또는 디바이스들(즉, 스윙 모듈들(60), 로드 모듈들(92))에 연결된, 진공 압력을 갖는 챔버로서 이해될 수 있다. 이송 챔버(80)는 추가의 기판 프로세싱을 위해 이송 챔버(80)에 연결된 다른 모듈들 또는 디바이스들로 기판(20)을 이동시키도록 구성될 수 있다.
[0045] 실시예들에 따르면, 하나 초과의 스윙 모듈(60)이 이송 챔버(80)에, 특히 이송 챔버(80)의 외벽에 배열된다. 이송 챔버(80)는 스윙 모듈들(60) 사이에 운송 경로 구성을 형성할 수 있다.
[0046] 이송 챔버(80)는 운송 경로 구성으로서 이해될 수 있으며, 여기서, 몇몇 스윙 모듈들(60A, 60B, 60C, 및 60D) 및 대응하는 프로세싱 챔버들(70A, 70B, 70C, 및 70D)은 운송 경로 구성의 측면 영역들에 배열된다. 각각의 스윙 모듈 또는 프로세싱 챔버는, 예컨대 개구에 의해 또는 에어락에 의해 운송 경로 구성에 연결될 수 있다.
[0047] 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 시스템(90)은 서로 옆에 배열된 하나보다 많은 스윙 모듈들(60) 및 프로세싱 챔버들(70)을 포함할 수 있다. 제1 스윙 모듈(60A)에서, 액추에이터는 본원에서 설명되는 바와 같이, 지지 바디(40)를 축(44)을 중심으로 제1 프로세싱 챔버(70A)의 프로세싱 영역(72A) 내로 이동시킨다. 추가적인 프로세싱을 위해, 기판(20)은 추가적인 스윙 모듈들(60B, 60C, 60D) 및 프로세싱 챔버들(70B, 70C, 70D)로 이동될 수 있으며, 여기서 기판(20)은 비-수직 배향(I)으로 하나의 스윙 모듈(60)로부터 다른 스윙 모듈(60)로 이동된다.
[0048] 실시예들에 따르면, 이송 챔버(80)는 다각형 형상일 수 있는데, 즉, 다각형 또는 원형 디자인일 수 있다. 다각형 디자인은, 예컨대, 삼각형 형상, 정사각형 형상, 오각형 형상 또는 육각형 형상 디자인을 포함할 수 있다. 스윙 모듈(60)은 이송 챔버(80)의 다각형 형상 디자인들의 하나의 에지 상에 또는 더 많은 에지들 상에 또는 각각의 에지 상에 배열될 수 있다. 하나 초과의 스윙 모듈(60)이 제공될 때, 이송 챔버(80)는 스윙 모듈들의 중간에 또는 중앙에 배열될 수 있다. 스윙 모듈들(60)의 중앙 또는 중간에 있는 이송 챔버(80)의 어레인지먼트는 진공 프로세싱 시스템(90)의 클러스터형 디자인을 가능하게 한다. 하나 초과의 스윙 모듈들(60) 및 대응하는 프로세싱 챔버들(70)이 이송 챔버(80)에 배열될 수 있으며, 각각의 모듈/챔버는 이송 챔버(80)의 중심점으로부터 동일한 거리를 갖는다. 다각형 형상 디자인 이송 챔버(80)의 하나 이상의 에지들에 기판들을 위한 저장 모듈들 또는 임의의 다른 기판 지지 모듈들을 배열하는 것이 추가로 가능하다.
[0049] 실시예들에 따르면, 본원에 설명된 바와 같은 2개 이상의 클러스터형 진공 프로세싱 시스템들(90)을 연결하고, 2개 이상의 진공 프로세싱 시스템들(90) 사이에서 기판 이송 및 추가의 기판 프로세싱을 할 수 있게 하는 것이 가능하다.
[0050] 실시예들에 따르면, 이송 챔버(80)는 지지 바디(40)에 부착되어 있는 기판(20)을 스윙 모듈(60)로 이송하도록 구성된다. 부착되어 있는 기판(20)은 기판이 스윙 모듈(60) 내에서 프로세싱 영역(72)으로 운송되는 동안 지지 바디(40) 상에 부착된 상태로 유지되고 그리고/또는 클램프들에 의해 홀딩되는 것으로 이해될 수 있다. 기판(20)의 이동은 수평 방향으로의 변위로서 이해될 수 있다. 변위는 롤러들 등을 갖는 가이딩 시스템에 의해 수행될 수 있다. 기판(20)을 지지 바디(40)에 부착된 상태로 유지하는 것은, 기판(20)이 스윙 모듈(60)에 진입하여 프로세싱 영역에 접근하고 그리고/또는 프로세싱 후에 다시 이송 챔버(80)에 진입할 때, 지지 바디(40)의 클램프들로 기판(20)을 추가 부착 및 탈착하는 동작들이 회피될 수 있다는 이점을 갖는다. 기판(20)을 지지 바디(40)에 부착된 상태로 유지하는 것은 기판 프로세싱 프로세스를 가속시킬 수 있다.
[0051] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 프로세싱 챔버(70)는 종축(31)을 갖는 하나 이상의 증착 소스(30)를 포함한다. 예컨대, 회전 스퍼터 캐소드들과 같은 4개 이상의 선형 증착 소스들의 어레이가 제공될 수 있다.
[0052] 추가로, 프로세싱 챔버는 또한, 수직 선형 주입 소스와 같은 주입 소스를 포함할 수 있다. 예컨대, 증착 소스들 또는 주입 소스들에 대한 "선형"이라는 용어는, 소스가 입자들 또는 이온들의 방출 영역(예컨대, 실질적으로 직사각형 영역)을 정의하는 주 치수(major dimension) 및 부 치수(minor dimension)를 갖는다는 의미로 이해될 수 있으며, 여기서, 부 치수는 주 치수보다 더 작다. 예를 들어, 부 치수는 주 치수의 10 % 미만, 구체적으로는 5 % 미만, 그리고 더 구체적으로는 1 % 미만일 수 있다. 주 치수는 실질적으로 수직으로 연장될 수 있다. 다시 말하면, 적어도 하나의 선형 소스는 수직 선형 소스일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 선형 소스, 예컨대 방출 영역에 의해 제공되는 입자들 또는 이온들의 빔 폭은 1 mm 내지 300 mm의 범위, 구체적으로는 10 mm 내지 100 mm의 범위, 더 구체적으로는 50 mm 미만일 수 있다. 빔 폭은 적어도 하나의 선형 소스의 선형 연장에 수직하게 정의될 수 있다.
[0053] 일반적으로, 실시예들에서, 이온 소스인 선형 소스는 전처리, 기판(20)의 표면에 대한 세정 프로세스, 기판(20) 내로의 또는 기판(20) 상에 이전에 증착된 층 내로의 이온 주입, 또는 기판(20) 상의 층의 증착을 위해 구성될 수 있다. 실시예들에서, 선형 소스는, 예컨대 TiO의 제거를 포함할 수 있는 기판(20)의 세정 또는 전처리를 위해 구성될 수 있다.
[0054] 일반적으로, 기판에 평행한 치수의 프로세싱 챔버(70)의 폭은 기판에 수직인 수평 방향의 기판(20)의 폭보다 상당히 더 클 수 있다. 증착 소스(30) 및 큰 폭을 갖는 프로세싱 챔버(70)가 다른 구성들에서도, 예컨대, 증착 소스들(30)을 갖는 2개 이상의 그러한 프로세싱 챔버들을 갖는 장치에서 이용될 수 있다는 것이 이해된다. 프로세싱 챔버(70)의 연장된 폭은 프로세스 동안 증착 소스(30)의 빔(32)에 의해 기판 표면의 임의의 섹션이 영향을 받는 것을 가능하게 하면서 증착 소스(30)를 따라 기판(20)을 이동시킬 수 있게 한다.
[0055] 증착 소스(30)는 스퍼터 소스 또는 PLD 소스(펄스 레이저 증착)로서 구성될 수 있다. 펄스 레이저 증착(PLD)에서, 증착될 재료의 타겟을 타격하기 위해, 고-출력 펄스 레이저 빔이 진공 챔버 내부에 포커싱된다. 재료는 타겟으로부터 어블레이팅(ablated)되거나 기화되고, 결과적인 플라즈마 플룸은 기판(20) 상에 박막으로서 증착된다. 스퍼터 증착을 위해, 전형적으로, 예컨대, 타겟 실린더 내에 영구 자석들이 제공된 실린더형 타겟을 갖는 마그네트론 스퍼터링 소스가 제공될 수 있다.
[0056] 도 6을 예시적으로 참조하면, 기판(20)을 프로세싱하기 위한 방법(100)의 실시예들이 제공된다. 방법(100)은, 스윙 장치(10)의 지지 바디(40) 상에 기판(20)을 홀딩하는 단계(102), 지지 바디(40)에 커플링된 회전 메커니즘(42)에 의해 회전축(44)을 중심으로 일정 각도(12)만큼, 이송 또는 수평 배향(I)으로부터 프로세싱 또는 수직 배향(II)으로, 기판(20)을 처리하기 위한 증착 소스(30)(종축(31)을 가짐)에 대해 기판(20)을 이동시키는 단계(104), 및 증착 소스(30)로부터의 빔으로 기판(20)의 표면을 처리 또는 프로세싱하는 단계(106)를 포함한다. 또한, 방법(100)은, 기판(20)이 지지 바디(40)에 커플링된 선형 모션 메커니즘(46)에 의해 프로세싱 배향(II)에 있을 때, 증착 소스(30)의 종축(31)에 대해 측방향으로 기판(20)을 병진시키는 단계(108)를 포함한다.
[0057] 게다가, 방법은, 이송 배향(I)으로부터 프로세싱 배향(II)으로의 이동 동안 그리고 프로세싱 배향(II)으로부터 이송 배향(I)으로의 이동 동안, 증착 소스(30)의 종축(31)에 수직인 수평 선형 방향으로 기판(20)을 이동시키는 단계를 포함한다.
[0058] 본 개시 내용에 따른 실시예들은 증착된 층의 균일성을 개선할 가능성을 포함하는 몇몇 이점들을 갖는다. 게다가, 본 개시 내용에 따른 실시예들은 프로세싱 챔버에서 또는 프로세싱 챔버 근처에서 입자 생성을 감소시키는 이점을 갖는다.
[0059] 전술한 바가 본 개시 내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시 내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시 내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시 내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (17)

  1. 종축(31)을 갖는 하나 이상의 증착 소스들(30)에 대해 기판(20)을 이동시키기 위한 스윙 장치(10)로서, 상기 스윙 장치(10)는:
    상기 기판(20)을 홀딩하기 위한 지지 바디(40);
    이송 배향(I)으로부터 프로세싱 영역(72)의 프로세싱 배향(II)으로 기판 배향을 변화시키도록 회전축(44)을 중심으로 일정 각도(12)만큼 상기 기판(20)을 이동시키기 위한, 상기 지지 바디(40)에 커플링된 회전 메커니즘(42) ― 상기 이송 배향(I)은 수평 배향이고 상기 프로세싱 배향(II)은 수직 배향임 ―; 및
    상기 기판(20)이 상기 프로세싱 배향(II)에 있을 때, 상기 증착 소스(30)의 상기 종축(31)에 대해 상기 기판(20)을 병진시키기 위한, 상기 지지 바디(40)에 커플링된 선형 모션 메커니즘(46)을 포함하는,
    스윙 장치(10).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 바디(40)는, 상기 이송 배향(I)으로부터 상기 프로세싱 배향(II)으로의 이동 그리고 상기 프로세싱 배향(II)으로부터 상기 이송 배향(I)으로의 이동 동안, 상기 증착 소스(30)의 상기 종축(31)에 수직인 수평 선형 방향으로 상기 기판(20)을 이동시키고, 상기 프로세싱 영역(72)에 인접한 상기 기판(20)의 에지와 상기 증착 소스(30)의 상기 종축(31) 사이에 선형 오프셋(48)을 제공하도록 구성되는,
    스윙 장치(10).
  3. 제1항에 있어서,
    상기 회전 메커니즘(42)은 상기 선형 모션 메커니즘(46)에 의해 지지되는,
    스윙 장치(10).
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세싱 영역에서의 입자들을 감소시키는, 증착 소스를 위한 보호 유닛(50); 및
    상기 프로세싱 영역(72)에서의 입자들을 감소시키기 위해 상기 선형 모션 메커니즘(46) 및 상기 회전 메커니즘(42) 둘 모두를 보호하는 보호 유닛(50);
    중 적어도 하나를 더 포함하는,
    스윙 장치(10).
  5. 제4항에 있어서,
    상기 보호 유닛(50)은 적어도 제1 벨로우즈 엘리먼트(52) 및 제2 벨로우즈 엘리먼트 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 회전 메커니즘(42)은 상기 제1 벨로우즈 엘리먼트(52) 내부에 위치된 적어도 회전 샤프트(47)를 포함하고,
    상기 선형 모션 메커니즘(46)은 상기 제2 벨로우즈 엘리먼트 내부에 위치된 선형 가이드들(49)을 포함하는,
    스윙 장치(10).
  6. 제5항에 있어서,
    상기 선형 모션 메커니즘은 상기 제1벨로우즈 엘리먼트 내부에 제공되는,
    스윙 장치(10).
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 바디(40)는 상기 기판(20)을 가열하기 위한 서셉터를 포함하는,
    스윙 장치(10).
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 회전 메커니즘(42)은 적어도 2개의 스플라인 샤프트 연결 엘리먼트들(421) 및 적어도 2개의 회전 모터들(422)을 포함하는,
    스윙 장치(10).
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판(20)은 클램프들에 의해 상기 지지 바디(40)에 홀딩되는,
    스윙 장치(10).
  10. 기판(20)을 프로세싱하기 위한 방법(100)으로서,
    지지 바디(40) 상에 상기 기판(20)을 홀딩하는 단계(102);
    종축(31)을 갖는, 상기 기판(20)을 프로세싱하기 위한 증착 소스(30)에 대해 상기 기판(20)을 이동시키는 단계(104) ― 상기 기판(20)의 이동은, 상기 지지 바디(40)에 커플링된 회전 메커니즘(42)에 의해, 이송 배향(I)으로부터 프로세싱 배향(II)으로 기판 배향을 변화시키도록 회전축(44)을 중심으로 일정 각도(12)만큼 수행되고, 상기 이송 배향(I)은 수평 배향이고 상기 프로세싱 배향(II)은 수직 배향임 ―;
    상기 증착 소스(30)로 상기 기판(20)의 표면을 프로세싱하는 단계(106); 및
    상기 기판(20)이, 상기 지지 바디(40)에 커플링된 선형 모션 메커니즘(46)에 의해 상기 프로세싱 배향(II)에 있을 때, 상기 증착 소스(30)의 상기 종축(31)에 대해 상기 기판(20)을 병진시키는 단계(108)를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 방법(100).
  11. 제10항에 있어서,
    상기 이송 배향(I)으로부터 상기 프로세싱 배향(II)으로의 이동 동안 그리고 상기 프로세싱 배향(II)으로부터 상기 이송 배향(I)으로의 이동 동안, 상기 증착 소스(30)의 상기 종축(31)에 수직인 수평 선형 방향으로 상기 기판(20)을 이동시키는 단계; 및
    보호 유닛(50)을 이용함으로써 프로세싱 영역(72)에서의 입자들을 감소시키기 위해 상기 선형 모션 메커니즘(46) 및 상기 회전 메커니즘(42) 둘 모두를 보호하는 단계
    중 적어도 하나를 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 방법(100).
  12. 진공 프로세싱 시스템의 이송 챔버(80)로부터 기판(20)을 수용하기 위한 그리고 상기 진공 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버(70)의 프로세싱 영역(72)에 상기 기판(20)을 포지셔닝하기 위한 스윙 모듈(60)로서, 상기 스윙 모듈(60)은:
    진공 챔버(62);
    상기 진공 챔버(62) 내에 상기 기판(20)을 홀딩하기 위한 지지 바디(40);
    이송 배향(I)으로부터 프로세싱 배향(II)으로 기판 배향을 변화시키도록 회전축(44)을 중심으로 일정 각도(12)만큼 상기 기판(20)을 이동시키기 위한, 상기 지지 바디(40)에 커플링된 회전 메커니즘(42) ― 상기 이송 배향(I)은 수평 배향이고 상기 프로세싱 배향(II)은 수직 배향임 ―; 및
    상기 기판(20)이 상기 프로세싱 배향(II)에 있을 때, 증착 소스(30)의 종축(31)에 대해 측방향으로 상기 기판(20)을 병진시키기 위한, 상기 지지 바디(40)에 커플링된 선형 모션 메커니즘(46)을 포함하는,
    스윙 모듈(60).
  13. 제12항에 있어서,
    상기 스윙 모듈(60)은, 상기 프로세싱 영역(72)에서의 입자들을 감소시키기 위해 상기 선형 모션 메커니즘(46) 및 상기 회전 메커니즘(42) 둘 모두를 보호하는 보호 유닛(50)을 더 포함하는,
    스윙 모듈(60).
  14. 기판(20)을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템(90)으로서, 상기 시스템(90)은:
    상기 기판(20)을 프로세싱하기 위한, 종축(31)을 갖는 증착 소스(30)를 포함하는 적어도 프로세싱 챔버(70);
    상기 프로세싱 챔버(70)의 프로세싱 영역(72)에 상기 기판(20)을 포지셔닝하기 위한, 상기 프로세싱 챔버(70)에 동작 가능하게 커플링된 적어도 스윙 모듈(60); 및
    상기 기판(20)을 상기 스윙 모듈(60)로 이동시키기 위한, 상기 스윙 모듈(60)에 동작 가능하게 커플링된 이송 챔버(80)를 포함하며,
    상기 스윙 모듈(60)은:
    진공 챔버(62);
    상기 진공 챔버(62) 내에 상기 기판(20)을 홀딩하기 위한 지지 바디(40);
    이송 배향(I)으로부터 프로세싱 배향(II)으로 기판 배향을 변화시키도록 회전축(44)을 중심으로 일정 각도(12)만큼 상기 기판(20)을 이동시키기 위한, 상기 지지 바디(40)에 커플링된 회전 메커니즘(42) ― 상기 이송 배향(I)은 수평 배향이고 상기 프로세싱 배향(II)은 수직 배향임 ―; 및
    상기 기판(20)이 상기 프로세싱 배향(II)에 있을 때, 상기 증착 소스(30)의 상기 종축(31)에 대해 측방향으로 상기 기판(20)을 병진시키기 위한, 상기 지지 바디(40)에 커플링된 선형 모션 메커니즘(46)을 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템(90).
  15. 제14항에 있어서,
    상기 이송 챔버(80)에 커플링된 적어도 로드락 챔버(92); 및
    상기 프로세싱 영역(72)에서의 입자들을 감소시키기 위해 상기 선형 모션 메커니즘(46) 및 상기 회전 메커니즘(42) 둘 모두를 보호하는 보호 유닛(50)
    중 적어도 하나를 더 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템(90).
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