KR20210150512A - 기판을 이동시키기 위한 장치, 증착 장치 및 프로세싱 시스템 - Google Patents

기판을 이동시키기 위한 장치, 증착 장치 및 프로세싱 시스템 Download PDF

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KR20210150512A
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Abstract

진공 챔버(110)의 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100)가 제공되며, 장치(100)는, 진공 챔버(110) 내에 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디(140), 그리고 지지 바디(140)를 병진시키고 일정 각도(150)만큼 지지 바디(140)를 이동시키도록 지지 바디(140)에 커플링된 모션 메커니즘(200)을 가지며, 모션 메커니즘(200)의 구동 조립체(240)는 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝된다. 증착 장치 및 프로세싱 시스템이 또한 제공된다.

Description

기판을 이동시키기 위한 장치, 증착 장치 및 프로세싱 시스템
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 클러스터 툴, 특히, 수평 기판 핸들링하는 클러스터 툴에서의 수직 기판 프로세싱에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치들 및 기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 장치들에 관한 것이다. 추가로, 본 개시내용의 실시예들은 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템들 ―진공 프로세싱 시스템의 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 적어도 하나의 장치를 포함함― 에 관한 것이다.
[0002] 진공 프로세싱 시스템은 프로세싱 영역을 갖는 적어도 진공 챔버를 포함하는 시스템이며, 여기서, 기판의 프로세싱을 위해 기판이 프로세싱 영역에 대해 포지셔닝될 수 있다. 기판 상의 재료의 증착을 위한 여러 방법들이 알려져 있다. 예컨대, 증발 프로세스, PVD(physical vapor deposition) 프로세스, 이를테면, 스퍼터링 프로세스, 스프레잉 프로세스 등, 또는 CVD(chemical vapor deposition) 프로세스를 사용함으로써 기판이 코팅될 수 있다. 재료가 증착되는 기판, 즉, 코팅될 기판이 진공 프로세싱 시스템의 진공 챔버 내로 도입되고, 진공 프로세싱 시스템의 진공 챔버의 프로세싱 영역에 대해 포지셔닝된다. 예컨대, 코팅 프로세스는 진공 챔버에서 발생할 수 있다. 스퍼터 증착 프로세스를 위해, 진공 챔버에 포지셔닝된 타겟으로부터 재료가 방출된다. 재료는 기판 상에 증착된다. 타겟으로부터의 재료 방출은, 플라즈마 구역에서 생성된 이온들로 타겟을 타격(bombarding)함으로써 진공 챔버에서 제공될 수 있다. 플라즈마 구역에서 생성된 이온들로 타겟을 타격할 때, 타겟 재료의 원자들이 타겟의 표면으로부터 이탈되고, 이어서, 이탈된 원자들은 기판 상에 재료 층을 형성한다. 반응성 스퍼터 증착 챔버에서, 이탈된 원자들이 플라즈마 구역 내의 가스, 예컨대, 질소 또는 산소와 반응하여, 기판 상에 타겟 재료의 옥사이드, 나이트라이드 또는 옥시나이트라이드를 형성할 수 있다. 타겟이 통상적으로 전기 전위차의 인가로 스퍼터 캐소드를 형성하여서, 결과적인 전기장의 존재 시에, 플라즈마 구역에서 생성된 이온들이 전기적으로 대전된 스퍼터 캐소드를 향해 가속/이동하고 상기 스퍼터 캐소드에 충격을 주어서, 캐소드로부터의 원자들이 이탈된다. 따라서, 스퍼터 캐소드는 재료 증착을 위한 재료를 제공하고, 이에 따라 재료 소스를 형성한다. 추가로, 에칭, 구조화, 어닐링 등과 같은 다른 프로세스들이 프로세싱 챔버들에서 추가로 수행될 수 있다.
[0003] 코팅 프로세스들, 즉, 재료 증착 프로세스들은 예컨대 디스플레이 제조 기술에서 대면적 기판들에 대해 고려될 수 있다. 추가로, 코팅된 기판들은 애플리케이션들을 갖는 여러 기술 분야들, 예컨대, 박막 트랜지스터들을 갖는 기판들 뿐만 아니라 절연 패널들을 위한 반도체 디바이스들의 생산, 마이크로일렉트로닉스(microelectronics) 등에서 사용될 수 있다. 예컨대 더 큰 디스플레이들을 제조할 시에 더 큰 기판들을 향한 경향성은 더 큰 진공 프로세싱 시스템들을 야기한다.
[0004] 스퍼터 캐소드는 원통형 타겟일 수 있고, 회전가능할 수 있다. 회전가능 캐소드들은 개선된 재료 활용을 제공한다. 타겟 재료는, 각각, 스퍼터 캐소드 또는 타겟의 회전에 의해 스퍼터 캐소드의 플라즈마 영역을 지나 이동할 수 있다. 이에 따라서, 균일한 재료 활용 및 이에 따른 높은 재료 활용이 제공될 수 있다.
[0005] 진공 프로세싱 시스템의 진공 챔버에서, 원통형이고 회전가능할 수 있는 하나 이상의 스퍼터 캐소드들이 존재할 수 있다. 따라서, 2개 이상의 스퍼터 캐소드들이 캐소드 어레이를 형성할 수 있으며, 여기서, 단일 캐소드들은 통상적으로 원통형의 회전가능 캐소드들이다.
[0006] 정적 증착에서, 기판은 캐소드의 전방에 또는 통상적으로 캐소드 어레이의 전방에 정적으로 포지셔닝된다. 예컨대 하나 이상의 회전가능 또는 원통형 스퍼터 캐소드들의 국부적인 불균일성은 기판 상에 증착되는 층의 불균일성을 초래할 수 있다. 원통형 캐소드들을 갖는 캐소드 어레이를 이용한 정적 증착은 무라(mura)를 생성할 수 있는데, 즉, 기판 상에 증착되는 재료의 층은 균일하지 않고, 캐소드 어레이의 기하학적 구조가 증착되는 재료 층의 특성들에 영향을 미친다.
[0007] 게다가, 진공 챔버 내부의 이동 부품들을 고려할 때, 마찰은 재료의 마모를 유발하고, 결과적으로 바람직하지 않은 물질, 이를테면, 기판 상에 증착되는 재료의 층의 품질에 추가로 부정적인 영향을 미칠 수 있는 입자들로 인한 진공 챔버의 오염을 유발한다.
[0008] 상기 내용을 고려하여, 기판 상에 증착되는 재료 층의 품질 및 균일성을 개선하기 위하여 구성된 장치들 및 시스템들을 제공하는 것이 유익하다. 부가적으로 또는 대안적으로, 진공 챔버 내부의 오염을 감소시키거나 또는 최소화하고, 그리고/또는 진공 챔버 내부의 표면들의 원하지 않는 코팅을 감소시키고 진공 챔버 내부에 포지셔닝되는 더 간단하고 더 안정적인 부품들을 제공하는 것이 유익하다.
[0009] 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치, 기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 장치, 및 프로세싱 시스템이 제공된다. 추가적인 특징들, 세부사항들, 양상들 및 수정들은 청구항들, 상세한 설명 및 도면들로부터 도출될 수 있다.
[0010] 일 실시예에 따르면, 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치가 제공된다. 프로세싱 영역은 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템의 진공 챔버의 프로세싱 영역일 수 있으며, 여기서, 프로세스는 예컨대 스퍼터링 프로세스일 수 있다. 기판을 이동시키기 위한 장치는 진공 챔버, 진공 챔버 내에 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디, 및 지지 바디를 병진시키고 일정 각도만큼 지지 바디를 이동시키도록 지지 바디에 커플링된 모션 메커니즘을 포함하며, 모션 메커니즘의 구동 조립체는 진공 챔버 외부에 포지셔닝된다.
[0011] 다른 실시예에 따르면, 기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 장치가 제공되며, 이 장치는, 본 개시내용의 실시예들에 따른, 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치, 및 프로세싱 영역에 있는 기판 상에 재료를 증착하도록 구성된 하나 이상의 증착 소스들을 포함한다.
[0012] 또 다른 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 진공 프로세싱 시스템은 본 개시내용의 실시예들에 따른 하나 이상의 증착 장치들, 및 증착 장치에 커플링된 이송 챔버를 포함한다.
[0013] 도 1은 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치의 개략적인 단면도를 도시한다. 증착 소스들이 또한 도시된다.
[0014] 도 2는 본 개시내용에 따른, 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치를 포함하는 증착 장치의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0015] 도 3은 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치 ―이 장치는 모션 메커니즘들 및 모션 메커니즘의 구동 조립체를 가짐― 를 포함하는 적어도 증착 장치를 포함하는 프로세싱 시스템을 개략적으로 도시한다.
[0016] 이제, 본 개시내용의 다양한 실시예들에 대한 참조가 상세히 이루어질 것이며, 이러한 실시예들의 일부 예들은 도면들에 예시된다.
[0017] 본원에서 설명되는 장치들 및 시스템들은, 특히 1 ㎡ 이상의 표면을 가질 수 있는 대면적 기판들을 이동시키고 프로세싱하도록 구성된다. "기판"이라는 용어는 특히 웨이퍼들과 같은 기판들, 사파이어 등과 같은 투명 결정의 슬라이스들 또는 유리 플레이트를 포괄할 수 있다. 그러나, "기판"이라는 용어는, 예컨대 포일(foil) 또는 웨브(web)와 같은, 비가요성 또는 가요성일 수 있는 다른 기판들을 포괄할 수 있다. 기판은 재료 증착에 적절한 임의의 재료에 의해 형성될 수 있다.
[0018] 도 1은 본 개시내용의 실시예에 따른, 진공 챔버(110) 내부의 프로세싱 영역(131)에 대해 기판(190)을 이동시키기 위한 장치(100)의 일부의 개략적인 단면도를 도시한다. 도 1은 재료 증착 소스(120)를 추가로 도시한다. 프로세싱 영역(131)은 재료 증착 소스(120)의 전방의 영역으로서 정의된다. 재료 증착 소스는, 기판을 프로세싱하고 특히 기판의 하나의 표면을 프로세싱하기 위한 캐소드 어레이일 수 있다. 소스들은 도 1에 도시된 바와 같이 방출되는 재료(130)를 제공할 수 있다. 프로세싱 영역(131)에 대해 기판(190)을 이동시키기 위한 장치(100)는 진공 챔버(110)를 포함한다. 기판(190)은 지지 바디(140)에 의해 지지될 수 있다. 일부 실시예들에서, 지지 바디(140)는 지지 표면(144)을 포함할 수 있다. 지지 바디(140)는 진공 챔버(110) 내부에 위치된다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 장치는 지지 표면(144)에 커플링된 샤프트(142)를 포함한다. 지지 바디(140)는 지지 표면(144) 및 지지 표면(144)에 커플링된 샤프트(142)를 포함할 수 있다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 샤프트는 진공 챔버(110) 외부로 연장된다. 일부 실시예들에서, 샤프트(142)는 중공 튜브이다. 예컨대, 케이블들 및/또는 파이프들이 중공 튜브에 제공될 수 있다.
[0019] 지지 바디(140)는 지지 표면(144), 샤프트(142), 클램프들(146) 등과 같은 복수의 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 이들 엘리먼트들 중 하나 이상은 조립될 수 있고 그리고/또는 일체로 형성될 수 있다. 진공 챔버(110) 내부에서, 특히 기판 상으로의 재료 증착 동안, 진공 조건(V)이 제공될 수 있다. 진공 챔버(110) 외부에, 대기 조건들(A)이 제공될 수 있는데, 즉, 진공 조건이 없을 수 있다.
[0020] 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100)는, 지지 바디(140)를 병진시키고 일정 각도(150)만큼 지지 바디(140)를 이동시키도록 지지 바디(140)에 커플링된, 도 2에 도시된 모션 메커니즘(200)을 더 포함하며, 모션 메커니즘의 구동 조립체는 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝된다.
[0021] 본 개시내용의 일부 실시예들에서, 진공 챔버 및/또는 증착 소스는 재료 증착 동안 기준 좌표계에 대해 고정된 상태로 유지될 수 있다. 본 개시내용의 실시예들에서, 예컨대 데카르트 좌표계의 y 축은 통상적으로 수직 배향으로 배향된다.
[0022] 일부 실시예들에 따르면, 기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 장치가 추가로 제공되며, 이 증착 장치는, 프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100)를 포함하고, 프로세싱 영역에 있는 기판 상에 재료를 증착하도록 구성된 하나 이상의 증착 소스들(120)을 더 포함한다.
[0023] 도 2는 본 개시내용에 따른, 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치를 포함하는 증착 장치의 개략적인 단면도를 도시한다. 도 2는 장치(100)의 모션 메커니즘(200)을 도시하며, 모션 메커니즘(200)은, 병진 이동(210)에 의해 지지 바디를 병진시키고 일정 각도(150)만큼 지지 바디를 이동시키도록 지지 바디(140)에 커플링되며, 모션 메커니즘(200)의 구동 조립체(240)는 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝된다. 일부 실시예들에서, 병진 이동(210)은 도 1의 도면에 직각(perpendicular)이다.
[0024] 일부 실시예들에서, 어레이를 형성하고 y 축의 방향으로 배향된 스퍼터 소스들이 재료 소스들로서 제공될 수 있다. 증착 소스는 라인 소스일 수 있다. 예컨대, 하나 이상의 회전가능 스퍼터 캐소드들이 제공될 수 있다. 회전가능 스퍼터 캐소드는 원통형일 수 있고 그리고/또는 원통형 타겟을 가질 수 있으며, 2개 이상의 스퍼터 캐소드들이 어레이를 형성할 수 있다.
[0025] 본 개시내용의 실시예들은, 예컨대 재료 증착 소스 어레이를 지나는 지지 바디의 병진 이동(210)으로 인한 감소된 무라 효과의 장점을 제공할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 병진 이동은 전후 이동(back and forth movement)일 수 있다.
[0026] 본 개시내용에 따른, 재료 증착 동안의 병진 이동(210)은, 기판 상에 증착되는 재료의 더 균일한 층을 야기하여서, 무라를 방지하거나 또는 감소시킬 수 있다. 그러므로, 모션 메커니즘(200)은, 진공 챔버 내에 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디를 일정 각도만큼 이동시키도록 그리고/또는 병진시키도록 구성된다. 모션 메커니즘은 일정 각도만큼의 이동과 병진 이동의 조합을 가능하게 한다. 일정 각도만큼의 이동은, 특히 수평 핸들링하는 클러스터 툴에서의 수직 프로세싱을 가능하게 한다.
[0027] 도 2에서, 지지 바디(140)는 수직 포지션에 있는 것으로 도시된다. 기판의 로딩 또는 언로딩 동안, 지지 바디는 수평 포지션에 있을 수 있다. 지지 바디(140)가 병진될 때, 도 2의 병진 이동(210)에 따라, 도 1에 도시된 평면 섹션에 직각인 방향으로 병진이 발생한다. 도 2에 따른 일 실시예에서, 모션 메커니즘(200)은 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝된 구동 조립체(240)를 포함할 수 있다. 구동 조립체(240)는 병진 이동(210)에 의한 지지 바디의 병진을 위한 제1 구동부(246)를 포함할 수 있고, 예컨대 지지 바디(140)의 샤프트(142)의 회전 축(242)을 중심으로 하는, 일정 각도(150)만큼의 지지 바디의 이동을 위한 제2 구동부(244)를 포함할 수 있다. 제1 구동부(246)는 진공 챔버(110)에 대해 고정될 수 있다. 제1 구동부는 샤프트(142)에 병진 이동(210)을 부여(impart)하도록 설계될 수 있다. 제1 구동부는 샤프트(142)를 지지하는 샤프트 지지 엘리먼트들(230)에 병진 이동(210)을 또한 부여하도록 설계될 수 있다. 제1 구동부는 샤프트 지지 엘리먼트들(230)을 지지하는 스윕 테이블(sweep table)들(260)에 병진 이동(210)을 또한 부여하도록 설계될 수 있다. 스윕 테이블들(260), 샤프트 지지 엘리먼트들(230), 샤프트(142) 및 지지 바디(140)는 제1 구동부(246)에 의해 제공되는 병진 이동(210)에 의해 함께 이동할 수 있다. 일부 실시예들에서, 병진 이동(210)은, 제1 구동부(246)에 의해, 예컨대 스윕 테이블들(260) 중 적어도 하나 상에 포지셔닝된 제2 구동부(244)에 또한 제공된다. 스윕 테이블들(260)은, 본 개시내용의 일부 실시예들에서, 병진 이동(210)을 가능하게 하기 위하여 선형 가이드들(250) 상에서 스위핑할 수 있다. 상기 제2 구동부(244)는 샤프트(142)의 회전 축(242)을 중심으로, 도 1에 도시된 바와 같이 일정 각도(150)만큼 지지 바디(140)를 이동시킨다. 단일 모션 메커니즘이 진공 챔버 내에 기판을 홀딩하는 지지 바디에 병진 이동 및 회전 이동을 제공하도록, 제1 및 제2 구동부는 단일 모션 메커니즘의 일부일 수 있다.
[0028] 일부 실시예들에서, 샤프트(142)의 적어도 일부분을 둘러싸는 가요성 인클로저(220)가 병진 이동(210)을 가능하게 하기 위하여 진공 기밀(vacuum tight) 연결로 진공 챔버(110)의 벽에 연결된다. 병진 이동은, 진공 챔버 내부에 진공(V)을 유지하는 동안, 샤프트(142)의 축을 중심으로 하는 일정 각도(150)만큼의 회전과 함께 제공될 수 있다. 진공 챔버 외부에, 진공 조건들이 존재하지 않을 수 있고 그리고/또는 대기 조건들(A)이 존재할 수 있다. 특히, 장치는, 샤프트(142)가 샤프트 지지 엘리먼트들(230)을 통해 연장되는 진공 챔버 내부에 진공(V)이 유지될 수 있도록 구성된다. 샤프트 지지 엘리먼트들(230)은 지지 바디(140)의 샤프트(142)를 지탱하도록 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝될 수 있다. 샤프트 지지 엘리먼트들은 샤프트(142)가 회전 축(242)을 중심으로 회전할 수 있게 샤프트(142)를 지지하도록 설계된다. 일부 실시예들에서, 샤프트(142) 또는 중공 튜브는 진공 챔버 내부에 진공(V)이 유지되는 동안 베어링들 또는 샤프트 지지 엘리먼트들(230)에 대해 병진할 수 없다. 샤프트(142)의 병진 이동(210)은 샤프트 지지 엘리먼트들(230)에 전달되고, 그 반대로 샤프트 지지 엘리먼트들(230)의 병진 이동(210)은 샤프트(142)에 전달된다. 샤프트(142)와 샤프트 지지 엘리먼트들(230)은 병진 이동(210)으로 병진할 때 함께 이동한다. 일부 실시예들에서, 샤프트 지지 엘리먼트들(230)과 샤프트(142)는 서로에 대해 정지되어 있다. 다른 실시예들에서, 샤프트 지지 엘리먼트들(230)과 샤프트(142) 사이의 어떤 상대적인 이동은, 예컨대 병진 이동이 예컨대 제1 구동부(246)에 의해 부여될 때 제공될 수 있다.
[0029] 병진 이동 및/또는 회전 운동 동안, 진공 챔버 내의 이동 부품들은 마찰을 겪을 수 있고, 마찰의 결과로서, 마모된 입자들/물질은 진공 챔버의 내부 그리고 특히 진공 챔버의 프로세싱 영역을 오염시킬 수 있다. 이러한 오염은 기판 상에 증착되는 재료 층의 품질, 즉, 코팅의 품질에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 그 반대로, 진공 챔버 내부의 임의의 부품이 원하지 않는 재료 증착/코팅에 의해 부정적인 영향을 받을 수 있다.
[0030] 본 개시내용의 실시예들은, 모션 메커니즘의 구동 조립체를 진공 챔버 외부에 포지셔닝함으로써, 진공 챔버 내부의 마찰로 인한 마모 입자들/물질의 양(quantity)을 감소시켜서, 더 적은 마모 입자들로, 코팅 동안, 즉, 재료 증착 동안 증착되는 재료 층의 품질이 개선된다.
[0031] 더욱이, 모션 메커니즘의 구동 조립체를 진공 챔버 외부에 포지셔닝함으로써, 진공 챔버 내부의 더 적은 컴포넌트들이 원하지 않는 재료 증착물들에 영향을 받을 것이다.
[0032] 진공 챔버(110) 내부에 진공(V)을 유지하면서, 샤프트 지지 엘리먼트들(230)은 샤프트(142)를 지지하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 샤프트(142)와 샤프트 지지 엘리먼트들(230)의 표면들 사이의 공간을 밀봉하기 위하여, 하나 이상의 밀봉부들(231)이 제공된다. 일부 실시예들에서, 샤프트 지지 엘리먼트들과 샤프트의 표면들 사이의 마찰로 인해 마모되는 입자들로 인한 진공 챔버 내부의 오염을 추가로 감소시키거나 또는 최소화하기 위해, 샤프트(142)와 샤프트 지지 엘리먼트들(230)의 표면들 사이의 공간에, 특히, 진공 챔버(110)와 샤프트 지지 엘리먼트들(230) 사이의 공간에 하나 이상의 밀봉부들(231) 또는 개스킷들이 제공된다.
[0033] 일부 실시예들에서, 샤프트(142)는 2개 이상의 샤프트 지지 엘리먼트들(230)을 통해 연장된다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 구동 조립체들이 진공 챔버(110)의 하나 초과의 측에 포지셔닝될 수 있다. 진공 챔버의 양측에 샤프트 지지부를 통해 연장되는 샤프트들 또는 양측에 샤프트 지지부를 갖는 것은, 양측에 피드스루들을 갖는 옵션을 제공한다. 이에 따라서, 중공 샤프트는 직경이 감소될 수 있다. 공급 라인들의 제1 부분(예컨대, 도관들 및/또는 케이블들)은 중공 샤프트의 일 측으로 안내될 수 있고, 공급 라인들의 제2 부분은 중공 샤프트의 대향 측으로 안내될 수 있다.
[0034] 일부 실시예들에서, 모션 메커니즘은 하나 이상의 기어들을 더 포함한다.
[0035] 일부 실시예들에서, 선형 가이드들(250)은, 고정된 상태로 유지되는, 즉, 기준 좌표계, 통상적으로 실험실의 좌표계 및/또는 지구와 고정된 좌표계에 대해 움직이지 않는 진공 챔버(110)에 대한 병진 이동(210)을 가능하게 하기 위한 모션 메커니즘의 일부일 수 있다.
[0036] 일부 실시예들에서, 스윕 테이블들(260)은, 예컨대, 샤프트 지지 엘리먼트들(230)과 함께 지지 바디(140)의 병진을 위한 제1 구동부(246)에 의해 부여되는 병진 이동(210)을 가능하게 하기 위해, 선형 가이드들(250)에 의해 안내된다. 일부 실시예들에서, 스윕 테이블들(260)은 병진 이동(210)이 제1 구동부(246)에 의해 부여될 때 제2 구동부(244)와 함께 병진한다. 일부 실시예들에서, 병진 이동(210)은 회전 축(242)에 평행한 방향으로 배향되고, 이러한 회전 축(242)을 중심으로 지지 바디가 일정 각도(150)만큼 이동한다. 일부 실시예들에서, 제2 구동부(244)는 지지 바디(140)에 이동을 부여하고, 이에 따라 특히 샤프트(142)의 회전 축(242)을 중심으로 일정 각도(150)만큼 샤프트(142)에 이동을 부여한다.
[0037] 일부 실시예들에서, 제2 구동부(244)는 샤프트(142) 및 지지 바디(140)와 함께 병진 이동(210)으로 병진할 수 있으며, 이러한 병진 이동은 구동 조립체(240)의 제1 구동부(246) 부분에 의해 부여된다. 대안적으로, 제2 구동부(244)는 진공 챔버(110) 및 제1 구동부(246)에 대해 고정될 수 있다.
[0038] 일부 실시예들에서, 지지 바디(140)가 진공 챔버(110) 내부에서 일정 각도(150)만큼 이동될 때, 지지 바디(140)는, 지지 바디가 진공 챔버(110)의 프로세싱 영역(131)에서 증착 소스(120)에 평행하게 포지셔닝되도록 하는 각도만큼 이동된다. 이러한 이동은, 기판(190)이 지지 표면(144) 상에 고정된 경우, 지지 표면(144) 및 기판(190)에 부여된다.
[0039] 일부 실시예들에서, 기판(190)은 클램프들(146)을 이용하여 지지 표면(144) 상에 그리고/또는 지지 바디 상에 고정될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 기판은 다른 고정부들에 의해, 예컨대, 지지 바디 및/또는 기판의 기계적 피처(feature)들에 의해 지지 표면 상에 고정가능할 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판은 정전 척(E-척)에 의해 지지 표면 상에 고정될 수 있다. 예컨대, 정전 척은, 예컨대 기판을 수용하기 위한 표면 아래에 제공되는 복수의 전극들을 포함할 수 있다. 유전체 층이 전극들 위에 제공될 수 있다. 전극들은 전력 공급부에 연결된다. 이에 따라서, 전극들은 정전기력을 생성하도록 바이어싱될 수 있다. 정전기력은 기판을 표면에 부착시킬 수 있다.
[0040] 일정 각도(150)만큼의 이동이 발생할 때, 기판을 갖는 지지 바디의 포지션은 도 1에서 파선들로 도시된다. 그 반대로, 도 1에서 파선들로 도시된 포지션으로부터 시작하여, 지지 바디(140)가 기판(190)과 함께 도 1에서 실선들로 도시된 포지션으로 다시 이동될 수 있도록, 반대 이동으로 지지 바디 및 기판을 다시 이동시키는 것이 또한 가능하다.
[0041] 도 1에 도시된 예시적인 구현에서, 코팅 프로세스는 기판이 도 1에서 파선들로 도시된 수직 배향을 가질 때 수행되며, 증착 소스(120)가 또한 수직 배향을 가지며 기판의 전방에 포지셔닝되는데, 예컨대, 수직으로 배향된 캐소드 어레이가 수직으로 배향된 기판의 전방에 그리고 이 기판에 평행하게 포지셔닝된다. 기판(190)은 진공 챔버의 개구를 통해 수평 포지션으로 진공 챔버에 도입될 수 있다. 지지 바디(140) 및/또는 지지 바디(140)의 지지 표면(144)은 상기 개구를 통해 수평 포지션으로 기판(190)을 수용한다. 기판(190)은 지지 바디(140)에 의해 지지되고, 예컨대, 지지 바디 상에 특히 기판의 에지들에서 기판(190)을 고정시키기 위하여 에지들에 클램프들(146)이 존재할 수 있다. 모션 메커니즘(200)은, 지지 바디 및 기판이 진공 챔버(110)의 프로세싱 영역(131)에서 진공 챔버 내부에 수직으로 배향될 때까지, 지지 바디를 일정 각도만큼 이동시킬 수 있거나 또는 지지 바디를 지지 바디 상에 포지셔닝된 기판과 함께 회전시킬 수 있다. 재료 증착 프로세스 동안, 모션 메커니즘은 기판과 함께 지지 바디를 병진시켜서, 기판을 갖는 지지 바디를 캐소드 어레이의 전방에서 스위핑한다. 일부 실시예들에서, 이러한 스위핑은 도 1에 도시된 평면 섹션에 직각으로 발생한다. 스위핑 병진 이동으로, 더 균일한 재료 증착이 획득되고, 무라의 존재가 최소화되거나 또는 감소된다.
[0042] 본 개시내용의 대안적인 실시예들에서, 모션 메커니즘은 모션 메커니즘의 구동 조립체의 추가적인 구현들을 포함할 수 있으며, 여기서, 하나, 둘 또는 그 초과의 구동부들이 사용될 수 있고, 병진 모션 및/또는 일정 각도만큼의 회전 모션이 진공 챔버 내부의 지지 바디에 전달될 수 있다.
[0043] 일부 실시예들에서, 스퍼터링이 완료될 때, 스위핑 병진 이동(210)은 정지되고, 기판을 갖는 지지 바디는 스퍼터링이 발생한 수직 배향으로부터 수평 배향으로 다시 회전된다. 이어서, 이러한 수평 배향으로부터, 프로세싱된 기판은 프로세싱 시스템의 다른 위치들로 이동될 수 있고, 특히, 진공 챔버 외부로 이동될 수 있다.
[0044] 대안적인 실시예들에서, 일정 각도(150)만큼의 이동은, 단지 회전이 아니라, 진공 챔버(110)의 프로세싱 영역(131)에서의 기판(190)의 더 우수한 포지셔닝을 위한 어떤 병진 컴포넌트도 또한 포함할 수 있다.
[0045] 본 개시내용의 일부 실시예들에서, 모션 메커니즘(200)의 구동 조립체는 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝된다. 모션 메커니즘의 구동 조립체가 지지 바디의 병진을 위한 제1 구동부(246) 및 일정 각도(150)만큼의 지지 바디의 이동을 위한 제2 구동부(244)를 포함하는 실시예들의 경우, 제1 구동부 및 제2 구동부는 또한 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝된다.
[0046] 일부 실시예들에서, 지지 바디(140)는 강체이다. 특히, 샤프트(142)는 고정된 그리고/또는 일정한 길이를 갖는 강체이다. 샤프트(142)는 프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시킬 수 있다. 지지 표면(144)은 특히 강체일 수 있다. 병진 이동과 일정 각도/회전 이동에 의한 이동 둘 모두는 구동 조립체(240)로부터 샤프트(142)에 의해 지지 바디(140)로 전달될 수 있다. 진공 챔버(110) 내부의 이동 부품들의 수 및 연장부 뿐만 아니라 진공 챔버(110) 내부의 이동 부품들 사이의 마찰이 감소되거나 또는 최소화된다. 마찰로 인해 마모되는 입자들/재료가 더 적게 진공 챔버(110) 내부에서 릴리스되고, 더 적은 오염으로 인해, 증착되는 재료의 층의 품질이 개선된다. 진공 챔버(110) 내부의 부품들의 양(amount)이 감소된다.
[0047] 일부 실시예들에 따르면, 가요성 인클로저(220)는, 진공 기밀 연결로 진공 챔버(110)의 벽에 연결되어, 샤프트(142)의 적어도 일부분을 둘러싼다. 이러한 가요성 인클로저(220)는, 진공 챔버(110) 내부에 진공(V)을 유지하는 동안, 샤프트(142)가 진공 챔버(110)의 벽들에 대해 병진 및 회전될 수 있게 한다.
[0048] 일부 실시예들에서, 가요성 인클로저(220)는 보상기 및/또는 벨로우(bellow)를 포함할 수 있다. 본원에서, 보상기는, 샤프트가 진공 챔버(110) 내의 진공의 손실 없이 진공 챔버(110) 외부로 연장될 수 있도록, 샤프트의 병진 및 회전 이동을 가능하게 할 수 있는 컴포넌트로서 의도된다.
[0049] 일부 실시예들에서, 지지 바디의 병진을 위한 제1 구동부(246)는, 예컨대 병진 이동(210)에 의해 샤프트 지지 엘리먼트들(230)을 이동시키도록 구성된다. 샤프트 지지 엘리먼트들(230)은 선형 가이드들(250) 상에 포지셔닝된 스윕 테이블들(260) 상에 포지셔닝될 수 있다. 일부 실시예들에서, 샤프트 지지 엘리먼트들(230)은 베어링들이다.
[0050] 일부 실시예들에서, 지지 바디의 병진을 위한 제1 구동부(246)는, 샤프트 지지 엘리먼트(230)와 함께 제2 구동부(244)를 이동시키도록 구성된다. 이러한 이동은, 특히, 기판(190)의 프로세싱 동안 지지 바디가 진공 챔버(110)의 프로세싱 영역(131)에 대해 포지셔닝될 때, 지지 바디(140)에 전달된다.
[0051] 증착 장치는, 프로세싱 영역(131)에 있는 기판(190) 상에 재료를 증착하도록 구성된 하나 이상의 증착 소스들(120)과 함께, 본 개시내용에 따른, 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100)를 포함한다.
[0052] 일부 실시예들에서, 증착 장치는 지지 바디(140)의 적어도 일부분과 하나 이상의 증착 소스들(120) 사이에 제1 에지 프레임(160)을 더 포함한다. 제1 에지 프레임(160)은 지지 바디(140)와 함께 병진가능할 수 있다. 에지 프레임은 프로세싱 영역(131) 외부에서의, 예컨대, 진공 챔버의 벽들, 지지 바디 또는 증착 소스 근처에서 제공되는 다른 엘리먼트들 상에서의 원하지 않는 재료 증착을 감소시키거나 또는 최소화하도록 구성된다.
[0053] 일부 실시예들에서, 증착 장치는 제1 에지 프레임(160)을 지지하도록 구성된, 진공 챔버 내부의 자기 부상 시스템(180)을 더 포함한다. 상기 자기 부상 시스템(180)으로, 감소된 마찰로 인해, 프로세싱 챔버를 오염시킬 수 있는 마모되는 입자들의 양이 추가로 감소된다. 제1 에지 프레임(160)은 지지 바디(140)와 함께 병진가능하도록 구성된다. 따라서, 제1 에지 프레임(160)은, 무라를 방지하거나 또는 최소화하기 위하여, 기판이 병진되고 있는 동안 기판 상으로의 재료 증착을 가능하게 하면서, 특히 진공 챔버(110) 내부의 부품들 상의 원하지 않는 재료 증착을 방지한다.
[0054] 일부 실시예들에서, 제1 에지 프레임(160)은 선형 가이드들의 사용으로 지지 바디와 함께 병진가능하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 제1 에지 프레임은 기계적으로 지지될 수 있다. 기계적 지지부는 선형 가이드, 예컨대, 볼 베어링들을 갖는 선형 가이드를 포함할 수 있다.
[0055] 일부 실시예들에서, 증착 장치는, 진공 챔버(110) 내에 정지되어 있고 제1 에지 프레임(160)과 하나 이상의 증착 소스(120) 사이에 적어도 부분적으로 제공된 제2 에지 프레임(170)을 더 포함한다. 제1 에지 프레임(160)은 병진 이동(210)에 의해 지지 바디(140)와 함께 병진할 수 있지만, 제2 에지 프레임(170)은 진공 챔버(110)에 대해 고정된다. 제2 에지 프레임(170)은 프로세싱 영역(131) 외부에서의 원하지 않는 재료 증착을 추가로 감소시키거나 최소화하도록 구성된다.
[0056] 일부 실시예들에서, 병진 이동(210)에 의한 병진은 지지 바디가 수직으로 배향될 때 발생한다. 제1 에지 프레임(160)은 진공 챔버 및/또는 프로세싱 시스템 내부의 원하지 않는 재료 증착을 방지할 수 있다. 그 반대로, 보호 유닛이 또한, 그렇지 않으면 프로세싱 챔버를 오염시킬 수 있는 입자들, 예컨대, 이동 부품들로 인한 마찰 또는 마모에 의해 유래하는 입자들로부터 프로세싱 챔버의 프로세싱 영역을 보호할 수 있다.
[0057] 일부 실시예들에서, 제1 에지 프레임(160)의 병진 이동(210)은 모션 메커니즘(200)의 구동 조립체(240)로부터 유래하며, 구동 조립체(240)는 특히 구동 조립체의 제1 구동부(246)로부터 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝된다. 병진 이동(210)은 구동 조립체(240)에 의해 그리고 특히 구동 조립체(240)의 제1 구동부(246)에 의해 지지 바디(140)로 그리고 특히 기판(190)을 지지하는 지지 표면(144)과 커플링된 샤프트(142)로 전달된다. 지지 바디(140)는 프로세싱 영역(131)에 대해 이동되는 동안 제1 에지 프레임(160)과 접촉할 수 있다. 지지 바디(140)가 제1 에지 프레임(160)과 접촉할 때, 지지 바디(140)의 병진 이동(210)이 에지 프레임(160)에 전달된다. 병진 이동(210)은, 임의의 기계적 연결에 의해, 예컨대, 제1 에지 프레임(160)의 표면들이 지지 바디(140)의 표면들과 접촉하게 될 때 이러한 제1 에지 프레임(160)의 표면들에 대한 수직항력(normal force)들에 의해 그리고/또는 마찰에 의해, 지지 바디(140)로부터 제1 에지 프레임(160)으로 전달될 수 있다. 지지 바디(140)가 프로세싱 영역(131)에 대해 포지셔닝될 때, 지지 바디(140)로부터 제1 에지 프레임(160)으로 병진 이동(210)을 더 효율적으로 전달하기 위하여 접촉 표면들 및 피처들이 제공될 수 있어서, 예컨대 제1 에지 프레임(160)은 부여된 병진 이동(210)에 따라 지지 바디(140)와 함께 효과적으로 병진할 수 있다.
[0058] 일부 실시예들에서, 하나 이상의 증착 소스들(120)은 선형 증착 소스들이며, 특히 수직 선형 증착 소스들일 수 있다.
[0059] 도 3은 본 개시내용에 따른, 하나 이상의 증착 장치들을 포함하는 프로세싱 시스템(300)을 개략적으로 도시한다. 하나 이상의 증착 장치들은 기판 상의 재료의 증착을 위해 의도되며, 본 개시내용에 따른, 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100), 및 프로세싱 영역에 있는 기판 상에 재료를 증착하도록 구성된 추가적인 하나 이상의 증착 소스들을 포함한다. 프로세싱 시스템(300)은 하나 이상의 증착 장치들에 커플링된 진공 이송 챔버(310)를 더 포함한다.
[0060] 기판을 이동시키기 위한 하나 이상의 장치들(100)은 모션 메커니즘(200)을 더 포함하며, 모션 메커니즘(200)의 구동 조립체(240)는 도 3에 개략적으로 도시된 바와 같은 장치(100)의 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝된다. 일부 실시예들에서, 복수의 장치들(100)이 본 개시내용에 따라 프로세싱 시스템(300)에 존재할 때, 복수의 장치들(100)은 모션 메커니즘들(200)의 적어도 일부 부분들을 공통으로 공유할 수 있는데, 예컨대, 병진 이동을 부여하기 위한 제1 구동부는, 프로세싱 시스템에 포함된, 기판을 이동시키기 위한 복수의 장치들의 복수의 지지 바디들에 상기 병진 이동을 부여할 수 있다. 일부 실시예들에서, 일정 각도만큼의 이동을 부여하기 위한 제2 구동부는, 프로세싱 시스템에 포함된, 기판을 이동시키기 위한 복수의 장치들의 복수의 지지 바디들에 상기 일정 각도만큼의 이동을 부여할 수 있다. 모션 메커니즘으로부터 그리고/또는 구동 조립체들로부터 기판을 이동시키기 위한 복수의 장치들의 복수의 지지 바디들로의 상기 병진 이동 및/또는 일정 각도만큼의 이동을 제공하기 위한 임의의 기계적 연결이 존재할 수 있다.
[0061] 도 3은 로드 락 챔버(320)를 추가로 도시한다. 진공 이송 챔버(310)는 하나 이상의 증착 장치들에 커플링된다. 진공 이송 챔버는 개구들을 통해 하나 이상의 진공 챔버들(110)로 기판들을 이동시킬 수 있다.
[0062] 일부 실시예들에서, 진공 프로세싱 시스템(300)은 기판들의 보관과 같은 특정 부가적인 기능들을 수행하도록 배열된 하나 이상의 지원 챔버들(340)을 포함할 수 있다. 프로세싱 시스템은, 대기압 하에서 또는 진공 조건들(A)이 아닐 경우 기판을 수용하고 이어서 진공 조건들(V) 하에서 진공 이송 챔버 내로 기판을 이송하도록 구성되는 하나 이상의 로드 락 챔버들(320)을 포함할 수 있다. 그 반대로, 로드 챔버는 또한, 진공 조건(V) 하에서 이송 챔버로부터 기판을 수용하고, 대기압 하에서 또는 진공 조건들(A)이 아닐 경우 상기 기판을 제공할 수 있다.
[0063] 기판이 프로세싱 시스템(300)의 진공 이송 챔버(310)로 이송되거나 또는 이러한 진공 이송 챔버(310)에 존재할 때, 로봇과 같은 메커니즘은 프로세싱 및/또는 보관을 위해 이송 챔버(310)에 인접한 진공 챔버들(110)로 기판을 이송하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 보관은 하나 이상의 지원 챔버들(340)에서 발생할 수 있다. 기판은, 로봇 등을 이용하여 개구들을 통해, 진공 이송 챔버(310)로부터 진공 챔버들(110)로 그리고/또는 지원 챔버들(340)로 이송된다.
[0064] 프로세싱 시스템(300)의 정상 동작 조건들에서, 로드 락 챔버들(320)을 제외하고, 프로세싱 시스템(300) 내부에 진공 조건(V)이 유지되며, 여기서, 진공 조건들(V)로부터 대기 조건들 또는 비-진공 조건들(A)로의 그리고 그 반대로의 변화는, 프로세싱 시스템(300)의 다른 부분들, 특히, 프로세싱 시스템(300)의 진공 챔버들(110), 진공 이송 챔버(310) 및/또는 지원 챔버들(340) 내의 진공(V)에 영향을 미치지 않으면서, 프로세싱 전에 또는 프로세싱 후에 기판을 삽입하고 그리고/또는 제거하기 위하여 가능하다.
[0065] 일부 실시예들에서, 기판들은 수평 포지션으로 로드 락 챔버(320)를 통해 프로세싱 시스템(300) 내로 도입되고, 프로세싱 시스템(300)의 진공 챔버들(110)에서의 프로세싱 전에 또는 이러한 프로세싱 후에 하나 이상의 지원 챔버들(340)에 일시적으로 수평으로 보관될 수 있다. 기판들은 하나 이상의 지원 챔버들(340)로부터 하나 이상의 진공 챔버들(110) 내로 그리고/또는 프로세싱 시스템(300)의 진공 챔버들(110) 사이에서 전후로 이송될 수 있다. 하나 이상의 진공 챔버들(110)에서, 기판은, 프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100)에 의해, 수평 포지션으로부터 재료 층의 증착을 위한 수직 포지션으로 일정 각도(150)만큼 이동된다. 프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 동일한 장치(100)는, 증착되는 재료의 가능하게는 균일한 층 ―이는 무라를 방지하거나 또는 감소시킴― 을 획득하기 위해, 재료 증착 동안 병진 이동(210)에 의해 기판을 스위핑한다. 증착 후에, 기판은 수평 포지션으로 다시 이송되고, 이어서, 프로세싱이 발생한 진공 챔버(110)로부터 진공 이송 챔버(310) 내로 다시 이동된다. 기판은 지원 챔버(340) 내로 그리고/또는 로드 락 챔버(320) 내로 이송될 수 있고, 로드 락 챔버(320)에서, 기판은 비-진공 조건들 또는 대기 조건들(A)로 다시 이송될 수 있다.
[0066] 일부 실시예들에서, 기판은 진공 챔버(110)로부터 그리고/또는 로드 락 챔버(320)로부터 적어도 하나의 지원 챔버(340) 내로 수평 배향으로 이동된다.
[0067] 본 개시내용의 일부 실시예들에서, 프로세싱 시스템(300)은 이송 챔버(310)에 연결된 로드 락 챔버(320)를 더 포함한다.
[0068] 본 발명의 실시예들은 또 추가적인 실시예들로 실현될 수 있는 것으로 의도된다. 예컨대, 수직 배향을 수평 배향으로 순서를 바꾸는 것(permute)이 가능할 수 있으며, 그 반대의 경우도 마찬가지이다. 추가로, 대기압 또는 대기 조건은, 프로세싱 시스템 또는 진공 챔버에서 기판을 프로세싱하기 위해 사용되는 진공 압력 또는 진공 조건과 상이한 임의의 압력/조건일 수 있다.
[0069] 전술된 내용이 본 개시내용의 구현들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 구현들이 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100)로서,
    진공 챔버(110),
    상기 진공 챔버(110) 내에 상기 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디(140), 및
    상기 지지 바디(140)를 병진시키고 일정 각도(150)만큼 상기 지지 바디(140)를 이동시키도록 상기 지지 바디(140)에 커플링된 모션 메커니즘(200)
    을 포함하며,
    상기 모션 메커니즘(200)의 구동 조립체(240)는 상기 진공 챔버(110) 외부에 포지셔닝되는,
    프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100).
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 구동 조립체는,
    상기 지지 바디(140)의 병진을 위한 제1 구동부(246); 및
    상기 일정 각도(150)만큼의 상기 지지 바디(140)의 이동을 위한 제2 구동부(244)
    를 포함하는,
    프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100).
  3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 지지 바디(140)는,
    지지 표면(144); 및
    상기 지지 표면에 커플링된 샤프트(142)
    를 포함하며,
    상기 샤프트는 상기 진공 챔버(110) 외부로 연장되는,
    프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100).
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 지지 표면(144)에 커플링된 상기 샤프트(142)는 강체이고, 상기 샤프트는 상기 제1 구동부(246)에 의한 병진 이동(210)에 의해 병진되고, 상기 제2 구동부(244)에 의해 일정 각도(150)만큼 이동되는,
    프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100).
  5. 제3 항 또는 제4 항에 있어서,
    진공 기밀(vacuum tight) 연결로 상기 진공 챔버(110)의 벽에 연결된, 상기 샤프트(142)의 적어도 일부분을 둘러싸는 가요성 인클로저(220)를 더 포함하는,
    프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100).
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 가요성 인클로저(220)는 보상기 및 벨로우(bellow) 중 적어도 하나를 포함하는,
    프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100).
  7. 제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 바디의 병진을 위한 상기 제1 구동부(246)는 하나 이상의 샤프트 지지 엘리먼트들(230)을 이동시키도록 구성되는,
    프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100).
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 지지 바디(140)의 병진을 위한 상기 제1 구동부(246)는, 상기 샤프트 지지 엘리먼트(230)와 함께 상기 제2 구동부(244)를 이동시키도록 구성되는,
    프로세싱 영역(131)에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치(100).
  9. 기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 장치로서,
    제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 따른, 프로세싱 영역에 대해 기판을 이동시키기 위한 장치; 및
    상기 프로세싱 영역(131)에 있는 상기 기판 상에 재료를 증착하도록 구성된 하나 이상의 증착 소스들(120)
    을 포함하는,
    기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 지지 바디의 적어도 일부분과 상기 하나 이상의 증착 소스들(120) 사이의 제1 에지 프레임(160)을 더 포함하며, 상기 제1 에지 프레임(160)은 상기 지지 바디(140)와 함께 병진가능한,
    기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 에지 프레임(160)을 지지하도록 구성된, 상기 진공 챔버(110) 내부의 자기 부상 시스템(180)을 더 포함하는,
    기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 장치.
  12. 제9 항 내지 제11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공 챔버(110) 내에 정지되어 있고, 상기 제1 에지 프레임(160)과 상기 증착 소스(120) 사이에 적어도 부분적으로 제공된 제2 에지 프레임(170)을 더 포함하는,
    기판 상에 재료를 증착하기 위한 증착 장치.
  13. 프로세싱 시스템(300)으로서,
    제9 항 내지 제12 항 중 어느 한 항에 따른 하나 이상의 증착 장치들; 및
    상기 하나 이상의 증착 장치들에 커플링된 이송 챔버(310)
    를 포함하는,
    프로세싱 시스템(300).
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 이송 챔버(310)에 연결된 로드 락 챔버(320)를 더 포함하는,
    프로세싱 시스템(300).
  15. 제13 항 또는 제14 항에 있어서,
    하나 이상의 지원 챔버들(340)을 더 포함하는,
    프로세싱 시스템(300).
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