KR20190005929A - 진공 처리를 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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KR20190005929A
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KR1020187035309A
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마르쿠스 하니카
올리버 그라우
토마스 베르거
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판(10)의 진공 처리를 위한 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판(10)이 이송 경로(20)를 따라 처리 영역(110)을 통해 이동되는 동안, 처리 영역(110)에 제공된 이온 에칭 소스(130)를 사용하여 기판 표면(11) 또는 기판(10) 상의 제1 재료 층의 표면에 이온들을 조사하는 단계, 이송 경로(20)를 따라 기판(10)을 증착 영역(120)으로 이동시키는 단계, 및 기판(10)이 고정되어 있는 동안 기판 표면(11) 위에 또는 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하는 단계를 포함한다.

Description

진공 처리를 위한 방법 및 장치
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 기판의 진공 처리를 위한 방법 및 기판의 진공 처리를 위한 장치에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 특히, 물리 기상 증착, 예를 들어 디스플레이 디바이스들의 제조에 사용되는 스퍼터 증착을 위한 방법들 및 장치들에 관한 것이다.
[0002] 기판 상에서의 층 증착을 위한 기술들은 예를 들어, 스퍼터 증착, 열 증발 및 화학 기상 증착(CVD: chemical vapor deposition)을 포함한다. 스퍼터 증착 프로세스는 기판 상에 전도성 재료 층과 같은 재료 층을 증착하는 데 사용될 수 있다. 기판 캐리어들 상에 제공된 기판들은 처리 시스템을 통해 이송될 수 있다. 기판 상에서 다수의 처리 측정들을 수행하기 위해, 처리 모듈들의 인라인(in-line) 배열이 사용될 수 있다. 인라인 처리 시스템은 다수의 후속 처리 모듈을 포함하며, 여기서 처리 측정들은 하나의 처리 모듈에서 수행되고, 이후 다른 처리 모듈에서 잇따라 수행된다. 금속들의 산화물들, 질화물들 또는 탄화물들을 또한 포함하여, 금속들과 같은 복수의 재료들이 기판 상에 증착을 위해 사용될 수 있다. 코팅된 재료들은 여러 애플리케이션들 및 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 디스플레이들을 위한 기판들은 흔히, 예컨대 스퍼터링 프로세스와 같은 물리 기상 증착(PVD: physical vapor deposition) 프로세스에 의해 코팅되어 기판 상에 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)들을 형성한다.
[0003] 새로운 디스플레이 기술들의 개발 및 보다 큰 디스플레이 크기들로의 경향에 따라, 예컨대 전기적 특성들에 대해 개선된 성능을 제공하는 디스플레이들에 사용되는 층들 또는 층 시스템들에 대한 계속되는 요구가 있다. 일례로, 전도성 층들 사이의 낮은 접촉 저항이 유리할 수 있다. 전도성 층들 사이의 접촉 계면에서의 산화된 재료는 접촉 저항을 증가시킬 수 있어, 제조된 디스플레이의 품질을 저하시킬 수 있다.
[0004] 위의 내용을 고려하여, 당해 기술분야의 문제점들 중 적어도 일부를 극복하는, 기판의 진공 처리를 위한 새로운 방법들 및 기판의 진공 처리를 위한 장치들이 유리하다. 구체적으로, 전도성 층들 간의 감소된 접촉 저항을 가능하게 하는 방법들 및 장치들이 유리하다.
[0005] 위의 내용을 고려하여, 기판의 진공 처리를 위한 방법 및 기판의 진공 처리를 위한 장치가 제공된다. 본 개시내용의 추가 양상들, 이점들 및 특징들은 청구항들, 상세한 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다.
[0006] 본 개시내용의 한 양상에 따르면, 기판의 진공 처리를 위한 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판이 이송 경로를 따라 처리 영역을 통해 이동되는 동안, 처리 영역에 제공된 이온 에칭 소스를 사용하여 기판 표면 또는 기판 상의 제1 재료 층의 표면에 이온들을 조사(irradiate)하는 단계, 이송 경로를 따라 기판을 증착 영역으로 이동시키는 단계, 및 기판이 고정되어 있는 동안 기판 표면 위에 또는 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하는 단계를 포함한다.
[0007] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, 기판의 진공 처리를 위한 방법이 제공된다. 이 방법은, 처리 영역에 제공된 이온 에칭 소스를 이송 경로 상에 제공된 기판에 대해 이동시키는 단계, 이온 에칭 소스가 이동되고 있는 동안, 이온 에칭 소스에 의해 제공된 이온들을 기판 표면 또는 기판 상의 제1 재료 층의 표면에 조사하는 단계, 이송 경로를 따라 기판을 증착 영역으로 이동시키는 단계, 및 기판 표면 위에 또는 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하는 단계를 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 한 양상에 따르면, 기판의 진공 처리를 위한 장치가 제공된다. 이 장치는, 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 갖는 적어도 하나의 처리 영역, 하나 또는 그보다 많은 증착 소스들을 갖는 적어도 하나의 증착 영역, 및 적어도 하나의 처리 영역 및 적어도 하나의 증착 영역을 통해 연장되는 이송 경로를 포함한다. 이 장치는, 기판이 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 통과하는 동안, 적어도 하나의 이온 에칭 소스에 의해 제공된 이온들을 기판 표면 또는 기판 상의 제1 재료 층의 표면에 조사하도록 구성된다. 이 장치는, 기판이 고정되어 있는 동안 기판 표면 위에 또는 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하도록 구성된다.
[0009] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, 기판의 진공 처리를 위한 장치가 제공된다. 이 장치는, 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 갖는 적어도 하나의 처리 영역, 하나 또는 그보다 많은 증착 소스들을 갖는 적어도 하나의 증착 영역, 적어도 하나의 처리 영역 및 적어도 하나의 증착 영역을 통해 연장되는 이송 경로, 및 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 이송 경로에 대해 이동시키도록 구성된 드라이브를 포함한다.
[0010] 실시예들은 또한, 개시되는 방법들을 실행하기 위한 장치들에 관한 것이며, 기술되는 각각의 방법 양상을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법 양상들은 하드웨어 컴포넌트들, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이 둘의 임의의 결합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 더욱이, 본 개시내용에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들은 장치의 모든 각각의 기능을 실행하기 위한 방법 양상들을 포함한다.
[0011] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관련되며 다음에 설명된다.
도 1은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
도 2는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 장치의 개략도를 도시한다.
도 3은 본 명세서에서 설명되는 추가 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 장치의 개략도를 도시한다.
도 4는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 장치의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 5는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 장치의 개략도를 도시한다.
도 6은 본 명세서에서 설명되는 추가 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 장치의 개략도를 도시한다.
도 7은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 갖는 디스플레이의 단면의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0012] 이제 본 개시내용의 다양한 실시예들에 대해 상세히 언급될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 또는 그보다 많은 예들은 도면들에 예시된다. 도면들의 다음 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개개의 실시예들에 관한 차이점들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로 제공되며 본 개시내용의 제한으로 여겨지는 것은 아니다. 또한, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 설명되는 특징들은 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용되어 또 추가 실시예를 야기할 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0013] 새로운 디스플레이 기술들의 개발 및 보다 큰 디스플레이 크기들로의 경향에 따라, 예컨대 전기적 특성들에 대해 개선된 성능을 제공하는 디스플레이들에 사용되는 층들 또는 층 시스템들에 대한 계속되는 요구가 있다. 일례로, 층들 사이의 낮은 접촉 저항이 유리할 수 있다. 구체적으로, 층들 사이의 낮은 접촉 저항을 제공하기 위해 층들의 접촉 계면에서 금속 산화물들과 같은 산화물들의 발생은 최소화되거나 심지어 회피되어야 한다.
[0014] 본 개시내용에 따르면, 선형 이온 에칭 소스와 같은 이온 에칭 소스는 기판 표면 또는 기판 상의 제1 재료 층의 표면으로부터 산화된 재료를 제거하는 데 사용된다. 산화된 재료가 제거되었을 때, 기판 표면 상에 또는 기판 또는 제1 재료 층 상에 적어도 하나의 제2 재료 층이 증착된다. 제1 재료 층 및 적어도 하나의 제2 재료 층은 전도성 층들일 수 있다. 일례로, 전도성 층들은 금속 층들 및 인듐 주석 산화물(ITO: indium tin oxide) 층들로부터 선택될 수 있다. 적어도 하나의 제2 재료 층의 증착 및 이온 에칭 소스를 사용하는 에칭 프로세스는 진공 파괴 없이 수행될 수 있다. 구체적으로는, 기판 또는 제1 재료 층과 제2 재료 층 사이의 접촉 계면에 감소된 양의 산화된 재료가 존재하거나 심지어 산화된 재료가 존재하지 않기 때문에, 기판 또는 제1 재료 층과 제2 재료 층 사이의 접촉 저항이 감소될 수 있다. 본 개시내용은 기판 표면 또는 기판 상의 제1 재료 층의 표면으로부터 산화된 재료를 제거하는 것으로 한정되는 것은 아니라고 이해되어야 한다. 본 명세서에서 설명되는 실시예들, 그리고 특히 이온 에칭 소스는 다른 표면 처리 프로세스들, 예컨대 기판 또는 기판 상의 재료 층으로부터 다른 재료들 또는 재료 층들의 제거에 사용될 수 있다.
[0015] 도 1은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
[0016] 본 개시내용의 한 양상에 따르면, 이 방법은 블록(1100)에서, 기판이 이송 경로를 따라 처리 영역을 통해 이동되는 동안, 처리 영역에 제공된 이온 에칭 소스를 사용하여 기판 표면 또는 기판 상의 제1 재료 층의 표면에 이온들을 조사하는 단계를 포함한다. 이 방법은 블록(1200)에서, 이송 경로를 따라 기판을 증착 영역으로 이동시키는 단계, 및 블록(1300)에서, 기판이 고정되어 있는 동안 기판 표면 위에 또는 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하는 단계를 포함한다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이온 에칭 소스는 선형 이온 에칭 소스이다.
[0017] 일부 구현들에서, 이 방법은 기판 표면 위에 제1 재료 층을 증착하는 단계를 더 포함한다. 구체적으로, 제1 재료 층은 이온 에칭 소스를 사용하는 에칭 프로세스가 수행되기 전에 증착될 수 있다. 산화된 재료는 적어도 하나의 제2 재료 층이 증착되기 전에 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면으로부터 제거될 수 있고, 적어도 하나의 제2 재료 층과 기판 또는 제1 재료 층 사이의 접촉 계면에서의 접촉 저항이 개선될 수 있다.
[0018] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이 방법은 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면의 조사에 사용된 이온 에칭 소스를 사용하여, 또는 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면의 조사에 사용된 이온 에칭 소스와 유사하게 또는 동일하게 구성된 다른 이온 에칭 소스로 적어도 하나의 제2 재료 층의 표면에 이온들을 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0019] 일례로, 본 개시내용의 방법은, (ⅰ) 제1 재료 층의 증착, 제1 재료 층의 표면 조사(에칭) 및 적어도 하나의 제2 재료 층의 증착; (ⅱ) 기판 표면의 조사(에칭) 및 기판 표면 상의 적어도 하나의(제2) 재료 층의 증착; (ⅲ) 기판 표면의 조사(에칭) 및 2개 또는 그보다 많은(제2) 재료 층들(즉, 적어도 하나의 제2 재료 층은 2개 또는 그보다 많은 제2 재료 층들을 포함할 수 있음)의 증착; (ⅳ) 제1 재료 층의 증착, 제1 재료 층의 조사(에칭), 적어도 하나의 제2 재료 층의 증착, 및 제2 재료 층의 조사(에칭)와 같은 프로세스 시퀀스들을 포함할 수 있다.
[0020] 일부 구현들에서, 적어도 하나의 제2 재료 층은 2개 또는 그보다 많은 제2 재료 층들을 포함한다. 2개 또는 그보다 많은 제2 재료 층들은 동일한 또는 서로 다른 재료들로 만들어질 수 있다. 일례로, 2개 또는 그보다 많은 제2 재료 층들 중 하나의 제2 재료 층에는, 2개 또는 그보다 많은 제2 재료 층들 중 다른 제2 재료 층이 그 위에 증착되기 전에 이온 에칭 소스를 사용하여 이온들이 조사될 수 있다.
[0021] 처리 영역 및 증착 영역은 진공 처리 시스템의 진공 챔버 내의 영역들일 수 있다. 다른 구현들에서, 처리 영역 및 증착 영역은 서로 연결된 서로 다른 진공 챔버들에 의해 제공될 수 있다. 처리 영역 및 증착 영역은 예를 들어, 잠금 장치(lock)들, 밸브들 및 분리 디바이스들, 이를테면 가스 분리 실딩(shielding) 중 적어도 하나를 사용하여 서로 분리될 수 있다. 처리 영역 및 증착 영역은 도 2 - 도 6을 참조하여 더 설명될 것이다.
[0022] 일부 실시예들에 따르면, 이 방법은 동적 에칭 프로세스와 고정 또는 정적 증착 프로세스의 결합을 제공한다. 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 "고정" 및 "정적"이라는 용어들은, 기판이 증착 영역에 제공된 증착 소스들 및/또는 진공 챔버에 대해 실질적으로 이동하고 있지 않다는 의미로 이해될 수 있다.
[0023] 구체적으로, 증착 프로세스는 예컨대, 디스플레이 처리를 위한 정적 증착 프로세스일 수 있다. 동적 증착 프로세스들과는 다른 "정적 증착 프로세스들"은 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 인식되는 바와 같이, 기판의 어떠한 움직임도 배제하지 않는다는 점이 주목되어야 한다. 정적 증착 프로세스는 예를 들어, 다음: 증착 동안의 정적 기판 위치; 증착 동안의 진동하는 기판 위치; 증착 동안 기본적으로 일정한 평균 기판 위치; 증착 동안의 디더링 기판 위치; 증착 동안의 흔들리는(wobbling) 기판 위치; 하나의 진공 챔버에 캐소드들이 제공되는, 즉 진공 챔버에 미리 결정된 세트의 캐소드들이 제공되는 증착 프로세스; 예컨대, 층의 증착 동안 진공 챔버를 인접한 챔버로부터 분리하는 밸브 유닛들을 폐쇄함으로써 진공 챔버가 인근 챔버들에 대해 밀폐된 분위기를 갖는 기판 위치; 또는 이들의 결합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 정적 증착 프로세스는 정적 위치를 갖는 증착 프로세스, 기본적으로 정적 위치를 갖는 증착 프로세스, 또는 기판의 부분적 정적 위치를 갖는 증착 프로세스로서 이해될 수 있다. 이를 고려하여, 정적 증착 프로세스는, 어떤 경우들에는 기판 위치가 증착 동안 어떠한 움직임도 완전히 없지는 않을 수 있지만, 그럼에도 이는 동적 증착 프로세스와 구별될 수 있다.
[0024] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이온 에칭 소스는 예를 들어, 기판 표면 및/또는 제1 재료 층의 표면에 이온들이 조사되는 동안 이동하고 있거나 고정되어 있을 수 있다.
[0025] 일부 구현들에서, 기판이 이송 경로를 따라 이송되는 동안 이온 에칭 소스는 이송 경로에 대해 이동하고 있을 수 있다. 일례로, 이 방법은 이온 에칭 소스가 이동되는 동안 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면에 이온들을 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면에 이온 에칭 소스에 의해 제공된 이온들이 조사되는 동안 기판과 이온 에칭 소스 모두가 이동하고 있을 수 있다. 기판과 이온 에칭 소스 모두를 이동시키는 것은 빠른 에칭 프로세스를 가능하게 한다.
[0026] 다른 구현들에서, 이온 에칭 소스는 기판이 이온 에칭 소스를 통과하는 동안 고정될 수 있다. 일례로, 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면에 이온 에칭 소스로부터의 이온들이 조사되는 동안 이온 에칭 소스는 고정될 수 있다. 고정된 이온 에칭 소스는 장치의 간단한 구성을 가능하게 한다.
[0027] 본 개시내용의 추가 양상에 따르면, 기판의 진공 처리를 위한 방법은, 처리 영역에 제공된 이온 에칭 소스를 이송 경로 상에 제공된 기판에 대해 이동시키는 단계, 이온 에칭 소스가 이동되고 있는 동안, 이온 에칭 소스에 의해 제공된 이온들을 기판 표면 또는 기판 상의 제1 재료 층의 표면에 조사하는 단계, 이송 경로를 따라 기판을 증착 영역으로 이동시키는 단계, 및 기판 표면 위에 또는 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하는 단계를 포함한다.
[0028] 일부 구현들에서, 이 방법은 기판 표면 위에 제1 재료 층을 증착하는 단계를 더 포함한다. 구체적으로, 제1 재료 층은 이온 에칭 소스를 사용하는 에칭 프로세스가 수행되기 전에 증착될 수 있다. 산화된 재료는 적어도 하나의 제2 재료 층이 증착되기 전에 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면으로부터 제거될 수 있고, 적어도 하나의 제2 재료 층과 기판 또는 제1 재료 층 사이의 계면에서의 접촉 저항이 개선될 수 있다.
[0029] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이온 에칭 소스를 이동시키는 단계는 이송 경로에 평행한 제1 방향 및 이송 경로에 수직인 제2 방향 중 적어도 한 방향으로 이동시키는 단계를 포함한다. 일례로, 제1 방향은 수평 방향일 수 있고 그리고/또는 제2 방향은 수직 방향일 수 있다. 선형 이온 에칭 소스와 같은 이온 에칭 소스는 예를 들어, 기판 표면 위에서 수직으로 그리고/또는 수평으로 스캔되어 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면으로부터 산화된 재료를 제거할 수 있다. 이온 에칭 소스의 제1 방향 및 제2 방향으로의 이동은 에칭 프로세스의 효율을 향상시킬 수 있다.
[0030] "수직 방향"이라는 용어는 "수평 방향"과 구별되는 것으로 이해된다. 즉, "수직 방향"은 이온 에칭 소스의 실질적으로 수직 이동에 관련되며, 여기서 정확한 수직 방향 또는 수직 이동으로부터 몇 도, 예컨대 최대 10° 또는 심지어 최대 30°의 편차가 여전히 "실질적으로 수직 방향" 또는 "실질적으로 수직 이동"으로 간주된다. 수직 방향은 중력에 실질적으로 평행할 수 있다. 마찬가지로, "수평 방향"은 이온 에칭 소스의 실질적으로 수평 이동에 관련되며, 여기서 정확한 수평 방향 또는 수평 이동으로부터 몇 도, 예컨대 최대 10° 또는 심지어 최대 30°의 편차가 여전히 "실질적으로 수평 방향" 또는 "실질적으로 수평 이동"으로 간주된다.
[0031] 일부 실시예들에서, 이온 에칭 소스는 제1 방향 및 제2 방향으로 순차적으로 또는 동시에 이동된다. 이온 에칭 소스는 제1 방향 및 제2 방향에 걸쳐 있는 평면에서 연속 또는 불연속 이동 경로를 따라 이동할 수 있다. 일례로, 이온 에칭 소스가 제1 방향 및 제2 방향으로 동시에 이동될 때, 이온 에칭 소스는 연속 이동 경로를 따라 이동할 수 있다. 이온 에칭 소스가 제1 방향 및 제2 방향으로 순차적으로 이동될 때, 이온 에칭 소스는 불연속 이동 경로를 따라 이동할 수 있다.
[0032] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이온 에칭 소스의 동작은 이송 경로 상의 기판의 위치에 기초한다. 구체적으로, 이온 에칭 소스의 온/오프 모드는 기판의 이동 및/또는 위치에 의해 트리거될 수 있다. 일례로, 기판이 처리 영역으로 들어갈 때, 이온 에칭 소스가 온 전환될 수 있다. 기판이 처리 영역을 벗어나 예를 들어, 증착 영역으로 들어갈 때, 이온 에칭 소스는 오프 전환될 수 있다. 일부 구현들에서, 기판이 처리 영역을 통해 이동하는 동안 이온 에칭 소스는 반복적으로 온 및 오프 전환될 수 있다.
[0033] 일부 구현들에서는, 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면에 이온들이 조사되는 동안 기판이 이동하고 있거나 고정되어 있을 수 있다. 일례로, 이 방법은 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면에 이온들이 조사되는 동안 이송 경로를 따라 기판을 이동시키는 단계를 더 포함한다. 구체적으로, 에칭 프로세스 동안 이온 에칭 소스와 기판 모두가 이동하고 있을 수 있다. 이온 에칭 소스와 기판 모두를 이동시키는 것은 에칭 프로세스의 프로세스 시간을 단축시킬 수 있다. 장치의 스루풋이 향상될 수 있다.
[0034] 다른 예들에서, 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면에 이온들을 조사하기 위해 이온 에칭 소스가 이송 경로에 대해 이동하는 동안 기판은 이송 경로 상에 고정 위치될 수 있다. 기판을 고정 상태로 유지하는 것은 에칭 프로세스의 프로세스 시간의 탄력적 선택을 가능하게 한다. 구체적으로, 프로세스 시간은 실질적으로 산화된 전체 재료가 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면으로부터 제거되도록 선택될 수 있다.
[0035] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이온들의 조사 및 제1 재료 층 및/또는 적어도 하나의 제2 재료 층의 증착 중 적어도 하나 동안, 이송 경로에 따른 기판의 이동 속도 및/또는 이온 에칭 소스의 이동 속도는 실질적으로 일정하다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가 실시예들에 따르면, 이온들의 조사 및 제1 재료 층 및/또는 적어도 하나의 제2 재료 층의 증착 중 적어도 하나 동안, 이송 경로에 따른 기판의 이동 속도 및/또는 이온 에칭 소스의 이동 속도가 달라지거나 변경될 수 있다(즉, 불균일한 이동 속도가 제공될 수 있다). 일례로, 기판에서의 국소적인 에칭률 변화들을 제공하기 위해 이온들의 조사 동안 이송 경로에 따른 기판의 이동 속도 및/또는 이온 에칭 소스의 이동 속도가 달라지거나 변경될 수 있다.
[0036] 일부 실시예들에서는, 기판이 고정되어 있는 동안 기판 표면 위에 또는 제1 재료 층의 표면 위에 제2 재료 층이 증착된다. 구체적으로, 증착 프로세스는 고정 또는 정적 증착 프로세스일 수 있다. 추가 실시예들에서는, 기판이 이송 경로를 따라 증착 영역을 통해 이동되는 동안 기판 표면 위에 또는 제1 재료 층 위에 제2 재료 층이 증착된다. 구체적으로, 증착 프로세스는 동적 증착 프로세스일 수 있다.
[0037] "위에"라는 용어, 즉 하나의 층이 다른 층 위에 있다고 언급될 때, 기판에서부터 시작하여, 기판 위에 제1 재료 층이 증착되고, 제1 재료 층 다음에 증착된 제2 재료 층은 이에 따라 제1 층 위에 그리고 기판 위에 있다고 이해된다. 즉, "위에"라는 용어는 시작점이 기판인 층들, 층 스택들 및/또는 막들의 순서를 정하는 데 사용된다. 이는 층 스택이 뒤집힌 것으로 간주되는지 여부와 관계가 없다.
[0038] "위에"라는 용어는 기판과 제1 재료 층 사이에 그리고/또는 제1 재료 층과 제2 재료 층 사이에 하나 또는 그보다 많은 추가 재료 층들이 제공되는 실시예들을 포함할 것이다. 즉, 제1 재료 층은 기판 상에 직접 배치되지 않고 그리고/또는 제2 재료 층은 제1 재료 층 상에 직접 배치되지 않는다. 그러나 본 개시내용은 이에 한정되지 않으며, "위에"라는 용어는 기판과 제1 재료 층 사이에 그리고/또는 제1 재료 층과 제2 재료 층 사이에 추가 재료 층들이 제공되지 않는 실시예들을 포함할 것이다. 즉, 제1 재료 층은 기판 상에 직접 배치될 수 있고 기판과 직접 접촉할 수 있다. 제2 재료 층은 제1 재료 층 상에 직접 배치될 수 있고 제1 재료 층과 직접 접촉할 수 있다.
[0039] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제1 재료 층 및 제2 재료 층 중 적어도 하나는 전도성 층일 수 있다. 일례로, 제1 재료 층은 제1 전도성 층일 수 있고, 제2 재료 층은 제2 전도성 층일 수 있다. 일례로, 제1 재료 층 및/또는 제2 재료 층의 재료는 금속, 금속 합금, 티타늄, 알루미늄, 인듐 주석 산화물(ITO), 및 이들의 임의의 결합으로 구성된 그룹으로부터 선택된다.
[0040] 일부 실시예들에서, 제1 재료 층은 디스플레이 TFT의 소스를 제공할 수 있고, 그리고/또는 제2 재료 층은 디스플레이의 화소 전극을 제공할 수 있다. 일례로, 제1 재료 층은 티타늄, 알루미늄, 및 이들의 임의의 결합을 포함하는 금속 또는 금속 합금으로 만들어질 수 있다. 제2 재료 층은 인듐 주석 산화물(ITO)로 만들어질 수 있다. TFT는 도 7을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이다.
[0041] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판은 이송 경로를 따라 실질적으로 수직 배향으로 이송된다. 일례로, 기판이 실질적으로 수직 배향인 동안 기판 표면 또는 제1 재료 층의 표면에 이온들이 조사된다. 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "실질적으로 수직"은 특히, 기판 배향을 언급할 때, ±20° 또는 그 미만의, 예컨대 ±10° 또는 그 미만의 수직 방향 또는 배향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 예를 들어, 수직 배향으로부터의 약간의 편차를 갖는 기판 지지부가 보다 안정한 기판 위치를 야기할 수도 있기 때문에 이러한 편차가 제공될 수 있다. 그러나 예컨대, 에칭 프로세스 및/또는 증착 프로세스 동안의 기판 배향은 실질적으로 수직인 것으로 간주되는데, 이는 수평 기판 배향과는 다른 것으로 간주된다.
[0042] 본 명세서에서 사용되는 "기판"이라는 용어는 통상적으로 디스플레이 제조에 사용되는 기판들을 포함한다. 기판들은 대면적 기판들일 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 설명되는 기판들은 액정 디스플레이(LCD: Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등에 통상적으로 사용되는 기판들을 포함할 것이다. 예컨대, 대면적 기판은 약 0.67㎡ 기판들(0.73m × 0.92m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4㎡ 기판들(1.1m × 1.3m)에 대응하는 GEN 5, 약 2.8㎡ 기판들(1.85m × 1.5m)에 대응하는 GEN 6, 약 4.29㎡ 기판들(1.95m × 2.2m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7㎡ 기판들(2.2m × 2.5m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 약 8.7㎡ 기판들(2.85m × 3.05m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. 훨씬 더 큰 세대들, 이를테면 GEN 11 및 GEN 12 그리고 대응하는 기판 면적들도 유사하게 구현될 수 있다.
[0043] 본 명세서에서 사용되는 "기판"이라는 용어는 특히, 실질적으로 가요성이 없는 기판들, 예컨대 웨이퍼, 사파이어 등과 같은 투명한 결정 슬라이스들, 또는 유리판을 포함할 것이다. 특히, 기판들은 유리 기판들 및/또는 투명 기판들일 수 있다. 그러나 본 개시내용은 이에 한정되지 않으며 "기판"이라는 용어는 또한 웨브(web) 또는 포일(foil)과 같은 가요성 기판들을 포함할 수 있다. "실질적으로 가요성이 없는"이라는 용어는 "가요성 있는"과 구별되는 것으로 이해된다. 구체적으로, 실질적으로 가요성이 없는 기판, 예컨대 0.5㎜ 또는 그 미만의 두께를 갖는 유리판이 일정 정도의 가요성을 가질 수 있는데, 실질적으로 가요성이 없는 기판의 가요성은 가요성 기판들과 비교하여 작다.
[0044] 본 명세서에 설명되는 실시예들에 따르면, 기판의 진공 처리를 위한 방법은 컴퓨터 프로그램들, 소프트웨어, 컴퓨터 소프트웨어 제품들 및 상호 관련된 제어기들을 사용하여 수행될 수 있는데, 이들은 장치의 대응하는 컴포넌트들과 통신하는 CPU, 메모리, 사용자 인터페이스 및 입출력 디바이스들을 가질 수 있다.
[0045] 도 2는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판(10)의 진공 처리를 위한 장치(100)의 개략도를 도시한다.
[0046] 본 개시내용의 한 양상에 따르면, 이 장치(100)는, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)와 같은 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 갖는 적어도 하나의 처리 영역(110), 하나 또는 그보다 많은 증착 소스들(140)을 갖는 적어도 하나의 증착 영역(120), 및 적어도 하나의 처리 영역(110) 및 적어도 하나의 증착 영역(120)을 통해 연장되는 이송 경로(20)를 포함한다. 이 장치(100)는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 방법을 수행하도록 구성될 수 있다. 다음에, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)가 예시적으로 설명된다. 그러나 본 개시내용은 이에 한정되지 않으며, 다른 기하학적 구조들 또는 타입들의 이온 에칭 소스들이 사용될 수 있다고 이해되어야 한다.
[0047] 이 장치(100)는 기판(10)을 지지하도록 구성된 기판 캐리어(30)를 포함할 수 있다. 위에 위치된 기판(10)을 갖는 기판 캐리어(30)는 이송 경로(20)를 따라 이송될 수 있다. 기판 캐리어(30)는 예를 들어, 플레이트 또는 프레임에 의해 제공되는 지지면을 사용하여 기판(10)을 지지하도록 구성된 플레이트 또는 프레임을 포함할 수 있다. 선택적으로, 기판 캐리어(30)는 플레이트 또는 프레임에서 기판(10)을 홀딩하도록 구성된 (도시되지 않은) 하나 또는 그보다 많은 홀딩 디바이스들을 포함할 수 있다. 하나 또는 그보다 많은 홀딩 디바이스들은 기계적 클램프 및/또는 자기적 클램프 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[0048] 일부 구현들에서, 기판 캐리어(30)는 정전 척(E-척)을 포함하거나 정전 척이다. E-척은 그 위에 기판을 지지하기 위한 지지면을 가질 수 있다. 일 실시예에서, E-척은 내부에 매립된 전극들을 갖는 유전체를 포함한다. 유전체는 유전체 재료, 바람직하게는 열분해(pyrolytic) 붕소 질화물, 알루미늄 질화물, 실리콘 질화물, 알루미나 또는 동등한 재료와 같은 높은 열 전도성의 유전체 재료로 제작될 수 있고; 또는 유전체는 폴리이미드와 같이 매우 얇지만 열 전도성이 적은 재료로 제작될 수 있다. 전극들은 척킹력(chucking force)을 제어하도록 전극들에 전력을 제공하는 전원에 결합될 수 있다. 척킹력은 지지면 상에 기판을 고정시키기 위해 기판에 작용하는 정전력이다.
[0049] 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 참조 번호(134)로 표시된 바와 같이 에너지 입자들(이온들)의 빔을 방출하도록 구성된 아르곤 이온 소스일 수 있다. 일부 구현들에서, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 수직 선형 이온 에칭 소스이다. 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 유도 결합 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma)를 제공하도록 구성될 수 있다. 일례로, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 무선 주파수(RF: radio frequency) 전원 장치와 같은 전원 장치에 전기적으로 접속된 코일을 포함할 수 있다. 전류가 코일에 인가될 수 있고, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스 내부에서 프로세스 가스, 예를 들어 아르곤의 여기에 의해 플라즈마가 생성될 수 있다. 추가 구현들에서, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 플레이트를 사용하여 전하 결합 플라즈마(CCP: charged coupled plasma)를 제공하도록 구성될 수 있다.
[0050] "선형"이라는 용어는 선형 이온 에칭 소스(130)가 이온들의 방출 영역(예컨대, 실질적으로 직사각형 영역)을 정하는 주 치수 및 부 치수를 갖는다는 의미로 이해될 수 있으며, 여기서 부 치수는 주 치수보다 작다. 예를 들어, 부 치수는 주 치수의 10% 미만, 구체적으로는 5% 미만 그리고 보다 구체적으로는 1% 미만일 수 있다. 주 치수는 실질적으로 수직으로 연장될 수 있다. 즉, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 수직 선형 이온 에칭 소스일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)에 의해 제공되는 이온들의 빔 폭, 예컨대 방출 영역은 1㎜ 내지 3000㎜ 범위 이내, 구체적으로는 30㎜ 내지 2100㎜ 범위 이내일 수 있으며, 보다 구체적으로는 50㎜ 미만일 수 있다. 빔 폭은 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)의 선형 연장부에 수직으로 정해질 수 있다.
[0051] 일부 구현들에서, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 이온들 및/또는 방출 영역을 제공하도록 구성된, 예컨대 주 치수로 수직 라인을 따라 배열된 하나 또는 그보다 많은 배출구들 또는 이온 소스들을 가질 수 있다. 일례로, 하나의 연속적인 배출구 또는 이온 소스가 제공될 수 있다. 다른 예들에서, 복수의 배출구들 또는 이온 소스들이 라인을 따라 배열될 수 있다. 예컨대, 선형 이온 에칭 소스는 라인을 따라 서로 바로 옆에 가까이 정렬된 다수의 점 소스들로 구성될 수 있다.
[0052] 이온들은 기판 표면(11) 및/또는 기판(10) 상의 적어도 하나의 제1 재료 층의 표면을 처리하는 데, 예를 들어 에칭, 세정, 고밀화 및/또는 표면 평탄화를 제공하는 데 사용된다. 구체적으로, 이온들은 제2 재료 층과 같은 후속하여 증착된 재료 층과의 개선된 전기 접촉을 제공하기 위해 기판 표면(11) 및/또는 제1 재료 층의 표면으로부터 산화된 재료를 제거하는 데 사용될 수 있다. 제1 재료 층은 기판 표면 상의 맨 첫 번째 재료 층(즉, 기판 표면과 직접 접촉함)일 수 있거나 기판 표면 상의 복수의 제1 재료 층들 중 최상위 층(즉, 기판 표면과 직접 접촉하지 않음)일 수 있다. 일부 구현들에서, 제1 재료 층의 에칭은, 제1 재료 층이 기판 표면 상의 맨 첫 번째 재료 층이라면 수행되지만, 제1 재료 층이 기판 표면 상의 복수의 제1 재료 층들 중 최상위 층이라면 수행되지 않는다.
[0053] 일부 구현들에서, 이 장치(100)는 동적 에칭 프로세스와 정적 증착 프로세스의 결합을 제공하도록 구성된다. 이 장치(100)는, 기판(10)이 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 통과하는 동안 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)에 의해 제공된 (참조번호(134)로 표시된) 이온들을 기판 표면(11) 또는 기판(10) 상의 제1 재료 층의 표면에 조사하도록 구성될 수 있다. 일례로, 이송 경로(20)를 따라, 예를 들어 적어도 하나의 증착 영역(120)을 향한 방향(이송 방향(1))으로 기판(10) 또는 기판 캐리어(30)를 이송하는 중에, 기판 표면(11) 및/또는 제1 재료 층의 표면에 조사된다. 일부 실시예들에 따르면, 이 장치(100)는, 기판(10)이 고정되어 있는 동안 기판 표면(11) 위에 또는 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하도록 구성된다.
[0054] "처리 영역"이라는 용어는, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)에 의해 제공된 이온들이 기판(10)에 조사될 수 있도록 기판(10)이 제공 또는 배치될 수 있는 공간 또는 영역으로 이해될 수 있다. "증착 영역"이라는 용어는, 하나 또는 그보다 많은 증착 소스들(140)에 의해 제공된 재료로 기판(10)이 코팅될 수 있도록 기판(10)이 제공 또는 배치될 수 있는 공간 또는 영역으로 이해될 수 있다.
[0055] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이 장치(100)는 하나 또는 그보다 많은 진공 챔버들을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 처리 영역(110) 및 적어도 하나의 증착 영역(120)은 동일한(하나의 단일) 진공 챔버에 의해 제공될 수 있다. 진공 챔버는 적어도 하나의 처리 영역(110) 및 적어도 하나의 증착 영역(120)을 제공하는 2개 또는 그보다 많은 부분들 또는 영역들로 분할될 수 있다. 진공 챔버는 하나 또는 그보다 많은 분리 디바이스들(115), 예를 들어 가스 분리 실딩을 사용하여 분할될 수 있다. 다른 구현들에서는, 적어도 하나의 처리 영역(110)과 적어도 하나의 증착 영역(120) 사이에 분리 디바이스가 제공되지 않는다. 적어도 하나의 처리 영역(110) 및 적어도 하나의 증착 영역(120)은 진공 챔버에서 그 사이에 어떠한 분리도 없이 제공될 수 있다. 또 추가 구현들에서, 적어도 하나의 처리 영역(110) 및 적어도 하나의 증착 영역(120)은 예를 들어, 게이트 및/또는 밸브를 사용하여, 서로 연결된 서로 다른 진공 챔버에 의해 제공될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판(10)이 적어도 하나의 처리 영역(110)으로부터 적어도 하나의 증착 영역(120)으로의 또는 그 반대로의 이송 중에 진공 환경 내에 유지될 수 있도록, 적어도 하나의 처리 영역(110)과 적어도 하나의 증착 영역(120)이 진공 방식으로 서로 연결된다.
[0056] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 처리 영역(110)은 하나 또는 그보다 많은 선형 이온 에칭 소스들을 각각 갖는 2개 또는 그보다 많은 처리 영역들을 포함한다. 대안으로 또는 추가로, 적어도 하나의 증착 영역(120)은 하나 또는 그보다 많은 증착 소스들을 각각 갖는 2개 또는 그보다 많은 증착 영역들을 포함한다. 구체적으로, 이 장치는 다수의 조사 프로세스들 및 다수의 증착 프로세스들을 각각 수행하기 위한 다수의 처리 영역들 및/또는 다수의 증착 영역들을 가질 수 있다.
[0057] 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 "진공"이라는 용어는 스퍼터 증착 프로세스와 같은 증착 프로세스에 사용되는 프로세스 가스들을 제외하고는 실질적으로 물질이 없는 공간, 예컨대 공기 또는 가스의 전부 또는 대부분이 제거된 공간으로 이해될 수 있다. 일례로, "진공"이라는 용어는 예를 들어, 10mbar 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다. 터보 펌프들 및/또는 크라이오 펌프(cryo-pump)들과 같은 하나 또는 그보다 많은 진공 펌프들은 진공 발생을 위해 적어도 하나의 처리 영역(110) 및 적어도 하나의 증착 영역(120)을 제공하는 하나 또는 그보다 많은 진공 챔버들에 연결될 수 있다.
[0058] 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 "이송 경로"라는 용어는 기판(10) 또는 그 위에 위치된 기판(10)을 갖는 기판 캐리어(30)가 예를 들어, 적어도 하나의 처리 영역(110) 및 적어도 하나의 증착 영역(120)을 통해 이동되거나 전달될 수 있는 길로 이해될 수 있다. 일례로, 이송 경로는 선형 이송 경로일 수 있다. 이송 경로(20)는 적어도 하나의 처리 영역(110) 및 적어도 하나의 증착 영역(120)에 걸친 기판(10) 또는 기판 캐리어(30)에 대한 이송 방향(1)을 정할 수 있다. 이송 경로(20)는 단방향 이송 경로일 수 있거나 양방향 이송 경로일 수 있다.
[0059] 이 장치(100)는 이송 경로(20) 및 (도시되지 않은) 다른 이송 경로와 같은 적어도 2개의 이송 경로들을 가질 수 있다. 그 위에 위치된 제1 기판을 갖는 제1 기판 캐리어가 예를 들어, 제2 기판 캐리어 상의 제2 기판이 코팅되고 있을 때 제2 기판을 추월할 수 있도록 적어도 2개의 이송 경로들이 제공될 수 있다. 적어도 2개의 이송 경로들은 예를 들어, 기판(10) 또는 기판 캐리어(30)의 이송 방향(1)에서 서로 실질적으로 평행하게 연장될 수 있다. 일부 구현들에서, 적어도 2개의 이송 경로들은 기판 캐리어(30)의 이송 방향(1)에 수직인 방향으로 서로에 대해 옮겨질 수 있다. "실질적으로 평행"이라는 용어는 예컨대, 실질적으로 평행한 배향의 방향(들) 및/또는 경로(들)에 관련되며, 여기서 정확한 평행 배향으로부터 몇 도, 예컨대 최대 10° 또는 심지어 최대 15°의 편차가 여전히 "실질적으로 평행"으로 간주된다.
[0060] 이송 경로(들)는 각각의 트랙들에 의해 제공될 수 있다. 일례로, 이송 경로(20)는 트랙에 의해 제공될 수 있고, 다른 이송 경로는 다른 트랙에 의해 제공될 수 있다. 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "트랙"이라는 용어는 E-척일 수 있는 기판 캐리어(30)를 수용 또는 지지하는 공간 또는 디바이스로서 정의될 수 있다. 일례로, 트랙은 기계적으로(예를 들어, 롤러들을 사용하여), 비접촉식으로(예를 들어, 자기장들 및 각각의 자기력들을 사용하여), 또는 이들의 결합을 사용하여 기판 캐리어(30)를 수용 또는 지지할 수 있다.
[0061] 도 3은 본 명세서에서 설명되는 추가 실시예들에 따른 기판(10)의 진공 처리를 위한 장치(200)의 개략도를 도시한다. 이 장치(200)는 본 명세서에서 설명되는 일부 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 방법을 수행하도록 구성될 수 있다.
[0062] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이 장치(200)는 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 이송 경로(20)에 대해 이동시키도록 구성된 드라이브를 포함한다. 일부 구현들에서, 드라이브는 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)와 같은 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 이송 경로(20)에 대해 실질적으로 평행하게 그리고/또는 실질적으로 수직으로 이동시키도록 구성될 수 있다. 일례로, 드라이브는 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 이송 경로(20)에 평행한 (참조 번호(2)로 표시된) 제1 방향 및 이송 경로에 수직인 제2 방향 중 적어도 한 방향으로 이동시키도록 구성될 수 있다. 일례로, 제1 방향은 수평 방향일 수 있고 그리고/또는 제2 방향은 수직 방향일 수 있다. "수직 방향"이라는 용어는 "수평 방향"과 구별되는 것으로 이해된다. 즉, "수직 방향"은 선형 이온 에칭 소스의 실질적으로 수직 이동에 관련되며, 여기서 정확한 수직 방향 또는 수직 이동으로부터 몇 도, 예컨대 최대 10° 또는 심지어 최대 30°의 편차가 여전히 "실질적으로 수직 방향" 또는 "실질적으로 수직 이동"으로 간주된다. 수직 방향은 중력에 실질적으로 평행할 수 있다.
[0063] 이 장치(200)는 적어도 하나의 처리 영역(110) 내에 트랙(132)을 포함할 수 있다. 트랙(132)은 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 이동 가능하게 지지하도록 구성될 수 있다. 트랙(132)은 이송 경로(20)에 실질적으로 평행할 수 있다. 드라이브는 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 트랙(132)을 따라 제1 방향으로 이동시키도록 구성될 수 있다. 일례로, 드라이브는 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 트랙(132)을 따라 앞뒤로 이동시키도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 드라이브는 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 트랙(132)에 대해 실질적으로 수직으로, 예를 들어 수직 방향일 수 있는 제2 방향으로 이동시키도록 구성된다. 제1 방향 및 제2 방향으로의 이동들은 제1 방향 및 제2 방향으로의 양방향 이동들을 포함할 수 있다. 일례로, 선형 이온 에칭 소스의 이동은 (도 3에서 양단 화살표로 표시된 바와 같이) 제1 방향으로의 앞뒤 이동들 및/또는 제2 방향으로의 앞뒤 이동들을 포함할 수 있다.
[0064] 일부 실시예들에서, 드라이브는 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 제1 방향 및 제2 방향으로 순차적으로 또는 동시에 이동시키도록 구성된다. 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 제1 방향 및 제2 방향에 걸쳐 있는 평면에서 연속 또는 불연속 이동 경로를 따라 이동할 수 있다. 이 평면은 실질적으로 수직으로 배향된 평면일 수 있다. 일례로, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)가 제1 방향 및 제2 방향으로 동시에 이동될 때, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 연속 이동 경로를 따라 이동할 수 있다. 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)가 제1 방향 및 제2 방향으로 순차적으로 이동될 때, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 불연속 이동 경로를 따라 이동할 수 있다.
[0065] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이 장치(200)는 기판(10)이 고정되어 있는 채로 또는 이동하면서 에칭 프로세스를 수행하도록 구성될 수 있다. 일례로, 이 장치(200)는, 기판(10)이 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 통과하는 동안 또는 기판(10)이 이송 경로(20) 상에 고정되어 있는 동안, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)에 의해 제공된 이온들을 기판 표면(11) 또는 기판(10) 상의 제1 재료 층의 표면에 조사하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 에칭 프로세스 동안 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)와 기판(10) 모두가 이동하고 있을 수 있다. 다른 예들에서, 기판 표면(11) 또는 제1 재료 층의 표면에 이온들을 조사하기 위해 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)가 이송 경로(20)에 대해 이동하는 동안 기판은 이송 경로(20) 상에 고정 위치될 수 있다.
[0066] 도 4는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판(10)의 진공 처리를 위한 장치의 개략적인 단면도를 도시한다. 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)와 같은 적어도 하나의 이온 에칭 소스가 트랙(132) 상에 제공된다. 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 기판 캐리어(30) 상에 지지된 기판(10)의 조사를 위해 (참조 번호(134)로 표시된) 이온들을 제공한다. 이 장치는 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 트랙(132)을 따라 제1 방향으로 이동시키도록 구성된 드라이브를 포함할 수 있다. 추가로 또는 대안으로, 드라이브는 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 제2 방향으로 이동시키도록 구성되며, 제2 방향은 수직 방향(3)일 수 있다.
[0067] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 진공 처리를 위한 장치는 예를 들어, 수직 배향으로의 기판 캐리어(30)의 비접촉 부상(levitation)을 위해 구성된 (도시되지 않은) 자기 부상 시스템을 포함할 수 있다. 기판 캐리어(30)는 E-척일 수 있다. 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 "비접촉 부상"이라는 용어는, 기판 캐리어(30)의 중량이 기계적 접촉 또는 기계적 힘들에 의해 지탱 또는 유지되는 것이 아니라 자기력에 의해 지탱 또는 유지된다는 의미로 이해될 수 있다. 구체적으로, 기판 캐리어(30)는 기계적 힘들 대신 자기력들을 사용하여 부상 또는 부양 상태로 유지된다. 일례로, 자기 부상 시스템은 기판 캐리어(30)의 중량을 지지하는 롤러들과 같은 기계적 디바이스들을 갖지 않는다. 일부 구현들에서, 기판 캐리어(30)와 진공 처리를 위한 장치 사이에는 기계적 접촉이 전혀 없을 수 있다. 비접촉 부상은 기판 캐리어(30)와 롤러들과 같은 진공 처리를 위한 장치의 섹션들 사이의 기계적 접촉으로 인해 입자들이 생성되지 않는다는 점에서 유리하다. 이에 따라, 기판(10) 상에 증착된 층들의 순도가 특히, 입자 생성이 최소화 또는 심지어 회피되기 때문에 향상될 수 있다.
[0068] 자기 부상 시스템에 의해 제공되는 자기력은, 그 위에 위치된 기판(10)을 갖는 기판 캐리어(30)를 부유 상태로 유지하기에 충분하다. 구체적으로, 자기력은 기판 캐리어(30)의 총 중량과 동일할 수 있다. 기판 캐리어(30)의 총 중량은 적어도 (비어 있는) 기판 캐리어의 중량 및 기판(10)의 중량을 포함할 수 있다. 일례로, 자기 부상 시스템에 의해 발생된 자기장은, 기판 캐리어(30)를 부유 또는 부상 상태로 유지하기 위해 자기력이 기판 캐리어(30)의 총 중량과 동일하도록 선택된다.
[0069] 도 5는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판(10)의 진공 처리를 위한 장치(500)의 개략도를 도시한다.
[0070] 이 장치(500)는 제1 증착 영역(508), 적어도 하나의 처리 영역(510) 및 제2 증착 영역(520)과 같은 복수의 영역들을 포함한다. 복수의 영역들은 하나의 진공 챔버에서 제공될 수 있다. 대안으로, 복수의 영역들은 서로 연결된 서로 다른 진공 챔버들에서 제공될 수 있다. 일례로, 각각의 진공 챔버는 하나의 영역을 제공할 수 있다. 구체적으로, 제1 진공 챔버는 제1 증착 영역(508)을 제공할 수 있고, 제2 진공 챔버는 적어도 하나의 처리 영역(510)을 제공할 수 있고, 제3 진공 챔버는 제2 증착 영역(520)을 제공할 수 있다. 일부 구현들에서, 제1 진공 챔버 및 제3 진공 챔버는 "증착 챔버들"로 지칭될 수 있다. 제2 진공 챔버는 "처리 챔버" 또는 "에칭 챔버"로 지칭될 수 있다. 도 5의 예에 도시된 영역들에 인접하게 추가 진공 챔버들 또는 영역들이 제공될 수 있다.
[0071] 진공 챔버들 또는 영역들은 밸브 하우징(504) 및 밸브 유닛(505)을 갖는 밸브에 의해 인접 영역들로부터 분리될 수 있다. 그 위에 기판(10)을 갖는 기판 캐리어(30)가 화살표 "1"로 표시된 것과 같이, 적어도 하나의 처리 영역(510)과 같은 영역에 삽입된 후, 밸브 유닛(들)이 닫힐 수 있다. 예를 들어, 영역들에 연결된 진공 펌프들로 기술적 진공을 발생시킴으로써 그리고/또는 예를 들어, 제1 증착 영역(508) 및/또는 제2 증착 영역(520)에 하나 또는 그보다 많은 프로세스 가스들을 삽입함으로써 영역들 내의 분위기가 개별적으로 제어될 수 있다. 그 위에 기판(10)을 갖는 기판 캐리어(30)를 영역들 안으로, 그 영역들을 통해 그리고 그 영역들 밖으로 이송하기 위해, 선형 이송 경로와 같은 이송 경로(20)가 제공될 수 있다. 이송 경로(20)는 적어도 부분적으로 제1 증착 영역(508), 적어도 하나의 처리 영역(510) 및 제2 증착 영역(520)을 통해 연장될 수 있다.
[0072] 이 장치(500)는 적어도 하나의 처리 영역(510) 내에 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 포함한다. 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 본 명세서에 설명되는 실시예들에 따라 구성될 수 있다. 제1 증착 영역(508) 및 제2 증착 영역(520)과 같은 증착 영역들 내에서, 하나 또는 그보다 많은 증착 소스들이 제공된다. 일례로, 제1 증착 영역(508)에서 제1 증착 소스들(540)이 제공될 수 있다. 제2 증착 영역(520)에서는 제2 증착 소스(550)가 제공될 수 있다. 하나 또는 그보다 많은 증착 소스들 중 한 증착 소스는 하나 또는 그보다 많은 캐소드들 및 하나 또는 그보다 많은 애노드들을 포함할 수 있다. 일례로, 제1 증착 소스(540)는 제1 캐소드(542) 및 제1 애노드(544)를 포함할 수 있다. 제2 증착 소스(550)는 제2 캐소드(552) 및 제2 애노드 (554)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 또는 그보다 많은 캐소드들은 기판(10) 상에 증착될 재료의 스퍼터 타깃들을 갖는 회전 가능한 캐소드들일 수 있다. 하나 또는 그보다 많은 캐소드들은 내부에 자석 어셈블리를 가질 수 있고, 층들의 증착을 위해 마그네트론 스퍼터링이 수행될 수 있다.
[0073] 하나 또는 그보다 많은 캐소드들 및 하나 또는 그보다 많은 애노드들은 DC 전원 장치에 전기적으로 접속될 수 있다. 하나 또는 그보다 많은 캐소드들은 스퍼터링 중에 전자들을 수집하기 위해 하나 또는 그보다 많은 애노드들과 함께 DC 전원 장치에 접속된다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 또 추가 실시예들에 따르면, 하나 또는 그보다 많은 캐소드들 중 적어도 하나는 대응하는 개개의 DC 전원 장치를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 증착 소스(540)는 제1 DC 전원 장치(546)를 가질 수 있고, 제2 증착 소스(550)는 제2 DC 전원 장치(556)를 가질 수 있다.
[0074] 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "마그네트론 스퍼터링"은 마그네트론 또는 자석 어셈블리, 즉 자기장을 발생시킬 수 있는 유닛을 사용하여 수행되는 스퍼터링을 의미한다. 이러한 자석 어셈블리는 하나 또는 그보다 많은 영구 자석들로 구성된다. 이러한 영구 자석들은 회전 가능한 스퍼터 타깃 표면 아래에 발생된 자기장 내에 자유 전자들이 가둬지는 방식으로, 회전 가능한 스퍼터 타깃 내에 배열되거나 평면 스퍼터 타깃에 결합될 수 있다. 이러한 자석 어셈블리는 또한 평면 캐소드에 결합되어 배열될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 일부 실시예들에 따르면, 스퍼터링은 DC(직류) 스퍼터링으로서 수행될 수 있다. 그러나 중간 주파수(MF: middle frequency) 스퍼터링, 무선 주파수(RF) 스퍼터링, 또는 펄스 스퍼터링과 같은 다른 스퍼터링 방법들이 또한 적용될 수 있다.
[0075] 도 5는 하나의 캐소드 및 하나의 애노드를 포함하는 하나의 증착 소스를 갖는 증착 영역들을 도시한다. 특히, 대면적 증착을 위한 애플리케이션들의 경우, 제1 증착 영역(508) 및 제2 증착 영역(520)과 같은 영역들 중 적어도 하나의 영역 내에 증착 소스들의 어레이가 제공될 수 있다.
[0076] 일부 구현들에서, 제1 증착 소스(540)를 사용하여 제1 증착 영역(508)에서 기판(10) 상에 제1 재료 층이 증착된다. 일례로, 제1 재료 층은 디스플레이에 사용되는 TFT의 금속 층일 수 있다. 구체적으로, 제1 재료 층은 TFT의 드레인 전극을 제공할 수 있다. 그 위에 증착된 제1 재료 층을 갖는 기판(10)은 제1 증착 영역(508)으로부터 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 갖는 적어도 하나의 처리 영역(510)으로 이송된다. 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 고정될 수 있다. 구체적으로, 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)는 기판 캐리어(30) 상의 기판(10)이 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)를 통과하는 동안 이온들을 제공할 수 있다. 일례로, 기판 캐리어(30)가 이송 경로(20)를 따라 적어도 하나의 처리 영역(510)을 거쳐 이송되는 동안, 기판 표면 또는 기판(10) 상의 제1 재료 층에 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)로부터의 이온들이 조사될 수 있다. 에칭 프로세스는 기판 표면 및/또는 제1 재료 층의 표면으로부터 산화된 재료를 제거한다.
[0077] 에칭 프로세스를 완료하면, 기판(10)은 기판(10) 위에 제2 재료 층, 예를 들어 인듐 주석 산화물(ITO) 층의 증착을 위해 제2 증착 영역(520)으로 이송될 수 있다. 일례로, 제2 재료 층은 정적 화소의 전극과 같은 디스플레이의 화소 전극을 제공한다. 산화된 재료가 에칭 프로세스 동안 제1 재료 층으로부터 제거되었기 때문에, 제1 재료 층과 제2 재료 층 사이의 접촉 저항이 개선될 수 있다.
[0078] 도 6은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판의 진공 처리를 위한 장치(600)의 개략도를 도시한다. 이 장치(600)는 도 5를 참조로 앞서 설명한 장치(500)와 유사한데, 차이점은 적어도 하나의 선형 이온 에칭 소스(130)가 이송 경로(20)에 대해 이동 가능하다는 점이다. 이동 가능한 선형 이온 에칭 소스는 예를 들어, 도 1, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명된 바와 같이 구성될 수 있다.
[0079] 도 7은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 갖는 디스플레이(400)의 단면의 개략적인 단면도를 도시한다. 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 TFT는 예를 들어, 액정 디스플레이(LCD)들 및/또는 유기 발광 다이오드(OLED: organic light emitting diode) 디스플레이들과 같은 디스플레이 디바이스들에 사용될 수 있다.
[0080] 디스플레이는 기판(410), 예를 들어 유리 기판을 포함한다. 게이트 전극(420)이 기판(410) 상에 또는 그 위에 형성된다. 게이트 전극(420)은 PVD 프로세스를 사용하여 증착될 수 있다. 일례로, 게이트 전극(420)은 금속을 포함할 수 있다. 금속은 Cr, Cu, Mo, Ti, 및 이들의 임의의 결합을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 금속은 또한 Cr, Cu, Mo, Ti, 및 이들의 임의의 결합을 포함하는 그룹으로부터 선택된 금속들 중 2개 또는 그보다 많은 금속들을 포함하는 금속 스택일 수 있다.
[0081] 예컨대, PECVD 프로세스에 의해 적어도 게이트 전극(420) 위에 게이트 절연체(430)가 형성된다. 일례로, 게이트 절연체(430)는 SiNx 및 SiOy 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 게이트 절연체는 적어도 2개의 하위 층들, 예컨대 적어도 하나의 SiNx 층 및 적어도 하나의 SiOy 층을 가질 수 있다. 채널 층(440)이 게이트 절연체(430) 상에 또는 그 위에 형성된다. 채널 층은 활성(반도체) 층이다. 채널 층(440)의 재료는 ZnON, LTPS(p-Si), IGZO 및 a-Si로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 예컨대, PECVD 프로세스에 의해 채널 층(440) 상에 예컨대, SiOx의 에칭 스토퍼(470)가 형성된다.
[0082] 예컨대, PVD 프로세스에 의해 채널 층(440) 상에 소스 전극(450) 및 드레인 전극(460)이 형성된다. 소스 전극(450) 및 드레인 전극(460)(예를 들어, 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 제1 재료 층)은 금속으로 만들어질 수 있다. 금속은 Cr, Cu, Mo, Ti, 및 이들의 임의의 결합을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 금속은 또한, Al, Ti, Cr, Cu, Mo, 및 이들의 임의의 결합을 포함하는 그룹으로부터 선택된 금속들 중 2개 또는 그보다 많은 금속들을 포함하는 금속 스택일 수 있다. 적어도 소스 전극(450) 및 드레인 전극(460) 위에 패시베이션 층(480)이 형성된다. 패시베이션 층(480)은 예를 들어, PECVD 프로세스에 의해 형성될 수 있다.
[0083] 제2 재료 층(490)은 제1 재료 층, 예를 들어 드레인 전극(460)과 접촉하여 제공될 수 있다. 일부 구현들에서, 제2 재료 층(490)은 디스플레이의 화소 전극, 예를 들어 정적 화소를 제공한다. 제2 재료 층(490), 구체적으로 화소 전극은 인듐 주석 산화물(ITO)로 만들어질 수 있다.
[0084] 본 명세서에서 설명된 실시예들에 따른 방법 및 장치들은 제1 재료 층, 예를 들어 드레인 전극(460) 및 제2 재료 층(490), 예를 들어 화소 전극의 제조에 적어도 이용될 수 있다. 구체적으로, 제1 재료 층이 증착될 수 있고, 선형 이온 에칭 소스를 사용하는 에칭 프로세스가 수행되어, 산화된 재료를 제1 재료 층의 표면으로부터 제거할 수 있다. 그 다음, 제2 재료 층(490)의 섹션이 제1 재료 층 상에 직접 증착될 수 있다. 구체적으로는, 제1 재료 층과 제2 재료 층(490) 사이의 접촉 계면에 감소된 양의 산화된 재료가 존재하거나 심지어 산화된 재료가 존재하지 않기 때문에, 제1 재료 층과 제2 재료 층(490) 사이의 접촉 특성들이 개선될 수 있다. 제1 재료 층과 제2 재료 층(490) 사이의 접촉 저항이 감소될 수 있으며, 디스플레이의 성능이 개선될 수 있다.
[0085] 일부 구현들에서, 소스/드레인 금속 층 스택의 산화된 금속 층의 에칭 제거에 의해 소스/드레인 금속 층 스택들의 접촉 저항이 개선될 수 있다. 일례로, 스택은 Ti/Al/Ti 층 스택일 수 있는데, 이는 TFT 제작 흐름 중에 적어도 부분적으로 산화된다. 본 개시내용은 정적 화소 ITO 증착 전에 동적 에칭 프로세스와 같은 에칭 프로세스를 제공한다. 전체 프로세스 흐름은 진공 하에 있으며, Ti는 ITO 증착 전에 다시 산화하지 않는다.
[0086] 일부 실시예들에 따르면, 장치는 예를 들어, 산화물을 제거하기 위해 이동하게 되는(moving-by) 기판에 의해 트리거되어 온/오프 전환되는, 에칭을 위한 정적 선형 수직 이온 소스를 갖는 긴 고진공 모듈을 포함한다. 추가 실시예들에서, 이 장치는 기판을 따라(수평으로 그리고/또는 수직으로) 스캔되는, 에칭을 위한 이동 선형 이온 소스("하이브리드 프로세스")를 갖는 고진공 모듈을 포함한다. 이온 에칭 소스의 온/오프는 기판 에칭 소스 위치에 따라 트리거될 수 있다. 에칭과 증착 사이에는 진공 파괴가 없다. 예를 들어, 다음 층을 에칭한 후, 화소 ITO가 낮은 접촉 저항으로 증착될 수 있다.
[0087] 본 개시내용에 따르면, 선형 이온 에칭 소스와 같은 이온 에칭 소스는 기판 표면 또는 기판 상의 제1 재료 층의 표면으로부터 산화된 재료를 제거하는 데 사용된다. 산화된 재료가 제거되었을 때, 기판 표면 상에 또는 기판 또는 제1 재료 층 상에 제2 재료 층이 증착된다. 제1 재료 층 및 제2 재료 층은 전도성 층들일 수 있다. 일례로, 전도성 층들은 금속 층들 및 인듐 주석 산화물(ITO) 층들로부터 선택될 수 있다. 제2 재료 층의 증착 및 이온 에칭 소스를 사용하는 에칭 프로세스는 진공 파괴 없이 수행될 수 있다. 구체적으로는, 기판 또는 제1 재료 층과 제2 재료 층 사이의 접촉 계면에 감소된 양의 산화된 재료가 존재하거나 심지어 산화된 재료가 존재하지 않기 때문에, 기판 또는 제1 재료 층과 제2 재료 층 사이의 접촉 저항이 감소될 수 있다.
[0088] 전술한 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (17)

  1. 기판의 진공 처리를 위한 방법으로서,
    상기 기판이 이송 경로를 따라 처리 영역을 통해 이동되는 동안, 상기 처리 영역에 제공된 이온 에칭 소스를 사용하여 기판 표면 또는 상기 기판 상의 제1 재료 층의 표면에 이온들을 조사(irradiate)하는 단계;
    상기 이송 경로를 따라 상기 기판을 증착 영역으로 이동시키는 단계; 및
    상기 기판이 고정되어 있는 동안 상기 기판 표면 위에 또는 상기 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하는 단계를 포함하는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 이온 에칭 소스는 상기 기판 표면 또는 상기 제1 재료 층의 표면에 상기 이온들이 조사되는 동안 이동하고 있거나 고정되어 있는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  3. 기판의 진공 처리를 위한 방법으로서,
    처리 영역에 제공된 이온 에칭 소스를 이송 경로 상에 제공된 기판에 대해 이동시키는 단계;
    상기 이온 에칭 소스가 이동되고 있는 동안 상기 이온 에칭 소스에 의해 제공된 이온들을 기판 표면 또는 상기 기판 상의 제1 재료 층의 표면에 조사하는 단계;
    상기 이송 경로를 따라 상기 기판을 증착 영역으로 이동시키는 단계; 및
    상기 기판 표면 위에 또는 상기 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하는 단계를 포함하는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이온 에칭 소스는 선형 이온 에칭 소스인,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 표면 위에 상기 제1 재료 층을 증착하는 단계를 더 포함하는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  6. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
    상기 이온 에칭 소스를 이동시키는 단계는, 상기 이송 경로에 평행한 제1 방향 및 상기 이송 경로에 수직인 제2 방향 중 적어도 한 방향으로 이동시키는 단계를 포함하는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 이온 에칭 소스는 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 순차적으로 또는 동시에 이동되는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  8. 제3 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은, 상기 기판 표면 또는 상기 제1 재료 층의 표면에 상기 이온들이 조사되는 동안 고정되어 있거나 상기 이송 경로를 따라 이동되는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  9. 제3 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판이 고정되어 있는 동안 상기 기판 표면 위에 또는 상기 제1 재료 층의 표면 위에 상기 적어도 하나의 제2 재료 층이 증착되는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  10. 제3 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판이 상기 이송 경로를 따라 상기 증착 영역을 통해 이동되는 동안 상기 기판 표면 위에 또는 상기 제1 재료 층 위에 상기 적어도 하나의 제2 재료 층이 증착되는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  11. 제1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판이 수직 배향인 동안 상기 기판 표면 또는 상기 제1 재료 층의 표면에 상기 이온들이 조사되는,
    기판의 진공 처리를 위한 방법.
  12. 기판의 진공 처리를 위한 장치로서,
    적어도 하나의 이온 에칭 소스를 갖는 적어도 하나의 처리 영역;
    하나 또는 그보다 많은 증착 소스들을 갖는 적어도 하나의 증착 영역; 및
    상기 적어도 하나의 처리 영역 및 상기 적어도 하나의 증착 영역을 통해 연장되는 이송 경로를 포함하며,
    상기 장치는, 상기 기판이 상기 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 통과하는 동안, 상기 적어도 하나의 이온 에칭 소스에 의해 제공된 이온들을 기판 표면 또는 상기 기판 상의 제1 재료 층의 표면에 조사하도록 구성되고,
    상기 장치는, 상기 기판이 고정되어 있는 동안 상기 기판 표면 위에 또는 상기 제1 재료 층 위에 적어도 하나의 제2 재료 층을 증착하도록 구성되는,
    기판의 진공 처리를 위한 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 상기 이송 경로에 대해 이동시키도록 구성된 드라이브를 더 포함하는,
    기판의 진공 처리를 위한 장치.
  14. 기판의 진공 처리를 위한 장치로서,
    적어도 하나의 이온 에칭 소스를 갖는 적어도 하나의 처리 영역;
    하나 또는 그보다 많은 증착 소스들을 갖는 적어도 하나의 증착 영역;
    상기 적어도 하나의 처리 영역 및 상기 적어도 하나의 증착 영역을 통해 연장되는 이송 경로; 및
    상기 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 상기 이송 경로에 대해 이동시키도록 구성된 드라이브를 포함하는,
    기판의 진공 처리를 위한 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 장치는, 상기 기판이 상기 적어도 하나의 이온 에칭 소스를 통과하는 동안, 또는 상기 기판이 상기 이송 경로 상에 고정되어 있는 동안, 상기 적어도 하나의 이온 에칭 소스에 의해 제공된 이온들을 기판 표면 또는 상기 기판 상의 제1 재료 층의 표면에 조사하도록 구성되는,
    기판의 진공 처리를 위한 장치.
  16. 제12 항 내지 제15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 처리 영역은 하나 또는 그보다 많은 이온 에칭 소스들을 각각 갖는 2개 또는 그보다 많은 처리 영역들을 포함하고; 그리고/또는
    상기 적어도 하나의 증착 영역은 하나 또는 그보다 많은 증착 소스들을 각각 갖는 2개 또는 그보다 많은 증착 영역들을 포함하는,
    기판의 진공 처리를 위한 장치.
  17. 제12 항 내지 제16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이온 에칭 소스는 선형 이온 에칭 소스인,
    기판의 진공 처리를 위한 장치.
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