KR102395754B1 - 기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치 및 기판 프로세싱 시스템 - Google Patents

기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치 및 기판 프로세싱 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102395754B1
KR102395754B1 KR1020207015917A KR20207015917A KR102395754B1 KR 102395754 B1 KR102395754 B1 KR 102395754B1 KR 1020207015917 A KR1020207015917 A KR 1020207015917A KR 20207015917 A KR20207015917 A KR 20207015917A KR 102395754 B1 KR102395754 B1 KR 102395754B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
adhesive
support body
vacuum
Prior art date
Application number
KR1020207015917A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200078620A (ko
Inventor
시몬 라우
라이너 힌터슈스터
안케 헬미흐
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20200078620A publication Critical patent/KR20200078620A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102395754B1 publication Critical patent/KR102395754B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Abstract

기판(101)을 프로세싱하기 위한 기판 지지부(100)가 설명된다. 기판 지지부는, 지지 바디(110); 및 지지 바디에 부착되어 기판을 위한 홀딩 어레인지먼트를 제공하는 건식 접착제(120)를 포함하며, 지지 바디는 프로세싱 영역(170)에서 기판을 일정 각도만큼 이동시키도록 구성된다.

Description

기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치 및 기판 프로세싱 시스템
[0001] 실시예들은 진공 프로세싱을 위한 기판 지지부에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 구체적으로, 기판을 프로세싱하기 위해 지지 바디 및 지지 바디에 부착된 건식 접착제(dry adhesive)를 갖는 지지부; 진공 챔버, 진공 챔버 내의 기판 지지부 및 프로세싱 스테이션을 포함하는 진공 프로세싱 장치; 및 기판 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 추가로, 로드 챔버, 진공 이송 챔버 및 진공 프로세싱 장치를 포함하는 기판 프로세싱 시스템에 관한 것이다.
[0002] 기판 상에서의 층 증착을 위한 다양한 기법들, 예컨대 열적 증발, 화학 기상(chemical vapor), CVD(chemical vapor deposition) 및 PVD(physical vapor deposition), 이를테면, 스퍼터 증착이 알려져 있다. 스퍼터 증착 프로세스는 기판 상에 재료 층, 예컨대, 절연 재료 층을 증착하는 데 사용될 수 있다. 이는 타겟으로부터 기판 상으로 재료를 분출(ejecting)하는 것을 수반한다. 기판 상에 증착될 타겟 재료가 플라즈마 구역에서 생성된 이온들로 타격되어(bombarded) 타겟의 표면으로부터 타겟 재료의 원자들이 축출(dislodge)된다. 축출된 원자들은 기판 상에 재료 층을 형성할 수 있다. 반응성 스퍼터 증착 프로세스에서, 축출된 원자들은 플라즈마 구역의 가스, 예컨대 질소 또는 산소와 반응하여, 기판 상에 타겟 재료의 산화물, 질화물 또는 산질화물을 형성할 수 있다.
[0003] 코팅된 재료는 몇몇 애플리케이션들에서 그리고 몇몇 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 코팅된 재료는, 이를테면, 반도체 디바이스들을 생성하기 위한 마이크로일렉트로닉스 분야에서 사용될 수 있다. 또한, 디스플레이들을 위한 기판들은 물리 기상 증착 프로세스를 사용하여 코팅될 수 있다. 추가의 애플리케이션들은 절연 패널들, OLED(organic light emitting diode) 패널들, TFT(thin film transistor)들을 갖는 기판들, 컬러 필터들 등을 포함한다.
[0004] 더 복잡하고 더 얇은 코팅들을 갖는 더 큰 기판들을 향하는 경향은 더 큰 프로세스 모듈들을 유발한다. 직렬로 연결된 수직 프로세스 모듈들은 풋프린트, 리던던시 및 비용 문제들로 인해 일부 결점들을 갖는다. 수직 프로세스 포지션에서, 유리는 유리 에지 상의 및/또는 후면 상의 코팅을 방지하기 위해 그리고 유리 핸들 영역으로부터 프로세스 룸을 밀봉하기 위해 마스크와 정렬된다. 클램프들은 프로세스 동안 기판의 에지들 상에 기판을 홀딩(hold)한다. 이는, 클램프들 상의 측부 증착 및 유리 마스크 정렬들(섀도잉 효과)로 인해 균일성 및 입자들에 대한 문제들을 초래한다.
[0005] 상기 내용을 고려하여, 당해 기술 분야의 문제점들의 적어도 일부 양상들을 개선하는, 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트들, 기판을 홀딩 및 프로세싱하기 위한 프로세스 시스템들 및 방법들을 제공할 필요가 있다.
[0006] 상기 내용을 고려하여, 기판 프로세싱을 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 방법들 및 기판 프로세싱 시스템이 제공된다.
[0007] 일 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부가 제공된다. 기판 지지부는, 지지 바디; 및 지지 바디에 부착되어 기판을 위한 홀딩 어레인지먼트를 제공하는 건식 접착제를 포함하며, 지지 바디는 프로세싱 영역에서 기판을 일정 각도만큼 이동시키도록 구성된다.
[0008] 다른 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부가 제공된다. 기판 지지부는, 지지 바디, 지지 바디에 있는 건식 접착제, 및 지지 바디를 축을 중심으로 프로세싱 영역 내로 그리고 프로세싱 영역 밖으로 이동시키는 액추에이터를 포함한다.
[0009] 다른 실시예에 따르면, 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 진공 프로세싱 장치는, 진공 챔버, 진공 챔버 내의 기판 지지부, 및 프로세싱 스테이션을 포함한다. 기판 지지부는, 지지 바디, 지지 바디에 있는 건식 접착제, 및 지지 바디를 축을 중심으로 프로세싱 스테이션의 전방으로 그리고 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지게 이동시키는 액추에이터를 포함한다.
[0010] 추가의 실시예에 따르면, 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 기판 프로세싱 시스템은, 로드 모듈, 진공 이송 챔버, 및 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 프로세싱 장치를 포함한다.
[0011] 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 실시예들과 관련되고, 다음의 도면들에서 설명된다:
도 1은, 기판을 홀딩하고 그리고 프로세싱 영역에서 기판을 이동시키는 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시하고;
도 2는 건식 접착 구조를 포함하는 예시적인 기판 지지부의 개략적인 측단면도를 도시하고;
도 3은 부착 영역(attachment area)들을 형성하는 건식 접착제 엘리먼트들을 포함하는 기판 지지부의 예시적인 실시예의 개략적인 측단면도를 도시하고;
도 4는 지지 바디의 표면 상에 배열된 건식 접착제 엘리먼트들의 예시적인 패턴의 개략적인 평면도를 도시하고;
도 5는 스트립형 부착 영역(strip-like attachment area)들을 갖는 지지 바디의 추가의 실시예의 개략적인 평면도를 도시하고;
도 6은 링-형상 부착 영역들을 갖는 추가의 실시예의 개략적인 평면도를 도시하고;
도 7은, 증착 소스의 범위 내의 프로세싱 영역에서 기판을 비-수평 포지션으로 홀딩하는 예시적인 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시하고; 마스크는 기판과 증착 소스 사이에 배열되고;
도 8은 포지셔닝 실린더를 포함하는 진공 챔버 내의 예시적인 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시하고, 기판은 비-수직 포지션에 있고;
도 9는 예시적인 진공 프로세싱 장치의 개략적인 측면도를 도시하고;
도 10은 육각형 형상 이송 챔버를 포함하는 예시적인 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시하고;
도 11은 본원에서 설명되는 바와 같이 기판을 홀딩하고 그리고 기판을 프로세싱 영역 내로 그리고 프로세싱 영역 밖으로 이동시키기 위한 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다.
[0012] 이제, 다양한 실시예들이 상세하게 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들은 도면들에서 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 또는 유사한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 설명으로 제공되고, 제한으로서 의도되지 않는다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은 또 다른 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.
[0013] 달리 명시되지 않는 한, 일 실시예의 부분 또는 양상의 설명은 다른 실시예의 대응하는 부분 또는 양상에 또한 적용된다.
[0014] 도 1은 축(160)을 중심으로 일정 각도만큼 이동되는 예시적인 기판 지지부(100)의 개략적인 측면도를 도시한다. 지지 바디(110)는 제1 표면(125)을 갖고, 제1 표면(125) 상에 건식 접착제(120)가 제공된다. 기판(101)의 후방 표면(115)은 건식 접착제(120) 상에 부착된다. 기판(101)의 전방 표면(113)은, 프로세싱될, 구체적으로는 상부에 재료 층이 증착될 표면이다. 지지 바디(110)의 이동은 지지 바디(110)에 배열된 조인트(140)를 중심으로 하는 회전에 의해 설명될 수 있으며, 여기서 조인트(140)는 회전 축(160)을 형성한다. 지지 바디(110)의 이동은 또한, 폴딩 업(folding up) 또는 플랩 업(flap up) 이동으로서 이해될 수 있다. 점선 윤곽들(111)은 지지 바디가 각도를 중심으로 이동되는 것을 도시한다.
[0015] 기판(101)은, 예컨대 축(160)을 중심으로 한 회전에 의해, 점선 윤곽들(111)로 도시된 바와 같이 프로세싱 영역(170) 내로 각도(165)만큼 이동된다. 프로세싱 영역 내로의 각도만큼의 기판의 이동은 실질적으로 각변위(angular displacement)로서 설명될 수 있다. 실시예들에서, 각도만큼의 기판의 이동은 또한, 병진 운동의 일부를 가질 수 있으며, 여기서 회전 축은 특히 프로세싱 영역을 향해 변위된다. 도 1을 참조하면, 지지 바디(110)는 수평 방향(180)과 정렬된 병진 이동에 의해 그리고 회전 축(160)을 중심으로 각도(165)만큼 프로세싱 영역(170)을 향해 이동될 수 있다. 일정 각도만큼 기판을 이동시키도록 구성된 지지 바디는, 예컨대 지지 바디에 부착되는 기판 표면의 배향을 변경하기 위해 축을 중심으로, 예컨대 조인트를 중심으로 적어도 회전 또는 스윙하도록 구성된 회전가능 장착 지지 바디(rotatable mounted support body)로서 이해될 수 있다.
[0016] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 지지 바디는 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 기판을 이동시키도록 구성된다. 비-수직 포지션은 구체적으로, 기판 배향을 참조할 때, +/- 20° 이하, 예컨대 +/- 10° 미만의, 수평 방향 또는 배향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 마찬가지로, 비-수평 포지션은, +/- 20° 이하, 예컨대 +/- 10° 미만의, 수직 방향 또는 배향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 기판 지지부의 수직 포지션으로부터의 편차는, 예컨대 기판 프로세싱 동안, 특히 층 증착 프로세스 동안 더 안정적인 기판 포지션을 유발할 수 있다. 게다가, 특히 프로세싱 영역에서 기판을 이동시키기 전에, 기판의 이송 및/또는 정렬을 용이하게 하기 위해 기판의 수평 포지션의 편차를 갖는 것이 유익할 수 있다.
[0017] 본 개시내용에서, 기판 프로세싱을 위한 기판 지지부가 제공된다. 기판 지지부는, 지지 바디, 지지 바디에 부착되어 기판을 위한 홀딩 어레인지먼트를 제공하는 건식 접착제를 포함하며, 지지 바디는 프로세싱 영역에서 기판을 일정 각도만큼 이동시키도록 구성된다.
[0018] 실시예들에 따르면, 기판 지지부는, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판, 특히 대면적 기판을 홀딩하도록 구성된 지지부로서 이해되어야 한다. 전형적으로, 기판 지지부, 캐리어 및 지지부라는 용어들은 동의어로 사용된다. 본원에서 설명되는 바와 같은 기판 지지부에 의해 홀딩 또는 지지되는 기판은 전방 표면(front surface) 및 후방 표면(back surface)을 포함하며, 여기서 전방 표면은 프로세싱되는 기판의 표면이며, 예컨대 전방 표면은 상부에 재료 층이 증착될 표면이다. 전형적으로, 기판 지지부는, 기판의 후방 표면이 캐리어에, 구체적으로는 본원에서 설명되는 바와 같은 기판 지지부의 건식 접착제에 부착될 수 있도록 구성된다.
[0019] 본원에서 사용되는 바와 같은 기판이라는 용어는 비가요성 기판, 예컨대 유리 플레이트, 금속 플레이트, 웨이퍼, 투명한 결정의 슬라이스들, 유리 기판 또는 세라믹 플레이트일 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않고, 기판이라는 용어는 또한, 웹 또는 포일, 예컨대 금속 포일 또는 플라스틱 포일과 같은 가요성 기판들을 포괄할 수 있다. 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 유리, 이를테면, 소다-석회 유리 또는 보로실리케이트 유리, 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료, 마이카 또는 임의의 다른 재료 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 재료들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판의 메인 표면(main surface)에 수직하는 방향에서의 기판의 두께는 0.1 mm 내지 1.8 mm의 범위 이내, 이를테면, 0.7 mm, 0.5 mm, 또는 0.3 mm일 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판의 두께는 50 μm 이상일 수 있다. 기판의 두께는 또한, 900 μm 이하일 수 있다.
[0020] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판은 대면적 기판일 수 있다. 대면적 기판은 0.5 m2 이상의 표면적을 가질 수 있다. 전형적으로, 대면적 기판은 디스플레이 제조에 사용될 수 있고, 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판들은, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 등에 사용되는 기판들을 포괄할 것이다. 예컨대, 대면적 기판은 1 m2 이상의 면적을 갖는 메인 표면을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 대면적 기판은, 대략 0.67 m2 기판들(0.73 m × 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 대략 1.4 m2 기판들(1.1 m × 1.3 m)에 대응하는 GEN 5이거나, 또는 그보다 더 클 수 있다. 대면적 기판은 추가로, 대략 4.29 m2 기판들(1.95 m × 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 대략 5.7 m2 기판들(2.2 m × 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어 대략 8.7 m2 기판들(2.85 m × 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대(generation)들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.
[0021] 실시예들에 따르면, 지지 바디는 기판을 홀딩하도록 구성된 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 예컨대, 지지 바디는 강성 바디, 이를테면, 프레임 또는 플레이트일 수 있다. 특히, 지지 바디는, 기판의 표면, 이를테면, 기판의 후방 표면을 지지하도록 구성될 수 있다.
[0022] 본 개시내용에서, 건식 접착제는, 본원에서 설명되는 기판을 부착하기 위한 접착력을 제공하도록 구성된 홀딩 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 특히, 건식 접착제는 지지 바디 상에 제공되거나 지지 바디에 부착될 수 있으며, 그에 따라, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판은 건식 접착제를 통해 지지 바디에 의해 홀딩될 수 있다. 더 구체적으로, 건식 접착제는 본원에서 설명되는 바와 같은 건식 접착제 재료를 포함할 수 있다. 건식 접착제 재료는 반 데르 발스(van der Waals) 힘에 의해 접착력을 제공하도록 구성될 수 있다. 건식 접착제는 기판 표면과 기판 지지부 사이에, 특히 기판 표면과 기판 지지 표면 사이에 연결을 형성하도록 구성된다. 기판과 건식 접착제 사이의 연결은 방활(slip-resistant) 또는 미끄럼-방지(nonskid) 등일 수 있다. 유리하게; 기판과 건식 접착제 사이의 연결은, 예컨대 기판 프로세싱 후에, 특히 증착 프로세스 후에 잔류물 없이 연결해제될 수 있다.
[0023] 도 2를 예시적으로 참조하면, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제(120)는 기판(101)의 후방 표면(115)에 부착되어, 기판(101)을 홀딩하기 위한 접착력을 제공할 수 있다. 전형적으로, 기판의 후방 표면(115)은 프로세싱되지 않아야 한다. 건식 접착제(120)는, 기판(101)의 후방 표면(115)을 일 단부에 부착하기 위한 필라멘트들(121), 특히 복수의 필라멘트들(121)을 포함할 수 있다. 필라멘트라는 용어는 접착 구조라는 용어와 동의어로 사용될 수 있다.
[0024] 특히, 복수의 필라멘트들(121) 중 각각의 필라멘트는 지지 바디(110)의 제1 표면(125)으로부터 멀어지게 연장될 수 있는데, 예컨대 지지 바디(110)의 제1 표면(125)에 수직하게 연장될 수 있다. 따라서, 복수의 필라멘트들(121) 중 각각의 필라멘트는, 예컨대 본원에서 설명되는 바와 같은 기판(101)의 부착을 위한 제2 단부를 가질 수 있다. 특히, 복수의 필라멘트들(121) 중 각각의 필라멘트의 제2 단부는 기판(101)에 부착가능하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 각각의 필라멘트의 제2 단부는, 본원에서 설명되는 바와 같이 반 데르 발스 힘들에 의해 기판(101)에 접착되도록 구성될 수 있다.
[0025] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 필라멘트들은 나노튜브들 또는 탄소 나노튜브들이거나 또는 이들을 포함할 수 있다. 복수의 필라멘트들 각각은 실질적으로 종방향 부재(longitudinal member)일 수 있다. 구체적으로, 복수의 필라멘트들 각각은, 나머지 2개의 치수들보다 더 큰 하나의 치수를 가질 수 있다. 특히, 필라멘트들의 가장 긴 치수가 필라멘트의 길이일 수 있다. 즉, 필라멘트들은 길이 방향을 따라 세장될(elongated) 수 있다.
[0026] 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 합성 강모 재료(synthetic setae material)일 수 있다. 건식 접착제, 구체적으로는 합성 강모 재료의 접착 능력들은 게코 발(gecko foot)의 접착 특성들과 관련될 수 있다. 게코 발의 접착 능력은, 게코의 발 상의 다수의 모발형 연장부(hair-type extension)들(강모(setae)라 불림)에 의해 제공된다. 본원에서 합성 강모 재료라는 용어는, 게코 발의 자연적인 접착 능력을 에뮬레이팅하고 그리고 게코 발과 유사한 접착 능력들을 포함하는 합성 재료로서 이해될 수 있음이 주목된다. 더욱이, 합성 강모 재료라는 용어는, 합성 게코 강모 재료(synthetic gecko setae material)라는 용어 또는 게코 테이프 재료(gecko tape material)라는 용어와 동의어로 사용될 수 있다. 예컨대, 게코 접착제 재료를 갖는 지지 바디는 또한, G-척(chuck)으로 지칭될 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않으며, 다른 건식 접착제 재료들이 기판을 홀딩하기에 적합하다.
[0027] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제 재료, 예컨대 합성 강모 재료는 무기물(inorganic)일 수 있다. 본원에서 설명되는 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 실질적으로 100 % 무기물일 수 있다.
[0028] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 게코 접착제(gecko adhesive)일 수 있다. 예컨대, 게코 접착제는 게코 테이프 또는 게코 엘리먼트(gecko element)일 수 있다.
[0029] 본 개시내용에서, 게코 접착제는, 게코 발이, 예컨대 수직 표면들과 같은 표면들에 접착되는 능력을 모방하는 접착제로서 이해될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 건식 접착제는, 건식 접착제와 기판의 표면 사이의 반 데르 발스 힘들로 인해 기판에 접착되도록 구성될 수 있다. 실시예들에 따르면, 접착제에 의해 제공되는 접착력은 본원에서 설명되는 바와 같이 기판을 홀딩하기 위해 제공될 수 있다. 특히, 건식 접착제는 대략 3 N/cm2 또는 대략 4 N/cm2 또는 대략 5 N/cm2 초과의 접착력을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0030] 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 적어도 하나의 건식 접착제 엘리먼트, 특히 복수의 건식 접착제 엘리먼트들을 포함한다. 실시예들에 따른 개략적인 단면도를 도시하는 도 3을 예시적으로 참조하면, 건식 접착제(120)는 기판 지지부(100) 상의 표면(125) 상에 배열된 건식 접착제 엘리먼트들(420)을 포함할 수 있다. 건식 접착제 엘리먼트들(420)은, 후방 표면(115)에 부착될 때, 기판을 홀딩하기 위한 부착되는 영역(attached area)(440)을 형성한다. 더 많은, 특히 복수의 건식 접착제 엘리먼트들(420)을 제공하는 것은 건식 접착제 엘리먼트들(420) 사이에 갭들(450)을 형성할 수 있으며, 여기서, 도시되지 않은 다른 지원 엘리먼트들이 지지 바디 상에 배열될 수 있다. 지원 엘리먼트들은, 예컨대 가열 또는 냉각에 의해 프로세싱 동안 기판을 지원하기 위해, 예컨대 가스 및/또는 액체들을 위한 도관들을 포함할 수 있다. 게다가, 갭들(450) 내에는, 기판(101)을 지지 바디(110)로부터 분리시키기 위한 지원 엘리먼트들이 제공될 수 있으며, 여기서 지원 엘리먼트들은 분리 프로세스를 가능하게 하거나 또는 용이하게 한다.
[0031] 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착제 엘리먼트들은 지지 바디 상에 다양한 패턴들로 배열될 수 있다. 지지 바디(110)의 표면(125) 상에 배열된 건식 접착제 엘리먼트들(420)의 패턴의 평면도를 도시하는 도 4를 참조하면, 건식 접착제 엘리먼트들(420)은 정사각형 형상을 갖고, 표면 상에 주기적으로 배열된다. 접착제 엘리먼트들(420) 사이에 갭들(450)이 형성되며, 여기서 기판 지지부(100) 상의 에지들 상의 갭들은, 접착제 엘리먼트들이 없는, 해칭된 영역(hatched area)들로 표현되는 에지 구역들을 형성한다. 에지 구역들(475)은, 부착되는 영역들(440) 내의 접착제 엘리먼트들(420) 상에서의 기판의 부착 프로세스를 용이하게 하거나 가능하게 할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 접착제 엘리먼트들(420)의 적어도 일부는 기판 지지부 상에 회전가능하게 장착될 수 있다. 예컨대, 회전, 구체적으로는 기판 표면에 수직인 축을 갖는 회전은 접착제 엘리먼트로부터의 기판의 릴리즈를 용이하게 할 수 있다. 도 5에서, 지지 바디 상에 배열된 건식 접착제 엘리먼트들의 패턴의 추가의 예의 평면도가 도시된다. 접착제 엘리먼트들은 스트립형 부착 영역들(445)을 형성하며, 여기서 부착 영역들은 서로 평행하게 정렬된다. 게다가, 도 6을 참조하면, 스트립형 부착 영역들(445)은 링-구조 형상으로 형성될 수 있다. 스트립형 부착 영역들(445)은 지지 바디의 에지 구역들에 대해 평행하게 배열된다.
[0032] 실시예들에 따르면, 기판이 지지 바디 상에 배열되기 전에, 기판은 지지 바디와 정렬될 수 있다. 정렬은, 예컨대 이송 프레임에 의해 수행될 수 있으며, 여기서 이송 프레임은 수평 포지션에 있는 기판을 기판 지지부 위에 이송한다. 정렬 또는 중앙화 방식으로 기판을 기판 지지 바디 상에 부착하기 위해, 핀 어레이가 제공될 수 있다. 기판은 또한, 기판이 기판 지지부 상에 놓여 건식 접착제에 부착되기 전에, 간단한 푸셔(pusher)들에 의해 정렬될 수 있다.
[0033] 정렬 후에, 기판은, 예컨대 수평 배향으로 지지 바디(110) 상에 부착될 수 있다. 그 후에, 지지 바디는 수직 방향으로 포지셔닝될 수 있다. 배향의 변경 시의 중력들로 인해, 기판이 처짐(sagging)을 겪을 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 게코 구조들이 제공되어, 처짐의 감소와 프로세싱 후의 게코 구조들로부터의 기판의 용이한 릴리즈의 조합을 가능하게 할 수 있다.
[0034] 예컨대, 게코 구조의 단면은 세장형 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 세장형 단면은 주(major) 및 부(minor) 연장부 또는 축을 갖는 타원형 형상일 수 있다. 또한, 세장형 단면은 주 및 부 대각선을 갖는 사각형 형상일 수 있다. 더욱이, 세장형 단면은 주 및 부 측방향 길이를 갖는 직사각형 형상일 수 있다. 이러한 맥락에서, 주(major) 및 부(minor)라는 용어들은 길이의 치수와 관련된다. 예컨대, 주(major) 길이는 부(minor) 길이보다 더 긴 길이와 관련된다. 따라서, 더 긴 단면 길이를 갖는 배향은 처짐을 방지하기 위한 안정성을 제공한다. 게코 구조로부터의 기판의 릴리즈는 상이한 방향에서의 이동에 의해 제공될 수 있다. 예컨대, 상이한 방향은 더 짧은 단면 길이의 배향과 평행하거나 또는 본질적으로 평행할 수 있다.
[0035] 실시예들에 따르면, 기판을 홀딩하기 위한 건식 접착제 엘리먼트가 제공될 수 있다. 건식 접착제 엘리먼트는 기판과 대면하도록 구성된 표면을 포함하고, 건식 접착제 엘리먼트의 표면은 복수의 접착 구조들을 포함한다. 복수의 접착 구조들은 표면으로부터 돌출되는 제1 접착 구조를 포함하며, 여기서 제1 접착 구조들은 표면과 평행하게 비등방성의 가요성을 갖는다. 예컨대, 복수의 접착 구조들은 표면과 평행하게 비등방성의 가요성을 가질 수 있다.
[0036] 기판을 홀딩하기 위한 건식 접착제 엘리먼트가 제공될 수 있다. 건식 접착제 엘리먼트는 기판과 대면하도록 구성된 표면, 및 표면 위에 제공되고 그리고 복수의 접착 구조들을 포함하는 건식 접착제를 포함한다. 복수의 접착 구조들은, 표면으로부터 돌출되는 제1 접착 구조 및 표면으로부터 돌출되는 제2 접착 구조를 포함한다. 제1 접착 구조는, 동일한 힘으로 동일한 방향으로 구부러질 때의 제2 접착 구조와 비교하여, 정해진 방향으로 구부러질 때 상이하게 구부러진다.
[0037] 따라서, 유익하게, 본 개시내용에서, 본원에서 설명되는 바와 같은 건식 접착제 엘리먼트를 사용하여 기판을 홀딩하기 위한 방법은, 건식 접착제 엘리먼트에 대한 기판의 장착 방향과 관계없이 기판의 처짐을 실질적으로 방지한다.
[0038] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 기판의 후방 표면의 적어도 75%에 대응하는 총 부착 영역(total attachment area)을 갖도록 구성될 수 있다. 총 부착 영역이라는 용어는 모든 부착 영역들의 합으로서 이해될 수 있다. 특히, 건식 접착제는, 기판의 후방 표면의 적어도 80%, 더 구체적으로는 기판의 후방 표면의 적어도 90%에 대응하는 총 부착 영역을 갖도록 구성될 수 있다.
[0039] 도 7은 증착 소스(801)의 범위 내의 프로세싱 영역(170)에 기판(101)을 홀딩하는 기판 지지부(100)의 개략적인 측면도를 도시한다. 증착 소스는 기판(101)의 전방 표면(113)에 재료(807)를 증착하기 위한 회전식 타겟(rotary target)(805)(또는 평면형 타겟)을 포함할 수 있다. 기판(101)은 본원에서 설명되는 바와 같이, 건식 접착제(120)에 의해, 예컨대 게코 테이프 재료에 의해 비-수평 포지션으로 홀딩된다. 건식 접착제(120)는 기판(101)의 후방 표면(115) 상에 부착되며, 여기서 기판(101)은 기판 지지부(100)의 건식 접착제(120)를 사용하여 홀딩 또는 고정될 수 있다. 후방 표면(115)에 부착된 건식 접착제(120)를 사용하여 기판(101)을 홀딩하는 것은, 기판(101)을 홀딩하기 위해 어떤 다른 홀딩 어레인지먼트도 제공되지 않는다는, 특히 어떤 클램프들 또는 유사한 홀딩 디바이스들도 전방 표면(113)을 커버하지 않는다는 장점을 갖는다. 특히, 기판(101)의 전방 표면(113)의 에지 영역들(127)은 클램프들 등에 의해 커버되지 않은 채로 유지될 수 있다.
[0040] 실시예들에 따르면, 기판의 전방에 마스크가 배열되며, 여기서 마스크는 기판의 에지 영역을 커버한다. 예컨대, 마스크는 에지 배제 마스크(edge exclusion mask) 또는 섀도우 마스크(shadow mask) 등일 수 있다. 에지 배제 마스크는, 기판의 코팅 및/또는 프로세싱 동안 기판의 하나 이상의 에지 구역들 상에 어떤 재료도 증착되지 않도록, 기판의 하나 이상의 에지 구역들을 마스킹하도록 구성된 마스크이다.
[0041] 실시예들에 따르면, 도 7에 도시된 바와 같이, 마스크(130)는 기판(101)의 전방 표면(113) 상에 또는 전방 표면(113)에 배열된다. 마스크(130)는 기판(101)의 전방에서, 즉, 기판(101)과 증착 소스(801) 사이에서, 기판(101)으로부터 가까운 거리(135) 내에 배열될 수 있다.
[0042] 기판의 에지 영역들과 마스크(130) 사이의 거리(135)는 2 mm 미만, 특히 1.5 mm 미만, 또는 더욱 특히 1 mm 미만일 수 있다. 마스크(130)는 기판(101)의 전방 표면(113)의 에지 영역들(127)을 커버할 수 있다. 다른 예로서, 마스크는, 마스크(130)의 적어도 일부가 전방 표면(113)과 접촉하여 섀도잉 효과들을 감소시키도록, 전방 표면(113)의 전방에 배열될 수 있다. 직접적인 접촉이라는 용어는, 마스크(130)가 기판, 특히 에지 영역들(127)에 닿거나 또는 접촉하거나 또는 인접하게 하는 것으로 이해될 수 있으며, 여기서 거리(135)는 실질적으로 제로일 수 있다.
[0043] 위에서 설명된 바와 같이, 에지 배제, 에지 배제 마스크 또는 마스크는, 기판, 예컨대 유리와 프로세싱 스테이션, 예컨대 증착 소스 사이에 로케이팅될 수 있다. 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 유리-마스크-거리는 건식 접착제 어레인지먼트에 의해 감소될 수 있다. 유리-마스크-거리는 가능한 한 작을 수 있는데, 왜냐하면 유리 에지가 일직선(straight)이고, 어떤 클램프도 에지 배제, 즉, 마스킹을 방해하지 않을 것이기 때문이다.
[0044] 실시예들에 따르면, 지지 바디(110)에 의해 지지되는 기판(101)은 프로세싱 영역에서 마스크(130)를 향해 직접적으로 일정 각도만큼 이동될 수 있다. 마스크(130)는 마스크 어레인지먼트를 용이하게 하기 위해 프로세싱 영역에 정지식으로(stationaryly) 고정될 수 있다. 대안적으로, 지지 바디는, 예컨대 회전 후에 마스크를 향한 병진 이동을 겪을 수 있다.
[0045] 실시예들에 따르면, 진공 챔버, 진공 챔버 내의 기판 지지부, 및 프로세싱 스테이션을 포함하는 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 기판 지지부는, 지지 바디, 및 지지 바디에 있는 건식 접착제, 및 지지 바디를 축을 중심으로 프로세싱 스테이션의 전방으로 그리고 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지게 이동시키는 액추에이터를 포함한다. 본원에서 사용되는 바와 같은 진공이라는 용어는, 예컨대 10 mbar 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명되는 바와 같은 진공 챔버 내의 압력은 10-5 mbar 내지 대략 10-8 mbar, 더 전형적으로는 10-5 mbar 내지 10-7 mbar, 훨씬 더 전형적으로는 대략 10-6 mbar 내지 대략 10-7 mbar일 수 있다.
[0046] 프로세싱 스테이션은, 적어도 하나의 프로세싱 디바이스를 포함하는 프로세싱 모듈 또는 프로세싱 챔버, 특히 진공 분위기를 갖는 챔버로서 이해될 수 있다. 프로세싱 디바이스는, 특히 진공 분위기의 프로세싱 디바이스의 프로세싱 영역 내의 프로세싱 디바이스에 근접한 또는 가까워진 기판에 영향을 미치는 디바이스로서 이해될 수 있다. 프로세싱 디바이스들은, 화학 기상 증착, 물리 기상 증착과 같은 코팅 프로세스들을 위해 구성된 디바이스들과 같은, 기판의 표면 상에서의 재료 증착을 위한 디바이스들을 포함할 수 있거나, 또는 프로세싱 디바이스들은 기판을 에칭하기 위한 디바이스들을 포함할 수 있다. 증착은 스퍼터링 디바이스들에 의해 제공될 수 있다. 프로세싱 디바이스들은 또한, 열처리, 냉각, 방사 또는 플라즈마 처리 프로세스들을 수행하기 위한 디바이스들로서 이해될 수 있다. 전형적으로, 프로세싱 디바이스와 프로세싱되는 기판의 표면 사이의 거리는 대략 300 mm 이하일 수 있고, 특히 그 거리는 240 mm 내지 260 mm일 수 있다.
[0047] 본 개시내용에서, 지지 바디를 축을 중심으로 이동시키기 위한 액추에이터는, 연장가능한 실린더, 예컨대 지지 바디를 축을 중심으로 프로세싱 스테이션 전방으로 이동시키도록 구성된 유압, 공압, 기계 또는 전기 구동 실린더로서 이해될 수 있다. 액추에이터는 또한, 랙(rack) 및 피니언(pinion) 시스템을 갖는 선형 액추에이터로서 이해될 수 있다. 축, 특히 회전 축은 피벗, 스위블, 스윙 또는 회전 조인트로서 구성될 수 있다. 축은, 예컨대 모터 및 기어를 갖는 액추에이터를 포함할 수 있다. 축은 직접적으로 구동될 수 있다. 모터 및/또는 기어가 제공될 수 있다. 액추에이터는 자체-구동되거나 또는 회전가능 장착 로드(rotatable mounted rod)일 수 있다. 액추에이터는 지지 바디 및/또는 축에 고정될 수 있다.
[0048] 도 11을 예시적으로 참조하면, 본 개시내용에 따라 지지 바디를 축을 중심으로 프로세싱 영역 내로 그리고 프로세싱 영역 밖으로 이동시키기 위한 방법(400)의 실시예들이 제공된다. 방법(400)은, 기판을 지지 바디 상의 건식 접착제 상에 부착하기 위한 방법(401), 특히 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따라, 기판을 프로세싱 영역에서 일정 각도만큼 이동시키는 단계(402), 및 기판을 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 이동시키기 위한 단계를 포함한다. 방법(400)은, 기판을 프로세싱하는 단계(403), 프로세싱된 기판을 프로세싱 영역 밖으로 이동시키는 단계(404) 및 기판을 지지 바디의 건식 접착제로부터 분리시키는 단계(405)를 포함한다.
[0049] 도 8을 참조하면, 진공 챔버 내의 기판 지지부(100)의 개략적인 실시예의 예가 도시된다. 포지셔닝 실린더(150) 및 조인트(140)가 지지 바디(110)의 하부 표면(114) 상에 제공된다. 지지 바디(110)는, 연장됨으로써 지지 바디(110)를 푸시하는 포지셔닝 실린더(150)에 의해 이동된다. 지지 바디(110)는 조인트(140)에 장착된다. 포지셔닝 실린더(150)가 연장될 때, 지지 바디(110)는 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 이동한다. 지지 바디의 이동은 플립-이동으로서 설명될 수 있으며, 조인트(140)를 중심으로 한 스윙 이동 등은 회전 축(160)을 형성할 수 있다. 지지 바디(110) 상에 배열된 건식 접착제(120)는 기판(101)에 부착되고, 반 데르 발스 힘들에 의해, 비-수평 포지션에서의 기판(101)의 미끄러짐 또는 낙하(drop off)를 방지한다. 기판(101), 특히 기판(101)의 전방 표면(113)은 비-수평 포지션에서 증착 소스(801)에 의해 프로세싱될 수 있다. 기판(101)을 프로세싱한 후에, 포지셔닝 실린더(150)는 후퇴되며, 여기서 지지 바디(110)는 증착 소스의 프로세싱 영역으로부터 멀어져 시작 포지션으로 이동된다. 시작 포지션은 기판이 비-수직 포지션에 있는 포지션으로서 이해될 수 있으며, 여기서 기판은 프로세싱되지 않는다.
[0050] 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱 스테이션의 전방으로 그리고 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지게 이동시키는 절차는 한 번 이상 반복될 수 있다. 기판을 지지 바디 상에 부착하고 프로세싱 동안 기판을 홀딩하기 위해 건식 접착제를 사용하는 것은, 기판을 위한 임의의 다른 홀딩 구조들의 증착물들을 세정하거나 제거할 어떤 필요성도 없이, 기판을 프로세싱 스테이션의 전방으로 그리고 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지게 이동시키는 절차의 반복을 가능하게 한다.
[0051] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 지지 바디(110)는 지지 바디(110)의 하부 표면(114)에 제공되는 지지 베이스(145)를 포함할 수 있다. 지지 베이스(145)는 최하부 표면 상에, 예컨대 진공 챔버의 최하부 표면 상에 이동가능하게 또는 변위가능하게 배열될 수 있다. 지지 바디(110)의 지지 베이스(145)에는, 예컨대 지지 바디(110)가 측방향으로 프로세싱 구역으로부터 멀어지게 또는 프로세싱 구역을 향하게, 특히 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지게 또는 프로세싱 스테이션을 향하게 이동하는 것을 가능하게 하기 위해 최하부 표면 상에서 슬라이딩하는 롤러(roller)들 또는 러너(runner)들 등이 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같이 일정 각도만큼의 지지 바디의 이동에 추가적으로, 지지 바디의 측방향 이동이 수행될 수 있다.
[0052] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 장치는, 진공 챔버와 프로세싱 스테이션을 서로 연결함으로써 형성될 수 있다. 진공 챔버와 프로세싱 스테이션의 내부들은, 동일한 진공 분위기를 갖는 하나의 결합된 내부로 형성될 수 있다.
[0053] 도 9는, 진공 챔버(570) 및 프로세싱 스테이션(555)을 포함하는 예시적인 진공 프로세싱 장치(550)를 도시한다. 진공 챔버(570)에는 스탠드(stand)들(525)이 제공될 수 있다. 진공 챔버는 프로세싱 스테이션(555)을 포함할 수 있거나, 또는 프로세싱 스테이션(555)에 연결될 수 있다. 프로세싱 스테이션(555)에는 지지 필라(support pillar)들(545)이 제공될 수 있다.
[0054] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 10에 예시된 바와 같이, 기판 프로세싱 시스템(600)은 진공 이송 챔버(610)를 포함할 수 있으며, 여기서 하나보다 많은, 특히 복수의 진공 프로세싱 장치들(550A, 550B, 550C)이 진공 이송 챔버(610)에 인접하게 배열된다. 기판(101)은, 예컨대 로드 챔버(510)를 통해 진공 이송 챔버(610)로 이송된다. 진공 이송 챔버(610)는 기판(101)을 제1 진공 챔버(570A)로 이동시킬 수 있다.
[0055] 기판(101)은, 제1 진공 챔버(570A) 내에서 기판 지지부(100)의 건식 접착제(120)에 의해 지지 바디(110) 상에 배열 또는 부착될 수 있다. 기판 지지부(100)는 본원에서 설명되는 바와 같이 마스크(도시되지 않음)의 전방의 프로세싱 스테이션(555A)의 프로세싱 영역에서 기판(101)을 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 일정 각도만큼 이동시킨다. 프로세싱 스테이션(555A)의 프로세싱 영역에서의 기판(101)의 프로세싱 후에, 기판은 비-수직 포지션으로 프로세싱 영역으로부터 진공 챔버(570A) 내로 이동된다. 기판(101)은 진공 챔버(570A)로부터 다시(back) 진공 이송 챔버(610)로 이동된다. 진공 챔버(570A)로부터 기판(101)을 획득한 후에, 진공 이송 챔버(610)는 기판(101)을, 추가의 프로세싱 스테이션들(555B, 555C, 555D)을 포함하는 추가의 진공 프로세싱 장치(550B 또는 550C 또는 550D)로 각각 이동시킬 수 있다.
[0056] 실시예들에 따르면, 진공 챔버(570A)로부터 추가의 진공 챔버(570B, 570C, 570D)로의 기판(101)의 이동은 기판(101)의 측방향 이동으로서 이해될 수 있으며, 여기서 기판(101)은 비-수직 포지션인 채로 이동된다. 진공 이송 챔버(610)는, 예컨대 기판(101)이 프로세스 챔버로 이동되기 전에 기판(101)의 정렬을 가능하게 하기 위해 기판(101)을 회전시키도록 구성될 수 있다. 기판(101)은 진공 이송 챔버(610)에 의해, 결정되지 않은 시퀀스로 진공 이송 챔버(610) 상에 배열된 임의의 다른 진공 챔버(570A, 570B, 570C)로 이동될 수 있다.
[0057] 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템이 제공될 수 있다. 프로세싱 시스템은 로드 모듈, 이송 챔버 및 진공 프로세싱 장치를 포함한다. 프로세싱 시스템은 하나보다 많은 로드 모듈, 이송 챔버 또는 진공 프로세싱 장치를 포함할 수 있다.
[0058] 로드 모듈은 기판의 흡입(intake) 또는 수용(acceptance)이 가능한 모듈로서 이해될 수 있다. 로드 모듈은, 기판을 수용하도록 구성된 개구를 일 측에 갖는 챔버일 수 있다. 로드 모듈은, 기판을 로드 모듈로 이송하도록 구성된 이송 디바이스에 연결될 수 있다. 예컨대, 로드 모듈은, 기판을 낮은 압력을 갖는 챔버, 특히 진공 압력을 갖는 챔버에 이송하기 위한 에어 로크(air lock)로서 이해될 수 있다. 실시예들에 따르면, 로드 모듈은 진공 이송 챔버에 연결된다.
[0059] 진공 이송 챔버는, 다른 기판 프로세싱 모듈들, 챔버들 또는 디바이스들에 연결된, 진공 압력을 갖는 챔버로서 이해될 수 있다. 진공 이송 챔버는 기판을, 추가의 기판 프로세싱을 위해 진공 이송 챔버에 연결된 다른 모듈들 또는 디바이스들로 이동시키도록 구성될 수 있다.
[0060] 실시예들에 따르면, 하나보다 많은 진공 프로세싱 장치가 진공 이송 챔버에, 특히 진공 이송 챔버의 외측 벽에 배열된다. 진공 이송 챔버는 진공 프로세싱 장치들 사이에 이송 경로 구성을 형성할 수 있다.
[0061] 진공 이송 챔버는 이송 경로 구성으로서 이해될 수 있으며, 여기서 프로세스 장치들과 같은 몇몇 기판 프로세싱 모듈들은 이송 경로 구성의 측방향 영역들에 배열된다. 각각의 기판 프로세싱 모듈 또는 기판 프로세싱 시스템은, 예컨대 개구에 의해 또는 에어-로크에 의해 이송 경로 구성에 연결될 수 있다.
[0062] 실시예들에 따르면, 기판 프로세싱 시스템은 나란히 배열된 하나보다 많은 기판 프로세스 장치를 포함할 수 있다. 제1 프로세스 장치에서, 액추에이터는 기판 지지 바디를 축을 중심으로 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 스테이션의 프로세싱 영역 내로 이동시킨다. 추가의 프로세싱을 위해, 기판은 추가의 프로세싱 장치들로 이동될 수 있으며, 여기서 기판은 비-수직 포지션인 채로, 하나의 프로세스 장치로부터 다른 프로세스 장치로 이동된다.
[0063] 실시예들에 따르면, 진공 이송 챔버는 다각형-형상 또는 원형 설계를 가질 수 있다. 다각형-설계는, 예컨대 삼각형-형상, 사각형-형상, 오각형-형상 또는 육각형 형상 설계를 포함할 수 있다. 진공 프로세스 챔버는, 진공 이송 챔버의 다각형-형상 설계들의 하나의 에지 상에 또는 더 많은 에지들 상에 또는 각각의 에지 상에 배열될 수 있다. 하나보다 많은 진공 프로세스 챔버가 제공되는 경우, 진공 이송 챔버는 진공 프로세스 챔버들의 중간에 또는 중앙에 배열될 수 있다. 진공 이송 챔버의 중앙 또는 중간에서의 진공 이송 챔버의 어레인지먼트는, 기판 프로세싱 시스템의 클러스터형 설계를 가능하게 한다. 하나보다 많은 진공 프로세스 챔버가 진공 이송 챔버 상에 배열될 수 있으며, 여기서 각각의 챔버는 진공 이송 챔버의 중심점으로부터 동일한 거리를 갖는다. 다각형-형상 설계 진공 이송 챔버의 하나 이상의 에지들에 기판들을 위한 저장 모듈들 또는 임의의 다른 기판 지원 모듈들을 배열하는 것이 추가로 가능하다.
[0064] 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 2개 이상의 클러스터형 기판 프로세싱 시스템들을 연결하고 그리고 2개 이상의 기판 프로세싱 시스템들 사이에서의 기판 이송 및 추가의 기판 프로세싱을 가능하게 하는 것이 가능하다.
[0065] 실시예들에 따르면, 진공 이송 챔버는 기판 지지부에 부착되어 있는 기판을 진공 프로세싱 장치로 이송하도록 구성된다. 부착되어 있는 기판은, 진공 이송 챔버 내에서 이송되는 동안 기판이 건식 접착제에 의해 기판 지지부 상에 부착되어 유지되고 그리고/또는 홀딩되는 것으로 이해될 수 있다. 기판 지지부의 이동은 수평 방향에서의 변위로서 이해될 수 있다. 변위는 롤러들 등을 갖는 안내 시스템에 의해 수행될 수 있다. 지지 바디에 부착된 기판을 유지하는 것은, 기판이 진공 프로세스 챔버에 진입하고 그리고/또는 프로세싱 후에 다시 진공 이송 챔버에 진입할 때, 지지 바디의 건식 접착제를 이용한 기판의 추가의 부착 및 분리 동작들이 방지될 수 있다는 장점을 갖는다. 지지 바디에 부착된 기판을 유지하는 것은 또한, 기판 프로세싱 프로세스를 가속화할 수 있다.
[0066] 본 개시내용은, 기판의 전방 또는 측방향 표면들에 영향을 미치는 다른 홀딩 어레인지먼트들에 대한 어떤 필요성도 없이, 기판을 후방 표면 상에 홀딩하기 위한 기판 지지부를 제공하는 것을 포함하는 몇몇 장점들을 갖는다. 본원에서 설명되는 기판 지지부는 유리 에지 주위에 도달하는 어떤 측면 증착 또는 다른 홀딩 어레인지먼트들 없이 비-수평 포지션에서의 기판 프로세싱을 가능하게 한다. 본원에서 설명되는 건식 접착 구조들로 인해, 처짐이 방지될 수 있다. 본원에서 설명되는 진공 프로세싱 시스템의 실시예들은 비-수직 기판 프로세싱, 및 작은 풋프린트를 갖는 공간-절약 설계를 가능하게 한다.
[0067] 전술한 바가 일부 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가의 실시예들이 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 구상될 수 있고, 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부로서,
    지지 바디; 및
    상기 지지 바디에 부착되어 상기 기판을 위한 홀딩 어레인지먼트를 제공하는 건식 접착제(dry adhesive) ― 상기 건식 접착제는, 상기 건식 접착제와 상기 기판의 표면 사이의 반 데르 발스 힘들로 인해 상기 기판에 접착되도록 구성됨 ―;를 포함하며,
    상기 지지 바디는 프로세싱 영역에서 상기 기판을 일정 각도만큼 이동시키도록 구성되고,
    상기 건식 접착제는 복수의 접착 구조들을 포함하고, 상기 접착 구조들은 상기 지지 바디 상에 하나 또는 그 초과의 부착 영역들을 형성하며,
    상기 복수의 접착 구조들은 제1 접착 구조 및 제2 접착 구조를 포함하고, 상기 제1 접착 구조는 상기 기판의 표면과 평행하게 비등방성의 가요성을 갖는,
    기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 지지 바디는 상기 기판을 비-수직 포지션과 비-수평 포지션 사이에서 이동시키도록 구성되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부.
  3. 기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부로서,
    지지 바디;
    상기 지지 바디에 있는 건식 접착제 ― 상기 건식 접착제는, 상기 건식 접착제와 상기 기판의 표면 사이의 반 데르 발스 힘들로 인해 상기 기판에 접착되도록 구성됨 ―; 및
    상기 지지 바디를 축을 중심으로 프로세싱 영역 내로 그리고 상기 프로세싱 영역 밖으로 이동시키는 액추에이터;를 포함하고,
    상기 건식 접착제는 복수의 접착 구조들을 포함하고, 상기 접착 구조들은 상기 지지 바디 상에 하나 또는 그 초과의 부착 영역들을 형성하며,
    상기 복수의 접착 구조들은 제1 접착 구조 및 제2 접착 구조를 포함하고, 상기 제1 접착 구조는 상기 기판의 표면과 평행하게 비등방성의 가요성을 갖는,
    기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부.
  4. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 접착 구조는, 제1 배향을 갖는 제1 세장형 단면을 가지고, 상기 제2 접착 구조는, 상기 제1 배향과 상이한 제2 배향을 갖는 제2 세장형 단면을 갖는,
    기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 접착 구조는 제1 부착 영역에 제공되고 그리고 상기 제2 접착 구조는 제2 부착 영역에 제공되고, 상기 제1 부착 영역 및 상기 제2 부착 영역은 상기 기판 지지부 상에 패턴을 형성하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부.
  6. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 건식 접착제는 게코 접착제(Gecko adhesive)를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부.
  7. 진공 프로세싱 장치로서,
    진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내의 기판 지지부; 및
    프로세싱 스테이션;을 포함하며,
    상기 기판 지지부는,
    지지 바디;
    상기 지지 바디에 있는 건식 접착제 ― 상기 건식 접착제는, 상기 건식 접착제와 기판의 표면 사이의 반 데르 발스 힘들로 인해 상기 기판에 접착되도록 구성됨 ―; 및
    상기 지지 바디를 축을 중심으로 상기 프로세싱 스테이션의 전방으로 그리고 상기 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지게 이동시키는 액추에이터;를 포함하고,
    상기 건식 접착제는 복수의 접착 구조들을 포함하고, 상기 접착 구조들은 상기 지지 바디 상에 하나 또는 그 초과의 부착 영역들을 형성하며,
    상기 복수의 접착 구조들은 제1 접착 구조 및 제2 접착 구조를 포함하고, 상기 제1 접착 구조는 상기 기판의 표면과 평행하게 비등방성의 가요성인,
    진공 프로세싱 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 기판 지지부와 상기 프로세싱 스테이션 사이에 마스크가 제공되는,
    진공 프로세싱 장치.
  9. 제7 항 또는 제8 항에 있어서,
    상기 기판의 전방에 마스크가 배열되고, 상기 마스크는 상기 기판의 에지 영역을 커버하는,
    진공 프로세싱 장치.
  10. 기판 프로세싱 시스템으로서,
    로드 모듈(load module);
    진공 이송 챔버; 및
    제7 항 또는 제8 항에 따른 진공 프로세싱 장치;를 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 진공 이송 챔버에 하나 초과의 진공 프로세싱 장치들이 배열되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 하나 초과의 진공 프로세싱 장치들 중 제1 프로세싱 장치의 프로세싱 스테이션과 상기 진공 이송 챔버 사이의 거리는, 상기 하나 초과의 진공 프로세싱 장치들 중 제2 프로세싱 장치의 프로세싱 스테이션과 상기 진공 이송 챔버 사이의 거리와 동일한,
    기판 프로세싱 시스템.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 진공 이송 챔버는 다각형 또는 원형 형상을 갖는,
    기판 프로세싱 시스템.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 진공 이송 챔버는 상기 지지 바디에 부착되어 있는 상기 기판을 상기 진공 프로세싱 장치로 이송하도록 구성되는,
    기판 프로세싱 시스템.
  15. 삭제
KR1020207015917A 2017-11-20 2017-11-20 기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치 및 기판 프로세싱 시스템 KR102395754B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2017/079798 WO2019096425A1 (en) 2017-11-20 2017-11-20 Substrate support for processing a substrate, vacuum processing apparatus and substrate processing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200078620A KR20200078620A (ko) 2020-07-01
KR102395754B1 true KR102395754B1 (ko) 2022-05-06

Family

ID=60480295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207015917A KR102395754B1 (ko) 2017-11-20 2017-11-20 기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치 및 기판 프로세싱 시스템

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102395754B1 (ko)
CN (1) CN111373503B (ko)
WO (1) WO2019096425A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111663104A (zh) * 2020-06-24 2020-09-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀系统及蒸镀方法
CN115443346A (zh) * 2020-07-01 2022-12-06 应用材料公司 用于移动基板的设备、沉积设备和处理系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124201A (ja) * 2001-07-27 2003-04-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置および基板載置台
JP2008175870A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造装置、及び液晶装置の製造方法
JP2014072454A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ処理装置および積層体の製造方法
US20170114462A1 (en) * 2015-10-26 2017-04-27 Applied Materials, Inc. High productivity pecvd tool for wafer processing of semiconductor manufacturing

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372549B2 (en) * 2005-06-24 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070113849A (ko) * 2006-05-26 2007-11-29 주식회사 에이디피엔지니어링 기판 고정척 및 기판 척킹 방법, 그리고 이를 이용한평판표시장치 제조용 기판 합착기
US8398776B2 (en) * 2008-05-12 2013-03-19 Raytheon Canada Limited Method and apparatus for supporting workpieces in a coating apparatus
JP4766156B2 (ja) * 2009-06-11 2011-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
US20180282860A1 (en) * 2015-12-07 2018-10-04 Simon Lau Holding arrangement for holding a substrate during substrate processing in a vacuum processing chamber, carrier for supporting a substrate in a vacuum processing chamber, and method for holding a substrate
WO2018103852A1 (en) * 2016-12-08 2018-06-14 Applied Materials, Inc. Holding arrangement for holding a substrate, carrier including the holding arrangement, method for holding a substrate, and method for releasing a substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003124201A (ja) * 2001-07-27 2003-04-25 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置および基板載置台
JP2008175870A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造装置、及び液晶装置の製造方法
JP2014072454A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ処理装置および積層体の製造方法
US20170114462A1 (en) * 2015-10-26 2017-04-27 Applied Materials, Inc. High productivity pecvd tool for wafer processing of semiconductor manufacturing

Also Published As

Publication number Publication date
CN111373503A (zh) 2020-07-03
KR20200078620A (ko) 2020-07-01
CN111373503B (zh) 2023-04-28
WO2019096425A1 (en) 2019-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105814231B (zh) 用于有机材料的蒸发源、用于在真空腔室中沉积有机材料的沉积设备及蒸发有机材料的方法
TWI688141B (zh) 用於一基板載體及一遮罩載體之定位配置、用於一基板載體及一遮罩載體之傳送系統、應用其之真空處理系統、及用於其之方法
US20200040445A1 (en) Vacuum system and method for depositing a plurality of materials on a substrate
CN101208767A (zh) 用于单道次涂覆基体两面的组件
KR102395754B1 (ko) 기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치 및 기판 프로세싱 시스템
US9048460B2 (en) Deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus by using the same
KR20160039277A (ko) 기판들을 위한 유지 배열, 및 이를 사용하는 장치 및 방법
KR102495121B1 (ko) 기판을 프로세싱하는 진공 프로세싱 장치 및 방법
KR102444086B1 (ko) 스윙 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 이송 챔버로부터 기판을 수용하기 위한 스윙 모듈, 및 진공 프로세싱 시스템
WO2017101971A1 (en) Processing system for two-side processing of a substrate and method of two-side processing of a substrate
TW201921760A (zh) 處理一遮罩裝置之方法、用以交換一遮罩裝置之設備、遮罩交換腔室、及真空系統
CN110557955B (zh) 用于支撑基板或掩模的载体
TW202020192A (zh) 真空處理設備、軌道配置、遮罩遮蔽物及交換其之方法
WO2019042565A1 (en) RETENTION ARRANGEMENT FOR HOLDING A SUBSTRATE, MEDIUM COMPRISING THE RETENTION ARRANGEMENT, PROCESSING SYSTEM USING THE MEDIUM, METHOD FOR RETAINING A SUBSTRATE, AND METHOD FOR RELEASING A SUBSTRATE FROM A RETENTION ARRANGEMENT
KR102444830B1 (ko) 진공 시스템에서 마스크들을 핸들링하는 방법들 및 진공 시스템
CN211929431U (zh) 基板支撑件、真空处理设备及基板处理系统
CN112740391A (zh) 用于排队式基板处理系统的掩模处理模块和用于掩模传送的方法
CN110651361A (zh) 真空处理系统以及操作真空处理系统的方法
JP2019518863A (ja) 一又は複数の材料を基板の上に堆積させる真空システム及び方法
WO2018103852A1 (en) Holding arrangement for holding a substrate, carrier including the holding arrangement, method for holding a substrate, and method for releasing a substrate
WO2018082792A1 (en) Carrier for holding a substrate, use of the carrier in a processing system, processing system employing the carrier, and method for controlling a temperature of a substrate
JP2020535304A (ja) マスクアライナを有する堆積装置、基板をマスクするためのマスク設備、及び基板をマスクするための方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant