JP2020535304A - マスクアライナを有する堆積装置、基板をマスクするためのマスク設備、及び基板をマスクするための方法 - Google Patents
マスクアライナを有する堆積装置、基板をマスクするためのマスク設備、及び基板をマスクするための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020535304A JP2020535304A JP2020505780A JP2020505780A JP2020535304A JP 2020535304 A JP2020535304 A JP 2020535304A JP 2020505780 A JP2020505780 A JP 2020505780A JP 2020505780 A JP2020505780 A JP 2020505780A JP 2020535304 A JP2020535304 A JP 2020535304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- aligner
- substrate
- frame
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 title claims description 23
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 title 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 23
- 230000032258 transport Effects 0.000 abstract description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- -1 oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67709—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本開示は、基板(10)上に1つ又は複数の層を堆積するための堆積装置(100)を提供する。堆積装置は、真空チャンバ(60)と、マスクフレーム(21)に取り付けられたマスク(22)を有するマスクフレーム(21)を支持するように構成されたマスクキャリア(23)を搬送するための搬送システム(50)と、アライナシステム(40)とを含み、アライナシステム(40)は、真空チャンバ(60)内に少なくとも部分的に設けられた複数の第1のアライナデバイス(41)であって、マスクキャリア(23)又はマスク支持体に接触する、複数の第1のアライナデバイス(41)と、真空チャンバ(60)内に少なくとも部分的に設けられた複数の第2のアライナデバイス(42)であって、マスクフレーム(21)に接触する、複数の第2のアライナデバイス(42)とを含む。【選択図】図4
Description
[0001]本開示の実施形態は、マスクの位置を調整するためのマスクアライナ、より具体的にはマスクの面内及び面外の変形を補償するためのマスクアライナを有する堆積装置に関する。本開示の実施形態はさらに、処理チャンバ内に堆積される基板をマスキングするためのマスク設備に関する。さらに、本開示の実施形態は、処理チャンバ内に堆積される基板をマスクするための方法、より具体的には、マスクの面内及び面外の変形を補償するための方法に関する。
[0002]有機発光ダイオード(OLED)などの有機材料を使用する光電子デバイスは、多くの理由によりますます一般的になっている。OLEDは、発光層にある有機化合物の薄膜が含まれる特殊なタイプの発光ダイオードである。有機発光ダイオード(OLED)は、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の携帯型デバイスなどの製造時に使用される。OLEDはまた、一般的な空間照明にも使用することができる。OLEDピクセルが直接発光し、バックライトを含んでいないので、OLEDディスプレイで可能な色、輝度及び視野角の範囲は、従来のLCDディスプレイの範囲よりも大きい。OLEDディスプレイのエネルギー消費は、従来のLCDディスプレイのエネルギー消費よりもかなり少ない。更に、OLEDをフレキシブル基板上に製造することができるので、更なる用途が得られる。
[0003]OLEDは、基板上に材料を堆積することによって実現される。この目的のためにいくつかの方法が知られている。一例として、基板は、蒸発プロセス、スパッタリングプロセスや噴霧プロセスなどの物理的気相堆積(PVD)プロセス、又は化学気相堆積(CVD)プロセスを使用することによって、コーティングされうる。プロセスは、コーティングされる基板が位置する、堆積装置の処理チャンバ内で実行することができる。堆積材料は、処置チャンバ内に供給される。基板上の所望の位置に材料を堆積させて、例えば基板上にOLEDパターンを形成するために、粒子は、例として、境界又は特定のパターンを有するマスクを通過することができる。有機材料、分子、金属、酸化物、窒化物、及び炭化物などの複数の材料が、基板上への堆積に使用されうる。さらに、エッチング、構造化(structuring)、アニーリングなどの他のプロセスが、処理チャンバ内で実行可能である。
[0004]例えば、コーティングプロセスは、例としてディスプレイ製造技術における、大面積基板のためのものとみなされることがある。コーティングされた基板は、いくつかの用途及びいくつかの技術分野において、使用可能である。例えば、1つの用途は有機発光ダイオード(OLED)パネルでありうる。更なる用途は、絶縁パネル、半導体デバイスなどのマイクロエレクトロニクス、薄膜トランジスタ(TFT)付き基板、カラーフィルタなどを含む。OLEDは、電気の印加により光を発する(有機)分子の薄膜で構成された固体デバイスである。一例として、OLEDディスプレイは、電子デバイス上に明るいディスプレイを提供すること、及び、例えば液晶ディスプレイ(LCD)と比較して使用電力を削減することが可能である。処理チャンバ内で、有機分子が生成され(例えば蒸発し、スパッタリングされ、又は噴霧される等)、基板上に層として堆積される。基板上の所望の位置に材料を堆積し、例えば基板上にOLEDパターンを形成するために、材料は、例としては、境界又は特定のパターンを有するマスクを通過することができる。
[0005]処理された基板の品質、特に堆積層の品質に関連する側面は、マスクに対する基板の位置合わせである。一例として、良好なプロセス結果を達成するために、位置合わせは正確で再現可能とすべきである。したがって、基板をマスクに対して位置合わせするために、基板及び/又はマスクキャリアに連結されたデバイスが使用される。しかしながら、マスクが、例えば、温度、クランプ力、重力の変動又は製造プロセスによる事前変形といった様々な要因により、面内又は面外の変形を受ける場合には、マスクの位置合わせが問題となりうる。
[0006]上記を考慮して、マスクの面内及び面外の変形を補償することができるアライナ、設備、装置及び方法が必要である。
[0007]上記に照らして、堆積装置、マスク設備、及び基板をマスクするための方法が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、従属請求項、明細書、及び添付の図面から明らかである。
[0008]第1の実施形態又は態様によれば、堆積装置が提供される。堆積装置は、真空チャンバと、マスクフレームに取り付けられたマスクを有するマスクフレームを支持するように構成されたマスクキャリアを搬送するための搬送システムと、真空チャンバ内に少なくとも部分的に設けられた複数の第1のアライナデバイスであって、マスクフレームを支持するマスクキャリア又はマスク支持体に接触する、複数の第1のアライナデバイス、及び真空チャンバ内に少なくとも部分的に設けられた複数の第2のアライナデバイスであって、マスクフレームに接触する、複数の第2のアライナデバイスを含むアライナシステムとを含む。
[0009]第2の実施形態又は態様によれば、マスク設備が提供される。マスク設備は、マスクフレームに取り付けられたマスクを有するマスクフレームを支持するように構成されたマスクキャリア又はマスク支持体を含み、マスクキャリア又はマスク支持体が、複数の第1のアライナデバイスに接触するように構成され、かつマスクフレームが、複数の第2のアライナデバイスに接触するように構成される。
[0010]第3の実施形態又は態様によれば、第1の実施形態又は態様による堆積装置において基板をマスキングするための第2の実施形態又は態様のマスク設備の使用が提供される。
[0011]第4の実施形態又は態様によれば、基板をマスキングする方法が提供される。方法は、マスクフレームに取り付けられたマスクを有するマスクフレームを支持するマスクキャリア又はマスク支持体をクランピングすることと、基板をマスクに位置合わせすることと、少なくとも1つの調整力をマスクフレームに加えることにより、マスクを水平にすることとを含む。
[0012]本開示の上記特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上記で簡単に概説したより具体的な説明が得られうる。添付図面は、本開示の実施形態に関するものであり、下記で説明される。
[0013]これより本開示の様々な実施形態を詳細に参照していく。これらの実施例の1つ又は複数の例が図中に示されている。図面についての下記の説明において、同じ参照番号は同じ構成要素を表す。概して、個々の実施形態に関する相違点のみを説明する。各実施例が、本開示の説明として提供されるが、これは限定を意図するものではない。さらに、1つの実施形態の一部として例示又は記載されている特徴を、他の実施形態で使用することができ、又は他の実施形態と併用することができ、さらに別の実施形態が生み出される。本記載は、このような修正及び変形を含むことが意図されている。
[0014]図1は、基板10上にOLEDを製造するためのマスクを使用する堆積プロセスの概略図を示す。OLEDを製造するために、有機分子は堆積源30によって生成され、基板10上に堆積される。マスク22は、基板10と堆積源30との間に配置される。堆積源30は、例えば、蒸発源、スパッタリング源又は噴霧源でありうる。マスク22は、例えば複数の開口部22aによって提供される、特定のパターンを有し、よって、有機分子は、例えば堆積経路32に沿って、開口部22aを通過し、基板10上に有機化合物の層又は膜を堆積する。例えば、種々の色特性を有するピクセルを生成するために、種々のマスク、又は基板10に対するマスク22の種々の位置を使用して、基板10上に複数の層又は膜を堆積することができる。一例として、第1の層又は膜が堆積されて赤色ピクセル34を生成することが可能であり、第2の層又は膜が堆積されて緑色ピクセル36を生成することが可能であり、第3の層又は膜が堆積されて青色ピクセル38を生成することが可能である。層又は膜、又は複数の層若しくは膜は、有機半導体を形成するために、アノード及びカソード(図示せず)といった2つの電極の間に配置されうる。2つの電極のうちの少なくとも1つの電極は、透明であってもよい。
[0015]基板10及びマスク22は、堆積プロセス中に垂直配向に配置することができる。図1では、矢印が垂直方向101及び水平方向102を示す。
[0016]本開示全体を通じて使用されているように、「垂直方向(vertical direction)」又は「垂直配向(vertical orientation)」という用語は、「水平方向(horizontal direction)」又は「水平配向(horizontal orientation)」と区別するためのものと理解される。つまり、「垂直方向」又は「垂直配向」は、例えばマスク設備/マスク及び基板の、実質的に垂直配向に関するものであり、正確な垂直方向又は垂直配向から数度(例えば10°まで、又は15°までも可)のずれは、依然として「垂直な方向」又は「垂直配向」と見なされる。正確な垂直方向は、重力と平行である。垂直方向又は実質的に垂直方向は、上記のずれを許容しうる。
[0017]本書に記載の実施形態は、特に、垂直配向に向けられた基板及びマスクに関するが、本開示はそれに限定されない。例えば、本開示で説明される実施形態は、基板及び/又はマスク、並びに水平配向に向けられた基板キャリア及び/又はマスクキャリアにも適用可能である。
[0018]本開示を通して使用されるように、マスク22は、垂直配向に配置されると、第1の方向101及び第2の方向102によって画定されるマスク平面にある。第1の方向101は、マスク22が搬送システムによって搬送される搬送方向に実質的に平行に位置合わせされうる。第2の方向102は、上述の垂直方向に実質的に平行に、特に重力に実質的に平行に位置合わせされうる。特に、第1の方向101及び第2の方向102は、互いに実質的に垂直である。さらに、第3の方向103は、第1の方向101及び第2の方向102によって画定されたマスク平面に対して実質的に直角に位置合わせされうる。特に、第3の方向103は、堆積経路32に実質的に平行に位置合わせされる。
[0019]本書に記載の実施形態は、例えば、製造されたディスプレイ用の大面積基板をコーティングするために利用することができる。本書に記載の装置及び方法が構成される基板又は基板受容面積は、例えば、1m2以上のサイズを有する大面積基板とすることができる。例えば、大面積基板又はキャリアは、約0.67m2の基板(0.73×0.92m)に相当するGEN4.5、約1.4m2の基板(1.1m×1.3m)に相当するGEN5、約4.29m2の基板(1.95m×2.2m)に相当するGEN7.5、約5.7m2の基板(2.2m×2.5m)に相当するGEN8.5、又は約8.7m2の基板(2.85m×3.05m)に相当するGEN10でもありうる。GEN11及びGEN12などの更に大型の世代、並びにそれらに相当する基板面積も、同様に実装されうる。例えば、OLEDディスプレイの製造では、GEN6を含む上記の基板世代の半分のサイズを、材料を蒸発させるための装置の蒸発によってコーティングすることができる。基板世代の半分のサイズは、完全な基板サイズで実行されているいくつかのプロセスと、以前処理された基板の半分で実行されている後続のプロセスから生じることがある。
[0020]本書で使用される「基板(substrate)」という用語は、特に、ウエハ、サファイアなどの透明結晶体の薄片、又はガラス板といった、実質的に非フレキシブルな基板を包含しうる。しかし、本開示はそれらに限定されず、「基板」という用語は、ウェブや箔などのフレキシブル基板を包含しうる。「実質的に非フレキシブルな(substantially inflexible)」という用語は、「フレキシブル(flexible)」とは相違すると理解される。具体的には、0.5mm以下の厚さを有するガラス板などの実質的に非フレキシブルな基板は、ある程度の可撓性を有する可能性があり、実質的に非フレキシブルな基板の可撓性は、フレキシブル基板と比較して低い。
[0021]基板は、材料堆積に適切な任意の材料で作製されうる。例えば、基板は、ガラス(例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、金属又は堆積プロセスによってコーティングできる他の任意の材料若しくは材料の組み合わせからなる群から選択された材料で作製されうる。
[0022]堆積プロセスの一態様は、マスク22に対する基板10の位置合わせである。基板10の正確な位置合わせにより、堆積層の品質と精度が向上し、製品が改善される。良好なプロセス結果を実現するために、位置合わせは正確で再現可能とすべきである。しかし、マスクが面内又は面外の変形を受ける場合、基板の位置合わせは問題になりうる。
[0023]いくつかの処理システムでは、マスクは通常、水平配向に向けられうる。マスクを水平に配向することで、マスクに直角な方向に作用する重力によって、いくつかのタイプのマスク変形を部分的に又は完全に補償することができる。しかし、本書に記載のいくつかの実施形態による垂直配向に配置されたマスクは、基板又はマスクの表面に集まる粒子の数が減り、堆積層の品質が向上するという利点がある。さらに、垂直配向を使用すると、処理システムが床空間をより効率的に使用できるようになる。重力は垂直配向に配置されたマスクに対して実質的に直角に作用しないため、マスクの面内及び面外の変形を補償する問題が残る。さらに、マスクが水平に配向されている処理システム内でさえ、重力によって補償されないことがある他のタイプのマスク変形が問題になる可能性がある。
[0024]図2a及び2bは、マスクフレーム21に取り付けられたマスク22の概略図を示す。その中で、マスク22の面外変形の2つの例が示される。マスク22は、例示的に、垂直配向に向けられて示される。図2aでは、マスク22は面外変形を示し、マスク22は第3の方向103に湾曲している。同様に、図2bでは、マスク22は別の面外変形を示し、マスク22は、第3の方向103及び第3の方向103とは反対の方向に波打っている。
[0025]結果として生じる堆積パターンに対するマスク22の面内又は面外の変形の効果が、図3に例示的に示される。その中には、ターゲット堆積パターン25が示される。ターゲット堆積パターン25は、例えば、基板10上に堆積されるピクセル要素(図示せず)の2次元アレイでありうる。図3に例示的に示されているターゲット堆積パターン25は、パターンの外側境界と、パターンの垂直及び水平の中線によって示される。さらに、変形した堆積パターン26の誇張図が示されており、これは、マスク22を使用する堆積プロセスで基板10上にパターンを堆積することにより基板10上に得られる結果的パターンである。誇張図により示されるように、変形した堆積パターン26は、変形堆積パターン26の1つの領域が他の領域とは異なる方向にかつ異なる大きさで偏位するように、ターゲット堆積パターン25から偏位することがある。したがって、ターゲット堆積パターン25からの変形した堆積パターン26のこのような変位は、マスク22の面内及び面外の変形のため、基板10をマスク22に単に位置合わせするだけでは補償することができない。
[0026]マスクの変形は、多くの原因から発生しうる。例えば、マスク又はマスクの一部の温度の変化は、マスク又はマスクの一部の熱膨張をもたらすことがある。マスクフレーム21とは異なるマスク22の熱膨張により、マスク22は、マスク22に直角な面外方向、すなわち第3の方向103に湾曲又は波打つ結果となることがある。
[0027]マスク変形のさらなる原因は、マスク22が取り付けられるマスクフレーム21の支持であることがある。例えば、マスクフレーム21のマスクキャリアへのクランピングは、マスクフレーム21がクランピングされているマスクフレーム21のクランピング点に不均一な負荷を引き起こす可能性がある。これらの不均一な負荷は、マスクフレーム21の変形を引き起こし、その後、マスク22の面内又は面外の変形を引き起こす可能性がある。
[0028]マスク変形の別の原因は、マスク22又はマスクフレーム21の製造に使用される製造プロセスに起因するマスク22の固有の変形によるものでありうる。例えば、マスク22に使用される材料の不均一な材料特性は、材料の微視的な亀裂又は製造プロセス中に材料に発生する熱によって引き起こされる可能性がある。
[0029]マスク変形のさらに別の原因は、マスク22の配向を水平配向から垂直配向に変更することによるものである可能性がある。例えば、堆積装置で使用するためのマスク22の準備中に、マスク22が取り付けられるマスクフレーム21は、例えば、水平配向にマスクキャリア上、例えば平らな作業台の上などに配置されることがある。次に、マスクフレーム21を支持するマスクキャリアを垂直配向に再配向し、処理システムに挿入されることがある。例えば、水平配向と垂直配向との間で方向を変える重力の影響により、マスク22に存在する固有張力(eigentension)が、マスクに直角な方向に作用する重力によって、もはや補償できないために、マスク22の面内又は面外の変形が引き起こされる可能性がある。
[0030]図4は、本開示の実施形態による、基板10上に1つ又は複数の層を堆積する堆積装置100の概略側面図を示す。堆積装置100は、真空チャンバ60と、マスクフレーム21に取り付けられたマスク22を有するマスクフレーム21を支持するように構成されたマスクキャリア23を搬送するための搬送システム50と、真空チャンバ60内に少なくとも部分的に設けられた複数の第1のアライナデバイス41であって、マスクキャリア23に接触する、複数の第1のアライナデバイス41、及び真空チャンバ60内に少なくとも部分的に設けられた複数の第2のアライナデバイス42であって、マスクフレーム21に接触する、複数の第2のアライナデバイス42を含むアライナシステム40とを含む。
[0031]堆積装置100は、基板10の堆積が行われる真空チャンバ60を含む。真空チャンバ60には、例えば、真空チャンバ60内の真空環境を維持するように構成された1つ又は複数の真空ポンプが設けられてもよい。真空環境は、周囲圧力よりも低い圧力に維持された処理ガスを含んでもよい。真空チャンバ60内には、堆積経路32に沿って基板10上に材料を堆積するように構成された堆積源30が設けられる。堆積源30は、例えば、蒸発源、スパッタ源、又は基板10上に材料の層を堆積するのに適した任意の他の材料源を含んでもよい。
[0032]堆積装置100は、基板アライナデバイス11をさらに含みうる。基板10は、基板アライナデバイス11によって直接的又は間接的に支持されうる。例えば、基板キャリアは、基板10を支持するために設けられてもよく、基板キャリアは、基板アライナデバイス11によってクランピングされるように構成される。基板アライナデバイス11は、マスク22に対して基板10を正確に位置決めするための少なくとも1つのアクチュエータを含みうる。
[0033]堆積装置100は、搬送システム50をさらに含みうる。特に、搬送システム50は、マスク22をマスクフレーム21に取り付けるマスクフレーム21を支持するように構成されたマスクキャリア23を搬送するように構成されうる。本開示において、搬送システム50は、マスクフレーム21及びその上に取り付けられたマスク22を伴うマスクキャリア23が垂直に配向され、第2の方向102に実質的に平行な搬送方向にトラック上で搬送されるように配置される。搬送システム50は、非接触搬送又は接触搬送のために構成されてもよい。例えば、非接触搬送システムは、マスクキャリア23を第1の方向101に支持し、マスクキャリア23を第2の方向102に搬送するように構成された複数の電磁アクチュエータを含むトラックを含んでもよい。代替的には、接触搬送システムは、マスクキャリア23を第1の方向101に支持し、かつマスクキャリア23を第2の方向102に搬送するように構成された複数のローラを含むトラックを含んでもよい。
[0034]搬送システム50は、基板10を搬送するようさらに構成されてもよい。特に、搬送システム50は、基板10を支持するように構成された基板キャリアを搬送するように構成されてもよい。搬送システム50は、マスクキャリア23を搬送するように構成されたトラックから分離されたさらなるトラックを含んでもよい。マスクキャリア23を搬送するのと同様に、搬送システム50は、基板10の非接触若しくは接触搬送用に構成されたトラック、又は基板10を支持するように構成された基板キャリアを含みうる。
[0035]本書に記載の他の実施形態と組み合わせてもよい、さらなる実施形態によれば、マスク設備200が提供される。図5に示すように、マスク設備200は、マスクフレーム21に取り付けられたマスク22を有するマスクフレーム21を支持するように構成されたマスクキャリア23又はマスク支持体を含み、マスクキャリア23又はマスク支持体が、複数の第1のアライナデバイス41に接触するように構成され、かつマスクフレーム21が、複数の第2のアライナデバイス42に接触するように構成される。
[0036]マスクキャリア23は、マスク22が取り付けられたマスクフレーム21を支持するように構成される。特に、マスクキャリア23は、マスクフレーム21を実質的に垂直配向に支持するよう構成される。マスクキャリア23は、概してマスク支持体とみなすこともできる。すなわち、マスク22が取り付けられたマスクフレーム21は、マスクフレーム21を実質的に垂直配向に支持するよう構成されたマスク支持体によって支持されうる。マスク支持体は、マスクキャリア23に含まれてもよく、代替要素であってもよい。マスクキャリア23又はマスク支持体に設けられた1つ又は複数のマスクフレームホルダ24は、マスクフレーム21をマスクキャリア23又はマスク支持体に取り付けるように構成される。1つ又は複数のマスクフレームホルダ24は、マスクフレーム21がマスクキャリア23上に載る接点でありうる。例えば、マスクフレーム21の下方エッジは、一端での点接触かつ他端での線接触によって支持されてもよい。1つ又は複数のマスクフレームホルダ24は、マスクフレーム21がその中で支持されるように溝を含んでもよい。代替的には、1つ又は複数のマスクフレームホルダ24は、マスクフレーム21が複数の突出部に載るように、マスクフレーム21の対応する穴と係合するピンといった、マスクキャリア23上の突出部を含んでもよい。
[0037]代替的には、1つ又は複数のマスクフレームホルダ24は、例えば、永久磁石要素、電磁要素、ねじファスナ、又は摩擦クランプを使用することにより、マスクフレーム21をしっかりと支持してもよい。図5に例示的に示されるように、マスクフレーム21の各コーナーにマスクフレーム21をクランピングするために、4つのマスクフレームホルダ24が設けられる。
[0038]マスクキャリア23又はマスク支持体は、複数の第1のアライナデバイス41に接触するように構成される。したがって、マスクキャリア23又はマスク支持体には、少なくとも1つのクランピング境界面(clamping interface)がさらに設けられる。図5に例示的に示されるように、マスクキャリア23には、マスクキャリア23の各コーナーの複数の第1のアライナデバイス41に接触するための4つのクランピング境界面が設けられる。例えば、複数の第1のアライナデバイス41がマスクキャリア23又はマスク支持体を特定の位置で維持できるように、少なくとも1つのクランピング境界面は、第1のアライナデバイス41がマスクキャリア23又はマスク支持体をクランピングする領域でありうる。少なくとも1つのクランピング境界面は、マスクキャリア23の粗い又は微細な位置合わせのために、少なくとも1つの方向の1つ又は複数の位置合わせ力を受容するようさらに構成されてもよい。少なくとも1つのクランピング境界面は、例えば、平坦なエリア、孔若しくは窪み、又はクランピングデバイスと接合するように構成された突出部であってもよい。少なくとも1つのクランピング境界面は、磁気要素によってクランピングされるように構成された強磁性材料を含みうる。
[0039]マスク22が取り付けられたマスクフレーム21は、1つ又は複数のパターン形成された材料層を堆積するために基板10をマスクするよう構成される。マスクフレーム21は、第1の水平要素21a、第2の水平要素21b、第1の垂直要素21c、及び第2の垂直要素21dを含んでもよく、第1及び第2の水平要素21a、21bと第1及び第2の垂直要素21c、21dは、開口部が設けられたマスクフレーム21を形成する。マスク22は、マスクフレーム21に設けられた開口部が部分的に又は完全に覆われるように、マスクフレーム21に取り付けられる。図1に関して前述したように、マスク22には、パターンを形成するように配置された複数の開口部22aが設けられ、堆積源30からの材料が基板10の表面上にパターンで選択的に堆積されうる。
[0040]マスク22及びマスクフレーム21は、実質的に等しい熱膨張係数を有する材料から製造されうる。例えば、マスク22及びマスクフレーム21は両方とも、インバーなどの低熱膨張係数を有する材料から製造されてもよい。マスク22とマスクフレーム21の熱膨張係数を一致させることにより、マスク22の面内又は面外の変形を引き起こす温度変化の影響が低減される。
[0041]マスクフレーム21は、複数の第2のアライナデバイス42に接触するように構成される。したがって、マスクフレーム21は、少なくとも1つの処理境界面(manipulating interface)をさらに備える。図5に例示的に示すように、第1及び第2の水平要素21a、21bにはそれぞれ、第1及び第2の水平要素21a、21bのほぼ中間点に位置するそれぞれの処理境界面が設けられる。少なくとも1つの処理境界面は、例えば、複数の第2のアライナデバイス42がマスクフレーム21を処理できるように、第2のアライナデバイス42がマスクフレーム21をクランプする領域であってもよい。少なくとも1つの処理境界面は、少なくとも1つの方向の1つ又は複数の処理力を受容するように構成されてもよく、複数の第2のアライナデバイス42は、マスクフレーム21の弾性変形を通して、マスク22の面内又は面外の変形を正確に補償することができるので、基板10がマスク22に正確に位置合わせされうる。少なくとも1つの補正境界面(correcting interface)は、例えば、平坦なエリア、孔若しくは窪み、又はクランピングデバイスと接合するように構成された突出部であってもよい。少なくとも1つの処理境界面は、磁気要素によってクランピングされるように構成された強磁性材料を含みうる。
[0042]さらなる実施形態によれば、マスク設備200は、上述の実施形態の堆積装置100において基板10をマスキングするために使用される。
[0043]再び図4を参照すると、堆積装置100は、本書に記載の実施形態によるアライナシステム40をさらに含む。アライナシステム40は、真空チャンバ60内に少なくとも部分的に設けられた複数の第1のアライナデバイス41であって、マスクキャリア23接触する、複数の第1のアライナデバイス41と、真空チャンバ60内に少なくとも部分的に設けられた複数の第2のアライナデバイス42であって、マスクフレーム21に接触する、複数の第2のアライナデバイス42とを含む。
[0044]本開示において、アライナデバイスは、例えば要素をクランピングすることにより要素の位置を維持しうるデバイスである。さらに、アライナデバイスは、要素を並進又は回転させることにより、要素の位置を調整してもよい。さらに、アライナデバイスは、要素に負荷を加えることにより、要素を処理し、例えば、要素を弾性変形させてもよい。したがって、本開示の文脈におけるアライナデバイスは、クランプ、アライナ、又はマニピュレーターのいずれかと考えられうる。
[0045]第1のアライナデバイス41及び第2のアライナデバイス42は、それぞれ、クランピングデバイスを含む群の少なくとも1つと、少なくとも1つのアクチュエータとを含みうる。したがって、第1及び第2のアライナデバイス41、42は、要素をクランピングすること、要素を移動/位置合わせすること、又は要素に力を加えることのうちの少なくとも1つのために構成されうる。第1及び第2のアライナデバイス41、42は、マスクキャリア23又はマスク支持体を位置決めし、マスクフレーム21をそれぞれ処理するのに適切にサイズ決めされた、実質的に類似構造のものでありうる。
[0046]マスクキャリア32などの要素をクランプするために、マスク支持体又はマスクフレーム21、第1若しくは第2のアライナデバイス41、42は、クランピングデバイスを含みうる。クランピングデバイスは、第1又は第2のアライナデバイス41、42をクランピングされる要素にしっかり取り付けるように構成される。クランピングデバイスは、電磁要素、永久磁石、ねじファスナ、又は摩擦クランプを含む群のいずれか1つを含みうる。クランピングデバイスは、マスクキャリア23の位置合わせ境界面(aligning interface)、マスク支持体、又はマスクフレーム21の補正境界面に対応する境界面をさらに含みうる。
[0047]クランピングデバイスは、3つの直線方向及び3つの回転方向を含む群の少なくとも1つにクランプされる要素を制約するように構成されてもよい。例えば、クランピングデバイスは、マスクキャリア23、マスク支持体又はマスクフレーム21を3つの直線方向及び3つの回転方向に制約するように構成されてもよい。代替的には、クランピングデバイスは、マスクキャリア23、マスク支持体又はマスクフレーム21を2つの直線方向及び2つの回転方向のみに制約するように構成されてもよく、クランピングデバイスにより、クランピングされている要素が1つの直線方向と1つの回転方向に自由に移動できるようになる(つまり、スライド型ヒンジ)。
[0048]したがって、複数の第1のアライナデバイス41及び/又は複数の第2のアライナデバイス42は、第1の数の自由度を有するアライナデバイスのサブセット、及び第2の数の自由度を有するアライナデバイスのサブセットを含みうる。例えば、第1の数の自由度を有するアライナデバイスのサブセットが、クランプされている要素を固定する一方で、第2の数の自由度を有するアライナデバイスのサブセットは、要素が多数の方向に移動できるようにしつつ、クランプされている要素を支持しうる。そのような配置は、例えば、マスクキャリア23及び/又はマスクフレーム21を歪ませる又は変形させる力を位置合わせ又はクランプするなどの効果、又は熱膨張の効果を低減することがある。
[0049]代替的には、マスクキャリア23の少なくとも1つのクランピング境界面は、少なくとも1つの方向への移動を可能にするように構成されうる。例えば、マスクキャリア23は、少なくとも1つの方向にマスクキャリア23内でスライドすることができる強磁性板を含む少なくとも1つのクランピング境界面を含みうる。さらなる例として、マスクキャリア23の少なくとも1つのクランピング境界面は、第1のアライナデバイス41によってクランプされうる円筒形要素を含んでもよく、よって、少なくとも1つのクランピング境界面が、例えばヒンジとして、円筒形要素の周りのスライド及び/又は回転を可能にする。
[0050]要素を移動/位置合わせするため、又は要素に力を加えるために、第1及び第2のアライナデバイス41、42に少なくとも1つのアクチュエータを設けてもよい。少なくとも1つのアクチュエータは、3つの直線方向の1つ又は3つの回転方向の1つに移動するように構成される。したがって、少なくとも1つのアクチュエータは、並進若しくは線形方向に力を加えるための線形アクチュエータ、又は回転若しくは回転方向にトルクを加えるための回転アクチュエータであってもよい。少なくとも1つのアクチュエータは、電磁アクチュエータ、圧電セラミックアクチュエータ、空気圧アクチュエータ又は油圧アクチュエータを含む群のいずれか1つを含みうる。少なくとも1つのアクチュエータは、アクチュエータがアライナデバイスに直接作用するように、第1及び第2のアライナデバイス41、42内に設けられてもよい。代替的には、アクチュエータがアクチュエータをアライナデバイスに接続するレバー、ロッド又はシャフトに作用するように、少なくとも1つのアクチュエータが、第1及び第2のアライナデバイス41、42の外側の位置に設けられてもよい。アクチュエータがアライナデバイスの外側の位置に設けられている場合、電磁干渉又は真空環境の汚染の影響を低減するために、アクチュエータが真空チャンバの外側に又は部分的に外側に配置されてもよい。
[0051]アライナシステムにはさらに、1つ又は複数のパラメータを感知するように構成された少なくとも1つのセンサが設けられてもよい。少なくとも1つのセンサは、光学センサ、力センサ、トルクセンサ、又は温度センサを含むグループのうちの少なくとも1つを含みうる。少なくとも1つのセンサは、基板10の位置、マスクキャリア32の位置、マスクフレーム21の位置、マスク22と基板10との間の位置ずれ、温度、又はマスクフレーム21の要素の力又はトルクを含む群から、少なくとも1つのパラメータを測定するように構成されうる。
[0052]本書で説明する他の実施形態と組み合わせてもよい、いくつかの実施形態によれば、複数の第1のアライナデバイス41及び複数の第2のアライナデバイス42が、真空チャンバ60に取り付けられてもよい。第1及び第2のアライナデバイス41、42を真空チャンバ60、特に真空チャンバ60の内壁に取り付けることにより、第1及び第2のアライナデバイス41、42間の接続を短くし、高い剛性を持たせることができる。さらに、第1及び第2のアライナデバイス41、42の相対位置が、正確に維持されうる。
[0053]代替的には、アライナシステム40は、複数の第1のアライナデバイス41及び複数の第2のアライナデバイス42が取り付けられるアライナ支持要素43を含んでもよい。アライナ支持要素43は、複数の第1のアライナデバイス41と複数の第2のアライナデバイス42の相対位置を正確に維持できるようにする。
[0054]アライナ支持要素43は、真空チャンバ60、特に真空チャンバ60の内壁に取り付けられうる。堆積システム100の搬送システム50及び堆積源30も真空チャンバ60に取り付けられている場合、アライナ支持要素43を真空チャンバ60に取り付けることにより、複数の第1のアライナデバイス41、複数の第2のアライナデバイス42、堆積源30、搬送システム50の間の位置関係が正確に維持できるようになる。
[0055]複数の第1及び第2のアライナデバイス41、42と同様に、基板アライナデバイス11が真空チャンバ60に取り付けられてもよい。代替的には、図4に例示的に示すように、基板アライナデバイス11は、アライナ支持要素43に取り付けられてもよい。第1及び第2のアライナデバイス41、42と同様に、基板アライナデバイス11を真空チャンバ60に取り付けることにより、基板アライナデバイス11と第1及び第2のアライナデバイス41、42との間の接合を短くし、剛性を高くし、それらの間の相対位置を正確に維持することができるようになる。これにより、基板アライナデバイス11、したがって基板10が、第2のアライナデバイス42でマスクフレーム21を処理するための固定基準点として使用できるようになる。
[0056]複数の第1及び第2のアライナデバイス41、42は、搬送システム50及び/又は基板10に対して移動可能に構成されうる。例えば、複数の第1及び第2のアライナデバイス41、42が、マスクキャリア23を真空チャンバ60に搬送する間、搬送システム50から離れた定位置に配置されてもよい。マスクキャリア23が真空チャンバ60に搬送された後に、複数の第1及び第2のアライナデバイス41、42が、定位置から搬送システム50付近のクランピング位置に移動されてもよく、したがって、複数の第1及び第2のアライナデバイス41、42は、マスクキャリア23及び/又はマスクフレーム21をそれぞれクランプしてもよい。これにより、マスクキャリア23とアライナシステム40との間の衝突が防止され、マスク22又は堆積システム100の他の構成要素への損傷が回避される。マスクキャリア23及び/又はマスクフレーム21をクランピングした後に、複数の第1及び第2のアライナデバイス41、42は、例えば、処理位置にさらに移動するように構成されてもよい。
[0057]同様に、複数の第1及び第2のアライナデバイス41、42がアライナ支持要素43に取り付けられる場合、アライナ支持要素43は、搬送システム50に対して移動可能であってもよい。例えば、アライナ支持要素43、したがって完全なアライナシステム40は、マスクキャリア23を真空チャンバ60に搬送する間、定位置に配置され、マスクキャリア23の搬送後に、定位置からクランピング位置に移動され、複数の第1のアライナデバイス41及び/又は複数の第2のアライナデバイス42が、それぞれマスクキャリア23及びマスクフレーム21をクランプしてもよい。マスクキャリア23及び/又はマスクフレーム21をクランプした後に、アライナ支持要素43は、例えば、処理位置にさらに移動するように構成されてもよい。
[0058]再び図5を参照すると、複数の第2のアライナデバイス42のうちの少なくとも1つの第2のアライナデバイス42は、少なくとも1つのアクチュエータを含み、その少なくとも1つのアクチュエータは、マスクフレーム21に力を加える。本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、マスクフレーム21は、マスク平面と実質的に同一平面上にあるように、マスク平面を画定し、力は、マスク平面に平行な実質的に垂直方向に加えられる力、マスク平面に平行な実質的に水平方向に加えられる力、マスク平面に実質的に直角な方向に加えられる力、及びマスク平面に実質的に直角な軸の周りに加えられるトルクからなる群のうちの少なくとも1つを含む。
[0059]複数の第2のアライナデバイス42の1つ又は複数のアクチュエータを使用して1つ又は複数の力を加えることにより、マスク22の面内及び面外の変形を補償するために、マスクフレーム21が処理される、即ち、弾性変形される。したがって、マスク22に対する基板10の正確な位置合わせを正確かつ確実に達成することができる。
[0060]以前定義したように、第1の方向101及び第2の方向102、並びに第3の方向103によって定義されるマスク平面は、第1の方向101及び第2の方向102によって定義されるマスク平面に対して実質的に直角に位置合わせされうる。したがって、力は、第1の方向101に加えられる力、第2の方向102に加えられる力、第3の方向103に加えられる力、又は第3の方向103に実質的に平行な軸の周りに加えられるトルクでありうる。
[0061]図5に例示的に示すように、複数の第2のアライナデバイス42は、第1の水平要素21a及び第2の水平要素21bの実質的に中間点でそれぞれマスクフレーム21に接触するように構成される2つの第2のアライナデバイス42を含みうる。第2のアライナデバイス42は、例示的には、第1の方向101の力、第2の方向102の力、及び第3の方向103に平行な軸周りのトルクを加えることにより、マスクフレーム21を処理するように構成される。
[0062]しかしながら、本開示は、2点のみでマスクフレーム21を処理することに限定されない。むしろ、本開示は、マスクフレーム21上の任意の数の位置に力を加えることを含む。例えば、図6に例示されるように、複数の第2のアライナデバイス42は、6つの第2のアライナデバイス42を含み、2つの第2のアライナデバイス42は、第1の水平要素21aに沿って2点で負荷を加え、2つの第2のアライナデバイス42は、第2の水平要素21bに沿って2点で負荷を加え、2つの第2のアライナデバイス42は、それぞれ第1の垂直要素21c及び第2の垂直要素21dのほぼ中間点に力を加える。マスクフレーム21の周囲の様々な位置に第2のアライナデバイス42の数を増やすことにより、マスク22の面内及び面外の変形をより細かく、より正確に補償できるようになる。
[0063]ここで図7を参照すると、本開示のさらなる実施形態によれば、真空チャンバ60内の基板10をマスキングするための方法300が提供される。方法300は、ブロック301で開始する。方法は、マスクフレーム21に取り付けられたマスク22を有するマスクフレーム21を支持するマスクキャリア23又はマスク支持体をクランピングすること(ブロック302)と、基板10をマスク22に位置合わせすること(ブロック303)と、少なくとも1つの調整力をマスクフレーム21に加えることにより、マスク22を水平にすること(ブロック304)とを含む。方法300は、ブロック305で終了する。
[0064]ブロック302でマスクキャリア23又はマスク支持体をクランピングすることは、クランピングデバイスをマスクキャリア23又はマスク支持体に接触させ、クランピングデバイスを動作させることを含み、マスクキャリア23又はマスク支持体がクランピングデバイスにしっかりと取り付けられるようにする。クランピングデバイスは、例えば、第1のアライナデバイス41のクランピングデバイスであってもよい。クランピングデバイスは、電磁要素、永久磁石、ねじファスナ、又は摩擦クランプを含む群のいずれか1つを含みうる。クランプデバイスは、マスクキャリア23又はマスク支持体のクランピング境界面に対応する境界面をさらに含みうる。クランプデバイスは、3つの直線方向及び3つの回転方向を含む群の少なくとも1つにクランプされている要素を制約するように構成されてもよい。
[0065]マスクキャリア23又はマスク支持体がクランプされると、基板10がマスク22に位置合わせされうる。ブロック303で基板10をマスク22に位置合わせすることは、少なくとも1つの方向に少なくとも1つのアクチュエータを動作させて、マスク22に対して基板10を正確に位置決めすることを含む。少なくとも1つのアクチュエータは、例えば、基板アライナデバイス11のアクチュエータでありうる。少なくとも1つのアクチュエータは、電磁アクチュエータ、圧電セラミックアクチュエータ、空気圧アクチュエータ又は油圧アクチュエータを含む群のいずれか1つを含みうる。少なくとも1つのアクチュエータは、基板10を第1の方向101、第2の方向102又は第3の方向103のいずれか1つに並進させてもよく、又は第3の方向103に実質的に平行な軸の周りで基板10を回転させてもよい。
[0066]本開示の文脈において、基板10をマスク22に位置合わせすることは、基板10を移動させること、又は基板10を支持するように構成された基板キャリアを移動させることを含みうる。例えば、基板10は、剛性ガラス基板を含み、基板キャリアなしで搬送され、基板アライナデバイス11によって直接クランプ、位置決め、又は処理されうる。さらなる例として、基板10は、基板キャリアが基板アライナデバイス11によってクランプ、位置決め、又は処理されるように、基板キャリア上で支持されてもよい。
[0067]基板10をマスク22に位置合わせするために、方法300は、少なくとも1つのセンサを使用して1つ又は複数のパラメータを感知することをさらに含みうる。1つ又は複数のパラメータには、基板10の位置、マスクキャリア32又はマスク支持体の位置、マスクフレーム21の位置、温度、又はマスク22と基板10との間の位置ずれを含む群の少なくとも1つを含むことができる。例えば、基板10は、少なくとも1つの基板基準を含み、マスク22は、少なくとも1つのマスク基準を含み、1つ又は複数のパラメータは、少なくとも1つの基板基準の位置を少なくとも1つのマスク基準の位置と比較することにより決定される位置誤差を含みうる。少なくとも1つのセンサにより感知された1つ又は複数のパラメータは、所定の値と比較され、又は少なくとも1つのセンサによって測定された別のパラメータと比較され、基板10をマスク22に位置合わせするために、基板アライナデバイス11によって基板10に加えられる必要な並進又は回転を決定する。少なくとも1つのセンサ及び少なくとも1つのアクチュエータは、フィードバックループに含まれてもよい。
[0068]1つ又は複数のパラメータの感知は、例えば、真空チャンバ60内に配置された少なくとも1つのセンサを使用することにより、インシトゥ(その場)で実行されてもよい。例えば、インシトゥ(その場)感知は、少なくとも1つの基板基準の位置を少なくとも1つのマスク基準の位置と比較することにより決定される位置誤差など、基板10のマスク22への位置合わせに関する感知パラメータを含みうる。さらに、真空チャンバ60の下流に配置された少なくとも1つのセンサを使用することにより、堆積が完了した後に、1つ又は複数のパラメータの感知が実行され、パラメータが、処理される次の基板10を位置合わせするためのフィードバックループで使用される。さらに、真空チャンバ60の上流に配置された少なくとも1つのセンサを使用することにより、堆積が完了する前に、1つ又は複数のパラメータの感知が実行され、パラメータが、処理される次の基板10を位置合わせするためのフィードフォワードループで使用される。1つ又は複数のパラメータを感知することは、インシトゥ(その場)感知、堆積前の感知、及び/又は堆積後の感知の組み合わせを含みうる。
[0069]マスクキャリア23又はマスク支持体がクランプされ、基板10がマスク22に位置合わせされた後に、マスク22が水平になるように、マスク22の面内又は面外の変形が補償されうる。ブロック304でのマスク22を水平にすることは、少なくとも1つの調整力をマスクフレーム21に加えることを含む。少なくとも1つの調整力は、第1の方向101に加えられる力、第2の方向102に加えられる力、第3の方向103に加えられる力、又は第3の方向103に平行な軸の周りに加えられるトルクでありうる。マスクフレーム21に少なくとも1つの調整力を加えると、マスクフレーム21の弾性変形が生じ、マスク22の面内又は面外の変形を補償することができる。したがって、マスク22は水平にされ、基板10に対するマスク22の正確な位置合わせ及び位置決めを達成することができる。方法300は、ブロック305で終了する。
[0070]マスク22を水平にすることは、マスクフレーム21をクランピングすることと、少なくとも1つのアクチュエータを動作させることをさらに含みうる。
[0071]マスクフレーム21をクランピングすることは、クランピングデバイスをマスクフレーム21に接触させることと、クランピングデバイスを動作させることとを含み、マスクフレーム21がクランピングデバイスにしっかりと取り付けられるようにする。クランピングデバイスは、例えば、第2のアライナデバイス42のクランピングデバイスであってもよい。クランピングデバイスは、電磁要素、永久磁石、ねじファスナ、又は摩擦クランプを含む群のいずれか1つを含みうる。クランピングデバイスは、マスクキャリア23又はマスク支持体の位置合わせ境界面に対応する境界面をさらに含みうる。クランプデバイスは、3つの直線方向及び3つの回転方向を含む群の少なくとも1つにクランプされている要素を制約するように構成されてもよい。
[0072]マスクフレーム21がクランプされると、少なくとも1つのアクチュエータが少なくとも1つの方向に動作して、少なくとも1つの調整力をマスクフレーム21に加える。少なくとも1つのアクチュエータは、例えば、第2のアライナデバイス42のアクチュエータであってもよい。少なくとも1つのアクチュエータは、電磁アクチュエータ、圧電セラミックアクチュエータ、空気圧アクチュエータ又は油圧アクチュエータを含む群のいずれか1つを含みうる。少なくとも1つのアクチュエータは、第1の方向101、第2の方向102又は第3の方向103のいずれか1つに、マスクフレーム21に力を加えてもよく、又は第3の方向103に実質的に平行な軸の周りにマスクフレーム21にトルクを加えてもよい。
[0073]マスクフレーム21に少なくとも1つの調整力を加えることは、少なくとも1つのセンサを使用して1つ又は複数のパラメータを感知することをさらに含みうる。1つ又は複数のパラメータは、基板10の位置、マスクキャリア32又はマスク支持体の位置、マスクフレーム21の位置、マスク22と基板10との間の位置ずれ、温度、又はマスクフレーム21の要素の力又はトルクを含む群の少なくとも1つを含むことができる。少なくとも1つのセンサにより検知された1つ又は複数のパラメータは、所定の値と比較され、又は少なくとも1つのセンサによって測定された別のパラメータと比較され、マスク22の面内又は面外の変形を補償するためにマスクフレーム21に加えられる必要な力を決定しうる。少なくとも1つのセンサ及び少なくとも1つのアクチュエータは、フィードバックループに含まれてもよい。
[0074]ブロック302でマスクキャリア23又はマスク支持体をクランピングする前に、方法300は、搬送システム50を動作させることにより、マスクキャリア23を真空チャンバ60に搬送することをさらに含みうる。マスクキャリア23を搬送することは、例えば、マスクキャリア23の位置を第2の方向102、即ち、搬送方向に調整することにより、又はマスクキャリア23と搬送システム50との間の空隙を調整することで、マスクキャリア23の位置を第1の方向101に調整することにより、マスクキャリア23をクランピングする前に、マスクキャリア23を粗く位置決めすることをさらに含みうる。
[0075]マスクキャリア23が搬送システム50によって位置決めされた後に、複数の第1及び第2のアライナデバイス41、42は、定位置からクランピング位置まで第3の方向103に移動され、マスクキャリア23及び/又はマスクフレーム21がクランプされうる。代替的には、複数の第1及び第2のアライナデバイス41、42がアライナ支持体23に取り付けられている場合、アライナ支持体23が移動され、アライナシステム40全体が定位置からクランピング位置に移動し、マスクキャリア23及び/又はマスクフレーム21がクランプされうる。
[0076]ブロック304でマスク22を水平にした後に、方法300は、基板10を定位置から位置合わせ位置に移動させることをさらに含みうる。ブロック303で基板10がマスク22に位置合わせされているとき、基板10が第3の方向103に位置決めされ、基板10は、アライメントプロセス中に基板10又はマスク22のいずれかへの損傷を防ぐために、マスク22に接触しない。マスク22が水平にされ、基板10がマスク22に位置合わせされた後に、基板10は、第3の方向103に基板10を移動させることにより、位置合わせ位置から取り付け位置にさらに移動されてもよく、マスク22は、堆積を開始できるように基板10に接触又は付着する。これは、全面接触堆積(full face contact deposition)と称されることがある。
[0077]実施形態はまた、開示された方法を実行するための装置を対象とし、説明された各方法の態様を実施するための装置部品を含む。これらの方法の様態は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、この2つの任意の組合せによって、又は、それ以外の任意の様態で、実施されうる。
[0078]本書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、第1の堆積装置は、第1の材料を堆積するように構成され、第2の堆積装置は、第1の材料とは異なる第2の材料を堆積するように構成される。堆積システム、特に真空堆積システムにおける1つ又は複数の堆積装置は、本書に記載の実施形態に従って提供することができる。
[0079]以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてもよく、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
Claims (15)
- 基板(10)の上に1つ又は複数の層を堆積するための堆積装置(100)であって、
真空チャンバ(60)と、
マスクフレーム(21)に取り付けられたマスク(22)を有する前記マスクフレーム(21)を支持するように構成されたマスクキャリア(23)を搬送するための搬送システム(50)と、
アライナシステム(40)と
を含み、前記アライナシステム(40)が、
前記真空チャンバ(60)内に少なくとも部分的に設けられた複数の第1のアライナデバイス(41)であって、前記マスクフレームを支持する前記マスクキャリア(23)又はマスク支持体に接触する、複数の第1のアライナデバイス(41)と、
前記真空チャンバ(60)内に少なくとも部分的に設けられた複数の第2のアライナデバイス(42)であって、前記マスクフレーム(21)に接触する、複数の第2のアライナデバイス(42)と
を含む、堆積装置(100)。 - 前記マスクキャリア(23)又は前記マスク支持体が、実質的に垂直配向で前記マスクフレーム(21)を支持する、請求項1に記載の堆積装置(100)。
- 前記複数の第1のアライナデバイス(41)のうちの少なくとも1つの第1のアライナデバイス(41)が、少なくとも1つの第1のクランピングデバイスを含み、前記複数の第2のアライナデバイス(42)のうちの少なくとも1つの第2のアライナデバイス(42)が、少なくとも1つの第2のクランピングデバイスを含む、請求項1又は2に記載の堆積装置(100)。
- 前記少なくとも1つの第1のクランピングデバイスが、前記マスクキャリア(23)又はマスク支持体をクランプし、前記少なくとも1つの第2のクランピングデバイスが、前記マスクフレーム(21)をクランプする、請求項3に記載の堆積装置(100)。
- 前記少なくとも1つの第1及び第2のクランピングデバイスが、電磁クランプを含む、請求項3又は4に記載の堆積装置(100)。
- 少なくとも1つの第2のアライナデバイス(42)が、少なくとも1つのアクチュエータを含み、前記少なくとも1つのアクチュエータが、前記マスクフレーム(21)に力を加える、請求項1から5のいずれか一項に記載の堆積装置(100)。
- 前記マスクフレーム(21)が、マスク平面と実質的に同一平面上にあるように、前記マスク平面を画定し、
前記力が、前記マスク平面に平行な実質的に垂直方向に加えられる力、前記マスク平面に平行な実質的に水平方向に加えられる力、前記マスク平面に実質的に直角な方向に加えられる力、及び前記マスク平面に実質的に直角な軸の周りに加えられるトルクからなる群のうちの少なくとも1つを含む、請求項6に記載の堆積装置(100)。 - 前記複数の第1のアライナデバイス(41)及び前記複数の第2のアライナデバイス(42)が、前記真空チャンバ(60)に取り付けられる、請求項1から7のいずれか一項に記載の堆積装置(100)。
- 前記アライナシステム(40)が、アライナ支持要素(43)をさらに含み、前記複数の第1のアライナデバイス(41)及び前記複数の第2のアライナデバイス(42)が、前記アライナ支持要素(43)に取り付けられる、請求項1から7のいずれか一項に記載の堆積装置(100)。
- 処理チャンバ内の基板(10)をマスキングするためのマスク設備(200)であって、
マスクフレーム(21)に取り付けられたマスク(22)を有する前記マスクフレーム(21)を支持するように構成されたマスクキャリア(23)又はマスク支持体
を含み、
前記マスクキャリア(23)又は前記マスク支持体が、複数の第1のアライナデバイス(41)に接触するように構成され、かつ前記マスクフレーム(21)が、複数の第2のアライナデバイス(42)に接触するように構成される、マスク設備(200)。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載の堆積装置(100)において、基板(10)をマスキングするための、請求項10に記載のマスク設備(200)の使用。
- 真空チャンバ(60)内の基板(10)をマスキングするための方法であって、
マスクフレーム(21)に取り付けられたマスク(22)を有する前記マスクフレーム(21)を支持するマスクキャリア(23)又はマスク支持体をクランピングすることと、
前記基板(10)を前記マスク(22)に位置合わせすることと、
少なくとも1つの調整力を前記マスクフレーム(21)に加えることにより、前記マスク(22)を水平にすることと
を含む方法。 - 前記マスクキャリア(23)又は前記マスク支持体が、実質的に垂直配向で前記マスクフレーム(21)を支持する、請求項12に記載の方法。
- 少なくとも1つの調整力を前記マスクフレーム(21)に加えることが、
前記マスクフレーム(21)をクランピングすることと、
少なくとも1つのアクチュエータを動作させることと
を含む、請求項12又は13に記載の方法。 - 前記マスクフレーム(21)が、マスク平面と実質的に同一平面上にあるように、前記マスク平面を画定し、
前記少なくとも1つの調整力が、前記マスク平面に平行な実質的に垂直方向に加えられる力、前記マスク平面に平行な実質的に水平方向に加えられる力、前記マスク平面に実質的に直角な方向に加えられる力、及び前記マスク平面に実質的に直角な軸の周りに加えられるトルクからなる群のうちの少なくとも1つを含む、請求項12から14のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2018/071267 WO2020030242A1 (en) | 2018-08-06 | 2018-08-06 | Deposition apparatus having a mask aligner, mask arrangement for masking a substrate, and method for masking a substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020535304A true JP2020535304A (ja) | 2020-12-03 |
Family
ID=63144988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020505780A Pending JP2020535304A (ja) | 2018-08-06 | 2018-08-06 | マスクアライナを有する堆積装置、基板をマスクするためのマスク設備、及び基板をマスクするための方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020535304A (ja) |
KR (1) | KR20200017381A (ja) |
CN (1) | CN111010877A (ja) |
TW (1) | TW202031914A (ja) |
WO (1) | WO2020030242A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006331973A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Toppan Printing Co Ltd | 多面付けメタルマスクの製造方法 |
JP2009129728A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Toppan Printing Co Ltd | メタルマスク用保持具およびメタルマスクの検査方法ならびに搬送方法 |
JP2017538864A (ja) * | 2014-12-10 | 2017-12-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 処理チャンバにおいて基板をマスキングするためのマスク構成、基板上に層を堆積させるための装置、及び、処理チャンバにおいて基板をマスキングするためのマスク構成の位置を合わせる方法 |
JP2018517054A (ja) * | 2015-04-01 | 2018-06-28 | ヴィエヌアイ ソルーション カンパニー リミテッド | アライナ構造及びアライン方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100506663B1 (ko) * | 2000-12-26 | 2005-08-10 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 노광용 마스크, 그 제조방법 및 노광방법 |
US6749690B2 (en) * | 2001-12-10 | 2004-06-15 | Eastman Kodak Company | Aligning mask segments to provide an assembled mask for producing OLED devices |
JP2007266187A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、デバイスの製造方法 |
WO2012043487A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | シャープ株式会社 | 蒸着装置 |
US9490153B2 (en) * | 2013-07-26 | 2016-11-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Mechanical alignment of substrates to a mask |
TWI633197B (zh) * | 2016-05-24 | 2018-08-21 | 美商伊麥傑公司 | 高精準度蔽蔭遮罩沉積系統及其方法 |
DE102016121374A1 (de) * | 2016-11-08 | 2018-05-09 | Aixtron Se | Maskenhalterung mit geregelter Justiereinrichtung |
CN109563608A (zh) * | 2017-02-24 | 2019-04-02 | 应用材料公司 | 用于基板载体和掩模载体的定位配置、用于基板载体和掩模载体的传送系统及其方法 |
US20200251691A1 (en) * | 2017-03-17 | 2020-08-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for vacuum processing of a substrate, system for vacuum processing of a substrate, and method for transportation of a substrate carrier and a mask carrier in a vacuum chamber |
JP2019526700A (ja) * | 2017-07-24 | 2019-09-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 真空チャンバ内の基板を処理するための装置及びシステム、並びにマスクキャリアに対して基板キャリアを位置合わせする方法 |
-
2018
- 2018-08-06 CN CN201880052415.XA patent/CN111010877A/zh active Pending
- 2018-08-06 KR KR1020197027501A patent/KR20200017381A/ko active IP Right Grant
- 2018-08-06 WO PCT/EP2018/071267 patent/WO2020030242A1/en active Application Filing
- 2018-08-06 JP JP2020505780A patent/JP2020535304A/ja active Pending
-
2019
- 2019-07-23 TW TW108125961A patent/TW202031914A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006331973A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Toppan Printing Co Ltd | 多面付けメタルマスクの製造方法 |
JP2009129728A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Toppan Printing Co Ltd | メタルマスク用保持具およびメタルマスクの検査方法ならびに搬送方法 |
JP2017538864A (ja) * | 2014-12-10 | 2017-12-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 処理チャンバにおいて基板をマスキングするためのマスク構成、基板上に層を堆積させるための装置、及び、処理チャンバにおいて基板をマスキングするためのマスク構成の位置を合わせる方法 |
JP2018517054A (ja) * | 2015-04-01 | 2018-06-28 | ヴィエヌアイ ソルーション カンパニー リミテッド | アライナ構造及びアライン方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200017381A (ko) | 2020-02-18 |
TW202031914A (zh) | 2020-09-01 |
WO2020030242A1 (en) | 2020-02-13 |
CN111010877A (zh) | 2020-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10837111B2 (en) | Holding arrangement for supporting a substrate carrier and a mask carrier during layer deposition in a processing chamber, apparatus for depositing a layer on a substrate, and method for aligning a substrate carrier supporting a substrate and a mask carrier | |
KR101965370B1 (ko) | 캐리어 또는 기판의 운송을 위한 장치 및 방법 | |
KR102253563B1 (ko) | 비접촉식 정렬을 위한 방법 및 장치 | |
KR102128888B1 (ko) | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스 제조방법 | |
JP2017538864A (ja) | 処理チャンバにおいて基板をマスキングするためのマスク構成、基板上に層を堆積させるための装置、及び、処理チャンバにおいて基板をマスキングするためのマスク構成の位置を合わせる方法 | |
KR101943268B1 (ko) | 진공 시스템, 기판 반송 시스템, 전자 디바이스의 제조 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
JP2019117922A (ja) | 成膜装置、成膜方法及びこれを用いる有機el表示装置の製造方法 | |
JP7241048B2 (ja) | 基板支持装置および成膜装置 | |
CN110557955B (zh) | 用于支撑基板或掩模的载体 | |
TW201908500A (zh) | 真空腔室內加工基板之設備和系統及真空腔室內運輸載體之方法 | |
KR102177060B1 (ko) | 기판을 프로세싱하기 위한 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 시스템, 및 이를 위한 방법들 | |
KR102195796B1 (ko) | 마스킹 디바이스를 비접촉식으로 부상시키기 위한 방법 | |
JP2020535304A (ja) | マスクアライナを有する堆積装置、基板をマスクするためのマスク設備、及び基板をマスクするための方法 | |
CN110494587B (zh) | 用于处理基板的方法、用于真空处理的设备和真空处理系统 | |
JP2019206761A (ja) | 処理チャンバにおいて基板をマスキングするためのマスク構成 | |
WO2020083462A1 (en) | Material deposition apparatus, vacuum deposition system and method of processing a large area substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210329 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210413 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211109 |