JP2018517054A - アライナ構造及びアライン方法 - Google Patents

アライナ構造及びアライン方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018517054A
JP2018517054A JP2017551043A JP2017551043A JP2018517054A JP 2018517054 A JP2018517054 A JP 2018517054A JP 2017551043 A JP2017551043 A JP 2017551043A JP 2017551043 A JP2017551043 A JP 2017551043A JP 2018517054 A JP2018517054 A JP 2018517054A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
unit
fitting
clamp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017551043A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6582059B2 (ja
Inventor
センヒョン チョ,
センヒョン チョ,
ソンイル アン,
ソンイル アン,
Original Assignee
ヴィエヌアイ ソルーション カンパニー リミテッド
ヴィエヌアイ ソルーション カンパニー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヴィエヌアイ ソルーション カンパニー リミテッド, ヴィエヌアイ ソルーション カンパニー リミテッド filed Critical ヴィエヌアイ ソルーション カンパニー リミテッド
Publication of JP2018517054A publication Critical patent/JP2018517054A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6582059B2 publication Critical patent/JP6582059B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本発明は、基板S及びマスクMが垂直な状態で基板S及びマスクMの固定及びアラインのためのアライン構造を提供することによって、基板S及びマスクMが垂直をなした状態で良好な基板処理が可能なアライナ構造及びアライン方法を提供することを目的とする。プロセスチャンバ10に設けられマスクMをクランプするマスククランプ部100と、基板Sが静電チャックによって吸着固定された基板キャリア320をクランプする基板クランプ部200と、マスクMに対して基板キャリア320を相対移動させて、上記基板クランプ部200によってクランプされた基板S及び上記マスククランプ部110によってクランプされたマスクMをアラインするアライン部400と、上記アライン部400によってアラインされた基板S及びマスクMを互いに密着させる密着駆動部とを含む。基板S及びマスクMが垂直をなした状態で良好な基板処理が可能である。
【選択図】図2a

Description

本発明は、蒸着機に関し、より詳しくは、基板に蒸着工程を行うために、基板及びマスクをアラインするアライナ構造及びアライン方法に関するものである。
蒸着機とは、半導体製造用ウエハー、LCD製造用基板、OLED製造用基板などといった基板の表面にCVD、PVD、蒸発蒸着などにより薄膜を形成する装置を言う。
そして、OLED製造用基板の場合、蒸着物質の蒸着において、有機物、無機物、金属などを蒸発させて基板の表面に薄膜を形成する工程が多く使われている。
蒸着物質を蒸発させて薄膜を形成する蒸着機は、蒸着用基板がローディングされる蒸着チャンバと、蒸着チャンバ内部に設けられ、基板に対して蒸着物質が蒸発するように蒸着物質を加熱して蒸発させるソースを含み、蒸着物質が蒸発して基板表面に薄膜を形成する基板処理を行う。
また、OLED蒸着機に使われるソースは、蒸着チャンバ内部に設けられ、基板に対して蒸着物質が蒸発するように蒸着物質を加熱して蒸発させる構成であり、その蒸発方式によって韓国公開特許第10−2009−0015324号、韓国公開特許第10−2004−0110718号など多様な構造が可能である。
そして、OLED蒸着機は、図1に示されているように、所定のパターンを有する陽極、陰極、有機膜などを、基板SにマスクMを結合させて形成される。
ここで、蒸着工程の遂行前には基板S及びマスクMの整列を行わなければならず、従来は、プロセスチャンバ10の外部で基板S及びマスクMの整列を行った後にプロセスチャンバ10の内部に移送されて蒸着工程が行われる。
しかし、従来のように、プロセスチャンバ10の外部で整列を終えた基板S及びマスクMがプロセスチャンバ10の内部に移送される過程で、振動などによって基板S及びマスクMの整列が崩れて蒸着不良が発生する問題点がある。
具体的に、基板Sを垂直に立てた状態で基板の移送及び蒸着工程を行う場合、蒸着チャンバ10内でアライン構造が提示されず基板SとマスクMとの間の微細な相対移動が発生することから、蒸着工程の不良として作用して蒸着工程が円滑になされないとの問題点がある。
本発明は、このような問題点を解決するために、基板S及びマスクMが垂直な状態で基板S及びマスクMの固定及びアラインのためのアライン構造を提供することによって、基板S及びマスクMが垂直をなした状態で良好な基板処理が可能なアライナ構造及びアライン方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明によるアライナ構造は、基板S及びマスクMがそれぞれ垂直状態でプロセスチャンバ10に移送され、基板S及びマスクMが移送及び密着された後に基板処理を行う基板処理装置において、プロセスチャンバ10に設けられマスクMをクランプするマスククランプ部100と、基板Sが静電チャックによって吸着固定された基板キャリア320をクランプする基板クランプ部200と、マスクMに対して基板キャリア320を相対移動させて、上記基板クランプ部200によってクランプされた基板S及び上記マスククランプ部110によってクランプされたマスクMをアラインするアライン部400と、上記アライン部400によってアラインされた基板S及びマスクMを互いに密着させる密着駆動部とを含むことを特徴とする。
一実施例によれば、上記マスククランプ部100は、磁力結合、スクリュー結合、又は嵌合によって上記マスクMをクランプすることができる。
そして、上記基板クランプ部200は、磁力結合、スクリュー結合、又は嵌合によって上記基板キャリア320をクランプすることができる。
一実施例によれば、上記マスククランプ部100は、上記マスクMの底面から突出された突出部310と嵌合される嵌合部110と、上記嵌合部110が上記突出部310と嵌合された状態で上記突出部310及び上記嵌合部110の結合状態を維持する結合維持部120とを含むことができる。
そして、上記基板クランプ部200は、上記基板キャリア320の底面から突出された突出部321と嵌合される嵌合部210と、上記嵌合部210が上記突出部321と嵌合された状態で上記突出部321及び上記嵌合部210の結合状態を維持する結合維持部220とを含むことができる。
一実施例によれば、上記嵌合部110、210は上記突出部310、321が挿入される挿入部111、211が形成され、上記結合維持部120、220は、上記突出部310、321の外周面に外周面に沿って形成された2個以上の溝部311、322に挿入されるボール部材121、221と、上記ボール部材121、221を上記溝部311、322に加圧する加圧部材122、222とを含むことができる。
そして、上記加圧部材122、222は、上記ボール部材121、221と接する傾斜面123、223が形成され、上記突出部310、321の長手方向に沿って移動されて上記ボール部材121、221を上記溝部311、322に加圧することができる。
上記密着駆動部は、上記基板クランプ部200及び上記マスククランプ部110のうち少なくとも何れか一つに設けられ、マスクM及び基板Sを密着させる線形駆動部を含むことができる。
上記アライン部300は、上記マスクM及び上記基板Sのうち何れか一つを上記基板Sに対して平行な方向に線形移動させる第1線形移動部、第2線形移動部及び第3線形移動部を含むことができる。
上記第1線形移動部、上記第2線形移動部及び上記第3線形移動部は、線形移動方向が互いに直角をなし、垂直方向と傾斜をなすことができる。
上記基板処理装置は、有機物、無機物及び金属物質のうち少なくとも何れか一つを含む蒸着物質を蒸発させる蒸発源によって蒸着工程を行うことができる。
本発明は、基板S及びマスクMが垂直な状態で基板S及びマスクMの固定及びアラインのためのアライン構造を提供することによって、基板S及びマスクMが垂直をなした状態で良好な基板処理が可能である。
本発明は、基板S及びマスクMが垂直な状態で基板S及びマスクMのうち何れか一つの線形移動方向を垂直方向と傾斜をなすようにすることによって、アライン部をなす線形移動装置の機械的バックラッシュによるアライン誤差を防止することができる。
従来のOLED蒸着機の一例を示す断面図である。 本発明の一実施例によるアライナ構造が適用される基板処理装置の一例のアライン過程を示す断面図である。 マスククランプの作動過程を示す断面図である。 基板クランプの作動過程を示す断面図である。 図2のアライナ構造でのアライン部を示す側面図である。 基板及び基板キャリアのアライン過程を示す平面図である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例について説明する。図2a乃至図2cは、本発明の一実施例によるアライナ構造が適用される基板処理装置の一例のアライン過程を示す断面図であり、図3a及び図3bは、マスククランプの作動過程を示す断面図であり、図4a及び図4bは、基板クランプの作動を示す断面図であり、図5は、図2のアライナ構造でのアライン部を示す側面図である。
本発明の一実施例によるアライナ構造は、基板S及びマスクMがそれぞれ垂直状態でプロセスチャンバ10に移送され、基板S及びマスクMが移送及び密着された後に基板処理を行う基板処理装置において、プロセスチャンバ10に設けられマスクMをクランプするマスククランプ部100と、基板Sが静電チャックによって吸着固定された基板キャリア320をクランプする基板クランプ部200と、マスクMに対して基板キャリア320を相対移動させて、基板クランプ部200によってクランプされた基板S及びマスククランプ部110によってクランプされたマスクMをアラインするアライン部400と、アライン部400によってアラインされた基板S及びマスクMを互いに密着させる密着駆動部とを含む。
本発明によるアライナ構造が適用される基板処理装置は、基板S及びマスクMがそれぞれ垂直状態でプロセスチャンバ10に移送され、基板S及びマスクMが移送及び密着された後に基板処理を行う装置であり、蒸着物質の蒸発による蒸着機、原子層蒸着工程を行う蒸着機など、基板処理時にマスクMの使用並びに基板S及びマスクMのアラインが必要な装置ならばどのようなものでも適用が可能である。
基板Sの垂直状態移送において、基板Sは基板キャリア320によって固定された状態で移送されることが望ましい。
基板キャリア320は、基板Sを固定した状態で移動される構成要素であり、基板Sの固定構造によって多様な構造を有することができる。
一実施例によれば、基板キャリア320は、基板Sが密着される支持部材、及び基板Sを支持部材に密着させる静電チャック340を備えることができる。
静電チャック340は、基板キャリア320が基板Sを移送するとき、電磁気力によって吸着固定する構成要素であり、基板キャリア320に設けられたDC電源(図示せず)又は外部DC電源から電源の供給を受けて電磁気力を発生させる構成要素である。
基板キャリア320の移送方式は、ローラー、磁気浮上など、基板キャリア320をプロセスチャンバ10の内外に移動させることができる方式であればどのような方式も可能である。
このために、プロセスチャンバ10は、基板キャリア320の移送方式によって基板キャリア320の移送のための構成要素が設けられる。
マスクMも多様な方式によって垂直状態でプロセスチャンバ10の内部に移送されることができる。
一実施例によれば、マスクMの移送方式は、ローラー、磁気浮上など、マスクMをプロセスチャンバ10の内外に移動させることができる方式であればどのような方式も可能である。
このために、プロセスチャンバ10は、マスクMの移送方式によってマスクMの移送のための構成要素が設けられる。
マスクMは、基板Sに密着されて、パターン化された蒸着などの基板処理工程を行うようにする構成要素である。
一実施例によれば、マスクMは、パターン化された開口が形成されたマスクシート351、及びマスクシート351が固定されるフレーム部材352で構成されることができる。
プロセスチャンバ10は、蒸発蒸着工程を行うための処理環境を提供する構成要素であり、どのような構成も可能である。
プロセスチャンバ10は、所定の内部空間を形成し、基板Sが通過することができるゲート11が形成される容器からなり得る。
そして、容器には内部空間に対する所定の圧力を維持するための排気手段を備えることができる。
ソース30は、プロセスチャンバ10の内部に一つ以上設けられ、基板Sに対して蒸着物質が蒸発するように蒸着物質を加熱して蒸発させる構成要素であり、どのような構成も可能である。
ソース30は、有機物、無機物及び金属物質のうち少なくとも何れか一つを含む蒸着物質を蒸発させる構成要素であり、蒸着物質が入れられるるつぼ及びるつぼを加熱するヒーターで構成されるなど、多様な実施例が可能である。
プロセスチャンバ10は、ソース30以外に、基板処理工程が原子層蒸着工程である場合、ソースガス、反応ガスなどのガス噴射構造が設けられるなど、基板処理工程によって該当構成要素が設けられることができる。
このような構成を有する基板処理装置は、基板S及びマスクMをプロセスチャンバ10内に個別的に移送し、移送された基板S及びマスクMをプロセスチャンバ10の内部に固定し、固定された基板S及びマスクMの相対移動によってアラインを行い、アラインされた基板S及びマスクMを互いに密着させた後に基板処理工程を行う。
このような基板処理の遂行のために、プロセスチャンバ10は、基板S及びマスクMの固定、整列及び密着過程を行うためのアライナ構造を備える。
このとき、基板S及びマスクMのアライン過程は、基板Sを固定した状態でマスクMを移動させる、マスクMを固定した状態で基板Sを移動させる、基板S及びマスクMを両方移動させる、など、多様な移動方法によってアラインすることができる。
以下、本発明の一実施例によるアライナ構造を説明する。
本発明の一実施例によるアライナ構造は、プロセスチャンバ10に設けられマスクMをクランプするマスククランプ部100と、基板Sが静電チャックによって吸着固定された基板キャリア320をクランプする基板クランプ部200と、マスクMに対して基板キャリア320を相対移動させて、基板クランプ部200によってクランプされた基板S及びマスククランプ部110によってクランプされたマスクMをアラインするアライン部400と、アライン部400によってアラインされた基板S及びマスクMを互いに密着させる密着駆動部とを含む。
マスククランプ部100は、プロセスチャンバ10に設けられマスクMをクランプすることを特徴とし、マスクMのクランプ方式によって多様な構造を有することができる。
実施例によれば、マスククランプ部100は、磁力結合、スクリュー結合、嵌合などによってマスクMをクランプするように構成されることができる。
特に、マスクM及びマスククランプ部100の結合方式は、プロセスチャンバ10に移送されたマスクMの表面と垂直をなす方向に移動されて結合されることを特徴とする。
より具体的な実施例によれば、マスククランプ部100は、マスクMの底面から突出された突出部310と嵌合される嵌合部110と、嵌合部110が突出部310と嵌合された状態で突出部310及び嵌合部110の結合状態を維持する結合維持部120とを含むことができる。
マスクMの底面から突出された突出部310は、嵌合部110との嵌合のための構成要素であり、その結合方式によって多様な構造が可能である。
また、マスクMの底面において嵌合部110が挿入されるように突出部310の代わりに凹溝が形成されることもできる。
嵌合部110は、マスクMの底面から突出された突出部310と嵌合される構成要素であり、突出部310が挿入される凹溝111を備えることができる。
ここで、嵌合部110は、図3a及び図3bに示されているように、プロセスチャンバ10に移送されたマスクMの表面と垂直をなす方向に移動されることで突出部310と嵌合される。
結合維持部120は、嵌合された状態で突出部310及び嵌合部110の結合状態を維持する構成要素であり、多様な実施例が可能である。
一実施例によれば、嵌合部110は突出部310が挿入される挿入部111が形成されるとき、結合維持部120は、突出部310の外周面に外周面に沿って形成された2個以上の溝部311に挿入されるボール部材121と、ボール部材121を溝部311に加圧する加圧部材122とを含むことができる。
加圧部材122は、嵌合部110をなすハウジング内で長手方向(X軸方向)に移動可能に設けられ、移動によってボール部材121を溝部311に加圧することができる。
一実施例によれば、加圧部材122は、ボール部材121と接する傾斜面123が形成され、突出部310の長手方向(X軸方向)に沿って移動されてボール部材121を溝部311に加圧することができる。
そして、加圧部材122は、図示されていないが、油圧装置などによって、嵌合部110をなすハウジング内で長手方向(X軸方向)に移動される。
また、加圧部材122がボール部材121を溝部311に加圧した状態でその加圧状態を維持するために、嵌合部110をなすハウジングで固定される必要がある。
このために、加圧部材122は、嵌合部110をなすハウジングに設けられた固定部材125によって固定されることができる。
固定部材125は、嵌合部110をなすハウジングに設けられ加圧部材122を固定する構成要素であり、中空のリング状のチューブで形成され、内部が油圧又は空圧によって膨張されることで、加圧部材122を直接又は間接に加圧してハウジングに設けられた固定部材125によって固定することができる。
このような構成により、結合維持部120がボール部材121及び溝部311によって突出部310及び嵌合部110の結合状態を維持することになれば、突出部310の位置を正確に矯正することにより、アライン部400によるマスクM及び基板Sのアラインが迅速且つ正確になされることができるようになる。
基板クランプ部200は、プロセスチャンバ10に設けられ、基板Sが静電チャックによって吸着固定された基板キャリア320をクランプすることを特徴とし、基板Sのクランプ方式によって多様な構造を有することができる。
実施例によれば、基板クランプ部200は、磁力結合、スクリュー結合、嵌合などによって基板キャリア320をクランプするように構成されることができる。
特に、基板キャリア320及び基板クランプ部200の結合方式は、プロセスチャンバ10に移送された基板キャリア320の表面と垂直をなす方向に移動されて結合されることを特徴とする。
より具体的な実施例によれば、基板クランプ部200は、基板キャリア320の底面から突出された突出部321と嵌合される嵌合部210と、嵌合部210が突出部321と嵌合された状態で突出部321及び嵌合部210の結合状態を維持する結合維持部220とを含むことができる。
基板キャリア320の底面から突出された突出部321は、嵌合部210との嵌合のための構成要素であり、その結合方式によって多様な構造が可能である。
また、基板キャリア320の底面において嵌合部210が挿入されるように突出部321の代わりに凹溝が形成されることもできる。
嵌合部210は、基板キャリア320の底面から突出された突出部321と嵌合される構成要素であり、突出部321が挿入される凹溝211を備えることができる。
ここで、嵌合部210は、図4a及び図4bに示されているように、プロセスチャンバ10に移送された基板キャリア320の表面と垂直をなす方向に移動されることで突出部321と嵌合される。
結合維持部220は、嵌合された状態で突出部321及び嵌合部210の結合状態を維持する構成要素であり、多様な実施例が可能である。
一実施例によれば、嵌合部210は突出部321が挿入される挿入部211が形成されるとき、結合維持部220は、突出部321の外周面に外周面に沿って形成された2個以上の溝部322に挿入されるボール部材221と、ボール部材221を溝部322に加圧する加圧部材222とを含むことができる。
加圧部材222は、嵌合部210をなすハウジング内で長手方向(X軸方向)に移動可能に設けられ、移動によってボール部材221を溝部322に加圧することができる。
一実施例によれば、加圧部材222は、ボール部材221と接する傾斜面223が形成され、突出部321の長手方向(X軸方向)に沿って移動されてボール部材221を溝部322に加圧することができる。
そして、加圧部材222は、図示されていないが、油圧装置などによって、嵌合部210をなすハウジング内で長手方向(X軸方向)に移動される。
そして、加圧部材222がボール部材221を溝部322に加圧した状態でその加圧状態を維持するために、嵌合部210をなすハウジングで固定される必要がある。
このために、加圧部材222は、嵌合部210をなすハウジングに設けられた固定部材225によって固定されることができる。
固定部材225は、嵌合部210をなすハウジングに設けられ加圧部材222を固定する構成要素であり、中空のリング状のチューブで形成され、内部が油圧又は空圧によって膨張されることで、加圧部材222を直接又は間接に加圧してハウジングに設けられた固定部材225によって固定することができる。
このような構成により、結合維持部220がボール部材221及び溝部322によって突出部321及び嵌合部210の結合状態を維持することになれば、突出部321の位置を正確に矯正することにより、アライン部400によるマスクM及び基板Sのアラインが迅速且つ正確になされることができるようになる。
アライン部400は、マスクMに対して基板キャリア320を相対移動させて、基板クランプ部200によってクランプされた基板S及びマスククランプ部110によってクランプされたマスクMをアラインする構成要素であり、アライン方式によって多様な実施例が可能である。
一実施例によれば、アライン部400は、図5に示されているように、マスクM及び基板Sのうち何れか一つを基板Sに対して平行な方向に線形移動させる第1線形移動部410、第2線形移動部420及び第3線形移動部440を含むことができる。
第1線形移動部410、第2線形移動部420及び第3線形移動部440は、互いに直角をなした状態でマスクM及び基板Sのうち何れか一つを基板Sに対して平行な方向に線形移動させる構成要素であり、ねじジャッキ方式、ベルト方式、ピエゾ方式など線形駆動方式によって多様な実施例が可能である。
ここで、第1線形移動部410、第2線形移動部420及び第3線形移動部440は、長方形基板Sの形状に符合して長方形の各辺それぞれに平行な方向に線形移動を駆動することができる。
ところで、マスクM及び基板Sが垂直をなした状態で固定及びアラインがなされることを考慮してねじジャッキのような機械方式の線形駆動がなされるとき、バックラッシュ(backlash)の発生によりアラインの誤差が生じ得る。
よって、バックラッシュによるアラインの誤差を防止するために、第1線形移動部410、第2線形移動部420及び第3線形移動部430は、図5に示されているように、線形移動方向が互いに直角をなし、垂直方向と傾斜をなして構成されることができる。
このように、第1線形移動部410、第2線形移動部420及び第3線形移動部430が垂直方向と傾斜をなす場合、第1線形移動部410、第2線形移動部420及び第3線形移動部430の全てに対して垂直方向の荷重が作用することになり、バックラッシュ(backlash)の発生によるアラインの誤差を防止することができる。
密着駆動部は、アライン部400によってアラインされた基板S及びマスクMを互いに密着させる構成要素であり、基板クランプ部200及びマスククランプ部110のうち少なくとも何れか一つに設けられマスクM及び基板Sを密着させる線形駆動部を含むことができる。
以上、考察したように、基板S及びマスクMが精密にアラインされていない場合、基板S上のパターン形成の誤差が発生して収率を低下させる問題点があるため、基板処理工程の遂行に先立って基板S及びマスクMを互いにアラインすることが非常に重要である。
一方、基板Sは、工程遂行のために単独又は基板キャリア320に固定されて移送されるが、基板キャリア320に固定されて移送されるのが一般的である。
ところで、基板キャリア320上に固定された基板Sが精密に装着されていない場合、後続するマスクMとのアライン過程を遅延させたり基板処理工程遂行の不良を招く原因として作用し得る。
特に、基板キャリア320は、基板Sが固定された後、工程に沿ってフリップ、すなわち裏返されたり垂直に立てられるなど、基板Sとの結合状態及びアライン状態が工程遂行において非常に重要となる。
よって、基板キャリア320に基板Sが装着されるとき、基板キャリア320と基板Sとのアラインを行うことが望ましい。
図6は、基板S及び基板キャリア320のアライン過程を示す平面図である。
具体的に、基板Sが基板キャリア320上に装着される前に、垂直方向に間隔をおいて位置された状態で基板Sに表示された第1マークM1と基板キャリア320に表示された第2マークM2を用いて基板S及び基板キャリア320のアラインを行うことになる。
ここで、基板S及び基板キャリア320のアラインは、先に説明したマスクMと基板Sとのアライン過程と略同一又は類似するため、詳しい説明は省略する。
そして、基板S及び基板キャリア320のアラインを含む場合、本発明が適用された基板処理方法は、基板S及び基板キャリア320の水平位置を整列する第1整列段階と、基板Sを基板キャリア320に装着させて固定する基板装着段階と、基板キャリア320に装着された基板SとマスクMの水平位置を整列する第2整列段階と、マスクMを基板Sに密着させるマスク密着段階と、マスクM及び基板Sが密着された状態で薄膜蒸着工程を行う蒸着段階とを含むことができる。

Claims (11)

  1. 基板(S)及びマスク(M)がそれぞれ垂直状態でプロセスチャンバ(10)に移送され、基板(S)及びマスク(M)が移送及び密着された後に基板処理を行う基板処理装置において、
    プロセスチャンバ(10)に設けられマスク(M)をクランプするマスククランプ部(100)と、
    基板(S)が静電チャックによって吸着固定された基板キャリア(320)をクランプする基板クランプ部(200)と、
    マスク(M)に対して基板キャリア(320)を相対移動させて、上記基板クランプ部(200)によってクランプされた基板(S)及び上記マスククランプ部(110)によってクランプされたマスク(M)をアラインするアライン部(400)と、
    上記アライン部(400)によってアラインされた基板(S)及びマスク(M)を互いに密着させる密着駆動部とを含むアライナ構造。
  2. 上記マスククランプ部(100)は、磁力結合、スクリュー結合、又は嵌合によって上記マスク(M)をクランプすることを特徴とする請求項1に記載のアライナ構造。
  3. 上記基板クランプ部(200)は、磁力結合、スクリュー結合、又は嵌合によって上記基板キャリア(320)をクランプすることを特徴とする請求項1に記載のアライナ構造。
  4. 上記マスククランプ部(100)は、上記マスク(M)の底面から突出された突出部(310)と嵌合される嵌合部(110)と、上記嵌合部(110)が上記突出部(310)と嵌合された状態で上記突出部(310)及び上記嵌合部(110)の結合状態を維持する結合維持部(120)とを含む請求項1に記載のアライナ構造。
  5. 上記基板クランプ部(200)は、上記基板キャリア(320)の底面から突出された突出部(321)と嵌合される嵌合部(210)と、上記嵌合部(210)が上記突出部(321)と嵌合された状態で上記突出部(321)及び上記嵌合部(210)の結合状態を維持する結合維持部(220)とを含む請求項1に記載のアライナ構造。
  6. 上記嵌合部(110、210)は上記突出部(310、321)が挿入される挿入部(111、211)が形成され、
    上記結合維持部(120、220)は、上記突出部(310、321)の外周面に外周面に沿って形成された2個以上の溝部(311、322)に挿入されるボール部材(121、221)と、上記ボール部材(121、221)を上記溝部(311、322)に加圧する加圧部材(122、222)とを含む請求項4又は5に記載のアライナ構造。
  7. 上記加圧部材(122、222)は、上記ボール部材(121、221)と接する傾斜面(123、223)が形成され、上記突出部(310、321)の長手方向に沿って移動されて上記ボール部材(121、221)を上記溝部(311、322)に加圧する請求項6に記載のアライナ構造。
  8. 上記密着駆動部は、上記基板クランプ部(200)及び上記マスククランプ部(110)のうち少なくとも何れか一つに設けられ、マスク(M)及び基板(S)を密着させる線形駆動部を含むことを特徴とする請求項1に記載のアライナ構造。
  9. 上記アライン部(300)は、上記マスク(M)及び上記基板(S)のうち何れか一つを上記基板(S)に対して平行な方向に線形移動させる第1線形移動部、第2線形移動部及び第3線形移動部を含む請求項1〜5のうち何れか一項に記載のアライナ構造。
  10. 上記第1線形移動部、上記第2線形移動部及び上記第3線形移動部は、線形移動方向が互いに直角をなし、垂直方向と傾斜をなす請求項9に記載のアライナ構造。
  11. 上記基板処理装置は、有機物、無機物及び金属物質のうち少なくとも何れか一つを含む蒸着物質を蒸発させる蒸発源によって蒸着工程を行う請求項1〜5のうち何れか一項に記載のアライナ構造。
JP2017551043A 2015-04-01 2016-04-01 アライナ構造及びアライン方法 Active JP6582059B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0046440 2015-04-01
KR20150046440 2015-04-01
PCT/KR2016/003379 WO2016159705A1 (ko) 2015-04-01 2016-04-01 얼라이너 구조 및 얼라인 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018517054A true JP2018517054A (ja) 2018-06-28
JP6582059B2 JP6582059B2 (ja) 2019-09-25

Family

ID=57006214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017551043A Active JP6582059B2 (ja) 2015-04-01 2016-04-01 アライナ構造及びアライン方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190013229A1 (ja)
JP (1) JP6582059B2 (ja)
KR (1) KR20160118151A (ja)
CN (1) CN107896512A (ja)
WO (1) WO2016159705A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020030252A1 (en) * 2018-08-07 2020-02-13 Applied Materials, Inc. Material deposition apparatus, vacuum deposition system and method of processing a large area substrate
JP2020535304A (ja) * 2018-08-06 2020-12-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated マスクアライナを有する堆積装置、基板をマスクするためのマスク設備、及び基板をマスクするための方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104894534B (zh) * 2015-06-26 2017-12-29 京东方科技集团股份有限公司 气相沉积设备
CN110023528B (zh) * 2017-11-09 2021-11-23 应用材料公司 用于非接触对准的方法和设备
US10861303B2 (en) 2018-01-29 2020-12-08 Google Llc Mount for a device
WO2019192680A1 (en) * 2018-04-03 2019-10-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for handling a carrier in a vacuum chamber, vacuum deposition system, and method of handling a carrier in a vacuum chamber
CN110557953B (zh) * 2018-04-03 2021-10-29 应用材料公司 用于在真空腔室中的载体对准的设备和真空系统以及对准载体的方法
CN110473822B (zh) * 2018-05-09 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 对位方法及对位装置、蒸镀设备
KR102257008B1 (ko) * 2019-01-11 2021-05-26 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스 제조방법
JP7292948B2 (ja) * 2019-04-24 2023-06-19 キヤノン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US11189516B2 (en) * 2019-05-24 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Method for mask and substrate alignment
WO2020117032A2 (ko) * 2019-09-19 2020-06-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자의 자가조립용 기판 척
CN111254389A (zh) * 2020-04-13 2020-06-09 柯学 一种石英晶体振荡器真空溅射镀膜掩膜板的校准装置
KR20220004893A (ko) * 2020-07-03 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005120476A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子の垂直蒸着方法,その装置,及びそれに使用される蒸着源
JP2012140671A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Tokki Corp 成膜装置
JP2014133923A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Tokyo Electron Ltd 保持装置、成膜装置及び搬送方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3940381B2 (ja) * 2003-05-30 2007-07-04 日東工器株式会社 管継手のソケット及びプラグ
JP2007046099A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Canon Inc マスクホルダ及び基板ホルダ
KR101060652B1 (ko) * 2008-04-14 2011-08-31 엘아이지에이디피 주식회사 유기물 증착장치 및 이를 이용한 증착 방법
US20100122655A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Tiner Robin L Ball supported shadow frame
KR101569796B1 (ko) * 2009-06-23 2015-11-20 주성엔지니어링(주) 기판 정렬 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 정렬 방법
KR101084268B1 (ko) * 2009-09-25 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 센터링 장치 및 이를 구비한 유기물 증착 시스템
KR101036123B1 (ko) * 2010-06-10 2011-05-23 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막 증착 장치
KR101176843B1 (ko) * 2010-08-03 2012-08-23 주식회사 에스에프에이 Oled 제조용 박막 증착 시스템
JP6195519B2 (ja) * 2010-08-06 2017-09-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 静電チャック及びその使用方法
KR101868460B1 (ko) * 2012-07-30 2018-07-23 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치의 선형구동장치 및 그를 가지는 기판처리장치
US9490153B2 (en) * 2013-07-26 2016-11-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Mechanical alignment of substrates to a mask

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005120476A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光素子の垂直蒸着方法,その装置,及びそれに使用される蒸着源
JP2012140671A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Tokki Corp 成膜装置
JP2014133923A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Tokyo Electron Ltd 保持装置、成膜装置及び搬送方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020535304A (ja) * 2018-08-06 2020-12-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated マスクアライナを有する堆積装置、基板をマスクするためのマスク設備、及び基板をマスクするための方法
WO2020030252A1 (en) * 2018-08-07 2020-02-13 Applied Materials, Inc. Material deposition apparatus, vacuum deposition system and method of processing a large area substrate

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016159705A1 (ko) 2016-10-06
KR20160118151A (ko) 2016-10-11
JP6582059B2 (ja) 2019-09-25
US20190013229A1 (en) 2019-01-10
CN107896512A (zh) 2018-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6582059B2 (ja) アライナ構造及びアライン方法
US7771789B2 (en) Method of forming mask and mask
JP5549343B2 (ja) 基板接合装置、基板ホルダ、基板接合方法、デバイスの製造方法および位置合わせ装置
TWI363212B (en) Adhesive chuck, and apparatus and method for assembling substrates using the same
US20110214809A1 (en) Bonding apparatus and bonding method
WO2017222009A1 (ja) 基板載置方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法
KR101791280B1 (ko) 박판 형상 워크의 점착 유지 방법 및 박판 형상 워크의 점착 유지 장치 및 제조 시스템
US9263312B2 (en) Joining device and joining position adjustment method using joining device
WO2017168534A1 (ja) 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
KR102514884B1 (ko) 정렬된 기판 쌍을 핸들링하기 위한 시스템 및 관련 기술
WO2017168531A1 (ja) 基板貼り合わせ装置および基板貼り合わせ方法
JP5243491B2 (ja) 位置決め装置、基板処理装置及び基準部材の固定方法
KR101809803B1 (ko) 기판을 안정화시키는 밀착판을 구비한 기판 얼라인 시스템
KR101737327B1 (ko) 기판처리장치
TWI782171B (zh) 基板處理裝置
KR101736442B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
JP2012004463A (ja) インプリント装置、インプリント方法及びデバイスの製造方法
JP2008300534A (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JPH09283392A (ja) 基板の重ね合わせ方法及び装置
KR101914882B1 (ko) 기판을 안정화시키는 밀착판을 구비한 기판 얼라인 시스템
KR101403850B1 (ko) 대면적 기판 홀딩 장치
JP5386795B2 (ja) 接合装置、接合方法
CN112750745A (zh) 基板剥离装置、基板处理装置以及基板剥离方法
JP3848942B2 (ja) 基板の組立方法およびその装置
WO2020179716A1 (ja) 積層体形成装置および積層体形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171121

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20180515

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20180515

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181015

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181023

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190423

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190719

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190806

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190902

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6582059

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250