JP7292948B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
基板に対して機能層を形成し、機能層に応じた用途の素子とすることが研究開発されている。例えば、機能層を有機または無機の発光層とすることで発光素子を形成することができる。一方、機能層を有機または無機の光電変換層とすることで光電変換素子を形成することができる。これらの機能層の形成には、スパッタリング法、ＣＶＤ法など、機能層に適した形成法が採用されうる。機能層を決められた位置に形成するために基板が位置決めされる。また、機能層を特定の位置に形成するためにマスクが用いられうる。マスクは、機能層を形成する領域を制限する部材である。マスクと基板との相対位置を所定の相対位置にすることは、アライメントと呼ばれる。
特許文献１には、基板を仕込室に入れた後に仕込室の内部を真空にし、その後、基板をプラズマ処理室に移動して洗浄し、その後、基板を基板回転室に移動して回転させ、その後、基板を蒸着室に移送し蒸着を行う蒸着装置が記載されている。この蒸着装置では、基板は、仕込室においてプリアライメントが行われ、その後、プラズマ処理室において洗浄され、基板回転室において回転された後に１つ目の蒸着室に搬送される。そして、１つ目の蒸着室において基板とマスクとのアライメントが行われた後に、基板に対する蒸着が行われる。その後、基板は、２つ目の蒸着室に搬送され、更に蒸着がなされる。このような処理の繰り返しによって基板に対して複数の層が形成される。
特開２０１４－７０２４２号公報
基板を複数の成膜室に順々に搬送し膜を形成する方法では、基板の位置ずれは、各成膜室において累積しうる。特許文献１では、このような基板の位置ずれの累積について考慮されていない。
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、基板の位置ずれの累積を低減するために有利な技術を提供することを目的とする。
本発明の１つの側面は、基板処理装置に係り、前記基板処理装置は、基板に膜を形成する成膜室と、前記成膜室の内部空間においてマスクを支持し、または、前記マスクおよび前記基板の双方を支持し、移動可能に構成された可動体と、を備え、前記可動体は、前記基板に前記膜が形成される前に、基板搬送機構によって前記成膜室の前記内部空間に搬送された前記基板と前記可動体によって支持された前記マスクとが離隔された状態で、前記基板と前記マスクとのアライメント誤差が低減されるように移動し、その後に、前記基板を支持し、前記可動体は、前記可動体によって前記基板が支持された後であって前記基板搬送機構によって前記基板が前記成膜室から取り出される前に所定位置に移動し、前記所定位置は、前記可動体の基準軸が前記成膜室の基準軸に一致する位置である。
本発明によれば、基板の位置ずれの累積を低減するために有利な技術が提供される。
一実施形態の基板処理装置の構成を示す図。 成膜室として構成された処理室における処理を示す図。 成膜室として構成された処理室における処理を示す図。 成膜室として構成された処理室における処理を示す図。 成膜室として構成された処理室における処理を示す図。 第１実施例における結果を例示する図。 第２実施例における結果を例示する図。 第３実施例における結果を例示する図。 第３実施例における結果を例示する図。 第３実施例における結果を例示する図。 比較例における結果を例示する図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
有機発光素子等の発光素子のアレイを有する表示装置の製造において、微細パターンの形成方法として、マスク蒸着法が知られている。マスク蒸着法では、基板とマスクとのアライメントが行われた後に、マスクの開口を通して基板の目標位置に蒸着材料（例えば、有機材料、電極材料）が蒸着される。基板の目標位置に高い精度で蒸着材料を蒸着するためには、基板とマスクとのアライメントがなされる。
アライメント方法としては、マスクに基板を載せる前に、基板と基板を支持する基板支持機構とを移動させる方式と、マスクを支持しているマスクステージを移動させる方式とがある。前者の方式は、工程数が少ないという優位性がある。しかし、前者の方式には、移動時に基板を安定して保持するために、基板を支持するためのアームと基板との接触部分を大きくする必要があり、基板に異物が付着する範囲が拡大しうる、移動時の振動などにより基板に擦り傷が発生し易い、といった欠点がある。後者の方式は、成膜室に基板を搬入してから基板をマスク上に配置するまでの間は、基板を移動させる必要がないため、基板支持機構のアームと基板との接触部分の大きさは、基板を静置するに足る最小限に抑えられうる。また、後者の方式では、基板とアームとの接触部で基板に擦り傷が発生することがない。加えて、基板を移動する必要がないことは、大型の基板の処理にも適している。
基板に複数の膜を形成する基板処理装置には、インライン型とクラスター型とがある。インライン型は、大型の基板の処理に適しており、クラスター型は、小型から大型の基板まで、用途に合わせた対応が可能である。有機発光素子は、複数の機能層を有しており、そのためのクラスター型の基板処理装置は、その複数の機能層に対応した複数の成膜室を有しうる。また、成膜室以外にも、仕込室、前処理室、搬送室、リレー室、基板ストック室などの複数の処理室を有しうる。これらの処理室の間で、基板搬送機構によって基板が搬送されうる。基板搬送機構によって複数の処理室間で基板を何度も搬送すると、基板搬送機構のハンドの基準位置と基板の基準位置との間に、搬送時の位置ずれ、受け渡し時の位置ずれ、成膜室におけるアライメントによる位置ずれ、等に由来する微小な位置ずれが累積しうる。このため、処理室の数が多ければ多いほど、成膜工程の後半になるにつれて、基板の基準位置と基板搬送機構のハンドの基準位置との位置ずれが大きくなりうる。その結果、最悪の場合、基板が基板搬送機構のハンドの基板保持部からはみ出して傾いたり、ハンドから落下したりする可能性がある。また、基板の傾きや落下が起きない場合でも、基板の基準位置とハンドの基準位置とが大きくずれてしまうと、基板の基準位置と処理室の基準位置との位置ずれが大きくなりうる。これにより、アライメントのやり直しや、想定範囲を超えた位置ずれが発生し、成膜処理の停止を引き起こしうる。上記のような理由から、位置ずれの累積の解消が求められている。
図１には、一実施形態の基板処理装置ＳＰＡの構成が示されている。基板処理装置ＳＰＡは、例えば、仕込室（ロードロック室）４と、取出室（アンロードロック室）７と、１又は複数の処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６と、１又は複数の搬送室１、２、３とを備える。複数の処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６は、少なくとも１つの成膜室を含みうる。一例においては、複数の処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６の全てが成膜室である。処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６は、基板に対して処理（例えば、成膜、洗浄、エッチング、イオンビーム照射、熱処理、回転等）を行う室である。成膜室は、基板に対して成膜（膜の形成）を行う室である。成膜は、例えば、減圧された環境での蒸着（ＰＶＤ、ＣＶＤ）を含みうる。ＰＶＤは、例えば、抵抗加熱蒸着、スパッタリング等を含みうる。ＣＶＤは、例えば、プラズマＣＶＤ、エピタキシャルＣＶＤ等を含みうる。
搬送室１、２、３には、それぞれ基板搬送機構８ａ、８ｂ、８ｃが配置されうる。以下において、基板搬送機構８ａ、８ｂ、８ｃを相互に区別することなく説明する場合には、基板搬送機構８として説明される。基板搬送機構８ａ、８ｂ、８ｃは、例えばスカラロボットでありうる。基板処理装置ＳＰＡは、複数の搬送室１、２、３の間に配置されたリレー室５、６を備えうる。一例において、仕込室４とリレー室５との間に搬送室１が配置され、リレー室５とリレー室６との間に搬送室２が配置され、リレー室６と取出室７との間に搬送室３が配置されうる。また、一例において、搬送室１には、処理室１２、１５が接続され、搬送室２には、処理室２１、２３、２５が接続され、搬送室３には、処理室３１、３３、３４、３６が接続されうる。搬送室１、２、３、リレー室５、６、処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６は、減圧された環境に維持されうる。
基板は、大気解放された仕込室４の中に不図示の搬送機構等によって搬送され、その後、仕込室４が減圧されうる。その後、仕込室４と搬送室１との間に設けられたバルブを介して、基板搬送機構８ａによって基板が仕込室４から搬送室１に搬送されうる。その後、基板は、基板搬送機構８ａによって処理室１２に搬送され、処理室１２において処理され、次いで、基板搬送機構８ａによって処理室１５に搬送され、処理室１５において処理されうる。その後、基板は、基板搬送機構８ａによって処理室１５から取り出され、リレー室５に搬送され、基板搬送機構８ｂによって搬送室２に搬送されうる。以下、基板１１０は、搬送室２に接続された処理室２１、２３、２５において処理され、その後、リレー室６を介して搬送室３に搬送され、搬送室３に接続された処理室３１、３３、３４、３５で処理されうる。その後、基板は、基板搬送機構８ｃによって取出室７に搬送され、取出室７が大気解放された後に、取出室７から取り出されうる。
以下では、処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６の全てが成膜室として構成され、これらの成膜室において、基板とマスクとのアライメントと、マスクの開口を介した基板への成膜とがなされるものとして説明する。しかしながら、処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６の少なくとも１つの処理室では、成膜以外の処理がなされてもよい。
図２～図５には、成膜室として構成された処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６の各々における処理が模式的に示されている。成膜室として構成された各処理室の内部空間には、可動体（可動ステージ）９と、基板支持機構１２０と、検出器１３０とが配置されうる。各処理室における処理は、工程Ｓ１０１～工程Ｓ１１０を含みうる。なお、図示の簡略化のために、基板支持機構１２０および検出器１３０の図示が省略されている工程もある。
可動体９は、成膜室として構成された処理室の内部空間においてマスク９２を支持し、または、マスク９２および基板１１０の双方を積層状態で支持しうる。可動体９は、移動可能に構成されていて、不図示の駆動機構によって駆動される。マスク９２は、基板１１０に膜（例えば、機能層）が形成される領域を制限する。基板支持機構１２０は、基板搬送機構８によって処理室の内部空間に搬送された基板１１０を支持あるいは保持しうる。基板支持機構１２０は、基板１１０を保持する保持部材として理解されてもよい。検出器１３０は、基板搬送機構８によって処理室の内部空間に搬送された基板１１０と可動体９によって支持されたマスク９２とが離隔された状態で、基板１１０とマスク９２とのアライメント誤差を検出しうる。検出器１３０は、例えば、基板１１０に設けられたマークＭＳとマスク９２に設けられたマークＭＭとの相対位置に基づいて基板１１０とマスク９２とのアライメント誤差を検出しうる。
一例において、基板処理装置ＳＰＡは、有機発光素子のアレイを含む表示装置の製造に有利であり、基板処理装置ＳＰＡにより複数の膜がそれぞれに対応するマスクの開口を介して基板に形成されうる。
まず、図２（ａ）に示されるティーチング工程（Ｓ１０１）において、基板搬送機構８のハンドの基準軸８１と可動体９の基準軸９１とを一致させるティーチングが行われうる。ここで、基板搬送機構８のハンドの基準軸８１は、該ハンドの基準位置（原点）を通る軸を意味し、可動体９の基準軸９１は、可動体９の基準位置（原点）を通る軸を意味する。ティーチングは、処理室の基準軸１００に基板搬送機構８のハンドの基準軸８１を一致させるようになされうる。ティーチングは、処理室の基準軸１００に基板搬送機構８のハンドの基準軸８１を一致させるために必要な基板搬送機構８の制御パラメータ値を取得する工程を含みうる。
次いで、図２（ｂ）に示される第１搬送工程（Ｓ１０２）において、基板搬送機構８によって基板１１０が処理室の内部空間に搬送されうる。この際に、基板搬送機構８は、基準軸８１が処理室の基準軸１００および可動体９の基準軸９１に一致するように基板１１０（ハンド）を移動させうる。これにより、通常は、検出器１３０の視野内にマスク９２のマークＭＭと基板１１０のマークＭＳとが入りうる。
次いで、図２（ｃ）に示される受取工程において、基板支持機構１２０によって基板１１０が受け取られ支持される。次いで、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）に示されるアライメント工程（Ｓ１０４、Ｓ１０５、Ｓ１０６）において、マスク９２と基板１１０とのアライメントがなされうる。これは、基板搬送機構８によって処理室の内部空間に搬送された基板１１０と可動体９によって支持されたマスク９２とが離隔された状態で、基板１１０とマスク９２とのアライメント誤差が低減されるように可動体９が移動することでなされうる。より詳細には、該アライメントは、例えば、次のようになされうる。
まず、図３（ａ）に示される検出工程（Ｓ１０４）において、検出器１３０によって基板１１０とマスク９２とのアライメント誤差が検出されうる。検出器１３０によるアライメント誤差の検出は、基板支持機構１２０によって支持された基板１１０と可動体９によって支持されたマスク９２とが離隔された状態でなされうる。アライメント誤差の検出は、基板支持機構１２０によって基板１１０を支持した状態ではなく、例えば、図２（ｃ）に示されるように、基板搬送機構８が基板１１０を支持した状態でなされてもよい。ここで、アライメント誤差は、例えば、図３（ａ）のマークＭＳとマークＭＭとの水平方向位置（基板またはマスクの面に沿った方向の位置）が一致している状態では、０として評価されうる。また、アライメント誤差は、図３（ａ）のマークＭＳとマークＭＭとの水平方向位置が相互にΔだけずれている状態では、Δとして評価されうる。次いで、図３（ｂ）に示される第１移動工程（Ｓ１０５）において、検出器１３０によって検出されたアライメント誤差が低減されるように、マスク９２を支持している可動体９が移動しうる。第１移動工程では、基板１１０とマスク９２とが離隔した状態で、基板１１０とマスク９２とのアライメント誤差が低減されるように基板１１０またはマスク９２を移動させてもよい。
次いで、図３（ｃ）に示された支持工程（Ｓ１０６）では、基板支持機構１２０によって支持された基板１１０が可動体９によって支持されたマスク９２の上に重ねて置かれうる。これにより、可動体９によってマスク９２および基板１１０が積層状態で支持された状態となる。これによって、基板１１０とマスク９２とのアライメントが完了しうる。支持工程（Ｓ１０６）は、成膜室の内部空間が減圧された状態で実施されうる。
ここで。図３（ｃ）に示された状態では、可動体９の基準軸９１は、処理室の基準軸１００からずれている。基板１１０とマスク９２とのアライメントは、可動体９に対するマスク９２の位置が保証されている状態で、基板１１０を可動体９に対してアライメントすることによってなされてもよい。このアライメントは、可動体９に設けられた基準マークと基板１１０のマークＭＳとの相対位置を検出器１３０によって検出し、その結果に基づいて可動体９を移動させることによってなされうる。あるいは、該アライメントは、基板１１０に部材を突き当てて、更に、該部材に可動体９を突き当てることによってなされてもよいし、他の方法によってなされてもよい。
次いで、図４（ａ）に示された第２移動工程（Ｓ１０７）では、可動体９の基準軸９１が処理室の基準軸１００（所定位置）に一致するように可動体９が移動する。この動作は、より単純な表現において、可動体９が処理室の基準軸１００（所定位置）に移動する動作として理解されうる。次いで、図４（ｂ）に示された成膜工程（Ｓ１０８）では、成膜室の内部空間が減圧された状態で、マスク９２の開口を介して基板１１０に膜が形成されうる。基板１１０に対する膜の形成は、基板１１０を回転させながら実施されうる。あるいは、基板１１０の膜の形成は、基板１１０を回転させながら実施されてもよい。
次いで、図５（ａ）に示された受け渡し工程（Ｓ１０９）では、基板支持機構１２０によって基板１１０が支持され、基板１１０がマスク９２から離隔され、基準軸８１に配置された、基板搬送機構８のハンドによって基板１１０が保持されうる。次いで、図５（ｂ）に示された工程（Ｓ１１０）では、基板搬送機構８のハンドによって保持された基板１１０が処理室の内部空間から外部空間に搬送されうる。
上記の例では、図４（ａ）に示された第２移動工程で可動体９が基準軸１００（所定位置）に移動し、その後に図４（ｂ）に示された工程において基板１１０に膜が形成される。すなわち、上記の例では、基板１１０に膜が形成される前に可動体９が基準軸１００（所定位置）に移動する。これに代えて、図４（ｂ）に示された成膜工程において基板１１０に膜が形成された後に、可動体９が基準軸１００（所定位置）に移動してもよい。この場合、可動体９は、基板搬送機構８によって処理室の内部空間に搬送された基板に対する膜の形成前に基板とマスク９２とのアライメントを行い、基板に対する膜の形成後に基板を所定位置に位置決めするための位置決め機構として理解されうる。あるいは、可動体９は、マスク９２を支持する支持部材として、可動体９を駆動する駆動機構は、マスク９２と基板１１０との相対位置を変化させる移動機構、および、膜（例えば機能層）が形成された後に基板１１０を移動させる移動機構として理解されうる。
以上を要約すると、可動体９は、可動体９によって基板１１０が支持された後であって基板搬送機構８によって基板１１０が処理室から取り出される前に基準軸１００（所定位置）に移動すればよい。また、基準軸１００（所定位置）への可動体９の移動は、基板１１０に対する膜の形成前であってもよいし、基板１１０に対する膜の形成の後であってもよい。基板１１０が処理室から取り出される前に可動体９を基準軸１００（所定位置）に移動させる処理（以下、「位置リセット処理」という。）を実行することによって、基板搬送機構８によって処理室に搬送された時点における基板１１０の位置ずれを低減した状態で、基板搬送機構８に基板１１０を渡すことができる。これにより、基板搬送機構８によって基板１１０を搬送する度に位置ずれが累積する問題を解決することができる。
基板処理装置ＳＰＡにおいて使用される複数の処理室が複数の成膜室を含む場合において、位置リセット処理は、複数の成膜室の少なくとも１つにおいて実施されうる。あるいは、基板処理装置ＳＰＡにおいて使用される複数の処理室が複数の成膜室を含む場合において、位置リセット処理は、１つの搬送室に接続された全ての成膜室のうちの少なくとも１つの成膜室において実施されうる。位置リセット処理（第２移動工程Ｓ１０７）が実施されない成膜室では、第１移動工程Ｓ１０５において、アライメント誤差が低減されるように可動体９が補正位置に移動し、その状態で成膜工程Ｓ１０８が実施されうる。そして、可動体９が補正位置に配置されている状態において、基板搬送機構８によって基板１１０が成膜室から取り出されうる。
基板処理装置ＳＰＡにおいて使用される複数の処理室の全てが成膜室である場合において、位置リセット処理は、複数の処理室の少なくとも１つにおいて実施されうる。あるいは、基板処理装置ＳＰＡにおいて使用される複数の処理室の全てが成膜室である場合において、位置リセット処理は、１つの搬送室に接続された全ての処理室のうちの少なくとも１つの処理室において実施されうる。
以下では、比較例として、基板１１０が処理室から取り出される前に可動体９を基準軸１００（所定位置）に移動させる動作を行わない場合における位置ずれの累積について説明する。
基板の位置ずれは、仕込室４に基板が搬送された時に起こりうる。また、各処理室に関しては、基板の位置ずれは、仕込室４の中の基板を基板搬送機構８ａが受け取った時、基板搬送機構８ａから基板支持機構１２０が基板を受け取った時、膜形成の後に基板支持機構１２０から基板搬送機構８ａが基板を受け取った時に起こりうる。更に、基板の位置ずれは、リレー室５において、基板搬送機構８ａから基板搬送機構８ｂに基板が渡される時、および、リレー室６において、基板搬送機構８ｂから基板搬送機構８ｂに基板が渡される時にも起こりうる。したがって、比較例では、基板の位置ずれの累積は、処理室１２、１５・・・の数が多いほど、リレー室５、６の数が多いほど、大きくなりうる。
ここで、第ｎ処理室（ｎ番目の処理室）の内部空間に基板が搬入された時の該処理室の基準軸からの基板の基準軸の位置ずれ量をａｎとすると、（ｎ－１）個の処理室を経由して第ｎ処理室の内部空間に搬入された基板の位置ずれ量Ａｎは、式（１）で示される。ここでは、ｎは１以上の整数である。
Figure 0007292948000001
 ・・・（１）
これを基板の位置ずれをｘ軸、ｙ軸の座標値で示すと、式（２）のようになる。リレー室５において、基板搬送機構８ａから基板搬送機構８ｂに基板が渡される時にも起こりうる。
第ｎ処理室の基準位置は、Ａｎ（ｘ，ｙ）＝（０，０）である。したがって、比較例では、第ｎ処理室では、式（２）で示される位置ずれを基板が有することになる。
Figure 0007292948000002
 ・・・（２）
以下に、処理装置ＡＳＰにおける上記の位置リセット処理を適用した実施例を例示的に説明する。以下の実施例では、説明の簡単化のために、使用される全ての処理室が成膜室である
（第１実施例）
第１実施例では、第１処理室１２、第２処理室１５、第３処理室２１、第４処理室２３、第５処理室２５、第６処理室３１、第７処理室３３、第８処理室３４、第９処理室３６において位置リセット処理（Ｓ１０７）を含む工程Ｓ１０１～Ｓ１１０を実施した。基板に対する処理は、処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６の順で行った。図６には、第１実施例における第１処理室（１番目の処理室）１２において計測された基板１１０の座標および可動体９の座標が示されている。ここで、基板１１０の座標は、処理室１２の基準軸１００からの基板１１０の基準位置（中心）のずれ量を示し、可動体９の座標は、処理室１２の基準軸１００からの可動体９の基準位置（中心）のずれ量を示す。第１処理室１２から基板が搬出される時点での基板の座標Ａ１（ｘ，ｙ）は、（０，０）であった。また、第ｎ処理室（ｎ番目の処理室）から基板が搬出される時点での基板の座標Ａｎ（ｘ，ｙ）は、（０，０）であった。更に、第９処理室（９番目の処理室）から基板が搬出される時点での基板の座標Ａ９（ｘ，ｙ）は、（０，０）であった。第１実施例によれば、基板の位置ずれの累積は起こらなかった。
（第２実施例）
第２実施例では、第１実施例における位置リセット処理（Ｓ１０７）と成膜（Ｓ１０８）とを入れ替えた。第２実施例では、第１処理室１２、第２処理室１５、第３処理室２１、第４処理室２３、第５処理室２５、第６処理室３１、第７処理室３３、第８処理室３４、第９処理室３６において位置リセット処理（Ｓ１０７）を含む工程Ｓ１０１～Ｓ１１０を実施した。基板に対する処理は、処理室１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６の順で行った。図７には、第２実施例において１番目の処理室１２で計測された基板１１０の座標および可動体９の座標が示されている。
（第３実施例）
第３実施例では、第１搬送室１に接続されている第２処理室１５、第２搬送室２に接続されている第４処理室２３、および、第３搬送室３に接続されている第９処理室３６において位置リセット処理（Ｓ１０７）を含む工程Ｓ１０１～Ｓ１１０を実施した。また、第３実施例では、他の処理室では、Ｓ１０１～Ｓ１０６、Ｓ１０９、Ｓ１１０のみを実施した。
図８には、第３実施例において第２処理室１５で計測された基板１１０の座標および可動体９の座標が示されている。図９には、第３実施例において第４処理室２３で計測された基板１１０の座標および可動体９の座標が示されている。図１０には、第３実施例において第９処理室３６で計測された基板１１０の座標および可動体９の座標が示されている。第２処理室１５から基板が搬出される時点での基板の座標Ａ２（ｘ，ｙ）は、（０，０）であった。第４処理室２３から基板が搬出される時点での基板の座標Ａ４（ｘ，ｙ）は、（０，０）であった。第９処理室３６から基板が搬出される時点での基板の座標Ａ９（ｘ，ｙ）は、（０，０）であった。第３実施例によれば、基板の位置ずれの累積は起こらなかった。
（比較例）
比較例は、いずれの処理室においても位置リセット処理（Ｓ１０７）を行わなかったことを除いて第１実施例と同じである。図１１には、比較例における第１処理室１２において計測された基板１１０の座標および可動体９の座標が示されている。第１処理室１２から基板が搬出される時点での基板の座標Ａ１（ｘ，ｙ）は、（０．６，－０．１）であった。第９処理室３６から基板が搬出される時点での基板の座標Ａ９（ｘ，ｙ）は、（１．８，－０．３）であった。比較例では、基板の位置ずれの累積が起こっていることが分かる。
１、２、３：搬送室、４：仕込室、５、６：リレー室、７：取出室、８：基板搬送機構、９：可動体、１２、１５、２１、２３、２５、３１、３３、３４、３６：処理室、８１：基板搬送機構のハンドの基準軸、９１：可動体の基準軸、１００：処理室の基準軸、１１０：基板、１１１：基板の基準軸、１２０：基板支持機構

Claims (13)

  1. 基板に膜を形成する成膜室と、
    前記成膜室の内部空間においてマスクを支持し、または、前記マスクおよび前記基板の双方を支持し、移動可能に構成された可動体と、を備え、 前記可動体は、前記基板に前記膜が形成される前に、基板搬送機構によって前記成膜室の前記内部空間に搬送された前記基板と前記可動体によって支持された前記マスクとが離隔された状態で、前記基板と前記マスクとのアライメント誤差が低減されるように移動し、その後に、前記基板を支持し、
    前記可動体は、前記可動体によって前記基板が支持された後であって前記基板搬送機構によって前記基板が前記成膜室から取り出される前に所定位置に移動し、
    前記所定位置は、前記可動体の基準軸が前記成膜室の基準軸に一致する位置である、
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記成膜室の前記内部空間に配置され、前記基板搬送機構によって前記成膜室の前記内部空間に搬送された前記基板を支持する基板支持機構を更に備え、
    前記可動体は、前記基板に前記膜が形成される前に、前記基板支持機構によって支持された前記基板と前記可動体によって支持された前記マスクとが離隔された状態で、前記アライメント誤差が低減されるように移動する、
    ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記基板と前記マスクとの前記アライメント誤差を検出する検出器を更に備え、前記可動体は、前記検出器によって検出された前記アライメント誤差が低減されるように移動する、
    ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 前記可動体が前記所定位置に移動した後に、前記基板に対する膜の形成が行われる、
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 前記基板に対する前記膜の形成が行われた後に、前記可動体が前記所定位置に移動する、
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 前記成膜室の内部空間が減圧された状態において前記基板に膜が形成される、
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  7. 前記基板搬送機構は、前記基板を保持するハンドを有し、前記ハンドの基準位置が前記所定位置に一致するように前記基板を前記成膜室の前記内部空間に搬送する、
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  8. 第１成膜室を含む複数の処理室と、
    前記複数の処理室に対して、および、前記複数の処理室から、基板を搬送する基板搬送機構と、
    前記第１成膜室の内部空間においてマスクを支持し、または、前記マスクおよび前記基板を積層状態で支持する可動体と、を備え、
    前記可動体は、前記第１成膜室において前記基板に膜が形成される前に、前記基板搬送機構によって前記第１成膜室の前記内部空間に搬送された前記基板と前記可動体によって支持された前記マスクとが離隔された状態で、前記基板と前記マスクとのアライメント誤差が低減されるように移動し、その後に、前記基板を支持し、
    前記可動体は、前記可動体によって前記基板が支持された後であって前記基板搬送機構によって前記基板が前記第１成膜室から取り出される前に所定位置に移動し、
    前記所定位置は、前記可動体の基準軸が前記第１成膜室の基準軸に一致する位置である、
    ことを特徴とする基板処理装置。
  9. 前記複数の処理室は、第２成膜室を含み、
    前記第２成膜室には、前記第２成膜室の内部空間において第２マスクを支持し、または、前記第２マスクおよび前記基板を積層状態で支持する第２可動体が設けられ、
    前記第２可動体は、前記第２成膜室において前記基板に第２膜が形成される前に、前記基板搬送機構によって前記第２成膜室の前記内部空間に搬送された前記基板と前記第２可動体によって支持された前記第２マスクとが離隔された状態で、前記基板と前記第２マスクとのアライメント誤差が低減されるように補正位置に移動し、その後に、前記基板を支持し、
    前記第２成膜室において前記基板に前記第２膜が形成された後、前記第２可動体が前記補正位置に配置されている状態で、前記基板搬送機構によって前記基板が前記第２成膜室から取り出される、
    ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 基板に機能層を形成する空間を有する成膜室と、前記成膜室において、前記機能層を形成する領域を制限するマスクを支持する支持部材と、前記基板を保持する保持部材とを有し、前記マスクと前記基板との相対位置を変化させる移動機構を有する基板処理装置であって、
    前記移動機構は、前記機能層が形成された後に前記基板を移動させることを特徴とする基板処理装置。
  11. 成膜室の内部空間において、基板と、前記基板に膜が形成される領域を制限するマスクと、が離隔した状態で、前記基板と前記マスクとのアライメント誤差が低減されるように、前記基板または前記マスクを移動させる第１移動工程と、
    前記内部空間が減圧された状態において、前記第１移動工程の後に、可動体によって前記マスクおよび前記基板を積層状態で支持する支持工程と、
    前記支持工程の後に、前記マスクを介して前記基板に膜を形成する成膜工程と、
    前記成膜工程の後に、前記基板を前記成膜室の前記内部空間から外に搬送する搬送工程と、
    前記支持工程と前記成膜工程との間、または、前記成膜工程と前記搬送工程との間において、前記基板を支持した前記可動体を所定位置に移動させる第２移動工程と、を含み、
    前記所定位置は、前記可動体の基準軸が前記成膜室の基準軸に一致する位置である、
    ことを特徴とする基板処理方法。
  12. 前記第１移動工程は、基板支持機構によって前記基板が支持された状態で前記可動体を移動させる工程を含む、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 前記第１移動工程の前に、前記基板を搬送する基板搬送機構のハンドの基準位置が前記所定位置に一致するように前記基板搬送機構によって前記基板を前記成膜室の中に搬送する工程を含む、
    ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の基板処理方法。
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