CN111373503A - 用于处理基板的基板支撑件、真空处理设备和基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

描述了用于处理基板(101)的基板支撑件(100)。所述基板支撑件包括：支撑主体(110)；以及干粘合物(120)，所述干粘合物附接到所述支撑主体，所述干粘合物为所述基板提供保持布置，所述支撑主体被配置为使所述基板移动一角度而进入处理区域(170)。

Description

用于处理基板的基板支撑件、真空处理设备和基板处理系统
技术领域
实施方式涉及一种用于真空处理的基板支撑件。本公开内容的实施方式特别地涉及：一种用于处理基板的支撑件，该支撑件具有支撑主体和附接到该支撑主体的干粘合物；一种真空处理设备，该真空处理设备包括真空腔室、在该真空腔室内的基板支撑件、以及处理站；以及一种基板处理系统。本公开内容的实施方式还涉及一种基板处理系统，该基板处理系统包括装载腔室、真空传送腔室、以及真空处理设备。
背景技术
已知用于在基板上进行层沉积的各种技术，例如热蒸发、化学气相、化学气相沉积(CVD)、以及物理气相沉积(PVD)，物理气相沉积诸如溅射沉积。溅射沉积工艺可用于在基板上沉积材料层，例如绝缘材料层。这涉及将材料从靶射出到基板上。用等离子体区域中产生的离子轰击待沉积在基板上的靶材料以将靶材料的原子从靶的表面撞出。被撞出的原子可在基板上形成材料层。在反应溅射沉积工艺中，被撞出的原子可与等离子体区域中的气体(例如，氮或氧)反应，以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物或氮氧化物。
涂覆材料可用于若干应用和若干技术领域。例如，涂覆材料可用于微电子领域，诸如用于生成半导体器件。另外，用于显示器的基板可使用物理气相沉积工艺进行涂覆。另外的应用包括绝缘面板、有机发光二极管(OLED)面板、具有薄膜晶体管(TFT)的基板、滤色片或类似者。
朝具有更复杂且更薄的涂层的更大的基板的趋势造成更大的工艺模块。直列地连接的竖直工艺模块因占地面积、冗余和成本问题而具有一些缺点。在竖直工艺位置中，玻璃与掩模对准，以避免在玻璃边缘上和/或在背面上涂覆并密封工艺室以使其与玻璃搬运区域隔开。在工艺期间，夹具在基板的边缘上保持该基板。这会因玻璃掩模对准(遮蔽效应)而导致颗粒和均匀性问题、以及在夹具上的侧面沉积。
鉴于上述，需要的是提供改进本领域中的问题的至少一些方面的用于保持基板的保持布置、工艺系统、以及用于保持和处理基板的方法。
发明内容
鉴于上述，提供了一种用于基板处理的基板支撑件、一种真空处理设备、用于处理基板的方法、以及一种基板处理系统。
根据一个实施方式，提供了一种用于处理基板的基板支撑件。所述基板支撑件包括：支撑主体；以及干粘合物，所述干粘合物附接到所述支撑主体，所述干粘合物为所述基板提供保持布置，所述支撑主体被配置为使所述基板移动一角度而进入处理区域。
根据另一个实施方式，提供了一种用于处理基板的基板支撑件。所述基板支撑件包括：支撑主体；干粘合物，所述干粘合物在所述支撑主体处；以及致动器，所述致动器使所述支撑主体围绕轴移动进出处理区域。
根据另一个实施方式，提供了一种真空处理设备。所述真空处理设备包括：真空腔室；基板支撑件，所述基板支撑件在所述真空腔室内；以及处理站。所述基板支撑件包括：支撑主体；干粘合物，所述干粘合物在所述支撑主体处；以及致动器，所述致动器使所述支撑主体围绕轴移动到所述处理站的前面以及使所述支撑主体围绕轴远离所述处理站移动。
根据另一个实施方式，提供了一种基板处理系统。所述基板处理系统包括装载模块、真空传送腔室和根据本文所描述的实施方式的真空处理设备。
附图说明
为了能够详细地理解上述特征的方式，可参考实施方式来获得上文简要地概述的更特定的描述。附图涉及实施方式并在下图中描述：
图1示出了保持基板并将基板移动于处理区域中的基板支撑件的示意性侧视图；
图2示出了包括干粘合物结构的示例性基板支撑件的示意性侧视截面图；
图3示出了包括形成附接区域的干粘合物元件的基板支撑件的示例性实施方式的示意性侧视截面图；
图4示出了布置在支撑主体的表面上的干粘合物元件的示例性图案的示意性俯视图；
图5示出了具有条状附接区域的支撑主体的另一个实施方式的示意性俯视图；
图6示出了具有环形附接区域的另一个实施方式的示意性俯视图；
图7示出了在沉积源范围内的处理区域中将基板保持在非水平位置的示例性基板支撑件的示意性侧视图；掩模布置在基板与沉积源之间；
图8示出了在包括定位圆筒的真空腔室中的示例性基板支撑件的示意性侧视图，基板在非竖直位置；
图9示出了示例性真空处理设备的示意性侧视图；
图10示出了包括六边形传送腔室的示例性基板处理系统的示意性俯视图；
图11示出了说明本文所描述的用于保持基板并将基板移动进出处理区域的方法的流程图。
具体实施方式
现将详细地参考各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示于图中。在附图的以下描述中，相同的附图标记表示相同或类似的部件。一般地，仅描述相对于各别实施方式的差异。每个示例以解释的方式提供，而不意在作为限制。此外，被示出或描述为一个实施方式的部分的特征可在其他实施方式上或结合其他实施方式使用，以产生又进一步实施方式。说明书旨在包括这样的修改和变化。
除非另有指明，否则一个实施方式中的部分或方面的描述也适用于另一个实施方式中的对应的部分或方面。
图1示出了围绕轴160移动一角度的示例性基板支撑件100的示意性侧视图。支撑主体110具有第一表面125和设在第一表面125上的干粘合物120。基板101的背表面115附接在干粘合物120上。基板101的前表面113是待处理的表面，特别地，在该表面上将沉积材料层。支撑主体110的移动可通过围绕布置在支撑主体110处的接头140的旋转来描述，其中接头140形成旋转轴160。支撑主体110的移动也可理解为折叠或翻折移动。虚线轮廓111示出了移动一角度的支撑主体。
基板101移动角度165(例如通过围绕轴160旋转)而进入虚线轮廓111所描绘的处理区域170中。基板移动一角度而进入处理区域中可被描述为实质角位移。在实施方式中，基板移动一角度也可具有一部分平移运动，其中旋转轴发生移位，特别地朝处理区域发生移位。参考图1，支撑主体110可通过与水平方向180对准的平移移动并围绕旋转轴160移动角度165而朝处理区域170移动。被配置为使基板移动一角度的支撑主体可理解为可旋转安装的支撑主体，该支撑主体至少被配置为围绕轴旋转或摆动，例如围绕接头旋转或摆动以改变附接到支撑主体的基板表面的取向。
根据可与本文所描述的其他实施方式结合的实施方式，支撑主体被配置为将基板从非竖直位置移动到非水平位置。当特别地涉及基板取向时，非竖直位置可理解为允许偏离水平方向或取向+/-20°或更低、例如+/-10°以下。同样地，非水平位置可理解为允许偏离竖直方向或取向+/-20°或更低、例如+/-10°以下。基板支撑件偏离竖直位置可能产生更稳定的基板位置，例如，在基板处理期间，特别地在层沉积工艺期间。此外，使基板的水平位置有偏离以促进基板的运输和/或对准可为有益的，特别是在使基板移动到处理区域中之前。
在本公开内容中，提供了用于基板处理的基板支撑件。基板支撑件包括：支撑主体；干粘合物，该干粘合物附接到支撑主体，该干粘合物为基板提供保持布置，并且支撑主体被配置为使基板移动一角度而进入处理区域。
根据实施方式，基板支撑件应理解为被配置为用于保持本文所描述的基板、特别是大面积基板的支撑件。典型地，术语基板支撑件、载体和支撑件同义地使用。由本文所描述的基板支撑件保持或支撑的基板包括前表面和背表面，其中前表面是被处理的基板的表面，例如前表面是将在其上沉积材料层的表面。典型地，基板支撑件被配置为使得基板的背表面可附接到载体，特别是附接到本文所描述的基板支撑件的干粘合物。
本文所使用的术语基板可为非柔性基板，例如玻璃板、金属板、晶片、透明晶体的切片、玻璃基板或陶瓷板。然而，本公开内容不限于此，并且术语基板还可涵盖柔性基板，诸如幅材或箔，例如金属箔或塑料箔。根据可与本文所描述的任何其他实施方式结合的实施方式，基板可由适合于材料沉积的任何材料制成。例如，基板可由选自由以下项组成的组中的材料制成：玻璃(诸如钙钠玻璃或硼硅酸盐玻璃)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料、云母或能够通过沉积工艺涂覆的任何其他材料或材料组合。例如，基板的在垂直于基板的主表面的方向上的厚度可在从0.1mm至1.8mm的范围内，诸如0.7mm、0.5mm或0.3mm。在一些实施方式中，基板的厚度可为50μm或更大。基板的厚度也可为900μm或更小。
根据可与本文所描述的其它实施方式组合的实施方式，基板可为大面积基板。大面积基板可具有0.5m2或更大的表面积。典型地，大面积基板可用于显示器制造并可为玻璃或塑料基板。例如，本文所描述的基板应涵盖用于LCD(液晶显示器)、PDP(等离子体显示面板)等的基板。例如，大面积基板可具有面积为1m2或更大的主表面。在一些实施方式中，大面积基板可为对应于约0.67m2基板(0.73m×0.92m)的第4.5代、对应于约1.4m2基板(1.1m×1.3m)的第5代或更大的基板。大面积基板还可为对应于约4.29m2基板(1.95m×2.2m)的第7.5代、对应于约5.7m2基板(2.2m×2.5m)的第8.5代、或甚至对应于约8.7m2基板(2.85m×3.05m)的第10代。可类似地实现甚至更高的代(诸如第11代和第12代)以及对应的基板面积。
根据实施方式，支撑主体可理解为被配置为保持基板的布置。例如，支撑主体可为刚性主体，诸如框架或板。特别地，支撑主体可被配置为支撑基板的表面，诸如基板的背表面。
在本公开内容中，干粘合物可理解为被配置为提供用于附接本文所描述的基板的粘合力的保持布置。特别地，干粘合物可设在支撑主体上或附接到该支撑主体，使得本文所描述的基板可经由干粘合物被支撑主体保持。更特定地，干粘合物可包括本文所描述的干粘合物材料。干粘合物材料可被配置为用于通过范德瓦尔斯力提供粘合力。干粘合物被配置为在基板表面与基板支撑件之间、特别是在基板表面与基板支撑表面之间形成连接。基板与干粘合物之间的连接可为防滑的或不滑的及类似的。有利地，基板与干粘合物之间的连接可被无残留地断开，例如在基板处理之后，特别是在沉积工艺之后。
示例性地参考图2，根据可与本文所描述的任何其他实施方式组合的实施方式，干粘合物120可附接基板101的背表面115，以提供用于保持基板101的粘合力。典型地，基板的背表面115将不进行处理。干粘合物120可包括细丝(filament)121，特别是多个细丝121，以用于将基板101的背表面115与一个端部附接。术语细丝可与术语粘合物结构同义地使用。
特别地，多个细丝121中的每个细丝可例如垂直于支撑主体110的第一表面125延伸远离支撑主体110的第一表面125。因此，多个细丝121中的每个细丝可具有第二端部，该第二端部例如用于附接本文所描述的基板101。特别地，多个细丝121中的每个细丝的第二端部可被配置为可附接到基板101。特定地，每个细丝的第二端部可被配置为如本文所述通过范德瓦尔斯力粘附到基板101。
根据可与本文所描述的其他实施方式组合的实施方式，细丝可包括或可为纳米管或碳纳米管。多个细丝中的每个可为基本上纵向的构件。特定地，多个细丝中的每个可具有大于其余两个尺寸的一个尺寸。特别地，细丝的最长尺寸可为细丝的长度。也就是说，细丝可沿长度方向伸长。
根据实施方式，干粘合物可为合成刚毛材料。干粘合物、特别是合成刚毛材料的粘合能力可与壁虎脚的粘合性质有关。壁虎脚的粘合能力由壁虎脚上的许多毛发型延伸部(称为刚毛)提供。在此指出，术语合成刚毛材料可理解为模仿壁虎脚的天然粘合能力并包括与壁虎脚类似的粘合能力的合成材料。此外，术语合成刚毛材料可与术语合成壁虎刚毛材料或术语壁虎胶带材料同义地使用。例如，具有壁虎粘合物材料的支撑主体也可称为G吸盘(G-chuck)。然而，本公开内容不限于此，并且其他干粘合物材料适合于保持基板。
根据可与本文所描述的任何其他实施方式组合的实施方式，干粘合物材料，例如合成刚毛材料，可为无机的。根据本文所描述的一些实施方式，干粘合物可为基本上100％无机的。
根据可与本文所描述的任何其他实施方式组合的实施方式，干粘合物可为壁虎粘合物。例如，壁虎粘合物可为壁虎胶带或壁虎元件。
在本公开内容中，壁虎粘合物可理解为模仿壁虎脚粘附到表面(诸如例如竖直表面)的能力的粘合物。特别地，本文所描述的干粘合物可被配置为因在干粘合物与基板的表面之间的范德瓦尔斯力而粘附到基板。根据实施方式，可提供由粘合物提供的粘合力以用于保持本文所描述的基板。特别地，干粘合物可被配置为提供约3N/cm2或约4N/cm2或约5N/cm2以上的粘合力。
根据实施方式，干粘合物包括至少一个干粘合物元件，特别是多个干粘合物元件。示例性地参考图3，图3示出根据实施方式的示意性截面图，干粘合物120可包括布置在基板支撑件100上的表面125上的干粘合物元件420。干粘合物元件420在附接到背表面115时形成附接区域440以保持基板。提供更多、特别是多个干粘合物元件420可在干粘合物元件420之间形成间隙450，其中可将未示出的其他支撑元件布置在支撑主体上。支撑元件可例如包括用于气体和/或液体的导管，以在通过例如加热或冷却进行处理期间来支撑基板。此外，在间隙450内，可提供用于将基板101从支撑主体110脱离的支撑元件，其中支撑元件允许或促进脱离工艺。
根据一些实施方式，干粘合物元件可以各种图案布置在支撑主体上。参考图4，图4示出布置在支撑主体110的表面125上的干粘合物元件420的图案的俯视图，干粘合物元件420具有方形形状并周期性地布置在该表面上。间隙450形成在粘合物元件420之间，其中在基板支撑件100的边缘上的间隙形成由阴影区域表示的边缘区，而没有粘合物元件。边缘区475可促成或允许基板在附接区域440内的粘附元件420上的附接工艺。根据可与本文所描述的其他实施方式组合的一些实施方式，粘合物元件420的至少一部分可旋转地安装在基板支撑件上。例如，旋转，特别是具有垂直于基板表面的轴线的旋转，可促成基板从粘合物元件释放。在图5中，示出了布置在支撑主体上的干粘合物元件的图案的另一个示例的俯视图。粘合物元件形成条状附接区域445，其中附接区域彼此平行地对准。此外，参考图6，条状附接区域445可形成为环结构形状。条状附接区域445平行于支撑主体的边缘区布置。
根据实施方式，在基板布置在支撑主体上之前，基板可与支撑主体对准。对准可例如通过运输框架来进行，其中运输框架运输在基板支撑件上方的水平位置的基板。可提供销阵列来以对准或居中的方式将基板附接在基板支撑主体上。在将基板放在基板支撑件上并附接到干粘合物之前，也可通过简单的推杆将基板对准。
在对准之后，基板可例如以水平取向附接在支撑主体110上。支撑主体随后可定位在竖直方向上。由于在取向改变时的重力，基板可能会下垂。根据可与本文所描述的其他实施方式结合的本公开内容的一些实施方式，可提供壁虎结构以允许减少的下垂和在处理之后基板容易从壁虎结构释放的组合效果。
例如，壁虎结构的截面可具有伸长形状。例如，伸长截面可为具有主延度或轴线和次延度或轴线的椭圆形形状。此外，伸长截面可为具有主对角线和次对角线的四边形形状。此外，伸长截面可为具有主侧向长度和次侧向长度的矩形形状。在该上下文下，术语主和次与长度的尺寸有关。例如，主涉及比次长度长的长度。因此，截面的较长长度的取向提供稳定性以避免下垂。可通过在不同方向上的移动来实现基板从壁虎结构的释放。例如，所述不同方向可平行于或基本上平行于截面的较短长度的取向。
根据实施方式，可提供用于保持基板的干粘合物元件。干粘合物元件包括被配置为面对基板的表面，并且干粘合物元件的表面包括多个粘合物结构。多个粘合物结构包括从表面突出的第一粘合物结构，其中第一粘合物结构具有平行于表面的各向异性柔性。例如，多个粘合物结构可具有平行于表面的各向异性柔性。
可提供用于保持基板的干粘合物元件。干粘合物元件包括被配置为面向基板的表面和设在该表面之上并包括多个粘合物结构的干粘合物。多个粘合物结构包括从表面突出的第一粘合物结构和从表面突出的第二粘合物结构。当沿给定方向弯曲时，与沿相同方向以相同力弯曲的第二粘合物结构相比，第一粘合物结构不同地弯曲。
因此，有利地，在本公开内容中，本文所描述的用于使用干粘合物元件保持基板的方法基本上避免了基板的下垂，不管基板相对于干粘合物元件的安装方向如何。
根据可与本文所描述的其他实施方式组合的实施方式，干粘合物可被配置为具有对应于基板的背表面的至少75％的总附接区域。术语总附接区域可理解为所有附接区域的和。特别地，干粘合物可被配置为具有对应于基板的背表面的至少80％、更特定地对应于基板的背表面的至少90％的总附接区域。
图7示出了在沉积源801的范围内在处理区域170中保持基板101的基板支撑件100的示意性侧视图。沉积源可包括用于将材料807沉积到基板101的前表面113的旋转靶805(或平面靶)。通过干粘合物120(例如通过壁虎胶带材料)将基板101保持在本文所描述的非水平位置中。干粘合物120附接在基板101的背表面115上，其中可使用基板支撑件100的干粘合物120来保持或固定基板101。使用附接到背表面115的干粘合物120来保持基板101具有以下优点：没有提供其他保持布置来用于保持基板101，特别是没有夹具或类似的保持装置覆盖前表面113。特别地，基板101的前表面113的边缘区域127可保持不被夹具或类似物覆盖。
根据实施方式，掩模布置在基板的前面，其中掩模覆盖基板的边缘区。例如，掩模可为边缘排除掩模或遮蔽掩模或类似掩模。边缘排除掩模是被配置为掩蔽基板的一个或多个边缘区域的掩模，使得在基板的涂覆和/或处理期间没有材料沉积在基板的一个或多个边缘区域上。
根据实施方式，如图7中所示，掩模130布置在基板101的前表面113上或处。掩模130可在基板101的前面(即在基板101与沉积源801之间)布置在距基板101的近距离135内。
在掩模130与基板的边缘区域之间的距离135可小于2mm，特别是小于1.5mm，或更特别地小于1mm。掩模130可覆盖基板101的前表面113的边缘区域127。作为另一个示例，可将掩模布置在前表面113的前面，使得掩模130的至少一部分与前表面113接触以减小遮蔽效应。术语直接接触可理解为掩模130触及或接触或邻接在基板上，特别是在边缘区域127上，其中距离135可基本上为零。
如上所述，边缘排除部、边缘排除掩模或掩模可位于基板(例如玻璃)与处理站(例如沉积源)之间。根据可与其他实施方式组合的本文所描述的实施方式，可通过干粘合物布置来减小玻璃-掩模距离。由于玻璃边缘是直的，并且没有夹具会干扰边缘排除(即，掩蔽)，因此玻璃-掩膜距离可尽可能小。
根据实施方式，可将由支撑主体110支撑的基板101直接地朝处理区域中的掩模130移动一角度。掩模130可固定地固定在处理区域中以促成掩模布置。替代地，支撑主体可经历朝掩模的平移移动，例如在旋转之后。
根据实施方式，提供了一种真空处理设备，该真空处理设备包括：真空腔室；基板支撑件，该基板支撑件在真空腔室内；以及处理站。基板支撑件包括：支撑主体；干粘合物，该干粘合物在支撑主体处；以及致动器，该致动器使支撑主体围绕轴移动到处理站的前面以及使支撑主体围绕轴远离处理站移动。本文所使用的术语真空可理解为具有小于例如10毫巴的真空压力的技术真空。典型地，本文所描述的真空腔室中的压力可在10-5毫巴与约10-8毫巴之间，更典型地在10-5毫巴与10-7毫巴之间，并且甚至更典型地在约10-6毫巴与约10-7毫巴之间。
处理站可理解为处理模块或处理腔室，特别是具有真空气氛的腔室，其包括至少一个处理装置。处理装置可理解为对在处理装置附近或靠近处理装置、特别是在处理装置的在真空气氛中的处理区域内的基板有影响的装置。处理装置可包括用于在基板的表面上沉积材料的装置，诸如被配置为用于进行如化学气相沉积、物理气相沉积的涂覆工艺的装置，或处理装置可包括用于蚀刻基板的装置。可通过溅射装置来提供沉积。处理装置也可理解为用于执行热处理、冷却、辐射或等离子体处理工艺的装置。典型地，处理装置与被处理的基板的表面之间的距离可为约300mm或更小，特别地该距离可在240mm与260mm之间。
在本公开内容中，用于使支撑主体围绕轴移动的致动器可理解为可延伸的气缸，例如，被配置为使支撑主体围绕轴移动到处理站的前面的液压、气动、机械或电动气缸。致动器也可理解为具有齿条和齿轮系统的线性致动器。轴，特别是旋转轴，可被配置为枢轴、转环、摆杆或旋转接头。轴可包括例如具有马达和齿轮的致动器。轴可被直接地驱动。可提供马达和/或齿轮。致动器可为自驱动的或可旋转安装的杆。致动器可固定到支撑主体和/或轴。
示例性地参考图11，提供了根据本公开内容的用于使支撑主体围绕轴移动进出处理区域的方法400的实施方式。方法400包括用于将基板附接到支撑主体上的干粘合物上的方法401，将基板移动一角度而进入处理区域中402(特别地根据可与本文所描述的其他实施方式组合的实施方式)，并且使基板从非竖直位置移动到非水平位置。方法400包括处理基板403、将处理的基板移出处理区域404以及使基板与支撑主体的干粘合物脱离405。
参考图8，示出了真空腔室中的基板支撑件100的示意性实施方式的示例。在支撑主体110的下表面114上设有定位圆筒150和接头140。支撑主体110由定位圆筒150通过延伸来推动支撑主体110而移动。支撑主体110安装到接头140。当定位圆筒150延伸时，支撑主体110从非竖直位置移动到非水平位置。支撑主体的移动可描述为围绕可形成旋转轴160的接头140的翻转移动、摆动移动或类似移动。布置在支撑主体110上的干粘合物120附接到基板101，并且通过范德瓦尔斯力防止在非水平位置中的基板101滑落或掉落。可通过沉积源801在非水平位置处理基板101、特别是基板101的前表面113。在处理基板101之后，使定位圆筒150缩回，其中使支撑主体110远离沉积源的处理区域而移动到起始位置。起始位置可理解为未被处理的基板在非竖直位置中的位置。
根据实施方式，使基板移动到处理站的前面和使基板远离处理站移动的过程可重复多于一次。使用干粘合物将基板附接在支撑主体上并在处理期间保持基板使得能够重复进行使基板移动到处理站的前面和使基板远离处理站移动的过程，而无需清洁或去除基板的任何其他保持结构的沉积物。
根据可与本文所描述的任何其他实施方式组合的实施方式，支撑主体110可包括设在支撑主体110的下表面114处的支撑基部145。支撑基部145可被可移动地或可移位地布置在底表面上，例如在真空腔室的底表面上。支撑主体110的支撑基部145可例如设有在底表面上滑动的辊或滑辊或类似物，以使得支撑主体110能够在横向方向上远离或朝向处理区域、特别是远离或朝向处理站移动。可在如本文所述使支撑主体移动一角度之外还进行支撑主体的横向移动。
根据可与本文所描述的任何其他实施方式组合的实施方式，可通过将真空腔室和处理站彼此连接来形成真空处理设备。真空腔室和处理站的内部可形成为具有相同真空气氛的一个组合的内部。
图9示出了示例性真空处理设备550，其包括真空腔室570和处理站555。真空腔室570可设有支架525。真空腔室可包括或可连接到处理站555。处理站555可设有支撑支柱545。
根据可与本文所描述的其他实施方式结合的实施方式，如图10所示，基板处理系统600可包括真空传送腔室610，其中多于一个、特别是多个真空处理设备550A、550B、550C邻近真空传送腔室610布置。基板101例如通过装载腔室510被传送到真空传送腔室610。真空传送腔室610可将基板101移动到第一真空腔室570A。
可通过第一真空腔室570A中的基板支撑件100的干粘合物120将基板101布置或附接在支撑主体110上。基板支撑件100如本文所述使基板101从非竖直位置移动一角度到非水平位置，所述非水平位置在处理站555A的处理区域中且在掩模(未示出)的前面。在基板101在处理站555A的处理区域中进行处理之后，基板以非竖直位置从处理区域移出至真空腔室570A中。基板101从真空腔室570A移出而返回到真空传送腔室610。在从真空腔室570A获得基板101之后，真空传送腔室610可将基板101移动到分别包括另外的处理站555B、555C、555D的另一个真空处理设备550B或550C或550D。
根据实施方式，基板101从真空腔室570A到另一个真空腔室570B、570C、570D的移动可理解为基板101的横向移动，其中基板101在处于非竖直位置时移动。真空传送腔室610可被配置为旋转基板101，例如以使得在将基板101移动到处理腔室之前能够对准基板101。基板101可由真空传送腔室610以不确定的顺序移动到布置在真空传送腔室610上的任何其他真空腔室570A、570B、570C。
根据实施方式，可提供一种处理系统。处理系统包括装载模块、传送腔室和真空处理设备。处理系统可包括多于一个装载模块、传送腔室或真空处理设备。
装载模块可理解为能够纳入或接收基板的模块。装载模块可为在一侧具有被配置为接收基板的开口的腔室。装载模块可连接到被配置为将基板运输到装载模块的运输装置。例如，装载模块可理解为气闸，用于将基板传送到具有低压力的腔室，特别是传送到具有真空压力的腔室。根据实施方式，装载模块连接到真空传送腔室。
真空传送腔室可理解为连接到其他基板处理模块、腔室或装置的具有真空压力的腔室。真空传送腔室可被配置为将基板移动到连接到真空传送腔室的其他模块或装置，以用于进一步基板处理。
根据实施方式，在真空传送腔室处、特别是在真空传送腔室的外壁处布置多于一个真空处理设备。真空传送腔室可在真空处理设备之间形成运输路径配置。
真空传送腔室可理解为运输路径配置，其中多个基板处理模块，如处理设备，布置在该运输路径配置的侧面区域处。每个基板处理模块或基板处理系统可例如通过开口或通过气闸连接到运输路径配置。
根据实施方式，基板处理系统可包括彼此相邻布置的多于一个基板处理设备。在第一处理设备中，致动器如本文所述使基板支撑主体围绕轴移动到处理站的处理区域中。为了进一步处理，可将基板移动到另外的处理设备，其中基板在非竖直位置中从一个处理设备移动到另一个处理设备。
根据实施方式，真空传送腔室可具有多边形或圆形设计。多边形设计可例如包括三角形、方形、五边形或六边形设计。真空处理腔室可布置在真空传送腔室的多边形设计的一个边缘上或多个边缘上或每个边缘上。当设有多于一个真空处理腔室时，真空传送腔室可布置在真空处理腔室的中间或中心。真空传送腔室布置在真空传送腔室的中心或中间实现基板处理系统的群集设计。可在真空传送腔室上布置多于一个真空处理腔室，其中每个腔室到真空传送腔室的中心点的距离相同。还可将用于基板的存储模块或任何其他基板支撑模块布置在多边形设计的真空传送腔室的一个或多个边缘处。
根据实施方式，可连接本文所描述的两个或更多个群集状基板处理系统并使得能够在两个或更多个基板处理系统之间进行基板运输和进一步基板处理。
根据实施方式，真空传送腔室被配置为将附接到基板支撑件的基板传送到真空处理设备。被附接的基板可理解为当在真空传送腔室内运输时，基板通过干粘合物保持附接和/或保持在基板支撑件上。基板支撑件的移动可理解为在水平方向上的移位。可通过带有辊或类似物的引导系统来进行移位。将基板保持附接到支撑主体的优点在于，当基板进入真空处理腔室和/或在处理之后再次进入真空传送腔室时，可避免基板与支撑主体的干粘合物的另外附接和脱离操作。保持基板附接到支撑主体也可加速基板处理工艺。
本公开内容具有若干优点，包括提供用于在背表面上保持基板的基板支撑件，而不需要影响基板的前表面或侧表面的其他保持布置。本文所描述的基板支撑件使得能够在非水平位置进行基板处理，而没有侧面沉积或到达玻璃边缘周围的其他保持布置。由于本文所描述的干粘合物结构，可避免下垂。本文所描述的真空处理系统的实施方式使得能够进行非竖直基板处理并实现具有小占地面积的节省空间的设计。
尽管前述内容针对的是一些实施方式，但是在不脱离基本范围的情况下，可设想其他和进一步实施方式，并且范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种用于处理基板的基板支撑件；包括：
支撑主体；以及
干粘合物，所述干粘合物附接到所述支撑主体，所述干粘合物为所述基板提供保持布置，所述支撑主体被配置为使所述基板移动一角度而进入处理区域。
2.根据权利要求1所述的用于基板处理的基板支撑件，其中所述支撑主体被配置为使所述基板在非竖直位置与非水平位置之间移动。
3.一种用于处理基板的基板支撑件，包括：
支撑主体；
干粘合物，所述干粘合物在所述支撑主体处；以及
致动器，所述致动器使所述支撑主体围绕轴移动进出处理区域。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板支撑件，其中所述干粘合物包括多个粘合物结构，所述粘合物结构在所述支撑主体上形成一个或多个附接区域。
5.根据权利要求4所述的基板支撑件，其中所述多个粘合物结构包括具有第一伸长截面的第一粘合物结构和具有第二伸长截面的第二粘合物结构，所述第一伸长截面具有第一取向，所述第二伸长截面具有与所述第一取向不同的第二取向。
6.根据权利要求5所述的基板支撑件，其中所述第一粘合物结构设在第一附接区域中并且所述第二粘合物结构设在第二附接区域中，所述第一附接区域和所述第二附接区域在所述基板支撑件上形成图案。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板支撑件，其中所述干粘合物包括壁虎粘合物。
8.一种真空处理设备，包括：
真空腔室；
基板支撑件，所述基板支撑件在所述真空腔室内；以及
处理站，所述基板支撑件包括：
支撑主体；
干粘合物，所述干粘合物在所述支撑主体处；以及
致动器，所述致动器使所述支撑主体围绕轴移动到所述处理站的前面以及使所述支撑主体围绕轴远离所述处理站移动。
9.根据权利要求8所述的真空处理设备，其中掩模设在所述基板支撑件与所述处理站之间。
10.根据权利要求8或9所述的真空处理设备，其中掩模布置在基板的前面，所述掩模覆盖所述基板的边缘区域。
11.一种基板处理系统，包括：
装载模块；
真空传送腔室；以及
根据权利要求8至10中任一项所述的真空处理设备。
12.根据权利要求11所述的基板处理系统，其中多于一个真空处理设备布置在所述真空传送腔室处。
13.根据权利要求12所述的基板处理系统，其中在第一处理设备的处理站与所述真空传送腔室之间的距离等于在第二处理设备的处理站之间的距离。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的基板处理系统，其中所述真空传送腔室具有多边形或圆形形状。
15.根据权利要求11或14中任一项所述的基板处理系统，其中所述真空传送腔室被配置为将附接到所述支撑主体的所述基板传送到所述真空处理设备。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111663104A (zh) * 2020-06-24 2020-09-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀系统及蒸镀方法
WO2022002385A1 (en) * 2020-07-01 2022-01-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for moving a substrate, deposition apparatus, and processing system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040163762A1 (en) * 2001-07-27 2004-08-26 Iizuka Hachishiro Plasma treating device and substrate mounting table
JP2008175870A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造装置、及び液晶装置の製造方法
US20090280244A1 (en) * 2008-05-12 2009-11-12 Raytheon Company Method and Apparatus for Supporting Workpieces in a Coating Apparatus
CN101921990A (zh) * 2009-06-11 2010-12-22 日新离子机器株式会社 离子注入装置
JP2014072454A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ処理装置および積層体の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372549B2 (en) * 2005-06-24 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20070113849A (ko) * 2006-05-26 2007-11-29 주식회사 에이디피엔지니어링 기판 고정척 및 기판 척킹 방법, 그리고 이를 이용한평판표시장치 제조용 기판 합착기
US20170114462A1 (en) * 2015-10-26 2017-04-27 Applied Materials, Inc. High productivity pecvd tool for wafer processing of semiconductor manufacturing
CN108350570A (zh) * 2015-12-07 2018-07-31 应用材料公司 用于在真空处理腔室中进行基板处理期间保持基板的保持布置、用于在真空处理腔室中支撑基板的载体和用于保持基板的方法
WO2018103852A1 (en) * 2016-12-08 2018-06-14 Applied Materials, Inc. Holding arrangement for holding a substrate, carrier including the holding arrangement, method for holding a substrate, and method for releasing a substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040163762A1 (en) * 2001-07-27 2004-08-26 Iizuka Hachishiro Plasma treating device and substrate mounting table
JP2008175870A (ja) * 2007-01-16 2008-07-31 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造装置、及び液晶装置の製造方法
US20090280244A1 (en) * 2008-05-12 2009-11-12 Raytheon Company Method and Apparatus for Supporting Workpieces in a Coating Apparatus
CN101921990A (zh) * 2009-06-11 2010-12-22 日新离子机器株式会社 离子注入装置
JP2014072454A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd プラズマ処理装置および積層体の製造方法

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