CN215163072U - 沉积设备和沉积系统 - Google Patents

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Abstract

描述了沉积设备和沉积系统。所述沉积设备包括：真空腔室，所述真空腔室定大小为适于容纳GEN 2代或更高世代的矩形大面积基板；和沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源具有在第一方向上的靶节距，所述沉积源阵列被构造为在静态沉积工艺中在真空腔室中的处理区域中沉积材料，其中在所述第一方向上沉积源节距与沉积源尺寸的比率为1.8或更大。

Description

沉积设备和沉积系统
技术领域
本公开内容的实施方式涉及层沉积，具体地涉及通过物理气相沉积(例如溅射)进行层沉积。此外，实施方式涉及沉积系统，所述沉积系统沉积不同厚度的层，例如籽晶层或粘附促进层和厚层。本公开内容的实施方式尤其涉及沉积设备和沉积系统。
背景技术
已知用于在基板上沉积材料的若干方法。例如，可以通过物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)工艺、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)工艺等来涂覆基板。通常，在要涂覆的基板所位于的工艺设备或工艺腔室中执行所述工艺。在所述设备中提供沉积材料。在执行PVD工艺的情况下，可以例如从靶溅射出沉积材料。多种材料可以用于在基板上沉积。在所述多种材料中，可以使用许多不同的金属，但是也可以使用氧化物、氮化物或碳化物。通常，PVD工艺适用于薄膜涂覆。
经涂覆的材料可用于若干应用和若干技术领域中。例如，应用属于微电子学领域，例如产生半导体器件。同样，用于显示器的基板通常通过PVD 工艺涂覆，其中处理大面积基板。
例如在显示器工业中，对于大面积基板的处理，可以使用动态沉积工艺，其中将基板沿着一个或多个沉积源移动。然而，多种基板处理应用利用静态沉积工艺。对于静态沉积工艺，在与沉积源阵列相邻的沉积区域中移动基板。沉积源阵列可包括彼此间隔开的三个或更多个沉积源。通常，沉积源的区域可具有指示相邻沉积源之间的距离的节距。
可以提供用于大面积基板的基板处理系统，以制造层堆叠结构，其中沉积第一层并且在所述第一层上方沉积第二层。例如，第一层可以是与第二层相比较薄的籽晶层或粘合剂层。可以为第一层提供沉积源的第一阵列，并且可以为第二层提供沉积源的第二区域。所述沉积源的阵列中的每一者包括多个沉积源，并且因此包括具有要沉积的材料的多个靶。
可包含昂贵材料的所述多个沉积源和/或可包含昂贵材料的所述多个靶增加了系统材料成本(material cost of system,MCOS)。有鉴于此，有益的是提供改进的沉积设备、改进的沉积，特别是对于薄层或包括薄层的层堆叠结构。
实用新型内容
鉴于上述，提供了沉积设备和沉积系统。根据从属权利要求、说明书和附图，本公开内容的其他方面、优点和特征是清楚易见的。
根据一个实施方式或方面，提供一种沉积设备。所述沉积设备包括：真空腔室，所述真空腔室定大小为适于容纳GEN 2代或更高世代的矩形大面积基板；和沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源具有在第一方向上的靶节距，所述沉积源阵列被构造为在静态沉积工艺中在真空腔室中的处理区域中沉积材料，其中在所述第一方向上沉积源节距与沉积源尺寸的比率为1.8或更大。能够减少沉积源的数量。能够适配工艺中的等待时间，并且能够减少系统材料成本(MCOS)和/或拥有成本(CoO)。
例如，沿着所述第一方向的基板尺寸与沉积源数量的比率为280mm或更大。在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第二沉积源之间的第一距离与所述沉积源尺寸的比率为1.7或更大，所述第二沉积源与所述沉积源阵列的中心相邻。又进一步地，在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第一沉积源之间的第二距离与所述沉积源尺寸的比率为1.3或更大，所述第一靶位于所述沉积源阵列的一侧处。进一步地，所述第一沉积源在垂直于所述第一方向的长度方向上延伸，并且其中所述第一沉积源在所述长度方向上比所述沉积源的在所述高度方向上的所述基板长了至少700mm，或者其中所述沉积源在所述长度方向上延伸的尺寸超过在高度方向上的所述基板的比率为 0.1或更高。能够减少沉积源的数量，特别是针对大面积基板，例如针对显示器制造。
根据可以与本公开内容的实施方式组合的其他实施方式，所述设备被构造用于具有在所述沉积源阵列在所述基板上沉积所述材料的同时在所述沉积设备中静止的所述基板。能够减少MCOS和CoO，例如针对显示器制造减少MCOS和CoO。例如，所述第二沉积源可以是可旋转溅射源。
根据另一实施方式或方面，提供一种沉积系统。所述沉积系统包括第一沉积设备，所述第一沉积设备被构造用于沉积层堆叠结构的第一层，所述第一沉积设备具有第一真空腔室，所述第一真空腔室定大小以容纳GEN 2代或更高世代的矩形大面积基板，第一数量的沉积源设置在所述第一真空腔室中；和第二沉积设备，所述第二沉积设备被构造为在层堆叠结构的第一层上方沉积第二层，所述第二沉积设备具有第二真空腔室，所述第二真空腔室定大小以容纳基板，第二数量的沉积源设置在所述第二真空腔室中，其中所述第二数量的沉积源比所述第一数量的沉积源少至少30％。
例如，所述第一沉积设备被构造为沉积第一材料，并且所述第二沉积设备被构造为沉积与所述第一材料不同的第二材料。所述第一沉积设备可以是根据本公开内容的任一实施方式所述的沉积设备。能够减少沉积源的数量。能够适配工艺中的等待时间，特别是关于所述第一层和所述第二层适配工艺中的等待时间，并且能够减少系统材料成本(MCOS)和/或拥有成本(CoO)。
根据可以与本公开内容的实施方式组合的其他实施方式，所述第一沉积设备被构造用于具有在所述沉积源阵列在所述基板上沉积所述材料的同时在所述沉积设备中静止的所述基板。针对静态沉积，例如针对显示器制造，能够减少MCOS和CoO。
附图说明
为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式获得对上面简要概述的更具体的描述。附图涉及本公开的实施方式，并且在下面描述：
图1示出根据本公开内容的实施方式可以在沉积系统中使用的沉积设备的一部分的示意图；
图2示出根据本文所述的实施方式并且具有减少数量的沉积源的沉积设备的一部分的示意图；
图3示出沉积设备，例如图2中所示的沉积设备的一部分的另一示意图；
图4示出根据本公开内容的实施方式图示制造层堆叠结构的方法的流程图；并且
图5示出根据本文所述的实施方式并且具有第一沉积设备和第二沉积设备的沉积系统的示意图，所述第一沉积设备具有第一数量的沉积源，所述第二沉积设备具有不同数量的沉积源。
具体实施方式
现在将详细参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例在附图中图示。在以下附图描述中，相同的参考数字表示相同的部件。通常，仅描述关于个别实施方式的差异。每个示例是以对本公开内容的解释的方式来提供，并且不意味为限制。此外，被图示或描述为一个实施方式的部分的特征可以在其他实施方式上使用或与其他实施方式结合使用，以产生另一实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。
图1示出沉积设备100的示意图。基板120设置在处理区域中。在沉积源152的阵列150的前方提供基板和处理区域(例如沉积区域)。可以在基板 120与沉积源的阵列150之间提供掩模130。例如，掩模可以是覆盖基板 120的边缘部分的边缘排除掩模(edgeexclusion mask)。由边缘排除掩模覆盖的边缘部分不沉积有来自沉积源的材料，例如沉积源的靶的靶材。
根据可以与本文所述的其他实施方式组合的一些实施方式，沉积源的阵列150的沉积源152可设置在曲线上。图1分别示出沉积源的阵列150与基板120或处理区域之间的距离104，例如最小距离。此外，示出相邻沉积源 152之间的距离155，即沉积源的阵列150的节距(pitch)。如由距离106所示，沉积源的阵列150延伸超出基板120的边缘。与基板120的长度相比，沉积源的阵列的长度更大。
沉积源的区域中的沉积源数量受基板大小(例如，大面积基板的基板世代)、沉积速率和/或层均匀性影响。相邻沉积源之间的距离155可能导致不均匀性、波纹(ripple)，例如正弦曲线层厚度分布。
对于可例如促进后续层沉积的要沉积的薄层(例如籽晶层或粘附层)，沉积速率可以远高于用于满足节拍时间(tact time)的沉积速率。可以在非常短的时间内提供薄层的沉积。然而，对于具有给定节拍时间的基板处理系统，这可能导致基板在基板处理系统中的等待时间。此外，沉积源的数量影响系统材料成本(MCOS)和/或拥有成本(cost ofownership,CoO)。因此，有益的是减少沉积源的数量。然而，鉴于受沉积源(见距离155)影响的上述波纹，即层不均匀性，减少沉积源的数量不是一项简单的任务。
根据本公开内容的实施方式，提供一种沉积设备。沉积设备包括真空腔室，所述真空腔室定大小以容纳GEN 2代或更高世代，例如GEN 5代或更高世代的矩形大面积基板。提供具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源的沉积源阵列。所述阵列具有在第一方向上的靶节距。所述沉积源阵列被构造为在静态沉积工艺中在真空腔室中的处理区域中沉积材料，其中在所述第一方向上沉积源节距与沉积源尺寸的比率为2.9或更大。
根据本公开内容的实施方式，有可能在提供预定的层均匀度(即预定的层波纹均匀度)的同时例如通过增加间距来减少阵列的沉积源的数量。预定均匀度可以是满足制造工艺的规格或低于制造过程的规格的均匀度。如下文关于图2和图3更详细描述的，进一步的尺寸适于补偿减少数量的沉积源。
根据可以与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，沉积源可被构造用于真空沉积。沉积设备可为真空沉积设备。沉积源可布置在真空处理腔室中。根据可以与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，沉积源可以是或包括阴极组件，例如溅射源。沉积源可包括靶，特别是可旋转靶。可旋转靶可以是绕沉积源的旋转轴线(例如，旋转轴线)可旋转的。可旋转靶可以具有弯曲表面，例如圆柱形表面。在溅射期间，可旋转靶可以绕旋转轴线旋转，所述旋转轴线是圆柱体或管(tube)的轴线。这可以提高材料利用率。
沉积源可包括磁体组件。磁体组件可布置在沉积源的可旋转靶中。磁体组件可布置为使得由沉积源溅射的靶材料被朝向基板溅射。磁体组件可生成磁场。磁场可造成在溅射沉积工艺中在磁场附近形成一个或多个等离子体区域。磁体组件在可旋转靶内的位置影响在溅射沉积工艺期间远离阴极组件溅射靶材的方向。
可以提供多种选项，以利用溅射源中的磁体组件来增进层均匀性。例如，磁体组件或磁控管可以摇摆(wobbling)方式旋转，或者可以设置到各种溅射位置。然而，这些尝试对于减少数量的沉积源来说可能是不足的。沉积设备的进一步变化有利于进一步改善层均匀性，特别是对于大面积基板，诸如用于显示器制造的基板。
如本文所用的术语“基板”涵盖非柔性基板，例如玻璃基板、晶片、透明晶体切片(诸如蓝宝石或类似物)、或玻璃板；和柔性基板，诸如卷材或箔。根据可以与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，本文所述的实施方式可用于显示器PVD，即溅射沉积在用于显示器市场的大面积基板上。根据一些实施方式，大面积基板或相应的载体可具有至少0.67m2的尺寸，其中所述载体可以承载一个基板或多个基板。所述尺寸可为约0.67 m2(0.73×0.92m——Gen 4.5)至约8m2，更具体地为约2m2至约9m2或甚至高达12m2。根据本文所述的实施方式的结构、设备(例如阴极组件)所提供而用于的基板或载体可以是如本文所述的大面积基板。例如，大面积基板或载体可为GEN 4.5，GEN 4.5对应于约0.67m2基板(0.73×0.92m)；GEN 5，GEN 5对应于约1.4m2基板(1.1m×1.3m)；GEN 7.5，GEN 7.5对应于约4.29m2基板(1.95m×2.2m)；GEN 8.5，GEN 8.5对应于约5.7m2基板 (2.2m×2.5m)；或甚至GEN 10，GEN 10对应于约8.7m2基板(2.94m× 3.37m)。甚至可以类似地实现更大的代(诸如GEN 11和GEN 12)和相应的基板面积。
图2示出沉积设备200。类似于图1，提供基板120和可选的掩模 130。如与图1相比，沉积源252的阵列250具有减少的数量。因此，相邻沉积源之间的距离255增大，即，阵列的节距增大。
根据本文所述的实施方式，沿着第一方向的基板尺寸与沉积源的数量的比率为280mm或更大。例如，考虑到如上所述例如用于显示器制造的 GEN 10基板，可以将沉积源的数量从16个沉积源减少到12个或更少的沉积源，例如8个沉积源。例如，沉积源可以是可旋转的溅射阴极。类似地，对于GEN 8.5基板，沉积源的数量可以从12个沉积源减少到8个或更少的沉积源，例如6个沉积源。图1、图2和图3示出在中心处中断的沉积设备。也就是说，沉积源的数量可以如图所示较大，并且可以例如通过上述比率得出。例如，与用于厚层沉积的沉积设备(见图1)相比，在用于薄层沉积的沉积设备(见图2)中，沉积源的数量可以减少至少30％，例如50％。减少至少30％将被理解为提供所述源中的70％或更少的源。
如图2所示，分别增加基板120或处理区域与沉积源252的阵列250之间的距离。沉积源的区域包括：第一沉积源，所述第一沉积源位于阵列的第一侧，例如图2中左手侧上的沉积源；一个或多个第二沉积源，所述一个或多个第二沉积源位于阵列的中间并且/或者邻近阵列的中心；和第三沉积源，所述第三沉积源位于阵列的第二、相对侧，例如图2中右手侧上的沉积源。与处理区域与第二沉积源之间的距离205相比，处理区域与第一沉积源和/或第三沉积源之间的距离204更小。根据本公开内容的实施方式，在第一方向上的沉积区域与第二沉积源之间的第一距离205与沉积源尺寸的比率为1.7或更大，第二沉积源与沉积源阵列的中心相邻或介于至少两个另外的沉积源之间。附加地或替代地，在第一方向上的沉积区域与第一沉积源之间的第二距离204与沉积源尺寸的比率为1.3或更大，第一靶位于沉积源阵列的一侧处。
根据可以与本文所述的其他实施方式结合的另外的具体实施，距离 206，即沉积源252的阵列250延伸超过基板120的边缘的尺寸，被增加。阵列在第一方向(即，阵列的节距的方向)上的超越(overlap)减少。例如，根据可以与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，超越(在水平方向上)与沉积源尺寸(在水平方向上)(例如，可旋转溅射源的直径)的比率可为 0.4或更小。例如，水平方向上的尺寸也可以是平面靶(planar target)在水平方向上的线性延伸。
图2分别示出例如沉积设备和沉积源阵列的俯视图。沉积设备或沉积系统可用于竖直基板取向。竖直基板取向对于高世代的大面积基板可以是特别有益的，因为可以减小设备的占地面积。根据本公开内容的实施方式，竖直基板取向可以允许平行于重力方向的基板取向偏离例如15°或更小，例如 10°或更小。相对于平行于重力方向的微小偏差可提供被支撑基板的改善稳定性，例如针对向上移动的待处理基板表面。在相反的角度方向上从平行于重力方向的小偏差可提供待处理基板表面上减少的颗粒粘附。
图3以侧视图示出沉积设备200，例如，图2中所示的沉积设备。考虑到竖直取向的基板，与基板高度相对应的基板尺寸在图3中被示出为尺寸 305。根据可以与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，可以以横向(landscape)取向来处理大面积基板。当基板被支撑在沉积设备中时，这对于改善基板的稳定性可为有益的。基板的例如在水平方向上的长度在图3中被示出为尺寸307。因此，大面积基板的面积是尺寸305和尺寸307的乘积。
如图3中所示，沉积源可提供为线源，例如可旋转溅射源。沉积源具有长度方向，例如图3中的竖直方向。沉积源的长度比基板高度超出了尺寸 304。根据本公开内容的实施方式，对于根据本文所述的实施方式的沉积设备，例如具有减少数量的沉积源的沉积设备，可以增大沉积源的高度。因此，尺寸304增大。根据可以与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，第一沉积源在垂直于第一方向(节距方向，即图3中的水平方向)的长度方向上延伸，并且与沉积源的在高度方向上的基板相比，在长度方向上沉积源长了至少700mm。根据可以与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，沉积源在长度方向上(在一侧上)延伸的尺寸超过在高度方向上的基板的比率为0.1或更大。沉积源(即靶)在基板高度方向上的延伸尺寸也可以称为靶超越。
通过分别改变沉积源(例如靶)与基板或沉积区域的距离中的至少一者，能够在具有减少数量的沉积源提供沉积源阵列在水平方向上的超越和沉积源阵列在竖直方向上的超越、良好均匀性，特别是相对于基板上的层厚度的波纹而言的良好均匀性。因此，对现有沉积设备的结构变化是最小的。例如，不需要用于使用减少数量的沉积源的沉积的附加处理位置。此外，不需要基板相对于沉积源的附加运动来实现预定的均匀性。
根据一些实施方式，可以由钛提供薄层，例如用于铜层的粘附促进。如以下关于图5所描述的，可以沉积钛的薄层，并且随后可以沉积较厚的铜层。由于减少了沉积源(例如，可旋转溅射源)的数量，因此减少了两个层的沉积时间之间的差异。例如，节拍时间可为约1分钟或更低。在具有减少数量的沉积源的同时，薄层(例如钛层)的波纹均匀度可为10％或更低。例如，第一沉积源和沉积源阵列的一侧的靶-基板距离可以增加到约220mm或更大，并且/或者与沉积源阵列的中心相邻的第二沉积源的靶-基板距离可以增加到约280mm或更大。
根据本公开内容的实施方式，修改沉积源阵列的设计，例如靶阵列的设计，以分别允许减少数量的靶或沉积源。波纹可保持在预定规格内。改善沉积层的波纹均匀性的其他方面可以是磁控管在溅射源中的移动。对于可旋转溅射源，该移动可以是移动某个角度。对于平面溅射源，移动可以是平移。例如，移动可以是扫掠和/或摇摆移动，其中磁控管来回移动。例如，根据一些实施方式，移动可以达在+-40°的范围内的角度。
图4示出图示根据本公开内容的方法的示例性示例的流程图，以利用根据本公开内容的设备或系统。一种在GEN 2代或更高世代(例如GEN 5或更高世代)的矩形大面积基板上沉积层堆叠结构(stack)的方法，包括用具有第一真空腔室的第一沉积设备沉积具有第一厚度的第一层，其中所述基板是静止的(见框402)。可以将基板从第一沉积设备(例如，第一真空腔室)移动到第二位置设备(例如，第二真空腔室)(见框404)。在第二真空腔室中，将第二层沉积在第一层上方，所述第二层的第二厚度是所述第一厚度的至少十倍大。与第一真空腔室中的第一数量的沉积源相比，第二真空腔室中的第二数量的沉积源少了至少30％(参见框406)。
根据其他实施方式，可以提供一种制造薄层，例如厚度(例如平均厚度) 为200nm或更小的层的方法。例如，薄层可为粘附促进层、籽晶层或辅助后续层生成的另一层。所述方法可包括使用根据本文所述的实施方式的沉积设备。例如，沉积设备可包括：真空腔室，所述真空腔室定大小为适于容纳 GEN 2代或更高世代(例如GEN 5或更高世代)的矩形大面积基板；和沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源具有在第一方向上的靶节距，所述沉积源阵列被构造为在静态沉积工艺中在真空腔室中的处理区域中沉积材料，其中在所述第一方向上沉积源节距与沉积源尺寸的比率为2.9或更大。根据可以附加地或替代地提供的又一个示例，沉积设备可以包括真空腔室，该真空腔室定大小以容纳矩形大面积基板；和沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源在第一方向上具有靶节距，其中沿着第一方向的基板尺寸与沉积源数量的比率为280mm或更大。根据可以附加地或替代地提供的又一个示例，沉积设备可以包括真空腔室，该真空腔室定大小以容纳矩形大面积基板；和沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源在第一方向上具有靶节距，其中沉积区域与第二沉积源之间的第一距离与第一方向上的沉积源尺寸的比率为1.7或更大，第二沉积源与沉积源阵列的中心相邻。
根据可以与本文所述的其他实施方式结合的又一个实施方式，考虑到基板高度方向上的靶超越TO、靶节距TP、阵列侧处的靶-基板距离TSDs，和阵列中心处的靶-基板距离TSDc，可以提供靶阵列的以下细节特征和方面。比率TO/TSDc可为约1.0至1.3，例如约1.1。附加地或替代地，比率 TO/TSDs可为约1.2至1.8。附加地或替代地，比率TO/TSDs可为约1.2至 1.8。附加地或替代地，比率TP/TSDc可为约1.2或更高并且/或者1.6或更低。
根据可以独立地或或组合地与本公开内容的实施方式组合的各种实施方式，一种方法可分别提供第一层或薄层的为10％或更低的波纹均匀性。沿着作为沉积源阵列的节距方向的第一方向的基板尺寸与沉积源数量的比率为 280mm或更大。
图5示出沉积系统500。沉积系统500包括装载模块502、转移腔室 524、第一沉积设备526和第二沉积设备528。装载模块502可以是摆动模块，所述摆动模块以某个角度移动基板，例如由基板载体支撑的基板。例如，为了装载基板，基板取向可以从水平基板取向改变为竖直基板取向，即如上所述的基本上竖直的基板取向。根据实施方式，为了装载基板，基板可以移动至少70°的角度。基板可以从非竖直取向移动到非水平取向。根据一些实施方式，装载模块可以在大气条件下操作。装载模块还可在基板处理之后卸载基板。
可以从装载模块将基板转移到转移腔室524。例如，转移腔室可以是装载锁定腔室。可以在大气压下将基板装载到装载锁定腔室中，然后将装载锁定腔室抽真空，并且将基板从转移腔室装载锁定腔室转移到后续的真空腔室。根据一些实施方式，可以在转移腔室524与沉积设备(例如沉积设备 526)之间设置另外的转移腔室。
沉积设备526可被构造为在基板上提供层堆叠结构的第一层。基板可以在第一传输轨道514上从转移腔室524移动到沉积设备526。在已经将基板转移到沉积设备526的真空腔室中之后，例如在沉积源252的阵列250将第一层沉积在基板上的同时，基板在沉积设备526中是静止的或基本上静止的。如上所述，第一层可为薄层。第一层的厚度可为200nm或更低。为了沉积薄层，可以提供减少数量的沉积源252。根据本公开内容的实施方式，阵列250沉积源252的的几何形状和/或在沉积期间阵列距基板的距离适于允许用减少数量的沉积源进行沉积。
在将第一层沉积在基板上之后，可以将基板移动到第二沉积设备528。基板可以在第一传输轨道514上移动。在第二沉积设备528中，沉积源152 的阵列150将厚层沉积在第一层上方。与第一沉积设备526中的沉积源252 的数量相比，第二沉积设备中的沉积源152的数量更高。在沉积第二层之后，可以将基板移动到第二传输轨道512。第二传输轨道512可用于将基板 (例如，由基板载体支撑的基板)从第二沉积设备528通过第一沉积设备526 移动到转移腔室524中。
根据本公开内容的实施方式，提供一种沉积系统。所述沉积系统包括第一沉积设备，所述第一沉积设备被构造用于沉积层堆叠结构的第一层，所述第一沉积设备具有第一真空腔室，所述第一真空腔室定大小以容纳GEN 6 代或更高世代的矩形大面积基板，第一数量的沉积源设置在所述第一真空腔室中；和第二沉积设备，所述第二沉积设备被构造为在层堆叠结构的第一层上方沉积第二层，所述第二沉积设备具有第二真空腔室，所述第二真空腔室定大小以容纳基板，第二数量的沉积源设置在所述第二真空腔室中，其中所述第二数量的沉积源比所述第一数量的沉积源少至少30％。
根据可以与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，第一沉积设备被构造为沉积第一材料，并且第二沉积设备被构造为沉积与第一材料不同的第二材料。根据本文所述的实施方式，可以提供沉积系统，特别是真空沉积系统中的一个或多个沉积设备。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式，但是可以在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计出本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由所附的权利要求来确定。

Claims (16)

1.一种沉积设备，其特征在于：
真空腔室，所述真空腔室定大小以容纳GEN 2代或更高世代的矩形大面积基板；和
沉积源阵列，所述沉积源阵列具有至少第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源，所述第一沉积源、第二沉积源和第三沉积源具有在第一方向上的靶节距，所述沉积源阵列被构造为在静态沉积工艺中在所述真空腔室中的沉积区域中沉积材料，其中在所述第一方向上沉积源节距与沉积源尺寸的比率为1.8或更大。
2.根据权利要求1所述的沉积设备，其中沿着所述第一方向的基板尺寸与沉积源数量的比率为280mm或更大。
3.根据权利要求1所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第二沉积源之间的第一距离与所述沉积源尺寸的比率为1.7或更大，所述第二沉积源与所述沉积源阵列的中心相邻。
4.根据权利要求2所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第二沉积源之间的第一距离与所述沉积源尺寸的比率为1.7或更大，所述第二沉积源与所述沉积源阵列的中心相邻。
5.根据权利要求1所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第一沉积源之间的第二距离与所述沉积源尺寸的比率为1.3或更大，所述第一沉积源位于所述沉积源阵列的一侧处。
6.根据权利要求2所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第一沉积源之间的第二距离与所述沉积源尺寸的比率为1.3或更大，所述第一沉积源位于所述沉积源阵列的一侧处。
7.根据权利要求3所述的沉积设备，其中在所述第一方向上的所述沉积区域与所述第一沉积源之间的第二距离与所述沉积源尺寸的比率为1.3或更大，所述第一沉积源位于所述沉积源阵列的一侧处。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的沉积设备，其中所述第一沉积源在垂直于所述第一方向的长度方向上延伸，并且其中所述第一沉积源在所述长度方向上比所述沉积源的在高度方向上的所述基板长了至少700mm，或者其中所述沉积源在所述长度方向上延伸的尺寸超过在高度方向上的所述基板的比率为0.1或更高。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的沉积设备，其中所述设备被构造用于具有在所述沉积源阵列在所述基板上沉积所述材料的同时在所述沉积设备中静止的所述基板。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的沉积设备，其中所述第二沉积源是可旋转溅射源。
11.一种沉积系统，其特征在于：
第一沉积设备，所述第一沉积设备被构造用于沉积层堆叠结构的第一层，所述第一沉积设备具有第一真空腔室，所述第一真空腔室定大小以容纳GEN 2代或更高世代的矩形大面积基板，第一数量的沉积源设置在所述第一真空腔室中；和
第二沉积设备，所述第二沉积设备被构造为在所述层堆叠结构的所述第一层上方沉积第二层，所述第二沉积设备具有第二真空腔室，所述第二真空腔室定大小以容纳所述基板，第二数量的沉积源设置在所述第二真空腔室中，其中所述第二数量的沉积源比所述第一数量的沉积源少至少30％。
12.根据权利要求11所述的沉积系统，其中所述第一沉积设备被构造为沉积第一材料，并且所述第二沉积设备被构造为沉积与所述第一材料不同的第二材料。
13.根据权利要求11所述的沉积系统，其中所述第一沉积设备是根据权利要求1至7中任一项所述的沉积设备。
14.根据权利要求12所述的沉积系统，其中所述第一沉积设备是根据权利要求1至7中任一项所述的沉积设备。
15.根据权利要求11至12中任一项所述的沉积系统，其中所述第一沉积设备被构造用于具有在所述第一数量的沉积源在所述基板上沉积材料的同时在所述第一沉积设备中静止的所述基板。
16.根据权利要求13所述的沉积系统，其中所述第一沉积设备被构造用于具有在所述第一数量的沉积源在所述基板上沉积材料的同时在所述第一沉积设备中静止的所述基板。
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