KR102495121B1 - 기판을 프로세싱하는 진공 프로세싱 장치 및 방법 - Google Patents

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마르쿠스 하니카
조셉 씨. 올슨
피터 에프. 쿠런치
동-길 임
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치가 설명된다. 진공 프로세싱 장치는, 진공 챔버; 진공 챔버에 인접해 있고 진공 챔버에 동작가능하게 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 기판이 처리될 때, 상이한 배향들을 갖고, 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함함 ―; 및 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 및 프로세싱 스테이션의 전방으로 축을 중심으로 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지 바디를 이동시키도록 구성된 액추에이터를 포함한다.

Description

기판을 프로세싱하는 진공 프로세싱 장치 및 방법
[0001] 실시예들은 진공 프로세싱을 위한 기판 지지부에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 특히, 기판을 프로세싱하기 위한, 지지 바디, 및 지지 바디에 부착된 건식 접착제를 갖는 지지부; 진공 챔버, 진공 챔버 내의 기판 지지부, 및 프로세싱 스테이션을 포함하는 진공 프로세싱 장치; 및 기판 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 추가로, 로드 챔버(load chamber), 진공 이송 챔버, 및 진공 프로세싱 장치를 포함하는 기판 프로세싱 시스템에 관한 것이다.
[0002] 기판 상의 층 증착을 위한 다양한 기법들, 예컨대, 열 증발, CVD(chemical vapor deposition), 및 PVD(physical vapor deposition), 이를테면 스퍼터 증착이 알려져 있다. 스퍼터 증착 프로세스는 기판 상에 재료 층, 예컨대 절연성 재료의 층을 증착하기 위해 사용될 수 있다. 이는 타겟(target)으로부터의 재료를 기판 상으로 추출(eject)하는 것을 수반한다. 기판 상에 증착될 타겟 재료는, 타겟의 표면으로부터 타겟 재료의 원자들을 축출하기 위해, 플라즈마 구역에서 생성된 이온들에 의해 충격을 받는다. 축출된 원자들은 기판 상에 재료 층을 형성할 수 있다. 반응성 스퍼터 증착 프로세스에서, 축출된 원자들은, 기판 상에 타겟 재료의 옥사이드, 나이트라이드, 또는 옥시나이트라이드를 형성하기 위해, 플라즈마 구역에서 가스, 예컨대 질소 또는 산소와 반응할 수 있다.
[0003] 코팅된 재료는 여러 애플리케이션들에서 그리고 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예컨대, 코팅된 재료는, 이를테면 반도체 디바이스들을 생성하기 위해, 마이크로일렉트로닉스(microelectronics) 분야에서 사용될 수 있다. 또한, 디스플레이들을 위한 기판들이 물리 기상 증착 프로세스를 사용하여 코팅될 수 있다. 추가적인 애플리케이션들은 절연 패널들, OLED(organic light emitting diode) 패널들, TFT(thin film transistor)들을 갖는 기판들, 컬러 필터들 등을 포함한다.
[0004] 더 복잡하고 더 얇은 코팅들을 갖는 더 큰 기판들을 향하는 추세는 더 큰 프로세스 모듈들을 초래한다. 직렬로 연결된 수직 프로세스 모듈들은 풋프린트(footprint), 리던던시(redundancy), 및 비용 문제들로 인해 몇몇 단점들을 갖는다. 수직 프로세스 포지션에서, 유리는, 유리 에지 및/또는 후면 상의 코팅을 방지하고, 유리 처리 영역으로부터 프로세스 룸을 밀봉하기 위해, 마스크와 정렬된다. 클램프들은 프로세스 동안 기판의 에지들 상에서 기판을 홀딩(hold)한다. 이는, 유리 마스크 정렬들(섀도잉 효과(shadowing effect)) 및 클램프들 상의 측면 증착으로 인해, 입자들 및 균일성에 대한 문제들을 초래한다.
[0005] 전술된 바를 고려할 때, 본 기술 분야에서의 문제들의 적어도 일부 양상들을 개선하는, 기판을 홀딩하기 위한 홀딩 어레인지먼트(holding arrangement)들, 기판을 홀딩 및 프로세싱하기 위한 프로세스 시스템들 및 방법들을 제공할 필요가 있다.
[0006] 상기된 바를 고려할 때, 독립 청구항들에 따른, 기판 프로세싱을 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치, 기판을 프로세싱하기 위한 방법, 및 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 본 개시내용의 추가적인 양상들, 이점들, 및 특징들은 상세한 설명 및 첨부 도면들로부터 명백하다.
[0007] 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 진공 프로세싱 장치는, 진공 챔버; 진공 챔버에 인접해 있고 진공 챔버에 동작가능하게 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 기판이 처리될 때, 상이한 배향(orientation)들을 갖고, 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함함 ―; 및 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 및 프로세싱 스테이션의 전방으로 축을 중심으로 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지 바디를 이동시키도록 구성된 액추에이터를 포함한다.
[0008] 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 진공 프로세싱 장치는, 진공 이송 챔버; 진공 이송 챔버에 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함함 ―; 및 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 및 진공 이송 챔버에서의 수평 배향으로부터 적어도 하나의 프로세싱 스테이션에서의 수직 배향으로 일정 각도만큼 지지 바디를 이동시키기 위한 액추에이터를 포함한다.
[0009] 기판을 프로세싱하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 진공 챔버에서 지지부 상에 기판을 제공하는 단계; 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지부에 의해 기판을 이동시키는 단계; 선형 소스로 기판의 표면을 처리하는 단계; 및 선형 소스에 평행하게 기판을 이동시키는 단계를 포함한다.
[0010] 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 실시예들과 관련되고 아래의 도면들에서 설명된다.
도 1은, 기판을 홀딩하고, 예컨대 기판을 일정 각도만큼 이동시킴으로써, 프로세싱 영역 내로 기판을 이동시키는 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 2는 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 3은 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 4는 예시적인 기판 지지부의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 5는 추가적인 예시적인 기판 지지부의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 6은 추가적인 예시적인 기판 지지부의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 7은 실시예들에 따른, 진공 프로세싱 챔버에서 증착 소스의 전방에 있는 예시적인 기판 지지부 상의 기판의 측면도를 도시한다.
도 8은 실시예들에 따른 예시적인 기판 지지부 상의 기판의 측면도를 도시한다.
도 9는 실시예들에 따른, 진공 챔버 및 인접 진공 프로세싱 챔버의 개략적인 측면도를 도시한다.
도 10은 육각형 형상 이송 챔버를 포함하는 예시적인 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 11은 실시예들에 따른, 육각형 형상 이송 챔버를 포함하는 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 12는 실시예들에 따른, 육각형 형상 이송 챔버를 포함하는 추가적인 기판 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 13은 실시예들에 따른, 선형 소스를 포함하는 진공 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 14는 실시예들에 따른, 회전가능 원통형 타겟을 포함하는 진공 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
도 15는 실시예들에 따른, 기판을 프로세싱하는 방법의 개략적인 흐름도를 도시한다.
[0011] 이제, 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이고, 그 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에 예시된다. 도면들의 아래의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 또는 유사한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 설명으로서 제공되고, 제한으로 의도되지 않는다. 게다가, 일 실시예의 부분으로서 예시 또는 설명되는 특징들은 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 본 설명이 그러한 변형들 및 변화들을 포함하는 것으로 의도된다. 달리 특정되지 않는 한, 일 실시예에서의 부분 또는 양상의 설명은 다른 실시예에서의 대응하는 부분 또는 양상에 마찬가지로 적용된다.
[0012] 도 1은 축(160)을 중심으로 일정 각도만큼 이동되는 예시적인 기판 지지부(100)의 개략적인 측면도를 도시한다. 지지 바디(110)는 기판을 지지하기 위한 제1 표면(125)을 갖는다. 기판은 하나 이상의 클램프들에 의해 고정될 수 있고, 그리고/또는 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 표면(125) 상에 건식 접착제(120)가 제공될 수 있다. 기판(101)의 후면 표면(115)은, 예컨대 클램프들 또는 건식 접착제(120)에 의해, 제1 표면에 부착 또는 커플링된다. 기판(101)의 전면 표면(113)은 프로세싱될 표면, 특히, 재료 층이 상부에 증착될 표면이다. 지지 바디(110)의 이동은 지지 바디(110)에 배열된 조인트(140)를 중심으로 하는 회전에 의해 설명될 수 있으며, 여기서, 조인트(140)는 회전 축(160)을 형성한다. 지지 바디(110)의 이동은 또한, 폴딩 업(folding up) 또는 플랩 업(flap up) 이동으로서 이해될 수 있다. 파선 윤곽들(111)은 지지 바디가 일정 각도만큼 회전하여(around) 이동된 것을 도시한다. 본원에서 설명되는 모든 실시예들에서, 건식 접착제 대신에, 프로세스 동안 기판의 에지들 상에서 기판을 홀딩하기 위해 클램프들이 대안적으로 선택될 수 있다.
[0013] 파선 윤곽들(111)에 의해 도시된 바와 같이, 기판(101)은, 예컨대 축(160)을 중심으로 하는 회전에 의해, 각도(165)만큼 프로세싱 영역(170) 내로 이동된다. 프로세싱 영역 내로의 일정 각도만큼의 기판의 이동은 실질적인 각 변위로서 설명될 수 있다. 실시예들에서, 일정 각도만큼의 기판의 이동은 또한, 병진 운동의 부분을 가질 수 있으며, 여기서, 회전 축이, 특히 프로세싱 영역을 향해 변위된다. 도 1을 참조하면, 지지 바디(110)는 프로세싱 영역(170)을 향해 회전 축(160)을 중심으로 각도(165)만큼 그리고 수평 방향(180)과 정렬된 병진 이동에 의해 이동될 수 있다. 일정 각도만큼 기판을 이동시키도록 구성된 지지 바디는, 지지 바디에 부착되어 있는 기판 표면의 배향을 변화시키기 위해, 적어도 축을 중심으로, 예컨대 조인트를 중심으로 회전 또는 스윙(swing)하도록 구성된 회전가능 탑재 지지 바디로서 이해될 수 있다. 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 지지 바디(110)의 이동 또는 시프팅(shifting)이 소스에 대하여, 즉 기판의 처리 동안 추가로 제공된다. 예컨대, 도 1에서, 이동 또는 시프팅은 도 1의 화면(picture plane)에 수직으로 제공될 수 있다.
[0014] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 지지 바디는 기판을 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 이동시키도록 구성된다. 비-수직 포지션은, 특히 기판 배향을 지칭할 때, 수평 방향 또는 배향으로부터의 +/-20° 이하, 예컨대 +/-10° 미만의 편차를 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 마찬가지로, 비-수평 포지션은 수직 방향 또는 배향으로부터의 +/-20° 이하, 예컨대 +/-10° 미만의 편차를 허용하는 것으로 이해될 수 있다. 기판 지지부의 수직 포지션으로부터의 편차는, 예컨대 기판 프로세싱 동안, 특히 층 증착 프로세스 동안, 더 안정적인 기판 포지션을 발생시킬 수 있다. 게다가, 특히 프로세싱 영역 내로 기판을 이동시키기 전에, 기판의 운송 및/또는 정렬을 용이하게 하기 위해, 기판의 수평 포지션의 편차를 갖는 것이 유익할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 포지션들은 또한, 기판 배향들로 지칭될 수 있다.
[0015] 본 개시내용에서, 기판 프로세싱을 위한 기판 지지부가 제공된다. 기판 지지부는 지지 바디, 기판을 위한 홀딩 어레인지먼트를 포함하며, 지지 바디는 프로세싱 영역 내로 일정 각도만큼 기판을 이동시키도록 구성된다. 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 기판이 처리될 때, 상이한 배향들을 가지며, 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나는, 기판을 처리하기 위한, 길이방향 축을 갖는 선형 소스를 포함한다.
[0016] 실시예들에 따르면, 기판 지지부는 본원에서 설명되는 바와 같은 기판, 특히 대면적 기판을 홀딩하도록 구성된 지지부로서 이해되어야 한다. 전형적으로, 기판 지지부, 캐리어, 및 지지부라는 용어들은 동의어로 사용된다. 본원에서 설명되는 바와 같은 기판 지지부에 의해 홀딩 또는 지지되는 기판은 전면 표면 및 후면 표면을 포함하며, 여기서, 전면 표면은 프로세싱되는 기판의 표면이고, 예컨대, 전면 표면은 재료 층이 상부에 증착될 표면이다. 전형적으로, 기판 지지부는, 특히 기판 지지부의 건식 접착제 또는 하나 이상의 클램프들에 의해, 기판의 후면 표면이 캐리어에 부착될 수 있도록 구성된다. 상이한 실시예들에 따르면, 지지 바디는 플레이트를 포함할 수 있거나, 또는 프레임-형상 구조를 포함할 수 있다. 프레임-형상의 구조는 기판, 예컨대 직사각형 기판을 기판의 둘레에서 지지하도록 구성된다.
[0017] 본원에서 사용되는 바와 같은 기판이라는 용어는 비가요성 기판, 예컨대, 유리 플레이트, 금속 플레이트, 웨이퍼, 투명 결정의 슬라이스(slice)들, 유리 기판, 또는 세라믹 플레이트일 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않고, 기판이라는 용어는 또한, 가요성 기판들, 이를테면 웹 또는 포일, 예컨대 금속 포일 또는 플라스틱 포일을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판은 재료 증착에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판은, 유리, 이를테면 소다-석회 유리 또는 보로실리케이트 유리, 금속, 폴리머, 세라믹, 화합물 재료들, 탄소 섬유 재료, 운모(mica), 또는 증착 프로세스에 의해 코팅될 수 있는 임의의 다른 재료 또는 재료들의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 기판의 주 표면에 수직인 방향의 기판의 두께는, 0.7 mm, 0.5 mm, 또는 0.3 mm와 같이, 0.1 mm 내지 1.8 mm의 범위 내에 있을 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판의 두께는 50 μm 이상일 수 있다. 기판의 두께는 또한, 900 μm 이하일 수 있다.
[0018] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 기판은 대면적 기판일 수 있다. 대면적 기판은 0.5 m2 이상의 표면적을 가질 수 있다. 전형적으로, 대면적 기판은 디스플레이 제조를 위해 사용될 수 있고, 유리 또는 플라스틱 기판일 수 있다. 예컨대, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판들은 LCD(Liquid Crystal Display), OLED(organic light-emitting diode) 등을 위해 사용되는 기판들을 포함할 것이다. 예컨대, 대면적 기판은 1 m2 이상의 면적을 갖는 주 표면을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 대면적 기판은 0.37 m x 0.47 m에 대응하는 GEN 2, 약 0.67 m2 기판들(0.73 m x 0.92 m)에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2 기판들(1.1 m x 1.3 m)에 대응하는 GEN 5, 또는 그 초과일 수 있다. 대면적 기판은 추가로, 약 4.29 m2 기판들(1.95 m x 2.2 m)에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2 기판들(2.2 m x 2.5 m)에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2 기판들(2.85 m x 3.05 m)에 대응하는 GEN 10일 수 있다. 한층 더 큰 세대들, 이를테면 GEN 11 및 GEN 12 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다.
[0019] 실시예들에 따르면, 지지 바디는 기판을 홀딩하도록 구성된 어레인지먼트로서 이해될 수 있다. 예컨대, 지지 바디는 견고한 바디, 이를테면 프레임 또는 플레이트일 수 있다. 특히, 지지 바디는 기판의 표면, 이를테면 기판의 후면 표면을 지지하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 지지부는, 예컨대 프레임-형상 구조에 의해, 기판의 둘레 또는 에지 구역을 지지할 수 있다.
[0020] 본 개시내용에서, 홀딩 어레인지먼트는 선택적으로, 본원에서 설명되는 기판을 부착하기 위한 접착력을 제공하도록 구성된 건식 접착제를 포함할 수 있다. 특히, 건식 접착제는, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판이 건식 접착제를 통해 지지 바디에 의해 홀딩될 수 있도록, 지지 바디 상에 제공될 수 있거나, 또는 지지 바디에 부착될 수 있다. 더 구체적으로, 건식 접착제는 본원에서 설명되는 바와 같은 건식 접착 재료를 포함할 수 있다. 건식 접착 재료는 반 데르 발스 힘(van der Waals force)에 의해 접착력을 제공하도록 구성될 수 있다. 건식 접착제는 기판 표면과 기판 지지부 사이, 특히, 기판 표면과 기판 지지 표면 사이의 연결을 형성하도록 구성된다. 기판과 건식 접착제 사이의 연결부는 방활 처리(slip-resistant) 또는 미끄럼 방지(nonskid) 등이 되어 있을 수 있다. 유리하게, 기판과 건식 접착제 사이의 연결은, 예컨대 기판 프로세싱 후에, 특히 증착 프로세스 후에, 잔류물 없이 연결해제될 수 있다.
[0021] 본 개시내용에서, 홀딩 어레인지먼트에는 하나 이상의 클램프들, 특히 복수의 클램프들, 예컨대 4개 이상의 클램프들이 제공될 수 있다. 대면적 기판의 경우, 기판의 각각의 측에 2개 이상의 클램프들이 제공될 수 있다. 클램프는 슬릿으로서 제공될 수 있으며, 여기서, 기판은 기판의 약간의 이동을 갖는 것이 허용될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 클램프는, 지지 바디에 대하여 기판을 고정시키기 위해, 스프링 클램프 엘리먼트 또는 레버 클램프 엘리먼트로서 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 부분의 포지션을 고정시키는 클램프들과 기판 부분의 포지션의 이동을 가능하게 하는 클램프들의 조합이 제공될 수 있다. 예컨대, 그러한 조합에 의해, 정의된 기판 포지션과 조합된 열 팽창이 제공될 수 있다.
[0022] 도 2를 예시적으로 참조하고, 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제(120)는 기판(101)의 후면 표면(115)에 부착되어, 기판(101)을 홀딩하기 위한 접착력을 제공할 수 있다. 전형적으로, 기판의 후면 표면(115)은 프로세싱되지 않을 것이다. 건식 접착제(120)는 기판(101)의 후면 표면(115)을 하나의 단부와 부착하기 위한 필라멘트(filament)들(121), 특히 복수의 필라멘트들(121)을 포함할 수 있다. 필라멘트라는 용어는 접착 구조라는 용어와 동의어로 사용될 수 있다.
[0023] 특히, 복수의 필라멘트들(121) 중 각각의 필라멘트는 지지 바디(110)의 제1 표면(125)으로부터 멀어지는 방향으로, 예컨대, 지지 바디(110)의 제1 표면(125)에 수직으로 연장될 수 있다. 따라서, 복수의 필라멘트들(121) 중 각각의 필라멘트는, 예컨대, 본원에서 설명되는 바와 같은 기판(101)의 부착을 위한 제2 단부를 가질 수 있다. 특히, 복수의 필라멘트들(121) 중 각각의 필라멘트의 제2 단부는 기판(101)에 부착가능하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 각각의 필라멘트의 제2 단부는, 본원에서 설명되는 바와 같이, 반 데르 발스 힘들에 의해 기판(101)에 접착되도록 구성될 수 있다.
[0024] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 필라멘트들은 나노튜브들 또는 탄소 나노튜브들을 포함할 수 있거나, 또는 나노튜브들 또는 탄소 나노튜브들일 수 있다. 복수의 필라멘트들 각각은 실질적인 종형 부재(longitudinal member)일 수 있다. 구체적으로, 복수의 필라멘트들 각각은 나머지 2개의 치수들보다 더 긴 하나의 치수를 가질 수 있다. 특히, 필라멘트들의 가장 긴 치수는 필라멘트의 길이일 수 있다. 즉, 필라멘트들은 길이 방향을 따라 신장(elongate)될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 복수의 필라멘트들은 폴리머 재료, 특히 합성 폴리머 재료로 제조될 수 있거나, 또는 이를 포함할 수 있다.
[0025] 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 합성 강모(synthetic setae) 재료일 수 있다. 건식 접착제, 구체적으로는 합성 강모 재료의 접착 능력들은 게코(gecko) 발의 접착 특성들과 관련될 수 있다. 게코 발들의 접착 능력은 게코의 발들 상의 다수의 헤어-타입(hair-type) 연장부들(강모로 지칭됨)에 의해 제공된다. 본원에서, 합성 강모 재료라는 용어는, 게코 발의 자연 접착 능력을 모방하고 게코 발과 유사한 접착 능력들을 포함하는 합성 재료로서 이해될 수 있다는 것을 유의한다. 더욱이, 합성 강모 재료라는 용어는 합성 게코 강모 재료라는 용어 또는 게코 테이프 재료라는 용어와 동의어로 사용될 수 있다. 예컨대, 게코 접착 재료를 갖는 지지 바디는 G-척으로 또한 지칭될 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 이에 제한되지 않으며, 기판을 홀딩하는 데 적합한 다른 건식 접착 재료들이 사용될 수 있다.
[0026] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착 재료, 예컨대 합성 강모 재료는 무기물일 수 있다. 본원에서 설명되는 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 실질적으로 100% 무기물일 수 있다.
[0027] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 게코 접착제일 수 있다. 예컨대, 게코 접착제는 게코 테이프 또는 게코 엘리먼트일 수 있다.
[0028] 본 개시내용에서, 게코 접착제는, 예컨대 수직 표면들과 같은 표면들에 접착되기 위해 게코 발들의 능력을 모방하는 접착제로서 이해될 수 있다. 특히, 본원에서 설명되는 바와 같은 건식 접착제는, 건식 접착제와 기판의 표면 사이의 반 데르 발스 힘들로 인해, 기판에 접착되도록 구성될 수 있다. 실시예들에 따르면, 접착제에 의해 제공되는 접착력은 본원에서 설명되는 바와 같은 기판을 홀딩하기 위해 제공될 수 있다. 특히, 건식 접착제는 약 3 N/cm2 또는 약 4 N/cm2 또는 약 5 N/cm2 또는 그 초과의 접착력을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0029] 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 적어도 하나의 건식 접착 엘리먼트, 특히 복수의 건식 접착 엘리먼트들을 포함한다. 실시예들에 따른 개략적인 단면도를 도시하는 도 3을 예시적으로 참조하면, 건식 접착제(120)는 기판 지지부(100)의 표면(125) 상에 배열된 건식 접착 엘리먼트들(420)을 포함할 수 있다. 건식 접착 엘리먼트들(420)은, 후면 표면(115)에 부착될 때, 기판을 홀딩하기 위한 부착 영역(440)을 형성한다. 더 많은, 특히 복수의 건식 접착 엘리먼트들(420)을 제공하는 것은 건식 접착 엘리먼트들(420) 사이에 갭들(450)을 형성할 수 있으며, 여기서, 다른 지원 엘리먼트들(미도시)이 지지 바디 상에 배열될 수 있다. 예컨대, 지원 엘리먼트들은, 예컨대 가열 또는 냉각에 의해, 프로세싱 동안 기판을 지원하기 위한 가스 및/또는 액체들을 위한 도관들을 포함할 수 있다. 게다가, 지지 바디(110)로부터 기판(101)을 분리하기 위한 지원 엘리먼트들이 갭들(450) 내에 제공될 수 있으며, 여기서, 지원 엘리먼트들은 분리 프로세스를 가능하게 하거나 또는 용이하게 한다.
[0030] 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착 엘리먼트들은 다양한 패턴들로 지지 바디 상에 배열될 수 있다. 지지 바디(110)의 표면(125) 상에 배열된 건식 접착 엘리먼트들(420)의 패턴의 평면도를 도시하는 도 4를 참조하면, 건식 접착 엘리먼트들(420)은 정사각형 형상을 갖고, 표면 상에 주기적으로 배열된다. 건식 접착 엘리먼트들(420) 사이에 갭들(450)이 형성되며, 여기서, 기판 지지부(100) 상의 에지들 상의 갭들은 접착 엘리먼트들이 없는 에지 구역들(해칭(hatched) 영역들 또는 구역들(475)에 의해 표현됨)을 형성한다. 에지 구역들(475)은 부착 영역들(440) 내의 건식 접착 엘리먼트들(420) 상의 기판의 부착 프로세스를 용이하게 할 수 있거나 또는 가능하게 할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 건식 접착 엘리먼트들(420) 중 적어도 일부는 기판 지지부 상에 회전가능하게 탑재될 수 있다. 예컨대, 회전, 특히 기판 표면에 수직인 축을 갖는 회전은 접착 엘리먼트로부터의 기판의 릴리즈(release)를 용이하게 할 수 있다. 도 5에서, 지지 바디 상에 배열된 건식 접착 엘리먼트들의 패턴의 추가적인 예의 평면도가 도시된다. 접착 엘리먼트들은 스트립-형 부착 영역들(445)을 형성하며, 여기서, 부착 영역들(445)은 서로 평행하게 정렬된다. 게다가, 도 6을 참조하면, 부착 영역들(445)은 링-구조 형상으로 형성될 수 있다. 부착 영역들(445)은 지지 바디의 에지 구역들에 평행하게 배열된다.
[0031] 실시예들에 따르면, 기판이 지지 바디 상에 배열되기 전에, 기판은 지지 바디와 정렬될 수 있다. 정렬은 예컨대 운송 프레임에 의해 수행될 수 있으며, 여기서, 운송 프레임은 수평 포지션에 있는 기판을 기판 지지부 위로 운송한다. 기판을 기판 지지 바디 상에 정렬 또는 센터링(centered) 방식으로 부착하기 위해 핀 어레이가 제공될 수 있다. 기판은 또한, 기판이 기판 지지부 상에 놓이고 클램프들 또는 건식 접착제에 의해 부착되기 전에, 간단한 푸셔(pusher)들에 의해 정렬될 수 있다.
[0032] 정렬 후에, 기판은, 예컨대 수평 배향으로, 지지 바디(110) 상에 부착될 수 있다. 후속하여, 지지 바디는 수직 방향으로 포지셔닝될 수 있다. 배향의 변화 시 중력들로 인해, 기판은 처지게 될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 게코 구조들은 프로세싱 후의 게코 구조들로부터의 기판의 용이한 릴리즈와 처짐 감소의 조합을 가능하게 하기 위해 제공될 수 있다. 이전에 언급된 바와 같이, 설명된 접착제-기반 솔루션은 클램프들을 이용하는 솔루션을 수반할 수 있거나, 또는 클램프들을 이용하는 솔루션으로 완전히 대체될 수 있다. 예컨대, 기판을 비-수평 배향, 예컨대 수직 배향으로 포지셔닝한 후에, 기판의 하부 측에 제공되는 클램프들에 의해 기판이 지지될 수 있다.
[0033] 예컨대, 게코 구조의 단면은 세장형(elongated) 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 세장형 단면은 메이저(major) 및 마이너(minor) 연장부 또는 축을 갖는 타원형 형상으로 이루어질 수 있다. 추가로, 세장형 단면은 메이저 및 마이너 대각선을 갖는 사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 더욱이, 세장형 단면은 메이저 및 마이너 측면 길이를 갖는 직사각형 형상으로 이루어질 수 있다. 이러한 콘텍스트에서, 메이저 및 마이너라는 용어들은 길이의 치수와 관련된다. 예컨대, 메이저는 마이너 길이보다 더 긴 길이와 관련된다. 따라서, 단면의 더 긴 길이를 갖는 배향은 처짐을 방지하기 위해 안정성을 제공한다. 게코 구조로부터의 기판의 릴리즈는 상이한 방향으로의 이동에 의해 제공될 수 있다. 예컨대, 상이한 방향은 단면의 더 짧은 길이의 배향에 평행할 수 있거나 또는 본질적으로 평행할 수 있다.
[0034] 실시예들에 따르면, 기판을 홀딩하기 위한 건식 접착 엘리먼트가 제공될 수 있다. 건식 접착 엘리먼트는 기판을 향하도록 구성된 표면을 포함하며, 건식 접착 엘리먼트의 표면은 복수의 접착 구조들을 포함한다. 복수의 접착 구조들은 표면으로부터 돌출된 제1 접착 구조를 포함하며, 여기서, 제1 접착 구조는 표면에 평행한 이방성 가요성(anisotropic flexibility)을 갖는다. 예컨대, 복수의 접착 구조들은 표면에 평행한 이방성 가요성을 가질 수 있다.
[0035] 기판을 홀딩하기 위한 건식 접착 엘리먼트가 제공될 수 있다. 건식 접착 엘리먼트는 기판을 향하도록 구성된 표면, 및 표면 위에 제공되고 복수의 접착 구조들을 포함하는 건식 접착제를 포함한다. 복수의 접착 구조들은 표면으로부터 돌출된 제1 접착 구조, 및 표면으로부터 돌출된 제2 접착 구조를 포함한다. 제1 접착 구조는, 주어진 방향으로 휘어질 때, 동일한 힘으로 동일한 방향으로 휘어질 때의 제2 접착 구조와 비교하여 상이하게 휘어진다.
[0036] 따라서, 유익하게, 본 개시내용에서, 본원에서 설명되는 바와 같은, 클램프들 또는 건식 접착 엘리먼트를 사용하여 기판을 홀딩하기 위한 방법은, 건식 접착 엘리먼트에 대한 기판의 탑재 방향과 무관하게, 기판의 처짐을 실질적으로 방지한다.
[0037] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 건식 접착제는 기판의 후면 표면의 적어도 75%에 대응하는 총 부착 영역을 갖도록 구성될 수 있다. 총 부착 영역이라는 용어는 모든 부착 영역들의 합으로서 이해될 수 있다. 특히, 건식 접착제는 기판의 후면 표면의 적어도 80%, 더 구체적으로는 기판의 후면 표면의 적어도 90%에 대응하는 총 부착 영역을 갖도록 구성될 수 있다.
[0038] 도 7은 증착 소스(801)의 범위 내의 프로세싱 영역(170)에서 기판(101)을 홀딩하는 기판 지지부(100)의 개략적인 측면도를 도시한다. 증착 소스는 기판(101)의 전면 표면(113)에 재료(807)를 증착하기 위한 회전형 타겟(805)(또는 평면형 타겟)을 포함할 수 있다. 기판(101)은, 클램프들 또는 건식 접착제에 의해, 예컨대 게코 테이프 재료에 의해, 본원에서 설명되는 바와 같이, 비-수평 포지션에서 홀딩된다. 더 추가적인 실시예들에 따르면, 기판은 또한, 정전 척, 즉, 정전 홀딩력들을 제공하는 지지부에 의해 지지될 수 있다.
[0039] 실시예들에 따르면, 기판의 전방에 마스크가 배열되며, 여기서, 마스크는 기판의 에지 영역을 덮는다. 예컨대, 마스크는 에지 배제 마스크 또는 섀도우 마스크 등일 수 있다. 에지 배제 마스크는, 기판의 코팅 및/또는 프로세싱 동안 기판의 하나 이상의 에지 구역들 상에 재료가 증착되지 않도록, 기판의 하나 이상의 에지 구역들을 마스킹하도록 구성된 마스크이다.
[0040] 실시예들에 따르면, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판(101)의 전면 표면(113) 상에 또는 기판(101)의 전면 표면(113)에 마스크(132)가 배열된다. 마스크(132)는 기판(101)의 전방에서, 즉, 기판(101)과 증착 소스(801) 사이에서 기판(101)으로부터 가까운 거리(135) 내에 배열될 수 있다.
[0041] 마스크(132)와 기판의 에지 영역들 사이의 거리(135)는 2 mm 미만, 구체적으로는 1.5 mm 미만, 또는 더 구체적으로는 1 mm 미만일 수 있다. 마스크(132)는 기판(101)의 전면 표면(113)의 에지 영역들(127)을 덮을 수 있다. 다른 예로서, 마스크는, 섀도잉 효과들을 감소시키기 위해, 마스크(132)의 적어도 일부가 전면 표면(113)과 접촉하게 되도록, 전면 표면(113)의 전방에 배열될 수 있다. 직접 접촉이라는 용어는, 마스크(132)가, 특히 에지 영역들(127) 상에서, 기판에 닿거나 또는 기판과 접촉하거나 또는 기판에 접하는 것(여기서, 거리(135)는 실질적으로 제로(zero)일 수 있음)으로 이해될 수 있다.
[0042] 위에서 설명된 바와 같이, 에지 배제부, 에지 배제 마스크, 또는 마스크는 기판(예컨대, 유리)과 프로세싱 스테이션(예컨대, 증착 소스) 사이에 위치될 수 있다. 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 유리-마스크-거리는 건식 접착 어레인지먼트에 의해 감소될 수 있다. 유리-마스크-거리는 가능한 한 짧게 될 수 있는데, 이는 유리 에지가 직선형(straight)이고, 클램프가 에지 배제, 즉 마스킹을 방해하지 않을 것이기 때문이다.
[0043] 실시예들에 따르면, 지지 바디(110)에 의해 지지된 기판(101)은 프로세싱 영역 내의 마스크(132)를 바로 향해 일정 각도만큼 이동될 수 있다. 마스크(132)는 마스크 어레인지먼트를 용이하게 하기 위해 프로세싱 영역에서 정지 방식으로 고정될 수 있다. 대안적으로, 지지 바디는, 예컨대 회전 후에, 마스크를 향해 병진 이동될 수 있다.
[0044] 실시예들에 따르면, 진공 챔버, 진공 챔버 내의 기판 지지부, 및 프로세싱 스테이션을 포함하는 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 기판 지지부는 지지 바디, 지지 바디에 있는 홀딩 어레인지먼트, 및 프로세싱 스테이션의 전방으로 그리고 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지는 방향으로 축을 중심으로 지지 바디를 이동시키는 액추에이터를 포함한다. 본원에서 사용되는 바와 같이, 진공이라는 용어는, 예컨대 10 mbar 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다. 전형적으로, 본원에서 설명되는 바와 같은 진공 챔버 내의 압력은 10-5 mbar 내지 약 10-8 mbar, 더 전형적으로는 10-5 mbar 내지 10-7 mbar, 그리고 한층 더 전형적으로는 약 10-6 mbar 내지 약 10-7 mbar일 수 있다.
[0045] 프로세싱 스테이션은 적어도 하나의 프로세싱 디바이스를 포함하는 프로세싱 모듈 또는 프로세싱 챔버, 특히, 진공 분위기를 갖는 챔버로서 이해될 수 있다. 프로세싱 디바이스는, 특히, 진공 분위기 내의 프로세싱 디바이스의 프로세싱 영역 내에서, 프로세싱 디바이스 근처에 또는 가까이 놓인 기판에 영향을 미치는 디바이스로서 이해될 수 있다. 프로세싱 디바이스들은 기판의 표면 상에 재료를 증착하기 위한 디바이스들, 이를테면, 화학 기상 증착, 물리 기상 증착과 같은 코팅 프로세스들을 위해 구성된 디바이스들을 포함할 수 있거나, 또는 프로세싱 디바이스들은 기판을 에칭하기 위한 디바이스들을 포함할 수 있다. 증착은 스퍼터링 디바이스들에 의해 제공될 수 있다. 프로세싱 디바이스들은 또한, 열 처리, 냉각, 복사, 이온 처리, 또는 플라즈마 처리 프로세스들을 수행하기 위한 디바이스들로서 이해될 수 있다. 전형적으로, 프로세싱 디바이스와 프로세싱되는 기판의 표면 사이의 거리는 대략 300 mm 이하일 수 있고, 특히, 거리는 240 mm 내지 260 mm일 수 있다.
[0046] 본 개시내용에서, 축을 중심으로 지지 바디를 이동시키기 위한 액추에이터는 프로세싱 스테이션의 전방으로 축을 중심으로 지지 바디를 이동시키도록 구성된 연장가능 실린더, 예컨대, 유압, 공압, 기계, 또는 전기 구동식 실린더로서 이해될 수 있다. 액추에이터는 또한, 랙과 피니언(rack and pinion) 시스템을 갖는 선형 액추에이터로서 이해될 수 있다. 축, 특히 회전 축은 피벗(pivot), 스위블(swivel), 스윙, 또는 회전 조인트로서 구성될 수 있다. 축은, 예컨대 모터 및 기어를 갖는 액추에이터를 포함할 수 있다. 축은 직접적으로 구동될 수 있다. 모터 및/또는 기어가 제공될 수 있다. 액추에이터는 자체-구동식일 수 있거나 또는 회전가능 탑재 로드(rotatable mounted rod)일 수 있다. 액추에이터는 지지 바디 및/또는 축에 고정될 수 있다.
[0047] 도 15를 예시적으로 참조하면, 기판을 프로세싱하기 위한 방법(400)의 실시예들이 제공된다. 방법(400)은, 블록(401)에서, 장치를 제공하는 단계; 블록(402)에서, 진공 챔버에서 지지부 상에 기판을 제공하는 단계; 블록(403)에서, 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지부에 의해 기판을 이동시키고, 프로세싱 챔버로 지지부를 이동시키는 단계; 블록(404)에서, 선형 소스로부터의 빔(beam)에 의해 기판의 표면을 처리하는 단계; 블록(405)에서, 선형 소스를 따라 평행하게 기판을 시프팅하는 단계를 포함한다.
[0048] 도 8을 참조하면, 진공 챔버 내의 기판 지지부(100)의 개략적인 실시예의 예가 도시된다. 지지 바디(110)의 하부 표면(114) 상에 포지셔닝 실린더(150) 및 조인트(140)가 제공된다. 지지 바디(110)는 포지셔닝 실린더(150)가 연장에 의해 지지 바디(110)를 미는 것에 의해 이동된다. 지지 바디(110)는 조인트(140)에 탑재된다. 포지셔닝 실린더(150)가 연장될 때, 지지 바디(110)는 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 이동한다. 지지 바디의 이동은 조인트(140)를 중심으로 하는 플립(flip)-이동, 스윙 이동 등으로서 설명될 수 있고, 회전 축(160)을 형성할 수 있다. 기판(101), 특히, 기판(101)의 전면 표면(113)은 증착 소스(801)에 의해 비-수평 포지션에서 프로세싱될 수 있다. 기판(101)을 프로세싱한 후에, 포지셔닝 실린더(150)는 리트랙트(retract)되며, 여기서, 지지 바디(110)는 증착 소스의 프로세싱 영역으로부터 벗어나 시작 포지션으로 이동된다. 시작 포지션은 비-수직 포지션에 있는 기판의 포지션으로서 이해될 수 있으며, 여기서, 기판은 프로세싱되지 않는다.
[0049] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 지지 바디(110)는 지지 바디(110)의 하부 표면(114)에 제공된 지지 베이스(145)를 포함할 수 있다. 지지 베이스(145)는 플로어(floor), 예컨대, 진공 챔버의 플로어 상에 이동가능하게 또는 변위가능하게 배열될 수 있다. 지지 바디(110)의 지지 베이스(145)에는, 예컨대, 지지 바디(110)로 하여금, 프로세싱 구역으로부터 멀어지게 또는 프로세싱 구역을 향해, 특히, 프로세싱 스테이션으로부터 멀어지게 또는 프로세싱 스테이션을 향해, 측방향으로 이동할 수 있게 하기 위해 플로어 상에서 슬라이딩하는 롤러들 또는 러너(runner)들 등이 제공될 수 있다. 지지 바디의 측방향 이동은, 본원에서 설명되는 바와 같은 일정 각도만큼의 지지 바디의 이동에 부가적으로 수행될 수 있다.
[0050] 본원에서 설명되는 임의의 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 진공 프로세싱 장치는 진공 챔버와 프로세싱 스테이션을 서로 연결함으로써 형성될 수 있다. 진공 챔버와 프로세싱 스테이션의 내부들은 동일한 진공 분위기를 갖는 하나의 결합된 내부로 형성될 수 있다.
[0051] 도 9는 진공 챔버(570) 및 프로세싱 스테이션(555)을 포함하는 예시적인 진공 프로세싱 장치(550)를 도시한다. 진공 챔버(570)에는 스탠드들(525)이 제공될 수 있다. 진공 챔버는 프로세싱 스테이션(555)을 포함할 수 있거나 또는 프로세싱 스테이션(555)에 연결될 수 있다. 프로세싱 스테이션(555)에는 지지 필러(pillar)들(545)이 제공될 수 있다.
[0052] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 10에 예시된 바와 같이, 기판 프로세싱 시스템(600)은 진공 이송 챔버(610)를 포함할 수 있으며, 여기서, 하나 초과, 특히 복수의 진공 프로세싱 장치들(550A, 550B, 550C)이 진공 이송 챔버(610)에 인접하게 배열된다. 기판(101)은, 예컨대 로드 챔버(510)를 통해, 진공 이송 챔버(610)로 이송된다. 진공 이송 챔버(610)는 기판(101)을 제1 진공 챔버(570A)로 이동시킬 수 있다. 기판 프로세싱 시스템은 기판들의 저장 등과 같은 특정 부가적인 기능들을 수행하기 위해 진공 이송 챔버(610) 상에 배열된 지원 챔버를 포함할 수 있다.
[0053] 기판(101)은 제1 진공 챔버(570A)에서 기판 지지부(100)의 건식 접착제 또는 클램프들에 의해 지지 바디(110) 상에 배열 또는 부착될 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같이, 기판 지지부(100)는 프로세싱 스테이션(555A)의 프로세싱 영역에서 마스크(미도시)의 전방으로 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 일정 각도만큼 기판(101)을 이동시킨다. 프로세싱 스테이션(555A)의 프로세싱 영역에서의 기판(101)의 프로세싱 후에, 기판은 프로세싱 영역으로부터 비-수직 포지션으로 진공 챔버(570A) 내로 이동된다. 기판(101)은 진공 챔버(570A)로부터 진공 이송 챔버(610)로 다시 이동된다. 진공 챔버(570A)로부터 기판(101)을 획득한 후에, 진공 이송 챔버(610)는 추가적인 프로세싱 스테이션들(555B, 555C, 555D)을 각각 포함하는 추가적인 진공 프로세싱 장치(550B 또는 550C 또는 550D)로 기판(101)을 이동시킬 수 있다.
[0054] 실시예들에 따르면, 진공 챔버(570A)로부터 추가적인 진공 챔버(570B, 570C, 570D)로의 기판(101)의 이동은 기판(101)의 측방향 이동으로서 이해될 수 있으며, 여기서, 기판(101)은 비-수직 포지션에 있는 상태로 이동된다. 진공 이송 챔버(610)는, 예컨대, 기판(101)을 프로세스 챔버로 이동시키기 전에 기판(101)의 정렬을 가능하게 하기 위해, 기판(101)을 회전시키도록 구성될 수 있다. 기판(101)은, 진공 이송 챔버(610)에 의해, 결정되지 않은 시퀀스로, 진공 이송 챔버(610) 상에 배열된 임의의 다른 진공 챔버(570A, 570B, 570C)로 이동될 수 있다.
[0055] 실시예들에 따르면, 프로세싱 시스템이 제공될 수 있다. 프로세싱 시스템은 로드 모듈, 이송 챔버, 및 진공 프로세싱 장치를 포함한다. 프로세싱 시스템은 하나 초과의 로드 모듈, 이송 챔버, 또는 진공 프로세싱 장치를 포함할 수 있다.
[0056] 로드 모듈은 기판을 받아들일 수 있거나 또는 기판을 수용할 수 있는 모듈로서 이해될 수 있다. 로드 모듈은 기판을 수용하도록 구성된 개구를 하나의 면에 갖는 챔버일 수 있다. 로드 모듈은 기판을 로드 모듈로 운송하도록 구성된 운송 디바이스에 연결될 수 있다. 예컨대, 로드 모듈은 낮은 압력을 갖는 챔버, 특히, 진공 압력을 갖는 챔버로 기판을 이송하기 위한 에어 록(air lock)으로서 이해될 수 있다. 실시예들에 따르면, 로드 모듈은 진공 이송 챔버에 연결된다.
[0057] 진공 이송 챔버는, 다른 기판 프로세싱 모듈들, 챔버들, 또는 디바이스들에 연결된, 진공 압력을 갖는 챔버로서 이해될 수 있다. 진공 이송 챔버는 추가적인 기판 프로세싱을 위해 진공 이송 챔버에 연결된 다른 모듈들 또는 디바이스들로 기판을 이동시키도록 구성될 수 있다.
[0058] 실시예들에 따르면, 하나 초과의 진공 프로세싱 장치가 진공 이송 챔버에, 특히, 진공 이송 챔버의 외측 벽에 배열된다. 진공 이송 챔버는 진공 프로세싱 장치들 사이의 운송 경로 구성을 형성할 수 있다.
[0059] 진공 이송 챔버는 운송 경로 구성으로서 이해될 수 있으며, 여기서, 프로세스 장치들과 같은 여러 개의 기판 프로세싱 모듈들이 운송 경로 구성의 측면 영역들에 배열된다. 각각의 기판 프로세싱 모듈 또는 기판 프로세싱 시스템은, 예컨대 개구 또는 에어-록에 의해, 운송 경로 구성에 연결될 수 있다.
[0060] 실시예들에 따르면, 기판 프로세싱 시스템은 서로 나란히 배열된 하나 초과의 기판 프로세스 장치를 포함할 수 있다. 제1 프로세스 장치에서, 본원에서 설명되는 바와 같이, 액추에이터는 축을 중심으로 프로세싱 스테이션의 프로세싱 영역 내로 기판 지지 바디를 이동시킨다. 추가적인 프로세싱을 위해, 기판은 추가적인 프로세싱 장치들로 이동될 수 있으며, 여기서, 기판은 비-수직 포지션으로 하나의 프로세스 장치로부터 다른 프로세스 장치로 이동된다.
[0061] 실시예들에 따르면, 진공 이송 챔버는 다각형-형상 또는 원형 설계를 가질 수 있다. 다각형-설계는, 예컨대, 삼각형-형상, 정사각형-형상, 오각형-형상, 육각형-형상 설계, 또는 더 많은 코너들을 갖는 다각형을 포함할 수 있다. 진공 프로세스 챔버는 진공 이송 챔버의 다각형-형상 설계들의 하나의 에지 또는 더 많은 에지들 또는 각각의 에지 상에 배열될 수 있다. 하나 초과의 진공 프로세스 챔버가 제공될 때, 진공 이송 챔버는 진공 프로세스 챔버들의 중간에 또는 중앙에 배열될 수 있다. 진공 이송 챔버의 중앙 또는 중간에서의 진공 이송 챔버의 어레인지먼트는 기판 프로세싱 시스템의 클러스터-형 설계를 가능하게 한다. 하나 초과의 진공 프로세스 챔버가 진공 이송 챔버 상에 배열될 수 있으며, 여기서, 각각의 챔버는 진공 이송 챔버의 중심점으로부터 동일한 거리를 갖는다. 다각형-형상 설계 진공 이송 챔버의 하나 이상의 에지들에 기판들을 위한 저장 모듈들 또는 임의의 다른 기판 지원 모듈들을 배열하는 것이 추가로 가능하다.
[0062] 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 2개 이상의 클러스터-형 기판 프로세싱 시스템들을 연결하고, 2개 이상의 기판 프로세싱 시스템들 사이의 기판 운송 및 추가적인 기판 프로세싱을 가능하게 하는 것이 가능하다.
[0063] 실시예들에 따르면, 진공 이송 챔버는 기판 지지부에 부착되어 있는 기판을 진공 프로세싱 장치로 이송하도록 구성된다. 부착되어 있는 기판은, 진공 운송 챔버 내에서 운송되는 동안, 기판 지지부 상에 건식 접착제에 의해 부착된 상태로 유지된 그리고/또는 건식 접착제에 의해 홀딩된 기판으로서 이해될 수 있다. 기판 지지부의 이동은 수평 방향으로의 변위로서 이해될 수 있다. 변위는 롤러들 등을 갖는 가이딩 시스템에 의해 수행될 수 있다. 기판을 지지 바디에 부착된 상태로 유지하는 것은, 기판이 진공 프로세스 챔버에 진입하고 그리고/또는 프로세싱 후에 다시 진공 이송 챔버에 진입할 때, 지지 바디의 건식 접착제 또는 클램프들을 이용한 기판의 추가적인 부착 및 분리 동작들이 방지될 수 있는 이점을 갖는다. 기판을 지지 바디에 부착된 상태로 유지하는 것은 또한, 기판 프로세싱 프로세스를 가속시킬 수 있다.
[0064] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 실시예들에 따르면, 도 11에 대하여 예시적으로 설명되는 바와 같은 기판 프로세싱 시스템(600)이 제공되며, 여기서, 진공 프로세싱 장치들(550A, 550B, 550C) 중 적어도 하나는 선형 소스(130)를 갖는 프로세싱 스테이션, 예컨대 증착 챔버(556)를 포함한다.
[0065] 그러한 선형 소스(130)는 선형 주입 소스, 이를테면 수직 선형 주입 소스, 또는 수직 증착 소스일 수 있다. "선형"이라는 용어는 선형 소스(130)가 입자들 또는 이온들의 방출 영역(예컨대, 실질적으로 또는 적어도 대략적으로 직사각형 영역)을 정의하는 메이저 치수와 마이너 치수를 갖는다는 의미로 이해될 수 있으며, 여기서, 마이너 치수는 메이저 치수보다 더 작다. 예컨대, 마이너 치수는 메이저 치수의 10% 미만, 구체적으로는 5% 미만, 그리고 더 구체적으로는 1% 미만일 수 있다. 메이저 치수는 실질적으로 수직으로 연장될 수 있다. 다시 말하면, 적어도 하나의 선형 소스(130)는 수직 선형 소스일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 적어도 하나의 선형 소스(130)에 의해 제공되는 입자들 또는 이온들의 빔 폭, 예컨대 방출 영역은 1 mm 내지 300 mm의 범위, 구체적으로는 10 mm 내지 100 mm의 범위, 그리고 더 구체적으로는 50 mm 미만일 수 있다. 빔 폭은 적어도 하나의 선형 소스의 선형 연장부에 수직으로 정의될 수 있다.
[0066] 일부 구현들에서, 선형 소스는, 입자들 및/또는 방출 영역을 제공하도록 구성된, 예컨대 메이저 치수의 수직 라인을 따라 배열된 하나 이상의 방출구들 또는 입자 소스들(예컨대, 이온 소스들)을 가질 수 있다. 예로서, 하나의 연속적인 방출구 또는 입자 소스가 제공될 수 있다. 다른 예들에서, 복수의 방출구들 또는 입자 소스들이 라인을 따라 배열될 수 있다. 예컨대, 선형 소스는 라인을 따라 서로 나란히 가깝게 정렬된 다수의 포인트 소스들로 구성될 수 있다.
[0067] 일반적으로, 실시예들에서, 선형 소스(130)는 전처리, 기판의 표면에 대한 세정 프로세스, 기판 내로의 또는 기판 상에 이전에 증착된 층 내로의 이온 주입, 또는 기판 상의 층의 증착을 위해 구성될 수 있다.
[0068] 실시예들에서, 선형 소스(130)는, 예컨대 TiO의 제거를 포함할 수 있는, 기판의 세정 또는 전처리를 위해 구성된다.
[0069] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 도 13에 도시된 바와 같이, 선형 소스(130)는 에너제틱(energetic) 입자들(예컨대, 이온들 또는 전기적 중성 입자들)의 빔(134)을 방출하도록 구성될 수 있다. 선형 소스(130)는 이온들 또는 전기적 중성 원자들을 제공하도록 구성될 수 있다. 이온들은, 예컨대, 질소 이온들, 산소 이온들, 수소 이온들, 인듐 이온들, 및 갈륨 이온들을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 마찬가지로, 전기적 중성 원자들은, 예컨대, 질소 원자들, 산소 원자들, 수소 원자들, 인듐 원자들, 및 갈륨 원자들을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다. 이온들과 같은 입자들은, 입자들이 내부에 주입된 재료의 하나 이상의 재료 특성들을 변화시키기 위해, 기판(10), 기판의 표면(11), 또는 기판(10) 상의 제1 재료 층 내로 주입된다.
[0070] 선형 소스는 이온들을 생성하도록 구성된 이온 소스, 및 이온 소스에 의해 제공되는 이온들을 가속시키도록 구성된 가속기를 포함할 수 있다. 이온 소스는 ICP(inductively coupled plasma)를 제공하도록 구성될 수 있다. 예로서, 이온 소스는 RF(radiofrequency) 전력 공급부와 같은 전력 공급부에 전기적으로 연결된 코일을 포함할 수 있다. 코일에 전류가 인가될 수 있고, 이온 소스 내부의 프로세스 가스의 여기에 의해 플라즈마가 생성될 수 있다. 추가적인 구현들에서, 이온 소스는 플레이트를 사용하여 CCP(charged coupled plasma)를 제공하도록 구성될 수 있다.
[0071] 일부 실시예들에 따르면, 선형 소스(130)는 기판(10) 또는 제1 재료 층 내로의 이온 소스에 의해 생성되는 이온들의 주입을 위해 구성될 수 있다. 다른 실시예들에서, 선형 소스는, 기판 또는 제1 재료 층 내로의 전기적 중성 입자들의 주입을 위해, 예컨대 이온들의 가속 후에, 생성된 이온들을 전기적으로 중성화시키도록 구성된다. 예로서, 선형 소스는 가속된 이온들을 전기적으로 중성화시키기 위한 중성화 디바이스를 더 포함한다. 특히, 재료는 가속될 수 있도록 이온화될 수 있으며, 여기서, PFG(plasma flood gun)가 "이온" 빔을 중성화시키기 위해 이온 소스와 기판 사이에 제공될 수 있다.
[0072] 가속기는, 고체, 이를테면 기판(10) 또는 제1 재료 층 상으로의 이온들 또는 중성화된 입자들의 충돌을 위해, 이온 소스에 의해 제공되는 이온들을 미리 결정된 에너지로 가속시키도록 구성된다. 예로서, 선형 소스, 그리고 특히 가속기는, 기판(10) 또는 제1 재료 층 상으로의 충돌을 위해, 입자들 및/또는 이온들에 적어도 1 keV, 구체적으로는 적어도 10 keV, 그리고 더 구체적으로는 적어도 100 keV의 에너지를 제공하도록 구성될 수 있다. 일부 실시예들에서, 선형 소스, 그리고 특히 가속기는 입자들 및/또는 이온들에 1 내지 1000 keV, 구체적으로는 1 내지 500 keV, 그리고 더 구체적으로는 3 내지 300 keV의 범위의 에너지를 제공하도록 구성될 수 있다.
[0073] 일부 구현들에서, 가속기는 하나 이상의 렌즈들을 포함한다. 하나 이상의 렌즈들은 정전 렌즈들, 자기 렌즈들, 및 전자기 렌즈들로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 하나 이상의 렌즈들은 기판/제1 재료 층을 향해 이온들을 가속시키는 것과 기판/제1 재료 층 상에 이온 빔을 포커싱(focusing)하는 것 중 적어도 하나를 위해 구성될 수 있다. 선택적으로, 이온들은, 기판 또는 제1 재료 층 내로의 전기적 중성 입자들의 주입을 위해, 가속 및 선택적인 포커싱 후에 중성화될 수 있다.
[0074] 일반적으로, 도 13에 개략적으로 도시된 바와 같이, 기판에 평행한 치수에서의 증착 챔버(556)의 폭은 수평 방향으로의 기판(10)의 폭보다 상당히 더 넓을 수 있다. 이는 또한 도 11 및 도 12에 도시된다. 도 11에서, 증착 챔버가 L-형상 진공 프로세싱 장치(550D)를 생성하도록 인접한 추가적인 진공 챔버(570D)에 대하여 포지셔닝된다. 선형 소스 및 넓은 폭을 갖는 증착 챔버가 다른 구성들, 예컨대, 선형 소스들을 갖는 2개 이상의 그러한 증착 챔버들을 갖는 장치에서 또한 이용될 수 있다는 것이 이해된다. 도 13에서와 같은 증착 챔버의 연장된 폭은, 프로세스 동안 기판 표면의 임의의 섹션이 선형 소스의 빔(134)에 의해 영향을 받을 수 있게 하면서, 선형 소스(130)를 따라 기판(10)을 이동시킬 수 있게 한다.
[0075] 도 11의 진공 프로세싱 장치(550D)의 L-형상에 대한 상이한 셋업을 나타내는 실시예가 도 12에 도시되며, 여기서, 증착 챔버(556)는 인접한 추가적인 진공 챔버(570D)와 함께 T-형상을 생성하도록 제공된다. 일반적으로, 기판은 다수의 방식들로 선형 소스를 따라 이동될 수 있다. 예컨대, 스핀들(spindle)은 축(이 축을 중심으로 지지부가 선회(turn)함)에 제공될 수 있다. 그렇게 함으로써, 기판은, 기판이 L-형상 또는 T-형상 섹션의 전체 폭을 통과할 수 있도록, 스핀들을 활성화시킴으로써 이동될 수 있다.
[0076] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판은 선형 소스의 종방향 축에 수직인 방향에 대하여 선형 소스의 동작 동안 이동될 수 있다. 예컨대, 선형 소스가 스위치 온될 수 있고, 기판을 프로세싱하기 위해 기판이 앞뒤로(back and forth) 이동될 수 있다. L-형상 챔버에서, 기판은 선형 소스를 지나서, 즉, 기판의 하나의 단부로부터 기판의 대향 단부로 한 번 또는 여러 번 이동될 수 있다. T-형상 챔버의 경우, 기판은 기판의 대략 중앙으로부터 선형 소스를 지나서 기판의 하나의 단부로 그리고 다시 대략 중앙으로 한 번 또는 여러 번 이동될 수 있다. 그 후, 기판은 기판의 대략 중앙으로부터 선형 소스를 지나서 기판의 대향 단부로 그리고 다시 대략 중앙으로 한 번 또는 여러 번 이동될 수 있다. 완전히 T-형상이 아니고 완전히 L-형상이 아닌, 즉, 하나의 측이 대향 측에 비해 더 긴 돌출부를 갖는 챔버 형상들에 대해 이동들이 유사하게 제공될 수 있다.
[0077] 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같은 실시예들에서, 전형적으로, 이송 챔버에 제공되는 캐리어를 제외하고, 기판(10)을 위한 캐리어가 필요하지 않다. 예컨대 도 7 및 도 8에 대하여 이전에 설명된 바와 같이, 기판은, 증착 챔버(556)에서의 프로세싱 전에, 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션, 전형적으로는 실질적인 수직 포지션으로 이동("플립")된다.
[0078] 도 14에서, 선형 소스(130)는 PLD(pulsed laser deposition) 소스로서 구성된다. PLD(pulsed laser deposition)에서, 증착될 재료의 타겟을 타격(strike)하기 위해, 예컨대 진공 챔버 내부에서, 고-출력(high-powered) 펄스형 레이저 빔이 포커싱된다. 타겟으로부터 재료가 어블레이팅(ablate) 또는 기화되고, 결과적인 플라즈마 플룸(plume)이 기판 상에 박막으로서 증착된다.
[0079] 일부 실시예들에 따른 증착 소스는 PLD(pulsed laser deposition) 소스일 수 있다. PLD 소스의 경우, 일부 실시예들에 따르면, 기판, 또는 기판(10) 상의 제1 재료 층이 타겟 상으로 지향되는 펄스형 레이저 빔을 사용하여 프로세싱된다. 기판은 운송 경로를 따라 프로세싱 구역을 통해 이동된다. 펄스형 레이저 증착 소스는 레이저(131)를 포함한다. 실시예들에서, 레이저는 엑시머(Excimer) 레이저일 수 있다. 레이저 빔은 타겟 상으로 지향된다. 타겟은 정지되어 있을 수 있거나, 또는 선택적으로, 타겟 재료를 포함하는 회전 실린더를 포함할 수 있다. 레이저는 표면 영역을 갖는 정지 타겟 상으로 지향 또는 스캐닝되거나, 또는 레이저는 또한, 정지 타겟의 표면 영역의 적어도 일부를 점진적으로(incrementally) 스캐닝하기 위해 동적으로 그리고 연속적으로 편향될 수 있다.
[0080] 펄스형 플라즈마 증착 소스는 운송 경로 상에 제공되는 기판에 대하여 프로세싱 구역에 제공될 수 있다. 예컨대, 대면적을 갖는 기판이 기판보다 훨씬 더 작은 입자 빔을 갖는 PLD 소스로 처리될 때, 펄스형 플라즈마 증착 소스가 이동되면서, 펄스형 플라즈마 증착 소스에 의해 입자들이 또한 제공될 수 있다.
[0081] 일반적으로, 기판 또는 제1 재료 층이 PLD 소스로부터의 입자들로 조사되는 동안, 기판은 운송 경로를 따라 이동하고 있을 수 있거나 또는 운송 경로 상에서 정지되어 있을 수 있다.
[0082] 일 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치가 제공된다. 진공 프로세싱 장치는, 진공 챔버; 진공 챔버 내의 기판 지지부; 및 진공 챔버에 인접해 있고 진공 챔버에 동작가능하게 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들을 포함하며, 여기서, 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 기판이 처리될 때, 상이한 배향들을 갖는다. 기판 지지부는, 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디; 및 프로세싱 스테이션의 전방으로 축을 중심으로 지지 바디를 이동시키도록 구성된 액추에이터를 포함하며, 여기서, 지지 바디에 의해 홀딩된 기판은, 상기 축을 중심으로 하는 이동에 의해, 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 그리고 그 반대로 이동가능하다. 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나는, 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함한다.
[0083] 특히, 진공 프로세싱 장치는, 기판이 선형 소스의 종방향 축에 수직인 방향에 대하여 선형 소스의 동작 동안 시프팅되도록 구성될 수 있으며, 여기서, 선형 소스로부터의 빔은, 시프트가 전체 표면의 연속적인 처리를 발생시키도록, 스트라이프(stripe) 또는 세장형 사각형(elongated square)의 형상을 갖는 표면의 부분을 조사하도록 구성된다. 더 부가적인 또는 대안적인 변형들에 따르면, 프로세싱 스테이션은, 시프팅 프로세스 동안 전체 기판 표면의 커버리지(coverage)를 가능하게 하기 위해, 기판의 폭의 적어도 2배만큼 큰 적어도 하나의 내측 치수를 갖는다. 더 추가로, 부가적으로 또는 대안적으로, 진공 프로세싱 장치는 로드 모듈을 포함할 수 있다.
[0084] 기판 프로세싱 시스템이 제공될 수 있고, 그리고 선택적으로, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합하여 제공될 수 있으며, 여기서, 하나 초과의 진공 프로세싱 장치가, 선택적으로는 진공 이송 챔버를 프로세싱 장치들의 중심으로 하여, 진공 이송 챔버에 배열된다. 진공 이송 챔버는 다각형 또는 원형 형상을 가질 수 있다.
[0085] 일부 실시예들에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 방법이 제공된다. 방법은 선택적으로, 본원에서 설명되는 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 장치를 제공하는 단계를 포함한다. 방법은, 진공 챔버에서 지지부 상에 기판을 제공하는 단계; 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 지지부에 의해 기판을 이동시키고, 프로세싱 챔버로 지지부를 이동시키는 단계; 선형 소스로부터의 빔에 의해 기판의 표면을 처리하는 단계; 및 선형 소스를 따라 평행하게 기판을 시프팅하는 단계를 포함한다.
[0086] 부가적으로 또는 대안적으로 제공될 수 있는 하나 이상의 변형들에 따르면, 처리하는 단계는, 전처리; 세정; 주입; 및 재료의 층의 증착 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 추가로, 기판은 프로세싱 챔버들 중 적어도 2개에서 처리될 수 있고, 그리고 제1 프로세싱 스테이션에서의 제1 처리로부터 제2 프로세싱 스테이션에서의 제2 처리로 지지부를 통해 이송되며, 특히, 기판은, 프로세스에서, 제1 프로세싱 챔버에서의 비-수평 포지션으로부터, 이송 챔버에서의 비-수직 포지션으로, 제2 프로세싱 챔버에서의 비-수평 포지션으로, 기판의 배향을 변경한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 선형 소스는 회전가능 타겟을 포함할 수 있고, 기판 상의 증착을 위한 재료를 어블레이팅하기 위해, 펄스형 레이저 빔이 그 회전가능 타겟에 걸쳐 래스터라이징(rasterize)된다.
[0087] 본 개시내용은, 기판의 전면 또는 측면 표면들에 영향을 미치는 다른 홀딩 어레인지먼트들을 필요로 하지 않으면서, 후면 표면 상에서 기판을 홀딩하기 위한 기판 지지부를 제공하는 것을 포함하는 여러 이점들을 갖는다. 본원에서 설명되는 기판 지지부는, 측면 증착 또는 다른 홀딩 어레인지먼트들이 유리 에지 주위에 도달함 없이, 비-수평 포지션에서 기판 프로세싱을 가능하게 한다. 본원에서 설명되는 건식 접착 구조들로 인해 처짐이 방지될 수 있다. 본원에서 설명되는 진공 프로세싱 시스템의 실시예들은 비-수직 기판 프로세싱, 및 작은 풋프린트를 갖는 공간-절약 설계를 가능하게 한다.
[0088] 전술한 바가 일부 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가적인 실시예들이 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (16)

  1. 0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치로서,
    진공 챔버;
    상기 진공 챔버에 인접해 있고 상기 진공 챔버에 동작가능하게 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 기판의 표면은, 상이한 프로세싱 스테이션들에서 상기 기판이 처리될 때, 상이한 배향(orientation)들을 갖고, 상기 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 상기 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함하고, 상기 선형 소스는 수직 선형 소스임 ―; 및
    기판 지지부
    를 포함하며,
    상기 기판 지지부는:
    기판 프로세싱 동안에 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디(support body) ― 상기 기판은 0.5 m2 이상의 표면적을 가지고, 상기 기판 지지부는 상기 선형 소스의 종방향 축에 수직이고 상기 선형 소스에 평행한 방향에 대하여 상기 선형 소스의 동작 동안 이동되도록 구성됨 ―;
    상기 지지 바디에 배열되고 회전 축을 형성하는 조인트; 및
    상기 적어도 하나의 프로세싱 스테이션의 전방으로 상기 회전 축을 중심으로 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로 상기 지지 바디를 이동시키도록 구성된 액추에이터 ― 상기 액추에이터는 상기 비-수직 포지션으로부터 상기 비-수평 포지션으로의 각도만큼 상기 기판을 이동시킴으로써 상기 적어도 하나의 프로세싱 스테이션의 프로세싱 영역 내로 상기 기판을 이동시키도록 구성됨 ―
    를 포함하는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 진공 챔버에 제공되는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 선형 소스는, 스트라이프(stripe) 또는 세장형 사각형(elongated square)의 형상을 갖는, 상기 표면의 부분을 조사(irradiate)하도록 구성되며,
    상기 이동은 상기 기판의 전체 표면의 연속적인 처리를 발생시키는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.
  5. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은 상기 기판의 폭의 적어도 2배인 적어도 하나의 내측 치수를 갖는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.
  6. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
    상기 진공 챔버에 커플링된 로드 모듈(load module)을 더 포함하거나, 또는
    상기 진공 챔버는 진공 이송 챔버이고, 상기 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들은 상기 진공 이송 챔버에 배열되는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들은, 상기 진공 이송 챔버를 진공 프로세싱 장치들의 중심으로 하여, 상기 진공 이송 챔버에 배열되는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 진공 이송 챔버는 다각형 형상 또는 원형 형상을 갖는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.
  9. 0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치로서,
    진공 이송 챔버;
    상기 진공 이송 챔버에 커플링된 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들 ― 상기 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 프로세싱 스테이션은, 상기 기판을 처리하기 위한, 종방향 축을 갖는 선형 소스를 포함하고, 상기 선형 소스는 수직 선형 소스임 ―; 및
    기판 지지부
    를 포함하며,
    상기 기판 지지부는,
    기판 프로세싱 동안에 기판을 홀딩하기 위한 지지 바디 ― 상기 기판은 0.5 m2 이상의 표면적을 가지고, 상기 기판 지지부는 상기 선형 소스의 종방향 축에 수직이고 상기 선형 소스에 평행한 방향에 대하여 상기 선형 소스의 동작 동안 이동되도록 구성됨 ―;
    상기 지지 바디에 배열되고 회전 축을 형성하는 조인트; 및
    상기 진공 이송 챔버에서의 수평 배향으로부터 상기 회전 축을 중심으로 상기 적어도 하나의 프로세싱 스테이션에서의 수직 배향으로 일정 각도만큼 상기 지지 바디를 이동시키기 위한 액추에이터 ― 상기 액추에이터는 비-수직 포지션으로부터 비-수평 포지션으로의 각도만큼 상기 기판을 이동시킴으로써 상기 적어도 하나의 프로세싱 스테이션의 프로세싱 영역 내로 상기 기판을 이동시키도록 구성됨 ―
    를 포함하는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 장치.
  10. 0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 방법으로서,
    진공 챔버에서 지지부 상에 0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 제공하는 단계 ― 상기 지지부는:
    축을 중심으로 상기 진공 챔버 내의 비-수직 포지션으로부터 프로세싱 영역 내로의 비-수평 포지션으로 지지 바디를 이동시키도록 구성되는 액추에이터를 포함함 ―;
    상기 축을 중심으로 상기 지지 바디를 이동시킴으로써 상기 비-수직 포지션으로부터 상기 비-수평 포지션으로 지지부에 의해 상기 기판을 이동시키는 단계 ― 상기 기판은 상기 비-수직 포지션으로부터 상기 비-수평 포지션으로의 각도만큼 상기 기판을 이동시킴으로써 상기 프로세싱 영역 내로 이동됨 ―;
    상기 지지부에 의해 지지되는 상기 기판의 표면을 선형 소스로 처리하는 단계; 및
    상기 선형 소스의 동작 동안 상기 선형 소스의 종방향 축에 수직이고 상기 선형 소스에 평행한 방향으로 상기 기판을 이동시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 지지부에 의해 상기 기판을 이동시키는 단계는, 상기 지지부에 배열되고 회전 축을 형성하는 조인트를 중심으로 회전시키는 단계를 포함하는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 지지부에 의해 상기 기판을 이동시키는 단계는, 프로세싱 스테이션을 향해 병진 이동에 의해 상기 기판을 이동시키는 단계를 더 포함하는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  12. 제10 항 또는 제11 항에 있어서,
    상기 처리하는 단계는, 전처리, 세정, 주입, 및 재료의 층의 증착 중 적어도 하나를 포함하는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  13. 제10 항 또는 제11 항에 있어서,
    상기 기판은 적어도 2개의 프로세싱 스테이션들에서 처리되고, 그리고 제1 프로세싱 스테이션에서의 제1 처리로부터 제2 프로세싱 스테이션에서의 제2 처리로 상기 지지부를 통해 이송되는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 기판은, 프로세스에서, 제1 프로세싱 챔버에서의 비-수평 포지션으로부터, 이송 챔버에서의 비-수직 포지션으로, 제2 프로세싱 챔버에서의 비-수평 포지션으로, 기판 배향을 변경하는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  15. 제10 항 또는 제11 항에 있어서,
    상기 기판 상의 증착을 위한 재료를 어블레이팅(ablate)하기 위해, 상기 선형 소스의 회전가능 타겟에 걸쳐 펄스형 레이저 빔을 스캐닝하는 단계를 더 포함하는,
    0.5 m2 이상의 표면적을 가진 기판을 프로세싱하기 위한 방법.
  16. 삭제
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