CN114127331A - 用于处理多个基板的基板处理系统和在直列基板处理系统中处理基板的方法 - Google Patents

用于处理多个基板的基板处理系统和在直列基板处理系统中处理基板的方法 Download PDF

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Abstract

描述了一种用于处理多个基板的基板处理系统。所述系统包括：第一沉积模块，所述第一沉积模块是第一直列模块并且具有第一多个真空沉积源；第二沉积模块，所述第二沉积模块是第二直列模块并且具有第二多个真空沉积源；和玻璃搬运模块，所述玻璃搬运模块在所述第一沉积模块与所述第二沉积模块之间。

Description

用于处理多个基板的基板处理系统和在直列基板处理系统中 处理基板的方法
技术领域
本公开内容的实施方式涉及直列基板处理系统。另外，本公开内容的实施方式涉及一种在竖直取向上蒸镀OLED层堆叠物的系统和方法，特别地涉及在竖直取向上蒸镀单色OLED层堆叠物(诸如白色OLED层堆叠物之类)的系统和方法。本公开内容的实施方式特别地涉及一种用于处理多个基板的基板处理系统(诸如用于在基本上竖直的取向上处理多个大面积基板的基板处理系统之类)、一种在直列基板处理系统中处理基板的方法、一种用于基板处理系统的真空取向模块、一种在基板处理系统中运输大面积基板的方法和一种在大面积基板上制造显示器的层堆叠物的方法。
背景
有机发光二极管(OLED)是特殊类型的发光二极管，其中发射层包括某些有机化合物的薄膜。OLED用于制造用于显示信息的电视机屏幕、计算机显示器、移动电话、其他手持设备等。OLED也可用于一般空间照明。，因为OLED材料直接地发射光，所以OLED显示器的颜色和亮度的范围比传统的LCD显示器大。OLED显示器的能耗显著地低于传统的LCD显示器。
另外，OLED可被制造到柔性基板上这一事实产生进一步应用。OLED显示器可包括例如位于两个电极(例如来自金属材料的电极)之间的有机物材料层。OLED典型地置于两个玻璃面板之间，并且该玻璃面板的边缘被密封以将OLED封装在其中。替代地，OLED可用薄膜技术封装，例如用阻挡膜封装。
制造OLED显示器的工艺包括在高真空中热蒸发有机物材料和将有机物材料沉积在基板上。以掩模的使用来补充该工艺是有益的，以便在沉积期间阻止基板区域被涂覆和/或将有机物层图案化到基板上。在本文中，掩模在沉积有机物层期间被保持成靠近基板，并且基板在沉积期间典型地布置在掩模后面并且相对于掩模对准。
图1描述可根据工业标准水平直列处理系统使用的用于生成有机显示器的示例性系统10。基板(诸如用于显示器工业中的玻璃基板之类)在水平取向上被处理，并且在要处理的部位(site)面朝上的情况下在凸出部中进入系统10。在翻转腔室12中，基板旋转180°，以使要处理的基板表面朝下。基板通过传送模块传送到多个对准腔室16中的一者，其中用于掩蔽一个或多个有机物沉积工艺的掩模设置在基板上方。在加速模块18中，水平地取向的基板被加速以移动通过多个有机物沉积腔室22，其中有机物层从基板下方沉积。在减速模块23之后，掩模在多个分离腔室26中的一者中分离。在掩模返回路径72上传送在对准腔室16中在基板上对准并且在分离腔室26中与基板分离的掩模，典型地在大气条件下。装载锁定腔室可设置在掩模返回路径72的起点和终点处。
在上述有机物模块中经处理而具有有机物层的基板在传送模块32中被传送到金属模块。金属模块包括对准腔室42、加速模块44、金属沉积腔室46、减速模块47和分离腔室49。金属模块中的基板搬运对应于上述有机物模块。在处理基板之后，基板可在第二另一个腔室62中旋转180°，并且用传送模块66传送出系统10。类似于有机物模块，金属模块也包括掩模返回路径72。再者，在基板处理期间支撑基板的载体可在载体返回路径74上返回到系统10的前端，典型地在大气条件下。
系统10的长度50除其他因素之外尤其由有机物沉积腔室的数量和金属沉积腔室的数量确定，其中用于具有在多个金属层下方的多个有机物层的沉积工艺的系统架构结合对用于有机物工艺的掩模和用于金属工艺的不同掩模的重复使用以及对载体的重复使用基本上产生线性布置。此外，系统的宽度90除其他因素之外尤其由水平基板取向、掩模返回路径和载体返回路径确定。
考虑到显示器制造的朝向更大的基板尺寸的趋势，提供用于沉积有机物层堆叠物并且特别是用于沉积有机物层堆叠物和在有机物层堆叠物上方的金属层堆叠物的改善的系统和改善的方法是有益的。
概述
鉴于以上内容，提供一种用于处理多个基板的基板处理系统、一种用于在基本上竖直的取向上处理多个大面积基板的基板处理系统和一种在直列基板处理系统中处理基板的方法。另外的方面、实施方式、特征和细节可从从属权利要求、附图和说明书得出。
根据一个方面，提供一种用于处理多个基板的基板处理系统。所述系统包括：第一沉积模块，所述第一沉积模块是第一直列模块并且具有第一多个真空沉积源；第二沉积模块，所述第二沉积模块是第二直列模块并且具有第二多个真空沉积源；和玻璃搬运模块，所述玻璃搬运模块在所述第一沉积模块与所述第二沉积模块之间。
根据一个方面，提供一种用于在基本上竖直的取向上处理多个大面积基板的基板处理系统。所述系统包括：至少第一装载锁定腔室；至少第一真空取向腔室，所述至少第一真空取向腔室被配置为在非竖直取向与非水平取向之间移动所述大面积基板；至少第一掩模搬运模块，所述至少第一掩模搬运模块在所述至少第一真空取向腔室下游；有机物沉积模块的第一部分，所述有机物沉积模块的所述第一部分在所述至少第一掩模搬运模块下游；至少第一真空旋转模块，所述至少第一真空旋转模块在所述有机物沉积模块的所述第一部分下游；和所述有机物沉积模块的第二部分，所述有机物沉积模块的所述第二部分在所述至少第一真空旋转腔室下游，所述至少第一掩模搬运模块在所述有机物沉积模块的所述第二部分下游。
根据一个方面，提供一种在直列基板处理系统中处理基板的方法。所述方法包括：将所述基板从第一沉积模块的第一端通过所述第一沉积模块的第一部分移动到与所述第一沉积模块的所述第一端相对的第二端，所述第一沉积模块是直列模块；在所述第一沉积模块的所述第二端处旋转所述基板；将所述基板沿所述第一沉积模块的第二部分从所述第一沉积模块的所述第二端移动到所述第一沉积模块的所述第一端；将所述基板从第二沉积模块的第一端和所述第二沉积模块的与所述第一端相对的第二端移动通过所述第二沉积模块的第一部分，所述第二沉积模块是直列模块；在所述第二沉积模块的所述第二端处旋转所述基板；将所述基板沿所述第二沉积模块的第二部分从所述第二沉积模块的所述第二端移动到所述第二积模块的所述第一端；和在所述第一沉积模块与所述第二沉积模块之间将所述基板装载到所述基板处理系统中和从所述基板处理系统卸载所述基板。
附图简要说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征，可参考实施方式来得到以上简要概述的本公开内容的更特别的描述。附图涉及实施方式并且描述如下：
图1示出根据现有技术的工业标准水平直列蒸镀系统的示意性俯视图；
图2示出根据本公开内容的实施方式的竖直处理系统的示意性俯视图；
图3示出根据本公开内容的实施方式的另一个竖直处理系统的示意性俯视图；
图4示出根据本文描述的实施方式的图示制造有机物层堆叠物的方法的流程图；
图5示出根据本文描述的实施方式的用于直列基板处理系统的掩模搬运模块的示意图；
图6A和图6B示出根据本文描述的实施方式的用于直列基板处理系统的掩模搬运模块的示意性截面侧视图；并且
图7A和图7B示出根据本文描述的实施方式的图示在基板处理系统中运输基板(例如大面积基板)的方法的流程图。
实施方式的具体说明
现在将详细地参考各种实施方式，在图中图示这些实施方式的一个或多个示例。在以下对附图的描述内，相同的参考数字指代相同的部件。一般来讲，仅描述相对于单独的实施方式的差异。每个示例以解释的方式提供，并且不意在作为本公开内容的限制。另外，被图示或描述为一个实施方式的部分的特征可在其他实施方式上或与其他实施方式组合地使用，以产生又一个实施方式。说明书意图包括这样的修改和变化。
制造OLED显示器的工艺可包括在高真空中热蒸发有机物材料和将有机物材料沉积在基板上。根据显示器技术，可提供在沉积期间使用掩模来将有机物层图案化到基板上。例如，掩模可以是(例如以几毫米的边缘)掩蔽玻璃基板(诸如矩形玻璃基板之类)的参数的边缘排除掩模。边缘排除掩模可用于制造单色OLED层堆叠物，诸如白色层堆叠物之类。其他工艺可利用图案掩模，诸如精细金属掩模(FFM)之类，其中掩模为基板上的显示像素提供像素图案。例如，这可用于RGB显示器制造。相应地，利用掩模的OLED显示器制造工艺可能是复杂的，例如，由于为了传送掩模要完成附加工艺。另外，因为颗粒产生和污染可能损坏OLED显示器制造系统和所产生的装置，所以颗粒产生和污染是重要的。类似的考虑适用于基板的载体。除了颗粒产生和污染考虑之外，即与颗粒和污染考虑结合地，还有益地减小基板处理系统的占用面积，特别是对于在大面积基板上的显示器制造来说如此。
本公开内容的实施方式允许显著地减小用于制造有机物层堆叠物、并且特别是用于制造有机物层堆叠物和在有机物层堆叠物上方的金属层堆叠物的基板处理系统的占用面积。另外，用于基板的掩模和载体在正常操作期间保持在真空条件下。
图2示出真空处理系统100。图2示出的真空处理系统100包括有机物沉积模块130和金属沉积模块160。玻璃搬运模块110设置在有机物沉积模块130与金属沉积模块160之间。第一掩模搬运模块120设置在玻璃搬运模块110与有机物沉积模块130之间。第二掩模搬运模块150设置在玻璃搬运模块110与金属沉积模块160之间。另外，第一旋转模块140设置在有机物沉积模块130的远离第一掩模搬运模块120的一端处。第二旋转模块170设置在金属沉积模块的远离第二掩模搬运模块150的一端处。
鉴于以上布置，在玻璃搬运模块处装载要在基板处理系统100中处理的基板(例如将所述基板装载在基板载体上)，并且在玻璃搬运模块110处卸载所述基板(例如从基板载体卸载所述基板)。相应地，在卸载工艺基板之后在相同位置处提供空的载体，在该位置处，新的基板将被装载在所述空的载体上。因此，可避免或最大程度地减少例如在载体返回路径上运输空的载体。另外，可避免或最大程度地减少将载体暴露于大气条件。
另外，第一旋转模块140和第二旋转模块170允许分别“折叠”有机物沉积路径和金属沉积路径。如关于有机物沉积模块130示例性描述的，有机物沉积模块包括用于在基板上沉积第一组有机物层的向前运输路径131和用于在第一组有机物层上方沉积第二组有机物层的向后运输路径133。通过第一旋转模块140使基板在向前运输路径131与向后运输路径133之间旋转。通过“折叠”有机物沉积路径，有机物沉积模块的长度124可减小例如约50％。
与减小有机物沉积模块的长度124并且因此减小基板处理系统100在长度方向上的占用面积的优点结合地，该布置提供了另一个优点。第一掩模搬运模块120设置在有机物沉积路径的起点处并且(同时)在有机物沉积路径的终点处。相应地，在第一掩模搬运模块120中从经处理的基板去除先前已经用于沉积工艺的掩模，并且可将该掩模定位在将在第一掩模搬运模块120中处理的新的基板上。相应地，如下所述，在掩模被附接到基板的相同位置或基本上相同的位置处将掩模从基板分离之后，提供使用过的掩模。因此，可避免或最大程度地减少例如在掩模返回路径上运输掩模。此外，可避免或最大程度地减少将掩模暴露于大气条件。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的又一些实施方式，金属沉积模块包括用于在基板上沉积第一组金属层的向前运输路径163和用于在第一组金属层上方沉积第二组金属层的向后运输路径161。通过第二旋转模块170使基板在向前运输路径与向后运输路径之间旋转。通过“折叠”金属沉积路径，金属沉积模块的长度148可减小例如约50％。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的本文描述的实施方式的又一些特征、细节、方面和实现方式，玻璃搬运模块110包括真空取向模块114，该真空取向模块被配置为将基板取向从非竖直取向(例如，水平取向)改变为非水平取向(例如，基本上竖直的取向)。相应地，基板可在基本上竖直的取向上被处理和/或运输通过真空处理系统100。因此，与工业标准水平直列处理系统相比，可进一步减小占用面积。玻璃搬运模块可包括装载锁定模块112。装载锁定模块112被配置为将基板(例如用于显示器制造的大面积基板)从大气条件装载到真空中，并且将基板(例如用于显示器制造的大面积基板)从真空装载到大气条件中。例如，基板可在水平取向上装载到装载锁定模块中和从装载锁定模块卸载。
根据本公开内容的实施方式，多个优点的组合可由系统布置提供。基板处理系统的长度可显著地减小例如约50％，其中术语“约”涉及(例如在处理路径中的真空腔室为奇数的情况下)可包括一个或两个附加的传送腔室这一事实。基板处理系统的宽度可(例如通过基本上竖直的基板取向)显著地减小。可避免载体返回路径和掩模返回路径，这特别地可减少污染并且进一步减小基板处理系统的宽度。
如图2和图3示例性地所示，本公开内容的实施方式包括用于直列基板处理系统的一个或多个掩模搬运模块。例如，可为有机物沉积路径提供第一掩模搬运模块120。此外，可为金属沉积路径提供第二掩模搬运模块150。掩模搬运模块可包括类似的细节、特征和方面，并且示例性地描述第一掩模搬运模块120。
直列基板处理系统可以是显示器制造系统或显示器制造系统的一部分，显示器制造系统特别是OLED显示器制造系统，并且更特别是用于大面积基板的OLED显示器制造系统。运输掩模或基板载体(即基板载体移动通过直列基板处理系统)除其他状态之外尤其可在基板载体的竖直取向状态下提供。例如，基板载体可被配置为将基板(诸如玻璃板之类)保持在竖直取向状态或基本上竖直取向状态。
示例性地参考图2和图3，掩模搬运模块120可包括真空旋转腔室122。例如，真空旋转腔室可设置在直列基板处理系统内并且设置在玻璃搬运模块110与有机物沉积模块130之间。特别地，真空旋转腔室122可被配置为在腔室中提供真空条件。此外，掩模搬运模块120可包括真空旋转腔室122内的旋转机构。旋转机构可进一步包括旋转支撑件。此外，旋转机构还可包括致动器，该致动器被配置为在真空旋转腔室122内使旋转支撑件旋转。致动器的示例可包括电动马达、气动致动器、液压致动器和类似物。特别地，致动器可被配置用于提供旋转支撑件在顺时针和/或逆时针方向上的至少120°的旋转。例如，致动器可被配置用于提供180°的旋转。
根据一些实施方式，掩模搬运模块120还可包括第一掩模台324和第二掩模台326(参见例如图3)。第一掩模台和第二掩模台各自包括掩模保持器组件以分别在不附接到基板或基板载体时支撑掩模。第一掩模保持器组件和/或第二掩模保持器组件可包括以下组中的至少一个夹具：电磁夹具、电永磁夹具和机械夹具。
第一掩模台324可安装到用于旋转第一掩模台的旋转机构。另外，第一掩模台可以竖直取向状态安装到旋转支撑件。术语“安装”是指通过任何紧固装置(例如通过使用机械保持器、电磁保持器和/或电永磁保持器)固定或紧固到旋转机构和/或旋转支撑件的状态。根据可与本文描述的其他实施方式组合的又一个实施方式，可提供类似于第一掩模台的第二掩模台326。
另外，掩模搬运模块120可特别地包括至少一个连接凸缘，该至少一个连接凸缘被配置用于连接至少一个真空腔室和/或传输模块。典型地，不同类型的连接凸缘中的一些或全部具有外壳框架状结构，该外壳框架状结构可被配置用于在外壳框架状结构内部提供真空条件。
根据一些实施方式，掩模搬运模块120还可包括掩模搬运组件。掩模搬运组件可定位在掩模搬运腔室123中或定位在附接到真空旋转腔室的另一个掩模搬运腔室323中。特别地，一个或多个掩模搬运腔室可被配置为在腔室中提供真空条件。掩模搬运组件可包括具有一个、两个或更多个可单独移动的机械手的真空机器人。每个机械手可包括被配置为抓取或支撑掩模的掩模保持部分。另外，掩模保持部分可被配置为在真空旋转腔室122与掩模搬运腔室123或另一个掩模搬运腔室323中的一个或多个掩模保持器(例如掩模架)之间传送掩模。此外，一个或多个掩模搬运腔室可被配置为从旋转机构(例如从第一掩模台324或从第二掩模台326)传送掩模。此外，一个或多个掩模搬运腔室可被配置为将掩模传送到旋转机构(例如传送到第一掩模台或传送到第二掩模台)。
根据一些实施方式，掩模搬运腔室123或掩模搬运腔室323中的掩模搬运组件可被配置用于在第一掩模台324与相应掩模搬运腔室之间的第一掩模传送。例如，掩模搬运腔室123、特别是掩模搬运组件可被配置用于将掩模装载到第一掩模台。另外，掩模搬运腔室、特别是掩模搬运组件可被配置为将掩模与第一掩模台分开。
根据一些实施方式，掩模搬运模块120可进一步包括与第一掩模台324相关联的第一基板运输轨道354。第一基板运输轨道可被配置为支撑第一基板载体。相应地，第一掩模保持器组件可被配置用于在第一掩模台324与第一基板载体之间的第二掩模传送。例如，可将掩模从第一掩模台装载或传送到第一基板载体。附加地，掩模搬运模块120还可包括与第二掩模台326相关联的第二基板运输轨道356。第二基板运输轨道可被配置为支撑第二基板载体。
在通过掩模在基板上沉积材料之后，掩模可被运载回到掩模搬运模块120(例如分别通过第一基板载体或第二基板载体被运载回到第一掩模台或到第二掩模台)。此后，例如，可进行在第二掩模台326与掩模搬运腔室123之间的第三掩模传送。相应地，第二掩模保持器组件可被配置用于在第二掩模台326与掩模搬运腔室123之间的第三掩模传送。例如，掩模可被传送到掩模搬运腔室、特别是掩模搬运组件，例如用于进行清洁。
根据一些实施方式，基板运输轨道可被配置用于基板载体的非接触运输。例如，基板运输轨道可以是第一基板运输轨道354和/或第二基板运输轨道356。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，第一掩模搬运模块120可包括一个或多个掩模搬运腔室，例如掩模搬运腔室123和掩模搬运腔室323。掩模搬运腔室耦接到真空旋转腔室122。类似地，第二掩模搬运模块150可包括一个或多个掩模搬运腔室，例如掩模搬运腔室154和掩模搬运腔室354。掩模搬运腔室耦接到真空旋转腔室152。根据又一可选的修改，基板载体缓冲腔室129可耦接到真空旋转腔室122。附加地或替代地，基板载体缓冲腔室159可耦接到真空旋转腔室152。基板载体可从一个或多个基板载体缓冲腔室经由一个或多个真空旋转腔室装载到基板处理系统100中，即装载到沉积模块中的一者中。
根据本公开内容的一些实施方式，提供一种基板处理系统100，其中第一沉积模块(例如，有机物沉积模块)设置有在一个方向上的第一部分和在相反方向上的第二部分。提供真空旋转腔室(即第一旋转模块140)以将基板或支撑基板的载体从第一部分移动到第二部分。相应地，第一沉积模块被“折叠”。掩模搬运模块120设置在第一沉积模块的起点处并且同时地设置在第一沉积模块的终点处。掩模在真空旋转腔室122中卸载。卸载的掩模装载在分别在真空旋转腔室122(即相同真空旋转腔室)中的基板或基板载体上。相应地，提供改善的掩模传送并且/或者可避免单独的掩模返回路径。相应地，可减少在基板处理系统100中的掩模的污染。基板处理系统100进一步被配置为为有机物沉积模块和金属沉积模块(即第一沉积模块和第二沉积模块)两者提供上述优点。
由于基板处理系统的设计，基板搬运模块或玻璃搬运模块110设置得靠近第一沉积模块的起点并且靠近第一沉积模块的终点。相应地，提供改善的基板载体传送并且/或者可避免基板载体返回路径。相应地，可减少基板载体和基板处理系统100的污染。更进一步，基板搬运模块设置在第一沉积模块与第二沉积模块之间。相应地，上述优点也可用于具有第一沉积模块和第二沉积模块(诸如有机物沉积模块和金属沉积模块)的基板处理系统。
图3进一步图示在沉积模块的真空腔室中的沉积源。例如，可在有机物沉积模块的真空腔室中提供有机物沉积源372。根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，有机物沉积源可以是蒸发源、并且特别是基本上竖直地延伸的线源。例如，在基板移动经过提供线源的有机物沉积源372的同时，有机物材料可沉积在基板上。更进一步，一个或多个金属沉积源374和/或一个或多个金属沉积源376可设置在金属沉积模块中。根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，金属沉积源可以是蒸发源或溅射源，并且特别地可以是基本上竖直地延伸的线源。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，沉积模块(例如，第一沉积模块或第二沉积模块)可设置有一个或多个真空腔室。沉积模块具有第一部分和第二部分，第一部分具有在一个方向上的运输路径，第二部分具有在相反方向上的运输路径。第一部分和第二部分可由分隔壁分开。根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，沉积模块可设置在一个真空系统处，真空系统即是具有或不具有分隔壁的腔室的布置，其中真空系统由一个或多个真空泵系统抽空。
图3进一步图示根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式的玻璃搬运模块110。玻璃搬运模块110包括第一装载锁定腔室312和第二装载锁定腔室313。玻璃搬运模块110进一步包括第一真空取向腔室314和第二真空取向腔室315。要在基板处理系统100中处理的基板可在大气压力下装载到装载锁定腔室中的一者中。例如，基板可被水平地装载到装载锁定腔室中的一者中。在装载之后，可将相应装载锁定腔室抽空，并且可将基板传送于真空取向腔室中的一者中。在真空取向腔室中，基板取向可从非竖直取向(例如水平取向)改变为非水平取向(例如竖直取向或基本上竖直的取向)。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，可提供至少第一真空取向腔室和第二真空取向腔室。可为真空取向腔室中的每一者提供装载锁定腔室。提供两个或更多个真空取向腔室具有改善基板处理系统100的节拍时间的优点。例如，两个或更多个装载锁定腔室和对应的两个或更多个真空取向腔室可顺序地和/或交替地操作。例如，一个基板可装载在第一装载锁定腔室和第一真空取向腔室中，而另一个基板从第二真空取向腔室朝向沉积模块传送。
根据本公开内容的实施方式，提供一种用于处理多个基板的基板处理系统。该基板处理系统包括第一沉积模块和第二沉积模块，第一沉积模块是第一直列模块并且具有第一多个真空沉积源，第二沉积模块是第二直列模块并且具有第二多个真空沉积源。玻璃搬运模块设置在第一沉积模块与第二沉积模块之间。根据一些实施方式，玻璃搬运模块可包括真空取向模块，该真空取向模块被配置为在真空下将基板取向从非竖直取向改变为非水平取向。例如，真空取向模块包括第一真空取向腔室和第二真空取向腔室。根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，玻璃搬运模块可进一步包括装载锁定模块，该装载锁定模块用于在大气区域与基板处理系统中的真空之间水平地装载和卸载玻璃基板。
根据本发明实施方式的一些可选的修改，基板处理系统可进一步包括在玻璃搬运模块与第一沉积模块之间的第一掩模搬运模块和在玻璃搬运模块与第二沉积模块之间的第二掩模搬运模块。特别地，第一掩模搬运模块和第二掩模搬运模块中的至少一者可提供真空旋转腔室和连接到真空旋转腔室的掩模搬运腔室。例如，真空旋转腔室可包括第一掩模台和第二掩模台，真空旋转腔室被配置为在第一掩模台与第二掩模台之间交换位置。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的另外的实施方式，特别是为了“折叠”第一沉积模块和第二沉积模块并且为了提供用于掩蔽和露出(unmask)基板的掩模搬运模块，基板处理系统可包括设置在第一沉积模块的远离玻璃搬运模块的一端处的第一真空旋转腔室和设置在第二沉积模块的远离玻璃搬运模块的一端处的第二真空旋转腔室中的至少一者。
根据其中特征、细节、方面和修改可与本文描述的其他实施方式组合的另一个实施方式，提供一种用于在基本上竖直的取向上处理多个大面积基板的基板处理系统。基板处理系统包括：至少第一装载锁定腔室；至少第一真空取向腔室，该至少第一真空取向腔室被配置为在非竖直取向与非水平取向之间移动大面积基板；至少第一掩模搬运模块，该至少第一掩模搬运模块在至少第一真空取向腔室下游；有机物沉积模块的第一部分，该有机物沉积模块的第一部分在至少第一掩模搬运模块下游；至少第一真空旋转模块，该至少第一真空旋转模块在有机物沉积模块的第一部分下游；和有机物沉积模块的第二部分，该有机物沉积模块的第二部分在至少第一真空旋转腔室下游，至少第一掩模搬运模块在有机物沉积模块的第二部分下游。例如，基板处理系统可进一步包括：第二掩模搬运模块，其中至少第一真空取向腔室设置在至少第一掩模搬运模块与第二掩模搬运模块之间；金属沉积模块的第一部分，该金属沉积模块的第一部分在第二掩模搬运模块下游；第二真空旋转模块，该第二真空旋转模块在金属沉积模块的第一部分下游；和金属沉积模块的第二部分，该金属沉积模块的第二部分在第二真空旋转腔室下游，第二掩模搬运模块在金属沉积模块的第二部分下游。
图4图示在直列基板处理系统中处理基板的方法400或在直列基板处理系统中制造显示器的方法。在操作401处，将基板从作为直列模块的第一沉积模块的第一端和第一沉积模块的与第一端相对的第二端移动通过第一沉积模块的第一部分。在第一沉积模块的第二端处(例如以基本上竖直的取向)旋转基板(参见操作402)。在操作404处，将基板沿第一沉积模块的第二部分从第一沉积模块的第二端移动到第一沉积模块的第一端。类似于移动通过第一沉积模块的第一部分和第二部分，根据操作406，可将基板移动通过第一部分和第二部分。例如，将基板从作为直列模块的第二沉积模块的第一端和第二沉积模块的与第一端相对的第二端移动通过第二沉积模块的第一部分，在第二沉积模块的第二端处旋转基板，并且将基板沿第二沉积模块的第二部分从第二沉积模块的第二端移动到第二沉积模块的第一端。在操作408处，在第一沉积模块与第二沉积模块之间将基板装载到基板处理系统中和从基板处理系统卸载基板。应当理解，在第一沉积模块和第二沉积模块中移动基板之前将基板装载到基板处理系统中，并且在第一沉积模块和第二沉积模块中移动基板之后卸载基板。例如，可将基板从第一沉积模块通过基板搬运模块移动到第二沉积模块，例如，在第一沉积模块中进行处理之后和在第二沉积模块中进行处理之前。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，基板取向在非竖直取向与非水平取向之间改变。用于改变基板取向的真空取向腔室设置在基板搬运模块中的第一沉积模块与第二沉积模块之间。附加地或替代地，处理基板和/或制造显示器的方法可包括在掩模搬运模块中在第一沉积模块与第二沉积模块之间的位置中掩蔽基板，并且在掩模搬运模块中在第一沉积模块与第二沉积模块之间的位置中露出基板。例如，可在掩模搬运模块中露出基板之后旋转掩模以掩蔽另一个基板。经旋转的掩模可用于掩蔽另一个基板。相应地，本公开内容的实施方式提供避免掩模返回路径并且因此减小基板处理系统的占用面积的优点。
根据本公开内容的实施方式，可为第一沉积模块(例如有机物沉积模块)和第二沉积模块(例如金属沉积模块)提供在相同掩模搬运模块中提供露出和掩蔽的掩蔽概念。相应地，为了制造一个或多个有机显示器，有机物沉积路径和金属沉积路径各自提供根据本公开内容的实施方式的掩模搬运模块。相应地，可提供用于有机物沉积和金属沉积的不同掩模。对于有机物沉积和金属沉积二者，可为本文描述的实施方式提供有利的掩蔽概念。
本公开内容的实施方式可涉及在基板处理系统中的基板运输。根据本公开内容的实施方式，可在基本上竖直的取向上处理基板。此外，基板可由载体支撑，并且支撑基板的载体可在基板处理系统内传送。例如，载体可以是被配置为支撑大面积基板的静电吸盘。附加地或替代地，载体可被配置为由运输系统悬浮。悬浮是指(例如用磁悬浮系统)对载体的非接触或基本上非接触的运输。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，基板载体可被配置用于在基本上竖直的取向上保持或支撑基板或基板和掩模。另外，掩模台可被配置用于在基本上竖直的取向上保持或支撑掩模。如在整个本公开内容中所使用，“基本上竖直的”特别是在提到基板取向时被理解为允许与竖直方向或取向有±20°或更小(例如±10°或更小)的偏差。可例如由于与竖直取向有某种偏差的基板支撑件可带来更稳定的基板位置而提供该偏差。另外，当基板向前倾斜时，更少颗粒到达基板表面。然而，基板取向(例如在材料(诸如有机物或金属材料)在高真空中沉积在基板上期间)被认为是大体上竖直的，这被认为与水平基板取向不同，该水平基板取向可被认为是水平±20°或更低。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，基板载体可以是静电吸盘(E吸盘)，静电吸盘提供静电力以将基板并且可选地将掩模保持在基板载体处并且特别是保持在支撑表面处。例如，基板载体包括电极布置，该电极布置被配置为提供作用在基板上的吸引力。
本文描述的实施方式可用来在例如用于OLED显示器制造的大面积基板上沉积材料，诸如有机物或金属材料。特定地，提供根据本文描述的实施方式的结构和方法所用于的基板可以是大面积基板。例如，大面积基板可以是第4.5代(对应于约0.67m2(0.73m×0.92m)的表面积)、第5代(对应于约1.4m2(1.1m×1.3m)的表面积)、第7.5代(对应于约4.29m2(1.95m×2.2m)的表面积)、第8.5代(对应于约5.7m2(2.2m×2.5m)的表面积)或甚至第10代(对应于约8.7m2(2.85m×3.05m)的表面积)。可类似地实现甚至更高代(诸如第11代和第12代)和对应的表面积。在OLED显示器制造中也可提供GEN代的一半尺寸。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，基板厚度可为从0.1mm至1.8mm。基板厚度可为约0.9mm或更低，例如0.5mm。如本文所用的术语“基板”可特别地涵盖大体上非柔性的基板，例如玻璃板或其他基板。然而，本公开内容不限于此，并且术语“基板”还可涵盖柔性基板，诸如卷材或箔。术语“大体上非柔性”应当被理解为区分于“柔性”。特别地，大体上非柔性的基板可具有一定程度的柔性，例如具有0.9mm或更低(诸如0.5mm或更低)的厚度的玻璃板，其中与柔性基板相比，大体上非柔性的基板的柔性小。
非接触运输装置可以是磁悬浮系统。特别地，可提供磁悬浮系统，使得基板载体的重量的至少一部分由磁悬浮系统承载。然后，可分别沿第一基板运输轨道和/或第二基板运输轨道基本上非接触地引导基板载体通过直列基板处理系统。特别地，第一基板运输轨道和第二基板运输轨道可各自包括载体保持结构和载体驱动结构。载体保持结构可被配置用于基板载体的非接触保持。载体驱动结构可被配置用于基板载体(例如第一基板载体或第二基板载体)的非接触平移。载体保持结构可包括用于非接触地保持基板载体的磁悬浮系统。另外，载体驱动结构可包括用于非接触地驱动基板载体的磁驱动系统。
图5示出真空取向腔室314。真空取向腔室可以是图2中示出的真空取向模块120的真空取向腔室。真空取向腔室包括真空腔室502。真空腔室502包括侧壁。侧壁502A和侧壁502B(图5中不可见)彼此相对。另外，侧壁502C设置在这两个相对侧壁之间。真空取向腔室被配置为在非竖直取向(例如水平取向)与非水平取向(例如竖直取向或基本上竖直的取向)之间改变基板取向。在图6B中示出示例性取向致动器。
真空取向模块或真空取向模块的真空取向腔室参与在基板处理系统中基板的运输。如箭头513所指示，可将基板装载到真空取向腔室中或从真空取向腔室卸载。例如，基板可沿箭头513从装载锁定腔室装载或装载到装载锁定腔室中。装载和卸载在非竖直取向(例如水平取向)上进行。狭缝开口512(诸如水平狭缝开口之类)设置在真空腔室502的另一个侧壁502C中。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，基板可在第一狭缝开口514处进入真空腔室502。例如，狭缝开口514可设置在侧壁502A处。基板可在侧壁502B处离开真空腔室502。根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，将基板移动到真空腔室502中和移动出真空腔室可在真空腔室的相对侧(即相对侧壁)上进行。运输轨道(图5中未示出)设置在真空腔室的相对侧壁处的两个狭缝开口之间。基板的移动由箭头515指示。对于本公开内容的实施方式，可根据本文描述的实施方式在基板载体上运输基板。
根据本公开内容的实施方式，在相对侧壁处的两个狭缝开口是竖直的或基本上竖直的。基板可在基本上竖直的取向上沿双向运输方向运输通过真空腔室502。根据现有技术的真空摆动模块典型地在真空摆动模块的一侧处具有水平狭缝开口并且在真空摆动模块的相对侧处具有竖直狭缝开口。相应地，可用机器人或类似物在纵向(portrait)取向上水平地装载基板。基板沿基板的较长边(即基板的长度)旋转，并且在竖直取向上且以横向取向被运输出真空摆动模块。本公开内容的实施方式提供基板在横向取向上(例如通过在侧壁502C(即在两个相对侧壁之间的侧壁)处的狭缝开口512)的水平装载。在横向取向上的水平装载是违反直觉的，并且通常需要避免。然而，在掩模搬运、基板处理系统的占用面积和节拍时间方面的益处促使偏离水平纵向搬运。
根据本公开内容的一个实施方式，提供一种用于基板处理系统的真空取向模块。真空取向模块包括至少第一真空取向腔室，例如图5和图3中示出的真空取向腔室314。可提供类似于真空取向腔室314的图3中示出的真空取向腔室315。真空取向腔室包括真空腔室和真空腔室内的运输轨道，运输轨道具有支撑结构和驱动结构并且限定双向运输方向。提供取向致动器以在非竖直取向与非水平取向之间改变基板取向。根据本公开内容的一些实施方式，真空腔室在双向方向上在真空腔室的相对侧壁处具有两个狭缝开口。例如，两个狭缝开口可包括第一狭缝开口514和图5中未示出的另一个狭缝开口。相对侧壁可以是侧壁502A和侧壁502B。
根据一些实施方式，可为至少第一真空取向腔室提供非竖直狭缝开口(例如图5示出的水平狭缝开口512)。可提供狭缝开口512而用于装载和卸载基板。根据可与本文描述的其他实施方式组合的又一些实施方式，第二真空取向腔室可设置在基板处理系统中，如图3中所示。第二真空取向腔室沿基板处理系统的直列方向与至少第一取向腔室对准。特别地，第二真空取向腔室和至少第一真空取向腔室的一个或竖直狭缝开口可对准。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，根据本文描述的实施方式的真空取向腔室的真空腔室中的狭缝开口可设置有狭缝阀。可提供狭缝阀来以真空密封的方式密封真空腔室。特别地，水平狭缝开口512可设置有狭缝阀。根据又一些可选的实施方式，狭缝开口514和/或与狭缝开口514相对的狭缝开口也可设置有狭缝阀。
根据一实施方式，提供真空取向模块。真空取向模块包括至少第一真空取向腔室。至少第一真空取向腔室包括真空腔室和真空腔室内的运输轨道，运输轨道具有支撑结构和驱动结构。此外，提供一种用于在非竖直取向与非水平取向之间改变基板取向的取向致动器。取向致动器将基板以某个角度并且围绕在基板的第一端与基板的第二端之间的轴线移动，其中第二端与第一端相对。
例如，图6A和图6B图示具有真空腔室502的真空取向腔室。在真空腔室502的侧壁502C处提供狭缝开口512。基板650可通过狭缝开口512装载到载体652上。根据本文描述的实施方式，载体652可以是基板载体。例如，载体可以是静电吸盘。在以非竖直取向(例如图6A中示出的水平取向)将基板650装载在载体652上之后，可如箭头651所指示那样移动基板。基板例如从水平取向移动为竖直取向或基本上竖直的取向并且朝向用于分别运输基板或具有基板的载体的运输轨道移动。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，运输轨道可由磁悬浮系统提供。例如，支撑结构612可设置在载体652上方，并且驱动结构614可设置在载体652下方。支撑结构612可以是具有例如一个或多个电磁体以使载体652悬浮的磁性轴承。驱动结构614可以是磁驱动器(例如，磁驱动器具有一个或多个电磁体)，以沿运输方向驱动载体652。例如，载体可如图5中示出的箭头515所指示那样移动。
载体从水平取向移动到基本上竖直的取向可由取向致动器(例如图6B中示出的取向致动器660)提供。如图6A中的箭头651示例性地指示的，取向致动器被配置为在非竖直取向(即水平取向)上将基板远离运输轨道移动。相应地，当在水平取向上支撑载体652时，在支撑结构612与驱动结构614之间的空间是空的。如图5中的箭头515示例性地指示的，在载体652在真空腔室502中为水平取向时，具有另一个基板的另一个载体可移动通过真空腔室502。根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，在第一载体为非竖直(水平)取向时，运输轨道可用于第二载体。相应地，根据本公开内容的实施方式的真空取向腔室允许在真空腔室502中具有至少两个基板。特别地，第一基板可被支撑在水平取向上，并且第二基板可被支撑在第一支撑结构612与第一驱动结构614之间。根据本文描述的实施方式，真空取向腔室的实施方式允许通过在真空取向模块中提供两个或更多个真空取向腔室来增加基板处理系统中的节拍时间。
如例如图3中所示，可提供第一真空取向腔室314，并且可提供第二真空取向腔室315。例如，可在两个真空取向腔室中交替地提供在非竖直取向与非水平取向之间的基板移动。基本上竖直地取向的基板可从第一真空取向腔室314通过第二真空取向腔室315朝向第一沉积模块移动。同时，另一个基板可装载在第二真空取向腔室315中的另一个载体上。鉴于真空腔室中的取向致动器在基板水平地装载在载体上时在支撑结构612与驱动结构614之间提供空的运输轨道这一事实，从第一真空取向腔室314朝向第一沉积模块的基板移动可利用空的运输轨道。这样的移动由图5中的箭头515示意性地图示。根据本文描述的实施方式的真空取向模块有利地允许增加节拍时间。例如，两个真空取向腔室同时地运行，节拍时间可以基本上加倍。
图6B图示根据本公开内容的实施方式的取向致动器660的更进一步的细节。取向致动器660包括用于支撑载体652的支撑件672。载体包括第一端653和与第一端653相对的第二端655。支撑件672被配置为在第一端653与第二端655之间支撑载体652。特别地，支撑件672可被配置为在载体的中心(即在第一端653与第二端655之间的中心)处或靠近该中心支撑载体。根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，取向致动器被配置为在非竖直取向与非水平取向之间改变基板取向，取向致动器将基板以某个角度并且围绕位于基板的第一端与基板的第二端之间的轴线移动，第二端与第一端相对。在中心处或接近该中心支撑载体允许在将基板从基本上竖直的取向移动为水平取向时，载体远离运输轨道而移动。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，载体在两个取向之间的移动可包括如图6B中的箭头所指示的平移和以某个角度的移动。
图7A和图7B图示在基板处理系统中运输具有长度和比该长度短的宽度的大面积基板的方法或制造显示器的层堆叠物并且包括运输方法的对应方法的实施方式。一种方法可包括将大面积基板以平行于大面积基板的宽度的移动在非竖直取向上装载到真空取向腔室中，如由操作701所指示的(参见图7A)。相应地，基板以横向取向被水平地装载。在操作703处，(例如用设置在真空腔室中的取向致动器)将大面积基板从基板的非竖直取向移动到非水平取向。
附加地或替代地，一种方法包括操作702，即通过在真空腔室的第一侧壁处的第一狭缝开口将大面积基板移动到具有真空腔室的至少第一真空取向腔室中。例如，这可以是图5中示出的基本上竖直的狭缝开口514。在操作704处，大面积基板通过在真空腔室的第二侧壁处的第二狭缝开口移动出至少第一真空取向腔室，第二侧将与第一侧壁相对。例如，这可以是在侧壁502B处的狭缝开口(图5中不可见)。此外，在操作706处，将大面积基板在至少第一真空取向腔室中从基板的非竖直取向移动到非水平取向或从非水平取向移动到基板的非竖直取向。
根据又一些实施方式，在大面积基板上制造用于显示器的层堆叠物的方法可包括上述运输方法中的一者或多者，并且可进一步包括沉积用于显示器的层堆叠物的一个或多个层。例如，可在第一沉积模块(例如有机物沉积模块)中沉积层。附加地或替代地，可在第二沉积模块(例如金属沉积模块)中沉积层。
用于基板处理系统的真空取向模块的又一些实施方式可关于图2、图3、图5、图6A和图6B来描述。如上所述，基板可通过装载锁定模块112装载在基板处理系统100中。基板可在真空取向模块中在水平取向上移动。根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，基板可在水平取向上装载在基板载体上。另外，支撑基板的载体可移动某个角度以将基板取向从水平取向改变为非水平取向。此后，基板可被移动到掩模搬运模块120和第一沉积模块130。在第一沉积模块130(例如有机物沉积模块)中沉积之后，可在掩模搬运模块中去除先前已经设置在掩模搬运模块中的基板处的掩模。支撑基板的载体通过玻璃搬运模块110朝向第二沉积模块160移动。例如，支撑基板的载体可在第二掩模搬运模块150中移动，可在基板处提供掩模，并且可在第二沉积模块(例如金属沉积模块)中提供沉积工艺。在第二沉积模块160中处理之后，可在掩模搬运模块150中去除掩模。基板取向可在真空取向腔室中从非水平取向(即基本上竖直的取向)改变为水平取向，并且可通过装载锁定模块从基板处理系统100卸载。根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，装载锁定模块112中的装载锁定腔室的数量可对应于真空取向模块114中的真空取向腔室的数量。
如上所述，从第一沉积模块130到第二沉积模块160的传送包括传送通过玻璃搬运模块110。相应地，用于基板处理系统的真空取向模块包括至少第一真空取向腔室。至少第一取向腔室包括真空腔室和真空腔室内的第一运输轨道，第一运输轨道具有限定双向运输方向的第一支撑结构和第一驱动结构。第一支撑结构可以是图6A中示出的支撑结构612，第一驱动结构可以是图6A中示出的驱动结构614。可提供取向致动器660。根据一些实施方式，取向致动器被配置为在非竖直取向与非水平取向之间改变基板取向，真空腔室在双向方向上在真空腔室的相对侧壁处具有第一对两个狭缝开口。根据本公开内容的可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，提供在真空腔室内的第二运输轨道。第二运输轨道包括沿双向运输方向延伸的第二支撑结构和第二驱动结构。真空腔室在真空腔室的相对侧壁处具有第二对两个狭缝开口。
第二运输轨道可由图6A中示出的第二支撑结构622和第二驱动结构624提供。竖直狭缝开口可设置在真空腔室502的相对侧壁中，以用于沿第二运输轨道的运输。例如，图5A示出在侧壁502A处的狭缝开口524。对应于狭缝开口524的第二狭缝开口可设置在侧壁502B处。相应地，支撑基板的载体可移动通过真空腔室502，如图5中的箭头525所示。可在支撑基板的载体被第二支撑结构622支撑的同时用第二驱动结构624来移动该载体。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，第二运输轨道被定位，使得具有第一支撑结构612和第一驱动结构614的第一运输轨道设置在狭缝开口512与第二运输轨道之间。如图6B中所示，根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，第一运输轨道和第二运输轨道可由分隔壁632分开。分隔壁632可提供在真空腔室502的第一区域与真空腔室502的第二区域之间的分隔。相应地，分隔壁632可分开(例如用两个真空泵系统)单独地泵送的两个真空区域。替代地，这两个区域可由共同真空泵系统抽空。不管分隔壁的存在，在第一运输轨道与第二运输轨道之间的水平距离可以是例如20cm或更大并且/或者可以是100cm或更小。例如，在这些运输轨道之间的距离可以是约50cm。
根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，第二真空取向腔室可与第一真空取向腔室对准，使得在侧壁502A处的第二狭缝开口524与在侧壁502B处的另一个狭缝开口对准。鉴于以上内容，可提供一种基板处理系统。该基板处理系统包括第一沉积模块和第二沉积模块，第一沉积模块是第一直列模块并且具有第一多个真空沉积源，第二沉积模块是第二直列模块并且具有第二多个真空沉积源。基板处理系统进一步包括在第一沉积模块与第二沉积模块之间的玻璃搬运模块，玻璃搬运模块包含根据本文描述的实施方式中的任一者的真空取向模块。特别地，真空取向模块可具有第二运输轨道。根据更进一步的附加或替代修改，真空沉积模块可包括第一真空取向腔室和第二真空取向腔室，该第一真空取向腔室和第二真空取向腔室各自具有第二运输轨道。
鉴于以上内容，本公开内容的实施方式可提供以下优点中的一者或多者。可改善掩模搬运。特别地，可避免掩模返回路径。可在真空处理系统中提供另外的掩模运输，以避免掩模或掩模载体的污染。此外，除了更换或清洁之外，可在真空处理系统中提供基板载体运输以避免基板载体的污染。可通过折叠沉积模块和避免掩模和/或基板载体的返回路径来减小基板处理系统的占用面积。实施方式允许在真空处理系统中具有同时工作的两个或更多个真空取向腔室，以增加真空处理系统的节拍时间。另外，可提供有机物沉积模块和金属沉积模块的分隔，以允许不同沉积模块的单独掩蔽。更进一步，适用于一个沉积模块的上述优点可针对两个沉积模块提供。
尽管前述内容针对的是一些实施方式，但是在不脱离基本范围的情况下可设想其他和进一步的实施方式，并且范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种用于处理多个基板的基板处理系统，包含：
第一沉积模块，所述第一沉积模块是第一直列模块并且具有第一多个真空沉积源；
第二沉积模块，所述第二沉积模块是第二直列模块并且具有第二多个真空沉积源；和
玻璃搬运模块，所述玻璃搬运模块在所述第一沉积模块与所述第二沉积模块之间。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其中所述玻璃搬运模块包含：
真空取向模块，所述真空取向模块被配置为在真空下将基板取向从非竖直取向改变为非水平取向。
3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其中所述真空取向模块包含：
第一真空取向腔室；和
第二真空取向腔室。
4.根据权利要求1至3任一项所述的基板处理系统，其中所述玻璃搬运模块进一步包含：
装载锁定模块，所述装载锁定模块用于在大气区域与所述基板处理系统中的真空之间水平地装载和卸载所述玻璃基板。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理系统，进一步包含以下项中的至少一者：
第一掩模搬运模块，所述第一掩模搬运模块在所述玻璃搬运模块与所述第一沉积模块之间；和
第二掩模搬运模块，所述第二掩模搬运模块在所述玻璃搬运模块与所述第二沉积模块之间。
6.根据权利要求5所述的基板处理系统，其中所述第一掩模搬运模块和所述第二掩模搬运模块中的至少一者包含：
真空旋转腔室；和
掩模搬运腔室，所述掩模搬运腔室连接到所述真空旋转腔室。
7.根据权利要求6所述的基板处理系统，其中所述真空旋转腔室包含：
第一掩模台和第二掩模台，所述真空旋转腔室被配置为在所述第一掩模台与所述第二掩模台之间交换位置。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理系统，进一步包含以下项中的至少一者：
第一真空旋转腔室，所述第一真空旋转腔室设置在所述第一沉积模块的远离所述玻璃搬运模块的一端处；和
第二真空旋转腔室，所述第二真空旋转腔室设置在所述第二沉积模块的远离所述玻璃搬运模块的一端处。
9.一种用于在基本上竖直的取向上处理多个大面积基板的基板处理系统，包含：
至少第一装载锁定腔室；
至少第一真空取向腔室，所述至少第一真空取向腔室被配置为在非竖直取向与非水平取向之间移动所述大面积基板；
至少第一掩模搬运模块，所述至少第一掩模搬运模块在所述至少第一真空取向腔室下游；
有机物沉积模块的第一部分，所述有机物沉积模块的所述第一部分在所述至少第一掩模搬运模块下游；
至少第一真空旋转模块，所述至少第一真空旋转模块在所述有机物沉积模块的所述第一部分下游；和
所述有机物沉积模块的第二部分，所述有机物沉积模块的所述第二部分在所述至少第一真空旋转腔室下游，所述至少第一掩模搬运模块在所述有机物沉积模块的所述第二部分下游。
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，进一步包含：
第二掩模搬运模块，其中所述至少第一真空取向腔室设置在所述至少
第一掩模搬运模块与所述第二掩模搬运模块之间；
金属沉积模块的第一部分，所述金属沉积模块的所述第一部分在所述第二掩模搬运模块下游；
第二真空旋转模块，所述第二真空旋转模块在所述金属沉积模块的所述第一部分下游；和
所述金属沉积模块的第二部分，所述金属沉积模块的所述第二部分在所述第二真空旋转腔室下游，所述第二掩模搬运模块在所述金属沉积模块的所述第二部分下游。
11.一种在直列基板处理系统中处理基板的方法，包含：
将所述基板从第一沉积模块的第一端通过所述第一沉积模块的第一部分移动到所述第一沉积模块的与所述第一端相对的第二端，所述第一沉积模块是直列模块；
在所述第一沉积模块的所述第二端处旋转所述基板；
将所述基板沿所述第一沉积模块的第二部分从所述第一沉积模块的所述第二端移动到所述第一沉积模块的所述第一端；
将所述基板从第二沉积模块的第一端和所述第二沉积模块的与所述第一端相对的第二端移动通过所述第二沉积模块的第一部分，所述第二沉积模块是直列模块；
在所述第二沉积模块的所述第二端处旋转所述基板；
将所述基板沿所述第二沉积模块的第二部分从所述第二沉积模块的所述第二端移动到所述第二沉积模块的所述第一端；和
在所述第一沉积模块与所述第二沉积模块之间将所述基板装载到所述基板处理系统中和从所述基板处理系统卸载所述基板。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包含：
在基板搬运模块中在所述第一沉积模块与所述第二沉积模块之间的位置中在非竖直取向与非水平取向之间改变基板取向。
13.根据权利要求12所述的方法，进一步包含：
将所述基板从所述第一沉积模块通过所述基板搬运模块移动到所述第二沉积模块。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法，进一步包含：
在掩模搬运模块中在所述第一沉积模块与所述第二沉积模块之间掩蔽所述基板；和
在所述掩模搬运模块中在所述第一沉积模块与所述第二沉积模块之间露出所述基板。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包含：
在所述掩模搬运模块中露出所述基板之后旋转掩模以掩蔽另一个基板。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000129442A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Sharp Corp 成膜装置
US20090226610A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Applied Materials, Inc. Coating apparatus with rotation module
WO2010000503A1 (en) * 2008-06-09 2010-01-07 Applied Materials Inc. - A Corporation Of The State Of Delaware Coating system and method for coating a substrate
CN105917019A (zh) * 2014-02-04 2016-08-31 应用材料公司 用于有机材料的蒸发源、具有用于有机材料的蒸发源的设备、具有带有用于有机材料的蒸发源的蒸发沉积设备的系统以及用于操作用于有机材料的蒸发源的方法
WO2018166622A1 (en) * 2017-03-17 2018-09-20 Applied Materials, Inc. Methods of operating a vacuum processing system

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019518862A (ja) * 2017-04-28 2019-07-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 複数の材料を基板上に堆積するための真空システムおよび方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000129442A (ja) * 1998-10-29 2000-05-09 Sharp Corp 成膜装置
US20090226610A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-10 Applied Materials, Inc. Coating apparatus with rotation module
WO2010000503A1 (en) * 2008-06-09 2010-01-07 Applied Materials Inc. - A Corporation Of The State Of Delaware Coating system and method for coating a substrate
CN105917019A (zh) * 2014-02-04 2016-08-31 应用材料公司 用于有机材料的蒸发源、具有用于有机材料的蒸发源的设备、具有带有用于有机材料的蒸发源的蒸发沉积设备的系统以及用于操作用于有机材料的蒸发源的方法
WO2018166622A1 (en) * 2017-03-17 2018-09-20 Applied Materials, Inc. Methods of operating a vacuum processing system

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