TW201840033A - 真空系統及用以沈積數個材料於一基板上之方法 - Google Patents

真空系統及用以沈積數個材料於一基板上之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201840033A
TW201840033A TW107110716A TW107110716A TW201840033A TW 201840033 A TW201840033 A TW 201840033A TW 107110716 A TW107110716 A TW 107110716A TW 107110716 A TW107110716 A TW 107110716A TW 201840033 A TW201840033 A TW 201840033A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
deposition
track
mask
carrier
Prior art date
Application number
TW107110716A
Other languages
English (en)
Inventor
奧利佛 黑蒙
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201840033A publication Critical patent/TW201840033A/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Non-Mechanical Conveyors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一種用以沈積數個材料於一基板上之真空系統(100)係說明。真空系統包括數個沈積模組(110),沿著一主傳送方向(P)配置及包括數個沈積源(105),此些沈積源係於主傳送方向(P)中為可移動的;以及一傳送系統,具有數個軌道(120),此些軌道於主傳送方向(P)中延伸通過此些沈積模組及包括一第一遮罩軌道(121)、一第一基板軌道(122)及一回送軌道(123)。第一遮罩軌道用於遮罩傳送,第一基板軌道用於基板傳送,回送軌道用以回送數個空的載體。

Description

真空系統及用以沈積數個材料於一基板上之方法
本揭露之數個實施例是有關於一種用以沈積數個材料於一基板上之真空系統。更特別是,說明一種用以在數個沈積模組中藉由蒸發來沈積一或多個有機材料於數個基板上之真空系統。數個實施例特別是有關於利用沿著一主傳送方向配置之數個沈積模組之數個串連真空沈積系統。數個實施例更有關於數個用以藉由特別是蒸發來沈積數個材料於一基板上之方法。
使用有機材料之光電裝置係因為許多原因而變得更受歡迎。使用來製造此種裝置之許多材料係相對地便宜,所以有機光電裝置具有超越無機裝置之成本優勢之潛力。有機材料之固有特性可有利於數種應用,此些應用例如是用於沈積於撓性或非撓性基板上。有機材料之固有特性例如是它們的撓性。有機光電裝置之例子包括有機發光二極體(organic light emitting devices,OLEDs)、有機光電晶體、有機光伏電池、及有機光偵測器。
OLED裝置之有機材料可具有超越傳統材料之表現優勢。舉例來說,有機發光層發光之波長可利用適當之摻雜劑輕易地調整。OLED裝置係使用薄有機膜,薄有機膜係在供應此裝置電壓時發光。針對使用於例如是平板顯示器、發光、及背光之應用來說,OLED裝置係變成令人更加感興趣之技術。
在次大氣壓力(sub-atmospheric pressure)下,材料一般係於真空系統中沈積於基板上,材料特別是有機材料。在沈積期間,遮罩裝置可配置於基板之前方。遮罩裝置可具有數個開孔,此些開孔係定義開孔圖案,開孔圖案係對應於將沈積於基板上之材料圖案,沈積舉例為藉由蒸發執行。基板一般係在沈積期間配置於遮罩裝置之後方且相對於遮罩裝置對準。舉例來說,運載遮罩裝置之遮罩載體可配置於真空系統之沈積模組中,及運載基板之基板載體可傳送至沈積模組中,用以配置基板於遮罩裝置之後方。
一般來說,兩個、三個或多個材料係接續地沈積於基板上,舉例為用以製造彩色顯示器之像素。利用數個沈積模組沈積不同材料於數個基板上來操作真空系統可具挑戰性。特別是,此種真空系統易於變得非常複雜、昂貴及佔用許多空間。
因此,提供緊密(compact)及節省空間之真空系統會為有利的,真空系統係裝配以可靠地沈積數個材料於基板上。特別是,於真空系統中簡化及加速基板傳送及/或遮罩傳送及交換會為有利的,此真空系統係裝配以用於沈積材料於基板上。
有鑑於上述,說明數種用以沈積數個材料於一基板上之真空系統,及數種用以沈積數個材料於一基板上之方法。
根據本揭露之一方面,提出一種用以沈積數個材料於一基板上之真空系統。真空系統包括數個沈積模組,沿著一主傳送方向配置及包括數個沈積源,此些沈積源係於主傳送方向中為可移動的;以及一傳送系統,具有數個軌道,此些軌道於主傳送方向中延伸通過此些沈積模組及包括一第一遮罩軌道、一第一基板軌道及一回送軌道。第一遮罩軌道用於遮罩傳送,第一基板軌道用於基板傳送,回送軌道用以回送數個空的載體。
特別是,此些沈積模組可彼此相鄰配置成一線性配置或列配置,使得此些沈積模組係提供真空系統之主傳送路徑及真空系統之沈積區域。真空系統可裝配成一串連真空沈積系統。
根據本揭露之一方面,提出一種用以沈積數個材料於一基板載體支承之一基板上之真空系統。真空系統包括一第一基板處理模組,裝配以貼附基板於基板載體;一第二基板處理模組,裝配以從基板載體拆開基板;及數個沈積模組,沿著一主傳送方向配置於第一基板處理模組及第二基板處理模組之間且包括數個沈積源,此些沈積源係於主傳送方向中為可移動的。真空系統更包括至少一回送軌道,從第二基板處理模組延伸通過此些沈積模組至第一基板處理模組。真空系統可裝配成一串連真空沈積系統。
根據本揭露之一方面,提出一種沈積數個材料於一基板上之方法。此方法包括於一主傳送方向中沿著一第一基板軌道傳送支承基板之一基板載體通過數個沈積模組;利用數個沈積源於此些沈積模組中沈積此些材料於基板上,此些沈積源係於主傳送方向中為可移動的;以及於一回送方向中沿著一回送軌道傳送一空的載體通過此些沈積模組,回送方向相反於主傳送方向。
本揭露之其他方面、優點及特徵係透過說明及所附之圖式更為清楚。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解,下文特舉實施例,並配合所附圖式詳細說明如下:
詳細的參照將以數種實施例達成,數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。各例子係藉由說明的方式提供且不意味為一限制。舉例來說,所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於任何其他實施例或與任何其他實施例結合,以取得進一步之實施例。此意指本揭露包括此些調整及變化。
在圖式之下方說明中,相同參考編號係意指相同或類似之元件。一般來說,只有有關於個別實施例之相異處係進行說明。除非另有說明,一實施例中之一部份或方面之說明係亦應用於另一實施例中之對應部份或方面。
第1圖繪示根據此處所述實施例之用以沈積數個材料於基板10上之真空系統100之示意圖。真空系統100包括數個沈積模組110。此些沈積模組110沿著主傳送方向P配置,及容置沈積源105。沈積源可為蒸發源,裝配以導引已蒸發材料朝向基板10。
此些沈積模組110可一個接著一個配置成線性配置或線性設置。一個接著一個擺置之四個沈積模組係繪示於第1圖之範例性實施例中。串連真空系統可設置。此些沈積模組110可沿著主傳送路徑配置,及基板10可於主傳送方向P中從一個沈積模組沿著主傳送路徑傳送至個別之接續的沈積模組。兩個、三個或多個沈積模組可沿著主傳送路徑配置。於一些實施例中,四個、八個、十二個或更多個沈積模組係沿著主傳送路徑配置。
基板10可傳送至此些沈積模組110之第一沈積模組中,第一材料可在此些沈積模組110之第一沈積模組沈積於基板10上。之後,基板可於主傳送方向P中從第一沈積模組傳送至此些沈積模組110之第二沈積模組中,第二材料可在此些沈積模組110之第二沈積模組沈積於基板上。之後,基板可於主傳送方向P中從第二沈積模組傳送至此些沈積模組之第三沈積模組中,其他材料可在此些沈積模組之第三沈積模組沈積於基板上。其他材料可於沿著主傳送路徑配置之接續之沈積模組中沈積於基板10上。數個材料可沈積於基板10上,以形成層堆疊於基板之主表面上。
此處所使用之「沈積模組」可理解為真空系統100之一區段或腔室,材料可於真空系統100之此區段或腔室舉例為藉由蒸發來沈積於一或多個基板上。此些沈積模組110之各沈積模組係容置至少一沈積源,舉例為蒸發源,裝配以用於導引已蒸發材料朝向一或多個基板。在沈積模組110中,沈積源105可於主傳送方向P及回送方向R中舉例為沿著源軌道為前後可移動的,源軌道設置於沈積模組中。各沈積源可在相關之沈積模組中為可移動的。
當導引已蒸發材料朝向基板,且基板係配置於此些沈積模組中時,沈積源105可於此些沈積模組110中沿著源軌道線性地移動。在沈積期間,遮罩裝置可配置於基板之前方。因此,沈積模組可裝配,以用於遮蔽數個基板上之材料的沈積。
於至少一些沈積模組110中之沈積源105可同相(in phase)移動。也就是說,此些沈積源105可於主傳送方向P中一起移動,本質上同步改變方向,及於回送方向R中一起移動。回送方向R相反於主傳送方向。數個基板可於此些沈積模組中本質上同步塗佈。在沈積材料層之後,此些基板可於主傳送方向P中本質上同步傳送至個別之接續的沈積模組中,其他材料可於個別之接續的沈積模組沈積於此些基板上。
真空系統100可裝配成串連沈積系統。此處所使用之「串連沈積系統」可理解為包括數個沈積模組之一沈積系統。此些沈積模組沿著主傳送路徑配置。基板係沿著主傳送路徑傳送。基板10可於個別之沈積模組中沿著主傳送路徑停留於預定位置中,材料於預定位置沈積於基板上。在沈積期間,基板10可本質上靜止的支承,特別是對準於遮罩裝置,及沈積源可在導引已蒸發材料朝向基板10時移動通過靜止的基板。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,沈積模組可包括兩個沈積區域。此兩個沈積區域配置於沈積源之相反側上,也就是用以配置第一基板之第一沈積區域及用以配置第二基板之第二沈積區域。沈積源可裝配,以接續地導引已蒸發材料朝向第一基板及朝向第二基板。第一基板配置於第一沈積區域中,第二基板配置於第二沈積區域中。舉例來說,舉例為藉由旋轉沈積源之至少一部份,沈積源之蒸發方向可為可反向的,舉例為旋轉180°。
在沈積配置於沈積模組之第一沈積區域中之第一基板上的期間,第二沈積區域可使用於下述之至少一或多者:移動將塗佈之第二基板至第二沈積區域中;移動已塗佈之第二基板離開第二沈積區域;及於第二沈積區域中舉例為相對於遮罩裝置對準第二基板,遮罩裝置設置於第二沈積區域中。類似地,在沈積配置於沈積模組之第二沈積區域中之第二基板的期間,第一沈積區域可使用於下述之至少一或多者:移動將塗佈之第一基板至第一沈積區域中;移動已塗佈之第一基板離開第一沈積區域;及於第一沈積區域中舉例為相對於遮罩裝置對準第一基板,遮罩裝置設置於第一沈積區域中。因此,藉由提供兩個沈積區域於沈積模組中,可增加在給定之時間區段中之已塗佈之基板的數量。再者,可減少沈積源之閒置時間(idle times)。
根據此處所述之數個實施例,真空系統100包括傳送系統。傳送系統具有數個軌道120。此些軌道120於主傳送方向P中延伸通過此些沈積模組110且包括第一遮罩軌道121、第一基板軌道122及回送軌道123。第一遮罩軌道121用以遮罩傳送。第一基板軌道122用以基板傳送。回送軌道123用以回送空的載體。
第一基板軌道122可裝配,以用於沿著第一基板軌道122傳送基板載體,其中基板載體載運基板。特別是,支承基板之基板載體可在主傳送方向P中沿著第一基板軌道122傳送通過此些沈積模組110,舉例為從第一材料沈積於基板上之第一沈積模組傳送至第二材料沈積於基板上之第二沈積模組。
第一遮罩軌道121可裝配,以用於沿著第一遮罩軌道121傳送遮罩載體。遮罩載體支承遮罩裝置。特別是,支承遮罩裝置之遮罩載體可於主傳送方向P中沿著第一遮罩軌道121傳送,舉例為從第一沈積模組傳送至第二沈積模組中及/或反之亦然。
第一遮罩軌道121可設置於沈積源105及第一基板軌道122之間的區域中,使得遮罩裝置可配置於基板之前方的第一遮罩軌道上。因此,已蒸發材料可從沈積源105通過遮罩裝置導引朝向基板,基板係配置於第一基板軌道122上。
回送軌道123可裝配,以用於在回送方向R中傳送空的載體,也就是在相反於主傳送方向P之方向中傳送空的載體。舉例來說,回送軌道123可裝配,以用於回送空的基板載體朝向真空系統之上游區段,新的將塗佈之基板可在真空系統之上游區段貼附於基板載體。空的載體12係繪示於第1圖中之回送軌道123上。如此處所使用之空的載體可理解為沒有運載基板或遮罩之未佔用的基板載體或遮罩載體。
於一些實施例中,第一基板軌道122可配置於第一遮罩軌道121及回送軌道123之間。也就是說,從沈積源105之視角,回送軌道123可設置於之第一基板軌道122之「後方」。因此,空的載體可於回送方向R中朝向真空系統之上游區段傳送,而不干擾沈積製程。回送軌道123可從真空系統之下游區段延伸通過此些沈積模組110至真空系統之上游區段。當用於空的載體之回送軌道係設置於沈積模組中時,可不需要額外的真空腔室來設置用以傳送空的載體之回送軌道。
根據此處所述之數個實施例,此些沈積模組110可作為用於基板之主傳送路徑、作為用於遮罩裝置之主傳送路徑、作為用於空的載體之回送路徑、及作為用於沈積材料於基板上之沈積區域。因此,可節省空間及成本且可提供緊密之真空系統。特別是,沈積模組中之第一基板軌道之後方的自由空間可利用,以用於回送空的載體於真空系統之上游區段中。
於一些實施例中,第一遮罩軌道121、第一基板軌道122、及回送軌道123可在沈積源105之第一側上平行於彼此延伸。舉例來說,第一基板軌道122及第一遮罩軌道121之間的距離可為10 cm或更少,及/或回送軌道123及第一基板軌道122之間的距離可為20 cm或更少,特別是10 cm或更少。第一遮罩軌道121可配置而最靠近沈積源105,及回送軌道123可配置而最遠離沈積源105。本質上平行於第一基板軌道122配置之第一遮罩軌道121可具有優點,支承遮罩裝置之遮罩載體及支承基板之基板載體可沿著此些軌道120本質上平行於彼此傳送通過接續之沈積模組。再者,在沈積期間,第一基板軌道上之基板可本質上平行於第一遮罩軌道上之遮罩裝置支承。
在沈積模組中之預定位置處,基板載體可停留、可相對於配置在基板之前方的遮罩載體對準、及材料可通過遮罩裝置沈積於基板上。
於一些實施例中,回送軌道123可配置於第一基板軌道122及此些沈積模組110之第一側壁111之間。舉例來說,回送軌道123可配置在自此些沈積模組110之第一側壁111之近距離處及/或本質上平行於此些沈積模組110之第一側壁111,舉例為自第一側壁111之30 cm或更少,特別是20 cm或更少,更特別是15 cm或更少之距離處。回送軌道123及第一側壁111之間的小距離可具有優點,沿著回送軌道123傳送空的載體可不負面地影響於第一基板軌道122上之基板上之沈積。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,此些軌道120更包括第二遮罩軌道131及第二基板軌道132,及選擇之第二回送軌道133。第二遮罩軌道131用於遮罩傳送,第二基板軌道132用於基板傳送,第二回送軌道133用於回送空的載體。
第二遮罩軌道131及第二基板軌道132可在沈積源105之第二側上平行於彼此延伸,第二側相反於第一側。換言之,第一遮罩軌道121及第一基板軌道122可配置於沈積源105之第一側上,及第二遮罩軌道131及第二基板軌道132可配置於沈積源之第二側上,第二側相反於第一側。
於一些實施例中,沈積源105可為可旋轉的。於第一旋轉位置中,沈積源105可導引朝向第一基板軌道122,用以沈積已蒸發材料於第一基板軌道上之基板上,以及,於第二旋轉位置中,沈積源105可導引朝向第二基板軌道132,用以沈積已蒸發材料於第二基板軌道上之基板上。藉由旋轉沈積源,舉例為旋轉約180°之角度,沈積源105可於兩個相反方向中導引已蒸發材料,也就是朝向配置第一基板軌道122之第一沈積區域且朝向配置第二基板軌道132之第二沈積區域。
於一些實施例中,第二回送軌道133可設置於沈積源105之第二側上,特別是設置在第二基板軌道132及此些沈積模組之第二側壁112之間。第二側壁112及第一側壁111可為沈積模組之相反側壁,及可平行於主傳送方向P延伸。
第二遮罩軌道131可裝配,以用於沿著第二遮罩軌道131傳送遮罩載體。特別是,支承遮罩裝置之遮罩載體可在主傳送方向P中沿著第二遮罩軌道131傳送,舉例為從第一沈積模組傳送至第二沈積模組中或反之亦然。
第二遮罩軌道131可位於沈積源105及第二基板軌道132之間的區域中,使得遮罩裝置可配置於基板之前方的第二遮罩軌道上。因此,已蒸發材料可從沈積源105導引通過配置於第二遮罩軌道上之遮罩裝置而朝向配置於第二基板軌道132上之基板。
第二回送軌道133可裝配,以用於在回送方向R中傳送空的載體。舉例來說,第二回送軌道133可裝配,以用於朝向真空系統之上游區段回送空的基板載體。新的將塗佈之基板可於真空系統之上游區段貼附於基板載體。
於一些實施例中,第二基板軌道132可設置於第二遮罩軌道131及第二回送軌道133之間。也就是說,從沈積源105之視角,第二回送軌道133可於第二基板軌道132之「後方」延伸。因此,空的載體可朝向真空系統之上游區段回傳,而不干擾沈積製程。第二回送軌道133可從真空系統之下游區段延伸通過此些沈積模組110至真空系統之上游區段。
於一些實施例中,第二遮罩軌道131、第二基板軌道132、及第二回送軌道133可於沈積源105之第二側上平行於彼此延伸。第二遮罩軌道131可配置而最靠近於沈積源105,及第二回送軌道133可配置而最遠離沈積源105。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,此些軌道120係裝配,以用於在本質上垂直定向中傳送基板載體及遮罩載體。舉例來說,第一基板軌道122及/或第二基板軌道132可裝配,以用於在本質上垂直定向中傳送支承基板之基板載體。在沈積材料於基板上期間及/或在主傳送方向P中傳送基板通過此些沈積模組期間,基板之定向可為本質上垂直。第一遮罩軌道121及/或第二遮罩軌道131可裝配,以用於在本質上垂直定向中傳送支承遮罩裝置之遮罩載體。在通過遮罩裝置沈積材料於基板上期間及/或沿著遮罩軌道傳送遮罩裝置通過沈積模組期間,遮罩裝置之定向可為垂直。在沿著回送軌道及/或沿著第二回送軌道傳送空的載體通過此些沈積模組期間,回送軌道123上及/或第二回送軌道133上之空的載體之定向可為本質上垂直。
如此處所使用之「本質上垂直定向」可理解為一定向,具有自垂直定向之10°或更少,特別是5°或更少之偏差,也就是自重力向量之10°或更少,特別是5°或更少之偏差。舉例來說,在傳送通過此些沈積模組期間及/或沈積期間,基板(或遮罩裝置)之主表面及重力向量之間的角度可為+10°及-10°之間。於一些實施例中,在傳送期間及/或在沈積期間,基板(或遮罩裝置)之定向可不為準確垂直,但略微地相對於垂直軸傾斜,舉例為傾斜-1°及-5°之間的傾斜角度。負角度意指基板(或遮罩裝置)之定向,其中基板(或遮罩裝置)係向下傾斜。在沈積期間,從重力向量之基板定向之偏差可為有利的,且可產生更穩定之沈積製程,或者面向下之定向可適用於在沈積期間減少於基板上之粒子。然而,在傳送期間及/或在沈積期間,準確垂直定向(+/-1°)係亦可行的。
於一些實施例中,至少一些沈積源105可裝配成蒸發源。然而,本揭露係不限於具有蒸發源之真空系統。舉例來說,化學氣相沈積(chemical vapor deposition,CVD)系統、舉例為濺射系統之物理氣相沈積(physical vapor deposition,PVD)系統、及/或蒸發系統係發展,以在沈積模組中塗佈基板而舉例為用於顯示器應用。基板舉例為薄玻璃基板。
基板可為非撓性基板,舉例為晶圓、例如是藍寶石或類似者之透明水晶片、玻璃板材、或陶瓷板材。然而,本揭露係不以此為限,且名稱基板可亦包含撓性基板,例如是網格(web)或箔,舉例為金屬箔或塑膠箔。
於一些實施例中,基板10可為大面積基板。大面積基板可具有0.5 m2 或更多,特別是1 m2 或更多之表面積。特別是,大面積基板可使用於顯示器製造且可為玻璃或塑膠基板。舉例來說,如此處所述之基板應包含一般用於液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)、電漿顯示面板(Plasma Display Panel,PDP)、及類似者之基板。舉例來說,大面積基板可具有1 m2 或更大之面積的主表面。於一些實施例中,大面積基板可為第4.5代、第5代、或更高代。第4.5代對應於約0.67 m2 之基板(0.73 m x 0.92 m),第5代對應於約1.4 m2 之基板(1.1 m x 1.3 m)。大面積基板可更為第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第7.5代對應於約4.29 m2 之基板(1.95 m x 2.2 m),第8.5代對應於約5.7m²之基板(2.2 m x 2.5 m),第10代對應於約8.7 m2 之基板(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之基板面積可以類似之方式應用。遮罩裝置可大於基板,以在沈積期間完全重疊基板。
於一些應用中,在垂直於基板之主表面的一方向中之基板的厚度可為1 mm或更少,舉例為從0.1 mm至1 mm,特別是從0.3 mm至0.6 mm,舉例為0.5 mm。甚至更薄之基板係可行的。
於一些應用中,遮罩裝置11可包括遮罩及遮罩框架。遮罩框架可裝配以穩定遮罩,遮罩一般係為精密元件。舉例來說,遮罩框架可以框架之形式圍繞遮罩。遮罩可舉例為藉由焊接永久地固定於遮罩框架,或者遮罩可為可釋放地固定於遮罩框架。遮罩之周圍邊緣可固定於遮罩框架。
遮罩可包括數個開孔。此些開孔係形成於圖案中且裝配以藉由遮蔽沈積製程來沈積對應之材料圖案於基板上。在沈積期間,遮罩可近距離配置於基板之前方或直接接觸基板之前表面。舉例來說,遮罩可為精密金屬遮罩(fine metal mask,FMM),具有數個開孔,舉有100,000個開孔或更多。舉例來說,有機像素之圖案可沈積於基板上。遮罩之其他形式係可行的,舉例為邊緣排除遮罩(edge exclusion masks)。
於一些實施例中,遮罩裝置可至少部份地以金屬製造,舉例為以具有小的熱膨脹係數之金屬製造,例如是銦鋼(invar)。遮罩可包括磁性材料,使得遮罩可在沈積期間朝向基板磁性地吸引。
遮罩裝置可具有0.5 m2 或更多,特別是1 m2 或更多之面積。舉例來說,遮罩裝置之高度可為0.5 m或更多,特別是1 m或更多,及/或遮罩裝置之寬度可為0.5 m或更多,特別是1 m或更多。遮罩裝置之厚度可為1 cm或更少,其中遮罩框架可厚於遮罩。
根據此處所述之數個實施例,具有數個軌道120之傳送系統係裝配,以用於傳送支承遮罩裝置之遮罩載體、支承基板之基板載體及空的載體通過沈積模組。空的載體可為空的基板載體及/或空的遮罩載體。於一些實施例中,傳送系統可裝配,以用於非接觸式傳送基板載體及遮罩載體。舉例來說,傳送系統可包括數個主動磁性元件或磁性懸浮裝置,用於以非接觸式方式支承基板載體於基板軌道及/或用於以非接觸式方式支承遮罩載體於遮罩軌道。
於一些實施例中,磁性懸浮裝置可提供而用於沿著第一基板軌道122及/或沿著第二基板軌道132非接觸式傳送基板載體。於一些實施例中,磁性懸浮裝置可提供而用於沿著第一遮罩軌道121及/或沿著第二遮罩軌道131非接觸式傳送遮罩載體。於一些實施例中,磁性懸浮裝置可提供而用於沿著回送軌道123及/或沿著第二回送軌道133非接觸式傳送空的載體,特別是空的基板載體。
於一些實施例中,磁性懸浮裝置包括懸浮箱及驅動箱。懸浮箱具有主動磁鐵單元,裝配以提供磁力來運載載體之重量。驅動箱係裝配,以沿著軌道移動懸浮之載體。磁性懸浮裝置可配置於降低(drop-in)箱中,降低箱設置於真空系統之頂部牆。舉例來說,磁性懸浮裝置可配置於凹陷之槽中,凹陷之槽係提供於真空統之頂部牆中。
於一些實施例中,基板載體及遮罩載體可在垂直方向中具有相同之高度。在此情況中,基板軌道及遮罩軌道可配置於真空系統中之相同高度。於其他實施例中,遮罩載體之高度可大於基板載體之高度。於此情況中,遮罩軌道及基板軌道可配置於不同之高度。
非接觸式傳送系統可減少沈積模組中產生粒子。沈積品質可改善。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,沈積源105可繞著個別之旋轉軸為可旋轉的,特別是繞著本質上垂直旋轉軸為可旋轉的。沈積源可替換地或額外地沿著源軌道為線性可移動的,源軌道係於主傳送方向P中延伸。此處所使用之沈積源之「旋轉」可理解為從第一方向至第二方向之沈積源之蒸發方向之改變,第二方向不同於第一方向。舉例來說,蒸發方向可在第一方向及第二方向之間為可反向的,第二方向相反於第一方向。特別是,沈積源之「旋轉」包括沈積源之所有形式之樞轉或擺動運動。
於一些實施例中,沈積源105可裝配,以用於在沈積模組中沿著源軌道非接觸式傳送。特別是,磁性懸浮裝置可沿著主傳送方向P設置,用於沿著個別之源軌道非接觸式傳送沈積源。當沈積源105係以非接觸方式沿著源軌道平移時,在沈積模組中產生粒子可更減少。
沈積源105可裝配,以沈積有機材料於基板上。舉例來說,第一材料可於第一沈積模組中藉由第一沈積源沈積於基板上,第二材料可於第二沈積模組中藉由第二沈積源沈積於基板上,及第三材料可於第三沈積模組中藉由第三沈積源沈積於基板上。第一材料可為像素陣列之第一顏色材料,舉例為藍色材料,及/或第二材料可為像素陣列之第二顏色材料,舉例為紅色材料。像素陣列之第三顏色材料舉例為綠色材料,可預先或接續沈積。特別是,在此些沈積模組之其他沈積模組中,其他材料可先於或接續第一及第二材料沈積於基板上。至少一些材料可為有機材料,舉例為第一材料及第二材料可為有機材料。至少一材料可為金屬。舉例來說,一或多個下述金屬可於一些沈積模組中沈積:鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)。至少一材料可為透明導電氧化物材料,舉例為氧化銦錫(ITO)。至少一材料可為透明材料。
沈積源可為包括坩鍋及分佈管之蒸發源。分佈管係於本質上垂直方向中延伸且具有數個蒸汽開孔。坩鍋可裝配,以用於加熱及蒸發將沈積之材料。已蒸發材料可導引至分佈管中且通過分佈管中之此些蒸汽開孔而朝向基板。
於一些實施例中,蒸發源可包括二或多個坩鍋,用以加熱及蒸發不同材料,舉例為主體(host)及摻雜劑。各坩鍋可流體連通於具有數個蒸汽出口之相關之分佈管,此些蒸汽出口用以導引已蒸發材料朝向基板。舉例來說,二或三個分佈管可相鄰於彼此配置,使得從分佈管之蒸汽開孔射出之已蒸發材料之羽流可導引朝向將塗佈之基板之共同表面積。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,真空系統100可更包括對準單元,裝配以用於相對於第一遮罩軌道121上之遮罩載體對準第一基板軌道122上之基板載體。對準單元可至少部份地配置於第一遮罩軌道121及第一基板軌道122之間,使得對準單元可相對於遮罩載體移動基板載體至正確相對位置中。
對準單元可連接於沈積模組的靜止部份,例如是牆,且可具有第一固定件及第二固定件。第一固定件用以固定基板載體於對準單元。第二固定件用以固定遮罩載體於對準單元。舉例來說,對準單元可具有第一磁性固定件及第二磁性固定件。第一磁性固定件用以抓取基板載體。第二磁性固定件用以抓取遮罩載體。致動器可配置於第一固定件及第二固定件之間,使得第一固定件及第二固定件可舉例為根據位置感測器之訊號相對於彼此移動。於一些實施例中,對準單元之致動器可為壓電致動器。致動器可裝配,以用於在至少兩個方向中相對於第二固定件移動第一固定件,舉例為主傳送方向P及垂直方向。於一些實施例中,致動器可裝配,以用於在橫向方向T中改變遮罩載體及基板載體之間的距離,橫向方向T垂直於主傳送方向P。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,對準單元可在此些軌道120之上方及/或下方固定於沈積模組之靜止部份,也就是沈積模組之頂部牆及/或底部牆。也就是說,對準單元可不固定於沈積模組之側壁,以讓空的載體於第一基板軌道122及沈積模組之第一側壁111之間沿著回送軌道123傳送。舉例來說,對準單元可固定於沈積模組之頂部牆,且至少部份地突出於第一基板軌道及第一遮罩軌道之間的空間中,及/或對準單元可固定於沈積模組之底部牆,且至少部份地突出於第一基板軌道及第一遮罩軌道之間的空間中。
於一些實施例中,一或多個對準單元可配置於此些沈積模組110之各者中,以在各沈積模組中相對於遮罩載體對準基板載體。於一些實施例中,對準單元可設置於各沈積模組中之沈積源之第一側上,用以相對於第一遮罩軌道上之遮罩載體對準第一基板軌道上之基板載體,及對準單元可設置於各沈積模組中之沈積源之第二側上,用以相對於第二遮罩軌道上之遮罩載體對準第二基板軌道上之基板載體。於一些實施例中,遮罩單元可連接於個別之沈積模組之頂部牆及/或底部牆。
於一些實施例中,機械隔離元件可配置於對準單元之致動器及腔室牆之間。機械隔離元件可為減振器或震盪阻尼器。因此,腔室牆之振動、振盪、或變形對遮罩載體及基板載體之對準之影響係減少或沒有影響。機械隔離元件可裝配,以補償靜態及/或動態變形。
對準單元可包括致動器元件,用以相對於遮罩載體定位基板載體。舉例來說,可提供二或多個致動器。此二或多個致動器例如是壓電致動器,用以相對於基板載體及遮罩載體彼此進行定位。然而,本揭露係未限於壓電致動器。舉例來說,此二或多個對準致動器可為電性或氣動致動器。此二或多個對準致動器可舉例為線性對準單元。於一些應用中,此二或多個對準致動器可包括一致動器,此致動器係選自由步進致動器、無刷致動器、直流(direct current,DC)致動器、音圈致動器、壓電致動器、氣動致動器、及其之任何組合所組成之群組。
特別是,此些沈積模組之各沈積模組可包括至少一第一對準單元及至少一第二對準單元。此至少一第一對準單元位於沈積源之第一側上,用以提供第一沈積區域中之對準。此至少一第二對準單元位於沈積源之第二側上,用以提供第二沈積區域中之對準。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,此些沈積模組110可於主傳送方向P中一個接著一個本質上線性延伸。橫向方向T可為水平方向,本質上垂直於主傳送方向P。基板及遮罩裝置可在本質上垂直定向時沿著此些軌道傳送。也就是說,基板及遮罩裝置之主表面可在傳送期間本質上垂直通過沈積模組。再者,在回送軌道上之空的載體之定向可為本質上垂直。
第2圖繪示根據此處所述實施例之包括數個沈積模組110之真空系統200之部份的示意圖。真空系統200包括第一沈積模組201及第二沈積模組202。第二沈積模組202沿著主傳送方向P配置於第一沈積模組201之下游。其他沈積模組可設置。沈積源105係配置於各沈積模組中,其中沈積源可於主傳送方向P中及回送方向R中沿著個別之源軌道前後移動。
真空系統200包括具有數個軌道之傳送系統,類似於第1圖之真空系統100,使得參照可以上述說明達成而不於此重複。特別是,用以回送空的載體之一或多個回送軌道係延伸通過沈積模組,回送軌道特別是相鄰於沈積模組之一或兩個側壁。於一些實施例中,此些軌道之一些軌道或全部軌道可裝配,以用於非接觸式傳送。
於一些實施例中,維護區域115可於主傳送方向P中提供於第一沈積模組201及第二沈積模組202之間。此些軌道120可延伸通過維護區域115,使得舉例為在基板從第一沈積模組201傳送至第二沈積模組202中時,基板載體及遮罩載體係移動通過維護區域115。
維護區域115之尺寸可在主傳送方向中為50 cm或更多,特別是1 m或更多。維護區域115可包括一或多個可關閉腔室開孔,可關閉腔室開孔位於真空系統之側壁中。真空系統可在可關閉開孔處開啟來讓停留於維護區域中之沈積源出入。停留於維護區域115中來進行服務之沈積源係以虛線繪示於第2圖中。
第一沈積模組201之沈積源及第二沈積模組202之沈積源可沿著個別之源軌道傳送至維護區域115中。維護區域115可裝配,以用於服務可移動至維護區域115中之一或多個沈積源。舉例來說,沈積源之坩鍋可於維護區域115中交換,源可於維護區域115中加熱或冷卻、維修及/或服務。一個維護區域可配置於兩個相鄰之沈積模組之間,使得此兩個相鄰之沈積模組之沈積源可於一個維護區域中服務。特別是,兩個相鄰之沈積模組之源軌道可從兩相反側上線性延伸至維護區域115中。
於一些實施例中,各沈積源可包括媒介供應裝置。媒介供應裝置係裝配,以用於提供供應媒介給沈積源。供應媒介例如是冷卻流體、電力、功率、控制訊號、感測訊號及/或其他氣體或液體。媒體供應裝置可裝配成供應管或供應通道,裝配以用於導引媒介供應線至個別之沈積模組中。媒介供應裝置可固定於沈積源,使得媒介供應裝置與沈積源一起移動及根據沈積源移動。
兩個相鄰之沈積模組之沈積源之媒介供應裝置可從沈積源朝向維護區域115延伸,媒介供應裝置可在維護區域115舉例為通過腔室牆中之個別之饋通(feed-through)而導引離開真空系統。
第3A至3D圖繪示沈積模組510中之在數種位置中之沈積源500的示意圖。沈積模組510可為此處所述之任何真空系統之此些沈積模組110之其中一者。不同位置之間的運動係以箭頭501B、501C、及501D繪示。根據此處所述之數個實施例,沈積源500係裝配以用於平移運動及繞著軸之旋轉,特別是繞著本質上垂直軸之旋轉。第3A至3D圖繪示具有坩鍋504及分佈管506之沈積源500之示意圖。分佈管506係由支撐件502支撐。再者,根據一些實施例,坩鍋504可亦由支撐件502支撐。兩個基板521係設置於沈積模組501中之相反配置之沈積區域中的個別之基板軌道上。基板521係由基板載體522支承,基板載體522可分別沿著基板軌道傳送。
一般來說,用以遮蔽於基板上之層沈積的遮罩裝置532係在兩個沈積區域中設置於基板及沈積源500之間。如第3A至3D圖中所示,有機材料係從分佈管506蒸發。此係由三角形之羽流所表示。遮罩裝置532係由遮罩載體531支承,遮罩載體531可沿著遮罩軌道傳送。
於第3A圖中,沈積源500係繪示於第一位置中。如第3B圖中所示,沈積模組中之左邊的基板係藉由如箭頭501B所示之沈積源500之平移運動而塗佈有有機材料層。當左邊之基板521係塗佈有有機材料層時,第二基板可進行交換。第二基板舉例為第3A至3D圖中之右邊的基板。在左邊之基板521已經塗佈有有機材料層之後,沈積源500之分佈管506係如第3C圖中之箭頭501C所示進行旋轉。在沈積有機材料於第一基板(第3B圖中之左側的基板)上期間,第二基板已經經由一或多個對準單元相對於遮罩裝置定位且對準。對準單元可固定於沈積模組之靜止部份,使得空的載體可沿著回送軌道517傳送通基板軌道及沈積模組之間的空間。舉例來說,對準單元可連接於沈積模組510之頂部牆及/或底部牆,及突出於基板載體522及遮罩載體531之間的空間中。
因此,在如第3C圖中所示之旋轉之後,於右側上之基板可塗佈有有機材料層,如箭頭501D所示。右側上之基板也就是第二基板。當第二基板係塗佈有有機材料時,第一基板可在主傳送方向中移動離開沈積模組至相鄰之沈積模組中。
根據此處所述之數個實施例,基板係於本質上垂直定向中塗佈有有機材料。也就是說,繪示於第3A至3D圖中之視角係為包括沈積源500之真空系統之上視圖。一般來說,分佈管係為蒸汽分佈噴頭,特別是線性蒸汽分佈噴頭。分佈管可提供接線源,接線源係本質上垂直地延伸。
根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例,本質上垂直特別是在意指基板及遮罩定向時理解為允許從垂直方向之10°或以下之偏差。基板之表面係由於一方向中延伸之接線源及沿著另一方向之蒸發源之平移運動來進行塗佈。此方向對應於一基板尺寸,此另一方向對應於另一基板尺寸。
如第3C圖中所示,分佈管506之旋轉可為約180°,也就是從第一基板至第二基板之旋轉可為約180°。在第二基板係如第3D圖中所示已經塗佈之後,分佈管506可往回旋轉180°或可於如第3C圖中所示之相同方向中旋轉。基板可總共旋轉360°。
根據此處所述之數個實施例,舉例為線性蒸汽分佈噴頭之接線源之平移運動及舉例為線性蒸汽分佈噴頭之接線源之旋轉的結合係提供用於有機發光二極體(OLED)顯示器製造之高蒸發源效率及高材料利用率,其中基板之準確遮蔽係為有利的。源之平移運動係提供高遮蔽準確性,因為基板及遮罩可維持靜止。旋轉運動係提供一基板之基板交換,而另一基板係於此時塗佈有有機材料。此係因閒置時間大大地減少而顯著地改善材料利用率,閒置時間也就是在蒸發源蒸發有機材料而沒有塗佈基板之期間的時間。
為了達成良好之可靠度及良率,此處所述之數個實施例係在沈積有機材料期間保持遮罩裝置及基板靜止。可移動之線性源係設置,用以均勻塗佈大面積基板。相較於各沈積之後基板係需要交換之操作來說,閒置時間係減少。因此,於沈積位置中具有第二基板且相對於遮罩快速地對準係減少閒置時間且增加材料利用率。
第4圖繪示根據此處所述實施例之用以沈積數個材料於基板載體15支承之基板10上之真空系統400之示意圖。真空系統400包括第一基板處理模組401、第二基板處理模組402、及數個沈積模組110。第ㄧ基板處理模組401係裝配,以貼附基板10於基板載體15。第二基板處理模組402係裝配,以在沈積之後從基板載體15拆開基板10。此些沈積模組110係於主傳送方向P中在第一基板處理模組401及第二基板處理模組402之間延伸。此些沈積模組110係容納沈積源105。沈積源105可於主傳送方向P中為前後可移動的。此些沈積模組110係形成真空系統之主傳送路徑410。
根據此處所述之數個實施例,傳送系統係提供而包括至少一回送軌道423。此至少一回送軌道423從第二基板處理模組402延伸通過此些沈積模組110至第一基板處理模組401。空的載體可沿著此至少一回送軌道423從第二基板處理模組402通過此些沈積模組110傳送至第一基板處理模組401。於一些實施例中,可設置二或多個回送軌道。
此至少一回送軌道423可裝配,以用於在本質上垂直定向中傳送空的載體。此至少一回送軌道423可配置而靠近此些沈積模組110之側壁,使得沈積模組中之沈積製程係不受回送之載體負面影響。
真空系統400可裝配成串連真空沈積系統,其中基板係沿著主傳送方向P傳送通過此些沈積模組110,及停止於沈積模組中之預定位置。材料係於沈積模組中之預定位置處沈積於靜止之基板上。
真空系統400可包括第1圖之真空系統100之一些特徵或全部特徵,使得參照可以上述說明達成而不於此重複。
特別是,真空系統400可包括四個、八個、十二個或更多個沈積模組,於主傳送方向P中沿著主傳送路徑410配置。基板可從第一基板處理模組401傳送通過此些沈積模組至第二基板處理模組402。
第一基板軌道及第一遮罩軌道可在沈積源105之第一側上沿著主傳送路徑410設置,及第二基板軌道及第二遮罩軌道 可在沈積源105之第二側上沿著主傳送路徑410設置。回送軌道可選擇地設置於沈積源105之兩側上,舉例為設置而靠近沈積模組之側壁。於一些實施例中,此些軌道可彼此平行。於一些實施例中,傳送系統可裝配,以用於沿著此些軌道非接觸式傳送載體。在沈積模組中可減少粒子產生。
將塗佈之基板10可經由第一裝載腔室(未繪示於第4圖中)裝載於真空系統400中。基板10可裝載至第一基板處理模組401中。於第一基板處理模組401中,基板10可在第一定向中位於基板載體15上。第一定向舉例為本質上水平定向(+/-10°)。在定位基板10於基板載體15上之後,基板載體可舉例為藉由真空擺動模組移動至本質上垂直定向中。基板10可藉由夾持裝置支承於基板載體15。夾持裝置舉例為靜電吸座。
當用以於水平定向及垂直定向之間改變基板載體之定向之真空擺動站係配置於第一基板處理模組401中時,第一基板處理模組401可意指為「真空擺動模組」。於一些實施例中,於第一基板處理模組401中,支承基板10之基板載體15可在本質上垂直定向中位於第一基板軌道122上。
於一些實施例中,第一基板處理模組401可包括第一真空擺動站及(選擇之)第二真空擺動站。第一真空擺動站係裝配,以用於配置基板載體15於第一基板軌道122上。第二真空擺動站係裝配,以用於配置其他基板載體於第二基板軌道132上。
於一些實施例中,真空系統400可包括緩衝模組403。緩衝模組403配置於第一基板處理模組401之下游,舉例為在第一基板處理模組401及此些沈積模組110之間。於 一些實施例中,軌道切換裝置可設置於緩衝模組403中。軌道切換裝置可裝配,以用於在橫向方向T中於此至少一回送軌道423、第二回送軌道433、第一基板軌道122及/或第二基板軌道132之間平移基板載體。橫向方向T垂直於主傳送方向P。舉例來說,已經沿著此至少一回送軌道423回送之空的載體可在橫向方向T中平移至第一基板軌道122上。緩衝模組403可替換地或額外地包括載體儲存器或載體停留區域,用於短暫地存儲一個、兩個或多個基板載體。
於一些實施例中,真空系統400可更包括載體旋轉模組404。載體旋轉模組404可配置於第一基板處理模組401及/或緩衝模組403之下游,及此些沈積模組110之上游。載體旋轉模組404可裝配,以用於旋轉支承基板之基板載體。因此,由基板載體支承之基板的定向可在載體旋轉模組404中回復。再者,基板載體可於第一基板軌道122及第二基板軌道132之間切換。載體旋轉模組404可包括二或多個可旋轉基板軌道。於一些實施例中,舉例為當僅有一個真空擺動模組係設置於第一基板處理模組401中時,沿著第二基板軌道132之將塗佈之基板的定向可在載體旋轉模組中藉由旋轉改變。特別是,藉由回復由基板載體支承之基板之定向,可確保基板之主表面面向沈積源105。
載體旋轉模組404係為選擇之元件。舉例來說,取代設置載體旋轉模組404而言,可設置第二真空擺動站,用以於正確定向中定位基板載體於第二基板軌道132上。
於一些實施例中,此些沈積模組110之二或多個沈積模組可設置於第一基板處理模組401之下游。沈積模組可沿著主傳送路徑410直接相鄰於彼此配置。或者,維護區域可提供於此些沈積模組之間,類似於繪示在第2圖中之維護區域115。由基板載體支承之基板可在沈積源105之兩側上沿著第一基板軌道122及沿著第二基板軌道132傳送通過沈積模組。
於一些實施例中,真空系統400可包括一或多個旋轉模組406,裝配以用於繞著旋轉軸旋轉基板、遮罩及/或空的載體。
舉例來說,旋轉模組406可於主傳送路徑中配置於此些沈積模組110之兩個沈積模組之間。舉例來說,旋轉模組406可在主傳送路徑410中配置於此些沈積模組110之第一次組合之下游及此些沈積模組110之第二次組合之上游。旋轉模組406可包括數個可旋轉軌道,其中,於第一旋轉位置中,此些可旋轉軌道可於主傳送方向P中延伸,以及,於第二旋轉位置中,此些可旋轉軌道可於橫向方向T中延伸。
因此,於第一旋轉位置中,基板、遮罩裝置及/或空的載體可沿著主傳送路徑410傳送通過旋轉模組406,舉例為從上游沈積模組傳送至下游沈積模組。於第一旋轉位置中,基板及/或遮罩裝置可於橫向方向T中依循路徑傳送至主傳送路徑410中或離開主傳送路徑410。
舉例來說,旋轉模組406可提供而用於在橫向方向T中依循路徑傳送遮罩裝置至主傳送路徑410中及/或用以依循路徑傳送遮罩裝置離開主傳送路徑410。特別是,將使用遮罩裝置可從遮罩處理模組405經由旋轉模組406依循路徑傳送至主傳送路徑中,將使用遮罩裝置可在主傳送路徑分別位於其中一個沈積模組中。已使用遮罩裝置可從主傳送路徑經由旋轉模組406依循路徑傳送而回到遮罩處理模組405中,以舉例為從真空系統卸載。
旋轉模組406可包括數個可旋轉軌道,舉例為配置於旋轉軸之第一側上之第一遮罩軌道及第一基板軌道,及配置於旋轉軸之相反於第一側之第二側上的第二遮罩軌道及第二基板軌道。於一些實施例中,旋轉模組406可包括至少一可旋轉回送軌道,用以回送空的載體朝向第一基板處理模組401。於一些實施例中,旋轉模組406可包括六個可旋轉軌道,舉例為在旋轉軸之各側上之三個可旋轉軌道。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,真空系統400可包括遮罩處理模組,裝配以用於處理遮罩裝置。遮罩處理模組405可包括遮罩處理組件,用以貼附遮罩裝置於遮罩載體及/或用以從遮罩載體拆開遮罩裝置。舉例來說,用以貼附遮罩裝置於遮罩載體之第一遮罩處理組件451可設置於遮罩處理模組405中,及用以從遮罩載體拆開遮罩裝置之第二遮罩處理組件452可設置於遮罩處理模組405中。
第一遮罩處理組件451可裝配,以用以在非水平定向中舉例為經由裝載腔室裝載遮罩裝置至真空系統400中,用以旋轉遮罩裝置至本質上垂直定向中,及用以貼附遮罩裝置至遮罩載體。 遮罩載體可設置於本質上垂直定向中之第一遮罩側軌道453上。遮罩載體可接著在橫向方向T中沿著第一遮罩側軌道453傳送至旋轉模組406中,且可依循路徑傳送至主傳送路徑410中。遮罩載體 可接著沿著主傳送路徑410傳送至沿著第一遮罩軌道或沿著第二遮罩軌道之其中一個沈積模組中。
第二遮罩處理組件452可裝配,以用於從遮罩載體拆開遮罩裝置,遮罩載體可配置於遮罩處理模組405中的第二遮罩側軌道454上。已拆開之遮罩裝置可從本質上垂直定向旋轉至非垂直定向中,且可舉例為經由裝載腔室從真空系統400卸載。
第一遮罩處理組件451及/或第二遮罩處理組件452可包括機器人裝置,舉例為機械臂,裝配以用於遮罩支承部份的旋轉運動及平移運動。再者,機器人裝置可包括夾持裝置,例如是磁性吸座,用以吸引遮罩裝置於機器人裝置之遮罩支承部份。於一些實施例中,舉例為藉由控制磁性吸座,且磁性吸座可設置而用於支承遮罩裝置於遮罩載體之支承表面,機器人裝置可裝配以,用於啟動遮罩裝置之貼附或從遮罩載體之拆開。
於一些實施例中,各遮罩處理模組405可裝配,以提供遮罩裝置至此些沈積模組之一些相關之沈積模組。舉例來說,第4圖之真空系統400包括兩個遮罩處理模組405及沿著主傳送路徑410配置之八個沈積模組,其中四個沈積模組可與各遮罩處理模組405相關。遮罩處理模組405可供應乾淨之遮罩裝置給相關之沈積源及可自真空系統從相關之沈積源卸載已使用遮罩裝置,舉例為用以清洗或維護。舉例來說,於第4圖中之左側上的遮罩處理模 組405可與上游之沈積模組相關,及於第4圖中之右側上之遮罩處理模組405可與下游之沈積模組相關。
遮罩處理模組405可相對於主傳送路徑410側向配置,使得運載將使用遮罩裝置之遮罩載體可從遮罩處理模組405經由旋轉模組406依循路徑傳送至主傳送路徑410中,及運載已使用遮罩裝置之遮罩載體可經由旋轉模組406依循路徑傳送離開主傳送路徑而至遮罩處理模組405中。節省空間及緊密之真空系統可提供。再者,系統之週期節拍(cycle tact)可減少,因為藉由提供二或多個遮罩處理模組來供應主傳送路徑410之個別區段,用於在沈積模組中進行遮罩交換的時間可減少。於一些實施例中,相鄰之沈積模組的二或多個遮罩裝置可同時進行交換。
於一些實施例中,一個遮罩處理模組405及相關之沈積模組係形成真空腔室之一個「群集(cluster)」。相關之沈積模組係藉由遮罩處理模組405提供遮罩裝置。範例之群集460係在第4圖中以虛線方形框住。各群集可包括主傳送路徑410之一部份,包括此些沈積模組110之次組合;配置於主傳送路徑410中之旋轉模組406,旋轉模組406舉例為次組合之兩個沈積模組之間;及相鄰於旋轉模組406配置之遮罩處理模組405,其中旋轉模組可裝配,以用於依循路徑傳送遮罩裝置進入及離開主傳送路徑410。群集可選擇地更包括一或多個側沈積模組407,此一或多個側沈積模組407相對於主傳送方向P於橫向方向T中延伸。旋轉模組406可裝配,以用於從主傳送路徑410依循路徑傳送基板及遮罩裝置進入側沈積模組407中。側基板軌道及側遮罩軌道可設置於側沈積模組407中。
側沈積模組407可理解為一沈積模組,此沈積模組在主傳送路徑410之一側上相鄰於旋轉模組406配置且包括一或多個側軌道。此一或多個側軌道相對於主傳送方向P在橫向方向T中延伸。沈積源可設置於各側沈積模組中。舉例來說,側沈積模組407可使用而作為額外之沈積腔室,裝配以用於增加先前已沈積之材料層的厚度。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,維護模組408可選擇地相鄰於沈積模組配置,特別是在遠離主傳送路徑410之一側處相鄰於側沈積模組407。用以傳送沈積模組之沈積源至維護模組408中的源軌道可於維護模組408及側沈積模組407之間延伸。沈積源可移動至維護模組408中而用以服務或維護,或在系統之閒置時間之期間,沈積源可移動至維護模組408中。
於可與此處所述其他實施例結合之一些實施例中,可設置軌道切換模組。軌道切換組件可設置於軌道切換模組中。軌道切換組件係裝配,以在橫向方向T中於此些軌道之二或多個軌道之間平移載體。舉例來說,第4圖之緩衝模組403可裝配成軌道切換模組。
於一些實施例中,可設置一或多個基板處理模組,裝配以貼附基板於基板載體或從基板載體拆開基板。舉例來說,第一基板處理模組401可配置於真空系統之上游端,其中第一基板處理模組401可包括基板處理組件,基板處理組件用以貼附基板於基板載體。舉例來說,第二基板處理模組402可配置於真空系統之下游端,其中第二基板處理模組402可包括基板處理組件,基板處理組件用以從基板載體拆開基板。
於一些實施例中,第二緩衝模組409可配置於此些沈積模組110之下游。如第4圖中範例性所示,第二緩衝模組409可於橫向方向T中延伸,及旋轉模組406可相鄰於第二緩衝模組409設置,用以改變基板載體之定向。顯而易見的是,於替代之實施例中,第二緩衝模組409可於主傳送方向P中延伸。
於一些實施例中,第一組沈積模組可在主傳送方向中一個接著另一個配置,及第二組沈積模組可在橫向方向中一個接著另一個配置。旋轉模組可連接第一組沈積模組及第二組沈積模組。
於一些實施例中,第二基板處理模組402可配置於真空系統400之下游端。已塗佈之基板可在第二基板處理模組402中從基板載體拆開及從真空系統400卸載。如第4圖中所示,第二基板處理模組可包括兩個真空擺動站,其中第一真空擺動站可裝配以用於從第一基板軌道122上之基板載體拆開基板,及第二真空擺動站可裝配以用於從第二基板軌道132上之基板載體拆開基板。於最下游之旋轉模組中改變基板載體之定向可替代地或額外地為可行的,使得一個單一真空擺動站可於一些實施例中為足夠的。
空的基板載體係從第二基板處理模組402沿著此至少一回送軌道423及/或沿著第二回送軌道433傳送通過此些沈積模組而回到第一基板處理模組401。新的將塗佈之基板可於第一基板處理模組401貼附於空的基板載體。
如上方已更詳細之說明,用以相對於遮罩載體對準基板載體之對準單元可設置於各沈積模組中。
根據本揭露之其他方面,一種沈積數個材料於基板上之方法係說明。此方法包括於主傳送方向P中沿著第一基板軌道傳送支承基板之基板載體通過數個沈積模組。
基板係於沈積模組中停止於預定位置,及材料係利用沈積源沈積於基板上。其中,沈積源係移動通過基板。沈積源可蒸發源,裝配以用於在主傳送方向P中平移。
支承基板之基板載體之傳送可於主傳送方向P中繼續,直到基板係配置於接續之沈積模組中。基板係於接續之沈積模組中停止於預定位置,及其他材料係利用其他的可移動沈積源沈積於基板上。
在傳送基板通過此些沈積模組之後,堆疊層可形成於基板上。
基板可於第二基板處理模組中從基板載體拆開,第二基板處理模組係設置於真空系統之下游端,及空的載體可於回送方向中沿著回送軌道傳送通過此些沈積模組,回送方向相反於主傳送方向。回送軌道可配置於基板軌道及此些沈積模組之側壁之間。
之後,新的將塗佈之基板可在第一基板處理模組中貼附於空的載體。
於一些實施例中,此方法更包括:沿著第一遮罩軌道傳送支承遮罩裝置之遮罩載體,及利用設置於其中一個沈積模組中之對準單元相對於遮罩載體對準基板載體。
遮罩軌道可平行於基板軌道延伸通過此些沈積模組。對準單元可連接於沈積模組之頂部牆及/或底部牆。
此處所使用之名稱「載體」可意指基板載體或遮罩載體,基板載體係裝配以用於運載基板通過真空系統,遮罩載體係裝配以用於運載遮罩裝置通過真空系統。在處理期間,也就是於真空系統中傳送期間及/或沈積期間,遮罩載體係裝配以運載遮罩裝置。於一些實施例中,遮罩裝置可於本質上垂直定向中支承於遮罩載體。
載體可包括載體主體,載體主體具有支承表面,裝配以運載基板或遮罩裝置,特別是在本質上垂直定向中運載基板或遮罩裝置。舉例來說,舉例為藉由靜電吸座及/或藉由磁性吸座,基板可貼附於基板載體。舉例來說,遮罩裝置可藉由夾持裝置貼附於遮罩載體。其他形式之夾持裝置可使用。
此處所使用之「傳送」、「移動」、或「依循路徑傳送(routing)」基板或遮罩裝置一般係意指載體之個別運動,特別是在本質上垂直定向中之載體之個別運動。載體係支承基板或遮罩裝置於載體之支承表面的。
綜上所述,雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10、521‧‧‧基板
11‧‧‧遮罩裝置
12‧‧‧空的載體
15、522‧‧‧基板載體
100、200、400‧‧‧真空系統
105、500‧‧‧沈積源
110、510‧‧‧沈積模組
111‧‧‧第一側壁
112‧‧‧第二側壁
115‧‧‧維護區域
120‧‧‧軌道
121‧‧‧第一遮罩軌道
122‧‧‧第一基板軌道
123、423、517‧‧‧回送軌道
131‧‧‧第二遮罩軌道
132‧‧‧第二基板軌道
133、433‧‧‧第二回送軌道
201‧‧‧第一沈積模組
202‧‧‧第二沈積模組
401‧‧‧第一基板處理模組
402‧‧‧第二基板處理模組
403‧‧‧緩衝模組
404‧‧‧載體旋轉模組
405‧‧‧遮罩處理模組
406‧‧‧旋轉模組
407‧‧‧側沈積模組
408‧‧‧維護模組
409‧‧‧第二緩衝模組
410‧‧‧主傳送路徑
451‧‧‧第一遮罩處理組件
452‧‧‧第二遮罩處理組件
453‧‧‧第一遮罩側軌道
454‧‧‧第二遮罩側軌道
460‧‧‧群集
501B、501C、501D‧‧‧箭頭
502‧‧‧支撐件
504‧‧‧坩鍋
506‧‧‧分佈管
531‧‧‧遮罩載體
532‧‧‧遮罩裝置
P‧‧‧主傳送方向
R‧‧‧回送方向
T‧‧‧橫向方向
為了使本揭露之上述特徵可詳細地瞭解,簡要摘錄於上之本揭露之更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下方。典型實施例係繪示於圖式中且於下文中詳細地說明。
第1圖繪示根據此處所述實施例之真空系統之示意圖;
第2圖繪示根據此處所述實施例之真空系統之示意圖;
第3A及3D圖繪示根據此處所述實施例之真空系統之沈積模組中之沈積源的數個位置的示意圖;以及
第4圖繪示根據此處所述實施例之真空系統之示意圖。

Claims (20)

  1. 一種用以沈積複數個材料於一基板(10)上之真空系統(100),包括: 複數個沈積模組(110),沿著一主傳送方向(P)配置及包括複數個沈積源(105),該些沈積源係於該主傳送方向(P)中為可移動的;以及 一傳送系統,具有複數個軌道(120),該些軌道於該主傳送方向(P)中延伸通過該些沈積模組(110)及包括一第一遮罩軌道(121)、一第一基板軌道(122)及一回送軌道(123),該第一遮罩軌道用於遮罩傳送,該第一基板軌道用於基板傳送,該回送軌道用以回送複數個空的載體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之真空系統,其中該第一遮罩軌道(121)、該第一基板軌道(122)、及該回送軌道(123)係於該些沈積源(105)之一第一側上平行於彼此延伸。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之真空系統,其中該回送軌道(123)係配置於該第一基板軌道(122)及該些沈積模組(110)之一第一側壁(111)之間。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之真空系統,其中該些軌道(120)更包括一第二遮罩軌道(131)、一第二基板軌道(132)、及一第二回送軌道(133),該第二遮罩軌道用於遮罩傳送,該第二基板軌道用於基板傳送,該第二回送軌道用以回送該些空的載體。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之真空系統,其中該第二遮罩軌道(131)、該第二基板軌道(132)、及該第二回送軌道(133)係於該些沈積源(105)之一第二側上平行於彼此延伸。
  6. 如申請專利範圍第1至5項之任一者所述之真空系統,其中該些軌道(120)係裝配,以用於於一本質上垂直定向中傳送複數個基板載體或複數個遮罩載體。
  7. 如申請專利範圍第1至5項之任一者所述之真空系統,其中該傳送系統係裝配,以用於複數個基板載體及複數個遮罩載體之一非接觸式傳送。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之真空系統,其中該傳送系統包括複數個磁性懸浮裝置。
  9. 如申請專利範圍第1至5項之任一者所述之真空系統,其中該些沈積源(105)係繞著一個別之旋轉軸為可旋轉的。
  10. 如申請專利範圍第1至5項之任一者所述之真空系統,其中該些沈積源(105)係沿著複數個源軌道為線性可移動的,該些源軌道係於該主傳送方向(P)中延伸。
  11. 如申請專利範圍第1至5項之任一者所述之真空系統,其中該些沈積源係複數個蒸發源,裝配以用於沈積複數個有機材料於該基板上且包括一坩鍋及一分佈管,該分佈管係於一本質上垂直方向中延伸且具有複數個蒸汽開孔。
  12. 如申請專利範圍第1至5項之任一者所述之真空系統,更包括一對準單元,裝配以用於相對於該第一遮罩軌道(121)上之一遮罩載體對準該第一基板軌道(122)上之一基板載體 。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之真空系統,其中該對準單元係連接於該些沈積模組之其中一者之一牆,及包括一第一固定件及一第二固定件,該第一固定件用以固定該基板載體於該對準單元,該第二固定件用以固定該遮罩載體於該對準單元。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之真空系統,其中該對準單元係連接於該些沈積模組之其中該者之一頂部牆及一底部牆之至少一者。
  15. 如申請專利範圍第1至5項之任一者所述之真空系統,更包括: 一旋轉模組(406),配置於該些沈積模組(110)之二個沈積模組之間且包括複數個可旋轉軌道,其中,於一第一旋轉位置中,該些可旋轉軌道於該主傳送方向(P)中延伸,以及,於一第二旋轉位置中,該些可旋轉軌道於一橫向方向(T)中延伸。
  16. 如申請專利範圍第1至5項之任一者所述之真空系統,更包括下述之一或多者: 一遮罩處理模組(405),包括一遮罩處理組件,用以貼附複數個遮罩裝置於複數個遮罩載體及/或用以從該些遮罩載體拆開該些遮罩裝置; 一側沈積模組(407),相鄰於一旋轉模組(406)配置且包括一或多個側軌道,該一或多個側軌道相對於該主傳送方向(P)於一橫向方向(T)中延伸; 一維護模組(408),相鄰於該側沈積模組(407)配置,其中用以傳送該些沈積源之其中一者之複數個源軌道係於該維護模組及該側沈積模組之間延伸; 一軌道切換模組,包括一軌道切換組件,裝配以在該橫向方向(T)中於該些軌道(120)之二或多個軌道之間平移一載體;以及 一或多個基板處理模組,裝配以貼附該基板(10)於一基板載體或從該基板載體拆開該基板(10)。
  17. 一種真空系統(400),用以沈積複數個材料於一基板載體(15)支承之一基板(10)上,該真空系統包括: 一第一基板處理模組(401),裝配以貼附該基板(10)於該基板載體(15); 一第二基板處理模組(402),裝配以從該基板載體(15)拆開該基板(10); 複數個沈積模組(110),沿著一主傳送方向(P)配置於該第一基板處理模組(401)及該第二基板處理模組(402)之間且包括複數個沈積源(105),該些沈積源係於該主傳送方向(P)中為可移動的;以及 至少一回送軌道(423),從該第二基板處理模組(402)延伸通過該些沈積模組(110)至該第一基板處理模組(401)。
  18. 一種沈積複數個材料於一基板上之方法,包括: 於一主傳送方向(P)中沿著一第一基板軌道傳送支承該基板(10)之一基板載體通過複數個沈積模組(110); 利用複數個沈積源(105)於該些沈積模組(110)中沈積該些材料於該基板上,該些沈積源係於該主傳送方向(P)中為可移動的;以及 於一回送方向(R)中沿著一回送軌道(123)傳送一空的載體(12)通過該些沈積模組,該回送方向相反於該主傳送方向(P)。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法,更包括: 沿著一第一遮罩軌道傳送支承一遮罩裝置之一遮罩載體,該第一遮罩軌道平行於該第一基板軌道;以及 利用提供於該些沈積模組之其中一者中的一對準單元相對於該遮罩載體對準該基板載體。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法,其中該對準單元係連接於該些沈積模組之其中該者之一頂部牆及一底部牆之至少一者。
TW107110716A 2017-04-28 2018-03-28 真空系統及用以沈積數個材料於一基板上之方法 TW201840033A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2017/060242 WO2018197010A1 (en) 2017-04-28 2017-04-28 Vacuum system and method for depositing a plurality of materials on a substrate
??PCT/EP2017/060242 2017-04-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201840033A true TW201840033A (zh) 2018-11-01

Family

ID=58668883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107110716A TW201840033A (zh) 2017-04-28 2018-03-28 真空系統及用以沈積數個材料於一基板上之方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200040445A1 (zh)
JP (1) JP2019518862A (zh)
CN (1) CN109154063A (zh)
TW (1) TW201840033A (zh)
WO (1) WO2018197010A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109964308B (zh) * 2017-10-25 2023-12-19 应用材料公司 用于真空腔室的载体、测试系统和方法、真空处理系统
KR102531483B1 (ko) 2018-10-04 2023-05-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이송 시스템
CN114144872A (zh) * 2019-07-25 2022-03-04 应用材料公司 用于在竖直取向上蒸镀oled层堆叠物的系统和方法
US20220250971A1 (en) * 2019-07-25 2022-08-11 Applied Materials, Inc. Substrate processing system for processing of a plurality of substrates and method of processing a substrate in an in-line substrate processing system
JP7290509B2 (ja) * 2019-08-15 2023-06-13 株式会社アルバック 真空処理装置
KR20210081597A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막 시스템 및 전자 디바이스 제조방법
KR20220129599A (ko) 2020-01-22 2022-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Oled 층 두께 및 도펀트 농도의 인-라인 모니터링
KR20220129598A (ko) * 2020-01-22 2022-09-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Oled 층 두께 및 도펀트 농도의 인-라인 모니터링
DE102020104113A1 (de) * 2020-02-17 2021-08-19 Benseler Beschichtungen Bayern GmbH & Co. KG Verfahren zum Beschichten mittels Dampfphasenabscheidung
CN111663104A (zh) * 2020-06-24 2020-09-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀系统及蒸镀方法
US11521870B2 (en) * 2020-07-08 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Annealing chamber

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL152376A0 (en) * 2000-04-25 2003-05-29 Tokyo Electron Ltd Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module
JP2011518252A (ja) * 2008-03-05 2011-06-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 回転モジュールを備えたコーティング装置
US10679883B2 (en) * 2012-04-19 2020-06-09 Intevac, Inc. Wafer plate and mask arrangement for substrate fabrication
JP6741594B2 (ja) * 2014-02-04 2020-08-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated キャリアによって支持された基板上に一又は複数の層を堆積させるためのシステム、及び当該システムを使用する方法
KR101983213B1 (ko) * 2014-03-21 2019-05-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 유기 재료를 위한 증발 소스
JP6704348B2 (ja) * 2014-03-21 2020-06-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 有機材料用の蒸発源
US10233528B2 (en) * 2015-06-08 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Mask for deposition system and method for using the mask

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018197010A1 (en) 2018-11-01
US20200040445A1 (en) 2020-02-06
CN109154063A (zh) 2019-01-04
JP2019518862A (ja) 2019-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201840033A (zh) 真空系統及用以沈積數個材料於一基板上之方法
TWI671848B (zh) 處理基板的設備、處理基板的系統以及真空室中對準基板載體和遮罩載體的方法
JP6741594B2 (ja) キャリアによって支持された基板上に一又は複数の層を堆積させるためのシステム、及び当該システムを使用する方法
JP6602457B2 (ja) 減圧システム内でマスクデバイスを取り扱う方法、マスクハンドリング装置、及び減圧システム
JP6840232B2 (ja) 真空チャンバ内でキャリアをアライメントするための装置、真空システム、ならびに真空チャンバ内でキャリアをアライメントする方法
JP2020502778A (ja) 堆積システム
KR20180100563A (ko) 나란히 있는 기판들을 갖는 연속적인 증발을 위한 장치 및 방법
KR20180116218A (ko) 진공 처리 시스템을 동작시키는 방법들
TW201921760A (zh) 處理一遮罩裝置之方法、用以交換一遮罩裝置之設備、遮罩交換腔室、及真空系統
TW201908500A (zh) 真空腔室內加工基板之設備和系統及真空腔室內運輸載體之方法
KR102444830B1 (ko) 진공 시스템에서 마스크들을 핸들링하는 방법들 및 진공 시스템
WO2019170252A1 (en) Vacuum processing system and method of operating a vacuum processing system
KR102553751B1 (ko) 인-라인 기판 프로세싱 시스템을 위한 마스크 핸들링 모듈 및 마스크 이송을 위한 방법
JP6833610B2 (ja) 有機材料用の蒸発源、有機材料用の蒸発源を有する装置、有機材料用の蒸発源を含む蒸発堆積装置を有するシステム、及び有機材料用の蒸発源を操作するための方法
JP2019518863A (ja) 一又は複数の材料を基板の上に堆積させる真空システム及び方法
JP2020518122A (ja) 真空チャンバ内でキャリアを操作するための装置、真空堆積システム、および真空チャンバ内でキャリアを操作する方法
KR102167534B1 (ko) 진공 챔버에서의 캐리어 정렬을 위한 장치 및 진공 시스템, 및 캐리어의 정렬 방법
WO2023093992A1 (en) Carrier transport system, vacuum deposition system, and method of carrier transport
WO2023222196A1 (en) Carrier transport system, vacuum deposition system, and method of transporting carriers
WO2021013359A1 (en) System and method to evaporate an oled layer stack in a vertical orientation