CN110234792A - 操作真空处理系统的方法 - Google Patents

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Abstract

描述一种操作真空处理系统(100、200、300)的方法，所述真空处理系统具有主要传输路径(50)，基板可沿着主要传输路径(50)在主要传输方向(Z)上传输。方法包括：(1a)从主要传输路径(50)输送出基板(10)至第一沉积模块(D1)中以在基板(10)上沉积第一材料；(1b)从主要传输路径(50)输送出基板(10)至第二沉积模块(D2)中以在基板(10)上沉积第二材料；和(1c)从主要传输路径(50)输送出基板(10)至一个或多个沉积模块以在基板(10)上沉积一种或多种材料。此外，描述了操作真空处理系统的一个或多个旋转模块的多种方法，所述真空处理系统经构造以在多个基板上沉积两种或更多种材料。

Description

操作真空处理系统的方法
技术领域
本公开内容的实施方式涉及操作真空处理系统的方法，特别是在多个基板上沉积两种、三种或更多种不同材料。实施方式特别涉及操作真空处理系统的方法，其中被基板载体保持的基板在真空处理系统中沿着基板传输路径传输例如被进入各种沉积模块和离开各种沉积模块。
背景技术
使用有机材料的光电装置出于多个原因而变得越来越普遍。用于制造上述装置的许多材料是相对廉价的，因此有机光电装置相较于无机装置具有成本优势的潜力。有机材料的固有特性(例如柔性)有利于诸如用于在柔性或非柔性基板上进行沉积的应用。有机光电装置的例子包括有机发光装置、有机光电晶体管(organic phototransistors)、有机光伏电池(organic photovoltaic cells)与有机光电检测器(organic photodetectors)。
有机发光二极管(OLED)装置的有机材料相较于传统材料可具有性能优势。例如，在有机发射层发射的光的波长可容易地通过适合的掺杂剂来调整。OLED装置使用在电压被施加至装置时发光的薄有机膜。OLED装置变成用于诸如平板显示器、照明和背光的应用中的越来越令人感兴趣的技术。
材料，特别是有机材料，通常在次大气压(sub-atmospheric pressure)下沉积在真空处理系统中的基板上。在沉积期间，掩模装置可被布置在基板的前方，其中掩模装置可具有限定开口图案的至少一个开口或多个开口，开口图案对应于待沉积(例如通过蒸发)于基板上的材料图案。基板在沉积期间通常布置在掩模装置之后，并相对于掩模装置对准。例如，掩模载体可用于将掩模装置传输至真空处理系统的沉积腔室中，基板载体可用于将基板传输至沉积腔室中以将基板布置在掩模装置之后。
通常，两种、三种、五种、十种或更多种材料可随后被沉积在基板上，例如用来制造彩色显示器。处理包括用于在多个基板上沉积不同材料的多个沉积模块的真空处理系统可能是困难的。特别地，在用于沉积不同材料的大型真空处理系统中处理基板传输(substrate traffic)与掩模传输(mask traffic)可能是具有挑战的。
因此，提供可靠操作用于在多个基板上来沉积材料的真空处理系统的方法是有益的。特别地，简化和加速经构造以用于在基板上进行掩模沉积的真空处理系统中的基板与掩模的传输与交换是有益的。
发明内容
鉴于上述，提出操作真空处理系统的多种操作方法与用于在多个基板上沉积不同材料的真空处理系统。
根据本公开内容的一个方面，提出一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有主要传输路径，基板可沿着所述主要传输路径传输。方法包括：从主要传输路径输送出基板至第一沉积模块中以在基板上沉积第一材料；从主要传输路径输送出基板至第二沉积模块以在此基板上沉积第二材料；与从主要传输路径输送出基板至一个或多个沉积模块以在基板上沉积一种或多种材料。
根据本公开内容的一个方面，提出一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块。方法包括，在时间段期间，在第一方向上将第一轨道上的承载基板或掩模装置的第一载体移动至旋转模块中；与在此时间段期间，在与第一方向相反的第二方向上将第二轨道上的第二载体移动进入此旋转模块和移动离开此旋转模块。
根据本公开内容的一个方面，提出一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块。方法包括；在时间段期间，在第一方向上将第一轨道上的承载第一基板的第一载体移动离开旋转模块；与在此时间段期间，在第一方向上将第一轨道上的承载第二基板的第二载体移动至旋转模块中。
根据本公开内容的一个方面，提出一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块。方法包括：将第一轨道上的承载第一基板或第一掩模装置的第一载体移动至旋转模块中，同时承载第二基板的第二载体被布置在旋转模块中的第二轨道上，和/或同时承载第二掩模装置的第三载体被布置在旋转模块中的第三轨道上。
根据本公开内容的一个方面，提出一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块。方法包括移动第一轨道上的承载基板的第一载体至旋转模块中，移动邻近第一轨道的第二轨道上的承载掩模装置的第二载体至旋转模块中；与同时旋转在旋转模块的中的第一载体与第二载体。
根据本公开内容的一方面，提出一种真空处理系统的操作方法，所述真空处理系统具有旋转模块与沉积区域。方法包括：在第一时间段期间，从沉积区域移动经涂布的基板与已使用的掩模装置至旋转模块中，接着在第二时间段期间，旋转在旋转模块中的经涂布的基板与已使用的掩模装置；和/或在第三时间段期间，从主要传输路径移动待涂布的基板与待使用的掩模装置至旋转模块中，接着在第四时间段期间，旋转在旋转模块中的待涂布的基板与待使用的掩模装置。
根据本公开内容的一个方面，提出一种真空处理系统。真空处理系统包括沿着主要传输路径设置的一个或多个传输模块和第一旋转模块；载体传输系统，经构造以用于沿着主要传输路径来传输载体；用于沉积第一材料的第一沉积模块，从第一沉积模块邻近第一旋转模块而布置在主要传输路径的第一侧上；与用于沉积第二材料的第二沉积模块，次第二沉积模块邻近第一旋转模块而布置在主要传输路径的与第一沉积模块相对的第二侧上。
根据本公开内容的一个方面，提出一种真空处理系统。真空处理系统包括沿着主要传输路径设置的一个或多个传输模块与第一旋转模块；载体传输系统，经构造以用于沿着主要传输路径传输载体；用于沉积第一材料的第一沉积模块，第一沉积模块邻近第一旋转模块而被布置在主要传输路径的第一侧上；用于沉积第一材料的第二线路(second-line)第一沉积模块，第二线路第一沉积模块邻近第一旋转模块而布置在主要传输路径的与第一侧相对的第二侧上；用于沉积第二材料的第二沉积模块，第二沉积模块邻近第一旋转模块而布置在主要传输路径的第二侧上；与用于沉积第二材料的第二线路第二沉积模块，第二线路第二沉积模块邻近第一旋转模块而布置在主要传输路径的第一侧上。
根据本公开内容的一个方面，提出一种真空处理系统。真空处理系统包括沿着主要传输路径设置的一个或多个传输模块、第一旋转模块与第二旋转模块；载体传输系统，经构造以用于沿着主要传输路径传输载体；用于沉积第一材料的第一沉积模块，第一沉积模块邻近第一旋转模块而布置在主要传输路径的第一侧上；用于沉积第二材料的第二沉积模块，次第二沉积模块邻近第二旋转模块而布置在主要传输路径的第一侧上；用于沉积第一材料的第二线路第一沉积模块，第二线路第一沉积模块邻近第一旋转模块而布置在主要传输路径的与第一沉积模块相对的第二侧上；与用于沉积第二材料的第二线路第二沉积模块，第二线路第二沉积模块邻近第二旋转模块而布置在主要传输路径的与第二沉积模块相对的第二侧上。
可选择地，可沿着主要传输路径来布置另外的旋转模块，并且另外的沉积模块可布置在另外的旋转模块附近并位于主要传输路径的第一侧上和/或第二侧上，邻近相应的旋转模块。另外的沉积模块可用于在基板上沉积另外的材料，例如第三材料、第四材料和/或另外的材料。材料堆叠(诸如包括十种或更多种不同的材料)可在根据本文所述的一些实施方式的真空处理系统中被沉积在基板上。
本公开内容的进一步方面、优点与特征从说明书和附图中是显而易见的。
附图说明
以可详细地理解本公开内容的上述特征的方式，可参照实施方式来获得本公开内容所简要概括于上文的更详细的描述。下文将描述涉及本公开内容的实施方式的附图。典型的实施方式示出于附图中且将在以下描述中详细说明。
图1是根据本文所述的一些方法的被构造为待操作的真空处理系统的布局的示意图；
图2示意性地示出根据本文所述的实施方式的操作图1的真空处理系统的方法的阶段(1a)与(1b)；
图3示意性地示出根据本文所述的实施方式的操作图1的真空处理系统的方法的后续阶段；
图4是根据本文所述的一些方法的被构造为待操作的真空处理系统的布局的示意图；和
图5是根据本文所述的一些方法的被构造为待操作的真空处理系统的布局的示意图。
具体实施方式
将详细地参照各种实施方式，实施方式的一个或多个示例示出于附图中。每一示例以说明的方式提供，而非用于限制本发明。例如，示出或描述为实施方式的部分的特征可用于其他任何的实施方式上或与其他任何实施方式结合以产生另一实施方式。本公开内容意欲包括这些修改与变化。
在以下对附图的描述中，相同的参考符号意指相同或相似的元件。一般，仅描述关于个别实施方式的差异。除非有特定说明，一个实施方式中的一个部分或方面的描述也适用于另一实施方式中的对应的部分或方面。
图1是根据本文所述的一些方法的被构造为待操作的真空处理系统100的布局的示意图。
真空处理系统100可包括一个或多个传输模块(例如第一传输模块T1与第二传输模块T2)、与沿着主要传输路径50布置的第一旋转模块R1。另外的传输模块和/或另外的旋转模块典型地沿着主要传输路径来设置，例如以交替布置(alternate arrangement)的方式进行设置。特别地，一个或多个传输模块、第一旋转模块R1与可选择的另外的旋转模块可沿着某个方向以实质上线性的设置方式而被布置，所述方向可以是真空处理系统100的主要传输方向Z。
一些实施方式中，三个、四个、五个或更多个旋转模块沿着主要传输路径50来布置。两个或更多个沉积模块可相邻于旋转模块而被布置，例如布置在主要传输路径的第一侧上与第二侧上。旋转模块可经构造以用于从主要传输路径来输送(routing)基板至可设置在主要传输路径的两侧并邻近旋转模块的两个或更多个沉积模块中。
例如，第一传输模块T1可沿着主要传输方向Z布置在第一旋转模块R1的上游，并且第二传输模块T2可沿着主要传输方向Z布置在第一旋转模块R1的下游。待涂布的基板可沿着主要传输路径50在主要传输方向Z中进行传输，即，从第一传输模块T1经由第一旋转模块R1朝向第二传输模块T2的方向。
用来将待涂布的基板装载至真空处理系统中的第一负载锁定腔室(load lockchamber)可布置在第一传输模块T1的上游，例如布置在主要传输路径的第一末端上，和/或用来从真空处理系统卸载经涂布的基板的第二负载锁定腔室可布置在第二传输模块T2的下游布置，例如布置在主要传输路径的第二末端上。
一些实施方式中，可设置用来在与主要传输方向Z相反的方向上送回空的载体的返回轨道，例如图1中的第二基板载体轨道32。
传输模块可被理解为能被插入于至少两个其他的真空模块或真空腔室之间(例如两个旋转模块之间)的真空模块或真空腔室。载体(例如掩模载体和/或基板载体)可在传输模块的长度方向上传输通过传输模块。传输模块的长度方向可对应于真空处理系统的主要传输方向Z。一些实施方式中，可在传输模块中设置用于引导载体通过传输模块的两个或更多个轨道。例如，用来传输基板载体的两个基板载体轨道与用来传输掩模载体的两个掩模载体可延伸通过传输模块。一些实施方式中，一个或多个载体可被暂时地停止或“停驻(park)”于传输模块中，直到可继续沿着主要传输路径通过相邻旋转模块的一个或多个载体的传输。
旋转模块(本文中也称作“路由模块(routing module)”或“路由腔室(routingchamber)”)可被理解为经构造以用于改变一个或多个载体的方向的真空腔室。特别地，一个或多个载体的传输方向可通过在旋转模块中旋转位于轨道上的一个或多个载体来改变。例如，旋转模块可包括经构造以用来围绕旋转轴线旋转经构造以用于支撑载体的轨道的旋转装置。一些实施方式中，旋转模块包括至少两个轨道(图1中的第一轨道X1与第二轨道X2)，所述至少两个轨道可围绕旋转轴线旋转。第一轨道X1，特别是第一基板载体轨道，可被布置在旋转轴线的第一侧上，并且第二轨道X2，特别是第二基板载体轨道，可被布置在旋转轴线的第二侧上。
以180°的角度来进行的旋转模块的旋转可对应于轨道切换，即，旋转模块的第一轨道X1的位置与第二轨道X2的位置可被交换或互换。例如，通过以180°的角度旋转图1中的第一旋转模块R1，载体能从第一基板载体轨道31旋转至第二基板载体轨道32，或反之亦然。
一些实施方式中，旋转模块包括4个轨道，特别是两个掩模载体轨道与两个基板载体轨道，这4个轨道可围绕旋转轴线旋转。附图中仅示出了基板载体轨道。例如，第一掩模载体轨道与第一基板载体轨道可彼此邻近地布置于旋转模块的旋转轴线的第一侧上，并且第二掩模载体轨道与第二基板载体轨道可彼此邻近地布置于旋转模块的旋转轴线的第二侧上。
当旋转模块以x°(诸如90°)的角度旋转时，布置在轨道上的一个或多个载体的传输方向可改变x°(诸如90°)的角度。以180°的角度来进行的旋转模块的旋转可对应于轨道切换，即，旋转模块的第一基板载体轨道的位置与旋转模块的第二基板载体轨道的位置可被交换或互换，和/或旋转模块的第一掩模载体轨道的位置与旋转模块的第二掩模载体轨道的位置可被交换或互换。
根据本文所述的实施方式的真空处理系统可进一步包括载体传输系统，所述载体传输系统经构造以用于沿着主要传输路径50来传输载体，例如在主要传输方向Z上与本文中可称作“返回方向”的相反方向上。载体传输系统可包括用来升降与保持载体的诸如保持系统，例如磁悬浮(magnetic levitation)系统，与用来沿着载体传输路径沿着轨道来移动载体的驱动系统。
如本文所使用的“载体”一词可特别地指示经构造以用于在沿着载体传输路径(诸如沿着基板载体轨道)的传输期间保持基板的“基板载体”。一些实施方式中，基板可在非水平方向上(特别是在实质上垂直的方向上)被保持在载体处。如本文所使用的“载体”一词可指示用于在沿着传输路径(诸如沿着掩模载体轨道)的传输期间保持掩模装置的“掩模载体”。一些实施方式中，掩模装置可在非水平方向上(特别是在实质上垂直的方向上)被保持在载体处。
载体可包括具有保持表面的载体主体，所述保持表面经构造以用于保持基板或掩模装置，特别是在非水平的方向上，更特别是在实质上垂直的方向上。一些实施方式中，此载体主体可包括引导部分，所述引导部分经构造以沿着载体传输路径而被引导。例如，载体可通过保持装置(诸如磁悬浮系统)来保持，并且载体可通过驱动装置来移动，例如沿着掩模载体轨道或沿着基板载体轨道。
例如，基板可通过吸附(chucking)装置(例如静电吸盘和/或磁吸盘)而被保持在基板载体。例如，掩模装置可通过吸附装置(例如静电吸盘和/或磁吸盘)而被保持在掩模载体。可使用其他类型的吸附装置。
如本文所使用的“传输”、“移动”、“输送”或“旋转”基板或掩模装置可指示载体的相对运动，载体在载体的保持部分保持基板或掩模装置，特别是在非水平的方向上，更特别是在实质上垂直的方向上。
如本文所使用的“实质上垂直的方向”可被理解为从垂直的方向(即重力向量)具有10°或更小的偏移，特别是5°或更小的偏移的方向。例如，在基板(或掩模装置)的主要表面与重力向量之间的角度可在+10°与-10°之间，特别是在0°与-5°之间。一些实施方式中，基板(或掩模装置)的方向在传输期间和/或沉积期间可以是不完全垂直的，但相对于垂直轴轻微地倾斜，例如以0°与-5°之间的倾斜角，特别是以-1°与-5°之间的倾斜角倾斜。负角是指示其中基板或掩模装置向下地倾斜的基板(或掩模装置)的方向。在沉积期间从重力向量偏移的基板方向可以有益于沉积工艺且可能导致更适合的沉积工艺，或面朝下(facingdown)的方向可能适合于减少在沉积期间的基板上的颗粒。然而，在传输期间和/或沉积期间的完全垂直的方向(+/-1°)也是可能的。
一些实施方式中，在传输期间和/或沉积期间的重力向量与基板(或掩模装置)之间的更大的角度是可能的。在0°与+/-80°之间的角度可被理解为如本文所使用的“掩模装置的非水平方向”。在非水平方向上传输掩模装置可节省空间且允许更小的真空腔室。在传输期间的基板(或掩模装置)的水平方向也是可能的。
载体的保持表面在传输期间可至少暂时地实质上垂直地定向。在实质上垂直的方向上保持大面积基板(或掩模装置)是有挑战性的，这是因为基板(掩模装置)由于基板(或掩模装置)的重量而可能弯曲，或在握力(grip force)不足的情况下而可能从保持表面下滑。
如图1所例示性示出，真空处理系统100包括用来沉积第一材料的第一沉积模块D1和用来沉积第二材料的第二沉积模块D2，第一沉积模块D1邻近第一旋转模块R1而布置在主要传输路径50的第一侧S1上，第二沉积模块D2邻近第一旋转模块R1而布置在主要传输路径50的与第一侧相对于的第二侧S2上。另外的沉积模块邻近另外的旋转模块而布置。
可理解的是，图1可能仅显示了根据本文所述的实施方式的真空处理系统的一小部分。可布置另外的旋转模块(例如第二旋转模块R2)、和另外的沉积模块(例如用来沉积第三材料的第三沉积模块D3与用来沉积第四材料的第四沉积模块D4)。一些实施方式中，真空处理系统100可用来在基板上沉积层堆叠，所述层堆叠可包括例如5层或更多层随后沉积的层，例如10层或更多层、或15层或更多层。
如本文所使用的“沉积模块”可被理解为真空处理系统的区段或腔室，在所述区段或腔室处可在一个或多个基板上沉积材料，例如通过蒸发。通常沉积源35(例如经构造以用于将蒸发材料导向一个或多个基板的蒸气源)被布置于沉积模块中。例如，沉积源沿着可被设置于沉积模块中的源传输轨道可以是可移动的。沉积源35可在沿着源传输轨道来线性地移动的同时将蒸发材料导向一个或多个基板。在沉积期间，掩模装置可被布置于基板的前方。因此，沉积模块可经构造以用于在基板上的材料的掩模沉积。
可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，沉积模块可包括两个沉积区域，即用来布置第一基板的第一沉积区域36与用来布置第二基板的第二沉积区域37。第一沉积区域36可在沉积模块中与第二沉积区域37相对布置。沉积源35可经构造以依次将蒸发材料导向布置于第一沉积区域36中的第一基板并导向布置于第二沉积区域37中的第二基板。例如，沉积源的蒸发方向可以是可逆的，例如通过旋转(例如旋转180°的角度)沉积源35的至少一部份。
在布置于沉积模块的第一沉积区域36中的第一基板上的沉积期间，第二沉积区域37可被用来进行至少以下项中的一个或多个：移动待涂布的第二基板至第二沉积区域中；移动经涂布的第二基板离开第二沉积区域；在第二沉积区域中对准第二基板，例如相对于被设置于第二沉积区域中的掩模装置进行对准。相似地，在布置于沉积模块的第二沉积区域37中的第二基板上的沉积期间，第一沉积区域36可被用来进行以下项中的至少一个或多个：移动待涂布的第一基板至第一沉积区域中；移动经涂布的第一基板离开第一沉积区域；在第一沉积区域中对准第一基板，诸如相对于被设置于第一沉积区域中的掩模装置进行对准。因此，通过在沉积模块中设置两个沉积区域，能提升在给定的时间间隔中的涂布基板的数目。再者，能减少沉积源的闲置时间。例如，这是因为沉积源在待涂布的基板相对于掩模的对准期间可以不在闲置位置中，但可用于另一基板上的沉积。
根据本文所述的实施方式，描述一种操作真空处理系统100的方法。真空处理系统100可以是如图1所示意性地示出的真空处理系统100。真空处理系统100包括具有第一旋转模块R1、第一沉积模块D1与第二沉积模块D2的主要传输路径50。可设置另外的旋转模块与沉积模块。
图2例示性示出图1的操作真空处理系统的方法的阶段(1a)与(1b)。在阶段(1a)中，基板10从主要传输路径50输送至用来在基板上沉积第一材料的第一沉积模块D1中。接着，在阶段(1b)中，基板10从主要传输路经50输送至用来在基板10上沉积第二材料的第二沉积模块D2中。接着，在阶段(1c)中，另外的材料可在另外的沉积模块中(例如第三沉积模块D3中和/或第四沉积模块D4(未示出于图2中))。例如，基板可随后从主要传输路径被输送至第三沉积模块中与第四沉积模块中。具有合适数量的材料的堆叠能被沉积在基板上。
通常依次完成阶段(1a)、(1b)、(1c)，例如这些阶段之间分别地具有多个中间阶段。换句话说，在第一材料已在第一沉积模块D1中被沉积在基板10上之后，第二材料可在第二沉积模块D2中被沉积在基板10上。第一材料与第二材料可以是不同的有机材料。
在沉积每一材料之后，基板10可被分别地被退回至主要传输路径中并从旋转模块输送至后续的沉积模块中。
第一材料与第二材料可以是不同的材料。一些实施方式中，可提供两个或更多个沉积模块以在基板上沉积相同的材料。例如，当相同的材料在两个后续的沉积模块中被沉积在基板上时，能增加材料层的厚度，例如双倍。
第一材料可以是像素的阵列的第一色材(color material)(例蓝色色材)，和/或第二材料可以是像素的阵列的第二色材(例如红色色材)。像素的阵列的第三色材(例如绿色色材)可被预先地或后续地沉积。特别地，另外的材料可在相同的真空处理系统中在第一与第二材料之前或之后被沉积基板上。至少一些材料(例如第一材料与第二材料)可以是有机材料。至少一种材料可以是金属。例如，下列金属中得而一个或多个可被沉积在一些沉积模块中：铝(Al)、金(Au)、银(Ag)与铜(Cu)。至少一种材料可以是透明导电氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)。至少一种材料可以是透明材料。可沿着主要传输路径在第一旋转模块R1的上游和/或下游设置经构造以用来输送基板至另外的沉积模块的另外的旋转模块。
附图中，第一材料示意性地示出为方形，并且已涂布有第一材料的基板用方形来示出。第二材料示意性地示出为三角形，并且已涂布有第一材料与第二材料的基板用方形与三角形来示出。示意性地示出为圆形的另外的材料被预先地沉积在基板上。随后被沉积在基板上的可选的另外的材料示意性地示出为星形与多边形。基板上的虚线方形或虚线三角形代表在相应的阶段期间被沉积在相应的基板上的相应材料。
根据本文所述的一些实施方式的真空处理系统可为单线式系统(single-line-system)。例如，图1的真空处理系统100是单线式系统。其中基板与待涂布的每个后续基板以相同的序列被移动至相同的沉积模块中。在预定的时间间隔之后，特别是在对应于系统的节拍间隔(tact interval)的实质上恒定时间间隔之后，上述序列可分别针对后续基板开始。例如，基板与待涂布的每个后续基板可以预定序列被移动至布置在主要传输路径的两侧的每个沉积模块中。待涂布的每个后续基板可以相同的预定序列移动通过沉积模块。可提供紧凑的真空处理系统。
特别地，单线式系统中，在预定的时间间隔之后，特别是在对应于真空处理系统的节拍间隔的恒定时间间隔之后，更特别是在约60秒的恒定节拍间隔之后，可针对后续基板重复地开始序列(1a)-(1b)-(1c)。
其他实施方式中，可提供多线式系统(multi-line-system)，例如图4与图5中所例示性示出的双线式系统(two-line-system)。其中第一基板在第一序列中移动至沉积模块的第一子集中，并且待涂布的后续基板在第二序列中移动至沉积模块的第二子集中。在双线式系统中，待涂布的第二后续基板在第一序列中再次移动至沉积模块的第一子集中，待涂布的第三后续基板在第二序列中再次移动至沉积模块的第二子集中。换句话说，双涂布线(coating lines)(第一涂布线与第二涂布线)被提供于相同的真空处理系统中以用来交替地涂布后续基板。在可对应于整个系统的节拍间隔的两倍的预定的时间间隔之后，第一序列(即沿着第一涂布线的基板的移动)可针对待涂布的单独的基板而开始。在可对应于整个系统的节拍间隔的两倍的预定的时间间隔之后，第二序列(即沿着第二涂布线的基板的移动)可针对单独的基板而开始。换句话说，双涂布线的接合可提供整个系统的总节拍时间(tact time)，然而双涂布线的每一个可在整个系统的每一个第二节拍间隔开始新的涂布序列。
在多线式系统中，基板10仅被移动至一部份的沉积模块中以用于涂布，特别是仅被移动至一半的沉积模块中，并且后续基板仅被移动至另外一部分的沉积模块中以用于涂布，特别是仅被移动至另外一半的沉积模块中。
沿着主要传输路径50来移动基板10可包括沿着主要传输路径50(例如从第一传输模块T1到第一旋转模块R1)的保持基板10的基板载体的移动，如图1中的箭头所示意性地示出。基板10可已被涂布有一种或多种材料(由图1中的圆圈所示出)。在基板10的移动期间，基板可通过基板载体来承载，特别是在非水平方向上，更特别是在实质上垂直的方向上。
如图1中各个箭头所示意性地示出，沿着主要传输路径50布置的多个基板可同步地沿着主要传输路径50来移动。例如，布置在第一基板载体轨道31上的基板载体可在主要传输方向Z上同步地移动至各自相邻模块中，和/或布置在第二基板载体轨道32(本文中也称作“返回轨道”)上的基板载体可在相反方向(本文中也称作“返回方向”)上同步地移动至各自相邻模块中。本文所使用的“同步地”可被理解为“相同的时间窗口之内”，例如10秒或更少，特别是约5秒。
特别地，在一些实施方式中，其中旋转模块布置于主要传输路径的方向上的时间间隔可用来在返回方向上沿着返回轨道来同步地退回空的载体21。在其中旋转模块处于旋转状态中的时间间隔中，空的载体可在各自的传输模块中等待，直到沿着主要传输路径50的下一个同步运动成为可能。沿着返回轨道的两个相邻的空的载体可暂时延迟一个节拍间隔。换句话说，后续的空的载体可在一个节拍间隔之后(例如60秒之后)处于先前空的载体的位置(也可参见图3的阶段(1a-1)至(1a-8))。
相似地，布置在第一基板载体轨道31上的两个基板载体可暂时地延迟一个节拍间隔的数倍。例如，布置在图1中的第一基板载体轨道31上的基板10与第四基板14可暂时地延迟五个节拍间隔。换句话说，基板10将对在五个节拍间隔之后(例如约300秒之后)处于第四基板14的位置。在那时，基板10将会被涂布有第一材料与第二材料，如同在系统中那个位置上的第四基板14。
沿着主要传输路径50的载体的同步运动简化了真空处理系统中的载体传输(carrier traffic)，从而能减少节拍间隔且能在更小的节拍时间提供经涂布的基板。
要注意，主要传输路径50在一些实施方式中可具有非线性的设置，并且示出于图1的线性的设置仅是一个例子。主要传输路径50可以被理解为一个路径，基板沿着所述路径而被传输，并且所述路径包括一个或多个分支点，通常是由相应的旋转模块来提供的分支点，在所述分至点能将基板输送离开主要传输路径以用于在一个或多个沉积模块中使用材料来进行涂布。再者，在一个或多个分支点处，基板能被输送回主要传输路径中，以用于继续沿着主要传输路径传输基板。
如图2的阶段(1a)所示意性地示出，使基板10离开主要传输路径50的输送可包括将基板10从第一旋转模块R1移动离开主要传输路径50，并移动至第一沉积模块D1中和/或第二沉积模块D2中，第一旋转模块R1可用于改变基板10的传输方向。特别地，基板10可在主要传输方向Z上进入第一旋转模块R1，并可在可与主要传输方向Z垂直的第二方向上离开第一旋转模块R1而朝向第一沉积模块D1或朝向第二沉积模块D2。例如，第一旋转模块R1可用来以约90°的角度来旋转基板10。
一些实施方式中，如图2的阶段(1a)所示意性地示出，基板10从第一旋转模块R1移动至第一沉积模块D1中。当基板10在第一沉积模块D1中沉积第一材料之后(以方形示出)，基板10可被移动返回至第一旋转模块R1中。
如图2的阶段(1b)所示意性地示出，在阶段(1b)中，基板10可从第一旋转模块R1移动至第二沉积模块D2，以便在第二沉积模块D2中用第二材料来进行涂布。当基板10上沉积第二材料之后，基板10可被移动返回至第一旋转模块R1中。此后，第一旋转模块R1可旋转基板10回到主要传输方向Z，并且沿着主要传输路径50的基板的传输可被继续。
一些实施方式中，第一旋转模块R1布置于主要传输路径50中。的另外的旋转模块(例如第二旋转模块R2)可在第一旋转模块R1的下游布置于主要传输路径中，例如用于从主要传输路径50输送出基板至使用另外的材料来进行涂布的另外的沉积模块中。
使基板10从主要传输路径50输送至第一沉积模块D1中且随后输送至第二沉积模块D2中以用来在基板上沉积不同材料的基板的输送简化了在真空处理系统中的基板传输。因此，能减少沉积工艺的节拍间隔，并且能在给定的时间段内可使用多个材料来涂布更多数量的基板。换句话说，能在更小的节拍时间提供经涂布的基板。
第一旋转模块R1和/或每个另外的旋转模块可包括布置于第一旋转模块R1的旋转轴线的第一侧上的第一轨道X1与布置于第一旋转模块R1的旋转轴线的第二侧上的第二轨道X2。如图2的阶段(1a)所示意性地示出，在阶段(1a)中，基板10可被布置在第一旋转模块R1的第一轨道X1上。
当基板10在第一轨道X1上进入第一旋转模块R1的移动期间，第一旋转模块R1的第二轨道X2可以是空的。或者，第一旋转模块R1的第二轨道X2可能正被使用。例如，如图1所示意性地示出，在相同的时间段中可从第二轨道X2移动空的载体21。可在相反于主要传输方向Z(例如装载着待涂布的新的基板)的方向上沿着第二基板载体轨道32来引导空的载体21。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，在阶段(1a)中，在基板10从第一旋转模块R1的第一轨道X1移动离开第一旋转模块R1并移动至来第一沉积模块D1中的时间段期间，第二基板11可被布置于第一旋转模块R1的第二轨道X2上。第二基板11示意性地示出于图2的阶段(1a)中。
第二基板11可以是在基板10之前已经在第一沉积模块D1中涂布了第一材料的基板。在第二基板11上沉积第一材料的之后，可从第一沉积模块D1移动第二基板11至第一旋转模块R1的第二轨道X2上，特别是当第一轨道X1可能已经被基板10所占据。随后，如图2的阶段(1a)所示意性地示出，可旋转第一旋转模块R1，并且可从第一轨道X1移动基板10至第一沉积模块D1中。因此，能加速第一沉积模块D1中的第二基板11与基板10的交换并能减少沉积工艺的节拍间隔。
特别地，可在第一沉积模块D1的相同的沉积区域中涂布第二基板11与基板10的两者，例如图2中的左沉积区域。如图2的阶段(1a)所示意性地示出，能通过同时在第一旋转模块R1中布置基板10与第二基板11以用于基板的交换，来加速在所述沉积区域中的基板交换。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，在阶段(1a)中，在基板10从第一旋转模块R1移动至第一沉积模块D1中的时间段期间，可从第二沉积模块D2移动第三基板12至第一旋转模块R1中。第三基板12示意性地示出于图2的阶段(1a)中。
特别地，可与从第一轨道X1离开第一旋转模块R1并移动至第一沉积模块D1中的基板10的移动的同步地，或可直接在基板10的移动之后，移动第三基板12至第一轨道X1上的第一旋转模块R1中。例如，如图2的阶段(1a)中的相应的箭头所示意性地示出，第三基板12与基板10的移动可在10秒或更小的时间窗口内发生，特别是约5秒。
因此，第一旋转模块R1的第一轨道X1在随后被马上用于旋转第三基板12，第三基板12可以是已在第一沉积模块D1中涂布了第一材料并在第二沉积模块D2中涂布了第二材料的基板(由方形与三角形所示出)。第三基板12可被输送回主要传输路径50中。
第一沉积模块D1可相对于第二沉积模块D2而被布置在第一旋转模块R1的相对侧上。第一旋转模块R1可用来进行在第一沉积模块D1与第二沉积模块D2之间的基板传输。能改善第一旋转模块R1的使用并能减少沉积工艺的节拍时间。
在图1所示出的旋转模块的第一旋转位置中，第一轨道X1与第二轨道X2经布置以将主要传输路径50的上游与主要传输路径50的下游连接。因此，可沿着主要传输路径50将基板输送通过旋转模块。例如，空的载体21可在(例如沿着第二基板载体轨道32)移动通过旋转模块。
替代地或附加地，在旋转模块的第二旋转位置中(例如，如图2的阶段(1a)所示意性地示出的从第一旋转位置逆时针旋转90°之后)，第一旋转模块R1的第一轨道X1可将第一沉积模块D1的第一沉积区域与第二沉积模块D2的第一沉积区域连接，和/或第一旋转模块R1的第二轨道X2可将第一沉积模块D1的第二沉积区域与第二沉积模块D2的第二沉积区域连接。
替代地或附加地，在第三旋转位置中(例如从第一旋转位置旋转180°之后)，第一轨道X1与第二轨道X2可经布置以将主要传输路径50的上游与主要传输路径50的下游连接。然而，第一轨道X1与第二轨道X2的位置可以被互换。
替代地或附加地，在旋转模块的第四旋转位置中(例如从第一旋转位置顺时针旋转90°之后)，第一旋转模块R1的第一轨道X1可将第一沉积模块D1的第二沉积区域与第二沉积模块D2的第二沉积区域连接，和/或第一旋转模块R1的第二轨道X2可将第一沉积模块D1的第一沉积区域与第二沉积模块D2的第一沉积区域连接。换句话说，可相对于第二旋转位置来互换第一轨道X1与第二轨道X2的位置。
图3示出操作真空处理系统的方法的后续阶段的更详细的序列。图3的两个后续阶段之间可经过3秒或更多且8秒或更小的时间间隔。所示出的序列可用于(i)从主要传输路径50传送基板10至第一沉积模块D1中以使用第一材料来涂布，(ii)从第一沉积模块D1传送已涂布有第一材料的第二基板11至第二沉积模块D2中，与(iii)从第二沉积模块D2传送已涂布有第一材料与第二材料的两者的第三基板12回到主要传输路径50中。
第二基板11可以是在基板10的两个或四个节拍间隔之前被涂布了第一材料的基板。在，第三基板12可以是在第二基板11的两个或四个节拍间隔之前被涂布了第一材料的基板。换句话说，基板10、第二基板11与第三基板12可暂时地延迟了一个节拍间隔的数倍，特别是两个或四个节拍间隔。
根据一些实施方式，在阶段(1a-1)中，基板10沿着主要传输路径50而移动至第一旋转模块R1的第一轨道X1上。在此时，第二基板11可在第一沉积模块D1中使用第一材料来涂布，并且第三基板12可在第二沉积模块D2中使用第二材料来涂布。
之后，在阶段(1a-2)中，第一旋转模块R1可以第一角度来旋转，例如以90°的角度顺时针旋转。例如，第旋转模块R1可以从第一旋转位置旋转至第四旋转位置。在此时，第一沉积模块D1中的第二基板11上的第一材料的沉积可能几乎或已经完成。第二沉积模块D2中的第三基板12上的第二材料的沉积可能尚未完成。例如，第一沉积模块D1中的第二基板11上的第一材料的沉积与第三基板12上的第二材料的沉积可以非精确地并行运行，但其间具有时间偏移，例如10秒或更多。所述小的时间偏移可对应用于旋转模块的两个旋转的时间。
要注意，在一些实施方式中，分别地，布置于主要传输路径的第一侧S1上的沉积模块中的沉积工艺可以是同步的，并且布置于主要传输路径的第二侧S2上的沉积模块中的沉积工艺可以是同步的。在布置于第一侧S1上的沉积模块中的沉积工艺与布置于第二侧S2上的沉积模块中的沉积工艺之间可以具有小的时间偏移。
在一些实施方式中，取决于主要传输路径的第一侧与第二侧上的第一与第二沉积模块的布置，第一角度可以是+90°(-270°)或-90°(+270°)。应注意，取决于相应的沉积模块相对于主要传输路径的方向，第一角度可以是任何角度。例如，在图4所示出的实施方式中，取决于沉积模块相对于主要传输路径50的方向，第一角度可以是-60°、+60°、+120°或-120°。
在可与本文所述的其他实施方式来结合的一些实施方式中，沿着真空处理系统的主要传输路径50布置的所有旋转模块可同步地旋转。特别地，以给定的一个节拍间隔的数倍来时间平移的基板可在真空处理系统的各种模块中同步地改变它们的位置或方向(以阶段(1a-2)中的系统的每个旋转模块中的旋转箭头来示出)。例如，在图3的阶段(1a-2)中的旋转模块中同步地旋转的基板可以各自以五个节拍间隔来时间平移。
之后，在阶段(1a-3)中，第二基板11可从第一沉积模块D1，特别是从第一沉积模块D1的第一沉积区域，移动至可处于闲置的第一旋转模块R1的第二轨道X2上。
之后，在阶段(1a-4)中，第一旋转模块R1可以第二角度来旋转，特别是180°。例如，第一旋转模块R1可以从第四旋转位置旋转至第二旋转位置。在此时，第二沉积模块D2中的第三基板12上的第二材料的沉积可能几乎或已经完成。
在一些实施方式中，沿着真空处理系统的主要传输路径布置的所有旋转模块可在阶段(1a-4)中同步地旋转。特别地，以给定的一个节拍间隔的数倍来时间平移的基板可在真空处理系统的各种模块中同步地改变它们各自的位置或方向(以阶段(1a-4)中的系统的每个旋转模块中的旋转箭头来示出)。
于是，在阶段(1a)中，基板10可从第一轨道X1被移动至第一沉积模块D1中，特别是移动至第一沉积模块D1的第一沉积区域中。
在一些实施方式中，当基板10在阶段(1a)中移动至第一沉积模块D1中的同时，第二轨道X2可被待输送至第二沉积模块D2中的第二基板11所占据。因此，能改善第一旋转模块R1的使用并能减少沉积工艺的周期间隔(cycle interval)。
在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，在阶段(1a)中，可与从第一轨道X1至第一沉积模块D1中的基板10的移动同步地，或可直接在基板10的移动之后，将第三基板12从第二沉积模块D2，特别是从第二沉积模块D2的第一沉积区域，移动至第一旋转模块R1的第一轨道X1上。因此，能立刻使用第一旋转模块R1的第一轨道X1以将第三基板12输送返回至主要传输路径50。
在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，在阶段(1a-5)中，所述方法可包括以第三角度(特别是180°)来旋转第一旋转模块R1。例如，可互换被第三基板12所占据的第一轨道X1的位置与被第二基板11所占据的第二轨道X2的位置。特别地，第一旋转模块R1可从第二旋转位置来旋转至第四旋转位置。
在一些实施方式中，沿着真空处理系统的主要传输路径布置的所有旋转模块可同步地在阶段(1a-5)中旋转。特别地，以给定的一个节拍间隔的数倍来时间平移的基板可在真空处理系统的各种类似模块(analogue modules)中同步地改变它们各自的位置或方向(由阶段(1a-5)中的系统的每个旋转模块中的旋转箭头所示出)。
随后，在阶段(1a-6)中，第二基板11可从第一旋转模块R1的第二轨道X2被移动至第二沉积模块D2中以使用第二材料来涂布。在次时，第一轨道X1可被第三基板12所占据。
随后，在阶段(1a-7)中，可以第四角度(例如-90°或+90°)来旋转第一旋转模块R1。特别地，第一旋转模块R1可从第四旋转来旋转至第一旋转位置。
在一些实施方式中，沿着真空处理系统的主要传输路径布置的所有旋转模块可同步地在阶段(1a-7)中旋转。特别地，以给定的一个节拍间隔的数倍来时间平移的基板可在真空处理系统的各种类似模块中同步地改变它们各自的位置或方向(由阶段(1a-7)中的系统的每个旋转模块中的旋转箭头所示出)。
于是，在阶段(1a-8)中，第三基板12可沿着主要传输路径50(特别是从第一轨道X1)移动离开第一旋转模块R1。
在一些实施方式中，在真空处理系统的对应模块中的基板移动可以是同步的。例如，在旋转模块中的基板移动可以是同步的，在布置于第一侧S1上的沉积模块中的基板移动可以是同步的，和/或在布置于第二侧S2上的沉积模块中的基板移动可以是同步的。以给定的一个节拍间隔的数倍来时间平移的基板并布置于对应模块中的基板可被同步地(即，以相同的时间间隔(例如10秒或更少、或约5秒之内))移动(例如平移或旋转)。能简化真空处理系统中的基板传输，并能减少节拍间隔。
所述方法进一步包括在第一沉积模块D1中的基板10上的第一材料的沉积之后，特别是阶段(1a-3)之后的两个节拍间隔之后，从第一沉积模块D1移动基板10返回至第一旋转模块R1。
之后，第一旋转模块R1可被旋转一次或多次，特别是包括以180°的角度来旋转两次，特别是分别在阶段(1a-4)与(1a-5)之后的两个节拍间隔。
之后，在阶段(1b)中，基板10可被移动至第二沉积模块D2中，特别是移动至第二沉积模块D2的第一沉积区域中，以在基板上沉积第二材料。阶段(1b)可在阶段(1a-6)之后的两个节拍时间执行。
在如图1至图3所例示性示出的单线式系统中，从第一沉积模块D1来移动基板10至第二沉积模块D2中的移动序列可在从第一沉积模块D1至第二沉积模块D2中的第二基板11的移动之后的两个节拍间隔。特别地，在上述移动序列(1a-1)-(1a-2)-(1a-3)-(1a-4)-(1a)-(1a-5)-(1a-6)-(1a-7)-(1a-8)之后的两个节拍间隔，可执行对应的移动序列，其中上述移动序列的基板是对应的移动序列的第二基板，并且其中上述移动序列的第二基板是对应的移动序列的第三基板。因此，每个基板每隔两个节拍间隔可被移动至各自的下一个沉积模块中。
一些实施方式中，从一个模块至相邻模块的基板的传送时间可以在3秒与10秒之间，特别是约5秒。在一些实施方式中，在两个旋转位置之间来旋转旋转模块的时间可以在3秒与10秒之间，特别是约5秒。
一些实施方式中，在预定的时间间隔之后，特别是在对应于真空处理系统的节拍间隔的恒定时间间隔之后，更特别是在约60秒的恒定节拍间隔，序列(1a)-(1b)-(1c)针对后续的基板而重复地开始。
在一些实施方式中，在偶数节拍间隔时开始的序列的阶段(1a)中，基板可输送至第一沉积模块D1的第一沉积区域中以在基板上沉积第一材料，并且，在奇数节拍间隔时开始的序列的阶段(1a)中，相应的基板可被输送至第一沉积模块D1的第二沉积区域中以在基板上沉积第一材料。
相似地，在偶数节拍间隔时开始的序列的阶段(1b)中，相应的基板可被输送至第二沉积模块D2的第一沉积区域中以在基板上沉积第二材料，并且，在奇数节拍间隔时开始的序列的阶段(1b)中，相应的基板可被输送至第二沉积模块D2的第二沉积区域中以在基板上沉积第二材料。
相似地，在偶数节拍间隔时开始的序列的阶段(1c)中，相应的基板可被输送至各自的第一沉积区域中，并且，在奇数节拍间隔时开始的序列的阶段(1c)中，相应的基板可被输送至各自的第二沉积区域中。
例如，第一序列(1a)-(1b)-(1c)可在节拍间隔0时从阶段(1a)开始，在阶段(1a)中基板被输送至第一沉积模块D1的第一沉积区域中。
第二序列(1a)-(1b)-(1c)可在一个节拍间隔之后(在奇数节拍间隔)从阶段(1a)开始，在阶段(1a)中后续基板被输送至第一沉积模块D1的第二沉积区域中。在此时，第一沉积模块D1的第一沉积区域可仍然被第一序列的基板所占据，所述第一序列的基板可在第一沉积区域中对准或涂布。
第三序列(1a)-(1b)-(1c)可在一个节拍间隔之后(在偶数节拍间隔)从阶段(1a)开始，在阶段(1a)中第二后续基板被输送至第一沉积模块D1的第一沉积区域中。此时，第一序列的基板可能已经离开第一沉积区域并可朝向第二沉积模块D2的第二沉积区域。
第四序列(1a)-(1b)-(1c)可在一个节拍间隔之后(在奇数节拍间隔)从阶段(1a)开始，在阶段(1a)总第三后续基板被输送至第一沉积模块D1的第二沉积区域中。在次时，第二序列的第二基板可已经离开第一沉积模块D1的第二沉积区域且可朝向第二沉积模块D2的第二沉积区域。
后续序列(本文中也称作循环)可在预定的时间间隔之后重复地开始，所述预定的时间间隔可对应真空处理系统的节拍间隔。
特别地，在各自的时间间隔之后，特别是在可对应系统的节拍间隔的恒定时间间隔之后，序列(1a)-(1b)-(1c)可针对后续基板而重复地开始。节拍间隔可以是45秒或更多和/或120秒或更少，特别是约60秒。
后续循环中的沉积可在沉积模块的第一沉积区域中与沉积模块的第二沉积区域中交替地进行。每个第二循环可涉及至系统的沉积模块的对应的沉积区域中的移动序列。
当序列(1a)-(1b)-(1c)在对应于节拍间隔的恒定时间间隔之后针对后续基本而重复地开始时，沉积有层堆叠的基板可在每个节拍时间(诸如每45秒或更多和/或120秒或更少，特别是约60秒)之后被提供。
图1的真空处理系统100可根据以下参数的一个或多个来操作：在两个旋转位置之间旋转旋转模块的时间可以是3秒或更多且10秒或更少，特别是约5秒；从真空模块移动载体至相邻的真空模块的时间可以是3秒或更多和10秒或更少，特别是约5秒；系统的所有旋转模块可以是同步的；在相同的时间沿着主要传输路径的基板的向前传输和向后传输可以是可能的；后续基板交换之间的时间间隔可以是60秒。因此，当系统被构造为单线式系统，系统的总节拍间隔可以是60秒。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，主要传输路径50可包括彼此平行布置的第一基板载体轨道31与第二基板载体轨道32。第一基板载体轨道31与第二基板载体轨道32可经构造以用来沿着主要传输路径50传输基板载体。基板在被基板载体保持的同时，基板可在主要传输方向Z上沿着第一基板载体轨道31来移动。
在一些实施方式中，空的载体可在相反方向上(即相反于主要传输方向Z的方向(本文中也称作“返回方向”))沿着第二基板载体轨道32而被送回。空的载体可被理解为不保持基板或掩模装置的载体。因此，基板在基板载体保持的同时在主要传输方向Z上沿着第一基板载体轨道31传输，在主要传输路径50的末端脱离基板载体并从系统卸载，并且空的载体可在返回方向上沿着第二基板载体轨道32被送回。待涂布的新基板能被装载至空基板载体上。
可在图1所示出的真空处理系统100中实现根据本文所述的实施方式的方法。真空处理系统100可包括沿着主要传输路径50设置的一个或多个传输模块和第一旋转模块R1、与第一旋转模块R1相邻而布置在主要传输路径50的第一侧S1上的用来沉积第一材料的第一沉积模块D1、与第一旋转模块R1相邻而布置在主要传输路径50的与第一沉积模块D1相对的第二侧S2上的用来沉积第二材料的第二沉积模块D2。
在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，可设置沿着主要传输路径50延伸的一个或多个掩模载体轨道(未示出于图示中)，特别是平行于一个或多个基板载体轨道。因此，在一些实施方式中，两个掩模载体轨道与两个基板载体轨道可沿着主要传输路径50延伸，例如沿着主要传输路径延伸通过传输模块与旋转模块。
保持掩模装置的掩模载体可沿着真空处理系统的一个或多个掩模载体轨道而被传输。特别地，掩模装置可在非水平的方向上(特别是在实质上垂直的方向上)而被保持在掩模载体。
在一些实施方式中，掩模装置可包括掩模与掩模框架。掩模框架可经构造以用于稳定掩模，掩模框架通常是精密元件。例如，掩模框架可以框架的形式来围绕掩模。掩模可被永久地固定于掩模框架，诸如通过焊接，或掩模是以可释放的方式被固定于掩模框架。掩模的圆周边缘可被固定于掩模框架。
掩模可包括以图案的形式形成的多个开口，且所述多个开口经构造以通过掩模沉积工艺来在基板上沉积对应的材料图案。在沉积期间，掩模可被近距离地布置在基板前方或与基板的前表面直接接触。例如，掩模可以是具有多个开口(例如100,000个开口或更多)的高精度金属掩模(fine metal mask，FMM)。例如，有机像素的图案可被沉积在基板上。掩模的其他类型的基板是可能的，例如边缘排除掩模(edge exclusion masks)。
在一些实施方式中，掩模装置可至少部分地由金属所制成，例如具有小的热膨胀系数的金属，例如因瓦(invar)。掩模可包括磁性材料，使得在沉积期间掩模能被磁性吸引至基板。替代地或附加地，掩模框架可包括磁性材料，使得掩模装置能通过磁力而被吸引至掩模载体。
掩模装置可具有0.5m2或更大的面积，特别是1m2或更大。例如，掩模装置的高度可以是0.5m或更高，特别是1m或更高，和/或掩模装置的宽度可以是0.5m或更大，特别是1m或更大。掩模装置的厚度可以是1cm或更小，其中掩模框架可以比掩模更厚。
在真空处理系统100中的传输期间，可通过掩模载体来保持掩模装置。例如，可沿着真空处理系统100中的主要传输路径50来传输保持掩模装置的掩模载体。在一些实施方式中，可沿着掩模载体轨道来引导掩模载体通过真空处理系统。例如，此掩模载体可包括引导部分，所述引导部分经构造以沿着掩模载体轨道而被引导。
在一些实施方式中，掩模载体通过传输系统来传输，所述传输系统可包括磁悬浮系统。例如，可提供磁悬浮系统，使的掩模载体的至少一部分的重量可通过磁悬浮系统来承载(carry)。接着掩模载体能实质上非接触地沿着掩模载体轨道而被引导通过真空处理系统。可提供沿着掩模载体轨道来移动载体的驱动。
在各个沉积模块中以预定的时间间隔使用清洁的或新的掩模装置来交换已使用的掩模装置可能是有益的。例如，在掩模装置的交换之前，掩模装置可被用于在给定数量的基板(例如10个或更多个基板且100个或更少个基板)上的材料的沉积是合理的。
为了交换已使用的掩模装置，已使用的掩模装置可从沉积模块被输送至主要传输路径中，并且待使用的掩模装置可从主要传输路径被输送至沉积模块中。
例如，可沿着主要传输路径50而在掩模载体轨道的其中一个上传输待使用的掩模装置，特别是与可在基板载体轨道的其中一个上被并行传输的基板相邻地和/或同步地传输。待使用的掩模装置与基板可被一起旋转和/或被一起移动至第一旋转模块中。
在阶段(1a)中，待使用的掩模装置(特别是连同基板10一起)可从主要传输路径50被输送至第一沉积模块D1的第一沉积区域中以在基板10上进行掩模沉积。
换句话说，待使用的掩模装置可与待涂布的基板一起被移动至沉积区域中。特别地，第一旋转模块R1可用来与待涂布的基板同步地输送待使用的掩模装置至沉积模块的沉积区域中。能加速掩模交换并能减少真空处理系统的节拍时间。
可以比基板更低的频率来交换掩模装置。因此，掩模装置可与基板一起被输送至沉积模块中，并且并非与沉积模组中的每次基板交换，而是仅以例如每十个周期、每二十个周期或甚至更低的频率，一起输送至沉积模块中。
在一些实施方式中，可以预定的掩模交换频率将已使用的掩模装置从第一沉积区域(或任何其他的沉积区域)输送离开并将待使用的掩模装置输送至第一沉积区域中(或任何其他的沉积区域中)，所述预定的掩模交换频率可低于第一沉积区域中(或任何其他的沉积区域)的基板交换频率。例如，在给定的沉积区域中，可每十个基板交换、每二十个基板交换或以甚至更低的频率交换掩模装置。
图4以示意图的方式示出了根据本文所述的一些实施方式的真空处理系统200。真空处理系统200能用来执行本文所述的一些方法。特别地，真空处理系统200能用来实现上述所解释的任何方法，因此能参考上述解释，于此不再赘述。
真空处理系统200可包括沿着主要传输路径50设置的一个或多个传输模块(例如第一传输模块T1和第二传输模块T2)与第一旋转模块R1。如图4所示意性地示出，另外的传输模块和/或另外的旋转模块可沿着主要传输路径来布置。
真空处理系统200可进一步包括邻近第一旋转模块R1而布置在主要传输路径50的第一侧S1上的用来沉积第一材料的第一沉积模块D1，和邻近第一旋转模块R1而布置在主要传输路径50的与第一侧S1相对的第二侧S2上的用来沉积第二材料的第二沉积模块D2。
第一沉积模块D1与第二沉积模块D2可彼此相对地布置于第一旋转模块R1的不同侧上，即,相对于第一旋转模块R1的旋转轴线的180°的角度布置。因此，在第一旋转模块R1的至少一个旋转位置中，第一旋转模块R1的第一轨道X1与第二轨道X2可连接第一沉积模块D1与第二沉积模块D2的沉积区域。
如图4所示出，在一些实施方式中，用来沉积第一材料的第二线路第一沉积模块D1’可邻近第一旋转模块R1而布置在主要传输路径50的第二侧S2上(或，替代地，第一侧S1上)。此外，用来沉积第二材料的第二线路第二沉积模块D2’可邻近第一旋转模块R1而布置在主要传输路径50的第一侧S1上(或，替代地，第二侧S2上)。
第二线路第一沉积模块D1’与第二线路第二沉积模块D2’可彼此相对地布置于第一旋转模块R1的不同侧上，即，相对于第一旋转模块R1的旋转轴线以180°的角度布置。因此，在第一旋转模块R1的至少一旋转位置中，第一旋转模块R1的第一轨道X1与第二轨道X2可连接第二线路第一沉积模块D1’与第二线路第二沉积模块D2’的沉积区域。
另外的沉积模块与对应的第二线路沉积模块可邻近沿着主要传输路径50设置的另外的旋转模块而布置。例如，可提供镜像线路设置，所述镜像线路设置具有相对于主要传输路径50的实质上对称的构造。换句话说，经构造以用于沉积材料的每个沉积模块可与经构造以用于在主要传输路径的另一侧上沉积相同材料的对应的第二线路沉积模块对称地布置。例如，如图4所示意性地示出，经构造以用于沉积第三材料的第三沉积模块D3可与经构造以用于在主要传输路径50的另一侧上沉积第三材料的第二线路第三沉积模块D3’对称地布置。第三沉积模块D3与第二线路第三沉积模块D3’两者可邻近第二旋转模块R2而布置。
第一旋转模块R1可经构造以用于在主要传输路径50的上游部分、主要传输路径50的下游部分、第一沉积模块D1(特别地，第一沉积模块D1的第一与第二沉积区域)、第二沉积模块D2(特别地，第二沉积模块D2的第一与第二沉积区域)、第二线路第一沉积模块D1’(特别地，第二线路第一沉积模块D1’的第一与第二沉积区域)、和/或第二线路第二沉积模块D2’(特别地，第二线路第二沉积模块D2’的第一与第二沉积区域)之间来输送载体。
例如，第一旋转模块R1可包括可围绕旋转轴线旋转的第一轨道X1与第二轨道X2，所述旋转轴线设置在第一轨道X1与第二轨道X2之间。第一旋转模块R1可至少在6个旋转位置之间旋转，其中可提供两个旋转位置以将主要传输路径50的上游部分与主要传输路径50的下游部分连接，可提供两个旋转位置以将第一沉积模块D1与第二沉积模块D2连接，并且可提供两个旋转位置以将第二线路第一沉积模块D1’与第二线路第二沉积模块D2’连接。
在主要传输路径50与第一沉积模块D1之间的角度可以是约60°，在主要传输路径50与第二沉积模块D2之间的角度可以是-120°，在主要传输路径50与第二线路第一沉积模块D1’之间的角度可以是-60°，并且在主要传输路径50与第二线路第二沉积模块D2’之间的角度可以是+120°。其他角度是可能的。特别地，第一沉积模块D1与第二沉积模块D2的沉积区域可在第一旋转模块的相对侧上对照，例如在至少一个旋转位置中通过第一旋转模块R1的第一与第二轨道是可连接的，并且第二线路第一沉积模块D1’与第二线路第二沉积模块D2’的沉积区域可在第一旋转模块R1的相对侧上对照，例如在至少一个旋转位置中通过第一旋转模块R1的第一与第二轨道是可连接的。
图4的真空处理系统200具有如上述解释的双线式构造。其中每个第二基板(例如在偶数的节拍间隔开始的序列(1a)-(1b)-(1c)的基板)被接续移动至包括第一沉积模块D1、第二沉积模块D2与至少一个另外的沉积模块的沉积模块的第一子集中，但不被移动至沉积模块的第二子集中。其他基板(例如偶数的节拍间隔开始的序列(2a)-(2b)-(2c)的基板)可被移动至包括第二线路第一沉积模块D1’、第二线路第二沉积模块D2’与至少一个另外的第二线路沉积模块的沉积模块的第二子集中，但不被移动至沉积模块的第一子集中。
特别地，在多线式系统中所执行的根据本文所述的一些实施方式的方法可包括(2a)：在阶段(1a)之后的一个节拍间隔，从主要传输路径50输送出后续基板至第二线路第一沉积模块D1’中以在后续基板上沉积第一材料，与(2b)：在阶段(1b)之后的一个节拍间隔，从主要传输路径50输送后续基板至第二线路第二沉积模块D2’中以在后续基板上沉积第二材料。
再者，此方法可包括：在阶段(2c)中，从主要传输路径50输送出后续基板至一个或多个另外的第二线路沉积模块中以在另外的基板上沉积一个或多个材料。各个输送阶段可相对于先前序列(1a)-(1b)-(1c)的基板10的对应输送偏移(offset)一个节拍间隔。
换句话说，可提供两条涂布线以交替地涂布后续基板。在可对应系统的节拍间隔的两倍的预定的时间间隔之后，偶数序列(1a)-(1b)-(1c)可针对各个后续基板而开始，其中基板在第一涂布线被涂布。在可对应系统的节拍间隔的两倍的预定的时间间隔之后，奇数序列(2a)-(2b)-(2c)可针对各个后续基板而开始，其中基板在第二涂布线被涂布。组合的两条涂布线可提供真空处理系统的总节拍时间，然而两条涂布线的每一个可在每个第二节拍间隔开始新的涂布序列。双线式系统可比单线式系统更大且更昂贵。然而，涂布线的其中一个的失效或停机时间不会导致整个系统的停机时间。
应注意，相似于上述方法，在每个第二偶数序列(1a)-(1b)-(1c)中，各个基板可在沉积模块的第一子集的第一沉积区域中被涂布。并且在其他的偶数序列(1a)-(1b)-(1c)中，各个基板可在沉积模块的第一子集的第二沉积区域中被涂布。在一些实施方式中，在每个第二奇数序列(2a)-(2b)-(2c)中，各个基板可被在沉积模块的第二子集的第一沉积区域中被一步。并且在其他的奇数序列(2a)-(2b)-(2c)中，各个基板可在沉积模块的第二子集的第二沉积区域中被涂布。换句话说，可在对应于四个节拍间隔的时间间隔中来执行在给定的沉积区域中的基板交换。
可相似于图1的真空处理系统100来操作图4的真空处理系统200，因此可参照上述解释，于此不再赘述。
特别地，阶段(1a)-(1b)-(1c)的上述序列可在包括第一沉积模块D1与第二沉积模块D2的第一线中执行，例如以对应整个系统一半的节拍速率(tact rate)的节拍速率执行。
阶段(2a)-(2b)-(2c)的相似序列可在包括第二线路第一沉积模块D1’与第二线路第二沉积模块D2’的第二接线中来执行，例如以对应整个系统一半的节拍速率的相同的节拍速率执行。
序列(1a)-(1b)-(1c)与(2a)-(2b)-(2c)可以整个系统的节拍速率来交替地开始。
阶段(1a)-(1b)-(1c)的每个序列可包括多个中间阶段。例如，对于输送基板至第一沉积模块D1中，可执行后续阶段(1a-1)-(1a-2)-(1a-3)-(1a-4)-(1a)-(1a-5)-(1a-6)-(1a-7)-(1a-8)的序列。根据相对于主要传输路径的沉积模块的方向，阶段(1a-2)的第一角度可以是诸如+60°，阶段(1a-7)的第四角度可以是诸如-60°。或者，取决于围绕各自的旋转模块的沉积模块的布置，第一角度和/或第四角度可以是+/-60°、+/-120°或可适于相应基板交换的任何其他角度。
应注意，本文所使用的+x°的旋转模块的旋转角度对应于-(360°-x°)的旋转角度，使得每个负角度也能表示为正角度。例如，60°的顺时针旋转对应300°的逆时针旋转。在本文所述的任何的旋转运动中，旋转模块的旋转方向能是逆时针的或顺时针的。
在第一沉积模块D1中的基板10上的第一材料的沉积之后，基板10可被移动回第一旋转模块R1中，可在第一旋转模块R1中被旋转，特别是包括以180°的角度的两个旋转，并且可在阶段(1b)中被移动至第二沉积模块D2中以使用第二材料来涂布。
在一些实施方式中，后续序列(2a)-(2b)-(2c)可在序列(1a)-(1b)-(1c)的阶段(1a)之后的一个节拍间隔开始。节拍间隔可以是45秒或更多且120秒或更少，特别是约60秒。
后续序列(2a)-(2b)-(2c)可包括在主要传输方向Z上沿着主要传输路径50来移动后续基板，特别是移动至第一旋转模块R1中。在阶段(2a)中，可从主要传输路径50来输送后续基板至第二线路第一沉积模块D1’中以在后续基板上沉积第一材料。特别地，在阶段(2a)中，后续基板可被输送至第二线路第一沉积模块D1’的第二沉积区域中。之后，在阶段(2b)中，可从第一旋转模块R1移动后续基板至第二线路第二沉积模块D2’中以在后续基板上沉积第二材料。特别地，在阶段(2a)中，后续基板可被移动至第二线路第二沉积模块D2’的第二沉积区域中。
在一些实施方式中，用于第二后续基板的第二后续序列(1a)-(1b)-(1c)可在后续序列的阶段(2a)之后的一个节拍间隔开始。
第二后续序列(1a)-(1b)-(1c)可包括在主要传输方向Z上沿着主要传输路径50来移动第二后续基板，特别是移动至第一旋转模块R1中。阶段(1a)中，可从主要传输路径50来输送第二后续基板至第一沉积模块D1中以在第二后续基板上沉积第一材料。特别地，在阶段(1a)中，第二后续基板可被输送至第一沉积模块D1的第二沉积区域中。之后，在阶段(1b)中，可从第一旋转模块R1移动第二后续基板至第二沉积模块D2中以在第二后续基板上沉积第二材料。特别地，在阶段(1b)中，第二后续基板可被输送至第二沉积模块D2的第二沉积区域中。
在一些实施方式中，第三后续序列(2a)-(2b)-(2c)可在第二后续序列(1a)-(1b)-(1c)的阶段(1a)之后的一个节拍间隔开始。
第三后续序列可包括在主要传输方向Z上沿着主要传输路径50来移动第三后续基板，特别是移动至第一旋转模块R1中。在阶段(2a)中，可将第三后续基板从第一旋转模块R1输送离开主要传输路径50并输送至第二线路第一沉积模块D1’中以在第三后续基板上沉积第一材料。特别地，在阶段(2a)中，第三后续基板可被输送至第二线路第一沉积模块D1’的第一沉积区域中。之后，在阶段(2b)中，可从第一旋转模块R1移动第三后续基板至第二线路第二沉积模块D2’中以在第三后续基板上沉积第二材料。特别地，阶段(2b)中，第三后续基板可从第一旋转模块R1移动至第二线路第二沉积模块D2’的第一沉积区域中。
在一些实施方式中，第四后续序列(1a)-(1b)-(1c)可在第三后续序列开始之后的一个节拍间隔开始，其中第四后续序列的第四后续基板的移动路径可对应于第一序列的第一基板的移动路径。特别地，第四后续序列的阶段(1a)可在与第一序列的阶段(1b)的约相同的时间来执行。换句话说，当第四后续基板被输送至第一沉积模块D1中时，在第一沉积模块D1中的第一基板的涂布已被完成，并且第一基板在从第一沉积模块D1至第二沉积模块D2中的途中。因此，当循环节拍(cycle tact)是约60秒时，可以约每240秒来重复旋转模块的移动序列。
可以对应于图1的真空处理系统100的节拍间隔的节拍间隔来操作图4的真空处理系统200，例如以约60秒的节拍间隔。在对应系统的节拍时间的每个节拍间隔之后，可提供一个经涂布的基板。由于真空处理系统200是双线式系统，相较于图1所示出的单线式系统，真空处理系统200可具有两倍的沉积模块的数量。因此，相较于图1的实施方式，基板可在沉积区域中停留更长的时间段。可具有更多的时间以用于相对于各个掩模装置的基板对准。特别地，可具有更多的时间以在沉积区域中在基板上沉积相应材料。例如，在多线式系统中，相较于单线式系统，沉积源可以更慢的速度(例如一半的速度)来移动，此举可增加沉积速率。因此，可增加沉积灵活性(deposition flexibility)，并且在多线式系统中的每个沉积模块中可沉积更广的范围的层厚度。
对应模块可在多线式系统中被同步地操作。例如，可同步地操作图4或图5中的双线式系统的旋转模块(例如第一旋转模块R1与第二旋转模块R2)以旋转各个基板，所述各个基板可以系统的多个节拍间隔来时间延迟。
替代地或附加地，可同步地操作沉积模块的子集。例如，可实质上同步地操作第一线沉积模块，并且可实质上同步地操作第二线路沉积模块。可以约一个节拍间隔的时间延迟来操作第一线沉积模块与第二线路沉积模块。
在一些实施方式中，由于在布置于主要传输路径的相对侧上的沉积模块之间的基板交换的持续时间，布置于第一侧S1上的第一线(第二线路)沉积模块与布置于第二侧S2上的第一线(第二线路)沉积模块之间可具有时间延迟。
在一些实施方式中，可同步地操作邻近相应旋转模块而布置在对应角度位置上的沉积模块(例如各个沉积源可位于相应沉积模块内的相同的涂布位置)。例如，可同步地操作图4中的第二沉积模块D2与第三沉积模块D3，并且可同步地操作图4中的第二线路第二沉积模块D2’与第二线路第三沉积模块D3’。相似地，可同步地操作图5的真空处理系统300的所有第一线沉积模块，并且可同步地操作图5的真空处理系统300的所有第二线路沉积模块。
在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，真空处理系统可进一步包括掩模处理(handling)模块60，也被称为掩模处理腔室。在一些实施方式中，掩模处理模块60布置于主要传输路径50中。已使用的掩模装置可被传输于掩模处理模块60中以从真空处理系统卸载，例如通过负载锁定腔室。待使用的掩模装置可从真空处理系统的环境装载至掩模处理模块60中以被传输至沉积腔室的其中一个中。
例如，在一些实施方式中，可提供第一掩模载体轨道以用于将保持待使用的掩模装置的掩模载体从掩模处理模块60传输至沉积模块中，并且可提供第二掩模载体轨道以用于将保持已使用的掩模装置的掩模载体从沉积模块传输至掩模处理区域中以从系统卸载。例如，一个或多个掩模处理组件(例如机器人装置)可被设置于掩模处理模块中以从掩模载体附接和/或脱离掩模装置。
掩模装置的传输与真空处理系统中的基板的传输可至少部分地同步。参照上述解释，于此不再赘述。
可根据以下参数中的一个或多个来操作图4的真空处理系统200：在两个旋转位置之间旋转旋转模块的时间可以是3秒或更多且10秒或更少，特别是约5秒；从真空模块移动载体至相邻的真空模块的时间可以是3秒或更多且10秒或更少，特别是约5秒；系统的所有旋转模块可以是同步的；在相同的时间沿着主要传输路径的基板的向前传输和向后传输可以是可能的；仅涉及第一线沉积模块的后续基板交换之间的时间间隔可以是约120秒(90秒或更多且150秒或更少)；仅涉及第二线路沉积模块的后续基板交换之间的时间间隔可以是约120秒(90秒或更多且150秒或更少)；系统的总节拍间隔可以是约60秒(45秒或更多且75秒或更少)。
图5以示意图的形式示出了根据本文所述的一些实施方式的真空处理系统300。真空处理系统300能用来执行本文所述的任何的方法，因此可参照上述解释，于此不再赘述。
真空处理系统300可被构造为镜像线路，所述镜像线路具有相对于主要传输路径50的实质上对称的构造。例如，用来沉积第一材料的沉积模块可相对于彼此而对称布置在主要传输路径的相对侧上，并且用来沉积第二材料的沉积模块可相对于彼此而对称布置在主要传输路径的相对侧上。
可在图5所示出的真空处理系统300中执行根据本文所述的实施方式的方法。真空处理系统300可包括沿着主要传输路径50设置的一个或多个传输模块(例如第一传输模块T1、第二传输模块T2和第三传输模块T3)、第一旋转模块R1与第二旋转模块R2。另外的传输模块和/或另外的旋转模块可沿着主要传输路径50设置。
在一些实施方式中，双线式系统可被提供。沉积模块的第一子集(本文中也被称为第一线沉积模块)可被布置于主要传输路径的第一侧S1上，并且提供第一线路以用于在多个基板上沉积预定的层堆叠。例如，用来沉积第一材料的第一沉积模块D1可邻近第一旋转模块R1而布置在主要传输路径50的第一侧S1上，并且用来沉积第二材料的第二沉积模块D2可邻近第二旋转模块R2而布置在主要传输路径50的第一侧S1上。
沉积模块的第二子集(本文中也被称为第二线路沉积模块)可被布置于主要传输路径的第二侧S2上，并且提供第二线路以用于在多个基板上沉积预定的层堆叠。例如，用来沉积第一材料的第二线路第一沉积模块D1’可邻近第一旋转模块R1而布置在主要传输路径50的与第一侧S1相对的第二侧S2上，特别是对称于第一沉积模块D1。再者，用来沉积第二材料的第二线路第二沉积模块D2’可邻近第二旋转模块R2而布置在主要传输路径50的第二侧S2上，特别是对称于第二沉积模块D2。
特别地，真空处理系统300可被构造为镜像线路。布置于主要传输路径50的第一侧S1上的沉积模块可用于基板上的多个材料的沉积。相似地，布置于主要传输路径50的第二侧S2上的沉积模块可用于基板上的多个材料的沉积。因此，在布置于主要传输路径的一侧上的沉积模块被中断或存在缺陷的情况下，布置于主要传输路径的另一侧上的沉积模块可继续沉积，使得真空处理系统能以下降的基板输出速率(output rate)来继续运作
可根据前述方法来操作真空处理系统300，因此可参照上述实施方式，于此不再赘述。
例如，可同步地操作对应模块。特别地，可同步地操作图5的双线式系统的旋转模块(例如第一旋转模块R1与第二旋转模块R2)，以用于旋转各个基板，所述各个基板可以系统的多个节拍间隔来时间延迟。
一些实施方式中，可同步地操作第一线沉积模块和/或可同步地操作第二线路沉积模块。在第一线沉积模块与第二线路沉积模块之间具有约一个节拍间隔的时间延迟(例如，各个沉积源的对应位置可以一个节拍间隔的时间延迟来采用)。
在一些实施方式中，如图5中各个箭头所示意性地示出，沿着第一基板载体轨道31的载体传输可以是同步的。如图5中各个箭头所示意性地示出，沿着第二基板载体轨道32在返回方向上的空的载体21的传输可以是同步的。
下文中，将描述操作真空处理系统300的例示性方法。
可沿着主要传输路径50来移动基板10至第一旋转模块R1的第一轨道X1上。
之后，第一旋转模块R1可以第一角度来旋转，特别是以约+90°或-90°的角度。第一角度可以是可根据第一沉积模块D1相对于主要传输路径的方向的任意角度。例如，在图5所示出的实施方式中，第一角度可以是-90°的角度。换句话说，第一旋转模块R1可从图5中所示出的第一旋转位置来旋转至第二旋转位置。
之后，在阶段(1a)中，基板10可从第一旋转模块R1的第一轨道X1移动至第一沉积模块D1的第一沉积区域中。在第一沉积模块D1的第一沉积区域中，第一材料被沉积于基板10上。
在可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式中，在基板10被移动至第一旋转模块R1的第一轨道X1上之前，可从第一沉积区域移动先前基板16返回至主要传输路径50中。特别地，先前基板16可从第一沉积区域移动至第一旋转模块R1中，于是第一旋转模块R1可以第二角度来旋转，于是先前基板16可沿着主要传输路径50从第一旋转模块R1移动至第二旋转模块R2以被输送至第二沉积模块D2中。
在一些实施方式中，第二角度可以是+90°。然而，第二角度可取决于各个沉积模块相对于主要传输路径的方向。例如，第二角度可以是-90°或另一角度。特别地，可旋转第一旋转模块R1返回至图5中所示出的第一旋转位置。
在将先前基板输送返回至主要传输路径中之后，基板10可在阶段中被移动第一旋转模块R1的第一轨道X1上以在阶段(1a)中被输送至第一沉积模块D1中。
在基板10上的第一材料的沉积之后，基板10可被输送回主要传输路径中，可沿着主要传输路径50移动至第二旋转模块R2中，可在第二旋转模块R2中被旋转(特别是以-90°的角度旋转)，并且可在阶段(1b)中从第二旋转模块R2移动至第二沉积模块D2中。在第二沉积模块D2中第二材料可被沉积于基板上。
在阶段(1c)中，基板10可被输送至布置于第一侧S1上的另外的沉积模块中以使用另外的材料来涂布。
在一些实施方式中，后续序列(2a)-(2b)-(2c)可在序列(1a)-(1b)-(1c)的阶段(1a)之后的预定的时间间隔开始，特别是一个节拍间隔。此节拍间隔可以是45秒或更多且120秒或更少，特别是约60秒。
后续序列(2a)-(2b)-(2c)可包括：在主要传输方向Z上沿着主要传输路径50来移动后续基板，特别是移动至第一旋转模块R1中。在阶段(2a)中，后续基板可从主要传输路径50被输送至第二线路第一沉积模块D1’中以在后续基板上沉积第一材料。特别地，在阶段(2a)中，后续基板可被输送至第二线路第一沉积模块D1’的第二沉积区域中。之后，在阶段(2b)中，后续基板可从主要传输路径50被输送至第二线路第二沉积模块D2’中以在后续基板上沉积第二材料。特别地，在阶段(2b)中，后续基板可被输送至第二线路第二沉积模块D2’的第二沉积区域中。
在一些实施方式中，第二后续序列(1a)-(1b)-(1c)可在后续序列的阶段(2a)之后的一个节拍间隔开始。
第二后续序列可包括：在主要传输方向Z上沿着主要传输路径50来移动第二后续基板，特别是移动至第一旋转模块R1中。在阶段(1a)中，第二后续基板可从主要传输路径50被输送至第一沉积模块D1中以在第二后续基板上沉积第一材料。特别地，在阶段(1a)中，第二后续基板可被输送至第一沉积模块D1的第二沉积区域中。之后，在阶段(1b)中，第二后续基板可从主要传输路径50被输送至第二沉积模块D2中以在第二后续基板上沉积第二材料。特别地，在阶段(2b)中，第二后续基板可被输送至第二沉积模块D2的第二沉积区域中。
在一些实施方式中，第三后续序列(2a)-(2b)-(2c)可在第二后续序列的阶段(1a)之后一个节拍间隔开始。
第三后续序列可包括：沿着主要传输方向Z上的主要传输路径50来移动第三后续基板，特别是移动至第一旋转模块R1中。在阶段(2a)中，第三后续基板可从主要传输路径50被输送至第二线路第一沉积模块D1’中以在第三后续基板上沉积第一材料。特别地，在阶段(2a)中，第三后续基板可被输送至第二线路第一沉积模块D1’的第一沉积区域中。之后，在阶段(2b)中，第三后续基板可从主要传输路径50被输送至第二线路第二沉积模块D2’中以在第三后续基板上沉积第二材料。特别地，在阶段(2b)中，第三后续基板可被输送至第二线路第二沉积模块D2’的第一沉积区域中。
在一些实施方式中，第四后续序列可在一个节拍间隔之后开始，其中第四后续序列的第四后续基板的移动路径可对应于第一序列的基板的移动。第四后续序列的阶段(1a)可在与第一序列的阶段(1b)约相同的时刻来执行。换句话说，当第四后续基板被输送至第一沉积模块D1中时，第一基板可从第一沉积模块D1朝向第二沉积模块D2移动。因此，当节拍间隔是约60秒，每约240秒可重复对应的移动序列。
可在对应于图1的真空处理系统100的节拍间隔的节拍间隔来操作图5的真空处理系统300，例如以约60秒的节拍间隔。在对应于系统的节拍时间的每个节拍间隔之后，经涂布的基板可被提供。由于真空处理系统300是双线式系统，相较于图1中所示出的单线式系统，真空处理系统300可具有两倍的沉积模块的数量。因此，相较于图1的实施方式，基板可在沉积区域中停留更长的时间段。可具有更多时间来相对于各个掩模装置进行基板的对准。特别地，可具有更多的时间以在沉积区域中在基板上沉积相应的材料。例如，在双线式系统中，相较于单线式系统，沉积源可以更缓慢的速度(例如一半的速度)来移动，其可增加沉积速率。因此，可增加沉积灵活性且在每个沉积模块中能沉积更广的范围的层厚度。
可根据以下参数的一个或多个来操作图5的真空处理系统300：在两个旋转位置之间旋转旋转模块的时间可以是3秒或更多且10秒或更少，特别是约5秒；从真空模块移动载体至相邻的真空模块的时间可以是3秒或更多且10秒或更少，特别是约5秒；系统的所有旋转模块可以是同步的；在相同的时间沿着主要传输路径的基板的向前传输和向后传输可以是可能的；仅涉及第一线沉积模块的后续基板交换之间的时间间隔可以是约120秒(90秒或更多且150秒或更少)；仅涉及第二线路沉积模块的后续基板交换之间的时间间隔可以是约120秒(90秒或更多且150秒或更少)；系统的总节拍间隔可以是约60秒(45秒或更多且75秒或更少)。
以下段落中，将描述根据实施方式的操作具有至少一个旋转模块的真空处理系统的各种方法。真空处理系统可以是根据本文所述的任何实施方式的真空处理系统。所述方法旨在加速真空处理系统中的掩模传输和/或基板传输，以便减少真空处理系统的节拍时间。
特别地，真空处理系统可具有沿着主要传输路径所布置的两个或更多个旋转模块，其中在旋转模块的每一个中同步地执行以下操作方法的其中一个。
根据一方面，描述一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块。此方法包括，在时间段期间，在第一方向上移动第一轨道上的承载基板或掩模装置的第一载体至旋转模块中(或离开旋转模块)，以及在相同时间段期间(即同步地)，在相反于第一方向的第二方向上移动第二轨道上的第二载体至旋转模块中或离开旋转模块。因此，一个旋转模块可用来同步掩模和/或基板在相反方向上通过旋转模块的传输。例如，基板可在第一方向上被移动至旋转模块中，掩模装置、第二基板和/或空的载体可在相反方向上在另一轨道上被移动进入或离开旋转模块。例如，如图1所示意性地示出，基板10可在第一载体上沿第一方向在第一基板载体轨道31上移动至旋转模块中，空的载体21可沿相反方向在第二基板载体轨道32上被同步地移动出旋转模块。
根据一方面，描述一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块。此方法包括，在时间段期间，在第一方向上移动第一轨道上的承载第一基板的第一载体离开旋转模块，以及在相同时间段期间(即同步地)，在第一方向上移动第一轨道上承载第二基板的第二载体至旋转模块中。可加速在布置于旋转模块的相对侧上的两个沉积模块中的基板交换，并能减少旋转模块的闲置时间。例如，在本文所述的操作方法的阶段(1a)中，第一基板可在第一方向上从旋转模块的第一轨道移动至沉积模块中，同时第二基板可同步地在第一方向上从相对布置的沉积模块被移动至旋转模块的第一轨道上。
根据一方面，描述一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块。所述方法包括：移动第一轨道上的承载第一基板或第一掩模装置的第一载体至旋转模块中，同时承载第二基板的第二载体被布置于旋转模块中的第二轨道上，和/或同时承载第二掩模装置的第三载体被布置于旋转模块中的第三轨道上。能加速邻近旋转模块布置的沉积区域中的基板交换，这是因为旋转模块的多于一个的轨道能有利地用于经涂布的基板的移除与来自/进入沉积区域的待涂布的基板的插入。例如，在本文所述的操作方法的阶段(1a)中，旋转模块的第一轨道与第二轨道可同步地被基板载体所占据。
根据一方面，描述一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块。此方法包括：移动第一轨道上的承载基板的第一载体至旋转模块中，以及移动邻近第一轨道的第二轨道上的承载掩模装置的第二载体至旋转模块中，并同时地旋转在旋转模块中的第一载体与第二载体。特别地，一个旋转模块能在相同的时间用于相邻的沉积模块中的基板交换与掩模交换。
根据一方面，描述一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块。此方法包括，在第一时间段期间，从沉积区域移动经涂布的基板与已使用的掩模装置至旋转模块中，接着在第二时间段期间，同步地旋转在旋转模块中的经涂布的基板与已使用的掩模装置。
替代地或附加地，此方法可包括：在第三时间段期间，从主要传输路径移动待涂布的基板与待使用的掩模装置至旋转模块中，接着在第四时间段期间，同步地旋转在旋转模块中的待涂布的基板与待使用的掩模装置。掩模交换与基板交换可被同步进行且能减少真空处理系统的节拍间隔。
虽然上文针对本公开内容的实施方式，然而在不脱离本发明的精神和范围情况下，可设计本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的保护范围由随附的权利要求书所确定。

Claims (24)

1.一种操作真空处理系统(100、200、300)的操作方法，所述真空处理系统具有主要传输路径(50)，基板可沿着所述主要传输路径(50)在主要传输方向(Z)上传输，所述方法包括：
(1a)从所述主要传输路径(50)输送出基板(10)至第一沉积模块(D1)中以在所述基板(10)上沉积第一材料；
(1b)从所述主要传输路径(50)输送出所述基板(10)至第二沉积模块(D2)中以在所述基板(10)上沉积第二材料；和
(1c)从所述主要传输路径(50)输送出所述基板(10)至一个或多个沉积模块中以在所述基板(10)上沉积一种或多种材料。
2.如权利要求1所述的方法，其中在预定的时间间隔之后，后续基板重复地开始序列(1a)-(1b)-(1c)，特别是在对应于所述真空处理系统的节拍间隔的恒定时间间隔之后，更特别是在约60秒的恒定节拍间隔之后。
3.如权利要求2所述的方法，其中在奇数节拍间隔时开始的序列的阶段(1a)中，基板被输送至所述第一沉积模块(D1)中的第一沉积区域中以在所述基板(10)上沉积所述第一材料，以及
其中在偶数节拍间隔时开始的序列的阶段(1a)中，基板被输送至所述第一沉积模块(D1)中的第二沉积区域中以在所述基板(10)上沉积所述第一材料。
4.如权利要求1所述的方法，包括：
(2a)在阶段(1a)之后的一个节拍间隔，从所述主要传输路径(50)输送出后续基板至第二线路第一沉积模块(D1’)中以在所述后续基板上沉积所述第一材料；和
(2b)在阶段(1b)之后的一个节拍间隔，从所述主要传输路径(50)输送出所述后续基板至第二线路第二沉积模块(D2’)中以在所述后续基板上沉积所述第二材料。
5.如权利要求4所述的方法，其中在预定的时间间隔之后，所述后续基板交替地开始序列(1a)-(1b)与序列(2a)-(2b)，特别是在对应于所述真空处理系统的节拍间隔的恒定的时间间隔之后，更特别是在约60秒的恒定节拍间隔时。
6.如权利要求1至5任一项所述的方法，其中在阶段(1a)中，所述基板(10)从第一旋转模块(R1)移动至所述第一沉积模块(D1)中，并且其中在沉积所述第一材料之后，所述基板(10)移动回所述第一旋转模块(R1)中；和/或
其中所述阶段(1b)中，所述基板(10)从所述第一旋转模块(R1)或从第二旋转模块(R2)移动至所述第二沉积模块(D2)中，并且其中在沉积所述第二材料之后，所述基板(10)移动回所述第一旋转模块(R1)中或所述第二旋转模块(R2)中。
7.如权利要求6所述的方法，其中在阶段(1a)中，在所述基板(10)被移动出所述第一旋转模块(R1)的时间段期间，第三基板(12)从第二沉积模块(D2)移动至所述第一旋转模块(R1)中。
8.如权利要求6或7所述的方法，其中在阶段(1a)中，在所述基板(10)从所述第一旋转模块(R1)的第一轨道(X1)移动出所述第一旋转模块(R1)的时间段期间，第二基板(11)被布置于所述第一旋转模块(R1)的第二轨道(X2)上。
9.如权利要求1至8任一项所述的方法，包括：
(1a-1)沿着所述主要传输路径(50)移动所述基板(10)至第一旋转模块(R1)的第一轨道(X1)上，
(1a-2)以第一角度来旋转所述第一旋转模块(R1)；
(1a-3)从所述第一沉积模块(D1)移动第二基板(11)至所述第一旋转模块(R1)的第二轨道(X2)上；
(1a-4)以第二角度来旋转所述第一旋转模块(R1)，特别是以180°进行旋转；和
在阶段(1a)中，从所述第一旋转模块(R1)的所述第一轨道(X1)移动所述基板(10)至所述第一沉积模块(D1)中。
10.如权利要求9所述的方法，
其中在阶段(1a)中，第三基板(12)从所述第二沉积模块(D2)移动至所述第一旋转模块(R1)的所述第一轨道(X1)上，同时或随后从所述第一轨道(X1)移动所述基板(10)至所述第一沉积模块(D1)中。
11.如权利要求9或10所述的方法，进一步包括：
(1a-5)以第三角度来旋转所述第一旋转模块(R1)，特别是以180°进行旋转；
(1a-6)从所述第一旋转模块(R1)的所述第二轨道(X2)移动所述第二基板(11)至所述第二沉积模块(D2)中；
(1a-7)以第四角度来旋转所述第一旋转模块(R1)；和
(1a-8)沿着所述主要传输路径(50)移动所述第三基板(12)离开所述第一旋转模块(R1)。
12.如权利要求9至11任一项所述的方法，其中所述第一角度与所述第四角度是以下角度中的一个：约+90°、约-90°、约+60°、约-60°、约+120°或约-120°。
13.如权利要求1至12任一项所述的方法，其中所述主要传输路径(50)包括彼此平行布置的第一基板载体轨道(31)与第二基板载体轨道(32)，特别是其中当基板被载体保持时，基板沿着所述第一基板载体轨道(31)在所述主要传输方向(Z)上移动，和/或空的载体沿着所述第二基板载体轨道(32)在相反方向上返回。
14.如权利要求1至13任一项所述的方法，其中所述真空处理系统(100)包括：
沿着所述主要传输路径(50)设置的一个或多个传输模块(T1、T2)与第一旋转模块(R1)，
其中所述第一沉积模块(D1)邻近所述第一旋转模块(R1)而布置在所述主要传输路径(50)的第一侧(S1)上，并且所述第二沉积模块(D2)邻近所述第一旋转模块(R1)而布置在所述主要传输路径(50)的与所述第一沉积模块(D1)相对的第二侧(S2)上。
15.如权利要求1至13任一项所述的方法，其中所述真空处理系统(200)包括：
沿着所述主要传输路径(50)设置的一个或多个传输模块(T1、T2)与的第一旋转模块(R1)，
其中所述第一沉积模块(D1)邻近所述第一旋转模块(R1)而布置在所述主要传输路径(50)的第一侧(S1)上，并且所述第二沉积模块(D2)邻近所述第一旋转模块(R1)而布置在所述主要传输路径(50)的与所述第一内侧(S1)相对的第二侧(S2)上，
所述真空处理系统(200)进一步包括：
用来沉积所述第一材料的第二线路第一沉积模块(D1’)，所述第二线路第一沉积模块(D1’)邻近所述第一旋转模块(R1)而布置在所述主要传输路径(50)的所述第二侧(S2)上；和
用来沉积所述第二材料的第二线路第二沉积模块(D2’)，所述第二线路第二沉积模块(D2’)邻近所述第一旋转模块(R1)而布置所述主要传输路径(50)的所述第一侧(S1)上。
16.如权利要求1至13任一项所述的方法，其中所述真空处理系统(300)包括：
沿着所述主要传输路径(50)布置的一个或多个传输模块(T1、T2、T3)、第一旋转模块(R1)与第二旋转模块(R2)，
其中所述第一沉积模块(D1)邻近所述第一旋转模块(R1)而布置在所述主要传输路径(50)的第一侧(S1)上，并且所述第二沉积模块(D2)邻近所述第二旋转模块(R2)而布置所述主要传输路径(50)的所述第一侧(S1)上，
所述真空处理系统(300)进一步包括：
用来沉积所述第一材料的第二线路第一沉积模块(D1’)，所述第二线路第一沉积模块(D1’)邻近所述第一旋转模块(R1)而布置在所述主要传输路径(50)与所述第一沉积模块(D1)相对的第二侧(S2)上；和
用来沉积所述第二材料的第二线路第二沉积模块(D2’)，所述第二线路第二沉积模块(D2’)邻近所述第二旋转模块(R2)而布置在所述主要传输路径(50)的与所述第二沉积模块(D2)相对的所述第二侧(S2)上。
17.如权利要求1至16任一项所述的方法，其中所述真空处理系统(300)被构造为相对于所述主要传输路径(50)具有实质上对称的构造的镜像线路。
18.如权利要求1至17任一项所述的方法，其中设置有沿着所述主要传输路径(50)延伸的一个或多个掩模载体轨道，特别是平行于一个或多个基板载体轨道延伸，其中：
待使用的掩模装置在所述一个或多个掩模载体轨道的其中一个上沿着所述主要传输路径(50)传输；和
在阶段(1a)中，所述待使用的掩模装置从所述主要传输路径(50)输送至所述第一沉积模块(D1)中以在所述基板(10)上进行掩模沉积，特别是在所述基板(10)被输送之前、之后输送所述待使用的掩模装置，或与所述基板(10)一起输送所述待使用的掩模装置。
19.如权利要求18所述的方法，其中以掩模交换频率来将已使用的掩模装置输送离开所述第一沉积模块(D1)并将待使用的掩模装置输送至所述第一沉积模块(D1)中，特别是，其中所述掩模交换频率小于所述第一沉积模块(D1)中的基板交换频率，更特别是，其中掩模交换与基板交换同步。
20.一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块，所述方法包括：
在某个时间段期间，在第一方向上将第一轨道上的承载基板或掩模装置的第一载体移动至所述旋转模块中；和
在所述时间段期间，在与所述第一方向相反的第二方向上将第二轨道上的第二载体移动进入所述旋转模块中或移动离开所述旋转模块。
21.一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块，所述方法包括：
在某个时间段期间，在第一方向上将第一轨道上的承载第一基板的第一载体移动离开所述旋转模块；和
在所述时间段期间，在所述第一方向上将所述第一轨道上的承载第二基板的第二载体移动至所述旋转模块中。
22.一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块，所述方法包括：
将第一轨道上的承载第一基板或第一掩模装置的第一载体移动至所述旋转模块中，同时承载第二基板的第二载体被布置于所述旋转模块中的第二轨道上，和/或同时承载第二掩模装置的第三载体被布置于所述旋转模块中的第三轨道上。
23.一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块，所述方法包括：
将第一轨道上的承载基板的第一载体移动至所述旋转模块中，并且将相邻于所述第一轨道的第二轨道上的承载掩模装置的第二载体移动至所述旋转模块中；和
同时地旋转所述旋转模块中的所述第一载体与所述第二载体。
24.一种操作真空处理系统的方法，所述真空处理系统具有旋转模块与沉积区域，所述方法包括：
在第一时间段期间，从所述沉积区域将经涂布的基板与已使用的掩模装置移动至所述旋转模块中，接着
在第二时间段期间，旋转所述旋转模块中的所述经涂布的基板与所述已使用的掩模装置；和/或
在第三时间段期间，从主要传输路径将待涂布的基板与待使用的掩模装置移动至所述旋转模块中，接着
在第四时间段期间，旋转所述旋转模块中的所述待涂布的基板与所述待使用的掩模装置。
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