TWI671413B - 真空處理系統的操作方法 - Google Patents

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Abstract

一種真空處理系統(100,200,300)的操作方法，該真空處理系統具有一主要運輸路徑(50)，以使基板沿著主要運輸路徑(50)在一主要運輸方向(Z)上運送。此方法包括：(1a)從主要運輸路徑(50)發送出一基板(10)至一第一沈積模組(D1)中以在基板(10)之上沈積一第一材料；(1b)從主要運輸路徑(50)發送出基板(10)至一第二沈積模組(D2)中以在基板(10)之上沈積一第二材料；與(1c)從主要運輸路徑(50)發送出基板(10)至一或更多個的沈積模組以在基板(10)之上沈積一或更多個的材料。再者，真空處理系統的一或多個的旋轉模組的多種操作方法，用以在複數個基板之上沈積二或多個材料。

Description

真空處理系統的操作方法
本揭露之實施例是有關於真空處理系統的操作方法，特別是用以在複數個基板之上來沈積二、三或多個不同的材料。實施例特別地有關於真空處理系統的操作方法，其中藉由基板載體(substrate carriers)所保持的基板係沿著例如是進出各種沈積模組(deposition modules)之一基板傳輸路徑來運送至真空處理系統中。
使用有機材料的光電裝置基於一些原因而變得日益流行。用以製造上述裝置的許多材料係相對廉價的，因此有機光電裝置相較於無機裝置具有成本優勢的潛力。有機材料的例如是它們的可撓性之固有特性係有利於例如是用以在可撓性或非撓性基板上來沈積之應用。有機光電裝置的例子包括有機發光裝置、有機光電晶體(organic phototransistors)、有機光伏打電池(organic photovoltaic cells)與有機光偵測器(organic photodetectors)。
有機發光二極體裝置(OLED devices)的有機材料相較於傳統材料可具有性能優勢(performance advantage)。舉例而言，在 一有機發射層所發射的光的波長可容易地藉由適合的摻雜劑來調整。 當應用一電壓來穿過裝置，有機發光二極體裝置將使用發射光的有機薄膜。有機發光二極體裝置變成一日益有趣的技術以在例如是平面顯示器、照明，與背光之裝置中使用。
特別是有機材料之材料係典型地在次大氣壓(sub-atmospheric pressure)之下沈積在一真空處理系統中的一基板之上。在沈積期間，一遮罩裝置(mask device)可被排列在此基板的前方，其中此遮罩裝置可具有定義一開口圖案的至少一開口或複數個開口，對應於待沈積於此基板上的一材料圖案，例如藉由蒸發。此基板在沈積期間係典型地排列在此遮罩裝置之後，且相對於此遮罩裝置來對準。舉例而言，一遮罩載體可用以運送此遮罩裝置至真空處理系統的一沈積腔室中，一基板載體可用以運送此基板至此沈積腔室中以在此遮罩裝置之後來排列此基板。
典型地，二、三、五、十或更多的材料可隨後被沈積在一基板之上，例如用來製造一彩色顯示器(color display)。可能難以處理包括用以在複數個基板上沈積不同材料的複數個沈積模組的一真空處理系統。特別地，在用以沈積不同材料的大真空處理系統中，處理基板運輸量(substrate traffic)與遮罩運輸量(mask traffic)可能係有挑戰性的。
因此，提供可靠地真空處理系統的操作方法以在複數個基板上來沈積材料係有益的。特別地，簡化與加速用以在基板上進行 遮罩沈積(masked deposition)的一真空處理系統中的基板與遮罩的運送與交換係有益的。
鑒於上述情況，提出真空處理系統的多種操作方法與用以在複數個基板上沈積不同材料的真空處理系統。
根據本揭露之一方面，提出一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一主要運輸路徑(main transportation path)，以沿著該主要運輸路徑運送基板。此方法包括從主要運輸路徑發送出一基板至一第一沈積模組中以在基板上沈積一第一材料，從主要運輸路徑發送出此基板至一第二沈積模組以在此基板上沈積一第二材料，與從主要運輸路徑發送出此基板至一或更多個的沈積模組以在此基板上沈積一或更多個的材料。
根據本揭露之一方面，提出一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組(rotation module)。此方法包括，在一時間週期的期間，移動在一第一方向上的一第一軌道上的運輸一基板或一遮罩裝置的一第一載體至此旋轉模組中；與在此時間週期的期間，移動在相反於此第一方向的一第二方向上的一第二軌道上的一第二載體來進出此旋轉模組。
根據本揭露之一方面，提出一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組。此方法包括；在一時間週期的期間，移動在一第一方向上的一第一軌道上的運輸一第 一基板的一第一載體來離開旋轉模組；與在此時間週期的期間，移動在此第一方向上的第一軌道上的運輸一第二基板的一第二載體至此旋轉模組中。
根據本揭露之一方面，提出一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組。此方法包括：當運輸一第二基板的一第二載體被排列在此旋轉模組之中的一第二軌道上，和/或當運輸一第二遮罩裝置的一第三載體被排列在此旋轉模組之中的一第三軌道上，移動在一第一軌道上的運輸一第一基板或一第一遮罩裝置的一第一載體至此旋轉模組中。
根據本揭露之一方面，提出一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組。此方法包括移動在一第一軌道上的運輸一基板的一第一載體至此旋轉模組中，移動在相鄰於此第一軌道的一第二軌道上的運輸一遮罩裝置的一第二載體至此旋轉模組中；與同時地旋轉在此旋轉模組之中的第一載體與第二載體。
根據本揭露之一方面，提出一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組與一沈積區域。此方法包括，在一第一時間週期的期間，從沈積區域移動一塗覆基板(coated substrate)與一已使用的遮罩裝置至此旋轉模組中，接著在一第二時間週期的期間，在此旋轉模組中旋轉塗覆基板與已使用的遮罩裝置；和/或在一第三時間週期的期間，從一主要運輸路徑移動待塗佈的一基板與待使用的一遮罩裝置至此旋轉模組中， 接著在一第四時間週期的期間，在旋轉模組中旋轉待塗佈的基板與待使用的遮罩裝置。
根據本揭露之一方面，提出一種真空處理系統。此真空處理系統包括一或多個運輸模組(transit modules)、沿著一主要運輸路徑所排列的一第一旋轉模組；一載體運輸系統，用以沿著此主要運輸路徑來運送載體；一第一沈積模組，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的一第一內側上的第一旋轉模組的一第一材料；與一第二沈積模組，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的一第二內側上的第一旋轉模組的一第二材料，且相對於第一沈積模組。
根據本揭露之一方面，提出一種真空處理系統。此真空處理系統包括一或多個運輸模組與沿著一主要運輸路徑所排列的一第一旋轉模組；一載體運輸系統，用來沿著主要運輸路徑來運送載體；一第一沈積模組，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的一第一內側上的第一旋轉模組的一第一材料；一第二線第一沈積模組(second-line first deposition module)，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的一第二內側上的第一旋轉模組的第一材料，且相對於第一內側；一第二沈積模組，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的第二內側上的第一旋轉模組的一第二材料；與一第二線第二沈積模組(second-line second deposition module)D2’，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的第一內側上的第一旋轉模組的第二材料。
根據本揭露之一方面，提出一種真空處理系統。此真空處理系統包括一或多個運輸模組、沿著一主要運輸路徑所提供的一第一旋轉模組與一第二旋轉模組；一載體運輸系統，用來沿著主要運輸路徑來運送載體；一第一沈積模組，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的一第一內側上的第一旋轉模組的第一材料；一第二沈積模組，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的第一內側上的第二旋轉模組的第二材料；一第二線第一沈積模組，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的一第二內側上的第一旋轉模組的第一材料，且相對於第一沈積模組；與一第二線第二沈積模組，用來沈積排列於相鄰於主要運輸路徑的第二內側上的第二旋轉模組的第二材料，且相對於第二沈積模組。
可選擇地，另一旋轉模組可沿著主要運輸路徑來排列，且另一沈積模組可排列於相鄰於一旋轉模組的主要運輸路徑的第一內側上和/或第二內側上的此另一旋轉模組的鄰近處。此另一沈積模組可用以在基板上沈積另一材料，例如一第三材料、一第四材料和/或另一材料。例如是包括十或更多不同的材料之一堆疊的材料能被沈積在根據本文所述的一些實施例之一真空處理系統中的一基板上。
本揭露之另一方面、優點與特徵從說明書與附圖係顯而易見的。
因此可詳細理解的是上述本揭露所引用之特徵的方式，本揭露之更詳細之描述(如以上概述)可參照實施例。以下敘述有關於本 揭露之實施例的附圖。典型的實施例係繪示於圖式之中且於後方之說明書中係詳細說明。
10‧‧‧基板
11‧‧‧第二基板
12‧‧‧第三基板
14‧‧‧第四基板
16‧‧‧先前基板
21‧‧‧空載體
31‧‧‧第一基板載體軌道
32‧‧‧第二基板載體軌道
35‧‧‧沈積源
36‧‧‧第一沈積區域
37‧‧‧第二沈積區域
50‧‧‧主要運輸路徑
60‧‧‧遮罩處理模組
100、200、300‧‧‧真空處理系統
D1‧‧‧第一沈積模組
D1’‧‧‧第二線第一沈積模組
D2‧‧‧第二沈積模組
D2’‧‧‧第二線第二沈積模組
D3‧‧‧第三沈積模組
D3’‧‧‧第二線第三沈積模組
D4‧‧‧第四沈積模組
R1‧‧‧第一旋轉模組
R2‧‧‧第二旋轉模組
S1‧‧‧第一內側
S2‧‧‧第二內側
T1‧‧‧第一運輸模組
T2‧‧‧第二運輸模組
T3‧‧‧第三運輸模組
X1‧‧‧第一軌道
X2‧‧‧第二軌道
Z‧‧‧主要運輸方向
第1圖係根據本文所述之一些方法的待操作的真空處理系統的布局的示意圖；第2圖示意性地繪示根據本文所述之實施例的第1圖的真空處理系統的操作方法的階段(1a1)與(1b)；第3圖示意性地繪示根據本文所述之實施例的第1圖的真空處理系統的操作方法的後續階段；第4圖係根據本文所述之一些方法的待操作的真空處理系統的布局的示意圖；與第5圖係根據本文所述之一些方法的待操作的真空處理系統的布局的示意圖。
將詳細地參照各種實施例，一或多個實施例係繪示於圖式之中。每一實施例係通過解釋來提出，且並非用以限定本發明。舉例而言，繪示的或描述為一實施例的部分的特徵能用來結合其他任何的實施例以產生另一實施例。意思是，本揭露包括這些更動與變化。
在圖式的以下敘述中，相同的參考符號意指相同或相似的元件。通常地，僅描述關於個別實施例的差異。除非有特定說明， 一實施例中的一部份或方面的描述亦應用於另一實施例中的一對應的部分或方面。
第1圖係根據本文所述之一些方法的待操作的一真空處理系統100的布局的示意圖。
真空處理系統100可包括例如是一第一運輸模組T1與一第二運輸模組T2之一或多個運輸模組、與沿著一主要運輸路徑50所排列的一第一旋轉模組R1。另一運輸模組和/或另一旋轉模組係典型地沿著主要運輸路徑來提供，例如一交替排列(alternate arrangement)之中。特別地，一或多個運輸模組、第一旋轉模組R1與可選擇的另一旋轉模組可沿著可以是真空處理系統100的主要運輸方向(main transportation direction)Z的一方向的一實質上線性的設置來排列。
一些實施例中，三、四、五或更多的旋轉模組係沿著主要運輸路徑50來排列。二或更多的沈積模組可相鄰於例如是主要運輸路徑的第一內側上與第二內側上之一旋轉模組來排列。一旋轉模組可用來從主要運輸路徑來發送基板至可相鄰於旋轉模組的主要運輸路徑的側邊上來排列的二或更多的沈積模組中。
舉例而言，第一運輸模組T1可從沿著主要運輸方向Z的第一旋轉模組R1來上游地排列，且第二運輸模組T2可從沿著主要運輸方向Z的第一旋轉模組R1來下游地排列。待塗佈的基板可沿著主要運輸路徑50被運送至主要運輸方向Z之中，亦即從藉由第二運輸模組T2的方向中的第一旋轉模組R1的第一運輸模組T1。
用來裝載待塗佈的基板至真空處理系統中的一第一負 載鎖定室(load lock chamber)可從第一運輸模組T1來上游地排列，例如主要運輸路徑的一第一末端之上，和/或用來從真空處理系統來卸載塗覆基板的一第二負載鎖定室可從第二運輸模組T2來下游地排列，例如主要運輸路徑的一第二末端之上。
一些實施例中，可提供用來在相反於主要運輸方向Z的一方向上送回空載體(empty carriers)的一返回軌道(return track)，例如第1圖中的第二基板載體軌道(substrate carrier track)32。
一運輸模組可被理解為一真空模組或能被插入於至少兩個其他的真空模組或真空腔室之間的真空腔室，例如兩個旋轉模組之間。例如是遮罩載體(mask carriers)和/或基板載體之載體能通過運輸模組的一長度方向上的運輸模組而被運送。運輸模組的長度方向可對應於真空處理系統的主要運輸方向Z。一些實施例中，用以通過運輸模組來導引(guide)載體的二或更多的軌道可被提供於運輸模組之中。 舉例而言，用來運送基板載體的兩個基板載體軌道與用來運送遮罩載體的兩個遮罩載體可延伸通過運輸模組。一些實施例中，一或多個載體可被暫時地停止或「停駐(park)」於一運輸模組之中，直到可持續通過沿著主要運輸路徑的一相鄰旋轉模組的此一或多個載體的運送。
一旋轉模組(本文中亦稱作「路由模組(routing module)」或「路由腔室(routing chamber)」)可被理解為一真空腔室用以改變一或多個載體的方向。特別地，此一或多個載體的運輸方向可藉由旋轉位於旋轉模組中的軌道上的一或多個載體來改變。舉例而言，旋轉模組可包括一旋轉裝置用來旋轉軌道以在一旋轉軸附近來支撐載體。一 些實施例中，旋轉模組包括可在一旋轉軸附近旋轉的至少兩個軌道(第1圖中的第一軌道X1與第二軌道X2)。特別是一第一基板載體軌道之一第一軌道X1可被安排在旋轉軸的一第一內側之上，特別是一第二基板載體軌道之一第二軌道X2可被安排在旋轉軸的一第二內側之上。
藉由180°的一角度來旋轉的旋轉模組可對應於一軌道開關，亦即旋轉模組的第一軌道X1的位置與第二軌道X2的位置可被交換或互換。舉例而言，藉由旋轉第1圖中的第一旋轉模組R1 180°的一角度，能從第一基板載體軌道31旋轉一載體至第二基板載體軌道32，或反之亦然。
一些實施例中，旋轉模組包括4個軌道，特別是兩個遮罩載體軌道與可在一旋轉軸附近旋轉的兩個基板載體軌道。圖式中係僅繪示基板載體軌道。舉例而言，一第一遮罩載體軌道與一第一基板載體軌道可被安排於旋轉模組的旋轉軸的一第一內側上的彼此相鄰之處，一第二遮罩載體軌道與一第二基板載體軌道可被安排於旋轉模組的旋轉軸的一第二內側上的彼此相鄰之處。
當一旋轉模組藉由例如是90°之x°的一角度來旋轉，安排在軌道上的一或多個載體的一運輸方向可藉由例如是90°之x°的一角度來改變。藉由180°的一角度來旋轉的旋轉模組可對應於一軌道開關，亦即旋轉模組的第一基板載體軌道的位置與旋轉模組的第二基板載體軌道的位置可被交換或互換，和/或旋轉模組的第一遮罩載體軌道的位置與旋轉模組的第二遮罩載體軌道的位置可被交換或互換。
根據本文所述之實施例的真空處理系統可更包括一載 體運輸系統用以沿著主要運輸路徑50來運送載體，例如主要運輸方向Z上與本文中可稱作一「返回方向(return direction)」的一相反方向上。 載體運輸系統可包括用來升降與保持載體的例如是一磁浮系統(magnetic levitation system)之一保持系統(holding system)與用來沿著一載體運輸路徑沿著軌道來移動載體的一驅動系統。
如本文所使用之「載體」一詞可特別地指的是用以在運輸期間沿著例如是沿著一基板載體軌道之一載體運輸路徑來保持一基板的一「基板載體」。一些實施例中，基板可被保持在一非水平方向上的載體，特別是在一實質上垂直的方向上。如本文所使用之「載體」一詞可意指用以在運輸期間沿著例如是沿著一遮罩載體軌道之一運輸路徑來保持一遮罩裝置的一「遮罩載體」。一些實施例中，遮罩裝置可被保持在一非水平方向上的載體，特別是在一實質上垂直的方向上。
一載體可包括具有一保持面(holding surface)的一載體主體用以保持一基板或一遮罩裝置，特別是一非水平的方向上，更特別是一實質上垂直的方向上。一些實施例中，此載體主體可包括一導引的部分(guided portion)用以沿著一載體運輸路徑來導引。舉例而言，此載體可藉由例如是一磁浮系統之一固定裝置(holding device)來保持，且此載體可藉由一驅動裝置來移動，例如沿著一遮罩載體軌道或沿著一基板載體軌道。
舉例而言，一基板可藉由例如是藉由一靜電夾盤(electrostatic chuck)和/或藉由一磁性夾持件(magnetic chuck)之一夾 持裝置(chucking device)而被保持在一基板載體。舉例而言，一遮罩裝置可藉由例如是一靜電夾盤和/或一磁性夾持件之一夾持裝置而被保持在一遮罩載體。其他夾持裝置的類型可被使用。
如本文所使用之「運送」、「移動」、「發送」或「旋轉」一基板或一遮罩裝置可意指在載體的一固定部分(holding portion)來保持一基板或一遮罩裝置的一載體的一相對運動，特別是一非水平的方向上，更特別是一實質上垂直的方向上。
如本文所使用之一「實質上垂直的方向」可被理解為具有10°或更小的一偏移的一方向，特別是從一垂直的方向(亦即從重力向量)5°或更小的一偏移。舉例而言，在一基板(或遮罩裝置)的一主要表面與重力向量之間的一角度可在+10°與-10°之間，特別是在0°與-5°之間。一些實施例中，基板(或遮罩裝置)的方向在運輸期間和/或沈積期間可以係不完全垂直的，但輕微地傾斜於垂直軸，例如藉由在0°與-5°之間的一傾斜角，特別是在-1°與-5°之間。一負角意指基板(或遮罩裝置)的一方向，其中此基板或遮罩裝置係向下地傾斜。在沈積期間從重力向量的基板方向的一偏移可以係有益的且可能導致一更適合的沈積製程，或一正面朝下(facing down)的方向可能適合於減少在沈積期間的基板上的粒子。然而，在運輸期間和/或沈積期間的一完全垂直的方向(+/-1°)亦係可能的。
一些實施例中，在運輸期間和/或沈積期間的重力向量與基板(或遮罩裝置)之間的一更大的角度係可能的。在0°與+/-80°之間的一角度可被理解為如本文所使用之一「遮罩裝置的非水平方向」。 在一非水平方向上來運送遮罩裝置可節省空間且允許更小的真空腔室。在運輸期間的基板(或遮罩裝置)的一水平方向亦係可能的。
載體的一保持面在運輸期間可以係至少暫時地實質上垂直地定向。由於基板(遮罩裝置)的重量而基板(或遮罩裝置)可能會彎曲，或在一握力(grip force)不足的情況下而可能從保持面滑下，因此在一實質上垂直的方向上保持一大面積基板(或遮罩裝置)係有挑戰性的。
如第1圖所例示性繪示，真空處理系統100包括排列於相鄰於主要運輸路徑50的一第一內側S1上的第一旋轉模組R1的用來沈積一第一材料的一第一沈積模組D1、與排列於相鄰於相對於第一內側S1的主要運輸路徑50的一第二內側S2上的第一旋轉模組R1的用來沈積一第二材料的一第二沈積模組D2。另一沈積模組係排列於相鄰於另一旋轉模組。
可理解的是，第1圖可以僅顯示根據本文所述之實施例之一真空處理系統的一小部分。可提供例如是一第二旋轉模組R2之另一旋轉模組、例如是一第三沈積模組D3之用來沈積一第三材料的另一沈積模組與用來沈積一第四材料的一第四沈積模組D4。一些實施例中，真空處理系統100可用來在一基板上沈積一層堆疊(layer stack)，其可包括例如是5或更多隨後所沈積的層、例如是10或更多的層、或15或更多的層。
如本文所使用的一「沈積模組」可被理解為能在一或多個基板上沈積一材料的真空處理系統的一部分或腔室，例如是藉由蒸 發。例如是用來將蒸發材料(evaporated material)指向一或多個基板的一蒸汽源(vapor source)之一沈積源(deposition source)35係典型地安排於一沈積模組中。舉例而言，沈積源沿著可被提供於沈積模組中的一源運輸軌道(source transportation track)可以係可移動的。當蒸發材料指向一或多個基板時，沈積源35可沿著源運輸軌道來線性地移動。 在沉積期間，一遮罩裝置可被安排於基板的前方。因此，沈積模組可用於在一基板上的一材料的遮罩沈積。
可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例中，一沈積模組可包括兩個沈積區域，亦即用來排列一第一基板的一第一沈積區域36與用來排列一第二基板的一第二沈積區域37。此第一沈積區域36可被安排於沈積模組中相對於第二沈積區域37。沈積源35可用以隨後將蒸發材料指向排列於第一沈積區域36中的第一基板與指向排列於第二沈積區域37中的第二基板。舉例而言，沈積源的一蒸發方向可以係可逆的，例如是藉由旋轉沈積源35的至少一部份，例如是藉由180°的一角度。
安排於一沈積模組的第一沈積區域36中的一第一基板上的沈積期間，第二沈積區域37可被用來進行至少一或多個的：移動待塗佈的一第二基板至第二沈積區域中；移動一塗覆的第二基板離開第二沈積區域；在第二沈積區域中對準一第二基板，例如是相對於被提供於第二沈積區域中的一遮罩裝置。相似地，安排於一沈積模組的第二沈積區域37中的一第二基板上的沈積期間，第一沈積區域36可被用來進行至少一或多個的：移動待塗佈的一第一基板至第一沈積區 域中；移動一塗覆的第一基板離開第一沈積區域；在第一沈積區域中對準一第一基板，例如是相對於被提供於第一沈積區域中的一遮罩裝置。因此，藉由在一沈積模組中提供兩個沈積區域，能提升在一給定的時間間隔中的塗覆基板的數目。再者，能減少沈積源的閒置時間。 舉例而言，由於沈積源在相對於一遮罩的待塗佈的一基板的對準期間可能不在一空載位置之中，但可用來在另一基板上進行沈積。
根據本文所述之實施例，係描述一種真空處理系統100的操作方法。真空處理系統100可以是如第1圖所示意性地繪示的真空處理系統100。真空處理系統100包括具有一第一旋轉模組R1、一第一沈積模組D1與一第二沈積模組D2的一主要運輸路徑50。另一旋轉模組與沈積模組可被提供。
第2圖例示性繪示第1圖的真空處理系統的操作方法的階段(1a)與(1b)。階段(1a)中，一基板10係從主要運輸路徑50發送至用來在基板上沈積一第一材料的第一沈積模組D1中。接著，階段(1b)中，基板10係從主要運輸路經50發送至用來在基板10上沈積第二材料的第二沈積模組D2中。接著，階段(1c)中，另一材料可被沈積在例如是第三沈積模組D3中和/或第四沈積模組D4中(未繪示於第2圖中)之另一沈積模組中的基板上。舉例而言，基板可隨後從主要運輸路徑被發送至第三沈積模組中與第四沈積模組中。具有一合適數量的材料的一堆疊能被沈積在基板之上。
典型地隨後完成階段(1a)、(1b)、(1c)，例如分別地具有複數個之間的中間階段(intermediate stage)。換言之，在第一材料已 被沈積在第一沈積模組D1中的基板10上之後，第二材料可被沉積在第二沈積模組D2中的基板10之上。第一材料與第二材料可以係不同的有機材料。
在每一材料的沈積之後，基板10可分別地被退回至主要運輸路徑中並從一旋轉模組被發送至一後續的沈積模組中。
第一材料與第二材料可以係不同的材料。一些實施例中， 可提供二或多個沈積模組以在一基板上沈積相同的材料。舉例而言，當相同的材料係沈積在兩個後續的沈積模組中的一基板之上，能增加一材料層的一厚度，例如雙倍。
第一材料可以係例如是一藍色材之畫素的一陣列的一第一色材(color material)，和/或第二材料可以係例如是一紅色材之畫素的一陣列的一第二色材。例如是一綠色材之畫素的陣列的一第三色材可被預先地或後續地沈積。特別地，另一材料可被沈積在相同的真空處理系統中的第一與第二材料之前或之後的基板上。例如是第一材料與第二材料之至少一些材料可以係有機材料。至少一材料可以係一金屬。舉例而言，一或多個的下列金屬可被沈積在一些沈積模組中：鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)與銅(Cu)。至少一材料可以係一透明導電氧化物(transparent conductive oxide)材料，例如銦錫氧化物(ITO)。至少一材料可以係一透明材料。可沿著主要運輸路徑從第一旋轉模組R1來上游地和/或下游地提供用來發送基板至另一沈積模組的另一旋轉模組。
圖式中，第一材料係示意性地繪示為一方形，且已塗佈 第一材料的一基板係用一方形來繪示。第二材料係示意性地繪示為一三角形，且已塗佈第一材料與第二材料的一基板係用一方形與一三角形來繪示。示意性地繪示為一圓形的一另一材料係預先地沈積在基板之上。隨後沈積在基板上的可選擇的另一材料係示意性地繪示為一星形與一多邊形。一基板上的一虛線方形或一虛線三角形代表在各自的階段期間的各自基板上的待沈積的各自材料。
根據本文所述之一些實施例的真空處理系統可係一單線式系統(single-line-system)。舉例而言，第1圖的真空處理系統100係一單線式系統。其中，基板與待塗佈的每一後續基板係移動至相同順序中的相同的沈積模組之中。在預定的時間間隔之後，特別是在對應於系統的一觸動間隔(tact interval)的實質上恆定時間間隔(constant time intervals)之後，上述順序可個別地啟動後續基板。舉例而言，基板與待塗佈的每一後續基板可在一預定順序中被移動至排列在主要運輸路徑的側邊上的每一沈積模組之中。待塗佈的每一後續基板可通過相同的預定順序中的沈積模組來移動。一小型真空處理系統(compact vacuum processing system)能被提供。
特別地，一單線式系統中，在預定的時間間隔之後，特別是在對應於真空處理系統的一觸動間隔的恆定時間間隔之後，更特別是在大約60秒的恆定觸動間隔(constant tact intervals)之後，順序(1a)-(1b)-(1c)可重複地啟動後續基板。
其他實施例中，可提供一多線式系統(multi-line-system)，例如第4圖與第5圖中所例示性繪示的一二線式 系統(two-line-system)。其中，一第一基板係移動至一第一順序中的沈積模組的一第一子集之中，且待塗佈的一後續基板係移動至一第二順序中的沈積模組的一第二子集之中。一二線式系統中，待塗佈的一第二後續基板係再移動至第一順序中的沈積模組的第一子集之中，待塗佈的一第三後續基板係再移動至第二順序中的沈積模組的第二子集之中。換言之，兩塗覆線(coating lines)(一第一塗覆線與一第二塗覆線)係提供於用來交替地塗佈後續基板的相同的真空處理系統之中。在可對應於整個系統的觸動間隔兩次的預定的時間間隔之後，第一順序(亦即沿著第一塗覆線的一基板的移動)可啟動待塗佈的一單獨的基板。在可對應於整個系統的觸動間隔兩次的預定的時間間隔之後，第二順序(亦即沿著第二塗覆線的一基板的移動)可啟動一單獨的基板。換言之，結合的兩塗覆線可提供整個系統的總生產時間(tact time)，然而兩塗覆線的每一個每整個系統的兩觸動間隔則可啟動一新的塗佈順序。
一多線式系統中，基板10係移動至待塗佈的只有一部份的沈積模組之中，特別是至只有一半的沈積模組之中，且一後續基板係移動至待塗佈的只有另一部分的沈積模組之中，特別是至另外一半的沈積模組之中。
沿著主要運輸路徑50來移動基板10可包括沿著主要運輸路徑50來保持基板10的一基板載體的一移動，例如從第一運輸模組T1到第一旋轉模組R1之中，如同藉由第1圖中的一箭頭所示意性地繪示。基板10可已經藉由一或多個材料所塗佈(由第1圖中的一圓圈所繪示)。在基板10的移動期間，基板可藉由一基板載體來輸送， 特別是在一非水平方向上，更特別是在一實質上垂直的方向上。
如第1圖中各自的箭頭所示意性地繪示，沿著主要運輸路徑50所排列的複數個基板可同步地沿著主要運輸路徑50來移動。 舉例而言，排列在第一基板載體軌道31之上的基板載體可在主要運輸方向Z上同步地移動至一單獨的相鄰模組之中，和/或排列在第二基板載體軌道32(本文中亦稱作一「返回軌道」)之上的基板載體可在一相反方向(本文中亦稱作一「返回方向」)上同步地移動至一單獨的相鄰膜組之中。本文所使用之「同步地」可被理解為例如是10秒或更少之「相同的時間窗之內」，特別是大約5秒。
特別地，一些實施例中，排列於主要運輸路徑的方向上的旋轉模組的時間間隔可用來沿著返回方向上的返回軌道來同步地退回空載體21。旋轉模組係在一旋轉狀態中的時間間隔中，空載體可在各自的運輸模組中等待，直到沿著主要運輸路徑50的下一個同步運動係可能的。沿著返回軌道的兩相鄰的空載體可能因為一觸動間隔而暫時地延遲。換言之，一後續的空載體可在例如是60秒後之一觸動間隔之後的先前空載體的位置(亦可參見第3圖的階段(1a-1)至(1a-8))。
相似地，排列在第一基板載體軌道31上的兩基板載體可能因為複數個的一觸動間隔而暫時地延遲。舉例而言，基板10與排列在第1圖中的第一基板載體軌道31上的第四基板14可能因為五個觸動間隔而暫時地延遲。換言之，基板10在例如是大約300秒後之五個觸動間隔之後將會在第四基板14的位置。在那時，將藉由第一材料與第二材料的兩者來塗佈基板10，如同在系統中第四基板14的位置。
沿著主要運輸路徑50的載體的一同步運動簡化真空處理系統中的載體運輸量(carricr traffic)，而能減少觸動間隔且能在一更小的生產時間來提供塗覆基板。
可注意的是，主要運輸路徑50在一些實施例中可具有一非線性的設置，且繪示於第1圖的線性的設置僅係一個例子。主要運輸路徑50能被理解為沿著基板被運送的一路徑，其包括一或多個分支點，典型地藉由各自的旋轉模組來提供，能發送基板離開主要運輸路徑以在一或多個沈積模組中使用一材料來進行塗佈。再者，在一或多個分支點，為了持續沿著主要運輸路徑的基板的運送，基板能被發送回主要運輸路徑之中。
如第2圖的階段(1a)所示意性地繪示，使基板10離開主要運輸路徑50的發送可包括從主要運輸路徑50移動基板10至第一沈積模組D1中和/或從可用來改變基板10的運輸方向的一第一旋轉模組R1至第二沈積模組D2中。特別地，基板10可進入主要運輸方向Z上的第一旋轉模組R1且可離開朝向第一沈積模組D1或朝向可與主要運輸方向Z垂直的一第二方向上的第二沈積模組D2的第一旋轉模組R1。舉例而言，第一旋轉模組R1可用來藉由大約90°的一角度來旋轉基板10。
一些實施例中，如第2圖的階段(1a)所示意性地繪示，基板10係從第一旋轉模組R1來移動至第一沈積模組D1之中。在第一沈積模組D1中的基板10之上的第一材料的沈積之後(以一方形繪示)，基板10可被移動回至第一旋轉模組R1之中。
如第2圖的階段(1b)所示意性地繪示，階段(1b)中，基板10可從第一旋轉模組R1被移動至第二沈積模組D2以在第二沈積模組D2中用第二材料來進行塗佈。在基板10之上的第二材料的沈積之後，基板10可被移動回至第一旋轉模組R1之中。其後，第一旋轉模組R1可旋轉基板10回到主要運輸方向Z，且可持續沿著主要運輸路徑50的基板的運送。
一些實施例中，第一旋轉模組R1係排列於主要運輸路徑50之中。例如是一第二旋轉模組R2之另一旋轉模組可下游地從第一旋轉模組R1來排列於主要運輸路徑之中，例如從主要運輸路徑50發送出基板至使用另一材料來塗佈的另一沈積模組之中。
使基板10從主要運輸路徑50至第一沈積模組D1之中且隨後至用來在基板上沈積不同材料的第二沈積模組D2之中的發送簡化在真空處理系統中的基板運輸量。因此，能減少沈積製程的觸動間隔，且能在一給定的時間週期內使用複數個材料來塗佈更大數量的基板。換言之，能在一更小的生產時間提供塗覆基板。
第一旋轉模組R1和/或每個另一旋轉模組可包括排列於第一旋轉模組R1的一旋轉軸的一第一內側之上的一第一軌道X1與排列於第一旋轉模組R1的旋轉軸的一第二內側之上的一第二軌道X2。 如第2圖的階段(1a)所示意性地繪示，階段(1a)中，基板10可被排列在第一旋轉模組R1的第一軌道X1之上。
在基板10進入第一軌道X1上的第一旋轉模組R1之中的移動期間，第一旋轉模組R1的第二軌道X2可以係空載的。或者地， 第一旋轉模組R1的第二軌道X2可以係使用中的。舉例而言，如第1圖所示意性地繪示，在相同的時間週期可從第二軌道X2來移動一空載體21。可沿著相反於例如是裝載著待塗佈的一新的基板之主要運輸方向Z的一方向上的第二基板載體軌道32來導引(direct)空載體21。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，階段(1a)中，在基板10係從第一旋轉模組R1移動至來自第一旋轉模組R1的第一軌道X1的第一沈積模組D1之中的一時間週期的期間，一第二基板11可被排列於第一旋轉模組R1的第二軌道X2之上。第二基板11係示意性地繪示於第2圖的階段(1a)之中。
在基板10之前，第二基板11可以係在第一沈積模組D1中已使用第一材料進行塗佈的一基板。在第二基板11上的第一材料的沈積之後，特別是當第一軌道X1可能已經被基板10所佔據，可從第一沈積模組D1移動第二基板11至第一旋轉模組R1的第二軌道X2之上。隨後，如第2圖的階段(1a)所示意性地繪示，可旋轉第一旋轉模組R1，且可從第一軌道X1移動基板10至第一沈積模組D1之中。 因此，能加速第一沈積模組D1中的第二基板11與基板10的交換且能減少沈積製程的觸動間隔。
特別地，可在第一沈積模組D1的相同的沈積區域中塗佈第二基板11與基板10的兩者，例如第2圖中的左沈積區域。如第2圖的階段(1a)所示意性地繪示，能藉由同時在第一旋轉模組R1中排列基板10與第二基板11以進行基板的交換，來加速在所述沈積區域中的基板交換。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，階段(1a)中，在基板10係從第一旋轉模組R1移動至第一沈積模組D1中的一時間週期的期間，可從一第二沈積模組D2移動一第三基板12至第一旋轉模組R1中。第三基板12係示意性地繪示於第2圖的階段(1a)之中。
特別地，可移動第三基板12至第一軌道X1上的第一旋轉模組R1中，同步地或直接地進行後續的從來自第一軌道X1的第一旋轉模組R1移動基板10至第一沈積模組D1中。舉例而言，如第2圖的階段(1a)中的個別的箭頭所示意性地繪示，第三基板12與基板10的移動可在10秒或更小的一時間窗內發生，特別是大約5秒。
因此，隨後可即時使用第一旋轉模組R1的第一軌道X1以旋轉第三基板12，其可以係已使用第一沈積模組D1中的第一材料與第二沈積模組D2中的第二材料來塗佈的一基板(由方形與三角形所繪示)。第三基板12可被發送回主要運輸路徑50之中。
第一沈積模組D1可被排列於相對於第二沈積模組D2的第一旋轉模組R1的一對邊(opposite side)之上。第一旋轉模組R1可用來進行在第一沈積模組D1與第二沈積模組D2之間的一基板運送。 能改善第一旋轉模組R1的使用且能減少沈積製程的生產時間。
第1圖所繪示的一旋轉模組的一第一旋轉位置中，可排列第一軌道X1與第二軌道X2以連接主要運輸路徑50的一上游側與主要運輸路徑50的一下游側。因此，可沿著主要運輸路徑50通過旋轉模組來發送基板。舉例而言，能在例如是沿著第二基板載體軌道32 之一返回方向上通過旋轉模組來移動一空載體21。
或者地或附加地，旋轉模組的一第二旋轉位置中(舉例而言，如第二圖的階段(1a)所示意性地繪示的從第一旋轉位置逆時針旋轉90°之後)，第一旋轉模組R1的第一軌道X1可連接第一沈積模組D1的一第一沈積區域與第二沈積模組D2的一第一沈積區域，和/或第一旋轉模組R1的第二軌道X2可連接第一沈積模組D1的一第二沈積區域與第二沈積模組D2的一第二沈積區域。
或者地或附加地，一第三旋轉位置中(例如從第一旋轉位置旋轉180°之後)，可排列第一軌道X1與第二軌道X2以連接主要運輸路徑50的上游側與主要運輸路徑50的下游側。然而，第一軌道X1與第二軌道X2的位置可以被互換。
或者地或附加地，旋轉模組的一第四旋轉位置中(例如從第一旋轉位置順時針旋轉90°之後)，第一旋轉模組R1的第一軌道X1可連接第一沈積模組D1的第二沈積區域與第二沈積模組D2的第二沈積區域，和/或第一旋轉模組R1的第二軌道X2可連接第一沈積模組D1的第一沈積區域與第二沈積模組D2的第一沈積區域。換言之，可相對於第二旋轉位置來互換第一軌道X1與第二軌道X2的位置。
第3圖繪示真空處理系統的操作方法的後續階段的一更詳細順順序。3秒或更多且8秒或更小的一時間間隔可通過在第3圖的兩後續階段之間。所繪示的順序可用於(i)從主要運輸路徑50傳送一基板10至第一沈積模組D1之中以使用第一材料來塗佈，(ii)從第一沈積模組D1傳送已使用第一材料來塗佈的一第二基板11至第二沈積 模組D2之中，與(iii)從第二沈積模組D2傳送已使用第一材料與第二材料的兩者來塗佈的一第三基板12回到主要運輸路徑50之中。
在基板10的二或四個觸動間隔之前，第二基板11可以係用第一材料來塗佈的一基板。在第二基板11的二或四個觸動間隔之前，第三基板12可以係用第一材料來塗佈的一基板。換言之，基板10、第二基板11與第三基板12可藉由複數個一觸動間隔來暫時地延遲，特別是藉由二或四個觸動間隔。
根據一些實施例，階段(1a-1)中，基板10係沿著主要運輸路徑50來移動至第一旋轉模組R1的第一軌道X1之上。在那時，第二基板11可以用第一沈積模組D1中的第一材料來塗佈，且第三基板12可以用第二沈積模組D2中的第二材料來塗佈。
其後，一階段(1a-2)中，第一旋轉模組R1可藉由一第一角度來旋轉，例如藉由順時針90°的一角度。舉例而言，第一旋轉模組R1可以從第一旋轉位置來旋轉至第四旋轉位置。在那時，第一沈積模組D1中的第二基板11上的第一材料的沈積可以係幾乎或已經完成的。第二沈積模組D2中的第三基板12上的第二材料的沈積可以是尚未完成的。舉例而言，第一沈積模組D1中的第二基板11上的第一材料的沈積與第三基板12上的第二材料的沈積可以非精確地平行運行(run in parallel)，但其間具有一時間位移(time shift)，例如10秒或更多。所述時間位於可對應於用於一旋轉模組的兩個旋轉的時間。
可注意的是，一些實施例中，分別地，排列於主要運輸路徑的第一內側S1之上的沈積模組中的沈積製程可以係同步的，且排 列於主要運輸路徑的第二內側S2之上的沈積模組中的沈積製程可以係同步的。在排列於第一內側S1之上的沈積模組中的沈積製程與排列於第二內側S2之上的沈積模組中的沈積製程之間可以具有一小時間位移。
一些實施例中，根據主要運輸路徑的第一與第二內側之上的第一與第二沈積模組的排列，第一角度可以係+90°(-270°)或-90°(+270°)。可注意的是，根據相對於主要運輸路徑的各自的沈積模組的一方向，第一角度可以係任何角度。舉例而言，第4圖所繪示的一實施例中，根據相對於主要運輸路徑50的沈積模組的方向，第一角度可以係-60°、+60°、+120°或-120°。
可與本文所述之其他實施例來結合的一些實施例中，沿著真空處理系統的主要運輸路徑50來排列的所有旋轉模組可同步地旋轉。特別地，藉由一給定的複數個一觸動間隔來時間平移的基板可同步地改變真空處理系統的各種模組中的它們的位置或方向(以階段(1a-2)中的系統的每一旋轉模組中的旋轉箭頭來繪示)。舉例而言，在第3圖的階段(1a-2)中的旋轉模組中同步地旋轉的基板可以各自地藉由五個觸動間隔來時間平移。
其後，一階段(1a-3)中，第二基板11可從特別是從第一沈積模組D1的第一沈積區域之第一沈積模組D1移動至可以係閒置的第一旋轉模組R1的第二軌道X2之上。
其後，階段(1a-4)中，第一旋轉模組R1可藉由一第二角度來旋轉，特別是180°。舉例而言，第一旋轉模組R1可以從第四 旋轉位置旋轉至第二旋轉位置。在那時，第二沈積模組D2中的第三基板12之上的第二材料的沉積可以係幾乎或已經完成的。
一些實施例中，沿著真空處理系統的主要運輸路徑來排列的所有旋轉模組可在階段(1a-4)中同步地旋轉。特別地，藉由一給定的複數個一觸動間隔來時間平移的基板可同步地改變真空處理系統的各種模組中的它們各自的位置或方向(以階段(1a-4)中的系統的每一旋轉模組中的旋轉箭頭來繪示)
因此，階段(1a)中，基板10可從第一軌道X1被移動至第一沈積模組D1之中，特別是第一沈積模組D1的第一沈積區域之中。
一些實施例中，當基板10在階段(1a)中移動至第一沈積模組D1之中，第二軌道X2可被待發送至第二沈積模組D2之中的第二基板11所佔據。因此，能改善第一旋轉模組R1的使用且能減少沈積製程的週期間隔(cycle interval)。
可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例中，階段(1a)中，第三基板12可從特別是從第二沈積模組D2的一第一沈積區域之一第二沈積模組D2被移動至第一旋轉模組R1的第一軌道X1之上，同時地或直接地進行後續的從第一軌道X1至第一沈積模組D1中的基板10的移動。因此，能立刻使用第一旋轉模組R1的第一軌道X1以發送第三基板12返回至主要運輸路徑50。
可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例中，一階段(1a-5)中，方法可包括藉由特別是180°之一第三角度來旋轉第一旋 轉模組R1。舉例而言，可互換被第三基板12所佔據的第一軌道X1的位置與被第二基板11所佔據的第二軌道X2的位置。特別地，第一旋轉模組R1可從第二旋轉位置來旋轉至第四旋轉位置。
一些實施例中，沿著真空處理系統的主要運輸路徑來排列的所有旋轉模組可同步地在階段(1a-5)中旋轉。特別地，藉由一給定的複數個一觸動間隔來時間平移的基板可同步地改變真空處理系統的各種類似模組(analogue modules)中它們各自的位置或方向(由階段(1a-5)中的系統的每一旋轉模組中的旋轉箭頭所繪示)。
隨後，階段(1a-6)中，第二基板11可從第一旋轉模組R1的第二軌道X2被移動至第二沈積模組D2中以使用第二材料來塗佈。在那時，第一軌道X1可被第三基板12所佔據。
隨後，階段(1a-7)中，可藉由例如是藉由-90°或+90°之一第四角度來旋轉第一旋轉模組R1。特別地，第一旋轉模組R1可從第四旋轉來旋轉至第一旋轉位置。
一些實施例中，沿著真空處理系統的主要運輸路徑來排列的所有旋轉模組可同步地在階段(1a-7)中旋轉。特別地，藉由一給定的複數個一觸動間隔來時間平移的基板可同步地改變真空處理系統的各種類似模組中它們各自的位置或方向(由階段(1a-7)中的系統的每一旋轉模組中的旋轉箭頭所繪示)。
因此，階段(1a-8)中，可沿著主要運輸路徑50從特別是從第一軌道X1之第一旋轉模組R1移動出第三基板12。
一些實施例中，在真空處理系統的對應模組中的基板移 動可以係同步的。舉例而言，旋轉模組中的基板移動可以係同步的，排列於第一內側S1之上的沈積模組中的基板移動可以係同步的，和/或排列於第二內側S2之上的沈積模組中的基板移動可以係同步的。藉由一給定的複數個一觸動間隔來時間平移的基板與排列於對應模組中的基板可被同步地(亦即具有例如是10秒或更少、或大約5秒內之相同的時間間隔)移動，例如平移(translated)或旋轉。能簡化真空處理系統中的基板運輸量，且能減少觸動間隔。
此方法更包括在第一沈積模組D1中的基板10之上的第一材料的沈積之後，特別是階段(1a-3)之後的兩個觸動間隔，從第一沈積模組D1移動基板10返回至第一旋轉模組R1。
其後，第一旋轉模組R1可被旋轉一或多次，特別是包括藉由180°的一角度來旋轉兩次，特別是各自地階段(1a-4)與(1a-5)之後的兩個觸動間隔。
其後，階段(1b)中，基板10可被移動至特別是至第二沈積模組D2的第一沈積區域中之第二沈積模組D2中以在基板上沈積第二材料。階段(1a-6)之後，階段(1b)可實現兩個生產時間。
如第1圖至第3圖所例示性繪示的一單線式系統中，在從第一沈積模組D1至第二沈積模組D2中的第二基板11的移動之後，從第一沈積模組D1來移動基板10至第二沈積模組D2中的運動順序(movement sequence)可實現兩個觸動間隔。特別地，在上述運動順序(1a-1)-(1a-2)-(1a-3)-(1a-4)-(1a)-(1a-5)-(1a-6)-(1a-7)-(1a-8)之後的兩個觸動間隔，可實現一對應的運動順序，其中上述運動順序的基板係 對應的運動順序的第二基板，且其中上述運動順序的第二基板係對應的運動順序的第三基板。因此，每兩個觸動間隔，每一基板可被移動至各自的下一個沈積模組之中。
一些實施例中，從一模組至一相鄰模組的一基板的傳送時間可以係在3秒與10秒之間，特別是大約5秒。一些實施例中，在兩個旋轉位置之間來旋轉一旋轉模組的時間可以係在3秒與10秒之間，特別是大約5秒。
一些實施例中，在預定的時間間隔之後，特別是在對應於真空處理系統的觸動間隔的恆定時間間隔之後，更特別是在大約60秒的恆定觸動間隔，順序(12)-(1b)-(1c)重複地啟動後續的基板。
一些實施例中，在偶數觸動間隔所啟動的順序的階段(1a)中，基板可發送至第一沈積模組D1的一第一沈積區域中以在基板上沈積第一材料，且在奇數觸動間隔所啟動的順序的階段(1a)中，一個別的基板可被發送至第一沈積模組D1的一第二沈積區域之中以在基板上沈積第一材料。
相似地，在偶數觸動間隔所啟動的順序的階段(1b)中，一個別的基板可被發送至第二沈積模組D2的一第一沈積區域之中以在基板上沈積第二材料，且在奇數觸動間隔所啟動的順序的階段(1b)中，一個別的基板可被發送至第二沈積模組D2的一第二沈積區域之中以在基板上沈積第二材料。
相似地，在偶數觸動間隔所啟動的順序的階段(1c)中，個別的基板可被發送至各自的第一沈積區域之中，且在奇數觸動間隔 所啟動的順序的階段(1c)中，個別的基板可被發送至各自的第二沈積區域之中。
舉例而言，一第一順序(1a)-(1b)-(1c)可從在一觸動間隔0的一基板係被發送至第一沈積模組D1的第一沈積區域中的階段(1a)來開始。
一第二順序(1a)-(1b)-(1c)可從一觸動間隔之後(在一奇數觸動間隔)的一後續基板係被發送至第一沈積模組D1的第二沈積區域中的階段(1a)來開始。在那時，第一沈積模組D1的第一沈積區域可仍然被可在第一沈積區域中對準或塗佈的第一順序的基板所佔據。
一第三順序(1a)-(1b)-(1c)可從一觸動間隔之後(在一偶數觸動間隔)的一第二後續基板係被發送至第一沈積模組D1的第一沈積區域中的階段(1a)來開始。在那時，第一順序的基板可已經離開第一沈積區域且可前往第二沈積模組D2的第二沈積區域。
一第四順序(1a)-(1b)-(1c)可從一觸動間隔之後(在一奇數觸動間隔)的一第三後續基板係被發送至第一沈積模組D1的第二沈積區域中的階段(1a)來開始。在那時，第二順序的第二基板可已經離開第二沈積區域且可前往第二沈積模組D2的第二沈積區域。
在可對應真空處理系統的觸動間隔的預定的時間間隔之後，後續順序(Subsequent sequences)(本文中亦稱作週期)可重覆地啟動。
特別地，在個別的時間間隔之後，特別是在可對應系統的觸動間隔的恆定時間間隔，順序(1a)-(1b)-(1c)可重覆地啟動後續基 板。觸動間隔可以係45秒或更多和/或120秒或更少，特別是大約60秒。
後續週期中的沈積可在沈積模組的第一沈積區域中與沈積模組的第二沈積區域中交替地進行。每一第二週期可包含至系統的沈積模組的對應的沈積區域之中的一運動順序。
在對應於觸動間隔的恆定時間間隔之後，當順序(1a)-(1b)-(1c)係重覆地啟動後續基板，在例如是每45秒或更多和/或120秒或更少之每一生產時間之後，特別是大約60秒，能提供具有一沈積層堆疊的一基板。
可根據一或多個以下參數：在兩個旋轉位置之間旋轉一旋轉模組的時間可以係3秒或更多且10秒或更少，特別是大約5秒；從一真空模組移動一載體至一相鄰的真空模組的時間可以係3秒或更多且10秒或更少，特別是大約5秒；系統的所有旋轉模組可以係同步的；在相同的時間沿著主要運輸路徑的基板的一前後運送可以係可能的；在後續基板交換之間的時間間隔可以係60秒，來操作第1圖的真空處理系統100。因此，當系統被配置為一單線式系統，系統的總觸動間隔可以係60秒。
根據可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例，主要運輸路徑50可包括彼此平行而排列的一第一基板載體軌道31與一第二基板載體軌道32。第一基板載體軌道31與第二基板載體軌道32可用來沿著主要運輸路徑50來運送基板載體。當被基板載體所保持時，基板可沿著主要運輸方向Z上的第一基板載體軌道31來移動。
一些實施例中，可在一相反方向上，亦即相反於主要運輸方向Z的一方向上(本文中亦稱作一「返回方向」)，沿著第二基板載體軌道32來送回空載體。一空載體可被理解為不保持一基板或一遮罩裝置的一載體。因此，當被沿著主要運輸方向Z上的第一基板載體軌道31的基板載體所保持時，基板係被運送、係脫離在主要運輸路徑50的一末端的基板載體、從系統被卸載，且能沿著返回方向上的第二基板載體軌道32來送回此空載體。待塗佈的新基板能被裝載至空基板載體之上。
可在第1圖所繪示的真空處理系統100中實現根據本文所述之實施例之方法。真空處理系統100可包括一或多個運輸模組、沿著主要運輸路徑50所提供的一第一旋轉模組R1、排列於相鄰於主要運輸路徑50的一第一內側S1之上的第一旋轉模組R1的用來沈積第一材料的第一沈積模組D1、與排列於相鄰於相對於第一沈積模組D1的主要運輸路徑50的一第二內側S2之上的第一旋轉模組R1的用來沈積第二材料的第二沈積模組D2。
可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例中，可提供沿著主要運輸路徑50所延伸的一或多個遮罩載體軌道(未繪示於圖示中)，特別是平行於一或多個基板載體軌道。因此，一些實施例中，兩個遮罩載體軌道與兩個基板載體軌道可沿著主要運輸路徑50來延伸，例如通過沿著主要運輸路徑的運輸模組與旋轉模組。
保持遮罩裝置的遮罩載體可沿著真空處理系統的一或多個遮罩載體軌道來被運送。特別地，一遮罩裝置可在特別是在一實 質上垂直的方向上之一非水平的方向上來被保持在一遮罩載體。
一些實施例中，一遮罩裝置可包括一遮罩與一遮罩框架(mask frame)。遮罩框架可用以穩定遮罩，其典型地係一精密元件。舉例而言，此遮罩框架可以一框架的形式來圍繞此遮罩。此遮罩可被永久地固定於此遮罩框架，例如是藉由焊接，或此遮罩係可釋放地被固定於此遮罩框架。此遮罩的一圓周邊緣可被固定於此遮罩框架。
此遮罩可包括形成於一圖案中且藉由一遮罩沈積製程來在一基板上沈積一對應的材料圖案的複數個開口。在沈積期間，此遮罩可被近距離地排列在基板前方或與基板的前表面直接接觸。舉例而言，此遮罩可以係具有複數個開口的一精細金屬遮罩(fine metal mask，FMM)，例如100,000個開口或更多。舉例而言，有機畫素的一圖案可被沈積在基板之上。遮罩的其他類型係可能的，例如邊緣排除遮罩(edge exclusion masks)。
一些實施例中，遮罩裝置可至少部分地由一金屬所組成， 舉例而言，具有一小的熱膨脹係數的一金屬，例如因瓦(invar)。在沈積期間，遮罩可包括一磁性材料以使此遮罩能被磁性吸引至基板。或者地或附加地，遮罩框架可包括一磁性材料以使此遮罩裝置能藉由磁力來被吸引至一遮罩載體。
遮罩裝置可具有0.5公尺2或更大的一面積，特別是1公尺2或更大。舉例而言，遮罩裝置的一高度可以係0.5公尺或更高，特別是1公尺或更高，和/或遮罩裝置的一寬度可以係0.5公尺或更大，特別是1公尺或更大。遮罩裝置的一厚度可以係1公分或更小，其中 遮罩框架可以比遮罩更厚。
在真空處理系統100中的運輸期間，可藉由一遮罩載體來保持遮罩裝置。舉例而言，可沿著真空處理系統100中的主要運輸路徑50來運送保持遮罩裝置的遮罩載體。一些實施例中，可沿著通過真空處理系統的遮罩載體軌道來導引此遮罩載體。舉例而言，此遮罩載體可包括一導引的部分以沿著遮罩載體軌道來被導引。
一些實施例中，遮罩載體係藉由可包括一磁浮系統的一運輸系統來運送。舉例而言，可提供一磁浮系統以使至少一部份的遮罩載體的重量可藉由此磁浮系統來承載(carry)。能實質上非接觸地沿著通過真空處理系統的遮罩載體軌道來導引此遮罩載體。可提供沿著遮罩載體軌道來移動載體的一驅動(drive)。
在預定的時間間隔來交換已使用的遮罩裝置與在個別的沈積模組中的清潔的或新的遮罩裝置可能係有益的。舉例而言，在遮罩裝置的一交換可以係合理的之前，一遮罩裝置可用於在一給定數量的基板上的一材料的沈積，例如10個基板或更多且100個基板或更少。
對於交換一已使用的遮罩裝置，此已使用的遮罩裝置可從一沈積模組被發送至主要運輸路徑之中，且待使用的一遮罩裝置可從主要運輸路徑被發送至沈積模組之中。
舉例而言，可沿著在遮罩載體軌道的其中一者之上的主要運輸路徑50來運送待使用的一遮罩裝置，特別是相鄰於和/或同步地可在基板載體軌道的其中一者之上被平行運送的一基板。可一起旋 轉和/或移動待使用的遮罩裝置與基板至第一旋轉模組R1之中。
在階段(1a)中，待使用的遮罩裝置可從主要運輸路徑50被發送至第一沈積模組D1的一第一沈積區域之中以在基板10之上進行遮罩沈積，特別是連同基板10。
換言之，待使用的一遮罩裝置與待塗佈的一基板可被移動至一沈積區域之中。特別地，第一旋轉模組R1可用來發送一待使用的一遮罩裝置同步地與待塗佈的一基板至一沈積模組的一沈積區域之中。能加速遮罩交換且能減少真空處理系統的生產時間。
遮罩裝置可比起基板較不頻繁地進行交換。因此，一遮罩裝置與一基板可被發送至一沈積模組之中，並非在一沈積模組中進行每一基板的交換，但只有例如是每十個週期之每二十個週期或甚至更不頻繁。
一些實施例中，已使用的遮罩裝置可從第一沈積區域(或任何其他的沈積區域)發送離開，且在可比第一沈積區域中(或任何其他的沈積區域)的一基板交換頻率更低的一預定的遮罩交換頻率，待使用的遮罩裝置可被發送至第一沈積區域中(或任何其他的沈積區域中)。舉例而言，在一給定的沈積區域中，每十個基板的交換、每二十個基板的交換或甚至更不頻繁而可交換一遮罩裝置。
第4圖繪示示意圖中的根據本文所述之一些實施例的一真空處理系統200。真空處理系統200能用來實現本文所述的一些方法。特別地，真空處理系統200能用來實現上述所解釋的任何方法，因此能參考上述解釋，於此不再贅述。
真空處理系統200可包括一或多個運輸模組，例如一第一運輸模組T1、一第二運輸模組T2與沿著主要運輸路徑50所提供的一第一旋轉模組R1。如第4圖所示意性地繪示，另一運輸模組和/或另一旋轉模組可沿著主要運輸路徑來排列。
真空處理系統200可更包括排列於相鄰於主要運輸路徑50的一第一內側S1上的第一旋轉模組R1的用來沈積第一材料的一第一沈積模組D1，排列於相鄰於相對於第一內側S1的主要運輸路徑50的一第二內側S2上的第一旋轉模組R1的用來沈積第二材料的一第二沈積模組D2。
可彼此相對地排列第一沈積模組D1與第二沈積模組D2於第一旋轉模組R1的不同側之上，亦即在相對於第一旋轉模組R1的旋轉軸的180°的一角度。因此，在第一旋轉模組R1的至少一旋轉位置中，第一旋轉模組R1的第一軌道X1與第二軌道X2可連結第一沈積模組D1與第二沈積模組D2的沈積區域。
如第4圖所繪示，一些實施例中，用來沈積第一材料的一第二線第一沈積模組D1’可被排列於相鄰於主要運輸路徑50的第二內側S2上(或者地，第一內側S1上)的第一旋轉模組R1。此外，用來沈積第二材料的一第二線第二沈積模組D2’可被排列於相鄰於主要運輸路徑50的第一內側S1上(或者地，第二內側S2上)的第一旋轉模組R1。
可彼此相對地排列第二線第一沈積模組D1’與第二線第二沈積模組D2’於第一旋轉模組R1的不同側之上，亦即在相對於 第一旋轉模組R1的旋轉軸的180°的一角度。因此，在第一旋轉模組R1的至少一旋轉位置中，第一旋轉模組R1的第一軌道X1與第二軌道X2可連結第二線第一沈積模組D1’與第二線第二沈積模組D2’的沈積區域。
另一沈積模組與對應的第二線沈積模組可被排列於相鄰於沿著主要運輸路徑50所提供的另一旋轉模組。舉例而言，可提供具有相對於主要運輸路徑50的一實質上對稱配置(symmetric configuration)的一鏡像射線設置(mirror-line setup)。換言之，可對稱於用來在主要運輸路徑的另一側上沈積相同材料的一對應的第二線沈積模組來排列用來沈積一材料的每一沈積模組。舉例而言，如第4圖所示意性地繪示，可對稱於用來在主要運輸路徑50的另一側上沈積第三材料的一第二線第三沈積模組D3’來排列用來沈積一第三材料的一第三沈積模組D3。第三沈積模組D3與第二線第三沈積模組D3’之兩者可被排列於相鄰於一第二旋轉模組R2。
第一旋轉模組R1可用來在主要運輸路徑50的一上游部份、主要運輸路徑50的一下游部份、第一沈積模組D1(特別地，第一沈積模組D1的第一與第二沈積區域)、第二沈積模組D2(特別地，第二沈積模組D2的第一與第二沈積區域)、第二線第一沈積模組D1’(特別地，第二線第一沈積模組D1’的第一與第二沈積區域)、和/或第二線第二沈積模組D2’(特別地，第二線第二沈積模組D2’的第一與第二沈積區域)之間來發送載體。
舉例而言，第一旋轉模組R1可包括可旋轉於排列於第 一軌道X1與第二軌道X2之間的一旋轉軸的附近的一第一軌道X1與一第二軌道X2。第一旋轉模組R1可在至少6個旋轉位置之間旋轉，其中可提供兩個旋轉位置以連接主要運輸路徑50的上游部分與主要運輸路徑50的下游部分，可提供兩個旋轉位置以連結第一沈積模組D1與第二沈積模組D2，且可提供兩個旋轉位置以連結第二線第一沈積模組D1’與第二線第二沈積模組D2’。
在主要運輸路徑50與第一沈積模組D1之間的一角度可以係大約60°，在主要運輸路徑50與第二沈積模組D2之間的一角度可以係-120°，在主要運輸路徑50與第二線第一沈積模組D1’之間的一角度可以係-60°，且在主要運輸路徑50與第二線第二沈積模組D2’之間的一角度可以係+120°。其他角度係可能的。特別地，第一沈積模組D1與第二沈積模組D2的沈積區域可對準第一旋轉模組R1的對邊上，例如在至少一旋轉位置中可連結於第一旋轉模組R1的第一與第二軌道，且第二線第一沈積模組D1’與第二線第二沈積模組D2’的沈積區域可對準第一旋轉模組R1的對邊上，例如在至少一旋轉位置中可連結於第一旋轉模組R1的第一與第二軌道。
第4圖的真空處理系統200具有如上述解釋的一二線式配置。其中，每一第二基板(例如順序(1a)-(1b)-(1c)的基板起始於偶數的觸動間隔)係接續移動至包括第一沈積模組D1、第二沈積模組D2與至少另一沈積模組的沈積模組的一第一子集中，但非移動至沈積模組的第二子集中。其他基板(例如順序(2a)-(2b)-(2c)的基板起始於偶數的觸動間隔)可被移動至包括第二線第一沈積模組D1’、第二線第二沈 積模組D2’與至少另一第二線沈積模組的沈積模組的一第二子集中，但非移動至沈積模組的第一子集中。
特別地，在一多線式系統中所實現的根據本文所述之一些實施例的方法可包括(2a)在階段(1a)後的一觸動間隔，從主要運輸路徑50發送一後續基板至第二線第一沈積模組D1’中以在後續基板上沈積第一材料，與(2b)在階段(1b)後的一觸動間隔，從主要運輸路徑50發送後續基板至第二線第二沈積模組D2’中以在後續基板上沈積第二材料。
再者，此方法可包括在階段(2c)中，從主要運輸路徑50發送後續基板至一或更多個的第二線沈積模組中以在另一基板上沈積一或多個材料。個別的發送階段可藉由相對於先前順序(1a)-(1b)-(1c)的基板10的對應發送的一觸動間隔來補償(offset)。
換言之，可提供二塗覆線以交替地塗佈後續基板。在可對應系統的觸動間隔兩次的預定的時間間隔之後，在第一塗覆線中被塗佈的一基板的偶數順序(1a)-(1b)-(1c)可啟動個別的後續基板。在可對應系統的觸動間隔兩次的預定的時間間隔之後，在第二塗覆線中被塗佈的一基板的奇數順序(2a)-(2b)-(2c)可啟動個別的後續基板。結合的兩塗覆線可提供真空處理系統的總生產時間，然而兩塗覆線的每一者可在每兩個觸動間隔而啟動一新的塗佈順序。一二線式系統可比一單線式系統更大且更昂貴。然而，塗覆線的其中一者的失效或停機時間不會導致整個系統的停機時間。
可注意的是，相似於上述方法，每一第二偶數順序 (1a)-(1b)-(1c)中，個別的基板可被塗佈於沈積模組的第一子集的第一沈積區域中。其他的偶數順序(1a)-(1b)-(1c)中，個別的基板可被塗佈於沈積模組的第一子集的第二沈積區域中。一些實施例中，每一第二奇數順序(2a)-(2b)-(2c)中，個別的基板可被塗佈於沈積模組的第二子集的第一沈積區域中。其他的奇數順序(2a)-(2b)-(2c)中，個別的基板可被塗佈於沈積模組的第二子集的第二沈積區域中。換言之，可在對應於四個觸動間隔的時間間隔中來實現在一給定的沈積區域中的一基板交換。
可相似於第1圖的真空處理系統100來操作第4圖的真空處理系統200，因此可參照上述解釋，於此不再贅述。
特別地，階段(1a)-(1b)-(1c)的上述順序可在包括第一沈積模組D1與第二沈積模組D2的第一接線中實現，例如在對應整個系統一半的生產速率(tact rate)的一生產速率。
可在包括第二線第一沈積模組D1’與第二線第二沈積模組D2’的第二接線中來實現階段(2a)-(2b)-(2c)的一相似順序，例如在對應整個系統一半的生產速率的相同的生產速率。
順序(1a)-(1b)-(1c)與(2a)-(2b)-(2c)可在整個系統的生產速率來交替地啟動。
階段(1a)-(1b)-(1c)的每一順序可包括複數個中間階段。舉例而言，對於發送一基板至第一沈積模組D1中，可實現後續階段(1a-1)-(1a-2)-(1a-3)-(1a-4)-(1a)-(1a-5)-(1a-6)-(1a-7)-(1a-8)的順序。根據相對於主要運輸路徑的沈積模組的方向，階段(1a-2)的第一角度可 以係例如是+60°，階段(1a-7)的第四角度可以係例如是-60°。或者，根據在各自的旋轉模組附近的沈積模組的排列，第一角度和/或第四角度可以係+/-60°、+/-120°或可適合於一個別的基板交換的任何其他角度。
可注意的是，本文所使用的x°的一旋轉模組的一旋轉角度對應於-(360°-x°)的一旋轉角度以使每一負角也能表示為一正角。舉例而言，60°的一順時針旋轉對應一300°的逆時針旋轉。在本文所述之任何的旋轉運動中，旋轉模組的旋轉方向能係逆時針的或順時針的。
在第一沈積模組D1中的基板10上的第一材料的沈積之後，基板10可被移動回第一旋轉模組R1中，可在第一旋轉模組R1中特別是包括180°的角度的兩個旋轉來旋轉，且可在階段(1b)中被移動至第二沈積模組D2中以使用第二材料來塗佈。
一些實施例中，一後續順序(2a)-(2b)-(2c)可啟動一順序(1a)-(1b)-(1c)的階段(1a)之後的一觸動間隔。觸動間隔可以係45秒或更多且120秒或更少，特別是大約60秒。
後續順序(2a)-(2b)-(2c)可包括在主要運輸方向Z上沿著主要運輸路徑50來移動一後續基板，特別是至第一旋轉模組R1中。 階段(2a)中，可從主要運輸路徑50來發送後續基板至第二線第一沈積模組D1’中以在後續基板上沈積第一材料。特別地，階段(2a)中，後續基板可被發送至第二線第一沈積模組D1’的一第二沈積區域中。其後，階段(2b)中，可從第一旋轉模組R1移動後續基板至第二線第二沈積模組D2’中以在後續基板上沈積第二材料。特別地，階段(2a)中， 後續基板可被移動至第二線第二沈積模組D2’的一第二沈積區域中。
一些實施例中，一第二後續基板的一第二後續順序(1a)-(1b)-(1c)可啟動後續順序的階段(2a)之後的一觸動間隔。
第二後續順序(1a)-(1b)-(1c)可包括在主要運輸方向Z上沿著主要運輸路徑50來移動一第二後續基板，特別是至第一旋轉模組R1中。階段(1a)中，可從主要運輸路徑50來發送第二後續基板至第一沈積模組D1中以在第二後續基板上沈積第一材料。特別地，階段(1a)中，第二後續基板可被發送至第一沈積模組D1的一第二沈積區域中。其後，階段(1b)中，可從第一旋轉模組R1移動第二後續基板至第二沈積模組D2中以在第二後續基板上沈積第二材料。特別地，階段(1b)中，第二後續基板可被發送至第二沈積模組D2的第二沈積區域中。
一些實施例中，一第三後續順序(2a)-(2b)-(2c)可啟動第二後續順序(1a)-(1b)-(1c)的階段(1a)之後的一觸動間隔。
第三後續順序可包括在主要運輸方向Z上沿著主要運輸路徑50來移動一第三後續基板，特別是至第一旋轉模組R1中。階段(2a)中，可從來自第一旋轉模組R1的主要運輸路徑50來發送第三後續基板至第二線第一沈積模組D1’中以在第三後續基板上沈積第一材料。特別地，階段(2a)中，第三後續基板可被發送至第二線第一沈積模組D1’的一第一沈積區域中。其後，階段(2b)中，可從第一旋轉模組R1移動第三後續基板至第二線第二沈積模組D2’中以在第三後續基板上沈積第二材料。特別地，階段(2b)中，第三後續基板可從第一 旋轉模組R1移動至第二線第二沈積模組D2’的第一沈積區域中。
一些實施例中，在第三後續順序的啟動之後，一第四後續順序(1a)-(1b)-(1c)可啟動一觸動間隔，其中第四後續順序的第四後續基板的運動路徑(movement path)可對應於第一順序的第一基板的運動路徑。特別地，可在第一順序的階段(1b)的大約相同的時間來實現第四後續順序的階段(1a)。換言之，當第四後續基板係發送至第一沈積模組D1中，已完成第一沈積模組D1中的第一基板的塗佈，且第一基板係在從第一沈積模組D1至第二沈積模組D2中的路上。因此，當生產週期(cycle tact)係大約60秒時，可以大約每240秒來重覆旋轉模組的運動順序。
可在對應於第1圖的真空處理系統100的觸動間隔的一觸動間隔來操作第4圖的真空處理系統200，例如是在大約60秒的一觸動間隔。在對應系統的生產時間的每一觸動間隔之後，一塗覆基板可被提供。由於真空處理系統200係一二線式系統，相較於第1圖所繪示的單線式系統，真空處理系統200可具有沈積模組的量的兩倍。 因此，相較於第1圖的實施例，基板可在沈積區域中停留一更長的時間週期。相對於一個別的遮罩裝置，可具有更多的時間以進行基板的對準。特別地，可具有更多的時間以在沈積區域中的基板上沈積個別的材料。舉例而言，多線式系統中，相較於單線式系統，沈積源可在例如是一半的速度之一較緩慢的速度來移動，其可增加沈積速率。因此，可增加沈積適應性(deposition flexibility)，且層厚度(layer thicknesses)的一更廣的範圍能被沈積在一多線式系統中的每一沈積 模組之中。
對應模組可同步地在一多線式系統中操作。舉例而言，可同步地操作第4圖或第5圖的二線式系統的旋轉模組(例如第一旋轉模組R1與第二旋轉模組R2)以旋轉可藉由系統的複數個觸動間隔來時間延遲的個別的基板。
或者地或附加地，可同步地操作沈積模組的子集。舉例而言，可實質上同步地操作第一線沈積模組，且可實質上同步地操作第二線沈積模組。可使用大約一觸動間隔的一時間延遲來操作第一線沈積模組與第二線沈積模組。
一些實施例中，由於在排列於主要運輸路徑的對邊上的沈積模組之間的一基板交換的持續時間，在排列於第一內側S1上的第一線(第二線)沈積模組與排列於第二內側S2上的第一線(第二線)沈積模組之間可具有一時間延遲。
一些實施例中，可同步地操作排列於相鄰於一個別的旋轉模組的對應角度位置的沈積模組(例如一個別的沈積源可在個別的沈積模組內的相同的塗佈位置)。舉例而言，可同步地操作第4圖中的第二沈積模組D2與第三沈積模組D3，且可同步地操作第4圖中的第二線第二沈積模組D2’與第二線第三沈積模組D3’。相似地，可同步地操作第5圖的真空處理系統300的所有第一線沈積模組，且可同步地操作第5圖的真空處理系統300的所有第二線沈積模組。
可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例中，真空處理系統可更包括一遮罩處理模組(mask handling module)60，亦被稱 為一遮罩處理腔室(mask handling chamber)。一些實施例中，遮罩處理模組60係排列於主要運輸路徑50中。已使用的遮罩裝置可被運送於遮罩處理模組60中以從真空處理系統來卸載，例如是通過一負載鎖定室。待使用的遮罩裝置可從真空處理系統的一環境來裝載至遮罩處理模組60中以被運送至沈積腔室的其中一者之中。
舉例而言，一些實施例中，可提供一第一遮罩載體軌道來進行保持遮罩裝置的遮罩載體的運送以進行從遮罩處理模組60至沈積模組中的使用，可提供一第二遮罩載體軌道來進行從沈積模組至遮罩處理區域(mask handling area)中的保持已使用的遮罩裝置的遮罩載體的運送以從系統來卸載。舉例而言，例如是機器人裝置之一或多個遮罩處理組件(mask handling assemblies)可被提供於遮罩處理模組中以從遮罩載體來依附和/或脫離遮罩裝置。
遮罩裝置的運送與真空處理系統中的基板的運送可至少部分地同步。係參照上述解釋，於此不再贅述。
可根據一或多個以下參數：在兩個旋轉位置之間旋轉一旋轉模組的時間可以係3秒或更多且10秒或更少，特別是大約5秒；從一真空模組移動一載體至一相鄰的真空模組的時間可以係3秒或更多且10秒或更少，特別是大約5秒；系統的所有旋轉模組可以係同步的；在相同的時間沿著主要運輸路徑的基板的一前後運送可以係可能的；只有包含第一線沈積模組的後續基板交換之間的時間間隔可以係大約120秒(90秒或更多且150秒或更少)；只有包含第二線沈積模組的後續基板交換之間的時間間隔可以係大約120秒(90秒或更多且150 秒或更少)；系統的總觸動間隔可以係大約60秒(45秒或更多且75秒或更少)，來操作第4圖的真空處理系統200。
第5圖繪示示意圖中根據本文所述之一些實施例的一真空處理系統300。真空處理系統300能用來實現本文所述之任何的方法，因此可參照上述解釋，於此不再贅述。
真空處理系統300可配置為具有相對於主要運輸路徑50的一實質上對稱配置的一鏡像射線。舉例而言，用來沈積第一材料的沈積模組可相對於主要運輸路徑的彼此對邊上來對稱地排列，且用來沈積第二材料的沈積模組可相對於主要運輸路徑的彼此對邊上來對稱地排列。
可在第5圖所繪示的真空處理系統300中實現根據本文所述之實施例的方法。真空處理系統300可包括一或多個運輸模組，例如一第一運輸模組T1、一第二運輸模組T2、一第三運輸模組T3、一第一旋轉模組R1與沿著主要運輸路徑50所提供的一第二旋轉模組R2。另一運輸模組和/或另一旋轉模組可沿著主要運輸路徑50來提供。
一些實施例中，一二線式系統可被提供。沈積模組的一第一子集(本文中亦被稱為第一線沈積模組)可被排列於主要運輸路徑的第一內側S1之上，且提供一第一接線以在複數個基板上沈積一預定的層堆疊。舉例而言，用來沈積第一材料的第一沈積模組D1可被排列於相鄰於主要運輸路徑50的第一內側S1上的第一旋轉模組R1，且用來沈積第二材料的一第二沈積模組D2可被排列於相鄰於主要運輸路 徑50的第一內側S1上的第二旋轉模組R2。
沈積模組的一第二子集(本文中亦被稱為一第二線沈積模組)可被排列於主要運輸路徑的第二內側S2之上，且提供一第二接線以在複數個基板上沈積預定的層堆疊。舉例而言，用來沈積第一材料的一第二線第一沈積模組D1’可被排列於相鄰於相對於第一內側S1的主要運輸路徑50的一第二內側S2上的第一旋轉模組R1，特別是對稱於第一沈積模組D1。再者，用來沈積第二材料的一第二線第二沈積模組D2’可被排列於相鄰於主要運輸路徑50的第二內側S2上的第二旋轉模組R2，特別是對稱於第二沈積模組D2。
特別地，真空處理系統300可被配置為一鏡像射線。排列於主要運輸路徑50的第一內側S1上的沈積模組可用於基板上的複數個材料的沈積。相似地，排列於主要運輸路徑50的第二內側S2上的沈積模組可用於基板上的複數個材料的沈積。因此，在排列於主要運輸路徑的一側之上的一沈積模組中的一中斷或一缺陷的情況下，排列於主要運輸路徑的另一側之上的沈積模組可持續沈積以使真空處理系統能持續使用一下降的基板輸出速率(output rate)來運作
可根據前述方法來操作真空處理系統300，因此可參照上述實施例，於此不再贅述。
舉例而言，可同步地操作對應模組。特別地，可同步地操作第5圖的二線式系統的旋轉模組(例如第一旋轉模組R1與第二旋轉模組R2)以旋轉可藉由系統的複數個一觸動間隔來時間延遲的各自的基板。
一些實施例中，可同步地操作第一線沈積模組和/或可同步地操作第二線沈積模組。可在第一線沈積模組與第二線沈積模組之間來具有大約一觸動間隔的一時間延遲(例如各自的沈積源的對應位置可在一觸動間隔的一時間延遲(temporal delay)來採用)。
一些實施例中，如第5圖中個別的箭頭所示意性地繪示，沿著第一基板載體軌道31的載體運送可以係同步的。如第5圖中個別的箭頭所示意性地繪示，沿著第二基板載體軌道32的返回方向上的空載體21的運送可以係同步的。
下文中，將描述真空處理系統300的一例示性操作方法。
可沿著主要運輸路徑50來移動一基板10至第一旋轉模組R1的一第一軌道X1之上。
其後，第一旋轉模組R1可藉由一第一角度來旋轉，特別是藉由大約+90°或-90°的一角度。第一角度可以係可根據相對於主要運輸路徑的第一沈積模組D1的方向的一任意角。舉例而言，第5圖所繪示的實施例中，第一角度可以係-90°的一角度。換言之，第一旋轉模組R1可從第5圖中所繪示的第一旋轉位置來旋轉至第二旋轉位置。
其後，階段(1a)中，基板10可從第一旋轉模組R1的第一軌道X1移動至第一沈積模組D1的一第一沈積區域中。第一沈積模組D1的第一沈積區域中，第一材料係沈積於基板10之上。
可與本文所述之其他實施例結合的一些實施例中，在基 板10係移動至第一旋轉模組R1的第一軌道X1上之前，可從第一沈積區域移動一先前基板16返回至主要運輸路徑50中。特別地，先前基板16可從第一沈積區域移動至第一旋轉模組R1中，於是第一旋轉模組R1可藉由一第二角度來旋轉，於是先前基板16可沿著主要運輸路徑50來從第一旋轉模組R1移動至第二旋轉模組R2以被發送至第二沈積模組D2之中。
一些實施例中，第二角度可以係+90°。然而，第二角度可根據相對於主要運輸路徑的各自的沈積模組的方向。舉例而言，第二角度可以係-90°或另一角度。特別地，可旋轉第一旋轉模組R1來返回至第5圖中所繪示的第一旋轉位置。
在發送先前基板返回至主要運輸路徑中之後，基板10可被移動至階段中的第一旋轉模組R1的第一軌道X1上以在階段(1a)中被發送至第一沈積模組D1中。
在基板10之上的第一材料的沈積之後，基板10可被發送回主要運輸路徑中，可沿著主要運輸路徑50移動至第二旋轉模組R2中，可在第二旋轉模組R2中特別是藉由-90°的一角度來旋轉，且在階段(1b)中可從第二旋轉模組R2被移動至第二沈積模組D2中。第二材料可被沈積於第二沈積模組D2中的基板之上。
階段(1c)中，基板10可被發送至排列於第一內側S1上的另一沈積模組之中以使用另一材料來塗佈。
一些實施例中，一後續順序(2a)-(2b)-(2c)可在順序(1a)-(1b)-(1c)的階段(1a)之後的一預定的時間間隔來啟動，特別是一 觸動間隔。此觸動間隔可以係45秒或更多且120秒或更少，特別是大約60秒。
後續順序(2a)-(2b)-(2c)可包括沿著主要運輸方向Z上的主要運輸路徑50來移動一後續基板，特別是至第一旋轉模組R1之中。階段(2a)中，後續基板可從主要運輸路徑50被發送至第二線第一沈積模組D1’中以在後續基板上沈積第一材料。特別地，階段(2a)中，後續基板可被發送至第二線第一沈積模組D1’的一第二沈積區域中。 其後，階段(2b)中，後續基板可從主要運輸路徑50被發送至第二線第二沈積模組D2’中以在後續基板上沈積第二材料。特別地，階段(2b)中，後續基板可被發送至第二線第二沈積模組D2’的一第二沈積區域中。
一些實施例中，一第二後續順序(1a)-(1b)-(1c)可在後續順序的階段(2a)之後來啟動一觸動間隔。
第二後續順序可包括沿著主要運輸方向Z上的主要運輸路徑50來移動一第二後續基板，特別是至第一旋轉模組R1中。階段(1a)中，第二後續基板可從主要運輸路徑50被發送至第一沈積模組D1中以在第二後續基板上沈積第一材料。特別地，階段(1a)中，第二後續基板可被發送至第一沈積模組D1的一第二沈積區域中。其後，階段(1b)中，第二後續基板可從主要運輸路徑50被發送至第二沈積模組D2中以在第二後續基板上沈積第二材料。特別地，階段(2b)中，第二後續基板可被發送至第二沈積模組D2的第二沈積區域中。
一些實施例中，一第三後續順序(2a)-(2b)-(2c)可在第二 後續順序的階段(1a)之後來啟動一觸動間隔。
第三後續順序可包括沿著主要運輸方向Z上的主要運輸路徑50來移動一第三後續基板，特別是至第一旋轉模組R1之中。 階段(2a)中，第三後續基板可從主要運輸路徑50被發送至第二線第一沈積模組D1’中以在第三後續基板上沈積第一材料。特別地，階段(2a)中，第三後續基板可被發送至第二線第一沈積模組D1’的一第一沈積區域中。其後，階段(2b)中，第三後續基板可從主要運輸路徑50被發送至第二線第二沈積模組D2’中以在第三後續基板上沈積第二材料。 特別地，階段(2b)中，第三後續基板可被發送至第二線第二沈積模組D2’的第一沈積區域中。
一些實施例中，一第四後續基板可在一觸動間隔之後啟動，其中第四後續順序的第四後續基板的運動路徑可對應於第一順序的基板的移動。可在大約相同於第一順序的階段(1b)的時間來實現第四後續順序的階段(1a)。換言之，當第四後續基板係發送至第一沈積模組D1中，第一基板可從第一沈積模組D1來移動至第二沈積模組D2。因此，當觸動間隔係大約60秒，每大約240秒可重覆一對應的運動順序。
可在對應於第1圖的真空處理系統100的觸動間隔的一觸動間隔來操作第5圖的真空處理系統300，例如在大約60秒的一觸動間隔。在對應於系統的生產時間的每一觸動間隔之後，一塗覆基板可被提供。由於真空處理系統300係一二線式系統，相較於第1圖中所繪示的單線式系統，真空處理系統300可具有沈積模組的量的兩倍。 因此，相較於第1圖的實施例，基板可在沈積區域中停留一更長的時 間週期，相對於一個別的遮罩裝置，可具有更多時間來進行基板的對準。特別地，可具有更多的時間以在沈積區域中的基板上沈積個別的材料。舉例而言，一二線式系統中，相較於一單線式系統，沈積源可在例如是在一半的速度之一更緩慢的速度來移動，其可增加沈積速率。 因此，可增加沈積適應性且層厚度的一更廣的範圍能被沈積在每一沈積模組之中。
可根據一或多個以下參數：在兩個旋轉位置之間旋轉一旋轉模組的時間可以係3秒或更多且10秒或更少，特別是大約5秒；從一真空模組移動一載體至一相鄰的真空模組的時間可以係3秒或更多且10秒或更少，特別是大約5秒；系統的所有旋轉模組可以係同步的；在相同的時間沿著主要運輸路徑的基板的一前後運送可以係可能的；只有包含第一線沈積模組的後續基板交換之間的時間間隔可以係大約120秒(90秒或更多且150秒或更少)；只有包含第二線沈積模組的後續基板交換之間的時間間隔可以係大約120秒(90秒或更多且150秒或更少)；系統的總觸動間隔可以係大約60秒(45秒或更多且75秒或更少)，來操作第5圖的真空處理系統300。
以下段落中，係敘述一真空處理系統與根據實施例之至少一旋轉模組的各種操作方法。真空處理系統可以是根據本文所述之任何實施例的一真空處理系統。所述方法意思是加速真空處理系統中的遮罩運輸量和/或基板運輸量以減少真空處理系統的生產時間。
特別地，真空處理系統可具有沿著一主要運輸路徑所排列的兩個或更多的旋轉模組，其中在旋轉模組的每一者中係同步地實 現以下操作方法的其中一者。
根據一方面，係描述一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組。此方法包括，在一時間週期的期間，移動在一第一方向上的一第一軌道上的運輸一基板或一遮罩裝置的一第一載體至旋轉模組中(或離開旋轉模組)，在相同時間週期的期間(亦即同步地)，移動在相反於第一方向的一第二方向上的一第二軌道上至旋轉模組中或離開旋轉模組的一第二載體。因此，一旋轉模組可用來通過旋轉模組的相反方向上進行同步的遮罩和/或基板運送。舉例而言，一基板可在一第一方向上被移動至旋轉模組中，一遮罩裝置、一第二基板和/或一空載體可在一相反方向上的另一軌道上被移動進入或離開旋轉模組。舉例而言，如第1圖所示意性地繪示，一基板10可在一第一載體上被移動至在一第一基板載體軌道31上的一第一方向上的旋轉模組中，一空載體21可在一相反方向上的一第二基板載體軌道32上被同步地移動出旋轉模組。
根據一方面，描述一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組。此方法包括，在一時間週期的期間，移動在一第一方向上的一第一軌道上的運輸一第一基板的一第一載體來離開旋轉模組，在相同時間週期的期間(亦即同步地)，移動在第一方向上的第一軌道上的運輸一第二基板的一第二載體至旋轉模組中。可加速在排列於旋轉模組的對邊上的兩個沈積模組中的基板交換且能減少旋轉模組的閒置時間。舉例而言，在本文所述之操作方法的階段(1a)中，當一第二基板可同步地從一相對地排列的沈積模組來在第一方向 上被移動至旋轉模組的第一軌道之上，一第一基板可在一第一方向上從一旋轉模組的一第一軌道來移動至一沈積模組中。
根據一方面，係描述一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組。當運輸一第二基板的一第二載體係排列於旋轉模組中的一第二軌道上，和/或當運輸一第二遮罩裝置的一第三載體係排列於旋轉模組中的一第三軌道上，此方法包括移動在一第一軌道上運輸一第一基板或一第一遮罩裝置的一第一載體至旋轉模組中。由於旋轉模組超過一個的軌道能有利地用於塗覆基板的移除與來自/進入一沈積區域的待塗佈的基板的插入，能加速排列於相鄰於旋轉模組的一沈積區域中的一基板交換。舉例而言，在本文所述的操作方法的階段(1a)中，一旋轉模組的第一軌道與第二軌道可同步地被基板載體所佔據。
根據一方面，描述一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組。此方法包括移動在一第一軌道上的運輸一基板的一第一載體至旋轉模組中，移動在相鄰於第一軌道的一第二軌道上的運輸一遮罩裝置的一第二載體至旋轉模組中，與同時地旋轉在旋轉模組中的第一載體與第二載體。特別地，一旋轉模組能在相同的時間皆用於一相鄰沈積模組中的基板交換與遮罩交換。
根據一方面，描述一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組。此方法包括，在一第一時間週期的期間，從沈積區域移動一塗覆基板與一已使用的遮罩裝置至旋轉模組中，接著在一第二時間週期的期間，同步地旋轉在旋轉模組中的塗覆基板與 已使用的遮罩裝置。
或者地或附加地，此方法可包括在一第三時間週期的期間，從一主要運輸路徑移動一待塗佈的基板與一待使用的遮罩裝置至旋轉模組中，接著在一第四時間週期的期間，同步地旋轉在旋轉模組中的待塗佈的基板與待使用的遮罩裝置。遮罩交換與基板交換可以係同步的且能減少真空處理系統的觸動間隔。
綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims (24)

  1. 一種真空處理系統(100,200,300)的操作方法，該真空處理系統具有一主要運輸路徑(main transportation path)(50)，以沿著該主要運輸路徑(50)在一主要運輸方向(main transportation direction)(Z)上運送基板，該方法包括：(1a)從該主要運輸路徑(50)發送一基板(10)至一第一沈積模組(deposition module)(D1)中以在該基板(10)上沈積一第一材料；(1b)從該主要運輸路徑(50)發送該基板(10)至一第二沈積模組(D2)中以在該基板(10)上沈積一第二材料；以及(1c)從該主要運輸路徑(50)發送該基板(10)至一或更多個沈積模組中以在該基板(10)上沈積一或更多個材料；該真空處理系統包括至少一旋轉模組，該至少一旋轉模組具有用於運送基板載體的兩個基板載體軌道以及用於運送遮罩載體的兩個遮罩載體軌道，該些基板載體軌道與該些遮罩載體軌道可旋轉於一旋轉軸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中在預定的時間間隔之後，順序(1a)-(1b)-(1c)重複地啟動後續基板，其中該預定的時間間隔係對應於該真空處理系統的觸動間隔(tact intervals)的恆定時間間隔(constant time intervals)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，奇數觸動間隔所啟動的順序的階段(1a)中，一基板係被發送至該第一沈積模組(D1)中的一第一沈積區域中以在該基板(10)上沈積該第一材料，以及其中，偶數觸動間隔所啟動的順序的該階段(1a)中，一基板係被發送至該第一沈積模組(D1)中的一第二沈積區域中以在該基板(10)上沈積該第一材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，包括：(2a)在階段(1a)之後的一觸動間隔，從該主要運輸路徑(50)發送一後續基板至一第二線第一沈積模組(second-line first deposition module)(D1’)中以在該後續基板上沈積該第一材料；以及(2b)在階段(1b)之後的一觸動間隔，從該主要運輸路徑(50)發送該後續基板至一第二線第二沈積模組(second-line second deposition module)(D2’)中以在該後續基板上沈積該第二材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中，在預定的時間間隔之後，順序(1a)-(1b)與順序(2a)-(2b)交替地啟動該後續基板。
  6. 如申請專利範圍第1至5項任一項所述之方法，其中，該階段(1a)中，該基板(10)係從一第一旋轉模組(rotation module)(R1)被移動至該第一沈積模組(D1)中，且其中，在沈積該第一材料之後，該基板(10)係移動回該第一旋轉模組(R1)中；以及其中，該階段(1b)中，該基板(10)係從該第一旋轉模組(R1)或從一第二旋轉模組(R2)被移動至該第二沈積模組(D2)中，且其中，在沈積該第二材料之後，該基板(10)係被移動回該第一旋轉模組(R1)中或該第二旋轉模組(R2)中。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該階段(1a)中，在該基板(10)係被移動出該第一旋轉模組(R1)的一時間週期的期間，一第三基板(12)係從該第二沈積模組(D2)被移動至該第一旋轉模組(R1)中。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該階段(1a)中，在該基板(10)係從該第一旋轉模組(R1)的一第一軌道(X1)移動出該第一旋轉模組(R1)的一時間週期的期間，一第二基板(11)係排列於該第一旋轉模組(R1)的一第二軌道(X2)上。
  9. 如申請專利範圍第1至5項任一項所述之方法，包括：(1a-1)沿著該主要運輸路徑(50)移動該基板(10)至一第一旋轉模組(R1)的一第一軌道(X1)上，(1a-2)藉由一第一角度來旋轉該第一旋轉模組(R1)；(1a-3)從該第一沈積模組(D1)移動一第二基板(11)至該第一旋轉模組(R1)的一第二軌道(X2)上；(1a-4)藉由一第二角度來旋轉該第一旋轉模組(R1)；以及該階段(1a)中，從該第一旋轉模組(R1)的該第一軌道(X1)移動該基板(10)至該第一沈積模組(D1)中。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中，該階段(1a)中，一第三基板(12)係從該第二沈積模組(D2)移動至該第一旋轉模組(R1)的該第一軌道(X1)上，同時地或隨後從該第一軌道(X1)移動該基板(10)至該第一沈積模組(D1)中。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，更包括：(1a-5)藉由一第三角度來旋轉該第一旋轉模組(R1)；(1a-6)從該第一旋轉模組(R1)的該第二軌道(X2)來移動該第二基板(11)至該第二沈積模組(D2)中；(1a-7)藉由一第四角度來旋轉該第一旋轉模組(R1)；以及(1a-8)沿著該主要運輸路徑(50)來移動一第三基板(12)離開該第一旋轉模組(R1)。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一角度與該第四角度的至少一者係以下角度的其中一者：大約+90°、大約-90°、大約+60°、大約-60°、大約+120°或大約-120°。
  13. 如申請專利範圍第1至5項任一項所述之方法，其中該主要運輸路徑(50)包括彼此平行排列的一第一基板載體軌道(31)與一第二基板載體軌道(32)，其中當被載體所保持時，基板係沿著該主要運輸方向(Z)上的該第一基板載體軌道(31)來移動。
  14. 如申請專利範圍第1至5項任一項所述之方法，其中該真空處理系統(100)包括：一或多個運輸模組(transit modules)(T1,T2)與沿著該主要運輸路徑(50)所提供的一第一旋轉模組(R1)，其中該第一沈積模組(D1)係排列於相鄰於該主要運輸路徑(50)的一第一內側(S1)上的該第一旋轉模組(R1)，且該第二沈積模組(D2)係排列於相鄰於相對於該第一沈積模組(D1)的該主要運輸路徑(50)的一第二內側(S2)上的該第一旋轉模組(R1)。
  15. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述之方法，其中該真空處理系統(200)包括：一或多個運輸模組(T1,T2)與沿著該主要運輸路徑(50)所提供的一第一旋轉模組(R1)，其中該第一沈積模組(D1)係排列於相鄰於該主要運輸路徑(50)的一第一內側(S1)上的該第一旋轉模組(R1)，且該第二沈積模組(D2)係排列於相鄰於相對於該第一內側(S1)的該主要運輸路徑(50)的一第二內側(S2)上的該第一旋轉模組(R1)，該真空處理系統(200)更包括：用來沈積該第一材料的一第二線第一沈積模組(D1’)，係排列於相鄰於該主要運輸路徑(50)的該第二內側(S2)上的該第一旋轉模組(R1)；以及用來沈積該第二材料的一第二線第二沈積模組(D2’)，係排列於相鄰於該主要運輸路徑(50)的該第一內側(S1)上的該第一旋轉模組(R1)。
  16. 如申請專利範圍第1至3項任一項所述之方法，其中該真空處理系統(300)包括：一或多個運輸模組(T1,T2,T3)、一第一旋轉模組(R1)與沿著該主要運輸路徑(50)所排列的一第二旋轉模組(R2)，其中該第一沈積模組(D1)係排列於相鄰於該主要運輸路徑(50)的一第一內側(S1)上的該第一旋轉模組(R1)，且該第二沈積模組(D2)係排列於相鄰於該主要運輸路徑(50)的該第一內側(S1)上的該第二旋轉模組(R2)，該真空處理系統(300)更包括：用來沈積該第一材料的一第二線第一沈積模組(D1’)，係排列於相鄰於相對於該第一沈積模組(D1)的該主要運輸路徑(50)的一第二內側(S2)上的該第一旋轉模組(R1)；以及用來沈積該第二材料的一第二線第二沈積模組(D2’)，係排列於相鄰於相對於該第二沈積模組(D2)的該主要運輸路徑(50)的該第二內側(S2)上的該第二旋轉模組(R2)。
  17. 如申請專利範圍第1至5項任一項所述之方法，其中該真空處理系統(300)係配置為具有相對於該主要運輸路徑(50)的一實質上對稱配置(symmetric configuration)的一鏡像射線(mirror line)。
  18. 如申請專利範圍第1至5項任一項所述之方法，其中係提供沿著該主要運輸路徑(50)來延伸的該些遮罩載體軌道，其中：一待使用的遮罩裝置(mask device)係沿著該些遮罩載體軌道的其中一者之上的該主要運輸路徑(50)來運送；以及該階段(1a)中，該待使用的遮罩裝置係從該主要運輸路徑(50)發送至該第一沈積模組(D1)中以在該基板(10)上進行遮罩沈積。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，其中已使用的遮罩裝置係被發送離開該第一沈積模組(D1)且待使用的遮罩裝置係在一遮罩交換頻率來被發送至該第一沈積模組(D1)中。
  20. 一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組，該旋轉模組包括四個軌道，所述四個軌道包括兩個遮罩載體軌道以及兩個基板載體軌道，該些遮罩載體軌道以及該些基板載體軌道可旋轉於一旋轉軸，該方法包括：在一時間週期的期間，移動在一第一方向上的所述四個軌道的一第一軌道上的運輸一基板或一遮罩裝置的一第一載體至該旋轉模組中；以及在該時間週期的期間，移動在相反於該第一方向的一第二方向上的所述四個軌道的一第二軌道上的一第二載體來進入該旋轉模組中或離開該旋轉模組。
  21. 一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組，該旋轉模組包括四個軌道，所述四個軌道包括兩個遮罩載體軌道以及兩個基板載體軌道，該些遮罩載體軌道以及該些基板載體軌道可旋轉於一旋轉軸，該方法包括：在一時間週期的期間，移動在一第一方向上的所述四個軌道的一第一軌道上的運輸一第一基板的一第一載體來離開該旋轉模組；以及在該時間週期的期間，移動在該第一方向上的該第一軌道上的運輸一第二基板的一第二載體至該旋轉模組中。
  22. 一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組，該旋轉模組包括四個軌道，所述四個軌道包括兩個遮罩載體軌道以及兩個基板載體軌道，該些遮罩載體軌道以及該些基板載體軌道可旋轉於一旋轉軸，該方法包括：當運輸一第二基板的一第二載體係排列於該旋轉模組中的所述四個軌道的一第二軌道上，和/或當運輸一第二遮罩裝置的一第三載體係排列於該旋轉模組中的所述四個軌道的一第三軌道上，移動在所述四個軌道的一第一軌道上的運輸一第一基板或一第一遮罩裝置的一第一載體至該旋轉模組中。
  23. 一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組，該旋轉模組包括四個軌道，所述四個軌道包括兩個遮罩載體軌道以及兩個基板載體軌道，該些遮罩載體軌道以及該些基板載體軌道可旋轉於一旋轉軸，該方法包括：移動在所述四個軌道的一第一軌道上的運輸一基板的一第一載體至該旋轉模組中且移動在相鄰於該第一軌道的所述四個軌道的一第二軌道上的運輸一遮罩裝置的一第二載體至該旋轉模組中；以及同時地旋轉在該旋轉模組中的該第一載體與該第二載體。
  24. 一種真空處理系統的操作方法，該真空處理系統具有一旋轉模組與一沈積區域，該旋轉模組包括四個軌道，所述四個軌道包括兩個遮罩載體軌道以及兩個基板載體軌道，該些遮罩載體軌道以及該些基板載體軌道可旋轉於一旋轉軸，該方法包括：在一第一時間週期的期間，從該沈積區域移動一塗覆基板(coated substrate)與一已使用的遮罩裝置至該旋轉模組中，接著在一第二時間週期的期間，在該旋轉模組中旋轉該塗覆基板與該已使用的遮罩裝置；和/或在一第三時間週期的期間，從一主要運輸路徑移動一待塗佈的基板與一待使用的遮罩裝置至該旋轉模組中，接著在一第四時間週期的期間，在該旋轉模組中旋轉該待塗佈的基板與該待使用的遮罩裝置。
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