KR20160138295A - 기판 프로세싱을 위한 시스템, 기판 프로세싱을 위한 시스템을 위한 진공 회전 모듈 및 기판 프로세싱 시스템을 작동시키는 방법 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 189
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims abstract description 55
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 151
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 129
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 21
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 19
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- -1 e.g. Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- H01L21/203—
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템이 설명된다. 기판 프로세싱 시스템은, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙이 구비된 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 제 1 진공 챔버, 제 1 진공 챔버 내에서 제 1 운송 트랙으로부터 제 2 운송 트랙으로의, 또는 그 역으로의 기판의 측방향 이동을 위해 구성된 적어도 하나의 측방향 이동 메커니즘, 및 제 2 진공 챔버를 갖는 진공 회전 모듈을 포함하고, 진공 회전 모듈은, 제 2 진공 챔버 내에서 수직 회전축을 중심으로 기판을 회전시키기 위한 수직 회전축을 포함하며, 진공 회전 모듈은 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙이 구비된 제 2 이중 트랙 운송 시스템을 갖고, 제 1 회전 트랙은 제 1 운송 트랙과 함께 선형 운송 경로를 형성하기 위해 회전 가능하며, 제 2 회전 트랙은 제 2 운송 트랙과 함께 선형 운송 경로를 형성하기 위해 회전 가능하고, 수직 회전축은 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 있다.
Description
[0001]
본 발명의 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세싱 시스템들, 기판 회전, 및 이들을 작동시키는 방법들에 관한 것이다. 특히, 실시예들은, 본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템, 기판 프로세싱 시스템을 위해 구성된 진공 회전 모듈, 및 기판 프로세싱 시스템에서 층 스택(layer stack)을 증착시키는 방법에 관한 것이다.
[0002]
다수의 기술적 어플리케이션들에서, 상이한 재료들의 층들은, 기판 위에서, 서로 상에 증착된다. 전형적으로, 이는, 코팅 또는 증착 단계들의 시퀀스(sequence)로 이루어지며, 에칭 또는 구조화(structuring)와 같은 다른 프로세싱 단계들이 또한, 다양한 증착 단계들 이전에, 그 사이에, 또는 그 후에 제공될 수 있다. 예컨대, "재료 1"-"재료 2"-"재료 1"의 시퀀스를 갖는 다-층 스택이 증착될 수 있다. 상이한 프로세스 단계들에서의 상이한 코팅 레이트들(rates)에 기인하여, 그리고 층들의 상이한 두께들에 기인하여, 상이한 층들을 증착시키기 위한, 프로세싱 챔버들에서의 프로세싱 시간은 상당히 변화할 수 있다.
[0003]
다층 스택을 증착시키기 위해, 프로세싱 챔버들의 다수의 구성들이 제공될 수 있다. 예컨대, 증착 챔버들의 인-라인(in-line) 배열들(arrangements)뿐만 아니라 증착 챔버들의 클러스터(cluster) 배열들도 사용될 수 있다. 전형적인 클러스터 배열은 중앙 핸들링(handling) 챔버, 및 중앙 핸들링 챔버에 연결된 다수의 프로세싱 또는 증착 챔버들을 포함한다. 코팅 챔버들은 동일한 또는 상이한 프로세스들을 수행하도록 장비될 수 있다. 전형적인 인-라인 시스템은 다수의 후속하는 프로세싱 챔버들을 포함하고, 프로세싱 단계들은, 인-라인 시스템에서 복수의 기판들이 연속적으로 또는 준-연속적으로(quasi-continuously) 프로세싱되도록, 하나의 챔버에서 다른 것 이후에 수행된다. 그러나, 인-라인 시스템들에서의 프로세스의 핸들링은 매우 쉽고, 프로세싱 시간은 가장 긴 프로세싱 시간에 의해 결정된다. 그러므로, 프로세스의 효율이 영향을 받는다. 반면에, 클러스터 툴들은 상이한 사이클(cycle) 시간들을 허용한다. 그러나, 핸들링은 정말 복잡할 수 있으며, 중앙 핸들링 챔버에 제공되는 정교한(elaborate) 이송 시스템을 요구한다.
[0004]
또한, 이중 트랙 또는 다중 트랙 시스템들, 예컨대, 이중 트랙 인라인 시스템을 제공하려는 요구가 있는데, 그러한 이중 트랙 인라인 시스템에서는, 예컨대, 하나의 진공 챔버에서 2개의 기판들을, 각각, 제 1 운송 트랙과 제 2 운송 트랙 상에서 운송함으로써, 택트 타임(tact time)이 추가적으로 감소될 수 있다. 프로세싱 시스템들, 예컨대, 인라인 스퍼터 시스템은 주기적인 유지보수(maintenance)를 겪는다. 유지보수는 시스템의 가동 시간(uptime)을 감소시킨다. 하나 초과의 챔버를 갖는, 스퍼터 시스템들과 같은 많은 시스템들에서, 프로세스 챔버들 중 하나의 유지보수는 전체 시스템, 즉, 툴들 작동의 중단을 초래한다.
[0005]
따라서, 특히 가동 시간, 택트 타임, 및/또는 유지보수에 관하여, 기판 프로세싱 시스템들을 더 개선할 필요가 존재한다.
[0006]
상기 내용을 고려하여, 독립 청구항 제 1 항에 따른 기판 프로세싱 시스템, 청구항 제 8 항에 따른 진공 회전 모듈, 및 청구항 제 13 항에 따른, 기판 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법이 제공된다. 추가적인 장점들, 특징들, 양태들, 및 세부 사항들은 종속 청구항들, 상세한 설명, 및 도면들로부터 명백하다.
[0007]
일 실시예에 따르면, 본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 기판 프로세싱 시스템은, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙이 구비된 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 제 1 진공 챔버, 제 1 진공 챔버 내에서 제 1 운송 트랙으로부터 제 2 운송 트랙으로의, 또는 그 역으로의 기판의 측방향 이동을 위해 구성된 적어도 하나의 측방향 이동 메커니즘, 및 제 2 진공 챔버를 갖는 진공 회전 모듈을 포함하고, 진공 회전 모듈은, 제 2 진공 챔버 내에서 수직 회전축을 중심으로 기판을 회전시키기 위한 수직 회전축을 포함하며, 진공 회전 모듈은 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙이 구비된 제 2 이중 트랙 운송 시스템을 갖고, 제 1 회전 트랙은 제 1 운송 트랙과 함께 선형 운송 경로를 형성하기 위해 회전 가능하며, 제 2 회전 트랙은 제 2 운송 트랙과 함께 선형 운송 경로를 형성하기 위해 회전 가능하고, 수직 회전축은 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 있다.
[0008]
다른 실시예에 따르면, 제 1 진공 챔버 및 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템, 특히, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템을 위해 구성된 진공 회전 모듈이 제공된다. 진공 회전 모듈은 제 2 진공 챔버, 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙이 구비된 제 2 이중 트랙 운송 시스템 - 제 1 회전축과 제 2 회전축은 500mm 또는 그 미만의 거리를 가짐 -, 및 제 2 이중 트랙 운송 시스템 상의 제 2 진공 챔버 내에서 수직 회전축을 중심으로 기판을 회전시키기 위한 수직 회전축을 포함하고, 수직 회전축은 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 있다.
[0009]
더 추가적인 실시예에 따르면, 제 1 증착 챔버, 제 2 증착 챔버, 및 진공 회전 모듈을 갖는 기판 프로세싱 시스템, 특히 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법이 제공된다. 방법은, 제 1 증착 챔버에서, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층을, 본질적으로 수직으로 배향된 기판 상에 증착시키는 단계, 추가적인 기판이 제 1 증착 챔버로부터 진공 회전 모듈로 또는 그 역으로 이송되는 동안 기판을 제 1 증착 챔버로부터 진공 회전 모듈 내로 이송하는 단계, 특히, 추가적인 기판이 진공 회전 모듈로부터 제 2 증착 챔버로 또는 그 역으로 이송되는 동안 기판을 진공 회전 모듈로부터 제 2 증착 챔버로 이송하는 단계, 제 2 증착 챔버에서, 제 2 재료를 포함하는 제 2 층을 증착시키는 단계를 포함한다.
[0010]
본 발명의 상기 열거된 특징들이 달성되고 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 본 발명의 보다 구체적인 설명이 본 발명의 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들은 첨부된 도면들에 예시된다.
도 1은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 3개의 증착 챔버들, 프로세싱 챔버들과 함께 선형 운송 경로들을 제공하는 진공 회전 모듈, 및 이중 운송 트랙 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템의 개략도이다;
도 2는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 여러 개의 증착 챔버들, 프로세싱 챔버들과 함께 선형 운송 경로들을 제공하는 진공 회전 모듈, 및 이중 운송 트랙 시스템을 갖는 추가적인 기판 프로세싱 시스템의 개략도이다;
도 3 내지 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 여러 개의 증착 챔버들, 프로세싱 챔버들과 함께 선형 운송 경로들을 제공하는 진공 회전 모듈, 및 이중 운송 트랙 시스템을 갖는 더 추가적인 기판 프로세싱 시스템들의 개략도들이다;
도 6은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 이중 운송 트랙 시스템을 포함하는 챔버의 개략도이다;
도 7은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 인-라인 기판 프로세싱 시스템 부분을 포함하는 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법들을 예시하는 흐름도이다; 그리고
도 8은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 여러 개의 증착 챔버들, 프로세싱 챔버들과 함께 선형 운송 경로들을 제공하는 진공 회전 모듈, 및 이중 운송 트랙 시스템을 갖는 추가적인 기판 프로세싱 시스템의 개략도이다.
[0011] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 또는 유사한 엘리먼트들을 나타내기 위해, 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이, 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 점이 고려된다.
[0012] 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 예시적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
도 1은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 3개의 증착 챔버들, 프로세싱 챔버들과 함께 선형 운송 경로들을 제공하는 진공 회전 모듈, 및 이중 운송 트랙 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템의 개략도이다;
도 2는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 여러 개의 증착 챔버들, 프로세싱 챔버들과 함께 선형 운송 경로들을 제공하는 진공 회전 모듈, 및 이중 운송 트랙 시스템을 갖는 추가적인 기판 프로세싱 시스템의 개략도이다;
도 3 내지 5는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 여러 개의 증착 챔버들, 프로세싱 챔버들과 함께 선형 운송 경로들을 제공하는 진공 회전 모듈, 및 이중 운송 트랙 시스템을 갖는 더 추가적인 기판 프로세싱 시스템들의 개략도들이다;
도 6은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 이중 운송 트랙 시스템을 포함하는 챔버의 개략도이다;
도 7은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 인-라인 기판 프로세싱 시스템 부분을 포함하는 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법들을 예시하는 흐름도이다; 그리고
도 8은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 여러 개의 증착 챔버들, 프로세싱 챔버들과 함께 선형 운송 경로들을 제공하는 진공 회전 모듈, 및 이중 운송 트랙 시스템을 갖는 추가적인 기판 프로세싱 시스템의 개략도이다.
[0011] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 또는 유사한 엘리먼트들을 나타내기 위해, 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이, 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 점이 고려된다.
[0012] 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 예시적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이, 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0013]
이제, 본 발명의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에 예시된다. 각각의 예는 본 발명의 설명으로써 제공되고, 본 발명의 제한으로서 의도되지 않는다. 예컨대, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 사용되거나 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 본 발명은 그러한 변형들 및 변화들을 포함하도록 의도된다.
[0014]
본원에서 사용되는 바와 같은 "기판"이라는 용어는 기판들, 예컨대, 유리 기판들 또는 플라스틱 재료로 만들어진 기판들, 즉, 예컨대, 디스플레이들의 제조를 위해 사용되는 기판들을 포함해야 한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들은 디스플레이 제조, 예컨대, PVD, 즉, 디스플레이 시장을 위한 대면적 기판들 상에서의 스퍼터 증착을 위해 활용될 수 있다.
[0015]
몇몇 실시예들에서, 대면적 기판들 또는 각각의 캐리어들 - 캐리어들은 복수의 기판들을 가짐 - 은 적어도 0.67 m²의 크기를 가질 수 있다. 전형적으로, 크기는 약 0.67㎡ (0.73x0.92m - 4.5세대) 또는 그 초과, 더 전형적으로 약 2㎡ 내지 약 9㎡ 또는 심지어 12㎡ 까지일 수 있다. 전형적으로, 기판들 또는 캐리어들은 본원에서 설명되는 바와 같은 대면적 기판들이며, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 구조물들, 시스템들, 장치들, 예컨대, 캐소드 조립체들, 및 방법들이, 이러한 기판들 또는 캐리어들을 위해 제공된다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67㎡ 기판들(0.73x0.92m)에 대응하는 4.5 세대, 약 1.4㎡ 기판들(1.1 x 1.3m)에 대응하는 5 세대, 약 4.29㎡ 기판들(1.95m x 2.2m)에 대응하는 7.5 세대, 약 5.7㎡ 기판들(2.2m x 2.5m)에 대응하는 8.5 세대, 또는 심지어, 약 8.7㎡ 기판들(2.85m x 3.05m)에 대응하는 10 세대일 수 있다. 심지어 11 세대 및 12 세대와 같은 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 시스템은, 예컨대, 정적 증착(static deposition)을 이용한 TFT 제조를 위해 구성될 수 있다.
[0016]
전형적으로, 기판들은 프로세싱 시스템에서 본질적으로 수직-배향된다. 이로써, 수직 배향된 기판은, 몇 도 만큼의 경사를 갖는 안정적인 운송을 허용하기 위해 프로세싱 시스템에서 수직, 즉, 90° 배향으로부터 일부 편차를 가질 수 있다는 점, 즉, 기판들은 수직 배향으로부터 ± 20° 또는 그 미만, 예컨대, ±10° 또는 그 미만의 편차를 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다.
[0017]
본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 특히 유지보수 동안, 개선된 택트 타임 및/또는 개선된 가동 시간을 갖는 기판 프로세싱 시스템이 제공될 수 있다. 또한, 프로세싱 시스템의 풋프린트(footprint)는, 예컨대, 예비(redundant) 챔버들을 제공하기 위해 불필요하게 증가되지 않는다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 기판을 상이한 프로세스 챔버들에 분배하는 모듈, 예컨대, 진공 회전 모듈이 제공된다. 이러한 프로세스 챔버들 중 하나는, 유지보수를 위해 전체 프로세싱 시스템을 정지시키지 않고 중단될 수 있다. 하나의 프로세스 챔버의 유지보수 동안, 시스템은 적어도 감소된 택트 타임으로 작동할 수 있다.
[0018]
진공 회전 모듈들은 앞서 설명되었고, 하나 또는 그 초과의 회전 트랙들이 제공되며 기판들은 진공 회전 모듈 내에서 회전축, 예컨대, 수직 회전축을 중심으로 회전될 수 있다. 이러한 모듈들은 전형적으로, 단일 트랙 운송 시스템, 즉, 운송 시스템을 포함하는데, 이 경우에, 한번에(at a time) 하나의 기판이 진공 회전 모듈과 인접한 진공 챔버 사이에서 운송될 수 있다.
[0019]
본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 제 1 진공 챔버가 제공된다. 예컨대, 이중 트랙 운송 시스템은, 제 1 진공 챔버 내에서 기판의 트랙 포지션을 바꾸기 위한 측방향 이동 메커니즘을 포함할 수 있다. 기판은 이중 트랙 운송 시스템 중 하나의 트랙으로부터 이중 트랙 운송 시스템 중 다른 트랙으로 측방향, 즉, 운송 시스템의 운송 방향에 본질적으로 수직인 방향으로 이동될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 실시예들에 따르면, 운송 방향은 또한, 프로세싱 시스템의 하나의 진공 챔버로부터 프로세싱 시스템의 다른 챔버로의 기판의 운송을 위한 방향으로서 설명될 수 있다. 제 2 진공 챔버를 갖는 진공 회전 모듈이 제공된다. 진공 회전 모듈은, 본질적으로 수직 배향된 기판들을 진공 회전 모듈의 진공 챔버, 즉, 제 2 진공 챔버에서 회전시키기 위한 수직 회전축을 포함한다. 진공 회전 모듈은 제 2 이중 트랙 운송 시스템을 포함하고, 수직 회전축은 제 2 운송 시스템의 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 제 2 이중 트랙 운송 시스템은 제 1 진공 챔버, 즉, 프로세싱 챔버의 진공 챔버의 이중 트랙 운송 시스템과 본질적으로 동일한 트랙 거리를 갖는다.
[0020]
본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 이중 트랙(DT-) 진공 회전 모듈이 제공된다. DT-진공 회전 모듈은, 프로세스 키트(process kit)의 빈번한 유지보수를 필요로 할 수 있는, 두꺼운 층들 및 높은 처리량을 갖는 프로세스들의 경우에 유용하다. 예컨대, DT-진공 회전 모듈을 갖는 것은, 예컨대, 진공 회전 모듈에 커플링될 때 90° 만큼 변위되는 하나 또는 그 초과의 두꺼운 층 증착 프로세스 스테이션들(stations)을 배열하는 것을 허용한다. 이중 트랙 진공 회전 모듈은, 특히, 이중 트랙 캐리어 운송이 또한 프로세싱 모듈 프로세싱 챔버에서 사용될 때, 예컨대, 프로세싱 챔버를 갖는 프로세싱 모듈과 진공 회전 모듈들 사이에서 동시에 하나 초과의 캐리어를 시스템이 교체할 수 있게 한다. 교체 이후, 진공 회전 모듈의 로터는, 캐리어를 다음 모듈로 이송하기 위한 또는 캐리어를 다음 모듈로부터 수용하기 위한 포지션으로 회전한다. 따라서, 복수의 프로세싱 모듈들은 진공 회전 모듈에 연결될 수 있고, 프로세싱 시스템의 풋프린트는 감소될 수 있거나, 또는 제한된 지역으로 유지될 수 있는데, 예컨대, 다양한 프로세스들을 위한 프로세싱 모듈들은 백-투-백(back-to-back)으로 배열될 필요는 없다.
[0021]
인-라인 프로세싱 시스템들은 전형적으로, 층들의 시퀀스를 증착시키기 위한 챔버들의 시퀀스를 제공한다. 이로써, 다른 층 이후 하나의 층이, 다른 챔버 이후 하나의 챔버에서 증착된다. 예컨대, 몰리브덴의 얇은 층이 기판 위에 증착될 수 있고, 후속하여, 알루미늄의 두꺼운 층이 몰리브덴 층 위에 증착되며, 몰리브덴의 추가적인 얇은 층이 알루미늄 층 위에 증착된다. 이로써, 몰리브덴 증착 소스를 포함하는 제 1 챔버가 제공될 수 있다. 그 후, 알루미늄을 증착시키기 위한 2개의 증착 챔버들이 제공될 수 있다. 그 후, 몰리브덴을 증착시키기 위한 다른 챔버가 제공된다. 이로써, 인-라인 프로세싱 시스템의 기판들은 교번 방식(alternating manner)으로 제 1 알루미늄 챔버 및 제 2 알루미늄 챔버 내로 이송될 수 있고, 이에 의해, 더 두꺼운 알루미늄 층의 증착은 인-라인 증착 시스템의 전체 처리량에 대해 덜 제한적이다. 그러나, 몰리브덴을 증착시키기 위한 증착 소스, 예컨대, 몰리브덴 스퍼터링 타겟은, 특히 대면적 기판들을 프로세싱하는 경우에, 매우 고가일 수 있다. 따라서, 4개의 챔버들은 상기-설명된 프로세싱 시스템에서 활용되며, 매우 고가의 증착 소스들, 예컨대, 스퍼터링 타겟들을 갖는 2개의 챔버들이 제공되어야 한다. 또한, 유지보수의 경우, 완전한 생산은 그러한 프로세싱 시스템에서 중지되어야 한다.
[0022]
도 1은 기판 프로세싱 시스템(100)의 실시예를 예시한다. 시스템은 제 1 진공 챔버(101), 제 2 진공 챔버(102), 및 제 3 진공 챔버(103)를 포함한다. 진공 챔버들은 증착 챔버들 또는 다른 프로세싱 챔버들일 수 있으며, 진공은 챔버 내에서 생성된다. 진공, 즉, 10mbar 또는 그 미만의 압력은 프로세싱 단계의 필요들에 따라, 예컨대, 기판 상에서의 또는 위에서의 재료의 증착을 위해 제공된다. 또한, 시스템은 진공 챔버를 갖는 진공 회전 모듈(150)을 포함하며, 진공 회전 모듈은 제 1 진공 챔버(101)로부터, 제 2 또는 제 3 진공 챔버들(102/103) 중 하나로 기판들을 이송하도록 구성된다. 또한, 진공 회전 모듈(150)은 기판을 진공 챔버들(102/103) 중 하나로부터 진공 챔버들 중 다른 하나 또는 제 1 증착 챔버(101)로 이송하도록 구성된다.
[0023]
도 1에 도시된 바와 같이, 제 1 증착 챔버는 제 1 증착 소스(141)를 갖고, 제 2 증착 챔버 및 제 3 증착 챔버는 각각 다른 증착 소스(142)를 갖는다. 전형적으로, 제 2 및 제 3 챔버의 증착 소스들(142)은, 제 2 진공 챔버(102) 및 제 3 증착 챔버(103)가 교번 방식으로 사용될 수 있도록, 유사한 증착 소스일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 증착 소스들은 스퍼터링 타겟들, 예컨대, 회전 가능한 스퍼터링 타겟들로서 제공된다.
[0024]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 증착 소스들은 스퍼터링 타겟들, 예컨대, 회전 가능한 스퍼터링 타겟들로서 제공된다. 이들의 전형적인 구현예들에 따르면, DC 스퍼터링, 펄스 스퍼터링, RF 스퍼터링, 또는 MF 스퍼터링이 제공될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 5kHz 내지 100kHz, 예컨대, 30kHz 내지 50kHz의 범위의 주파수들을 갖는 중간 주파수(middle frequency) 스퍼터링이 제공될 수 있다.
[0025]
증착 소스(142)를 이용한 증착이 기판 프로세싱 시스템(100)의 처리량에 대한 제한 인자인 경우, 전체 처리량은 증가될 수 있는데, 이는, 프로세싱 시스템에서 연속적으로 또는 준-연속적으로 프로세싱되는 기판들이 진공 챔버들(102 및 103)에서 교번 방식으로 프로세싱될 수 있기 때문이다. 예컨대, 이는, 증착 소스(142)의 증착 레이트가 낮거나, 또는 증착 소스(142)를 이용하여 증착될 층이 두꺼운 층인 경우가 될 수 있다.
[0026]
본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 진공 회전 모듈(150)과 진공 챔버들(101, 102, 및 103)은 선형 운송 경로들을 통해 연결된다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 진공 회전 모듈은 제 1 회전 트랙(151) 및 제 2 회전 트랙(154)을 갖는 이중 트랙 운송 시스템을 포함한다. 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙은 수직 회전축(155)을 중심으로 회전될 수 있다. 예컨대, 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙은, 제 2 진공 챔버(102)의 운송 트랙들과의 선형 운송 경로들을 생성하기 위해, 참조 번호 151' 및 154' 에 의해 예시된 바와 같은 포지션에 있도록 회전될 수 있다. 예컨대, 전형적으로 디스플레이 제조를 위해 사용되는 대면적 기판들은 기판 프로세싱 시스템(100)의 선형 운송 경로들을 따라 운송될 수 있다. 전형적으로, 선형 운송 경로들은, 예컨대, 라인을 따라서 배열된 복수의 롤러들을 갖는 선형 운송 트랙들과 같은 운송 트랙들(161 및 163)에 의해 제공된다. 또한, 제 1 회전 트랙(151) 및 제 2 회전 트랙(154)은, 예컨대, 라인을 따라 배열된 복수의 롤러들을 갖는 선형 운송 트랙들로서 제공될 수 있다. 부가적으로, 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙은 수직 회전축(155)을 중심으로 회전될 수 있고, 수직 회전축은 제 1 회전 트랙(151)과 제 2 회전 트랙(154) 사이에 제공된다. 전형적인 실시예들에 따르면, 운송 트랙들 및/또는 회전 트랙들은, 대면적 기판들의 바닥부에서 운송 시스템에 의해, 그리고 본질적으로 수직 배향된 대면적 기판들의 정상부에서 안내(guiding) 시스템에 의해 제공될 수 있다.
[0027]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 진공 챔버들, 예컨대, 도 1 에 도시된 진공 챔버들(122, 121, 101, 102, 및 103)의 이중 트랙 운송 시스템들, 즉, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로를 갖는 운송 시스템들은, 고정형(fixed) 이중 트랙 시스템, 이동 가능한 단일 트랙 시스템, 또는 이동 가능한 이중 트랙 시스템에 의해 제공될 수 있다. 고정형 이중 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙은 측방향으로 이동될 수 없는데, 즉, 기판은 운송 방향에 대해 수직한 방향으로 이동될 수 있다. 이동 가능한 단일 트랙 시스템은, 측방향으로, 즉, 운송 방향에 대해 수직으로 이동될 수 있는 선형 운송 트랙을 가지는 것에 의해, 이중 트랙 운송 시스템을 제공하고, 이에 의해, 기판은 제 1 운송 경로 상에 또는 제 2 운송 경로 상에 제공될 수 있으며, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로는 서로로부터 떨어져 있다. 이동 가능한 이중 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 운송 트랙들 양자 모두는 측방향으로 이동될 수 있는데, 즉, 운송 트랙들은 자신들 각각의 포지션을 제 1 운송 경로로부터 제 2 운송 경로로 그리고 그 역으로 스위칭할 수 있다.
[0028]
본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 진공 회전 모듈은, 회전 가능한 제 1 운송 트랙 및 회전 가능한 제 2 운송 트랙으로 또한 지칭될 수 있는 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙을 갖는 고정형 이중 트랙 시스템을 포함하며, 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이의 거리는 고정된다. 이로써, 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이의 거리 또는 피치(pitch)는 고정되고, 수직 회전축(155)은 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 제공된다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이의 거리 또는 피치는 500mm 또는 그 미만, 예컨대, 200mm 또는 그 미만, 예컨대, 약 100mm, 약 90mm, 또는 약 80mm이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 회전축은 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 있고, 예컨대, 회전 트랙들에 대해 본질적으로 수직이다.
[0029]
일 예에 따르면, 기판이 정확히 수직으로 배향된 경우, 대면적 기판들 또는 캐리어들의 바닥부를 위한 운송 시스템 및 대면적 기판 또는 캐리어들의 정상부를 위한 안내 시스템은 평면 내에 있으며, 이에 의해 제 1 회전 트랙의 제 1 평면, 제 2 회전 트랙의 제 2 평면, 및 수직 회전축은 평행하고, 수직 회전축(155)은 제 1 평면과 제 2 평면 사이에 제공된다. ± 20° 또는 그 미만의 수직 기판 배향 변화를 갖는 기판 프로세싱 시스템들의 경우, 제 1 평면 및 제 2 평면은 평행하지 않을 수 있다는 것이 이해될 수 있다. 그러한 경우에, 수직 회전축(155)은 진공 회전 모듈(150)의 진공 챔버 내에서 2개의 평행하지 않은 평면들 사이에서 연장되며, 예컨대, 제 1 평면 및 제 2 평면에 대한 대칭축을 형성하도록 배열될 수 있다.
[0030]
본원에서 설명된 바와 같이, 트랙의 거리 또는 피치가, 인접한 단일 진공 챔버와 매칭되는(match) 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 진공 회전 모듈은, 진공 회전 모듈의 일 측에 연결된 단일 챔버를 갖는 프로세싱 시스템들에 대해, 캐리어들의 개선된 이송을 허용한다. 따라서, 2개의 캐리어들은 진공 회전 모듈의 안 및/또는 밖으로 동시에 이송될 수 있다. 이로써, 동시적인 이송을 허용하는 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙은, 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 수직 회전축을 갖도록 로케이팅된다. 따라서, 예컨대, 진공 회전 모듈의 일 측에 백 투 백으로 로케이팅될 수 있는, 더 큰 양의 개수들을 가질 필요 없이, 개선된 이송이 제공될 수 있다. 상기 내용을 고려하여, 본원에서 설명되는 실시예들은, 특히, 프로세싱 시스템의 하나의 챔버가 유지보수 하에 있는 경우에, 개선된 택트 타임을 제공할 수 있고, 그러는 동안 풋프린트는 감소될 수 있다. 감소된 풋프린트의 선택사항을 갖는 것은 전형적으로, 프로세싱 시스템의 소유 비용을 감소시키고, 그리고/또는 제한된 양의 바닥 공간이 제공되는 영역에 시스템을 설치하는 것을 허용한다.
[0031]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 진공 회전 모듈은 수직 회전축(155)에 대한 기판들의 회전을 위해 구성된다. 이로써, 선형 운송 경로(151)를 통해 진공 회전 모듈(150)에 진입하는 기판은 진공 회전 모듈(150)에서 회전 없이 선형 운송 경로(152)를 통해 챔버(103)로 추가적으로 이송될 수 있다. 운송 경로(151)를 통해 진공 회전 모듈(150)에 진입하는 기판은 선형 운송 경로(153)를 통해 챔버(102)에 진입하기 위해 진공 회전 모듈(150) 내에서 회전될 수 있다. 챔버들(102, 103)로부터 진공 회전 모듈(150)로의 이송은, 각각, 대응하는 회전을 통해, 또는 그러한 회전 없이 수행될 수 있다.
[0032]
상기 설명된 바와 같이, 진공 회전 모듈(150)과 조합된, 증착 챔버들(101, 102, 및 103)의 배열은 복수의 증착 챔버들, 특히 증착 챔버(101)의 활용을, 더 특히, 프로세싱 시스템의 감소된 풋프린트를 갖는 것에 의해서 개선하는 데에 사용될 수 있다. 따라서, 증착 챔버(101)가, 몰리브덴-함유 재료, 백금-함유 재료, 금-함유 재료, 또는 은-함유 재료와 같은 고가 재료들의 증착을 위해 구성되는 경우, 프로세싱 시스템(100)의 운영자는 단지, 고가의 종류의 증착 소스들의 하나의 세트만 구매할 필요가 있다. 따라서, 짧은 유휴 시간들(downtimes)을 가능하게 하기 위해 재고가 유지되어야 하는 타겟들의 값이 감소될 수 있다.
[0033]
본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 인-라인 프로세싱 시스템(100)은 프로세싱 챔버들의 개선된 활용을 포함하고, 연속적인 또는 준-연속적인 방식의, 프로세싱 시스템 내로의 기판들의 피딩(feeding)을 허용한다. 이로써, 추가적인 챔버(121) 및 더 추가적인 챔버(122)에는, 각각, 제 1 및 제 2 운송 트랙(163 및 164)이 제공된다.
[0034]
운송 트랙들의 세트는 챔버들(121, 101, 102, 및 103) 중 하나 또는 그 초과 내에서의 기판의 측방향 이동을 위해 구성될 수 있다. 이로써, 기판은, 운송 경로들에 대해 수직인 방향을 따른 이동이 제공되도록, 본질적으로 수평으로 이동될 수 있다.
[0035]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 챔버(122)는, 프로세싱 시스템(100) 내로 기판들을 삽입하기 위한 그리고 프로세싱 시스템 밖으로 기판들을 배출하기 위한 로드 록 챔버일 수 있다. 또한, 챔버(121)는: 버퍼 챔버, 가열 챔버, 이송 챔버, 사이클-시간-조절 챔버, 등으로 구성된 그룹으로부터 선택된 챔버일 수 있다.
[0036]
전형적인 실시예들에 따르면, 도 1에 예시적으로 도시된 챔버들은 진공 챔버들인데, 즉, 챔버들은 기판들을 10mbar 또는 그 미만의 압력에서 이송하거나 프로세싱하도록 구성된다. 이로써, 기판들은, 프로세싱 시스템(100)의 챔버(121) 내로의 기판의 추가적인 운송을 위해 챔버들(122 및 121) 사이의 진공 밸브가 개방되기 전에 진공배기되도록 구성된 챔버(122)의 안으로 록킹되거나(locked) 또는 밖으로 록킹된다.
[0037]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 증착 챔버들의 개선된 활용은 층 스택들을 위해 사용될 수 있으며, 제 1 층 및 다른 층, 예컨대, 마지막 층은, 중간 층과 비교할 때, 얇다. 예컨대, 층 스택은 적어도 몰리브덴-함유 층, 구리-함유 층, 및 몰리브덴-함유 층을 포함할 수 있고, 포함된 이러한 3개의 층들은 이러한 순서로 제공된다. 층 스택은 또한, 몰리브덴-함유 층, 알루미늄-함유 층, 및 몰리브덴 함유 층을 포함할 수 있고, 포함된 이러한 3개의 층들은 이러한 순서로 제공된다. 또, 추가적인 실시예들에 따르면, 몰리브덴-함유 층은 또한, 고가의 재료를 포함하는, 상기-설명된 층들 중 다른 층일 수 있다.
[0038]
도 1은, 수직 프로세싱에서의 프로세싱을 위해 기판들이 수평 포지션으로부터 수직 포지션으로 핸들링될 수 있는 스윙(swing) 모듈(622)을 도시한다. 더 추가적인 실시예들에 따르면, 또한, 로봇들 및/또는 버퍼들, 수직 또는 수평과 같은 다른 로딩(loading) 모듈들이, 캐리어 내에 지지되는 하나 또는 그 초과의 기판들을 갖는 캐리어를 로드 록 챔버(122) 내에 로딩하기 위해 제공될 수 있다. 전형적으로, 스윙 모듈은 또한 이중 트랙 시스템을 포함할 수 있다. 이로써, 대기(atmosphere) 회전 모듈 및/또는 부가적인 출구(exit) 챔버가 생략될 수 있는데, 이는, 시스템이 로드 록(122) 밖으로/안으로의 이중 출구/입구를 포함하기 때문이다. 참조 번호 181에 의해 표시된 바와 같이, 스윙 모듈의 이중 트랙 시스템은 본원에서 설명된 바와 같은 이동 가능한 단일 트랙 모듈일 수 있다. 캐리어는, 예컨대, 고정형 이중 트랙 운송 시스템일 수 있는, 로드 록 챔버(122)의 이중 트랙 운송 시스템의 트랙들(163 또는 164) 중 임의의 트랙 상으로 로딩될 수 있다.
[0039]
하나 또는 그 초과의 캐리어들은 로드 록 챔버(122)와 챔버(121) 사이에서 이송될 수 있다. 챔버(121)로부터, 캐리어는 제 1 진공 챔버(101)에 이송될 수 있다. 제 1 진공 챔버(101)의 이중 트랙 운송 시스템은, 예컨대, 이동 가능한 이중 트랙 시스템일 수 있고, 그러한 시스템에서, 2개의 트랙들은 트랙들의 각각의 포지션을 스위칭할 수 있다. 이는 참조 번호 182에 의해 표시된다. 제 1 진공 챔버(101)에서의 기판의 프로세싱 이후에, 기판의 추가적인 프로세싱을 위해, 기판은 제 1 진공 챔버(101)로부터 진공 회전 모듈(150)로, 그리고 추가적으로 제 2 진공 챔버(102)로 이송될 수 있다. 예컨대, 추가적인 캐리어의 추가적인, 예컨대, 후속하는 기판 - 기판은 제 1 진공 챔버(101)로부터 추가적인 진공 챔버로 이동되어야 함 - 은, 제 1 기판이 여전히 제 2 진공 챔버(102)에서 프로세싱되는 동안, 제 3 진공 챔버(103)로 이동될 수 있다. 따라서, 진공 회전 모듈은, 수직축(155)을 중심으로 한 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙의 회전에 의해, 둘 또는 그 초과의 챔버들을 다루는(addressing) 것을 허용한다.
[0040]
상기 내용을 고려하여, 여러 개의 기판들이 동시에 프로세싱될 수 있다. 예컨대, 도 1에서는 오직 3개의 증착 챔버들이 제공되며, 프로세싱 시스템(100)에서, 2개의 챔버들은 증착을 위해, 예컨대, 교번 방식으로 사용될 수 있고, 하나의 챔버는, 기판의 제 1 층 및 기판의 마지막 층을 증착시키기 위해 활용될 수 있다.
[0041]
본원에서 설명되는 다른 실시예들에 따르면, 제 1 진공 챔버(101)는 제 1 증착 챔버 - 제 1 증착 챔버는, 제 1 증착 챔버에 제공되는 제 1 증착 소스(141)를 가짐 - 일 수 있고, 제 1 진공 챔버는 진공 회전 모듈(150)에 커플링되며, 제 1 진공 챔버와 진공 회전 모듈은 제 1 진공 밀봉 가능한 밸브에 의해 분리된다. 부가적으로 또는 대안적으로, 제 2 및/또는 제 3 증착 챔버이고 제 2 증착 소스 및/또는 제 3 증착 소스를 갖는 제 2 및/또는 제 3 진공 챔버(102/103)가 제공될 수 있고, 제 2 및/또는 제 3 진공 챔버는 진공 회전 모듈에 커플링되며 제 2 진공 밀봉 가능한 밸브에 의해 분리된다.
[0042]
따라서, 특히, 제 2 및 제 3 진공 챔버들 중 하나 또는 그 초과와 진공 회전 모듈 사이의 진공 밀봉 가능한 밸브는 이러한 챔버들 중 각각의 하나의 유지보수를 위해 폐쇄될 수 있다. 다른 단일 진공 챔버에서의 이중 운송 트랙 및 결과적인 이중 운송 경로를 고려하여, 이러한 다른 단일 진공 챔버 안으로의 그리고 밖으로의 캐리어들의 이송은 개선될 수 있다. 이는 결국, 예컨대, 하나의 챔버가 유지보수 하에 있는 동안, 프로세싱 시스템의 택트 타임을 개선할 수 있다.
[0043]
도 1은, 이중 트랙 운송 시스템들이 장비된 여러 개의 챔버들을 갖는 하나의 실시예를 예시한다. 상기 설명된 바와 같이, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로를 갖는 이중 트랙 운송 시스템들은 고정형 이중 트랙 시스템, 이동 가능한 단일 트랙 시스템, 또는 이동 가능한 이중 트랙 시스템에 의해 제공될 수 있다. 고정형 이중 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙은 측방향으로 이동될 수 없는데, 즉, 기판은 운송 방향에 대해 수직한 방향으로 이동될 수 있다. 도면들에서 참조 번호 181에 의해 표시되는 이동 가능한 단일 트랙 시스템은, 측방향으로, 즉, 운송 방향에 대해 수직으로 이동될 수 있는 선형 운송 트랙을 가지는 것에 의해, 이중 트랙 운송 시스템을 제공하고, 이에 의해, 기판은 제 1 운송 경로 상에 또는 제 2 운송 경로 상에 제공될 수 있으며, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로는 서로로부터 떨어져 있다. 도면들에서 참조 번호 182에 의해 표시되는 이동 가능한 이중 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 운송 트랙들 양자 모두는 측방향으로 이동될 수 있는데, 즉, 운송 트랙들은 자신들 각각의 포지션을 제 1 운송 경로로부터 제 2 운송 경로로 그리고 그 역으로 스위칭할 수 있다.
[0044]
도 2와 관련하여 예시된 바와 같이, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 예컨대, 소스(142)가 구비된 진공 챔버(104)와 같은 더 추가적인 증착 챔버가 제공될 수 있다. 진공 챔버들(101, 102, 103, 및 104)은, 예컨대, 진공 밀봉 가능한 밸브들을 통해 진공 회전 모듈에 연결될 수 있다. 예컨대, 서로에 대해 90°의 각도를 가질 수 있는 선형 운송 경로들이 제공된다. 기판들은, 더 추가적인 재료를 위한 소스를 포함할 수 있는 증착 소스들(142) 중 하나를 이용하여 층이 증착되도록, 진공 챔버들(102-104) 중 하나에 교번 방식으로 제공될 수 있다.
[0045]
몇몇 구현예들에 따르면, 진공 챔버들(102, 103, 및 104)에서 본질적으로 동일한 층이 증착될 수 있도록, 증착 소스들(142)은 유사한 종류일 수 있으며, 이러한 진공 챔버들은 교번 방식으로 사용될 수 있고 그리고/또는 하나의 챔버의 유지보수의 경우에 예비로서 제공될 수 있으며, 그러면 시스템은 여전히 작동될 수 있다. 본원에서 설명된 실시예들에 따르면, 하나의 챔버의 유지보수 동안 택트 타임은, 완전히 작동하는 시스템과 비교하여 감소되어야할 수 있다; 그러나, 유지보수 동안 택트 타임은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 이중 트랙 운송 시스템들의 배열 때문에, 다른 시스템들과 비교하여 개선될 수 있다.
[0046]
예컨대, 도 2에 도시된 프로세싱 시스템(100)에서 증착될 층 스택은 얇은 몰리브덴-함유 층, 제 1 재료를 포함하는 두꺼운 층, 제 2 재료를 포함하는 두꺼운 층, 및 얇은 몰리브덴-함유 층을 포함할 수 있다. 또, 추가적인 실시예들에 따르면, 몰리브덴-함유 층은 또한, 고가의 재료를 포함하는, 상기-설명된 층들 중 다른 층일 수 있다.
[0047]
다른 구현예에 따르면, 도 1에 도시된 실시예들과 비교하여 심지어 더 긴 시간 동안 중간 층이 프로세싱될 수 있도록, 증착 소스들(142)은 동일한 종류일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 전형적인 실시예들에 따르면, 증착 소스들은 스퍼터링 타겟들, 예컨대, 회전 가능한 스퍼터링 타겟들로서 제공된다. 더 추가적인 대안적인 구현예들에 따르면, 증착될 4개 초과의 층들을 갖는 층 스택이 시스템에서 제조될 수 있도록, 증착 소스들(244)은 상이한 재료들을 증착시킬 수 있다.
[0048]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 도 2에 도시된 프로세싱 시스템(100)과 같은 프로세싱 시스템들은 또한, 제 1 운송 트랙, 제 2 운송 트랙, 및 제 3 운송 트랙(도시되지 않음)과 같은 하나 또는 그 초과의 추가적인 운송 트랙들이 구비된 다수의 트랙 운송 시스템을 가질 수 있다.
[0049]
이로써, 기판들은 로드 록 챔버(122)로부터 추가적인 챔버(121)로 이송될 수 있거나, 또는 하나의 기판은, 다른 기판이 로드 록 챔버(122)로부터 추가적인 챔버(121)로 이송되는 동안, 추가적인 챔버(121)로부터 로드 록 챔버(122)로 이송될 수 있다. 따라서, 기판들의 이송은 더 유연한 방식으로 수행될 수 있고, 이에 의해, 기판들의 이송이 사이클 시간에 대한 제한 인자일 수 있는 어플리케이션들은 처리량이 증가될 수 있다.
[0050]
도 3은 본원에서 설명되는 더 추가적인 실시예들을 예시한다. 도 1과 유사하게, 진공 챔버(101), 진공 챔버(102), 및 진공 챔버(103)가 도시된다. 진공 챔버들 중 하나 또는 그 초과는 진공 밀봉 가능한 밸브(332)를 이용하여 진공 회전 모듈들에 연결될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 진공 밀봉 가능한 밸브는, 게이트(gate) 밸브, 슬릿(slit) 밸브, 및 슬롯(slot) 밸브로 구성된 그룹으로부터 제공될 수 있다. 진공 밀봉 가능한 밸브들이 본원의 도면들 중 몇몇에는 도시되지 않았더라도, 진공 밀봉 가능한 밸브들은 서로 커플링되는, 즉, 서로 인접한 챔버들 중 임의의 챔버들 사이에 사용될 수 있다.
[0051]
도 1과 비교하여, 도 3의 실시예는 진공 챔버들(102 및 103) 사이에 직선 운송 경로를 갖는다. 이는 특정 층 스택들에 대한 택트 타임을 개선할 수 있고 그리고/또는 특정한 공간 요건들, 예컨대, 프로세싱 시스템의 최대 길이가, 가용한 바닥 공간에 의해 제한될 수 있는 경우에 대한 개선일 수 있다.
[0052]
도 1 내지 4에 도시된 바와 같이, 진공 회전 모듈은 팔각형 또는 다른 다각형일 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 회전 모듈은 적어도 4개의 측벽들을 가지며, 각각의 측벽은 진공 챔버에 커플링되도록 구성된다. 도 5는 측벽들(452a 내지 452d)을 도시하고, 진공 회전 모듈은 사각형(rectangle)이다. 또한, 진공 회전 모듈은 적어도 8개의 측벽들을 가질 수 있으며, 각각의 측벽은 진공 챔버에 커플링되도록 구성된다. 도 4는 측벽들(452a 내지 452h)을 도시한다. 예컨대, 프로세싱 챔버들일 수 있는 진공 챔버들은 측벽(452c, 452e, 452g, 및 452h)에 연결된다. 따라서, 하나 또는 그 초과의 진공 챔버들은, 90° 및/또는 45°만큼 회전된 선형 운송 경로들을 가질 수 있다. 이는 특정 층 스택들에 대한 택트 타임을 개선할 수 있고 그리고/또는 특정한 공간 요건들, 예컨대, 프로세싱 시스템의 최대 길이가, 가용한 바닥 공간에 의해 제한될 수 있는 경우에 대한 개선일 수 있다.
[0053]
제 1 운송 트랙(163) 및 제 2 운송 트랙(164)이 구비된 챔버(121)의 예는 도 6에 도시된다. 챔버(121)는 개구부들(306)이 구비된 챔버 벽(302)을 갖는다. 개구부들(306)은 본질적으로 수직-배향된 기판들의 이송을 위해 구성된다. 따라서, 개구부들(306)은 슬릿의 형상을 가질 수 있다. 전형적으로, 개구부들은 진공 밀봉 가능한 밸브를 이용하여 개방될 수 있고 폐쇄될 수 있다.
[0054]
또한, 챔버(121)는 진공 시스템, 예컨대, 진공 펌프 등에 대한 연결을 위한 플랜지(flange; 304)를 가질 수 있다. 이로써, 챔버(121)는, 개구부들(306)을 폐쇄하기 위한 진공 밸브들 중 적어도 하나, 바람직하게는 밸브들 양자 모두가 폐쇄될 때, 그리고/또는 밸브들에 따라서, 인접한 진공 챔버들이 진공배기될 때, 진공배기될 수 있다.
[0055]
각각, 제 1 운송 트랙(163) 및 제 2 운송 트랙(164)을 갖는 기판 운송 시스템 또는 캐리어 운송 시스템은, 운송 엘리먼트들의 2개의 그룹들을 포함한다. 운송 엘리먼트들의 제 1 그룹의 운송 엘리먼트들(310)은 운송 롤러(312)를 포함한다. 운송 엘리먼트들의 제 2 그룹의 운송 엘리먼트들(320)은 운송 롤러(322)를 포함한다. 운송 엘리먼트들(310)은 회전축(311)을 중심으로 회전 가능하다. 운송 엘리먼트들(320)은 회전축(321)을 중심으로 회전 가능하다.
[0056]
운송 엘리먼트들(310 및 320) 각각은 도 6에서 2개의 포지션들에 예시된다. 이로써, 하나의 포지션은 점선들로 도시된다. 운송 엘리먼트들 각각은, 베어링 엘리먼트(314 또는 324)를 각각 갖는다. 베어링 엘리먼트들은, 각각, 회전을 제공하도록 그리고 축(311 또는 321)을 따른 선형 이동을 제공하도록 구성된다. 회전 엘리먼트들은, 베어링 엘리먼트의 선형 이동에 의해, 제 1 포지션으로부터 제 2 포지션(점선들)으로 이동될 수 있다.
[0057]
도 6에 예시된 바와 같이, 운송 롤러(312)는 운송 롤러(322)에 대해 오프셋된다(offset). 운송 엘리먼트들의 선형 이동에 의해, 운송 엘리먼트들(310)의 운송 롤러(312)는 제 1 운송 트랙(163)으로부터 제 2 운송 트랙(164)으로 이동할 수 있다. 따라서, 운송 엘리먼트들(310 및 320)의 이동에 의해, 제 1 운송 트랙에, 즉, 캐리어를 구동하기 위한 운송 롤러 상에 포지셔닝된 기판은 제 2 운송 트랙으로 이동될 수 있다. 대안적으로, 제 2 운송 트랙(164)에 포지셔닝된 기판은 제 1 운송 트랙으로 이동될 수 있다.
[0058]
도 6에 예시된 운송 엘리먼트들(310 및 320)은, 본질적으로 수직 배향된 기판을 위한 기판 지지부를 제공하며, 기판 지지부는 기판의 하부 단부에서 기판을 지지하도록 이루어진다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 추가적인 실시예들에 따르면, 기판 운송 시스템 또는 캐리어 운송 시스템은 또한, 각각, 운송 경로를 따라서, 즉, 운송 방향으로 캐리어를 안내하기 위해, 상부 운송 수단 또는 안내 엘리먼트, 예컨대, 자석 안내 엘리먼트(magnetic guiding element)를 포함할 수 있다.
[0059]
전형적으로, 운송 수단은 제 1 운송 경로 또는 제 2 운송 경로 중 하나에서 기판들을 안내하기 위한 안내 엘리먼트들의 하나 또는 그 초과의 그룹들이다. 예컨대, 안내 엘리먼트들은 리세스(recess), 예컨대, 2개의 슬릿들을 갖는 자석 안내 엘리먼트들일 수 있고, 이를 통해 기판이 이송될 수 있다. 더 추가적인 실시예들에 따르면, 이러한 안내 엘리먼트들은 또한, 제 1 운송 트랙으로부터 제 2 운송 트랙으로의 시프트(shift)가 수행될 수 있도록, 선형 이동을 위한 베어링을 포함할 수 있다.
[0060]
전형적인 실시예들에 따르면, 운송 엘리먼트들(310) 및 운송 엘리먼트들(320)은, 챔버(121) 내에서, 본질적으로 수직 배향된 기판의 측방향 이송을 위해, 동시적으로(synchronously) 이동된다. 전형적으로, 안내 엘리먼트들과 같은 상부 엘리먼트들이 또한, 동시에 이동된다.
[0061]
운송 엘리먼트들(310 및 320)은, 운송 롤러들 상에 제공되는 기판들 또는 캐리어들을 운송 경로들을 따라 운송하기 위해, 운송 엘리먼트들의 회전을 구동하기 위한 벨트 구동부들(316 및 326)을 더 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 벨트 구동부들 중 하나 또는 그 초과는 하나의 모터에 의해 구동될 수 있다.
[0062]
도 7은, 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법을 예시하며, 프로세싱 시스템은, 몇몇 실시예들에 따라, 증착 챔버들의 개선된 활용을 갖는, 인라인-프로세싱 시스템과 클러스터 프로세싱 시스템 사이의 하이브리드 시스템일 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 단계(402)에서, 제 1 층은 제 1 챔버에서 증착된다. 제 1 층은 전형적으로, 몰리브덴, 백금, 및 금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 재료를 포함할 수 있다.
[0063]
또한, 제 1 층은 전형적으로, 얇은 층이거나, 제 2 층의 증착 시간과 비교했을 때 짧은 시간 내에 증착될 수 있는 층이다. 그런 다음에, 기판은, 제 2 층이, 단계(404)에서는 제 2 챔버에서, 또는 단계(405)에서는 제 3 챔버에서 증착될 수 있도록, 제 2 또는 제 3 챔버로 이송된다.
[0064]
이로써, 단계들(404 및 405)은 교변 방식으로 수행될 수 있다. 제 2 또는 제 3 챔버에서의 더 긴 증착 시간을 고려하여, 증착 시스템은, 더 긴 증착 단계에 의해 처리량 면에서 불필요하게 제한되지 않는다. 단계(406)에서, 제 1 층과 동일한 재료(단계(402) 참고)를 포함하는 다른 층이 증착된다. 단계(406)는 단계(402)와 동일한 챔버에서 수행된다. 이로써, 증착 챔버들의 개선된 활용이 제공된다.
[0065]
본원에서 설명되는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 단계(404 또는 405)의 경로(route)는 제 2 또는 제 3 챔버의 유지보수에 의해 일시적으로 폐쇄될 수 있다. 진공 회전 모듈과 유지보수 하의 챔버 사이의 진공 밀봉 가능한 밸브가 폐쇄된 경우, 시스템은 여전히 작동될 수 있다. 또한, 제 2 또는 제 3 챔버 중 다른 챔버와 진공 회전 모듈 사이의 이중 트랙 운송 시스템이, 유지보수 동안 더 나은 택트 타임을 갖도록 활용될 수 있다. 진공 회전 모듈의 이중 트랙 운송 시스템의 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 수직 회전축이 있다는 사실을 고려하여, 풋프린트 또는 요구되는 바닥 공간은, 진공 회전 모듈의 다수의 트랙 운송 시스템들을 갖는 프로세싱 시스템들과 비교하여, 감소될 수 있는데, 수직 회전축에 인접한 2개의 트랙들은, 예컨대, 1000mm 또는 그 초과의 큰 거리를 갖는다.
[0066]
도 8은, 더 추가적인 실시예들을 예적으로 예시한다. 스윙 모듈뿐만 아니라 다른 챔버들에도, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙(163 및 164)이 제공된다. 더 추가적으로, 부가적인 트랙들에 대해 부가적으로 또는 대안적으로, 제 3 및 제 4 증착 챔버들(204 및 205)이 제공된다. 증착 소스들(244)은 증착 소스들(142)과 비교하여 상이한 참조 번호로 표기되었지만, 이러한 소스들은 유사할 수 있다. 따라서, 제 2 타겟 재료의 증착을 위한 둘 초과의 챔버들이 진공 회전 모듈에 부착될 수 있다. 제 2 층의 증착을 위한 챔버들 중 하나 또는 그 초과는 교번 방식으로 작동될 수 있고, 도 8에 도시된 바와 같은, 단일 캐리어 트랙들 및/또는 이중 캐리어 트랙들이 장비될 수 있다. 이는, 증가된 처리량을 갖는, 심지어 더 두꺼운 제 2 층들의 증착을 허용하는데, 특히, 제 2 층을 여러 단계들로, 예컨대, 여러 개의 챔버들에서 증착시킬 필요가 없다.
[0067]
본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 도 8에서, 진공 회전 모듈의 적어도 하나의 챔버 벽은 오직 단일 챔버에만, 예컨대, 챔버(101)에만 커플링된다. 진공 회전 모듈(150)의 이중 트랙 또는 다중 트랙 운송 시스템은, 수직 회전축에 인접한 2개의 회전 트랙들의 피치 폭 또는 거리를 갖고, 이는, 제 1 운송 트랙과, 예컨대, 제 1 운송 트랙에 직접적으로 인접한 제 2 운송 트랙의 피치 폭 또는 거리에 대응한다. 도 8로부터 확인할 수 있는 바와 같이, 도 8에 도시된 진공 회전 모듈은, 진공 회전 모듈의 각각의 측 상에 커플링되는 하나 또는 두 개의 챔버들을 갖는 것을 허용한다. 따라서, 진공 회전 모듈의 하나 또는 그 초과의 측들은 오직 하나의 진공 챔버에만 커플링될 수 있다.
[0068]
본원에서 설명되는 실시예들은 하드웨어 사용의 효율을 개선하고, 주어진 개수의 진공 챔버들을 이용하여 시스템 처리량을 증가시키며, 그리고/또는 제 2 층의 증착을 위한 강화된 교번 작동을 사용함으로써 시스템 처리량을 증가시킨다. 또한, 프로세싱 시스템의 풋프린트가 너무 많이는 확장되지 않으면서, 특히 유지보수 동안의 택트 타임이 개선될 수 있는데, 즉, 택트 타임은 단지 추가적인 하드웨어를 부가하는 것에 의해 제공되지 않으며, 그러한 추가적인 하드웨어의 부가는 소유 비용을 증가시킬 것이다. 이는, 하이브리드 시스템에 의해 제공되며, 진공 회전 모듈에서 다중 캐리어 트랙들을 사용하는 것에 의해 추가적으로 개선될 수 있고, 수직 회전축은, 피치 또는 거리를 갖는 2개의 인접한 회전 트랙들 사이에 제공되며, 그러한 피치 또는 거리는, 다른 단일 챔버의 이중 트랙 운송 시스템의 피치 또는 거리에 그리고/또는, 예컨대, 500mm 또는 그 미만, 예컨대, 200mm 또는 그 미만, 예컨대, 약 100mm, 약 90mm, 또는 약 80mm인 피치 또는 거리에 대응한다.
[0069]
본원에서 설명되는 실시예들은, 특히 정적 증착 프로세스를 이용하는 다층-증착 툴들, 예컨대, 다층 PVD 증착 툴을 위해 활용될 수 있다.
[0070]
상기 내용을 고려하여, 복수의 실시예들이 설명된다. 예컨대, 일 실시예에 따르면, 본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 시스템은, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙이 구비된 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 제 1 진공 챔버, 제 1 진공 챔버 내에서 제 1 운송 트랙으로부터 제 2 운송 트랙으로의, 또는 그 역으로의 기판의 측방향 이동을 위해 구성된 적어도 하나의 측방향 이동 메커니즘, 및 제 2 진공 챔버를 갖는 진공 회전 모듈을 포함하고, 진공 회전 모듈은, 제 2 진공 챔버 내에서 수직 회전축을 중심으로 기판을 회전시키기 위한 수직 회전축을 포함하며, 진공 회전 모듈은 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙이 구비된 제 2 이중 트랙 운송 시스템을 갖고, 제 1 회전 트랙은 제 1 운송 트랙과 함께 선형 운송 경로를 형성하기 위해 회전 가능하며, 제 2 회전 트랙은 제 2 운송 트랙과 함께 선형 운송 경로를 형성하기 위해 회전 가능하고, 수직 회전축은 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 제 1 진공 챔버는 제 1 증착 챔버 - 제 1 증착 챔버는, 제 1 증착 챔버에 제공되는 제 1 증착 소스를 가짐 - 일 수 있고, 제 1 진공 챔버는 진공 회전 모듈에 커플링되며, 제 1 진공 챔버와 진공 회전 모듈은 제 1 진공 밀봉 가능한 밸브에 의해 분리되고, 그리고 예컨대, 제 2 증착 챔버이고 제 2 증착 챔버에 제공되는 제 2 증착 소스를 갖는 제 3 진공 챔버가 포함되며, 제 3 진공 챔버는 진공 회전 모듈에 커플링되고, 제 2 진공 챔버와 진공 회전 모듈은 제 2 진공 밀봉 가능한 밸브에 의해 분리된다.
[0071]
다른 실시예에 따르면, 제 1 진공 챔버 및 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템, 특히, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 프로세싱 시스템을 위해 구성된 진공 회전 모듈이 제공된다. 진공 회전 모듈은 제 2 진공 챔버, 제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙이 구비된 제 2 이중 트랙 운송 시스템 - 제 1 회전축과 제 2 회전축은 500mm 또는 그 미만의 거리를 가짐 -, 및 제 2 이중 트랙 운송 시스템 상의 제 2 진공 챔버 내에서 수직 회전축을 중심으로 기판을 회전시키기 위한 수직 회전축을 포함하고, 수직 회전축은 제 1 회전 트랙과 제 2 회전 트랙 사이에 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 이하의 특징들, 양태들, 및 세부 사항들 중 하나 또는 그 초과가 포함될 수 있다. 예컨대, 진공 회전 모듈은 적어도 4개의 측벽들을 가질 수 있고, 각각의 측벽은 진공 챔버에 커플링되도록 구성되며, 특히, 진공 회전 모듈은 적어도 8개의 측벽들을 가지고, 각각의 측벽은 진공 챔버에 커플링되도록 구성된다. 진공 회전 모듈은, 하나의 인접한 진공 챔버로부터 그리고/또는 그러한 챔버 내로 2개의 기판들을 동시에 로딩하고 그리고/또는 언로딩하도록 구성될 수 있다. 제 1 회전축 및 제 2 회전축은 200mm 또는 그 미만의 거리를 가질 수 있다.
[0072]
더 추가적인 실시예에 따르면, 제 1 증착 챔버, 제 2 증착 챔버, 및 진공 회전 모듈을 갖는 기판 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법이 제공된다. 방법은, 제 1 증착 챔버에서 제 1 재료를 포함하는 제 1 층을, 본질적으로 수직으로 배향된 기판 상에 증착시키는 단계, 추가적인 기판이 제 1 증착 챔버로부터 진공 회전 모듈로 또는 그 역으로 이송되는 동안 기판을 제 1 증착 챔버로부터 진공 회전 모듈 내로 이송하는 단계, 특히, 추가적인 기판이 진공 회전 모듈로부터 제 2 증착 챔버로 또는 그 역으로 이송되는 동안 기판을 진공 회전 모듈로부터 제 2 증착 챔버로 이송하는 단계, 제 2 증착 챔버에서 제 2 재료를 포함하는 제 2 층을 증착시키는 단계를 포함한다. 방법은, 진공 회전 모듈과 제 2 증착 챔버 사이의 진공 밀봉 가능한 밸브를 폐쇄하는 단계, 및 나머지 시스템은 작동 하에 있는 동안에 제 2 증착 챔버에 유지보수를 제공하는 단계를 더 포함할 수 있고, 그리고/또는 방법은, 제 1 증착 챔버에서 기판을 제 1 운송 트랙으로부터 제 2 운송 트랙으로 또는 그 역으로 측방향으로 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
[0073]
본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는, 프로세싱 시스템 또는 프로세싱 시스템을 작동시키는 것의 몇몇 실시예들에 따르면, 증착될 제 1 재료는 몰리브덴, 몰리브덴-합금들, 백금, 백금-합금들, 금, 금-합금들, 티타늄, 티타늄-합금들, 은, 은-합금들로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있고, 특히, 제 1 재료는 몰리브덴, 몰리브덴-합금, 백금, 또는 백금-합금이다. 또한, 본원에서 설명되는 하나 또는 그 초과의 실시예들의 추가적인 선택적 수정으로서, 제 1 운송 트랙은 운송 방향으로 안내하기 위한 복수의 안내 엘리먼트들을 포함할 수 있고, 제 2 운송 트랙은 운송 방향으로 안내하기 위한 복수의 안내 엘리먼트들을 포함할 수 있으며, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙의 안내 엘리먼트들은 각각, 안내 포지션들이, 운송 방향에 대해 수직인 방향으로 변위되도록, 제 1 및 제 2 안내 포지션에 대해서 이루어진다. 예컨대, 제 1 운송 트랙의 안내 엘리먼트들 및 제 2 운송 트랙의 안내 엘리먼트들은 운송 방향을 따라서 교번하여(alternately) 제공될 수 있다.
[0074]
전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.
100
기판 프로세싱 시스템
101 진공/증착 챔버
102 진공/증착 챔버
103 진공/증착 챔버
104 진공/증착 챔버
121 챔버
122 챔버
141 증착 소스
142 증착 소스
150 진공 회전 모듈
151 회전 트랙
151' 포지션
152 운송 경로
154 회전 트랙
154' 포지션
155 회전축
161 운송 트랙
163 운송 트랙
164 운송 트랙
181 이동 가능한 단일 트랙 시스템
182 포지션
204 증착 챔버
205 증착 챔버
244 증착 소스들
302 챔버 벽
304 플랜지
306 개구부들
310 운송 엘리먼트들
311 회전축
312 운송 롤러
314 베어링 엘리먼트
316 벨트 구동부
320 운송 엘리먼트들
321 회전축
322 운송 롤러
324 베어링 엘리먼트
326 벨트 구동부
332 진공 밀봉 가능한 밸브
402 단계
404 단계
405 단계
406 단계
452a 측벽
452b 측벽
452c 측벽
452d 측벽
452e 측벽
452f 측벽
452g 측벽
452h 측벽
622 스윙 모듈
101 진공/증착 챔버
102 진공/증착 챔버
103 진공/증착 챔버
104 진공/증착 챔버
121 챔버
122 챔버
141 증착 소스
142 증착 소스
150 진공 회전 모듈
151 회전 트랙
151' 포지션
152 운송 경로
154 회전 트랙
154' 포지션
155 회전축
161 운송 트랙
163 운송 트랙
164 운송 트랙
181 이동 가능한 단일 트랙 시스템
182 포지션
204 증착 챔버
205 증착 챔버
244 증착 소스들
302 챔버 벽
304 플랜지
306 개구부들
310 운송 엘리먼트들
311 회전축
312 운송 롤러
314 베어링 엘리먼트
316 벨트 구동부
320 운송 엘리먼트들
321 회전축
322 운송 롤러
324 베어링 엘리먼트
326 벨트 구동부
332 진공 밀봉 가능한 밸브
402 단계
404 단계
405 단계
406 단계
452a 측벽
452b 측벽
452c 측벽
452d 측벽
452e 측벽
452f 측벽
452g 측벽
452h 측벽
622 스윙 모듈
Claims (15)
- 본질적으로(essentially) 수직-배향된(vertically-oriented) 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템으로서,
제 1 운송 트랙(transportation track) 및 제 2 운송 트랙이 구비된 제 1 이중(dual) 트랙 운송 시스템을 갖는 제 1 진공 챔버;
상기 제 1 진공 챔버 내에서 상기 제 1 운송 트랙으로부터 상기 제 2 운송 트랙으로의, 또는 그 역으로의 기판의 측방향 이동(lateral displacement)을 위해 구성된 적어도 하나의 측방향 이동 메커니즘; 및
제 2 진공 챔버를 갖는 진공 회전 모듈(vacuum rotation module)을 포함하고, 상기 진공 회전 모듈은, 상기 제 2 진공 챔버 내에서 수직 회전축을 중심으로 상기 기판을 회전시키기 위한 수직 회전축을 포함하며, 상기 진공 회전 모듈은 제 1 회전 트랙(rotation track) 및 제 2 회전 트랙이 구비된 제 2 이중 트랙 운송 시스템을 갖고, 상기 제 1 회전 트랙은 상기 제 1 운송 트랙과 함께 선형(linear) 운송 경로를 형성하기 위해 회전 가능하며, 상기 제 2 회전 트랙은 제 2 운송 트랙과 함께 선형 운송 경로를 형성하기 위해 회전 가능하고, 상기 수직 회전축은 상기 제 1 회전 트랙과 상기 제 2 회전 트랙 사이에 있는,
본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 진공 챔버는 제 1 증착 챔버 - 상기 제 1 증착 챔버는, 상기 제 1 증착 챔버에 제공되는 제 1 증착 소스를 가짐 - 이고, 상기 제 1 진공 챔버는 상기 진공 회전 모듈에 커플링되며, 상기 제 1 진공 챔버와 상기 진공 회전 모듈은 제 1 진공 밀봉 가능한 밸브(vacuum sealable valve)에 의해 분리되는,
본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템. - 제 2 항에 있어서,
제 2 증착 챔버 - 상기 제 2 증착 챔버는, 상기 제 2 증착 챔버에 제공되는 제 2 증착 소스를 가짐 - 인 제 3 진공 챔버를 더 포함하고, 상기 제 3 진공 챔버는 상기 진공 회전 모듈에 커플링되며, 상기 제 2 진공 챔버와 상기 진공 회전 모듈은 제 2 진공 밀봉 가능한 밸브에 의해 분리되는,
본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 증착 챔버는, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층을 증착시키도록 구성되고, 상기 제 2 증착 챔버는, 상기 제 1 층 위에 제 2 층을 증착시키도록 구성되며, 상기 제 2 층은 제 2 재료를 포함하고,
상기 제 2 재료를 포함하는 층을 증착시키도록 구성되는 제 3 증착 챔버;
추가적인 제 1 운송 트랙 및 추가적인 제 2 운송 트랙을 갖는 추가적인 이중 트랙 운송 시스템을 포함하는 추가적인 챔버 - 상기 추가적인 이중 트랙 운송 시스템은 상기 제 1 이중 트랙 운송 시스템과 함께 선형 운송 경로들을 형성함 -;
을 더 포함하며,
상기 제 1 증착 챔버는, 상기 진공 회전 모듈로부터 상기 기판을 수용하도록, 그리고 상기 제 1 재료를 포함하는 추가적인 층을 상기 제 2 층 위에 증착시키도록 이루어지는,
본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 이중 트랙 운송 시스템과 함께 선형 운송 경로들을 형성하는 로드 록(load lock) 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 적어도 하나의 로드 록 챔버를 더 포함하는,
본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 진공 회전 모듈은, 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 진공 회전 모듈인,
본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템. - 제 6 항에 있어서,
적어도 4개의 측벽들 중 셋 또는 그 초과는 오직 단일 진공 챔버에만 커플링되는,
본질적으로 수직-배향된 기판을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템. - 제 1 진공 챔버 및 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템을 위해, 특히, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템을 위해 구성된 진공 회전 모듈로서,
제 2 진공 챔버;
제 1 회전 트랙 및 제 2 회전 트랙이 구비된 제 2 이중 트랙 운송 시스템 - 상기 제 1 회전축과 상기 제 2 회전축은 500mm 또는 그 미만의 거리를 가짐 -; 및
상기 제 2 이중 트랙 운송 시스템 상의 상기 제 2 진공 챔버 내에서 수직 회전축을 중심으로 상기 기판을 회전시키기 위한 수직 회전축 - 상기 수직 회전축은 상기 제 1 회전 트랙과 상기 제 2 회전 트랙 사이에 있음 - 을 포함하는,
제 1 진공 챔버 및 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템을 위해, 특히, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템을 위해 구성된 진공 회전 모듈. - 제 8 항에 있어서,
상기 진공 회전 모듈은 적어도 4개의 측벽들을 가지고, 각각의 측벽은 진공 챔버에 커플링되도록 구성되며, 특히, 상기 진공 회전 모듈은 적어도 8개의 측벽들을 가지고, 각각의 측벽은 진공 챔버에 커플링되도록 구성되는,
제 1 진공 챔버 및 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템을 위해, 특히, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템을 위해 구성된 진공 회전 모듈. - 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 진공 회전 모듈은, 하나의 인접한 진공 챔버로부터 그리고/또는 그러한 챔버 내로 2개의 기판들을 동시에 로딩하고(loading) 그리고/또는 언로딩하도록(unloading) 구성되는,
제 1 진공 챔버 및 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템을 위해, 특히, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템을 위해 구성된 진공 회전 모듈. - 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 회전축과 상기 제 2 회전축은 200mm 또는 그 미만의 거리를 갖는,
제 1 진공 챔버 및 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템을 위해, 특히, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템을 위해 구성된 진공 회전 모듈. - 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 진공 회전 모듈은 10mbar 미만의 압력 하에서 상기 기판의 회전을 위해 구성되는,
제 1 진공 챔버 및 제 1 이중 트랙 운송 시스템을 갖는 기판 프로세싱 시스템을 위해, 특히, 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템을 위해 구성된 진공 회전 모듈. - 제 1 증착 챔버, 제 2 증착 챔버, 및 진공 회전 모듈을 갖는 기판 프로세싱 시스템에서, 특히 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법으로서,
제 1 증착 챔버에서, 제 1 재료를 포함하는 제 1 층을, 본질적으로 수직 배향된 기판 상에 증착시키는 단계;
추가적인 기판이 상기 제 1 증착 챔버로부터 진공 회전 모듈로 또는 그 역으로 이송되는 동안, 상기 기판을 상기 제 1 증착 챔버로부터 상기 진공 회전 모듈 내로 이송하는 단계;
특히, 추가적인 기판이 상기 진공 회전 모듈로부터 상기 제 2 증착 챔버로 또는 그 역으로 이송되는 동안, 상기 기판을 상기 진공 회전 모듈로부터 상기 제 2 증착 챔버 내로 이송하는 단계;
상기 제 2 증착 챔버에서, 제 2 재료를 포함하는 제 2 층을 증착시키는 단계를 포함하는,
제 1 증착 챔버, 제 2 증착 챔버, 및 진공 회전 모듈을 갖는 기판 프로세싱 시스템에서, 특히 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 진공 회전 모듈과 상기 제 2 증착 챔버 사이의 진공 밀봉 가능한 밸브를 폐쇄하는 단계; 및
나머지 시스템이 작동 하에 있는 동안에, 상기 제 2 증착 챔버에 유지보수를 제공하는 단계를 더 포함하는,
제 1 증착 챔버, 제 2 증착 챔버, 및 진공 회전 모듈을 갖는 기판 프로세싱 시스템에서, 특히 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법. - 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 증착 챔버에서 상기 기판을 제 1 운송 트랙으로부터 제 2 운송 트랙으로 또는 그 역으로 측방향으로 이동시키는 단계를 더 포함하는,
제 1 증착 챔버, 제 2 증착 챔버, 및 진공 회전 모듈을 갖는 기판 프로세싱 시스템에서, 특히 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 기판 프로세싱 시스템에서 층 스택을 증착시키는 방법.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2014/056604 WO2015149848A1 (en) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | System for substrate processing, vacuum rotation module for a system for substrate processing and method of operating a substrate processing system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160138295A true KR20160138295A (ko) | 2016-12-02 |
Family
ID=50434197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020167030728A KR20160138295A (ko) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 기판 프로세싱을 위한 시스템, 기판 프로세싱을 위한 시스템을 위한 진공 회전 모듈 및 기판 프로세싱 시스템을 작동시키는 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017513221A (ko) |
KR (1) | KR20160138295A (ko) |
CN (1) | CN106165081A (ko) |
TW (1) | TWI653698B (ko) |
WO (1) | WO2015149848A1 (ko) |
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- 2014-04-02 JP JP2016559556A patent/JP2017513221A/ja active Pending
- 2014-04-02 CN CN201480077375.6A patent/CN106165081A/zh active Pending
- 2014-04-02 KR KR1020167030728A patent/KR20160138295A/ko not_active Application Discontinuation
-
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JP2017513221A (ja) | 2017-05-25 |
CN106165081A (zh) | 2016-11-23 |
TWI653698B (zh) | 2019-03-11 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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