TW201603163A - 基板處理系統、應用於其之真空旋轉模組及於其之中沈積一層堆疊之方法 - Google Patents

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Abstract

一種用以處理實質上垂直定向基板之基板處理系統係說明。基板處理系統包括第一真空腔室，具有第一雙軌傳送系統，其具有第一傳送軌與第二傳送軌；至少一橫向位移機構，配置以在第一真空腔室中從第一傳送軌橫向位移基板至第二傳送軌或反之亦然；以及真空旋轉模組，具有一第二真空腔室。真空旋轉模組包括垂直旋轉軸，用以在第二真空腔室中繞著垂直旋轉軸旋轉基板。真空旋轉模組具有第二雙軌傳送系統，其具有第一旋轉軌與第二旋轉軌。第一旋轉軌可旋轉以分別與第一與第二傳送軌形成線性傳送路徑。垂直旋轉軸係位於第一旋轉軌和第二旋轉軌之間。

Description

基板處理系統、應用於其之真空旋轉模組及於其之中沈積一 層堆疊之方法
本發明之實施例大體上是有關於基板處理系統、基板旋轉及操作其之方法。特別是，本發明之實施例有關於一種用於處理一實質上垂直定向基板的基板處理系統、一種配置以用於一基板處理系統的真空旋轉模組、以及一種於一基板處理系統中沈積一層堆疊之方法。
於數種技術應用中，不同材料之數層係在基板之上方沈積於彼此上。一般來說，此係藉由一連串之塗佈或沈積步驟完成，其中像是蝕刻或成型(structuring)可亦在此些沈積步驟之前、之間、或之後執行。舉例來說，可沈積具有一連串之「材料一」-「材料二」-「材料一」之數層堆疊。由於在不同處理步驟中之不同塗佈率且由於此些層之不同厚度，用於沈積不同層之此些處理腔室中的製程時間可能變化相當大。
為了沈積多層堆疊，可提供數種處理腔室之配置。 舉例來說，可使用串連式(in-line)配置之沈積腔室以及群集式(cluster)配置之沈積腔室。典型之群集式配置包括一中央傳送腔室及連接於其的數個處理或沈積腔室。塗佈腔室可裝配以執行相同或不同製程。典型之串連式系統包括數個接續之處理腔室，其中數個處理步驟係在一個接著另一個的腔室中進行，使得數個基板可藉由串連式系統連續或類似連續的方式處理。然而，在串連式系統中之製程的傳送係相當容易，而製程時間係由最長製程時間決定。因此，製程之效率係受到影響。另一方面來說，群集工具係提供不同之循環時間(cycle times)。然而，傳送係需要於中央傳送腔室中設置複雜之傳送系統而使得傳送可能十分複雜。
再者，提供雙軌或多軌系統係有需求的，雙軌或多軌系統例如是雙軌串連式系統，其中工站時間(tact time)可更藉由進一步於一真空腔室中之第一傳送軌和第二傳送軌上分別傳送例如是兩個基板來減少。例如是串連式濺射系統之處理系統係面臨週期性維護。此維護係減少系統之正常運行時間(uptime)。在具有多於一個處理腔室的許多系統中，此些腔室之其中一者的維護係導致整個系統中斷，也就是工具操作中斷，許多系統例如是濺射系統。
因此，進一步改善基板處理系統係有需求的，特別是有關於正常運行時間、工站時間、及/或維護。
有鑑於上述，根據獨立申請專利範圍第1項所述之 基板處理系統、根據申請專利範圍第8項所述之真空旋轉模組、以及根據申請專利範圍第16項所述之於一基板處理系統中沈積一層堆疊之方法係提供。其他優點、特性、方面及細節係藉由附屬申請專利範圍、說明及圖式而更加清楚。
根據一實施例，一種用以處理一實質上垂直定向基板之基板處理系統係提供。基板處理系統包括一第一真空腔室，具有一第一雙軌傳送系統，第一雙軌傳送系統具有一第一傳送軌與一第二傳送軌；至少一橫向位移機構，配置以用於在第一真空腔室中從第一傳送軌橫向位移實質上垂直定向基板至第二傳送軌或從第二傳送軌橫向位移實質上垂直定向基板至第一傳送軌；以及一真空旋轉模組，具有一第二真空腔室，其中真空旋轉模組包括一垂直旋轉軸，用以在第二真空腔室中繞著垂直旋轉軸旋轉實質上垂直定向基板，其中真空旋轉模組具有一第二雙軌傳送系統，第二雙軌傳送系統具有一第一旋轉軌與一第二旋轉軌，其中第一旋轉軌係可旋轉以與第一傳送軌形成一線性傳送路徑，且第二旋轉軌係可旋轉以與第二傳送軌形成另一線性傳送路徑，以及其中垂直旋轉軸係位於第一旋轉軌和第二旋轉軌之間。
根據另一實施例，一種配置以用於具有一第一真空腔室及一第一雙軌傳送系統之一基板處理系統，特別是用於根據此處所述實施例的一基板處理系統之真空旋轉模組係提供。真空旋轉模組包括一第二真空腔室；一第二雙軌傳送系統，具有一第一旋轉軌與一第二旋轉軌，其中第一旋轉軌與第二旋轉軌具有一 500mm或以下之距離；以及一垂直旋轉軸，用以在第二真空腔室中之第二雙軌傳送系統上繞著垂直旋轉軸旋轉一基板，其中垂直旋轉軸係位於第一旋轉軌和第二旋轉軌之間。
根據再其他一實施例，一種於具有一第一沈積腔室、一第二沈積腔室、與一真空旋轉模組之一基板處理系統中，特別是於根據此處所述實施例的一基板處理系統中沈積一層堆疊之方法係提供。此方法包括於第一沈積腔室中沈積包括一第一材料之一第一層於一實質上垂直定向基板上；當一其他基板係從第一沈積腔室傳送至真空旋轉模組中或當此其他基板係從真空旋轉模組傳送至第一沈積腔室中時，從第一沈積腔室傳送實質上垂直定向基板至真空旋轉模組中；從真空旋轉模組傳送實質上垂直定向基板至第二沈積腔室中，特別是在一其他基板係從真空旋轉模組傳送至第二沈積腔室中或此其他基板係從第二沈積腔室送至真空旋轉模組傳中時；以及於第二沈積腔室中沈積包括一第二材料之一第二層。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
100‧‧‧基板處理系統
101‧‧‧第一真空腔室
102‧‧‧第二真空腔室
103、204‧‧‧第三真空腔室
104、121、122‧‧‧真空腔室
141‧‧‧第一沈積源
142、244‧‧‧沈積源
150‧‧‧真空旋轉模組
151、152、153‧‧‧線性傳送路徑
154、154’‧‧‧第二旋轉軌
155‧‧‧垂直旋轉軸
156、156’‧‧‧第一旋轉軌
161、163‧‧‧第一傳送軌
164‧‧‧第二傳送軌
181‧‧‧可移動單軌系統
182‧‧‧可移動雙軌系統
205‧‧‧第四沈積腔室
302‧‧‧腔室牆
304‧‧‧法蘭
306‧‧‧開孔
310、320‧‧‧傳送元件
311、321‧‧‧旋轉軸
312‧‧‧傳送滾軸
314、324‧‧‧軸承元件
316、326‧‧‧皮帶驅動裝置
332‧‧‧真空可密封閥
402、404、405、406‧‧‧流程步驟
452a-452h‧‧‧側牆
622‧‧‧擺盪模組
為了取得且可詳細地了解本發明上述之特點，簡要摘錄於上之本發明更特有的說明可參照其之實施例，實施例係繪示於所附之圖式中。
第1圖繪示根據此處所述實施例之基板處理系統的示意圖，基板處理系統具有三個沈積腔室、與處理腔室提供線性傳送路徑 之一真空旋轉模組及一雙軌傳送系統；第2圖繪示根據此處所述實施例之其他基板處理系統之示意圖，基板處理系統具有數個沈積腔室、與處理腔室提供線性傳送路徑之一真空旋轉模組及一雙軌傳送系統；第3至5圖繪示根據此處所述實施例之再其他基板處理系統之示意圖，基板處理系統具有數個沈積腔室、與處理腔室提供線性傳送路徑之一真空旋轉模組及一雙軌傳送系統；第6圖繪示根據此處所述實施例之包括雙軌傳送系統之腔室的示意圖；第7圖繪示根據此處所述實施例之於處理系統中沈積層堆疊之方法的流程圖，處理系統包括串連式基板處理系統部分；以及第8圖繪示根據此處所述實施例之其他基板處理系統之示意圖，基板處理系統具有數個沈積腔室、與處理腔室提供線性傳送路徑之一真空旋轉模組及一雙軌傳送系統。
為了有利於了解，相同之參考編號係在可行的情況中使用，以標註於圖式中共有之相同或相似之元件。可理解的是，一實施例之元件或特性可在沒有進一步引述下有利地合併於其他實施例中。
然而，值得注意的是，在本發明可承認其他等效實施例的情況下，所附之圖式僅表示本發明之範例性實施例，因而並非視為其範圍之限制。
詳細的參照將以本發明之各種實施例來達成，實施 例的一或多個例子係繪示在圖式中。各例子係藉由說明的方式提供且不意味為本發明之一限制。舉例來說，所說明或敘述而做為一實施例之部分之特性可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得進一步之實施例。此意指本發明包括此些調整及變化。
此處所使用之名稱「基板」應包含數個基板，也就是例如是用於製造顯示器的基板，此些基板例如是玻璃基板或以塑膠材料製成之基板。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此處所述之實施例可用於製造顯示器，例如是物理氣相沈積(PVD)，也就是用於顯示器市場之在大面積基板上之濺射沈積。
根據一些實施例，大面積基板或對應之載體可具有至少0.67m2之尺寸，其中載體具有數個基板。一般來說，尺寸可為約0.67m2(0.73x0.92m-Gen 4.5)或以上，更特別是約2m2至約9m2或甚至高達12m2。一般來說，用於根據此處所述實施例之結構、系統、例如是陰極組之設備、以及方法之基板或載體係如此處所述之大面積基板。舉例來說，大面積基板或載體可為第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至第10代，第4.5代對應於約0.67m2之基板(0.73x0.92m)、第5代對應於約1.4m2之基板(1.1m x 1.3m)、第7.5代對應於約4.29m2之基板(1.95m x 2.2m)、第8.5代對應於約5.7m2之基板(2.2m x 2.5m)、第10代對應於約8.7m2之基板(2.85m×3.05m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代與對應之基板面積可以類似的方式應用。根據可與此 處所述其他實施例結合之一些實施例，系統可配置而用於製造薄膜電晶體(TFT)，例如是以靜態沈積進行。
一般來說，基板於處理系統中係實質上垂直定向。 藉此，可理解的是，垂直定向基板可在處理系統中從一垂直方向具有一些偏移，垂直方向也就是90°，以允許在一些角度之傾斜下穩定的傳送，一些角度之傾斜也就是基板可從垂直方向偏移±20°或更少，例如是±10°或更少。
根據此處所述實施例，特別是在進行維護時具有改善之工站時間及/或改善之正常運行時間之基板處理系統可提供。再者，處理系統之佔地面積並不會不必要地增加，例如是用於設置備用(redundant)腔室。根據此處所述實施例，分配基板至不同處理腔室之一模組係提供，此模組例如是真空旋轉模組。在無需停止整個處理系統的情況下，此些處理腔室之其中一者可關閉而進行維護。在維護其中一個處理腔室的期間，此系統可至少以減少之工站時間進行操作。
真空旋轉模組已於前述中說明，其中一或多個旋轉軌係提供且基板可在真空旋轉模組中繞著旋轉軸旋轉，旋轉軸例如是垂直旋轉軸。此些模組一般包括單一軌傳送系統，也就是用於讓一基板在某一時間可於真空旋轉模組和相鄰之真空腔室之間傳送的傳送系統。
根據此處所述實施例，具有第一雙軌傳送系統的第一真空腔室係提供。舉例來說，雙軌傳送系統可包括橫向位移機 構，用以改變在第一真空腔室中之基板的軌道位置。基板可從雙軌傳送系統之一軌道於一橫向方向中移動至雙軌傳送系統之另一軌道，此橫向方向也就是實質上垂直於傳送系統之傳送方向的方向。根據可與此處所述其他實施例結合之數個實施例，傳送方向可亦說明為用於從處理系統之一真空腔室傳送基板至處理系統之另一腔室之方向。具有一第二真空腔室的真空旋轉模組係提供。真空旋轉模組包括一垂直旋轉軸，用於在真空旋轉模組之真空腔室中旋轉實質上垂直定向基板，真空旋轉模組之真空腔室也就是第二真空腔室。真空旋轉模組包括第二雙軌傳送系統，其中垂直旋轉軸係提供於第二雙軌傳送系統之第一旋轉軌與第二旋轉軌之間。根據可與此處所述其他實施例結合之此處所述數個實施例，第二雙軌傳送系統具有實質上相同於在第一真空腔室中之雙軌傳送系統之軌距，第一真空腔室例如是處理系統之真空腔室。
根據此處所述實施例，雙軌(dual track，DT-)真空旋轉模組係提供。DT真空旋轉模組係對具有厚層與高產量之製程有益處，此些製程可能需要對處理套組(process kit)頻繁的維護。 舉例來說，具有DT真空旋轉模組係允許配置一或多個厚層沈積處理站，多個厚層沈積處理站例如是在耦接於真空旋轉模組時移置(displaced)90°。雙軌真空旋轉模組係讓此系統同時取代在處理模組與真空旋轉模組之間的多於一個的載體，處理模組例如是具有處理腔室，特別是當雙軌載體傳送係亦在處理模組中使用。在 取代之後，真空旋轉模組之轉子係於一位置中旋轉，以傳送一載體至下一個模組或者接收來自下一個模組之一載體。因此，數個處理模組可連接於真空旋轉模組，其中處理系統之佔地面積可減少或保持於一限制區域，例如是用於數種製程之處理模組無需背靠背(back-to-back)的配置。
串連式處理系統一般係提供用於沈積接續之數層的數個接續腔室。藉此，一層接著另一層係在一個腔室接著一個腔室中沈積。舉例來說，一薄鉬層可沈積於一基板之上方，一厚鋁層係接續著沈積於此鉬層之上方且一其他薄鉬層係接續著沈積於此鋁層之上方。藉此，包括鉬沈積源之第一腔室可提供。之後，兩個用於沈積鋁之沈積腔室可提供。之後，另一用於沈積鉬之腔室係提供。藉此，在串連式處理系統中之基板可以交替之方式傳送至第一鋁腔室與第二鋁腔室中，使得對於在串連式沈積系統中之整體產量來說，沈積較厚之鋁層之限制較少。然而，用於沈積鉬之沈積源可能非常昂貴，特別是對於處理大面積基板來說，用於沈積鉬之沈積源例如是鉬濺射靶材。因此，四個腔室係使用於上述之處理系統中且必需提供兩個具有非常昂貴之沈積源的腔室，沈積源例如是濺射靶材。再者，假如進行維護時，整個生產必需在此一處理系統中停止。
第1圖繪示基板處理系統100之一實施例的示意圖。此系統包括第一真空腔室101、第二真空腔室102、及第三真空腔室103。此些真空腔室可為沈積腔室或其他處理腔室，其 中真空係於腔室中產生。真空係根據處理步驟之需求提供，真空也就是例如為10mbar或以下之壓力，處理步驟例如是用於沈積材料於基板上或基板之上方。再者，此系統包括真空旋轉模組150，真空旋轉模組150具有一真空腔室，此真空腔室係配置以用於從第一真空腔室101傳送基板至第二真空腔室102與第三真空腔室103之其中一者。再者，真空旋轉模組150係配置以用於從第二真空腔室102與第三真空腔室103之其中一者傳送基板至第二真空腔室與第三真空腔室之另一者或第一真空腔室101。
如第1圖中所示，第一真空腔室具有第一沈積源141，且第二真空腔室和第三真空腔室各具有另一沈積源142。一般來說，在第二與第三真空腔室中的沈積源142可為類似之沈積源，使得第二真空腔室102與第三真空腔室103可以交替之方式使用。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，沈積源係以做為濺射靶材之方式提供，例如是可旋轉濺射靶材。
根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，沈積源係以做為濺射靶材之方式提供，例如是可旋轉濺射靶材。 根據其之典型應用，可提供直流(DC)濺射、脈衝濺射(pulse sputtering)、射頻(RF)濺射、或中頻(MF)濺射。根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，可提供具有在5kHz至100kHz之範圍中的頻率之中頻濺射，在5kHz至100kHz之範圍中的頻率例如是30kHz至50kHz。
對於以沈積源142進行沈積為限制因素之基板處理 系統100之產量來說，整體產量可增加，因為以連續或類似連續之方式在處理系統中處理的基板可以交替之方式在第二真空腔室102及第三真空腔室103中處理。舉例來說，此可為若利用沈積源142之將沈積之層係為厚層的情況或若沈積源142之沈積率係低的之情況。
根據此處所述實施例，真空旋轉模組150及第一真空腔室101、第二真空腔室102、及第三真空腔室103係經由線性傳送路徑連接。根據此處所述之實施例，真空旋轉模組包括雙軌傳送系統，具有第一旋轉軌156和第二旋轉軌154。第一旋轉軌和第二旋轉軌可繞著垂直旋轉軸155旋轉。舉例來說，第一旋轉軌和第二旋轉軌可旋轉至參考編號156’和154’所繪示之位置，以與第二真空腔室102之傳送軌產生線性傳送路徑。舉例來說，一般用於製造顯示器之大面積基板可在基板處理系統100中沿著線性傳送路徑傳送。一般來說，線性傳送路徑係藉由第一傳送軌161和163提供，第一傳送軌161和163例如是線性傳送軌，具有例如是沿著一線配置之數個滾軸。再者，第一旋轉軌156和第二旋轉軌154可以線性傳送軌之方式提供，具有例如是沿著一線配置之數個滾軸。此外，第一旋轉軌和第二旋轉軌可沿著垂直旋轉軸155旋轉，垂直旋轉軸155係提供於第一旋轉軌156和第二旋轉軌154之間。根據典型實施例，傳送軌及/或旋轉軌可藉由在大面積基板之底部的傳送系統與在實質上垂直定向大面積基板之頂部的導引系統提供。
根據可與此處所述其他實施例結合之不同實施例，在真空腔室中之雙軌傳送系統可藉由固定雙軌系統、可移動單軌系統、或可移動雙軌系統提供，真空腔室例如是繪示於第1圖中的真空腔室122、121、第一真空腔室101、第二真空腔室102、及第三真空腔室103，也就是具有第一傳送路徑和第二傳送路徑之傳送系統。固定雙軌系統包括第一傳送軌和第二傳送軌，其中第一傳送軌和第二傳送軌不可以橫向位移，也就是基板不可以在垂直於傳送方向之方向中移動。可移動單軌系統係藉由具有可橫向位移之線性傳送軌之方式提供雙軌傳送系統，使得基板可提供於第一傳送路徑或第二傳送路徑上，橫向位移也就是垂直於傳送方向之位移，其中第一傳送路徑和第二傳送路徑係彼此分隔。可移動雙軌系統包括第一傳送軌和第二傳送軌，其中兩個傳送軌可橫向位移，也就是它們可從第一傳送路徑轉換它們各自的位置至第二傳送路徑，且反之亦然。
根據此處所述實施例，真空旋轉模組包括固定雙軌系統，具有第一旋轉軌和第二旋轉軌，第一旋轉軌和第二旋轉軌可亦意指可旋轉之第一傳送軌和可旋轉的第二傳送軌，其中第一旋轉軌和第二旋轉軌之間的距離係固定的。藉此，第一旋轉軌和第二旋轉軌之間的距離和間距(pitch)係固定的，且垂直旋轉軸155係提供於第一旋轉軌和第二旋轉軌之間。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，第一旋轉軌和第二旋轉軌之間的距離和間距係為500mm或更少，例如是200mm或更少，例如是約 100mm、約90mm或約80mm。垂直旋轉軸係位在第一旋轉軌和第二旋轉軌之間，且例如是如第1圖中所示的實質上垂直於旋轉軌。
根據一例子。在基板之方向係精確地垂直的情況中，用於大面積基板或載體之底部的傳送系統與用於大面積基板或載體之頂部之導引系統係在平面中，使得第一旋轉軌之第一平面、第二旋轉軌之第二平面、與垂直旋轉軸係平行，其中垂直旋轉軸155係提供於第一平面和第二平面之間。可理解的是，對於具有±20°或更少之變化的垂直基板方向之基板處理系統而言，第一平面和第二平面可能不平行。在此一情況中，垂直旋轉軸155係在真空旋轉模組150之真空腔室中延伸於兩個非平行之平面之間，且可例如是配置以形成第一平面和第二平面之對稱軸。
如此處所述，真空旋轉模組具有雙軌傳送系統且雙軌傳送系統具有匹配單一相鄰真空腔室之軌道的間距或距離係讓用於處理系統之載體的傳送有所改善，處理系統具有單一腔室，此單一腔室連接於真空旋轉模組之一側。因此，兩個載體可同時傳送至真空旋轉模組內以及/或從真空旋轉模組同時傳送出去。藉此，允許同時傳送之第一旋轉軌與第二旋轉軌係定位以具有垂直旋轉軸於第一旋轉軌和第二旋轉軌之間。因此，改善之傳送可提供而無需具有較大之總數，其可例如是背靠背位於真空旋轉模組之一側。有鑑於其，此處所述實施例可特別是在處理系統之一腔室係進行維護下提供改善之工站時間，且佔地面積可減 少。具有減少的佔地面積之選擇一般係減少處理系統之所有權的成本(cost of ownership)以及/或允許裝設一系統於樓面空間(floor space)之總量係有限制之一區域中。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，真空旋轉模組係配置以用於基板相對於垂直旋轉軸155之旋轉。藉此，經由線性傳送路徑151進入真空旋轉模組150之基板可進一步經由線性傳送路徑152傳送至第三真空腔室103，而無需在真空旋轉模組150中旋轉。經由線性傳送路徑151進入真空旋轉模組150之基板可在真空旋轉模組150中轉動，以經由線性傳送路徑153進入第二真空腔室102。自第二真空腔室102及第三真空腔室103傳送出而至真空旋轉模組150可分別藉由或不藉由對應之旋轉處理。
如上所述，與真空旋轉模組150結合的第一真空腔室101、第二真空腔室102、及第三真空腔室103之配置可改善數個真空腔室之使用，特別是第一真空腔室101，且更特別是藉由具有減少佔地面積之處理系統。因此，如果第一真空腔室101係配置以用於沈積昂貴之材料，基板處理系統100之操作僅需要購買一組昂貴種類之沈積源，昂貴之材料例如是含鉬材料、含鉑材料、含金材料、或含銀材料。
根據此處所述之實施例，串連式之基板處理系統100包括處理腔室之改善利用且允許基板以連續或類似連續之方式進入處理系統中。藉此，其他真空腔室121及再其他真空腔室 122係分別具有第一傳送軌163及第二傳送軌164。
傳送軌組可配置以用於讓基板在真空腔室121、第一真空腔室101、第二真空腔室102、及第三真空腔室103中之一者或更多者橫向移動。藉此，基板可實質上水平移動，以提供沿著垂直於傳送路徑之方向的位移。
根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，真空腔室122可為裝載鎖定腔室，用以插入基板於基板處理系統100中，且用以卸除基板至基板處理系統外。再者，真空腔室121可為選自由緩衝腔室、加熱腔室、傳送腔室、循環時間調整腔室、或類似之腔室所組成之群組的一腔室。
根據典型之實施例，如第1圖中所示之腔室係為真空腔室，也就是此些腔室係配置以用於在10mbar或較低之壓力傳送或處理基板。藉此，基板係鎖定至真空腔室122內或鎖定至真空腔室122外，真空腔室122係配置以用於在真空腔室122和121之間的真空閥係開啟來進一步傳送基板至基板處理系統100中之真空腔室121內之前，進行排氣。
根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，沈積腔室之改善利用可使用於層堆疊，其中相較於中間層，第一層和例如是最終層之另一層係薄的。舉例來說，層堆疊可包括至少含鉬層、含銅層、及含鉬層，其中包括的此三層係以此種順序提供。層堆疊可亦包括含鉬層、含鋁層、及含鉬層，其中包括的此三層係以此種順序提供。再者，根據其他實施例，含鉬層可亦 為包括一昂貴材料之上述層的另一層。
第1圖繪示擺盪模組622，基板可從水平位置傳送至垂直位置，用以以垂直處理之方式進行處理。根據再其他實施例，其他像是水平或垂直之機械手臂(robots)及/或緩衝材之裝載模組可亦提供，以裝載一載體至真空腔室122中，此載體具有支撐於其中之一或多個之基板。一般來說，擺盪模組可亦包括雙軌系統。藉此，由於此系統包括雙出口/入口來離開/進入真空腔室122，大氣旋轉模組及/或額外出口腔室可省略。如由參考編號181所標示，擺盪模組之雙軌系統可為如此處所述之可移動單軌系統。載體可裝載至真空腔室122中的雙軌傳送系統之第一傳送軌163及第二傳送軌164之任一者上，雙軌傳送系統可例如是為固定雙軌傳送系統。
一或多個基板可於真空腔室122與真空腔室121之間傳送。載體可從真空腔室121傳送至第一真空腔室101中。第一真空腔室101之雙軌傳送系統可例如是為可移動雙軌系統，可移動雙軌系統中之兩個軌道可交換它們的各自的位置。可移動雙軌系統係以參考編號182標註。在基板於第一真空腔室101中處理之後，基板可從第一真空腔室101傳送至真空旋轉模組150且進一步傳送至第二真空腔室102，以進一步處理基板。舉例來說，在第一個基板係仍然於第二真空腔室102中處理時，將自第一真空腔室101移出而進入其他真空腔室之在其他載體中的其他基板可移動至第三真空腔室103，其他基板例如是接續的基板。因此， 真空旋轉模組係藉由繞著垂直旋轉軸155旋轉之第一旋轉軌和第二旋轉軌來讓兩個或多個腔室定位。
有鑑於其，數個基板可同時處理。舉例來說，第1圖係僅提供三個沈積腔室，其中兩個腔室可例如是以交替之方式使用以進行沈積，且一腔室可用於在基板處理系統100中沈積基板之第一層與基板之最終層。
根據此處所述之一些實施例，第一真空腔室101可為第一沈積腔室，具有設置於第一沈積腔室中的第一沈積源141，且其中第一真空腔室係耦接於真空旋轉模組150，第一真空腔室及真空旋轉模組係以第一真空可密封閥分隔。為第二及/或第三沈積腔室且具有第二沈積源及/或第三沈積源之第二真空腔室102及/或第三真空腔室103可選擇性或額外地提供，其中第二及/或第三真空腔室係耦接於真空旋轉模組，第二及/或第三真空腔室係藉由第二真空可密封閥和真空旋轉模組分隔。
因此，特別是在真空旋轉模組和一或多個第二及第三真空腔室之間的真空可密封閥可關閉，以用於各別維護此些腔室。有鑑於雙傳送軌和在單一其他真空腔室中產生之雙傳送路徑，載體傳送進入及離開此單一其他真空腔室可改善。例如是在一腔室係進行維護時，此舉反而可改善處理系統之工站時間。
第1圖繪示具有數個裝配有雙軌傳送系統之腔室的一實施例之示意圖。如上所述，具有第一傳送路徑和第二傳送路徑之雙軌傳送系統可藉由固定雙軌系統、可移動單軌系統或可移 動雙軌系統提供。固定雙軌系統包括第一傳送軌和第二傳送軌，其中第一傳送軌和第二傳送軌不可以橫向位移，也就是基板不可以在垂直於傳送方向之方向中移動。在圖式中以參考編號181標註之可移動單軌系統係藉由具有可橫向位移之線性傳送軌之方式提供雙軌傳送系統，使得基板可提供於第一傳送路徑或第二傳送路徑上，橫向位移也就是垂直於傳送方向之位移，其中第一傳送路徑和第二傳送路徑係彼此分隔。在圖式中以參考編號182標註之可移動雙軌系統包括第一傳送軌和第二傳送軌，其中兩個傳送軌可橫向位移，也就是它們可從第一傳送路徑轉換它們各自的位置至第二傳送路徑，且反之亦然。
如有關於第2圖所示，根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，可提供再其他沈積腔室，再其他腔室例如是真空腔室104，舉例係具有沈積源142。第一真空腔室101、第二真空腔室102、第三真空腔室103、及真空腔室104可例如是藉由真空可密封閥連接於真空旋轉模組。數個線性傳送路徑係提供，此些線性傳送路徑舉例可具有相對於彼此90°之角度。數個基板可以交替之方式提供至第二真空腔室102、第三真空腔室103及真空腔室104之其中一者中，使得一層係以此些沈積源142之其中一者進行沈積，此些沈積源142可包括再其他材料之源。
根據一些應用，沈積源142可為相似種類，使得實質上相同之層可於第二真空腔室102、第三真空腔室103、及真空腔室104中沈積，且此些真空腔室可以交替之方式使用及/或在 一腔室維護時以備用(redundancy)之方式提供，其中此系統可能仍然接著進行操作。根據此處所述實施例，相較於完整操作之系統，在一腔室維護期間之工站時間可能必須減少；然而，由於根據此處所述實施例的雙軌傳送系統之配置，在維護期間的工站時間相較於其他系統係可改善的。
舉例來說，如第2圖中所示之在基板處理系統100中之將沈積的層堆疊可包括薄含鉬層、包括第一材料之厚層、包括第二材料之厚層、及薄含鉬層。再者，根據其他實施例，含鉬層可亦為包括一昂貴材料之上述層的另一層。
根據另一應用，沈積源142可為相同種類，使得中間層相較於第1圖中之實施例可以甚至較長之時間進行處理。根據可與此處所述其他實施例結合之典型實施例，沈積源係以為濺射靶材之方式提供，例如是可旋轉濺射靶材。根據再其他選擇應用，沈積源244可沈積不同材料，使得將沈積之一層堆疊可於此系統中形成，此層堆疊具有多於四層。
根據可與此處所述其他實施例結合之再其他實施例，處理系統可亦具有多軌傳送系統，多軌傳送系統具有第一傳送軌、第二傳送軌、及一或多個其他傳送軌，其他傳送軌例如是第三傳送軌(未繪示)，此處理系統例如是繪示於第2圖中之基板處理系統100。
藉此，此些基板可從真空腔室122傳送至其他真空腔室121中，或一基板可在另一基板係從真空腔室122傳送至其 他真空腔室121中時從其他真空腔室121傳送至真空腔室122中。因此，基板之傳送可以更彈性之方式處理，使得基板之傳送對循環時間可能為限制因子的應用係可增加產量。
第3圖繪示此處所述再其他實施例之示意圖。類似於第1圖，第一真空腔室101、第二真空腔室102、及第三真空腔室103係繪示。此些真空腔室之一或多者可以真空可密封閥332連接於真空旋轉模組。根據可與此處所述其他實施例結合之不同實施例，真空可密封閥可從由閘閥、流量閥(slit valve)、及槽閥(slot valve)所組成之群組提供。雖然真空可密封閥未繪示於此處之一些圖式中，真空可密封閥可使用於任何彼此耦接的此些腔室之間，彼此耦接也就是彼此鄰接。
相較於第1圖，在第3圖中之實施例係於第二真空腔室102與第三真空腔室103之間具有直線傳送路徑。此可改善特定層堆疊之工站時間及/或可針對特定空間需求進行改進，例如是當處理系統之最大長度可能受限於可使用之樓面空間時。
如第1至4圖所示，真空旋轉模組可為八邊形或另一多邊形。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，真空旋轉模組具有至少四個側牆，其中各側牆係配置以耦接於一真空腔室。第5圖繪示側牆452a至452d，其中真空旋轉模組係為矩形。再者，真空旋轉模組可具有至少八個側牆，其中各側牆係配置以耦接於一真空腔室。第4圖繪示側牆452a至452h。真空腔室係連接於側牆452c、452e、452g、及452h，真空腔室可舉例 為處理腔室。因此，一或多個真空腔室可具有數個線性傳送路徑，此些線性傳送路徑係旋轉90°及/或45°。此可改善特定層堆疊之工站時間及/或可針對特定空間需求進行改進，例如是當處理系統之最大長度可能受限於可使用之樓面空間時。
具有第一傳送軌163與第二傳送軌164之真空腔室121之一例子係繪示於第6圖中。真空腔室121具有腔室牆302，腔室牆302具有開孔306。開孔306係配置以用於傳送實質上垂直定向基板。因此，開孔306可具有狹縫之形狀。一般來說，開孔可藉由真空可密封閥開啟及關閉。
再者，真空腔室121可具有法蘭(flange)304，用以連接真空系統，例如是真空幫浦或類似之裝置。藉此，當用於關閉開孔306的此些真空閥之至少一者，較佳係為真空閥之兩者係關閉時以及/或當相鄰真空腔室係以閥調節而排氣時，真空腔室121可排氣。
分別具有第一傳送軌163和第二傳送軌164之基板傳送系統或載體傳送系統係包括兩群組之傳送元件。傳送元件之第一群組之傳送元件310包括傳送滾軸312。傳送元件之第二群組之傳送元件320包括傳送滾軸322。傳送元件310係繞著旋轉軸311可旋轉。傳送元件320係繞著旋轉軸321可旋轉。
傳送元件310及320之各者係於第6圖中位於兩個位置。因此，一位置係以虛線繪示。各傳送元件分別具有軸承元件314或324。軸承元件係配置以用於提供旋轉且用以提供分別 沿著旋轉軸311或321之線性移動。旋轉元件可藉由軸承元件之線性移動來從第一位置移動至第二位置(虛線)。
如第6圖中所示，傳送滾軸312係相對於傳送滾軸322偏移。藉由傳送元件之線性移動，傳送元件310的傳送滾軸312可從第一傳送軌163移動至第二傳送軌164。因此，藉由傳送元件310和320之移動，位於第一傳送軌之基板可移動至第二傳送軌，位於第一傳送軌也就是位於用於驅動載體之傳送滾軸上。或者，位於第二傳送軌164之基板可移動至第一傳送軌。
如第6圖中所示之傳送元件310和320係提供基板支撐至實質上垂直定向基板，傳送元件310和320係適用於在基板之底端支撐基板。根據可與此處所述其他實施例結合之另外的實施例，基板傳送系統或載體傳送系統可亦分別包括上部傳送機構(transportation means)或導引元件，導引元件例如是磁性導引元件，用以沿著傳送路徑導引載體，沿著傳送路徑也就是沿著傳送方向。
一般來說，傳送機構係為一或多個群組之導引元件，用以於第一傳送路徑及第二傳送路徑之其中一者中導引基板。舉例來說，導引元件可為磁性導引元件，具有例如是兩個狹縫之凹槽，基板可傳送通過凹槽。根據再其他實施例，此些導引元件可亦包括用以線性移動之軸承，使得從第一傳送軌轉換至第二傳送軌可執行。
根據典型實施例，傳送元件310及傳送元件320係 同步地移動，用以在真空腔室121中橫向傳送實質上垂直定向基板。一般來說，例如是導引元件之上部元件亦可同時移動。
傳送元件310及320可更包括皮帶驅動裝置316及326，用以驅動傳送元件旋轉，以沿著傳送路徑傳送提供於傳送滾軸上之基板或載體。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，一或多個皮帶驅動裝置可藉由一馬達驅動。
第7圖繪示如此處所述之於處理系統中沈積層堆疊之方法，處理系統可根據一些實施例為串連式處理系統與群集式處理系統之間的混合系統，具有改善使用率的沈積腔室。如第7圖中所示，第一層係在步驟402中於第一腔室內沈積。第一層一般可包括至少一材料，選自由鉬、鉑、及金所組成之群組。
再者，第一層一般係薄層或可於一時間內沈積之一層，此時間相較於第二層之沈積時間係較短。基板接著傳送至第二或第三腔室中，使得第二層可在步驟404中之第二腔室內或在步驟405中之第三腔室內沈積。
藉此，步驟404或405可以交替之方式執行。有鑑於在第二或第三腔室中較長的沈積時間，沈積系統係不需要在產量上受限於較長之沈積步驟。在步驟406中，包括相同於第一層(見步驟402)之材料的另一層係沈積。步驟406係在相同於步驟402之腔室中執行。藉此，沈積腔室之改善利用率係提供。
根據此處所述再其他實施例，步驟404或405之程序可能因第二或第三腔室之維護而暫時停止。如果在真空旋轉模 組和腔室之間的真空可密封閥係在維護情況中關閉時，此系統可仍進行操作。再者，在真空旋轉模組和第二及第三腔室之另一者之間的雙軌傳送系統可利用以在維護期間具有較佳之工站時間。有鑑於在真空旋轉模組之雙軌傳送系統之第一旋轉軌和第二旋轉軌之間的垂直旋轉軸，相較於在真空旋轉模組中具有多軌傳送系統之處理系統而言，佔地面積或所需之樓面空間可減少，其中相鄰於垂直旋轉軸之此兩個軌道具有例如是1000mm或以上大距離。
第8圖範例性繪示再其他實施例之示意圖。擺盪模組以及其他腔室係提供而具有第一傳送軌163和第二傳送軌164。再者，除了增加軌道之外或者就選擇性增加軌道來說，係提供第三沈積腔室204和第四沈積腔室205。雖然沈積源244係相較於沈積源142以不同之參考編號標示，然而此些源可相似。因此，多於兩個之用於沈積第二靶材之腔室可貼附於真空旋轉模組。用於沈積第二層之一或多個腔室可以交替之方式操作且可裝設有單一載體軌及/或雙載體軌，如第8圖中所示。此係允許在增加產量的情況下，沈積甚至較厚之第二層，特別是無需在數個步驟中沈積第二層，數個步驟例如是在數個腔室中執行。
根據此處所述實施例，真空旋轉模組的至少一腔室牆係僅耦接於一單一腔室，例如是第8圖中之第一真空腔室101。在真空旋轉模組150中之雙軌或多軌傳送系統所具有的兩個旋轉軌之間距寬度或距離係對應於第一傳送軌和第二傳送軌之間距 寬度或距離，此兩個旋轉軌相鄰於垂直旋轉軸，第二傳送軌例如是直接相鄰於第一傳送軌。如由第8圖可見，繪示於第8圖中之真空旋轉模組係允許一或兩個腔室耦接於真空旋轉模組之對應側。因此，真空旋轉模組之一或多側可僅耦接於一個真空腔室。
此處所述實施例係改善設備(hardware)使用之效率、在給定數量之真空腔室的情況下增加系統產量以及/或藉由利用用於沈積第二層之改善的交替操作來增加系統產量。再者，當處理系統之佔地面積沒有增大太多時，可特別是在維護期間改善工站時間，也就是工站時間並非僅藉由增加之其他設備來提供，增加之其他設備會增加所有權的成本。此由混合系統提供且可藉由使用在真空旋轉模組中之多載體軌來進一步改善，其中垂直旋轉軸係提供於兩個相鄰旋轉軌之間，此兩個相鄰旋轉軌係具有間距或距離，此間距或距離係對應於在單一其他腔室中之雙軌傳送系統之間距或距離，以及/或此間距或距離係對應於例如是500mm或以下之間距或距離，舉例為200mm或以下，例如是約100mm、約90mm或約80mm。
此處所述實施例可用於數層沈積機構，例如是數層物理氣相沈積(PVD)沈積機構，特別是利用靜態沈積製程。
有鑑於上述，數個實施例係說明。舉例來說，根據一實施例，一種用以處理一實質上垂直定向基板之基板處理系統係提供。基板處理系統包括一第一真空腔室，具有一第一雙軌傳送系統，第一雙軌傳送系統具有一第一傳送軌與一第二傳送軌； 至少一橫向位移機構，配置以用於在第一真空腔室中從第一傳送軌橫向位移實質上垂直定向基板至第二傳送軌，或反之亦然；以及一真空旋轉模組，具有一第二真空腔室，其中真空旋轉模組包括一垂直旋轉軸，用以在第二真空腔室中繞著垂直旋轉軸旋轉實質上垂直定向基板，其中真空旋轉模組具有一第二雙軌傳送系統，第二雙軌傳送系統具有一第一旋轉軌與一第二旋轉軌，其中第一旋轉軌係可旋轉以與第一傳送軌形成一線性傳送路徑，且第二旋轉軌係可旋轉以與第二傳送軌形成一線性傳送路徑，以及其中垂直旋轉軸係位於第一旋轉軌和第二旋轉軌之間。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，第一真空腔室可為一第一沈積腔室，第一沈積腔室具有一第一沈積源，設置於第一沈積腔室中，且其中第一真空腔室係耦接於真空旋轉模組，第一真空腔室與真空旋轉模組係以一第一真空可密封閥分隔，以及舉例而言，為一第二沈積腔室之一第三真空腔室係包括，且具有一第二沈積源，第二沈積源設置於第二沈積腔室中，其中第三真空腔室係耦接於真空旋轉模組，其中第三真空腔室與真空旋轉模組係以一第二真空可密封閥分隔。
根據另一實施例，一種配置以用於具有一第一真空腔室及一第一雙軌傳送系統之一基板處理系統，特別是用於根據此處所述實施例的一基板處理系統之真空旋轉模組係提供。真空旋轉模組包括一第二真空腔室；一第二雙軌傳送系統，具有一第一旋轉軌與一第二旋轉軌，其中第一旋轉軌與第二旋轉軌具有一 500mm或以下之距離；以及一垂直旋轉軸，用以在第二真空腔室中之第二雙軌傳送系統上繞著垂直旋轉軸旋轉基板，其中垂直旋轉軸係位於第一旋轉軌和第二旋轉軌之間。根據一些實施例，可包括一或多個下述之特性、方向或細節。舉例來說，真空旋轉模組可具有至少四個側牆，其中各側牆係配置以耦接於一真空腔室，特別是其中真空旋轉模組具有至少八個側牆，其中各側牆係配置以耦接於一真空腔室。真空旋轉模組可配置以用於從一相鄰之真空腔室裝載及/或卸除兩個基板及/或裝載及/或卸除兩個基板至一相鄰之真空腔室中。第一旋轉軌與第二旋轉軌可具有一200mm或以下之距離。
根據再其他實施例，一種於具有一第一沈積腔室、一第二沈積腔室、與一真空旋轉模組之一基板處理系統中沈積一層堆疊之方法係提供。此方法包括於第一沈積腔室中沈積包括一第一材料之一第一層於一實質上垂直定向基板上；當一其他基板係從第一沈積腔室傳送至真空旋轉模組中或反之亦然時，從第一沈積腔室傳送實質上垂直定向基板至真空旋轉模組中；從真空旋轉模組傳送實質上垂直定向基板至第二沈積腔室中，特別是在一其他基板係從真空旋轉模組傳送至第二沈積腔室中或反之亦然時；以及於第二沈積腔室中沈積包括一第二材料之一第二層。此方法可更包括關閉在真空旋轉模組與第二沈積腔室之間的一真空可密封閥；及當剩餘的基板處理系統係進行操作時，對第二沈積腔室進行維護，以及/或此方法可更包括在第一沈積腔室中從一 第一傳送軌橫向位移實質上垂直定向基板至一第二傳送軌或反之亦然。
根據可與此處所述其他實施例結合之處理系統或操作處理系統之一些實施例，將沈積之第一材料可選自由鉬、鉬合金、鉑、鉑合金、金、金合金、鈦、鈦合金、銀、及銀合金所組成之群組，特別是其中第一材料係鉬、鉬合金、鈦、或鈦合金。 再者，如此處所述一或多個實施例之其他選擇性調整，第一傳送軌可包括數個導引元件，用以於一傳送方向中進行導引，其中第二傳送軌包括數個導引元件，用以於此傳送方向中進行導引，且其中第一傳送軌和第二傳送軌之導引元件係分別適用於第一與第二導引位置，使得導引位置係在垂直於傳送方向之一方向中分隔。舉例來說，第一傳送軌之導引元件和第二傳送軌之導引元件可間隔地沿著傳送方向提供。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧基板處理系統
101‧‧‧第一真空腔室
102‧‧‧第二真空腔室
103‧‧‧第三真空腔室
121、122‧‧‧真空腔室
141‧‧‧第一沈積源
142‧‧‧沈積源
150‧‧‧真空旋轉模組
151、152、153‧‧‧線性傳送路徑
154、154’‧‧‧第二旋轉軌
155‧‧‧垂直旋轉軸
156、156’‧‧‧第一旋轉軌
161、163‧‧‧第一傳送軌
164‧‧‧第二傳送軌
181‧‧‧可移動單軌系統
182‧‧‧可移動雙軌系統
622‧‧‧擺盪模組

Claims (20)

  1. 一種基板處理系統，用以處理一實質上垂直定向基板，該基板處理系統包括：一第一真空腔室，具有一第一雙軌傳送系統，該第一雙軌傳送系統具有一第一傳送軌與一第二傳送軌；至少一橫向位移機構，配置以用於在該第一真空腔室中從該第一傳送軌橫向位移該實質上垂直定向基板至該第二傳送軌或從該第二傳送軌橫向位移該實質上垂直定向基板至該第一傳送軌；以及一真空旋轉模組，具有一第二真空腔室，其中該真空旋轉模組包括一垂直旋轉軸，用以在該第二真空腔室中繞著該垂直旋轉軸旋轉該實質上垂直定向基板，其中該真空旋轉模組具有一第二雙軌傳送系統，該第二雙軌傳送系統具有一第一旋轉軌與一第二旋轉軌，其中該第一旋轉軌係可旋轉以與該第一傳送軌形成一線性傳送路徑，且該第二旋轉軌係可旋轉以與該第二傳送軌形成另一線性傳送路徑，以及其中該垂直旋轉軸係位於該第一旋轉軌和該第二旋轉軌之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，其中該第一真空腔室係為一第一沈積腔室，該第一沈積腔室具有一第一沈積源，設置於該第一沈積腔室中，且其中該第一真空腔室係耦接於該真空旋轉模組，該第一真空腔室與該真空旋轉模組係以一第一真空可密封閥分隔。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理系統，更包括：一第三真空腔室，係為一第二沈積腔室且具有一第二沈積源，該第二沈積源設置於該第二沈積腔室中，其中該第三真空腔室係耦接於該真空旋轉模組，其中該第三真空腔室與該真空旋轉模組係以一第二真空可密封閥分隔。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理系統，其中該第一沈積腔室係配置以沈積一第一層，該第一層包括一第一材料，其中該第二沈積腔室係配置以沈積一第二層於該第一層之上方，該第二層包括一第二材料，以及該基板處理系統更包括：一第三沈積腔室，配置以沈積一層，該層包括該第二材料；以及一其他腔室，包括一其他雙軌傳送系統，具有一其他第一傳送軌及一其他第二傳送軌，其中該其他雙軌傳送系統與該第一雙軌傳送系統形成複數個其他線性傳送路徑；其中該第一沈積腔室係適用於從該真空旋轉模組接收該實質上垂直定向基板，且沈積一其他層於該第二層之上方，該其他層包括該第一材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理系統，更包括：至少一裝載鎖定腔室，具有一裝載鎖定雙軌傳送系統，與該第一雙軌傳送系統形成複數個其他線性傳送路徑。
  6. 如申請專利範圍第1至5項之任一項所述之基板處理系統，其中該真空旋轉模組係為一如申請專利範圍第8項所述之真 空旋轉模組。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板處理系統，其中該真空旋轉模組具有至少四個側牆，以及該至少四個側牆之三者或更多者係僅耦接於一單一真空腔室。
  8. 一種真空旋轉模組，配置以用於一基板處理系統，該基板處理系統具有一第一真空腔室及一第一雙軌傳送系統，該真空旋轉模組包括：一第二真空腔室；一第二雙軌傳送系統，具有一第一旋轉軌與一第二旋轉軌，其中該第一旋轉軌與該第二旋轉軌具有一500mm或以下之距離；以及一垂直旋轉軸，用以在該第二真空腔室中之該第二雙軌傳送系統上繞著該垂直旋轉軸旋轉一基板，其中該垂直旋轉軸係位於該第一旋轉軌和該第二旋轉軌之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之真空旋轉模組，其中該真空旋轉模組係配置以用於如申請專利範圍第1至5項之任一項所述之該基板處理系統。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之真空旋轉模組，其中該真空旋轉模組具有至少四個側牆，其中各側牆係配置以耦接於一真空腔室。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之真空旋轉模組，其中該真空旋轉模組具有至少八個側牆，其中各側牆係配置以耦接於一 真空腔室。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之真空旋轉模組，其中該真空旋轉模組係配置以用於同時載入二個基板至一個相鄰之真空腔室中。
  13. 如申請專利範圍第8或12項所述之真空旋轉模組，其中該真空旋轉模組係配置以用於從一個相鄰之真空腔室同時卸除二個基板。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之真空旋轉模組，其中該第一旋轉軌與該第二旋轉軌具有一200mm或以下之距離。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之真空旋轉模組，其中該真空旋轉模組係配置以用於在一10mbar以下之壓力下旋轉該基板。
  16. 一種於一基板處理系統中沈積一層堆疊之方法，該基板處理系統具有一第一沈積腔室、一第二沈積腔室、與一真空旋轉模組，該方法包括：於該第一沈積腔室中沈積包括一第一材料之一第一層於一實質上垂直定向基板上；當一其他基板係從該第一沈積腔室傳送至該真空旋轉模組中或當該其他基板係從該真空旋轉模組傳送至該第一沈積腔室中時，從該第一沈積腔室傳送該實質上垂直定向基板至該真空旋轉模組中；從該真空旋轉模組傳送該實質上垂直定向基板至該第二 沈積腔室中；以及於該第二沈積腔室中沈積包括一第二材料之一第二層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該基板處理系統係如申請專利範圍第1至5項之任一項所述之該基板處理系統。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中當該其他基板係從該真空旋轉模組傳送至該第二沈積腔室中或當該其他基板係從該第二沈積腔室傳送至該真空旋轉模組中時，從該真空旋轉模組傳送該實質上垂直定向基板至該第二沈積腔室中係完成。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包括：關閉在該真空旋轉模組與該第二沈積腔室之間的一真空可密封閥；以及當剩餘的該基板處理系統係進行操作時，對該第二沈積腔室進行維護。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包括：在該第一沈積腔室中從一第一傳送軌橫向位移該實質上垂直定向基板至一第二傳送軌或從該第二傳送軌橫向位移該實質上垂直定向基板至該第一傳送軌。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102192244B1 (ko) * 2013-12-30 2020-12-17 삼성디스플레이 주식회사 기판 이송장치
US20200243768A1 (en) * 2017-03-17 2020-07-30 Applied Materials, Inc. Methods of operating a vacuum processing system
KR20180118593A (ko) * 2017-03-17 2018-10-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 프로세싱 시스템에서 캐리어를 라우팅하기 위한 장치, 캐리어 상의 기판을 프로세싱하기 위한 시스템, 및 진공 챔버에서 캐리어를 라우팅하는 방법
JP2019518863A (ja) * 2017-04-28 2019-07-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 一又は複数の材料を基板の上に堆積させる真空システム及び方法
WO2018210408A1 (en) * 2017-05-16 2018-11-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for processing a substrate, processing system and method therefor
KR102260368B1 (ko) * 2018-03-09 2021-06-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 처리 시스템 및 진공 처리 시스템의 작동 방법
WO2019185183A1 (en) * 2018-03-28 2019-10-03 Applied Materials, Inc. Vacuum processing apparatus and method of processing a substrate
CN112204164B (zh) * 2018-05-29 2022-10-04 应用材料公司 在真空系统中处理掩模的方法、和真空系统
US11174544B2 (en) * 2018-09-17 2021-11-16 Asm Nexx, Inc. Batch processing system with vacuum isolation
CN112840447A (zh) * 2018-10-04 2021-05-25 应用材料公司 运输系统
JP7207939B2 (ja) * 2018-10-18 2023-01-18 株式会社アルバック 搬送装置、および、処理装置
JP2022538949A (ja) * 2018-12-18 2022-09-07 インテヴァック インコーポレイテッド 薄膜形成用ハイブリッドシステムアーキテクチャ
WO2020149837A1 (en) * 2019-01-16 2020-07-23 Applied Materials, Inc. Substrate processing system, substrate chamber for a vacuum processing system, and method of cooling a substrate
CN111496801B (zh) * 2019-01-30 2021-11-05 中铁工程装备集团有限公司 适于全断面隧道掘进机的刀具检测及更换机器人
CN111304637B (zh) * 2020-03-17 2024-04-12 常州捷佳创精密机械有限公司 镀膜生产设备
CN112342516B (zh) * 2020-11-09 2022-10-18 湘潭宏大真空技术股份有限公司 磁控溅射镀膜装置
JPWO2022158271A1 (zh) * 2021-01-19 2022-07-28

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11238785A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Sharp Corp 基板処理装置及び基板処理方法
JP4850372B2 (ja) * 2001-09-28 2012-01-11 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
JP3861013B2 (ja) * 2002-01-30 2006-12-20 三菱重工業株式会社 搬送台車の真空室内走行制御方法
JP4754791B2 (ja) * 2004-08-04 2011-08-24 株式会社アルバック 真空処理装置
EP1717339A2 (de) * 2005-04-20 2006-11-02 Applied Films GmbH & Co. KG Kontinuierliche Beschichtungsanlage
WO2009109464A1 (en) * 2008-03-05 2009-09-11 Applied Materials Inc. Coating apparatus with rotation module
WO2009156196A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-30 Applied Materials Inc. Processing system and method of operating a processing system
EP2489759B1 (en) * 2011-02-21 2014-12-10 Applied Materials, Inc. System for utilization improvement of process chambers and method of operating thereof

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