CN112204164B - 在真空系统中处理掩模的方法、和真空系统 - Google Patents

在真空系统中处理掩模的方法、和真空系统 Download PDF

Info

Publication number
CN112204164B
CN112204164B CN201880093518.0A CN201880093518A CN112204164B CN 112204164 B CN112204164 B CN 112204164B CN 201880093518 A CN201880093518 A CN 201880093518A CN 112204164 B CN112204164 B CN 112204164B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
carrier
mask carrier
horizontal orientation
vacuum system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880093518.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112204164A (zh
Inventor
塞巴斯蒂安·巩特尔·臧
斯蒂芬·班格特
栗田真一
于尔根·亨里奇
安德里亚斯·索尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN112204164A publication Critical patent/CN112204164A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112204164B publication Critical patent/CN112204164B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position

Abstract

描述一种在真空系统中处理掩模的方法。所述方法包括(a)在真空系统中沿着传送路径以非水平定向(V)传送运载第一掩模(11)的掩模载体(10);(b)将运载第一掩模(11)的掩模载体(10)的定向从非水平定向(V)改变为基本上水平的定向(H);和(c)从在真空系统中以基本上水平定向(H)布置的掩模载体(10)卸载第一掩模(11)。根据另外的方面,描述一种真空系统,包括掩模处理模块,所述掩模处理模块用于处理掩模。(图1C)。

Description

在真空系统中处理掩模的方法、和真空系统
技术领域
本公开内容的实施例涉及在真空系统中的真空下处理掩模的方法,并且特别地涉及处理被配置为用于蒸发的材料在真空系统中于基板上带掩模沉积的掩模的方法。另外的实施例涉及真空系统,被配置为经由掩模将蒸发的材料沉积于基板上。更具体地,描述包括掩模处理模块的真空系统,所述掩模处理模块用于在真空系统中的真空下处理掩模。特别地,描述在真空系统中处理掩模的方法,和真空系统。
背景技术
使用有机材料的光电装置因许多原因而变得越来越受到欢迎。用来制造这样的装置的许多有机材料相对便宜,使得有机光电装置比无机装置具有成本优势的潜力。有机材料的固有性质可对于例如是柔性或非柔性基板上的沉积的应用具有优点。有机光电装置的例子包括有机发光装置(organic light emitting device,OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池、和有机光检测器。
OLED的有机材料可提供优于常规材料的性能优势。例如,有机发射层发光所处于的波长可容易地利用适当的掺杂剂调整。OLED使用薄有机膜,薄有机膜在跨装置施加电压时发光。对于在例如是平板显示器、照明(illumination)和背光的应用中使用来说,OLED成为越来越令人感兴趣的技术。
材料,特别是有机材料,通常在次大气压力(sub-atmospheric pressure)下(即在真空下)在真空系统中沉积于基板上。在沉积期间,掩模可布置于基板前方,其中掩模可具有至少一个开口或多个开口,所述至少一个开口或多个开口限定开口图案,开口图案对应于要例如通过蒸发而沉积于基板上的材料图案。基板一般在沉积期间布置于掩模的后方并且相对于掩模对准。例如,掩模载体可用来运载掩模至真空系统的沉积腔室中,并且基板载体可用来运载基板至沉积腔室中以将基板布置于掩模的后方。
以规律的时间间隔从真空系统移除使用过的掩模(例如用于清洁掩模或用于更换掩模)可为有利的。再者,以规律的时间间隔装载待使用的掩模至真空系统中(例如用于提供掩模更换和用于提供清洁、未使用的掩模于真空系统中)可为有利的。然而,掩模的更换一般是耗时的,并且会造成系统的空闲时间,而增加拥有成本。
因此,提供用于在真空系统中快速并且有效率的掩模处理的方法以及具有被配置为用于快速并且有效率的掩模处理的掩模处理模块的真空系统会是有利的。特别地,简化和加速真空系统中的掩模传送和掩模更换会是有利的,所述真空系统被配置为用于蒸发的材料在基板上的带掩模沉积。
发明内容
鉴于以上内容,描述在真空系统中处理掩模的方法,和真空系统。
根据本公开内容的方面,提供一种在真空系统中处理掩模的方法。此方法包括(a)在真空系统中沿着传送路径以非水平定向传送运载第一掩模的掩模载体;(b)将运载第一掩模的掩模载体的定向从非水平定向改变为基本上水平的定向;和(c)从在真空系统中以基本上水平的定向布置的掩模载体卸载第一掩模。
一般接连地执行阶段(a)、(b)和(c)。
根据本公开内容的另一方面,提供一种在真空系统中处理掩模的方法。所述方法包括(d)将第二掩模装载至掩模载体上,所述掩模载体以基本上水平的定向布置在真空系统中;(e)将运载第二掩模的掩模载体的定向从基本上水平的定向改变为非水平定向;和(f)在真空系统中沿着传送路径以非水平定向传送运载第二掩模的掩模载体。
一般接连地执行阶段(d)、(e)和(f)。在一些实施例中,接连地执行(a)、(b)和(c),以从掩模载体卸载第一掩模,并且,接着,接连地执行(d)、(e)和(f),以将第二掩模装载至掩模载体上,并且传送第二掩模至沉积腔室。第一掩模可为已使用的掩模,而第二掩模可为待在真空系统中使用的掩模。
根据本公开内容另外的方面,提供一种真空系统。所述真空系统包括多个沉积腔室,所述多个沉积腔室容纳相应的蒸气源,所述蒸气源配置以将蒸发的材料沉积于基板上;掩模处理模块,被配置为在真空下连接和分离掩模与掩模载体,并且将掩模的定向在基本上水平的定向与非水平定向之间改变;和掩模传送系统,被配置为在掩模处理模块与多个沉积腔室之间以非水平定向传送运载掩模的掩模载体。
在一些实施例中,掩模处理模块包括掩模载体支撑件,被配置为支撑掩模载体;和致动器,被配置为而将掩模载体支撑件的定向在非水平定向与基本上水平的定向之间改变。
在一些实施例中,掩模处理模块进一步包括真空机器人,具有一个或多个掩模保持部,所述掩模保持部具有基本上水平的定向,用于以下项中的至少一个:(i)从由掩模载体支撑件支撑的掩模载体卸载第一掩模,和(ii)将第二掩模装载至由掩模支撑件支撑的掩模载体上。
在一些实施例中,真空系统包括一个单个掩模处理模块,用于连接掩模与掩模载体,掩模载体从所述单个掩模处理模块被传送至多个沉积腔室,特别是四个、六个、八个、十个或更多个沉积腔室。
根据本公开内容的另一方面,提供一种在真空系统中处理掩模的方法。所述方法包括以基本上水平的定向将掩模装载到真空系统中;将掩模的定向从基本上水平的定向改变为非水平定向并且利用掩模处理模块将掩模连接至掩模载体;以水平定向将运载掩模的掩模载体从掩模处理模块传送至多个沉积腔室;和在多个沉积腔室中经由掩模将蒸发的材料沉积于多个基板上。
本公开内容的另外的方面、优点和特征通过说明书和附图而清楚。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上述特征,可通过参考实施例获得上文简要概述的本公开内容的更具体说明。附图涉及本公开内容的实施例并且在下文中进行描述。在附图中描绘并且在以下的说明中详细阐述典型实施例。
图1A至图1D是根据本文所述实施例的处理掩模的方法的阶段的示意图;
图2A至图2D是根据本文所述实施例的处理掩模的方法的阶段的示意图;
图3A至图3G是根据本文所述实施例的处理掩模的方法的阶段的示意图;
图4是根据本文所述实施例的真空系统的示意图;并且
图5是图示根据本文所述实施例的处理掩模的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细地参考数种实施例,在图中图示数种实施例的一个或多个例子。各例子是通过说明的方式提供而不意味为限制。例如,作为一个实施例的部分而图示或描述的特征可用于任何其他实施例上或与任何其他实施例结合使用,以取得再其他的实施例。本公开内容意欲包括这样的调整和变化。
在下方对附图的说明中,相同参考数字表示相同或类似的部件。一般来说,仅描述有关于个别实施例的相异处。除非另有说明,对一个实施例中的部分或方面的说明可应用于另一实施例中对应的部分或方面。
图1A至图1D示意性地图示根据本文所述方法的处理第一掩模11的方法的连续的阶段(a)、(b)、(c)。第一掩模11被配置为用于在基板上带掩模的沉积。也就是说,第一掩模11被配置为布置在基板的前方,所述基板将被涂布而具有材料图案,所述材料图案由掩模的开口图案限定。例如,第一掩模11可被配置为用于带掩模的蒸发工艺,其中材料图案通过蒸发形成于基板上。在一些实施例中,蒸发的材料可包括有机化合物。例如,可制造OLED装置。在一些实施例中,另一材料可经由掩模沉积于基板上,所述另一材料例如金属,例如是银或镁。
在一些实施例中,掩模可包括掩模框架和具有多个开口的片(sheet),所述片由掩模框架保持。掩模框架可被配置为用于支撑和保持一般为精密部件的片。例如,掩模框架可围绕所述片。所述片可例如通过焊接永久地固定于掩模框架,或者所述片可以可释放地固定于掩模框架。片的周围边缘可固定于掩模框架。
掩模可包括多个开口,所述多个开口形成于图案中,用于通过带掩模的沉积工艺在基板上沉积对应的材料图案。在沉积期间,掩模可布置于基板前方的近距离处或直接接触基板的前表面。例如,掩模可为精细金属掩模(fine metal mask,FMM),具有多个开口,例如100,000个开口、1,000,000个开口或更多。例如,可在基板上沉积有机像素的图案。其他类型的掩模是可行的,例如边缘排除掩模(edge exclusion mask)。
在一些实施例中,掩模可至少部分地由金属制成,例如由具有小的热膨胀系数的金属制成,例如是因瓦合金(invar)。掩模可包括磁性材料,使得可在沉积期间朝向基板磁性地吸引掩模。在一些实施例中,掩模框架可包括磁性材料,使得可经由磁力将掩模框架吸引至掩模载体。
掩模可具有0.5m2或更大的表面积,特别是1m2或更大的表面积。例如,掩模的高度可为0.5m或更大,特别是1m或更大,并且/或者掩模的宽度可为0.5m或更大,特别是1m或更大。掩模的厚度可为1cm或更小,其中掩模框架可比掩模厚。特别地,掩模的片可具有1mm或更小的厚度。
在一些实施例中,例如第一掩模11的掩模在由掩模载体10运载的同时被传送通过真空系统,例如在真空系统的两个或更多个真空腔室之间。例如,第一掩模11可进入真空系统的第一真空腔室,可固定于掩模载体10,并且运载第一掩模11的掩模载体10可在真空系统内被传送至第二真空腔室中,第二真空腔室例如沉积腔室。一个或多个另外的真空腔室(例如过渡腔室或路由腔室)可布置于第一真空腔室与第二真空腔室之间。在预定的沉积时间之后,已使用的第一掩模可通过掩模载体10被运载回到第一真空腔室,用于从掩模载体分离并且用于从真空系统卸载而例如用于清洁。
第一掩模11可在真空系统中的传送期间通过掩模载体10来运载。例如,可在真空系统中沿着传送路径传送保持第一掩模11的掩模载体10,例如从第一真空腔室传送至第二真空腔室。在一些实施例中,可沿着掩模轨道导引掩模载体10通过真空系统。例如,掩模载体10可包括被导引部,所述被导引部被配置为沿着掩模轨道而被导引。
在一些实施例中,通过掩模传送系统50非接触地传送掩模载体10,掩模传送系统50可为磁性悬浮系统。特别地,可提供磁性悬浮系统而使得掩模载体10的重量的至少一部分是通过磁性悬浮系统运载。可接着沿着掩模轨道基本上非接触地导引掩模载体10通过真空系统。可提供用于沿着掩模轨道移动掩模载体的驱动装置,所述驱动装置例如是线性马达。
在传送期间和/或在沉积期间,掩模载体10可以非水平定向(V)运载第一掩模11。例如,在传送期间和/或在沉积期间,可通过掩模载体10以基本上竖直的定向保持第一掩模11。
如在本文中所使用的装置的“非水平定向”可为装置的定向,在装置的所述定向中,装置的主表面与水平面之间的角度是20°或更大,特别是45°或更大,更特别是80°或更大。如在本文中所使用的装置的“基本上竖直的定向”可理解为装置的定向,在装置的所述定向中,装置的主表面与重力向量之间的角度是10°或更小。例如,当掩模或掩模载体设于基本上竖直的定向中时,掩模或掩模载体的主表面与重力向量之间的角度是10°或更小。在一些实施例中,掩模的定向可在传送期间和/或沉积期间不是(完全地)竖直的,而是相对于竖直轴略微地倾斜例如-1°与-5°之间的倾斜角。负角度表示掩模的定向,其中掩模向下倾斜。然而,在传送期间和/或沉积期间,掩模和掩模载体的完全竖直定向(+/-1°)是可行的。在图1A中描绘以基本上竖直的定向由掩模载体10运载的掩模。特别地,掩模载体10的主表面与重力向量包围10°或更小的角度。
特别地,在掩模传送期间,掩模载体10的掩模保持表面可基本上竖直地定向。以基本上竖直的定向保持大面积掩模具有挑战性,因为掩模可能由于掩模的重量而弯曲,或者在夹扣力(grip force)不足的情况中,掩模可能从掩模保持表面向下滑动。
如本文中所使用的掩模的基本上水平的定向表示掩模位置,在所述掩模位置中掩模的主表面设于基本上水平的定向中,也就是掩模的主表面与水平面之间的角度是10°或更小。在图1C中,掩模载体10和第一掩模11具有基本上水平的定向。
掩模载体10可包括吸附或夹持装置,用于吸附或夹持掩模于掩模载体10的保持表面。例如,掩模载体10可包括夹持件23,特别是多个夹持件,用于将掩模夹持于掩模载体。替代地或额外地,掩模载体10可包括磁性吸盘,用于将掩模吸附于掩模载体,例如电永磁体布置。掩模载体10一般包括具有开口的主体,其中掩模被定位以覆盖所述开口,使得蒸发的材料可在掩模由掩模载体运载的同时被导引通过掩模。
在图1A中的阶段(a)中,在真空环境中的真空系统中以非水平定向(特别是基本上竖直的定向)沿着传送路径T传送运载第一掩模11的掩模载体10。例如,在真空系统中的压力可为10mbar或更小,特别是1mbar或更小。传送路径T垂直于图1A的纸面延伸。
在可与本文所述其他实施例结合的一些实施例中,将运载第一掩模11的掩模载体10从第一真空腔室传送至第二真空腔室,第一真空腔室例如沉积腔室,所述沉积腔室容纳蒸气源,第二真空腔室例如掩模处理模块20。例如,第一真空腔室与第二真空腔室之间的距离可为若干米,例如5m、10m或更大。
第一掩模11可为已使用的掩模,要为了清洁的目的而从真空系统卸载。第一掩模11在由掩模载体10运载的同时被传送至第二真空腔室。在传送期间,掩模载体10和第一掩模11可以持续地设于非水平定向(V)中,特别是在基本上竖直的定向中,如图1A中所示。
掩模处理模块20可被配置为用于从掩模载体10分离和卸载第一掩模11并且/或者用于从真空系统卸载第一掩模11。特别地,第一掩模11可从掩模载体10分离,并且已分离的掩模可从真空系统卸载。因此,掩模载体10可维持在真空系统的内侧,而第一掩模11可在不带有掩模载体10的情况下从真空系统卸载。
可在真空系统中通过掩模传送系统50(特别是通过磁性悬浮系统)非接触地传送掩模载体10。磁性悬浮系统可包括多个主动可控制磁性轴承,被配置为在传送轨道51处非接触地保持掩模载体10。一个或多个距离传感器可测量传送轨道51与掩模载体10之间的间隙宽度,并且可根据所测量的距离控制一个或多个主动可控制磁性轴承的磁性悬浮力,以相对于传送轨道51将掩模载体维持于基本上恒定的距离处。
在一些实施例中,磁性悬浮系统可包括一个或多个侧稳定装置,被配置为在水平方向中稳定掩模载体10,水平方向垂直于传送路径T。所述一个或多个侧稳定装置可包括被动磁体,所述被动磁体布置于传送轨道51处,被动磁体例如永久磁体。被动磁体可与布置于掩模载体处的磁性配对物磁性地相互作用,使得掩模载体可在传送轨道51处非接触地稳定于预定水平位置处。
在一些实施例中,可提供驱动单元,所述驱动单元被配置为沿着传送路径T移动掩模载体10。驱动单元可包括线性马达。线性马达的定子可设于传送轨道处,例如在传送轨道的下区段52处。
如图1A中所示,掩模载体10可在靠近掩模处理模块20的掩模载体支撑件22的位置处停止。掩模载体支撑件22可被配置为用于支撑掩模载体10并且用于改变掩模载体10的定向。
如图1B中所示,掩模载体支撑件22的支撑区段21可以是朝向掩模载体10可移动的,以使掩模载体支撑件22接触掩模载体10。支撑区段21可以可选地被配置为用于将掩模载体10夹持于掩模载体支撑件22。在一些应用中,支撑区段21被配置为夹持板,用于机械地或磁性地将掩模载体10夹持于掩模载体支撑件22。在一些实施例中,支撑区段21可朝向掩模载体移动20mm或更多,特别是40mm或更多的距离。可通过启动磁性吸盘而将掩模载体10夹持至支撑区段21,磁性吸盘将掩模载体10吸引至掩模载体支撑件22。
在一些实施例中,支撑区段21可以是相对于掩模载体支撑件22的底部主体26朝向掩模传送系统50和远离掩模传送系统50可移动的。在将掩模载体10夹持于支撑区段21之后,可利用支撑区段21使掩模载体远离掩模传送系统50移动。特别地,可在基本上水平的方向中远离掩模传送系统50传递掩模载体10。
在图1C中所示的阶段(b)中,运载第一掩模11的掩模载体10的定向从非水平定向(V)改变为基本上水平的定向(H)。
特别地,掩模载体支撑件22(具有支撑在掩模载体支撑件22上的掩模载体10)的定向从非水平定向(V)改变为基本上水平的定向(H),如图1C中所示。例如,掩模载体支撑件22可以是绕着基本上水平的旋转轴A可旋转的,或者可以是相对于基本上水平的旋转轴A可绕枢轴旋转的。因此,掩模载体10与第一掩模11的定向一起从图1B中所示的基本上竖直的定向改变为图1C中所示的基本上水平的定向。
在可与本文所述其他实施例结合的一些实施例中,掩模载体支撑件22可被配置成具有支撑区段21的摆动台,所述支撑区段用于支撑掩模载体。摆动台(或“真空摆动模块”)可以是在第一位置与第二位置之间可移动的。在第一位置中,可以非水平定向将掩模载体支撑在摆动台的支撑区段上,并且在第二位置中,可以基本上水平的定向将掩模载体支撑在摆动台的支撑区段上。
根据本文所述的方法,第一掩模11的定向与掩模载体10的定向一起改变。特别地,第一掩模11在固定于掩模载体10时旋转。掩模和掩模载体可在由掩模载体支撑件22支撑时一起旋转。
改变图1C中的掩模载体10的定向可包括在掩模载体支撑件22上支撑运载第一掩模11的掩模载体10,和改变掩模载体支撑件22的定向,例如通过绕着基本上水平的轴A旋转掩模载体支撑件22。
在描绘于图1D中的阶段(c)中,在以基本上水平的定向(H)将掩模载体布置于掩模载体支撑件22上的同时,从掩模载体10卸载第一掩模11。
从掩模载体10卸载第一掩模11可包括例如通过释放夹持件23(夹持件23将第一掩模固定于掩模载体)从掩模载体10分开第一掩模11。替代地或额外地,通过释放例如磁性吸盘的吸附装置,第一掩模11可从掩模载体分开。
如图1D中所示,掩模载体10可包括夹持件23,特别是多个夹持件,所述夹持件将第一掩模保持于掩模载体处。从掩模载体10卸载第一掩模11可包括解开夹持件23,使得可从掩模载体10取出第一掩模11。
在可与本文所述其他实施例结合的一些实施例中,从掩模载体10卸载第一掩模11可进一步包括从掩模载体10提升第一掩模11,如图1D中示意性描绘的。例如,可提供多个升降杆而用于从掩模载体10提升第一掩模11。升降杆可以是相对于掩模载体支撑件22可移动的,以从掩模载体10提升第一掩模11,而掩模载体10可被支撑在掩模载体支撑件22的支撑区段21上。在从掩模载体10提升第一掩模11之后,真空机器人的掩模保持部32可插入第一掩模11与掩模载体10之间,并且掩模保持部32(具有被支撑与掩模保持部32上的第一掩模11)可远离掩模载体支撑件22移动。
在从掩模载体10卸载第一掩模11之后,第一掩模11可从真空系统卸载,例如通过将第一掩模11传递进入装载锁定腔室中,例如掩模隔板(mask shelf)的掩模保持件可布置于装载锁定腔室。可利用真空机器人将第一掩模11放置于掩模隔板的槽中。装载锁定腔室与真空系统之间的开口可关闭,装载锁定腔室可设定在大气压力,并且具有第一掩模11的掩模隔板可被从装载锁定腔室移除,例如利用例如是起重机(crane)的提升设备。
在阶段(a)中,在由掩模载体10以非水平定向运载的同时传送掩模通过真空系统可出于以下原因而是有利的:(1)在减少损坏掩模的风险的同时,可通过掩模载体传送掩模经过真空系统若干米或数十米的长距离。例如,掩模可经由多个另外的真空腔室传送于掩模处理模块与沉积腔室之间。在此传送期间,仅掩模载体可与掩模传送系统50相互作用。(2)由于掩模和掩模载体在传送期间的非水平定向,可节省空间并且可提供具有减小的占地面积的紧凑(compact)真空系统。
根据本文所述的实施例,一起改变掩模与掩模载体的定向,并且在以基本上水平的定向布置时从掩模载体卸载掩模可出于以下原因而是有利的:(1)在定向改变期间损坏掩模的风险可降低,因为第一掩模在定向改变期间由掩模载体保持和支撑。(2)在基本上水平地布置时从掩模载体分离掩模是特别简单并且抗故障的(failure-resistant),因为水平定向的掩模可被支撑在简单的水平布置的掩模保持部上,而没有任何掉落的风险。(3)在从掩模载体卸载之后,掩模可直接地插入掩模隔板的水平槽中。
根据本文所述的实施例,可有助于掩模处理,并且可提供掩模的快速而简单的定向改变。再者,掩模可在具有降低的损坏掩模风险的情况下从掩模载体分离并且从真空系统卸载。因此,在真空系统中的掩模运输可加速,并且真空系统的产量可增加。
在从掩模载体10卸载第一掩模11之后,第二掩模12可装载至掩模载体10上。第二掩模12可为待使用的清洁的掩模,以在沉积腔室中将蒸发的材料沉积于基板上。
图2A至图2D示意性地示出根据本文所述实施例的处理掩模的方法的连续阶段(d)、(e)和(f)。阶段(d)、(e)和(f)可在图1A至图1D中描绘的阶段(a)、(b)和(c)之后执行。特别地,在阶段(a)、(b)和(c)中从掩模载体10卸载第一掩模11之后,可将第二掩模12于掩模载体10上,并且可通过掩模载体10在真空系统中沿着传送路径运载第二掩模12。然而,本公开内容系不限于(a)、(b)、(c)、(d)、(e)、(f)的顺序。例如,在一些实施例中,仅接连地执行阶段(d)、(e)和(f)以将掩模装载至掩模载体上、改变掩模连同掩模载体的方向和在真空系统中沿着传送路径传送掩模载体。
如图2A中示意性描绘的,根据本文所述的实施例的掩模处理的方法包括,在阶段(d)中,在真空系统中将第二掩模12装载至以基本上水平的定向(H)布置的掩模载体10上。掩模载体10可被支撑在掩模载体支撑件22上,掩模载体支撑件22设于基本上水平的定向中。
在将第二掩模12装载至掩模载体10上之后或期间,例如通过可选地检测相对于掩模载体10的第二掩模12的位置和校正第二掩模12与掩模载体10之间的相对位置,第二掩模12可以可选地相对于掩模载体10对准,直到第二掩模12正确地定位于掩模载体10上。与具有非水平或竖直定向的掩模的对准相比,对准以基本上水平的定向提供的掩模可更简单并且更准确。
装载第二掩模12于掩模载体10上可以可选地包括例如利用夹持件23或利用另一吸附装置(例如磁性吸盘),将第二掩模12附接至掩模载体10。图2B示意性地示出正被装载至掩模载体10上并且附接至掩模载体10的第二掩模12,在掩模载体支撑件22的支撑区段21上水平地支撑掩模载体10。
根据本文所述实施例的方法进一步包括,在阶段(e)中,将运载第二掩模12的掩模载体10的定向从基本上水平的定向(H)改变为非水平定向(V),特别是到基本上竖直的定向,如图2C中示意性描绘的。例如,掩模载体支撑件22(具有被支撑在掩模载体支撑件22上的掩模载体10)可旋转45°或更大并且135°或更小的角度,特别是约90°的角度,直到掩模载体10布置于图2C中所示的基本上竖直的定向中。特别地,掩模载体的定向改变可包括旋转80°或更大并且90°或更小的角度。更特别地,掩模载体可在阶段(b)中向下旋转约-87°,并且可在阶段(e)中向上旋转约+87°。
特别地,可提供例如是马达的致动器而用于改变掩模载体支撑件22的定向,特别是在基本上水平的定向(H)与非水平定向(V)之间,非水平定向例如是基本上竖直的定向。
如图2C中示意性描绘的,掩模载体10可与附接至掩模载体10的第二掩模12一起旋转。通过旋转第二掩模12连同掩模载体,可降低损坏第二掩模12的风险。
根据本文所述实施例的方法进一步包括,在阶段(f)中,在真空系统中以非水平定向(V)沿着传送路径(T)传送运载第二掩模12的掩模载体10。传送路径(T)可垂直于图2D的纸面延伸。例如,第二掩模12可通过掩模载体10被运载至沉积腔室中,可在沉积腔室使用第二掩模12以经由第二掩模将蒸发的材料沉积于基板上。
在一些实施例中,传送掩模载体10包括利用掩模传送系统50沿着传送轨道51非接触地传送掩模载体10,特别是利用磁性悬浮系统。参考以上说明,而不于此重复。
图3A至图3G图是根据本文所述实施例的处理掩模的方法的阶段的示意图。更特别地,通过掩模载体10运载的第一掩模11从掩模载体卸载(见图3A至图3D),并且第二掩模12后续地装载至掩模载体10上(见图3E至图3G)。第一掩模11可为已使用的掩模,要从真空系统卸载而例如用于被清洁,第二掩模12可为清洁的掩模,要被传送至真空系统的沉积腔室中,用于在蒸发工艺中使用。
图3A是被配置为从掩模载体10分离第一掩模11并且将第二掩模12连接至掩模载体10的掩模处理模块20的示意图。掩模处理模块20包括掩模载体支撑件22,掩模载体支撑件22被配置为支撑掩模载体10。在一些实施例中,掩模载体支撑件22是在描绘于图3A中的基本上水平的定向(H)与非水平定向(V)之间可移动的,非水平定向(V)例如描绘于图1A中的基本上竖直的定向。特别地,可提供致动器而用于在非水平定向与基本上水平的定向之间改变掩模载体支撑件22的定向。
如图3A中所示,掩模载体10可在基本上水平的定向(H)中被支撑在掩模载体支撑件22上。例如,例如在定向改变为基本上水平的定向之后,掩模载体10可定位于掩模载体支撑件的一个或多个支撑区段21的顶部上。例如经由夹持件23,特别是经由多个夹持件,第一掩模11可固定于掩模载体10。
在可与本文所述其他实施例结合的一些实施例中,从掩模载体10卸载第一掩模11可包括例如通过释放夹持件23,特别是通过释放多个夹持件,从掩模载体10分离第一掩模11。例如,夹持升降杆29可向上移动,以释放夹持件。图3B示出在从掩模载体分离第一掩模11之后的掩模载体10。
接着,第一掩模11可从掩模载体10提升,例如利用多个升降杆24,升降杆24是在基本上竖直的方向中相对于掩模载体支撑件22的支撑区段21可移动的。例如,第一掩模11可从掩模载体10提升100mm或更多并且/或者200mm或更少的距离。
在一些实施例中,从掩模载体10卸载第一掩模11可进一步包括将真空机器人的掩模保持部32插入于提升的第一掩模与掩模载体之间。特别地,在第一掩模11已经从掩模载体提升50mm或更多,特别是100mm或更多的距离后,掩模保持部32可插入掩模载体10与第一掩模11之间的间隙中。图3C示出插入真空机器人的掩模保持部32之后的掩模处理模块。掩模保持部32可为真空机器人的可移动机械手,例如包括板区段,所述板区段用于在板区段上支撑掩模。
于是,掩模保持部32(具有被支撑在掩模保持部32上的第一掩模11)可例如在竖直方向和/或水平方向中远离掩模载体10移动,如图3D中示意性描绘的。特别地,掩模保持部32可将第一掩模11传递至掩模保持件中,掩模保持件可布置于装载锁定腔室中。装载锁定腔室可相邻于掩模处理模块布置,使得真空机器人可与掩模保持部32一起移动出去而通过第一开口进入装载腔室中并且将第一掩模11放置到掩模保持件中,例如放置到掩模隔板的槽中。特别地,真空机器人可将第一掩模11放置到掩模隔板的水平槽中,掩模隔板布置于装载锁定腔室中。掩模隔板可具有多个槽,例如五个、十个或更多个槽。
第一掩模11可从真空系统经由装载锁定腔室卸载,例如通过关闭真空系统与装载锁定腔室之间的第一开口,将装载锁定腔室设定于大气压力下,和例如利用提升装置从装载锁定腔室通过第二开口移除掩模隔板。
在从掩模载体10卸载第一掩模11之后,第二掩模12可装载至掩模载体上,如图3E中示意性描绘的。
将第二掩模12装载至掩模载体10上可包括利用真空机器人的掩模保持部或利用真空机器人的第二掩模保持部33来移动第二掩模12至掩模载体10顶部上的位置。例如,在掩模载体支撑件22支撑掩模载体的同时,可通过真空机器人将第二掩模12从提供于装载锁定腔室中的掩模隔板传递至掩模载体10顶部上的位置。
在可与本文所述其他实施例结合的一些实施例中,掩模处理模块20可包括真空机器人,所述真空机器人具有一个、两个或更多个可单独移动的机械手。每个机械手可包括掩模保持部,所述掩模保持部被配置为抓取(grab)掩模和在掩模载体支撑件22与一个或多个掩模保持件(例如掩模隔板)之间传递掩模。在一些实施例中,真空机器人可提供而具有至少两个可单独移动的掩模保持部。因此,在通过第一掩模保持部从掩模载体卸载第一掩模的同时,第二掩模可由第二掩模保持部抓取。因此,可加速掩模更换。机械手可以是在至少两个方向中可移动的,例如竖直和水平可移动。例如,机械手可以是向上和向下可移动的,并且/或者可相对于中央机器人主体朝向和/从掩模载体支撑件为可伸展和可收回的。
在一些实施例中,真空机器人相邻于掩模载体支撑件定位,并且包括两个或更多个机械手,所述两个或更多个机械手是绕着轴可旋转的并且包括相应的掩模保持部,所述掩模保持部在竖直和/或水平方向中是可移动的。
如图3E中示意性描绘的,通过降低真空机器人的第二掩模保持部33,直到第二掩模12接触升降杆24并且升降杆24支撑第二掩模12,第二掩模12可定位于升降杆24上。升降杆24可保持第二掩模12于掩模载体10上方的某个距离处。接着,升降杆可降低,直到第二掩模12放置于掩模载体10上。
在可与本文所述其他实施例结合的一些实施例中,将第二掩模12装载至掩模载体10上可进一步包括例如利用光学对准系统相对于掩模载体10对准第二掩模12,光学对准系统被配置为在两个横向(transverse)水平方向中相对于掩模载体10对准第二掩模12。在图3F中示意性描绘第二掩模12相对于掩模载体的对准。
在第二掩模12的对准之后,第二掩模12可特别是利用夹持件23或利用磁性吸盘来附接至掩模载体10,如图3G中示意性描绘的。
在将第二掩模12装载至掩模载体10上之后,掩模载体支撑件22的定向可从图3G中所示的基本上水平的定向(H)改变为图2C中所示的非水平定向。于是,运载第二掩模12的掩模载体10可在真空系统中以非水平定向例如朝向沉积腔室传送。
根据本文所述的另一方面,提供真空系统100。真空系统包括多个沉积腔室101,其中每个沉积腔室容纳沉积源,例如是蒸气源105。
然而,本公开内容不限于具有蒸气源的真空系统。例如,可设置化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)系统、物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)系统(例如溅射系统)或蒸发系统。
真空系统100可为真空沉积系统,被配置为用层堆叠结构(layer stack)涂布基板(例如薄玻璃基板),例如用于显示器应用。基板可附接至真空系统中的基板载体,并且基板载体可通过基板传送系统被传送通过真空系统。基板载体可接连地通过基板传送系统被传送至多个沉积腔室中,以将不同材料的堆叠结构沉积于基板上。在基板定位于以预定速度移动经过基板的蒸气源的前方的同时,基板的主表面可于沉积腔室中被涂布而具有薄涂布层。或者,基板可在沉积期间以预定速度传送经过涂布装置。
基板可为非柔性基板,例如晶片、例如是蓝宝石或类似物的透明晶体的片、玻璃基板或陶瓷板。然而,本公开内容不限于此,并且术语基板也可包含柔性基板,例如是卷材(web)或箔,箔例如金属箔或塑料箔。
在一些实施例中,基板可为大面积基板。大面积基板可具有1m2或更大的表面积。特别地,大面积基板可使用于显示器制造,并且可为玻璃或塑料基板。例如,本文所述的基板应包含一般使用于液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、等离子体显示器(Plasma Display Panel,PDP)和类似物的基板。在一些实施例中,大面积基板可为第4.5代、第5代或更大,第4.5代对应于约0.67m2的基板(0.73m×0.92m),第5代对应于约1.4m2的基板(1.1m×1.3m)。大面积基板可进一步为第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代,第7.5代对应于约4.29m2的基板(1.95m×2.2m)、第8.5代对应于约5.7m2的基板(2.2m×2.5m)、第10代对应于约8.7m2的基板(2.85m×3.05m)。甚至例如是第11代和第12代的更高代和对应的基板面积可以类似的方式应用。在一些应用中,具有小至数cm2(例如2cm×4cm)的表面积和/或各种个别的形状的较小尺寸基板的阵列可定位于单个基板支撑件上。在一些实施例中,掩模可大于基板,以在沉积期间提供对基板的完全覆盖。
在一些应用中,垂直于基板的主表面的方向中的基板的厚度可为1mm或更小,例如从0.1mm至1mm,特别是从0.3mm至0.6mm,例如0.5mm。甚至更薄的基板也是可行的。
真空系统100进一步包括掩模处理模块20,被配置为在真空下连接和分开掩模与掩模载体。掩模处理模块20进一步被配置为在基本上水平的定向(H)与非水平定向(V)之间改变掩模的定向,非水平定向(V)特别是基本上竖直的定向。
在一些实施例中,掩模处理模块20被配置为改变掩模载体连同附接至掩模载体的相应掩模的定向,如图1A至1D图中所示。在其他实施例中,掩模处理模块20被配置为从掩模载体分离掩模,并且改变已分离的掩模的定向。特别地,掩模处理模块可被配置为在基本上水平的定向与基本上竖直的定向之间旋转不带有掩模载体的掩模。
真空系统100进一步包括掩模传送系统,掩模传送系统被配置为而在掩模处理模块20与多个沉积腔室101之间以非水平定向传送运载掩模的掩模载体。例如,待使用的掩模可通过掩模处理模块20固定于相应的掩模载体,并且可通过掩模传送系统被传送至相应的沉积腔室,而待从真空系统卸载的已使用的掩模可从相应的沉积腔室传送回到掩模处理模块,以从相应的掩模载体分离并且从真空系统卸载。
图4是根据本文所述的实施例的真空系统100的示意图。
真空系统100包括多个沉积腔室101,特别是四个或更多个沉积腔室,更特别是六个或更多个沉积腔室,或甚至是十个或更多个沉积腔室。被配置为通过蒸发而将蒸发的材料沉积于基板上的蒸气源105可布置于沉积腔室101中的每个沉积腔室中。
蒸气源105可包括蒸发坩锅和分布管,蒸发坩锅被配置为蒸发材料,分布管具有多个开口,用于导引蒸发材料的朝向基板,基板布置于沉积腔室的沉积区域中。分布管可在基本上竖直的方向中延伸。在一些实施例中,分布管被可旋转地安装。例如,分布管可以是在沉积腔室的第一沉积区域与所述沉积腔室的第二沉积区域之间可旋转的,其中第一沉积区域和第二沉积区域可布置在蒸气源105的相反侧上。因此,在将蒸发的材料沉积于布置在第一沉积区域中的第一基板上之后,分布管可旋转约180°的角度以将蒸发的材料沉积于布置在沉积腔室的第二沉积区域中的第二基板上。
在图4中,示例性地在蒸气源105的相反侧上的沉积腔室102的两个沉积区域中描绘两个基板15。为了简化起见,没有在图4中描绘其余的基板。
在一些实施例中,在沉积期间,蒸气源105特别是沿着线性源路径可移动经过基板。特别地,蒸气源105可以是绕着轴可旋转的,并且可以是沿着线性源路径经过基板可移动的。
图4的真空系统100进一步包括掩模处理模块20,被配置为将掩模连接至掩模载体和从掩模载体分开掩模。特别地,已使用的掩模一般通过掩模处理模块从相应的掩模载体分开,以从真空系统卸载已使用的掩模,同时掩模载体能够保留在真空系统中。待使用的掩模一般通过掩模处理模块连接至相应的掩模载体,以从掩模处理模块传送待使用的掩模至相应的沉积腔室中。
掩模处理模块20可被配置为在基本上水平的定向与非水平定向之间改变掩模的定向,特别是改变掩模连同运载掩模的掩模载体的定向。
特别地,掩模处理模块20可包括掩模载体支撑件22,掩模载体支撑件22被配置为支撑掩模载体10和在基本上水平的定向与基本上竖直的定向之间改变掩模载体的定向。例如,可提供致动器以在非水平定向(V)与基本上水平的定向(H)之间改变掩模载体支撑件22的定向。
在一些实施例中,掩模处理模块20可进一步包括真空机器人30。真空机器人可被配置为从由掩模载体支撑件支撑的掩模载体卸载第一掩模11。真空机器人可进一步被配置为装载第二掩模12于由掩模载体支撑件支撑的掩模载体上。
更特别地,真空机器人30可相邻于掩模载体支撑件22布置,并且可包括至少一个可移动掩模保持部,所述掩模保持部被配置为从由掩模载体支撑件以基本上水平的定向支撑的掩模载体抓取掩模。再者,所述至少一个可移动掩模保持部可被配置为移动掩模载体(所述掩模载体被支撑在掩模载体支撑件上)的顶部上的掩模和将掩模装载至掩模载体上。
特别地,真空机器人30可包括多个可移动机械手,每个机械手包括掩模保持部。描绘于图4中的真空机器人30包括三个可移动机械手,其中第一个可移动的机械手的第一掩模保持部可从掩模载体卸载第一掩模11,第二个可移动的机械手的第二掩模保持部可同时从掩模隔板取出第二掩模12。在通过第一个机械手从掩模载体卸载第一掩模11之后,第二个机器手臂可将第二掩模12装载至掩模载体上。可提供快速并且节省时间的掩模更换。
真空机器人30可相邻于在真空系统的真空腔室中的掩模载体支撑件22设置,并且一个、两个或更多个装载锁定腔室108可相邻于真空腔室布置。掩模保持件(例如掩模隔板109)可设置于装载锁定腔室108中。真空机器人30可被配置为在一个、两个或更多个装载锁定腔室108与掩模载体支撑件22之间传递掩模。
如图4中示意性描绘的,真空系统可包括一个单个的掩模处理模块20,用于处理将被分配至多个沉积腔室101中的掩模,多个沉积腔室特别是四个、六个、八个、十个或更多个沉积腔室。掩模处理模块20可根据本文所述的任何实施例配置,并且适用于快速并且有效率的掩模处理。因此,掩模可利用掩模处理模块20非常快速地连接至掩模载体和从掩模载体拆开,使得一个单个的掩模载体模块足以用于处理要在多个沉积腔室101中利用的掩模。
在可与本文所述其他实施例结合的一些实施例中,多个沉积腔室101包括四个、八个、十个或更多个沉积腔室,并且真空系统100包括一个单个的掩模处理模块20,用于连接待传送至四个、八个、十个或更多个沉积腔室的掩模与掩模载体,并且/或者用于在预定使用时间之后从掩模载体拆开这些掩模。
在可与本文所述其他实施例结合的一些实施例中,真空系统100包括主传送路径5,主传送路径5具有传送轨道,用于沿着主传送路径5传送掩模载体和基板载体,掩模处理模块20连接至主传送路径5的第一区段,基板处理模块115被配置为连接和分离基板与基板载体,基板处理模块115连接至主传送路径5的第二区段,并且多个沉积腔室101连接至主传送路径5的第三区段。主传送路径5可在基本上线性的方向中延伸,第一区段可为主传送路径5的第一端区段,并且第二区段可为主传送路径5的第二端区段。第三区段可部分地或全部地设置于第一区段与第二区段之间。
在一些实施例中,真空系统100可包括一个或多个掩模保持件,特别是掩模隔板109,用于容纳要从真空系统卸载和装载至真空系统中的掩模。一个或多个掩模保持件可设置于一个或多个装载锁定腔室108中,装载锁定腔室108相邻于掩模处理模块20定位。掩模隔板可设置而具有多个水平延伸的槽,用于容纳相应的掩模。特别地,掩模隔板可配置成掩模匣(cassette),可利用提升装置从真空系统卸载掩模匣并且在大气压力下将掩模匣传送至清洁或维护站,用于清洁或维修掩模。
图5是图示根据本文所述实施例的处理掩模的方法的流程图。
在方框510中,以基本上水平的定向将掩模装载至真空系统中。例如,水平布置于掩模隔板的多个槽中的掩模被放置于装载锁定腔室中。掩模处理模块的真空机器人可分别从相应的槽取出掩模,并且将掩模放置在支撑在掩模载体支撑件上的掩模载体上。
在方框520中,利用掩模处理模块将掩模连接至掩模载体。在将掩模连接至掩模载体之后,可将掩模的定向从基本上水平的定向改变为非水平定向,特别是基本上竖直的定向。或者,在将掩模连接至掩模载体之前,可将掩模的定向从基本上水平的定向改变为非水平定向。
在方框530中,以非水平定向将运载掩模的掩模载体从掩模处理模块传送至多个沉积腔室中。例如,每个掩模被传送至预定的沉积腔室,在所述预定的沉积腔室,掩模将在由掩模载体保持时被用于基板上带掩模的沉积。特别地,掩模可从一个单个掩模处理模块分布至多个沉积腔室,所述一个单个掩模处理模块可被配置为用于组装和拆卸掩模与掩模载体和用于改变掩模定向。
在方框540中,蒸发的材料在多个沉积腔室中经由掩模沉积于多个基板上。
根据本文所述的实施例,掩模和掩模载体在真空下于水平定向中匹配,并且运载掩模的掩模载体通过摆动台绕枢轴旋转而提供于基本上竖直的定向中。运载掩模的掩模载体以基本上竖直的定向在真空系统中被传送至沉积腔室。在一些实施例中,掩模载体通过磁性悬浮系统非接触地传送。
根据本文所述的实施例,掩模在由掩模载体以基本上竖直的定向(+/-10°)运载时在真空系统中传送。此掩模载体概念使得能够使用利用掩模替换模块的一个单个掩模更换区域,掩模更换模块适用于连接和分离在真空系统中使用的掩模与掩模载体。特别地,在真空系统中使用的掩模可经由一个单个掩模更换区域装载至真空系统中和从真空系统卸载,单个掩模更换区域可以可选地提供于真空系统的第一端区段。在一些实施例中,在真空系统中涂布的基板可经由一个单个基板更换区域装载至真空系统中和从真空系统卸载,所述单个基板更换区域可以可选地提供于真空系统的第二端区段,第二端区段相反于第一端区段。
特别地,真空系统可包括多个沉积腔室,相对于基本上线性延伸的主传送路径横向地提供,其中掩模处理区域可布置于主传送路径的第一端区段。因此,待在真空系统中使用的清洁的掩模(仅)于沿着主传送路径的一个方向中传送,也就是从掩模处理区域朝向沉积腔室。要从真空系统卸载的已使用的掩模(仅)于沿着主传送路径的相反方向中传送,也就是从沉积腔室朝向掩模处理区域。系统中的掩模运输可简化。
虽然前述内容针对本公开内容的实施例,在不脱离本公开内容的范围的情况下,可设计其他和进一步的实施例,并且本公开内容的范围由所附的权利要求书确定。

Claims (19)

1.一种在真空系统中处理掩模的方法,包括:
a)在所述真空系统中沿着传送路径以非水平定向传送运载第一掩模(11)的掩模载体(10);
b)将运载所述第一掩模(11)的所述掩模载体(10)的定向从所述非水平定向改变为基本上的水平定向;和
c)在所述真空系统中从以所述基本上水平的定向布置的所述掩模载体(10)卸载所述第一掩模(11),
其中改变所述定向包括将运载所述第一掩模(11)的所述掩模载体(10)夹持于掩模载体支撑件(22)的支撑区段(21),和旋转所述掩模载体支撑件(22)。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述非水平定向是基本上竖直的定向。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述掩模载体(10)从沉积腔室传送至掩模处理模块(20),所述沉积腔室容纳蒸气源(105),所述掩模处理模块(20)包括掩模载体支撑件(22),所述掩模载体支撑件(22)在所述非水平定向与所述基本上水平的定向之间是可移动的。
4.如权利要求1所述的方法,其中传送所述掩模载体(10)包括利用掩模传送系统(50)非接触地传送所述掩模载体(10),所述掩模传送系统(50)包括磁性悬浮系统。
5.如权利要求1所述的方法,其中卸载包括从所述掩模载体(10)分离所述第一掩模(11)。
6.如权利要求5所述的方法,其中通过释放夹持件(23)或磁性吸盘来从所述掩模载体(10)分离所述第一掩模(11)。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法,其中卸载包括:
从被支撑在掩模载体支撑件(22)上的所述掩模载体(10)提升所述第一掩模(11);
将真空机器人(30)的掩模保持部(32)插入在所述第一掩模(11)与所述掩模载体(10)之间;和
移动所述掩模保持部(32)远离所述掩模载体支撑件(22),所述掩模保持部(32)具有被支撑在所述掩模保持部(32)上的所述第一掩模(11)。
8.如权利要求7所述的方法,其中利用多个升降杆(24)提升所述第一掩模(11),所述多个升降杆(24)是相对于所述掩模载体支撑件(22)可移动的。
9.如权利要求1至6中任一项所述的方法,进一步包括在所述卸载之后:
利用真空机器人(30)移动所述第一掩模(11)至掩模隔板(109)中,所述掩模隔板(109)布置于装载锁定腔室(108)中。
10.如权利要求1至6中任一项所述的方法,进一步包括:
d)将第二掩模(12)装载至掩模载体(10)上,所述掩模载体(10)在所述真空系统中以基本上水平的定向(H)布置;
e)将运载所述第二掩模(12)的所述掩模载体(10)的所述定向从所述基本上水平的定向改变为非水平定向;和
f)在所述真空系统中沿着传送路径以所述非水平定向传送运载所述第二掩模(12)的所述掩模载体(10)。
11.如权利要求10所述的方法,进一步包括在改变所述定向之前:
相对于所述掩模载体(10)对准所述第二掩模(12);和
将所述第二掩模(12)附接至所述掩模载体(10)。
12.如权利要求11所述的方法,其中利用夹持件(23)或磁性吸盘将所述第二掩模(12)附接至所述掩模载体(10)。
13.一种真空系统(100),包括:
多个沉积腔室(101),分别容纳蒸气源(105);
掩模处理模块(20),被配置为在真空下连接和分离掩模与掩模载体,和在基本上水平的定向与非水平定向之间改变所述掩模的定向;和
掩模传送系统(50),被配置为在所述掩模处理模块(20)与所述多个沉积腔室(101)之间以所述非水平定向传送运载所述掩模的所述掩模载体,其中所述掩模处理模块(20)包括掩模载体支撑件(22),所述掩模载体支撑件(22)包括支撑区段(21),所述支撑区段(21)被配置为将所述掩模载体(10)夹持于所述掩模载体支撑件(22)。
14.如权利要求13所述的真空系统,其中所述掩模处理模块(20)进一步包括:
致动器,被配置为在所述非水平定向与所述基本上水平的定向之间改变所述掩模载体支撑件(22)的定向;和
真空机器人(30),具有至少一个掩模保持部(32),用于以下至少一项:
-从由所述掩模载体支撑件(22)支撑的所述掩模载体卸载第一掩模(11),和
-将第二掩模(12)装载至由所述掩模载体支撑件(22)支撑的所述掩模载体上。
15.如权利要求13或14所述的真空系统,其中所述多个沉积腔室(101)包括四个、八个、十个或更多个沉积腔室,并且其中所述真空系统(100)包括一个单个的掩模处理模块(20),用于连接要被传送至所述四个、八个、十个或更多个沉积腔室的掩模和掩模载体。
16.如权利要求13或14所述的真空系统,包括主传送路径(5),所述主传送路径(5)具有传送轨道,所述传送轨道用于沿着所述主传送路径(5)传送掩模载体和基板载体,所述掩模处理模块(20)连接至所述主传送路径(5)的第一区段,基板处理模块(115)被配置为连接和分离基板与基板载体,所述基板处理模块(115)连接至所述主传送路径(5)的第二区段,并且所述多个沉积腔室(101)连接至所述主传送路径(5)的第三区段。
17.一种在真空系统(100)中处理掩模的方法,包括:
以基本上水平的定向将掩模装载至所述真空系统(100)中;
将所述掩模的定向从所述基本上水平的定向改变为非水平定向,并且利用掩模处理模块(20)将所述掩模连接至掩模载体,其中所述掩模处理模块(20)包括掩模载体支撑件(22),所述掩模载体支撑件(22)包括支撑区段(21),所述支撑区段(21)被配置为将所述掩模载体夹持于所述掩模载体支撑件;
以非水平定向将运载所述掩模的所述掩模载体从所述掩模处理模块(20)传送至多个沉积腔室(101);和
在所述多个沉积腔室(101)中经由所述掩模在多个基板上沉积蒸发的材料。
18.一种在真空系统中掩模处理的方法,包括:
a)在掩模载体支撑件(22)的支撑区段(21)上支撑掩模载体(10),并且将掩模装载在所述掩模载体(10)上,所述掩模载体(10)以基本上水平的定向(H)布置在所述真空系统中;
b)将运载所述掩模的所述掩模载体(10)的所述定向从所述基本上水平的定向改变为非水平定向;和
c)在所述真空系统中沿着传送路径以所述非水平定向传送运载所述掩模的所述掩模载体(10)。
19.如权利要求18所述的方法,进一步包括在改变所述定向之前:
相对于所述掩模载体(10)对准所述掩模;和
将所述掩模附接至所述掩模载体(10)。
CN201880093518.0A 2018-05-29 2018-05-29 在真空系统中处理掩模的方法、和真空系统 Active CN112204164B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2018/064056 WO2019228611A1 (en) 2018-05-29 2018-05-29 Methods of handling masks in a vacuum system, and vacuum system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112204164A CN112204164A (zh) 2021-01-08
CN112204164B true CN112204164B (zh) 2022-10-04

Family

ID=62620822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880093518.0A Active CN112204164B (zh) 2018-05-29 2018-05-29 在真空系统中处理掩模的方法、和真空系统

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR102444830B1 (zh)
CN (1) CN112204164B (zh)
TW (1) TW202012657A (zh)
WO (1) WO2019228611A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024003604A1 (en) * 2022-07-01 2024-01-04 Applied Materials, Inc. Mask module, substrate carrier, substrate processing system, and method of processing a substrate

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101635253A (zh) * 2008-06-14 2010-01-27 因特维克有限公司 利用可拆除掩模处理基板的系统和方法
CN102586726A (zh) * 2011-01-11 2012-07-18 三星移动显示器株式会社 用于薄膜沉积的掩模框架组件
CN105917019A (zh) * 2014-02-04 2016-08-31 应用材料公司 用于有机材料的蒸发源、具有用于有机材料的蒸发源的设备、具有带有用于有机材料的蒸发源的蒸发沉积设备的系统以及用于操作用于有机材料的蒸发源的方法
CN106165081A (zh) * 2014-04-02 2016-11-23 应用材料公司 基板处理系统、用于基板处理系统的真空旋转模块以及用于操作基板处理系统的方法
CN106460164A (zh) * 2014-02-20 2017-02-22 因特瓦克公司 用于衬底的双面处理的系统及方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4098283B2 (ja) * 2004-07-30 2008-06-11 株式会社アルバック スパッタリング装置
JP4331707B2 (ja) * 2004-12-16 2009-09-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 整列システム、垂直型トレイ移送装置及びこれを具備した蒸着装置
WO2010055876A1 (ja) * 2008-11-14 2010-05-20 株式会社アルバック 有機薄膜蒸着装置、有機el素子製造装置、及び有機薄膜蒸着方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101635253A (zh) * 2008-06-14 2010-01-27 因特维克有限公司 利用可拆除掩模处理基板的系统和方法
CN102586726A (zh) * 2011-01-11 2012-07-18 三星移动显示器株式会社 用于薄膜沉积的掩模框架组件
CN105917019A (zh) * 2014-02-04 2016-08-31 应用材料公司 用于有机材料的蒸发源、具有用于有机材料的蒸发源的设备、具有带有用于有机材料的蒸发源的蒸发沉积设备的系统以及用于操作用于有机材料的蒸发源的方法
CN107201501A (zh) * 2014-02-04 2017-09-26 应用材料公司 在由载具支撑的基板上沉积一层或多层的系统及方法
CN106460164A (zh) * 2014-02-20 2017-02-22 因特瓦克公司 用于衬底的双面处理的系统及方法
CN106165081A (zh) * 2014-04-02 2016-11-23 应用材料公司 基板处理系统、用于基板处理系统的真空旋转模块以及用于操作基板处理系统的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102444830B1 (ko) 2022-09-16
TW202012657A (zh) 2020-04-01
CN112204164A (zh) 2021-01-08
KR20200138387A (ko) 2020-12-09
WO2019228611A1 (en) 2019-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108966676B (zh) 在真空系统处理掩模装置的方法、掩模处理组件和用于在基板上沉积材料的真空系统
CN108966657B (zh) 载体、真空系统和操作真空系统的方法
KR101708420B1 (ko) 기판 증착 시스템 및 이를 이용한 증착 방법
KR102072872B1 (ko) 진공 처리용 시스템 아키텍처
KR101488668B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
TW201840033A (zh) 真空系統及用以沈積數個材料於一基板上之方法
CN113519046A (zh) 掩模框架集成、用于掩模框架的载体和用于处理掩模的方法
TW201921760A (zh) 處理一遮罩裝置之方法、用以交換一遮罩裝置之設備、遮罩交換腔室、及真空系統
CN112204164B (zh) 在真空系统中处理掩模的方法、和真空系统
WO2019091574A1 (en) Method of aligning a carrier, apparatus for aligning a carrier, and vacuum system
KR102553751B1 (ko) 인-라인 기판 프로세싱 시스템을 위한 마스크 핸들링 모듈 및 마스크 이송을 위한 방법
WO2018197009A1 (en) Vacuum system and method of depositing one or more materials on a substrate
WO2023093992A1 (en) Carrier transport system, vacuum deposition system, and method of carrier transport
WO2022090778A1 (en) Vacuum tilting table and vacuum tilting table module for a substrate processing system and method for substrate loading and unloading in a vacuum processing system

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant