CN116641025A - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116641025A
CN116641025A CN202310126777.1A CN202310126777A CN116641025A CN 116641025 A CN116641025 A CN 116641025A CN 202310126777 A CN202310126777 A CN 202310126777A CN 116641025 A CN116641025 A CN 116641025A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film forming
substrate
source
shutter
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310126777.1A
Other languages
English (en)
Inventor
菅原由季
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Tokki Corp filed Critical Canon Tokki Corp
Publication of CN116641025A publication Critical patent/CN116641025A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种成膜装置，提供一种防止附着于挡板的成膜材料落下的技术。本发明的成膜装置具备：第一移动部件，所述第一移动部件使向基板放出成膜材料的成膜源和基板中的至少任一个沿规定的方向移动；以及第二移动部件，所述第二移动部件进行控制，以使挡板在对成膜材料从成膜源向基板的入射进行限制的第一位置与不对成膜材料从成膜源向基板的入射进行限制的一个位置之间移动，第二移动部件进行控制，以便在从基板观察时成膜源及挡板在规定的方向上位于相同的方向且基板不位于成膜源的放出方向的情况下，使位于成膜源的放出方向的挡板向规定的方向及与该规定的方向相反的方向移动。

Description

成膜装置
技术领域
本发明涉及使成膜源移动并在基板上对成膜材料进行成膜的成膜装置。
背景技术
作为有机EL显示器等的制造设备，已知有向成膜室输送基板并对基板进行成膜的装置。在专利文献1中记载了使蒸发源移动并进行成膜材料的放出的扫描成膜型的成膜装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2016-196684号公报
发明内容
发明要解决的课题
在此，从蒸发源放出的成膜材料会附着于用于对成膜材料的路径进行开闭的挡板。另外，在附着于挡板的成膜材料的厚度变大时，成膜材料有时会落下并附着于喷嘴。在这样的情况下，在基板上对成膜材料进行成膜所需的时间会发生变化或无法进行均匀的成膜等成膜处理的质量下降成为了问题。
鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种防止附着于挡板的成膜材料落下的技术。
用于解决课题的手段
根据本发明，提供一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：
第一移动部件，所述第一移动部件使向基板放出成膜材料的成膜源和所述基板中的至少任一个沿规定的方向移动；以及
第二移动部件，所述第二移动部件进行控制，以使挡板在对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第一位置与不对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的一个位置之间移动，
所述第二移动部件进行控制，以便在从所述基板观察时所述成膜源及所述挡板在所述规定的方向上位于相同的方向且所述基板不位于所述成膜源的放出方向的情况下，使位于所述成膜源的所述放出方向的所述挡板向所述规定的方向及与该规定的方向相反的方向移动。
另外，根据本发明的另一侧面，提供一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：
第一移动部件，所述第一移动部件使向基板放出成膜材料的成膜源和所述基板中的至少任一个沿规定的方向移动；以及
第二移动部件，所述第二移动部件进行控制，以使挡板在对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第一位置与不对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第一位置之间移动，
所述第二移动部件在从所述基板观察时所述成膜源及所述挡板在所述规定的方向上位于相同的方向且所述基板不位于所述成膜源的放出方向的情况下，使位于所述成膜源的放出方向的基准位置的所述挡板向与所述基准位置相比位于所述规定的方向的第一位置及位于与该规定的方向相反的方向的第二位置移动。
另外，根据本发明的另一侧面，提供一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：
第一移动部件，所述第一移动部件使向基板放出成膜材料的成膜源和所述基板中的至少任一个沿规定的方向移动；以及
第二移动部件，所述第二移动部件进行控制，以使挡板在对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第一位置与不对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第二位置之间移动，
所述第二移动部件在所述基板位于所述成膜源的成膜范围外的情况下，使位于所述成膜源的放出方向的所述挡板向所述规定的方向及与该规定的方向相反的方向移动。
另外，根据本发明的另一侧面，提供一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：
保持部，所述保持部在成膜时保持掩模及基板；
成膜源，所述成膜源在所述成膜装置内往复移动并进行成膜；以及
移动部件，所述移动部件使挡板在第一位置与第二位置之间移动，所述第一位置是对成膜材料从所述成膜源向配置于所述保持部的所述基板的入射进行限制的位置，所述第二位置是不对成膜材料从所述成膜源向配置于所述保持部的所述基板的入射进行限制的位置，
所述移动部件在向由所述保持部保持的所述基板的成膜时，伴随着所述成膜源的移动方向的切换，在从所述成膜源开始减速起到结束加速为止的期间，使所述挡板移动。
发明效果
根据本发明，能够提供一种防止附着于挡板的成膜材料落下的技术。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的成膜系统的布置图。
图2是成膜室10内的输送单元的说明图。
图3是成膜室10的说明图。
图4(A)～(C)是示出成膜处理中的成膜源31的移动的图。
图5是示出附着于挡板21的成膜材料的分布的图。
图6(A)～(C)是示出本实施方式的成膜处理中的成膜源31和挡板21的移动的图。
图7是示出本实施方式的成膜处理中的挡板21的折返位置的图。
图8(A)～(C)是示出本实施方式的成膜处理中的成膜源31和挡板21的移动的图。
图9是成膜室1000的说明图。
图10是示出成膜室1000的输送辊的配置的图。
图11(A)～(F)是示出本实施方式的成膜处理中的成膜源1010和挡板1031、1032的移动的图。
图12(A)～(C)是示出本实施方式的成膜处理中的挡板1031的移动例的图。
图13(A)～(C)是示出本实施方式的成膜处理中的挡板1032的移动例的图。
图14(A)是示出有机EL显示装置的整体图，(B)是示出一个像素的截面构造的图。
附图标记说明
10成膜室、11A及11B输送单元、6A～6D保持单元、20A及20B挡板单元、31：成膜源。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式进行详细说明。此外，以下的实施方式并不限定权利要求书的技术方案。虽然在实施方式中记载了多个特征，但上述多个特征未必全部都是发明所必需的，另外，也可以将多个特征任意地组合。而且，在附图中，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
＜第一实施方式＞
(系统的概要)
图1是成膜系统1的布置图。此外，在各图中，箭头Z表示上下方向(重力方向)，箭头X及箭头Y表示相互正交的水平方向。箭头θ表示绕Z轴的旋转方向。
成膜系统1为中间输送装置101、成膜装置3及中间输送装置102沿X方向排列的结构，按照该顺序输送基板W并进行处理。中间输送装置101在基板W的输送方向上位于上游侧，中间输送装置102在基板W的输送方向上位于下游侧。在图示的例子中，成膜系统1具备一个成膜装置3，但也能够在中间输送装置101的上游侧或中间输送装置102的下游侧设置成膜装置3。控制装置2具备CPU等处理器、半导体存储器、硬盘等存储器件、输入输出接口，对成膜系统1进行控制。
中间输送装置101及102具备输送机器人110。输送机器人110为在基座部上支承有两组臂及手的双臂型机器人。两组臂及手在基座部上沿θ方向回转，并且伸缩自如。与中间输送装置101及102相邻地设置有收容掩模M的储料器104。输送机器人110除了基板W的输送之外，还进行掩模M的输送。中间输送装置102的手具有叉形状，将基板M、掩模M载置在该手上并进行输送。
成膜装置3是对从中间输送装置101搬入的基板W进行成膜处理并向中间输送装置102搬出的装置。成膜装置3具备进行基板W的交接的交接室4和与交接室4相邻地配置的多个成膜室10A及10B(以下，有时不加区别地称为成膜室10)。在本实施方式中，成膜室10设置有两个，在交接室4的Y方向的两侧分别各配置有一个。交接室4及成膜室10分别被壁部包围，能够维持为气密。
在成膜室10中，在基板W上对蒸镀物质(成膜材料)进行成膜。能够使用掩模M在基板W上形成规定的图案的蒸镀物质的薄膜。基板W的材质能够适当地选择玻璃、树脂、金属等材料，代表性地使用在玻璃上形成有聚酰亚胺等树脂层的材质。在本实施方式的情况下，基板W为矩形。作为蒸镀物质，可以为有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等物质。成膜装置3例如能够应用于对显示装置(平板显示器等)、薄膜太阳能电池、有机光电转换元件(有机薄膜摄像元件)等电子器件、光学构件等进行制造的制造装置，特别是能够应用于对有机EL面板进行制造的制造装置。
(交接室)
交接室4除了中间输送装置101及102与成膜装置3之间的基板W、掩模M的交接之外，还进行相对于成膜室10的基板W、掩模M的分配。因此，也能够将交接室4称为分类室。
(多方向的输送单元)
在交接室4设置有输送基板W及掩模M的输送单元40。输送单元40从中间输送装置101接收基板W或掩模M并交接到保持单元6A～6D。另外，将从保持单元6A～6D接收的基板W或掩模M向中间输送装置102搬出。保持单元6A～6D为利用静电力保持基板W的保持部件的一例。
本实施方式的输送单元40是能够在X-Y平面上的多个方向上移动基板W等的水平多关节型的机器人，具备圆筒形状的基座部、支承在基座部上的臂部及支承于臂部的手。基座部具有驱动轴，通过驱动轴的θ方向上的旋转而进行绕Z1轴的臂部的回转，并通过驱动轴的上下的移动而进行臂部的升降。臂部的一端与驱动轴连结，另一端与臂构件的一端连结。臂构件能够绕Z2轴回转地连结于臂构件。手绕Z3轴回转自如地连结于臂构件的另一端。
(滑动式的输送单元)
如图1所示，成膜装置3具备从交接室4遍及两个成膜室10地配置的两组输送单元5A及5B。输送单元5A具备保持单元6A及6C和使该保持单元6A及6C独立地沿Y方向进行平行移动的移动单元11A。输送单元5B为与输送单元5A同样的构造，具备保持单元6B及6D和使该保持单元6B及6D独立地沿Y方向进行平行移动的移动单元11B。
本实施方式的移动单元11A及11B是通过磁力使保持单元6A～6D移动的机构，特别是通过磁力使其进行上浮移动的机构。在图2中示出输送单元5A的构造。移动单元11A及11B分别具备对保持单元6A～6D的Y方向的移动轨道进行限定的一对引导构件70。各引导构件70具有C字型的截面，是沿Y方向延伸设置的导轨构件。一对引导构件70在X方向上相互分开。
各引导构件70具备多个在Z方向上分开的一对磁元件71。多个一对磁元件71在Y方向上等间距地排列。一对磁元件71中的至少一方为电磁铁，另一方为电磁铁或永久磁铁。
保持单元6A～6D是用于输送基板W、掩模M的载台。保持单元6A～6D分别具备在俯视时为矩形形状的主体构件60。主体构件60的X方向的各端部被插入到对应的引导构件70中。在主体构件60的X方向的各端部的上表面、下表面分别固定有设置有未图示的磁轭的永久磁铁61。上下的永久磁铁61在主体构件60沿Y方向设置有多个。永久磁铁61与引导构件70的磁元件71相向。能够通过永久磁铁61与磁元件71的推斥力而使保持单元6A～6D产生上浮力。通过依次对沿Y方向设置有多个的磁元件(电磁铁)71中的产生磁力的磁元件71进行切换，从而能够通过永久磁铁61与磁元件71的吸引力而使保持单元6A～6D产生Y方向的移动力。
此外，在本实施方式中，将移动单元11A及11B设为了磁悬浮输送机构，但也可以为辊输送机构、带输送机构、齿条-小齿轮机构等能够移动保持单元6A～6D的其他输送机构。
保持单元6A～6D分别具备保持基板W的保持部62。在本实施方式的情况下，保持部62是利用静电力吸附基板W的静电吸盘，保持部62包含配置在保持单元6A～6D的下表面的多个电极62a。另外，保持单元6A～6D分别具备保持掩模M的保持部63。保持部63例如是通过磁力来吸附掩模M的磁铁吸盘，在保持部62的X方向上位于外侧。保持部63也可以为机械地夹持掩模M的夹紧机构。
在引导构件70配置有沿Y方向延伸设置的标尺72，在主体构件60设置有读取标尺72的传感器64。能够根据传感器64的检测结果来确定各保持单元6A～6D的Y方向的位置。
(成膜室)
在成膜室10中，使用掩模M对基板W进行成膜。如图1所示，在两个成膜室10分别配置有两个掩模台15A、15B(以下，有时不加区别地称为掩模台15)。通过合计四个掩模台15来限定进行成膜处理的成膜位置JA～JD。两个成膜室10的构造相同。
在图3中示出成膜室10的构造。在各成膜室10设置有成膜源31和移动成膜源31的移动单元34。
成膜源31具备收容蒸镀物质的原材料的坩埚、对坩埚进行加热的加热器等，是对原材料进行加热并将作为其蒸气的蒸镀物质从开口部向上方放出的成膜单元。移动单元34具备致动器，所述致动器具备驱动源，移动单元34作为用于执行成膜源31的移动动作的第一移动部件发挥功能。能够利用致动器使移动单元34在一对固定导轨上沿+Y方向及-Y方向进行往复移动。
另外，在本实施方式中，对成膜源31具备一组坩埚和加热器的情况进行了说明，但也可以将坩埚和加热器设置多个。另外，在设置有多个坩埚的情况下，也可以按各坩埚收容种类不同的多个成膜材料。具体而言，在多个成膜源31中的一个坩埚中收容有主体材料，在其他坩埚中收容有掺杂剂材料。此外，也可以在多个坩埚中分别收容相同的成膜材料。另外，在本实施方式中，对成膜源31为蒸镀源的情况进行说明，但也能够应用于放出成膜材料并进行薄膜的形成的溅射等其他成膜源。
通过致动器的驱动，成膜源31在成膜位置JA的下方(掩模台15A的下方)沿Y方向滑动，并且，从成膜位置JA侧向成膜位置JB侧滑动，而且，在成膜位置JB的下方(掩模台15B的下方)沿Y方向滑动。
这样，在本实施方式中，通过使一个成膜源31移动，从而能够在成膜位置JA和成膜位置JB这两个成膜位置共用成膜源31。
如上所述，在掩模台15载置有掩模Ma、Mb，掩模台15由参照图2说明的保持部63保持。在掩模Ma、Mb的上方，基板Wa、Wb由参照图2说明的保持部62保持。
另外，在成膜源31的上方配置有对是否限制成膜材料从成膜源31向基板W的入射进行切换的挡板单元20A及20B(以下，有时不加区别地称为挡板单元20)。挡板单元20A及20B分别具有使挡板21a、21b(以下，有时不加区别地称为挡板21)及挡板21沿Y方向移动的移动单元22A、22B(以下，有时不加区别地称为移动单元22)。移动单元22为移动本实施方式的挡板的移动部件(第二移动部件)的一例。
挡板单元20控制使挡板21在关闭位置(第一位置)与打开位置(第二位置)之间移动的挡板的开闭动作，所述关闭位置是使挡板21与掩模M在上下方向(Z方向)上重叠以限制来自成膜源31的成膜材料的入射的位置，所述打开位置是使挡板21与掩模M在上下方向上不重叠以供来自成膜源31的成膜材料入射的位置。
成膜源31通过一边在成膜装置内沿Y方向进行往复移动，一边将成膜材料向上侧方向(+Z方向)放出，从而向规定的放出范围32放出成膜材料，并进行对基板W的成膜。在一例中，在放出范围32中，在成膜源31的上方沿X方向均匀地进行成膜材料的放出。另一方面，在Y方向上，在成膜源31的开口的中央部的正上方即放出范围32的中央部，与端部相比，进行更多的成膜材料的放出。通过使成膜源31移动，即使在Y方向上，也能够均匀地进行成膜材料的放出。
接着，参照图4(A)～图4(C)，对在成膜时挡板21不移动的情况下的成膜处理的流程进行说明。此外，在图4(A)～图4(C)的例子中，为了在基板Wa及Wb上进行成膜，将挡板21A及21B配置为打开状态。
在图4(A)中，成膜源31从折返位置Pa朝向Pb移动。在图4(B)中，成膜源31抵达折返位置Pb，并在折返位置Pb停止。接着，如图4(C)所示，成膜源31从折返位置Pb朝向Pa移动。在此，为了在基板W上进行均匀膜厚的成膜，在放出范围32在Y方向上与基板W重叠的情况下，成膜源31以恒定的速度移动。并且，在放出范围32在Y方向上不与基板W重叠即放出范围32从基板的正下方脱离时，成膜源31进行减速、停止，然后进行加速，对成膜源31的移动方向进行切换。
此时，由于成膜源31在折返位置Pb也继续进行成膜材料的放出，因此，成膜材料附着于挡板21B。例如，在成膜源31位于折返位置Pa、Pb的情况下，在位于成膜源31的放出范围32的中央部的上方的挡板21B的位置，与其他位置相比，有可能会附着更多的成膜材料。另外，在更长时间地位于放出范围32的上方的挡板21A、21B的端部，与挡板的其他位置相比，有可能会附着更多的成膜材料。
作为结果，如图5所示，附着于挡板21A、21B的成膜材料的厚度有可能会在Y方向上产生偏差。另外，由于附着于挡板21的成膜材料在其厚度变大时具有容易落下的倾向，因此，成膜材料容易从范围501落下，所述范围501为从挡板21A、21B的相向的边起到与成膜源31的折返位置的正上方对应的部分为止的范围。另外，在挡板21A、21B的待机位置(基准位置)位于放出范围32的上方的范围502，与在待机位置未位于放出范围32的上方的范围501相比，也有可能会附着更多的成膜材料。在附着的成膜材料落下并附着于喷嘴时，由于来自成膜源31的成膜材料的放出会被附着的材料遮挡，因此，成膜速率变得不稳定，无法进行均匀膜厚的成膜。
接着，参照图6(A)～图6(C)，对本实施方式的成膜处理的流程进行说明。在图6(A)～图6(C)的例子中，为了在基板Wa及Wb上进行成膜，也将挡板21A及21B配置为打开状态。
在图6(A)中，成膜源31从折返位置Pa朝向Pb沿-Y方向移动。图6(A)与图4(A)相同。在图6(B)中，成膜源31抵达折返位置Pb。在此，在成膜源31减速的期间，移动单元22B使挡板21B向与成膜源31的移动方向相反的方向移动。由此，能够缩短挡板21A、21B的范围501位于放出范围32的正上方的时间，能够降低附着于范围501的成膜材料的厚度。
另外，在成膜源31在折返位置停止的期间，移动单元22B使挡板21B沿+Y方向及-Y方向移动。由此，能够使在成膜源31停止的期间位于喷嘴的正上方的挡板21的部位分散，能够降低附着于挡板21的成膜材料的厚度的偏差。
之后，在成膜源31切换移动方向并朝向折返位置Pa加速时，移动单元22B使挡板21B向与成膜源31相反的方向移动。由此，能够缩短挡板21A、21B的范围501位于放出范围32的正上方的时间，能够降低附着于范围501的成膜材料的厚度。
此外，在一例中，也可以是，在成膜源31停止的期间，挡板21B向打开位置移动，在成膜源31加速的期间，挡板21B不进行移动。换言之，挡板21B只要在从成膜源31开始减速起到结束加速为止的期间进行往复移动即可。
如以上说明的那样，本实施方式的挡板单元20进行控制，以便在成膜源31在基板上进行成膜的情况下，在成膜源31的加减速时及停止时使挡板21沿成膜源31的移动方向及移动方向的相反方向移动。由此，能够防止成膜材料附着于挡板21的特定的部位，能够防止附着于挡板21的成膜材料落下。
＜第二实施方式＞
参照图7，对第二实施方式的成膜装置进行说明。此外，关于与第一实施方式同样的结构、功能或处理，省略说明。
如图7所示，本实施方式的成膜装置3具有多个挡板21的折返位置701～703。折返位置701～703在Y方向上位于打开位置与关闭位置之间。此外，在图7的例子中，对挡板21的折返位置为三个的情况进行说明，但既可以为两个，也可以为四个以上。
如图7所示，在成膜源31在折返位置Pb停止的期间，挡板单元20B使挡板21B在折返位置701～703中的任一个位置停止。
在一例中，也可以是，将挡板21的折返位置的数量设为m，并将0～m-1的标识符与各个折返位置建立关联，将成膜源31在折返位置Pb停止的次数设为n，决定为使挡板21停止在与使n除以挡板21B的折返位置的数量m而得到的余数n mod m的标识符对应的折返位置。或者，也可以按成膜源31在折返位置Pb停止的次数的各范围而决定为使挡板21停止在例如与floor(n/100)mod m的标识符对应的折返位置。在此，floor()为地板函数。
在其他例子中，也可以按成膜处理的各经过时间，例如在0～12小时的情况下与标识符0建立对应关系、在12～24小时的情况下与标识符1建立对应关系地决定为使挡板21在折返位置停止。
由此，能够在成膜源31多次停止在折返位置Pb的情况下使附着有成膜材料的挡板的位置分散，能够防止成膜材料附着于挡板的特定的部位，能够防止附着于挡板的成膜材料落下。
＜第三实施方式＞
在第一实施方式中，对如下的实施方式进行了说明：在挡板21处于打开位置的情况下，从成膜源31放出的成膜材料附着于挡板21的部位偏移，防止成膜材料从挡板21落下。在第三实施方式中，对如下的实施方式进行说明：在挡板21处于关闭位置的情况下，从成膜源31放出的成膜材料附着于挡板21的部位偏移，防止成膜材料从挡板21落下。此外，关于与第一实施方式同样的结构、功能、处理，省略说明。
在图8(A)～图8(C)中示出第三实施方式的成膜室10。如图8(A)所示，挡板21A位于关闭位置。这样，在未在基板Wa上进行成膜的情况下，成膜源31也可以在距离比折返位置Pa与Pb之间短的折返位置Pa’与Pb之间进行往复移动。
另外，如图8(B)所示，如第一或第二实施方式那样，在成膜源31在折返位置Pb的周边进行加减速或停止时，挡板单元20B使挡板21B移动。另外，此时，挡板单元20A使挡板21A向蒸镀源31的方向移动。并且，在成膜源31在保持着成膜对象的基板Wb的保持单元6B的正下方移动的情况下，挡板单元20使挡板21移动到图8(A)所示的位置，不遮挡成膜材料从成膜源31向基板Wb的放出。
接着，如图8(C)所示，在成膜源31从折返位置Pb向折返位置Pa’移动时，挡板21A移动到关闭位置，挡板21B移动到打开位置，能够进行从成膜源31向保持于保持单元6B的基板的成膜。接着，在成膜源31在折返位置Pa’的周边进行加速、减速、停止的期间，挡板单元20A、20B使挡板21A、21B移动。在该情况下，只要限制从成膜源31向基板Wa的入射即可，也可以是，挡板21A的一部分与基板Wa在Y方向上不重叠。例如，如图8(C)所示，也可以是，挡板21A的一部分一边限制从成膜源31向基板Wa的入射，一边以与基板Wb的一部分在Y方向上重叠的方式移动。另外，挡板21B的一部分也可以以与基板Wb的一部分在Y方向上重叠的方式移动。或者，也可以以使基板Wa的一部分在Y方向上不与挡板21A重叠的方式使挡板21A移动。
由此，在成膜源31在折返位置Pa’的周边进行加速、减速、停止的期间，成膜材料附着在挡板21上的部位偏移，能够防止成膜材料从挡板21落下。
另外，本实施方式的挡板单元20在使位于成膜源31的正上方的一方的挡板21移动时，也使另一方的挡板21移动。由此，无论是在成膜源31在折返位置Pa’和Pb中的任一位置的周边进行减速、停止以及加速时，还是在通过使挡板21A、21B左右对称地移动而使成膜源31位于任一停止位置的情况下，都能够抑制成膜材料附着在挡板21上的部位偏移。
＜第四实施方式＞
在第一～第三实施方式中，对成膜源31移动并在基板上进行成膜的实施方式进行了说明。在本实施方式中，对不移动成膜源而在基于输送单元的基板的输送期间进行成膜的实施方式进行说明。
图9示出本实施方式的成膜室900的构造。在成膜室900设置有成膜源910、输送单元920、挡板单元930及防附着壁940。由于成膜源910与成膜源31相同，所以省略说明。
输送单元920是用于将掩模合体完毕基板W向+Y方向输送的构造。在图10中示出输送单元920的构造。输送单元920具备对与输送方向平行的掩模合体完毕基板W的端部进行支承并进行输送的多个输送辊1000。输送辊1000作为用于输送本实施方式的基板的第一移动部件发挥功能。另外，通过使由输送辊1000输送的掩模合体完毕基板W通过成膜源910的上方，从而能够对输送的掩模合体完毕基板W进行成膜处理。此外，在本实施方式中，对输送单元920为辊输送机构的情况进行说明，但也可以为磁悬浮输送机构、带输送机构、齿条-小齿轮机构等能够输送掩模合体完毕基板W的其他输送机构。另外，在本实施方式中，对输送单元920向+Y方向(正向)输送掩模合体完毕基板W且在进入到成膜范围1050的掩模合体完毕基板W上进行成膜处理的情况进行说明，但也可以是，输送单元920除了+Y方向(正向)之外，还能够向-Y方向(相反的方向)输送掩模合体完毕基板W。由此，能够使一个掩模合体完毕基板W多次通过成膜源910的上方的成膜范围950。
在此，如图9所示，在利用输送单元920输送多个掩模合体完毕基板W的情况下，在从向一个掩模合体完毕基板W的成膜结束起到向另一个掩模合体完毕基板W’的成膜开始为止的期间，从成膜源910放出的成膜材料有可能会通过两个掩模合体完毕基板W之间而向成膜室内扩散，成膜室900有可能会被污染。为了防止该情况，在成膜室900设置有挡板单元930及防附着壁940，以不使从成膜源910放出的成膜材料扩散。
如图10所示，防附着壁940具有配置在成膜源910的上方的开口941，对成膜材料的放出范围进行限制，使得仅在成膜源910的上方的成膜范围950放出成膜材料。挡板单元930控制挡板931及挡板932的移动。挡板931、932在打开位置与关闭位置之间移动，所述打开位置是不覆盖防附着壁940的开口941而能够进行从成膜源910向基板的成膜材料的放出的位置，所述关闭位置是覆盖防附着壁940的开口941而能够进行从成膜源910向基板的成膜材料的放出的位置。挡板单元930通过在未进行向基板的成膜的期间将挡板931或932配置在关闭位置，从而能够防止成膜材料向成膜室900内扩散。
参照图11(A)～图11(F)，对在掩模合体完毕基板W上进行成膜的处理的流程进行说明。
图11(A)示出第一块掩模合体完毕基板W被搬入到成膜室900内的状况。如图11(A)所示，挡板单元930将挡板931配置在关闭位置，将挡板932配置在打开位置。
接着，如图11(B)所示，在掩模合体完毕基板W到达成膜源910的上方的成膜范围950时，挡板单元930与掩模合体完毕基板W的移动对应地使挡板931向打开位置移动。在一例中，挡板单元930对挡板931的移动进行控制，以使输送方向(+Y方向)上的掩模合体完毕基板W的前端1101与挡板931的后端1102在Y方向上包括边距在内地成为规定的距离以下。由此，能够防止从成膜源910放出的成膜材料扩散到成膜室900。
接着，如图11(C)所示，在掩模合体完毕基板W的输送方向上，在掩模合体完毕基板W的前端1101向成膜范围950外退出时，挡板931向打开位置移动。
接着，如图11(D)所示，当在掩模合体完毕基板W的输送方向(+Y方向)上使掩模合体完毕基板W的后端1103进入到成膜范围950时，挡板单元930对挡板932的移动进行控制，以使掩模合体完毕基板W的后端1103与挡板932的前端1104在Y方向上包括边距在内地成为规定的距离以下。由此，能够一边使从成膜源910放出的成膜材料在掩模合体完毕基板W上进行成膜，一边防止成膜材料扩散到成膜室900内。
接着，如图11(E)所示，进行掩模合体完毕基板W的输送，在输送方向(+Y方向)上使掩模合体完毕基板W的行进方向后端1103伸出到成膜范围950之外，并且输送下一个掩模合体完毕基板W’。在该情况下，将挡板932配置在关闭位置，将挡板931配置在打开位置。
接着，如图11(F)所示，在下一个掩模合体完毕基板W到达成膜范围950之前，将挡板932移动到打开位置，将挡板931移动到关闭位置。此时，挡板931与挡板932在上下方向(Z方向)上一部分重叠地移动。由此，能够防止从成膜源910放出的成膜材料通过两个掩模合体完毕基板W、W’之间而向成膜室900内扩散。
在此，如图11(A)及图11(E)所示，在利用挡板931、932来防止从成膜源910放出的成膜材料向成膜室900内扩散的情况下，基板W的行进方向(+Y方向)上的挡板931的后端1102及挡板932的前端1104与其他部分相比先进入到成膜源910的放出范围911，与其他部分相比后从成膜源910的放出范围911退出。因此，成膜材料有可能会更多地附着于挡板931的后端1102及挡板932的前端1104。另外，在挡板931及932位于关闭位置的情况下，成膜材料也有可能会更多地附着于位于成膜源910的正上方的图9所示的范围933、934。
因此，为了防止从成膜源910放出的成膜材料向成膜室内扩散，本实施方式的挡板单元930将挡板931、932配置在关闭位置。此时，挡板单元930对挡板931、932的移动进行控制，以使挡板931、932的有可能较多地附着成膜材料的范围933、934未被包含在放出范围911内。
图12(A)～图12(C)示出掩模合体完毕基板W的前端1101进入到成膜范围950的前后的示意图。
如图12(A)所示，挡板单元930以使图9所示的挡板931的有可能会较多地附着成膜材料的范围933不被包含在放出范围911内的方式使挡板931移动。例如，使挡板931向与掩模合体完毕基板W的输送方向相反的方向(-Y方向)移动。由此，能够使成膜材料附着于图9所示的挡板931的范围933以外的部分，能够抑制成膜材料偏向挡板931地附着。
接着，如图12(B)所示，掩模合体完毕基板W靠近成膜范围950。此时，挡板单元930使挡板931向与掩模合体完毕基板W的输送方向相同的方向(+Y方向)移动。由此，在掩模合体完毕基板W进入到成膜范围950时，能够在掩模合体完毕基板W的输送方向上进行调整，以使挡板931的后端1102的位置与掩模合体完毕基板W的输送方向上的前端1101的位置在Y方向上成为规定的距离的范围内。
接着，如图12(C)所示，在掩模合体完毕基板W进入到成膜范围950时，挡板单元930对挡板931的移动进行控制，以使掩模合体完毕基板W的输送方向上的前端1101的位置与挡板931的后端1102的位置成为规定的距离的范围内。由此，能够一边在掩模合体完毕基板W上对从成膜源910放出的成膜材料进行成膜，一边防止成膜材料向成膜室900内扩散。
接着，参照图13(A)～图13(C)，对掩模合体完毕基板W从成膜范围950退出之后的挡板单元930的控制进行说明。
图13(A)是掩模合体完毕基板Wa刚刚从成膜范围950退出之后的图。在掩模合体完毕基板Wa从成膜范围950退出时，挡板单元930使挡板932移动到关闭位置。
接着，如图13(B)所示，挡板单元930使挡板932从关闭位置向与掩模合体完毕基板Wa的输送方向相同的方向移动。由此，能够增大挡板932的较多地附着成膜材料的图9所示的范围934中的未被包含在成膜源910的放出范围911内的范围，能够防止成膜材料偏向挡板932的一部分地附着。
接着，如图13(C)所示，挡板单元930在掩模合体完毕基板Wa的后续的掩模合体完毕基板Wb到达成膜范围950之前，使挡板931及932向与掩模合体完毕基板的输送方向相反的方向(-Y方向)移动。
如以上说明的那样，根据本实施方式，在从基板观察时成膜源及挡板在成膜源的移动方向上位于相同的方向且基板不位于从成膜源放出成膜材料的放出范围内的情况下，使位于放出范围内的挡板沿输送方向及与输送方向相反的方向进行往复移动。由此，能够按挡板的各部位来抑制附着于该部位的成膜材料的量的偏差。
另外，如以上说明的那样，根据本实施方式，在从基板观察时成膜源及挡板在成膜源的移动方向上位于相同的方向且基板不位于从成膜源放出成膜材料的放出范围内的情况下，使位于放出范围内的挡板在从基准位置起位于输送方向的第一位置与从第一位置起位于与输送方向相反的方向的第二位置之间进行往复移动。由此，能够抑制附着于挡板的成膜材料的偏差。
另外，如以上说明的那样，根据本实施方式，在基板位于成膜源的放出范围外的情况下，挡板在成膜源的上方进行往复移动。由此，能够按用于在基板位于成膜源的放出范围外的情况下防止成膜材料的扩散的挡板的各部位来抑制附着于该部位的成膜材料的量的偏差。
＜电子器件的制造方法＞
对电子器件的制造方法的一例进行说明。以下，作为电子器件的例子，例示有机EL显示装置的结构及制造方法。
首先，说明要制造的有机EL显示装置。图14(A)是示出有机EL显示装置1400的整体图，图14(B)是示出一个像素的截面构造的图。
如图14(A)所示，在有机EL显示装置1400的显示区域1401呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素1402。详细情况随后进行说明，但发光元件分别具有具备被一对电极夹着的有机层的构造。
此外，在此所说的像素是指在显示区域1401中能够进行所期望的颜色的显示的最小单位。在彩色有机EL显示装置的情况下，通过示出互不相同的发光的第一发光元件1402R、第二发光元件1402G、第三发光元件1402B这多个子像素的组合来构成像素1402。像素1402通常由红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件和蓝色(B)发光元件这三种子像素的组合构成，但并不被限定于此。像素1402只要包含至少一种子像素即可，优选包含两种以上的子像素，更优选包含三种以上的子像素。作为构成像素1402的子像素，例如也可以是红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件、蓝色(B)发光元件及黄色(Y)发光元件这四种子像素的组合。
图14(B)是图14(A)的A-B线处的局部剖视示意图。像素1402在基板1403上具有由有机EL元件构成的多个子像素，所述有机EL元件具备第一电极(阳极)1404、空穴输送层1405、红色层1406R/绿色层1406G/蓝色层1406B中的任一个、电子输送层1407及第二电极(阴极)1408。其中的空穴输送层1405、红色层1406R、绿色层1406G、蓝色层1406B、电子输送层1407相当于有机层。红色层1406R、绿色层1406G、蓝色层1406B分别形成为与发出红色光、绿色光、蓝色光的发光元件(有时也表述为有机EL元件)对应的图案。
另外，第一电极1404按各发光元件分开地形成。空穴输送层1405、电子输送层1407和第二电极1408既可以遍及多个发光元件1402R、1402G、1402B地共用地形成，也可以按各发光元件形成。即，如图14(B)所示，也可以是，在空穴输送层1405遍及多个子像素区域地形成为共用的层的基础上，将红色层1406R、绿色层1406G、蓝色层1406B按各子像素区域分开地形成，进而在其之上遍及多个子像素区域地将电子输送层1407和第二电极1408形成为共用的层。
此外，为了防止接近的第一电极1404之间的短路，在第一电极1404之间设置有绝缘层1409。而且，由于有机EL层会由于水分、氧而劣化，所以设置有用于保护有机EL元件免受水分、氧的影响的保护层1410。
在图14(B)中，空穴输送层1405、电子输送层1407由一个层表示，但根据有机EL显示元件的构造的不同，也可以由具有空穴阻挡层、电子阻挡层的多个层形成。另外，也可以在第一电极1404与空穴输送层1405之间形成具有如下的能带构造的空穴注入层，所述能带构造能够顺畅地进行空穴从第一电极1404向空穴输送层1405的注入。同样地，也可以是，在第二电极98与电子输送层97之间也形成有电子注入层。
红色层1406R、绿色层1406G、蓝色层1406B中的每一个既可以由单一的发光层形成，也可以通过层叠多个层来形成。例如，也可以是，利用两层构成红色层1406R，用红色的发光层形成上侧的层，并用空穴输送层或电子阻挡层形成下侧的层。或者，也可以是，用红色的发光层形成下侧的层，并用电子输送层或空穴阻挡层形成上侧的层。通过像这样在发光层的下侧或上侧设置层，从而调整发光层的发光位置，通过调整光路长度，从而具有提高发光元件的颜色纯度的效果。
此外，在此，示出了红色层1406R的例子，但在绿色层1406G、蓝色层1406B中也可以采用同样的构造。另外，层叠数量也可以为两层以上。而且，既可以如发光层和电子阻挡层那样层叠不同材料的层，也可以例如将发光层层叠两层以上等层叠相同材料的层。
接着，具体地说明有机EL显示装置的制造方法的例子。在此，假定红色层1406R由下侧层1406R1和上侧层1406R2这两层构成、绿色层1406G和蓝色层1406B由单一的发光层构成的情况。
首先，准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)及形成有第一电极1404的基板1403。此外，基板1403的材质并不被特别限定，能够由玻璃、塑料、金属等构成。在本实施方式中，作为基板1403，使用在玻璃基板上层叠有聚酰亚胺的膜的基板。
在形成有第一电极1404的基板1403上以棒涂或旋涂的方式涂覆有丙烯酸或聚酰亚胺等树脂层，通过光刻法对树脂层进行图案化，以便在形成有第一电极1404的部分形成开口，并形成绝缘层1409。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将对绝缘层1409进行了图案化的基板1403搬入到第一成膜室，将空穴输送层1405作为共用的层而在显示区域的第一电极1404上进行成膜。使用按最终成为一个有机EL显示装置的面板部分的各显示区域1401形成有开口的掩模，对空穴输送层1405进行成膜。
接着，将形成至空穴输送层1405的基板1403搬入到第二成膜室。进行基板1403与掩模的对准，将基板载置在掩模上，在空穴输送层1405上的配置有基板1403的发出红色光的元件的部分(形成红色的子像素的区域)，对红色层1406R进行成膜。在此，在第二成膜室中使用的掩模是仅在成为有机EL显示装置的子像素的基板1403上的多个区域中的、成为红色的子像素的多个区域形成有开口的高精细掩模。由此，包含红色发光层的红色层1406R仅在基板1403上的成为多个子像素的区域中的成为红色的子像素的区域进行成膜。换言之，红色层1406R在基板1403上的成为多个子像素的区域中的成为蓝色的子像素的区域、成为绿色的子像素的区域不进行成膜，选择性地在成为红色的子像素的区域进行成膜。
与红色层1406R的成膜同样地，在第三成膜室中对绿色层1406G进行成膜，而且，在第四成膜室中对蓝色层1406B进行成膜。在完成红色层1406R、绿色层1406G、蓝色层1406B的成膜之后，在第五成膜室中，在显示区域1401的整体对电子输送层1407进行成膜。电子输送层1407作为共用的层而形成于三种颜色的层1406R、1406G、1406B。
将形成至电子输送层1407的基板移动到第六成膜室，对第二电极1408进行成膜。在本实施方式中，在第一成膜室～第六成膜室中，通过真空蒸镀对各层进行成膜。然而，本发明并不限定于此，例如对于第六成膜室中的第二电极1408的成膜而言，也可以通过溅射进行成膜。之后，将形成至第二电极1408的基板移动到密封装置，通过等离子体CVD对保护层1410进行成膜(密封工序)，并完成有机EL显示装置1400。此外，在此，设为通过CVD法形成保护层1410，但并不限定于此，也可以通过ALD法、喷墨法来形成。
在此，对于第一成膜室～第六成膜室中的成膜而言，使用形成有与所形成的各个层的图案对应的开口的掩模进行成膜。在成膜时，在进行了基板1403与掩模的相对的位置调整(对准)之后，将基板1403载置在掩模上并进行成膜。
＜其他实施方式＞
本发明也能够通过如下的处理来实现：将实现上述实施方式的一个以上的功能的程序经由网络或存储介质供给到系统或装置，由该系统或装置的计算机中的一个以上的处理器读出程序并执行。另外，本发明也能够通过实现一个以上的功能的电路(例如ASIC)来实现。
在第一实施方式中，利用静电吸盘来构成保持基板W的保持部62，但也可以为其他吸附方式。例如，也可以利用设置在保持部62的下表面的多个吸附垫的粘合力来保持基板W。或者，吸附垫也可以为真空垫。
本发明并不被限定于上述实施方式，能够不脱离发明的精神及范围地进行各种变更及变形。因此，为了公开发明的范围而附上权利要求。

Claims (23)

1.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：
第一移动部件，所述第一移动部件使向基板放出成膜材料的成膜源和所述基板中的至少任一个沿规定的方向移动；以及
第二移动部件，所述第二移动部件进行控制，以使挡板在对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第一位置与不对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的一个位置之间移动，
所述第二移动部件进行控制，以便在从所述基板观察时所述成膜源及所述挡板在所述规定的方向上位于相同的方向且所述基板不位于所述成膜源的放出方向的情况下，使位于所述成膜源的所述放出方向的所述挡板向所述规定的方向及与该规定的方向相反的方向移动。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一移动部件进行控制，以使所述成膜源向所述规定的方向及与所述规定的方向相反的方向中的任一个移动。
3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一移动部件进行控制，以便在使所述成膜源从所述成膜源位于所述基板的下方的成膜范围移动到所述成膜范围外之后，使所述成膜源再次进入到所述成膜范围。
4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二移动部件在所述成膜源位于所述成膜范围外的期间控制所述挡板的移动。
5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二移动部件根据所述成膜源从所述成膜范围外移动到所述成膜范围，结束所述挡板的移动动作并开始所述挡板的开闭动作。
6.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：
第一移动部件，所述第一移动部件使向基板放出成膜材料的成膜源和所述基板中的至少任一个沿规定的方向移动；以及
第二移动部件，所述第二移动部件进行控制，以使挡板在对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第一位置与不对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第一位置之间移动，
所述第二移动部件在从所述基板观察时所述成膜源及所述挡板在所述规定的方向上位于相同的方向且所述基板不位于所述成膜源的放出方向的情况下，使位于所述成膜源的放出方向的基准位置的所述挡板向与所述基准位置相比位于所述规定的方向的第一位置及位于与该规定的方向相反的方向的第二位置移动。
7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一移动部件进行控制，以使所述成膜源向所述规定的方向及与所述规定的方向相反的方向中的任一个移动。
8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一移动部件进行控制，以便在使所述成膜源从所述成膜源位于所述基板的下方的成膜范围移动到所述成膜范围外之后，使所述成膜源再次进入到所述成膜范围。
9.根据权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二移动部件在所述成膜源位于所述成膜范围外的期间控制所述挡板的移动。
10.根据权利要求9所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二移动部件根据所述成膜源从所述成膜范围外移动到所述成膜范围，结束所述挡板的移动动作并开始所述挡板的开闭动作。
11.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：
第一移动部件，所述第一移动部件使向基板放出成膜材料的成膜源和所述基板中的至少任一个沿规定的方向移动；以及
第二移动部件，所述第二移动部件进行控制，以使挡板在对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第一位置与不对成膜材料从所述成膜源向所述基板的入射进行限制的第二位置之间移动，
所述第二移动部件在所述基板位于所述成膜源的成膜范围外的情况下，使位于所述成膜源的放出方向的所述挡板向所述规定的方向及与该规定的方向相反的方向移动。
12.根据权利要求11所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一移动部件进行控制，以使所述成膜源向所述规定的方向及与所述规定的方向相反的方向中的任一个移动。
13.根据权利要求12所述的成膜装置，其特征在于，
所述第一移动部件进行控制，以便在使所述成膜源从所述成膜源位于所述基板的下方的成膜范围移动到所述成膜范围外之后，使所述成膜源再次进入到所述成膜范围。
14.根据权利要求13所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二移动部件在所述成膜源位于所述成膜范围外的期间控制所述挡板的移动。
15.根据权利要求14所述的成膜装置，其特征在于，
所述第二移动部件根据所述成膜源从所述成膜范围外移动到所述成膜范围，结束所述挡板的移动动作并开始所述挡板的开闭动作。
16.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备：
保持部，所述保持部在成膜时保持掩模及基板；
成膜源，所述成膜源在所述成膜装置内往复移动并进行成膜；以及
移动部件，所述移动部件使挡板在第一位置与第二位置之间移动，所述第一位置是对成膜材料从所述成膜源向配置于所述保持部的所述基板的入射进行限制的位置，所述第二位置是不对成膜材料从所述成膜源向配置于所述保持部的所述基板的入射进行限制的位置，
所述移动部件在向由所述保持部保持的所述基板的成膜时，伴随着所述成膜源的移动方向的切换，在从所述成膜源开始减速起到结束加速为止的期间，使所述挡板移动。
17.根据权利要求16所述的成膜装置，其特征在于，
所述移动部件使所述挡板向与所述成膜源的移动方向相反的方向移动。
18.根据权利要求16所述的成膜装置，其特征在于，
所述移动部件使所述挡板移动，以使所述挡板在上下方向上与所述基板的至少一部分重叠。
19.根据权利要求16所述的成膜装置，其特征在于，
所述移动部件在向由所述保持部保持的所述基板的成膜时，在所述成膜源不移动的状态下使所述挡板移动。
20.根据权利要求16所述的成膜装置，其特征在于，
所述移动部件在向由所述保持部保持的所述基板的成膜时，伴随着所述成膜源的移动方向的切换，在从所述成膜源减速起到加速为止的期间，使所述挡板在所述第一位置与所述第二位置之间的多个位置中的任一个停止。
21.根据权利要求20所述的成膜装置，其特征在于，
所述移动部件根据所述成膜源的移动方向的切换次数来决定使所述挡板在所述多个位置中的哪个位置停止。
22.根据权利要求20所述的成膜装置，其特征在于，
所述移动部件根据成膜处理的经过时间来决定使所述挡板在所述多个位置中的哪个位置停止。
23.根据权利要求16～22中任一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述移动部件在向由所述保持部保持的所述基板的成膜时，在所述成膜源在所述基板的正下方移动的期间，使所述挡板移动，以使所述挡板在上下方向上不位于所述成膜源与所述基板之间。
CN202310126777.1A 2022-02-24 2023-02-17 成膜装置 Pending CN116641025A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022-026971 2022-02-24
JP2022026971A JP2023123096A (ja) 2022-02-24 2022-02-24 成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116641025A true CN116641025A (zh) 2023-08-25

Family

ID=87621787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310126777.1A Pending CN116641025A (zh) 2022-02-24 2023-02-17 成膜装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023123096A (zh)
KR (1) KR20230127156A (zh)
CN (1) CN116641025A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024068531A (ja) * 2022-11-08 2024-05-20 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6537324B2 (ja) 2015-04-03 2019-07-03 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置並びに蒸着方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023123096A (ja) 2023-09-05
KR20230127156A (ko) 2023-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10431779B2 (en) Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
KR102649142B1 (ko) 유기 발광 표시 장치, 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR101944918B1 (ko) 유기층 증착 어셈블리, 유기층 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101632298B1 (ko) 평판 표시장치 및 그 제조방법
CN106435477B (zh) 有机层沉积装置、有机发光显示装置和显示装置制造方法
CN103160789A (zh) 有机层沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法
KR20140050994A (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN116641025A (zh) 成膜装置
CN111128828A (zh) 吸附及对准方法、吸附系统、成膜方法及装置、电子器件的制造方法
KR20140115164A (ko) 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
CN113106387B (zh) 成膜装置及电子器件的制造方法
KR20140130972A (ko) 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20150042759A (ko) 평판 표시장치
CN115772647A (zh) 成膜装置、基板传送装置、基板传送方法及电子器件的制造方法
KR102481907B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법
KR20230036045A (ko) 성막 장치
KR102501609B1 (ko) 성막 장치, 이를 사용한 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법
CN115772646A (zh) 成膜装置
KR20220154021A (ko) 자세 변화 장치 및 성막 장치
KR102578857B1 (ko) 유기 발광 표시 장치, 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조방법
KR20230109556A (ko) 성막 장치, 성막 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법
KR101996435B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20230090239A (ko) 성막 장치 및 성막 방법
JP2023183223A (ja) 搬送装置、搬送方法、電子デバイスの製造方法及び成膜装置
CN111128835A (zh) 吸附及对准方法、吸附系统、成膜方法及装置、电子器件的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination