CN103160789A - 有机层沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机层沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法。该有机层沉积装置包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，布置在沉积源的一侧并包括多个沉积源喷嘴；图案缝隙片，与沉积源喷嘴单元相对地布置并包括多个图案缝隙；静电吸盘，基底能够附于静电吸盘并能够从静电吸盘拆卸；吸盘移动构件，与静电吸盘组合并被构造为使静电吸盘移动；以及引导构件，引导吸盘移动构件的移动，吸盘移动构件包括第一磁力发生器，引导构件包括与第一磁力发生器对应的第二磁力发生器，吸盘移动构件由于第一磁力发生器和第二磁力发生器产生的磁力而能够在引导构件上移动。

Description

有机层沉积装置、有机发光显示装置及其制造方法
本申请要求于2011年12月16日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0136558号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的实施例的多个方面涉及一种有机层沉积装置、一种通过使用该有机层沉积装置制造有机发光显示装置的方法以及一种有机发光显示装置。
背景技术
与其它显示装置相比，有机发光显示装置具有更大的视角、更好的对比度性能和更快的响应速度，因此有机发光显示装置作为下一代显示装置而备受关注。
通常，有机发光显示装置具有堆叠结构，该堆叠结构包括阳极、阴极及置于阳极和阴极之间的发射层。当分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发射层复合而因此发射光时，该装置显示彩色图像。然而，使用这种结构难以实现高的发光效率。因此，可在发射层和每个电极之间额外地设置包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等的中间层。
发明内容
根据本发明实施例的多个方面，有机层沉积装置易于制造，并且该有机层沉积装置可简单应用于大规模制造大尺寸的显示装置，提高生产产率和沉积效率，并且具有改进的基底传送的精确度。根据本发明实施例的另外方面，提供了一种通过利用上述的有机层沉积装置制造的有机发光显示装置的制造方法以及一种有机发光显示装置。
根据本发明的实施例，一种用于在基底上形成有机层的有机层沉积装置包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，布置在沉积源的一侧并包括多个沉积源喷嘴；图案缝隙片，与沉积源喷嘴单元相对地布置并包括多个图案缝隙；静电吸盘，基底能够附于静电吸盘并能够从静电吸盘拆卸；吸盘移动构件，与静电吸盘组合并被构造为使静电吸盘移动；以及引导构件，引导吸盘移动构件的移动。吸盘移动构件包括第一磁力发生器。引导构件包括与第一磁力发生器对应的第二磁力发生器。吸盘移动构件由于第一磁力发生器和第二磁力发生器产生的磁力而能够在引导构件上移动。基底与图案缝隙片分隔开，并且基底和图案缝隙片中的至少一个能够相对于另一个移动。图案缝隙片在第一方向或垂直于第一方向的第二方向中的至少一个方向上小于基底。
第一磁力发生器中的每个可包括位于吸盘移动构件中的一个吸盘移动构件的表面上的多个磁体。
在磁体轨道中，磁体可沿布置成行并且所述多个磁体中的相邻的磁体具有不同的极性。
所述多个磁体可包括电磁体、永磁体或超导磁体。
第二磁力发生器中的每个可包括：多个磁辊，与磁体轨道分隔开；轴，连接所述多个磁辊；以及轴固定单元，将轴固定在引导构件上，以使轴绕着沿轴的长度方向延伸的轴旋转。
所述多个磁辊可包括沿轴的长度方向螺旋缠绕的多个磁体。
在所述多个磁辊中，相邻的磁体可具有不同的极性。
当磁辊旋转时，磁辊产生的第一磁场可改变，以使吸盘移动构件在引导构件上移动，吸盘移动构件均包括磁体轨道。
第二磁力发生器中的每个还可包括用于使轴旋转的驱动单元。
第一磁力发生器中的每个可包括：多个磁辊；轴，连接所述多个磁辊；以及轴固定单元，将轴固定在引导构件上，以使轴绕着沿轴的长度方向延伸的轴旋转。
所述多个磁辊可包括沿轴的长度方向螺旋缠绕的多个磁体。
在所述多个磁辊中，相邻的磁体可具有不同的极性。
第二磁力发生器中的每个可包括位于吸盘移动构件的表面上的多个磁体，所述多个磁辊与磁体轨道分隔开。
在磁铁轨道中，磁体可沿布置成行，并且所述多个磁体中的相邻的磁体可具有不同的极性。
所述多个磁体可包括电磁体、永磁体或超导磁体。
当磁辊旋转时，磁辊产生的第一磁场可改变第二磁场，第二磁场可改变，成使吸盘移动构件在引导构件上移动，吸盘移动构件均包括磁体轨道。
第一磁力发生器中的每个还可包括用于使轴旋转的驱动单元。
驱动单元可位于吸盘移动构件的每个上，并且与相应的吸盘移动构件一起在相应的引导构件上移动。
所述有机层沉积装置还可包括位于吸盘移动构件中的每个与引导构件中的相应的引导构件之间的线性运动（LM）引导件。
LM引导件中的每个可包括：引导块，位于吸盘移动构件中的相应的吸盘移动构件上；引导轨道，位于引导构件中的相应的引导构件上，引导块可在引导轨道上可移动。
所述有机层沉积装置还可包括：装载单元，用于将基底附于静电吸盘上；以及卸载单元，用于从静电吸盘拆卸已经执行过沉积的基底。
图案缝隙片可小于基底。
沉积源喷嘴单元可包括沿一个方向布置的多个沉积源喷嘴，并且图案缝隙片的所述多个图案缝隙可沿垂直于所述一个方向的另一方向布置。
根据本发明的另一实施例，一种利用所述有机层沉积装置制造的有机发光显示装置包括：基底；以及至少一个有机层，通过利用所述有机层沉积装置形成在基底上。所述至少一个有机层具有线形图案。
所述至少一个有机层可包括发射层。
所述至少一个有机层可包括从由空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层组成的组中选择的至少一层。
所述至少一个有机层可具有非均匀的厚度。
根据本发明的另一实施例，一种有机发光显示装置包括至少一个有机层，所述至少一个有机层具有非均匀的厚度并通过利用所述有机层沉积装置形成。
根据本发明的另一实施例，一种制造有机发光显示装置的方法包括：将基底固定到静电吸盘上；将静电吸盘与吸盘移动构件结合；通过使吸盘移动构件在引导构件上移动来将静电吸盘移动到室中；以及通过使布置在室中的基底或有机层沉积组件中的至少一个相对于另一个移动来在基底上形成有机层。吸盘移动构件由于磁力而在引导构件上移动，基底与有机层沉积组件分隔开。有机层沉积组件的图案缝隙片在第一方向或垂直于第一方向的第二方向中的至少一个方向上小于基底。
吸盘移动构件中的每个可包括位于其表面上的第一磁力发生器，引导构件中的每个可包括位于其表面上且与第一磁力发生器中的一个对应的第二磁力发生器。
第一磁力发生器中的每个可包括磁体轨道，磁体轨道包括多个磁体。
第二磁力发生器中的每个可包括：多个磁辊，与磁体轨道分隔开；轴，连接所述多个磁辊；以及轴固定单元，将轴固定在相应的引导轨道上，以使轴绕着沿轴的长度方向延伸的轴旋转。
使静电吸盘移动的步骤可包括：通过利用驱动单元产生驱动力，以使轴旋转，并且当轴旋转时，磁辊旋转以产生第一电场，并且吸盘移动构件在由于第一磁场和磁体之间的磁力而在引导构件上移动。
附图说明
通过参照附图来详细描述本发明的一些示例性实施例，本发明的以上和其它特征和方面将变得更加清楚，在附图中：
图1是根据本发明实施例的有机层沉积装置的示意图；
图2是根据本发明实施例的图1中的有机层沉积装置的静电吸盘的示意性剖视图，其中，静电吸盘具有附于其的基底；
图3是根据本发明实施例的包括在图1中的有机层沉积装置中的第一运送单元和第一有机层沉积组件的透视图；
图4是图3中的第一运送单元和第一有机层沉积组件的正视图；
图5是根据本发明实施例的包括在图1中的有机层沉积装置中的吸盘移动构件和引导构件的透视图；
图6是根据本发明另一实施例的包括在有机层沉积装置中的第一运送单元和第一有机层沉积组件的透视图；
图7是包括在图6中的有机层沉积装置中的第一运送单元的正视图；
图8是包括在图6中的有机层沉积装置中的第一运送单元的侧视图；
图9是根据本发明实施例的包括在图6中的有机层沉积装置中的吸盘移动构件和引导构件的透视图；
图10是根据本发明实施例的图1中的有机层沉积装置的有机层沉积组件的示意性透视图；
图11是图10中的有机层沉积组件的示意性剖视侧面图；
图12是图10中的有机层沉积组件的示意性剖视平面图；
图13是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件的示意性透视图；
图14是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件的示意性透视图；
图15是根据本发明实施例的使用有机层沉积装置制造的有源矩阵有机发光显示装置的剖视图；
图16是示出根据本发明实施例的以等间隔形成在有机层沉积组件的图案缝隙片中的图案缝隙的俯视图；和
图17是示出根据本发明实施例的使用图16中的图案缝隙片在基底上形成的有机层的剖视侧面图。
具体实施方式
在下文中，参照附图更详细地描述本发明的一些示例性实施例；然而，本发明的实施例可以以不同的形式来实施，并不应该被理解为限于在此示出和阐述的示例性实施例。相反，以示例的方式提供这些示例性实施例是为了理解本发明，并将本发明的范围传达给本领域技术人员。如本领域技术人员将认识到的，在均未脱离本发明的精神或范围的情况下可以以各种方式修改描述的实施例。
图1是根据本发明实施例的有机层沉积装置的示意图。参照图1，有机层沉积装置包括装载单元710、沉积单元730、卸载单元720、第一运送单元610和第二运送单元620。
在一个实施例中，装载单元710可包括第一支架712、运输机器人714、运输室716和第一倒置室718。
其上未涂覆沉积材料的多个基底500堆叠在第一支架712上。运输机器人714从第一支架712拾取基底500中的一个，将其放置在由第二运送单元620传送的静电吸盘600上，然后将其上具有基底500的静电吸盘600移动至运输室716中。
第一倒置室718与运输室716相邻设置。在一个实施例中，设置在第一倒置室718中的第一倒置机器人719将其上具有基底500的静电吸盘600倒置，然后将吸盘其装载到沉积单元730的第一运送单元610上。
参照图2，在一个实施例中，静电吸盘600可包括嵌入在由陶瓷形成的主体601中的电极602，其中，对电极602供电。当对电极602施加高电压时，基底500附于主体601的表面上。
参照图1，运输机器人714将基底500中的一个放置在静电吸盘600的上表面上，然后其上放置有基底500的静电吸盘600被装载到运输室716中。第一倒置机器人719将静电吸盘600倒置，使得在沉积单元730中基底500被翻转成面朝下。
在一个实施例中，卸载单元720被构成为以与上述的装载单元710的操作方式相反的方式进行操作。在一个实施例中，第二倒置室728中的第二倒置机器人729将已经穿过沉积单元730的其上具有基底500的静电吸盘600倒置，然后使其上具有基底500的静电吸盘600移动至喷射室726中。然后，喷射机器人724将其上具有基底500的静电吸盘600从喷射室726移开，将基底500与静电吸盘600分离，随后将基底500装载在第二支架722上。与基底500分离的静电吸盘600经第二运送单元620返回至装载单元710。
然而，本发明不限于上面的描述。例如，在另一实施例中，当基底500最初被放置在静电吸盘600上时，基底500可被固定在静电吸盘600的底表面上，然后被移动至沉积单元730中。在这种情况下，例如，不需要第一倒置室718和第一倒置机器人719以及第二倒置室728和第二倒置机器人729。
沉积单元730可包括至少一个沉积室。参照图1，沉积单元730可包括第一室731，第一至第四有机层沉积组件100、200、300和400设置在第一室731中。尽管图1示出了总共四个有机层沉积组件（即，第一至第四有机层沉积组件100至400）安装在第一室731中，但是例如根据沉积材料和沉积条件，可安装在第一室731中的有机层沉积组件的总数量可改变。第一室731在沉积工艺期间保持在真空状态下。
在第一实施例中，其上具有基底500的静电吸盘600可通过第一运送单元610被至少移动至沉积单元730，或者可被顺序移动至装载单元710、沉积单元730和卸载单元720。当基底500通过卸载单元720与静电吸盘600分离时，静电吸盘600通过第二运送单元620移回至装载单元710。
图3是根据本发明实施例的包括在图1中的有机层沉积装置中的第一运送单元610和第一有机层沉积组件100的透视图。图4是图3中的第一运送单元和第一有机层沉积组件的正视图。为了清晰的目的，在图3中未示出第一室731。图5是根据本发明实施例的包括在图1中的有机层沉积装置中的吸盘移动构件230和引导构件221的透视图。
参照图3至图5，有机层沉积装置包括第一运送单元610和第一有机层沉积组件100。
在一个实施例中，第一有机层沉积组件100包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案缝隙片150。沉积源110包括：坩埚111，填充有沉积材料115；加热器112，加热坩埚111以朝向沉积源喷嘴单元120蒸发容纳在坩埚111中的沉积材料115。沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的一侧。在一个实施例中，沉积源喷嘴单元120包括沿一方向（例如，Y轴方向）布置的多个沉积源喷嘴121。图案缝隙片150和框架155进一步设置在沉积源110和基底500之间。图案缝隙片150包括沿一方向（例如，X轴方向）布置的多个图案缝隙151。在一个实施例中，沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案缝隙片150可作为分开的单元形成在沉积单元730中。对此在后面进行进一步描述。
现在将更详细地描述第一运送单元610。
第一运送单元610通过利用吸盘移动构件230来移动固定基底500的静电吸盘600。在一个实施例中，第一运送单元610包括框架211、一个或多个片支撑单元215、引导构件221、第二磁力发生器240、线性运动（LM）引导件220和吸盘移动构件230。框架211包括下板213和上板217。片支撑单元215形成在框架211的内部。引导构件221形成在框架211上。第二磁力发生器240分别位于引导构件221的侧面。LM引导件220中的每个设置在引导构件221中的一个与吸盘移动构件230中的一个之间。吸盘移动构件230中的每个与静电吸盘600结合，并且包括被定位成分别与第二磁力发生器240对应的第一磁力发生器231中的一个。静电吸盘600和吸盘移动构件230可经夹具250而相互组合或相互分离。这将在下面进行更详细地描述。
框架211用作第一运送单元610的底座（base），并形成为具有大体上中空的盒子形状。下板213形成框架211的下表面，并且沉积源110可设置在下板213上。上板217形成框架211的上表面并可具有开口217a，在沉积源110中蒸发的沉积材料115可经开口217a穿过图案缝隙片150，然后沉积在基底500上。框架211的这些构件可被单独地制造，然后相互组合，或者可被一体地制造。
尽管未示出，但是其上设置有沉积源110的下板213可以以匣盒形状形成，从而下板213可与框架211分开。因此，可用另一沉积源容易地更换沉积源110。
每个片支撑单元215可从框架211的内侧表面突出并支撑图案缝隙片150。片支撑单元215可引导通过多个沉积源喷嘴121排出的沉积材料115直线移动（例如，不沿X轴方向流动）。尽管未示出，在另一实施例中，片支撑单元可从引导构件221的内侧表面突出并支撑图案缝隙片150。
在一个实施例中，引导构件221形成在上板217上。引导构件221被安装成使基底500穿过沉积单元730的第一室731。引导构件221形成为沿一个方向（例如，Y轴方向）伸长并在一个方向（例如，Y轴方向）上相互对称的一对引导构件。引导构件221提供吸盘移动构件230的移动路径。
在一个实施例中，引导构件221的上表面为大致平坦的表面，并且吸盘移动构件230分别设置在引导构件221上。LM引导件220的每个可设置在引导构件221中的一个和吸盘移动构件230中的一个之间，这里稍后对此进行进一步描述。
在一个实施例中，第二磁力发生器240中的每个设置在引导构件221中的一个引导构件的外侧表面上。第一磁力发生器231可分别设置在吸盘移动构件230上以对应于第二磁力发生器240。由于第一磁力发生器231和第二磁力发生器240产生的磁力，吸盘移动构件230在引导构件221上移动。
具体地讲，第一磁力发生器231中的每个设置在吸盘移动构件230中的一个吸盘移动构件的表面上，以与第二磁力发生器240中的一个对应。在每个第一磁力发生器231中，多个磁体2311在吸盘移动构件230的移动方向（例如，Y轴方向）上成行布置。在一个实施例中，每个磁体2311被布置成具有与相邻于其的磁体的极性不同的极性。在一个实施例中，如果磁体2311中的磁体231a具有朝向对应的第二磁力发生器240的N极，则磁体2311中的与磁体231a相邻的磁体231b具有朝向对应的第二磁力发生器240的S极，并且磁体2311中的与磁体231b相邻的磁体231c具有朝向对应的第二磁力发生器240的N极。即，在第一磁力发生器231中，磁体231a、231b和231c可成行布置以分别具有例如N极、S极和N极。
磁体2311可为电磁体、永磁体或超导磁体。
在一个实施例中，每个第二磁力发生器240可包括多个磁辊241、轴242和轴固定单元243。
在一个实施例中，每个磁辊241包括螺旋缠绕的多个磁体241a和241b。磁体241a和241b沿吸盘移动构件230的移动方向（例如，Y轴方向）缠绕。在一个实施例中，相邻的磁体241a和241b具有不同的极性。即，如果磁体241a具有朝向外侧的N极，则与磁体241a相邻的磁体241b具有朝向外侧的S极。
轴242连接多个磁辊241。多个磁辊241沿吸盘移动构件230的移动方向（例如，Y轴方向）设置成相互分隔开。轴242连接沿吸盘移动构件230的移动方向（例如，Y轴方向）布置的多个磁辊241。轴242将驱动单元（未示出）产生的驱动力传递给多个磁辊241。在一个实施例中，轴242的一端连接到驱动单元，驱动单元使轴242绕着沿轴242的长度方向（例如，Y轴方向）延伸的轴旋转。连接到轴242的多个磁辊241与轴242一起绕着沿轴242的长度方向（例如，Y轴方向）延伸的轴旋转。
轴固定单元243将轴242固定在对应的引导构件221的侧面。轴固定单元243具有通孔（未示出），轴242可穿过通孔并在通孔中旋转。轴固定单元243可与磁辊241设置为彼此隔开的位置所暴露的轴242结合，并且可设置在对应的引导构件221的外侧表面上。
每个LM引导件220可设置在吸盘移动构件230中的一个与引导构件221中的一个之间。在一个实施例中，LM引导件220包括成对的引导轨道223和成对的引导块225，其中，成对的引导轨道223中的每个设置在引导构件221中的一个引导构件的表面上，成对的引导块225中的每个设置在吸盘移动构件230中的一个吸盘移动构件的表面上。引导块225分别插入到引导轨道223中，并且在引导轨道223上往复移动。
成对的LM轨道可被用作成对的引导轨道223，成对的LM块可被用作成对的引导块225，从而形成LM系统。由于与传统的滑动引导系统相比，此LM系统具有低摩擦系数和低定位误差，所以此LM系统是提供非常高的定位精确度的传送系统。在本说明书中，不再提供对LM系统的详细描述。
现在将参照图5更详细地描述在引导构件221上移动的吸盘移动构件230的操作。
吸盘移动构件230由于第一磁力发生器231和第二磁力发生器240产生的磁力而在引导构件221上移动。在一个实施例中，每个第二磁力发生器240设置在对应的引导构件221的外侧表面上，并包括多个磁辊241和连接多个磁辊241的轴242。轴242连接到驱动单元并将驱动单元产生的旋转力传递至多个磁辊241。因此，磁辊241绕着沿轴242的长度方向（例如，Y轴方向）延伸的轴旋转。多个磁辊241包括如上所述的螺旋成形的磁体241a和241b。当磁辊241旋转时，磁体241a和241b产生电场，然后产生的电场螺旋移动。当电场移动时，包括磁体231a、231b和231c的吸盘移动构件230在引导构件221上移动。
图6是根据本发明另一实施例的包括在有机层沉积装置中的第一运送单元610'和第一有机层沉积组件100的透视图。图7是包括在图6中的有机层沉积装置中的第一运送单元610'的正视图。图8是包括在图6中的有机层沉积装置中的第一运送单元610'的侧视图。图9是包括在图6中的有机层沉积装置中的吸盘移动构件330和引导构件322的透视图。
参照图6至图8，根据本发明另一实施例的有机层沉积装置包括第一运送单元610'和第一有机层沉积组件100。
参照图6，有机层沉积组件100包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案缝隙片组件150。这些构件如以上参照图3所描述的，因此，将不再重复进一步的描述。
第一运送单元610'通过利用吸盘移动构件330来移动支撑基底500的静电吸盘600。在一个实施例中，第一运送单元610'包括框架211、一个或多个片支撑单元215、引导构件321、辅助引导构件322、第二磁力发生器331、LM引导件220和吸盘移动构件330。框架211包括下板213和上板217。片支撑单元215形成在框架211内。引导构件321和辅助引导构件322形成在框架211上。第二磁力发生器331分别位于辅助引导构件322上。每个LM引导件220设置在引导构件321中的一个与吸盘移动构件330中的一个之间。每个吸盘移动构件330与静电吸盘600结合，并包括定位成分别与第二磁力发生器331对应的第一磁力发生器340中的一个。下面更详细对此加以描述。
在一个实施例中，引导构件321可形成在上板217上，辅助引导构件322可分别形成在引导构件321的外侧表面上。引导构件321和辅助引导构件322安装成使基底500穿过图1中的沉积单元730的第一室731。引导构件321和辅助引导构件322形成为沿一个方向（例如，Y轴方向）伸长并在一个方向（例如，Y轴方向）上相互对称。引导构件321提供吸盘移动构件330的移动路径。第二磁力发生器331可分别形成在辅助引导构件322上。
在一个实施例中，引导构件321的上表面为大致平坦的表面，吸盘移动构件330分别设置在引导构件321上。每个LM引导件220可设置在引导构件321中的一个和吸盘移动构件330中的一个之间。这里稍后对此进一步予以描述。
辅助引导构件322可分别设置在引导构件321的外侧表面上。引导构件321和辅助引导构件322可被分开地或一体地制造。每个第二磁力发生器331可设置在辅助引导构件322中的一个辅助引导构件的表面上，以与第一磁力发生器340对应。每个第一磁力发生器340可设置在吸盘移动构件330中的一个上，以与第二磁力发生器331中的一个对应。吸盘移动构件330由于第一磁力发生器340和第二磁力发生器331产生的磁力而在引导构件321上移动。
在一个实施例中，每个第二磁力发生器331设置在辅助引导构件322中的一个辅助引导构件的表面上，以与第一磁力发生器340中的一个对应。在第二磁力发生器331的每个中，多个磁体3311沿吸盘移动构件330的移动方向（例如，Y轴方向）布置成行。在一个实施例中，每个磁体3311被布置成具有与相邻于其的磁体的极性不同的极性。在一个实施例中，如果磁体3311中的磁体331a具有朝向对应的第一磁力发生器340的N极，则磁体3311中的与磁体331a相邻的磁体331b具有朝向对应的第一磁力发生器340的S极，并且磁体3311中的与磁体331b相邻的磁体331c具有朝向对应的第一磁力发生器340的N极。即，在第二磁力发生器331中，磁体331a、331b和331c可成行布置，以分别具有例如N极、S极和N极。
磁体3311可为电磁体、永磁体或超导磁体。
在一个实施例中，每个第一磁力发生器340可包括多个磁辊341、轴342和轴固定单元343。
在一个实施例中，每个磁辊341包括螺旋缠绕的多个磁体341a和341b。磁体341a和341b沿吸盘移动构件330的移动方向（例如，Y轴方向）缠绕。在一个实施例中，相邻的磁体341a和341b具有不同的极性。即，如果磁体341a具有朝向外侧的N极，则与磁体341a相邻的磁体341b具有朝向外侧的S极。
轴342连接多个磁辊341。在一个实施例中，多个磁辊341被设置成沿吸盘移动构件330的移动方向（例如，Y轴方向）相互分隔开。轴342连接沿吸盘移动构件330的移动方向（例如，Y轴方向）布置的多个磁辊341。轴342将驱动单元360产生的驱动力传递给多个磁辊341。在一个实施例中，轴342的一端连接到驱动单元360，驱动单元360使轴342绕着沿轴342的长度方向（例如，Y轴方向）延伸的轴旋转。连接到轴342的多个磁辊341与轴342一起绕着沿轴342的长度方向（例如，Y轴方向）延伸的轴旋转。
轴固定单元343将轴342固定在对应的吸盘移动构件330的一侧。轴固定单元343具有通孔（未示出），轴342可穿过通孔并在通孔中旋转。轴固定单元343可与在彼此分开设置的相邻的磁辊341之间暴露的轴342结合，并且可设置在对应的吸盘移动构件330的表面（例如，下表面）上。
每个LM引导件220可设置在吸盘移动构件330中的一个和引导构件321中的一个之间。在一个实施例中，LM引导件220包括成对的引导轨道223和成对的引导块225，其中，成对的引导轨道223中的每个设置在引导构件321中的一个引导构件的一个表面上，成对的引导块225中的每个设置在吸盘移动构件330中的一个吸盘移动构件的一个表面上。引导块225分别插入到引导轨道223中，并在引导轨道223上往复移动。成对的LM轨道可用作成对的引导轨道223，成对的LM块可用作成对的引导块225，从而形成LM系统。由于与传统的滑动引导系统相比，此LM系统具有低摩擦系数和低定位误差，所以此LM系统是提供非常高的定位精确度的传送系统。在本说明书中，不再提供对LM系统的详细描述。
现在将参照图9更详细地描述在引导构件321上移动的吸盘移动构件330的操作。
吸盘移动构件330由于第一磁力发生器340和第二磁力发生器331产生的磁力而在引导构件321上移动。在一个实施例中，每个第一磁力发生器340设置在对应的吸盘移动构件330的一个表面上，并包括多个磁辊341、连接多个磁辊341的轴342和产生旋转力的驱动单元360。轴342连接到驱动单元360并将驱动单元360产生的旋转力传递至多个磁辊341。因此，磁辊341绕着沿轴342的长度方向（例如，Y轴方向）延伸的轴旋转。当磁辊341旋转时，磁体341a和341b产生电场，然后产生的电场螺旋移动。当电场移动时，吸盘移动构件330在包括磁体331a、331b和331c的辅助引导构件322和引导构件321上移动。
在图6至图9中示出的有机层沉积装置中，驱动单元360附于吸盘移动构件330，因此可独立地控制吸盘移动构件330。此外，多个磁体331a、331b和331c在辅助引导构件322上成行布置，因此，吸盘移动构件330可在引导构件321上稳定地移动。
参照图10至图12，根据本发明实施例的有机层沉积装置的有机层沉积组件700包括沉积源110、沉积源喷嘴单元702、阻挡板组件130和图案缝隙片150。
尽管为了清晰的目的，在图10至图12中未示出室，但是有机层沉积组件700的组件可设置在保持在适当的真空度下的室内。室保持在适当的真空度下，从而使沉积材料115沿基本上直线移动穿过有机层沉积组件700。
在室中，由静电吸盘600传送作为沉积目标基底的基底500，例如图1所示。基底500可为用于平板显示器的基底。可使用用于制造多个平板显示器的大基底（例如，母玻璃）作为基底500。然而，也可以采用其它基底。
在一个实施例中，基底500可相对于有机层沉积组件700移动。例如，在一个实施例中，如图10所示，基底500可相对于有机层沉积组件700沿箭头A的方向移动。
在使用精细金属掩模（FMM）的传统沉积方法中，FMM的尺寸不得不大于或等于基底的尺寸。因此，FMM的尺寸不得不随着基底的变大而增大。然而，既不容易制造大的FMM也很难使FMM延伸成与精细图案精确地对齐。
为了解决这个问题，在根据本发明实施例的有机层沉积组件700中，可在有机层沉积组件700和基底500中的至少一个相对于另一个移动的同时执行沉积。在一个实施例中，可在设置成面向有机层沉积组件700的基底500沿一方向（例如，Y轴方向）移动的同时连续执行沉积。即，可在基底500沿图10中的箭头A的方向移动的同时以扫描的方式执行沉积。尽管当执行沉积时，基底500被示出为沿Y轴方向在室（见图1中的室731）内移动，但是本发明实施例的多个方面不限于此。例如，在另一实施例中，当基底500被固定时，可在有机层沉积组件700沿Y轴方向移动的同时执行沉积。
因此，在有机层沉积组件700中，图案缝隙片150可明显小于在传统沉积方法中使用的FMM。在有机层沉积组件700中，在基底500沿Y轴方向移动的同时可连续（即，以扫描方式）执行沉积。因此，在一个实施例中，只要图案缝隙片150在X轴方向上的宽度和基底500在X轴方向上的宽度彼此基本相等，图案缝隙片150在Y轴方向上的长度可明显小于基底500的长度。然而，在另一实施例中，即使当图案缝隙片150在X轴方向上的宽度小于基底500在X轴方向上的宽度时，也可以在基底500或有机层沉积组件700相对于另一个移动的同时以扫描方式对整个基底500执行沉积。
如上所述，由于图案缝隙片150可形成为明显小于传统沉积方法中使用的FMM，所以制造图案缝隙片150是相对容易的。换言之，与使用较大的FMM的传统沉积方法相比，在包括蚀刻和其它后续处理（诸如精确延伸、焊接、移动和清洗处理）的全部处理中，使用小于传统沉积方法中使用的FMM的图案缝隙片150则更为方便。这在制造相对大的显示装置方面是有优势的。
为了如上所述在有机层沉积组件700或基底500相对另一个移动的同时执行沉积，有机层沉积组件700和基底500可相互分开一定的距离（例如，预定的距离）。对此将在后面进行进一步描述。
容纳并加热沉积材料115的沉积源110设置在室中的与设置基底500的一侧相对的一侧。
沉积源110包括填充有沉积材料115的坩埚111和加热坩埚111的加热器112。
沉积源喷嘴单元702设置在沉积源110的一侧，具体地讲，设置在沉积源110的面向基底500的一侧。在一个实施例中，沉积源喷嘴单元702包括多个沉积源喷嘴703，所述多个沉积源喷嘴703沿一方向（例如，X轴方向）以等间隔布置。在沉积源110中蒸发的沉积材料115朝向作为沉积目标基底的基底500穿过沉积源喷嘴单元702的沉积源喷嘴703。
阻挡板组件130设置在沉积源喷嘴单元702的一侧。在一个实施例中，阻挡板组件130包括多个阻挡板131和覆盖阻挡板131的侧面的阻挡板框架132。在一个实施例中，多个阻挡板131可沿X轴方向等间距地相互平行地布置。每个阻挡板131可平行于图10中的Y-Z面布置，并且可具有大体上矩形的形状。如上所述布置的多个阻挡板131将沉积源喷嘴单元702和图案缝隙片150之间的沉积空间划分成多个子沉积空间S。如图12所示，在有机层沉积组件700中，沉积空间被阻挡板131划分成分别与沉积源喷嘴703对应的子沉积空间S，其中，通过沉积源喷嘴703排放沉积材料115。
阻挡板131可分别设置在相邻的沉积源喷嘴703之间。换言之，每个沉积源喷嘴703可设置在两个相邻的阻挡板131之间。在一个实施例中，沉积源喷嘴703可分别位于两个相邻的阻挡板131之间的相应的中点处。然而，本发明不限于这种结构。例如，在另一实施例中，多个沉积源喷嘴703可设置在两个相邻的阻挡板131之间。在这种情况下，多个沉积源喷嘴703也可以分别位于两个相邻的阻挡板131之间的中点处。
由于如上所述，阻挡板131将沉积源喷嘴单元702和图案缝隙片150之间的沉积空间划分成多个子沉积空间S，所以通过每个沉积源喷嘴703排放的沉积材料115不与通过其它沉积源喷嘴703排放的沉积材料混合，并穿过多个图案缝隙151以沉积在基底500上。换言之，阻挡板131引导通过沉积源喷嘴703排放的沉积材料115直线移动，并且不沿X轴方向流动。
如上所述，通过安装阻挡板131强制沉积材料115直线移动，从而与不安装阻挡板的情况相比，减少了在基底500上形成的阴影区。因此，有机层沉积组件700和基底500可相互分开一定的距离（例如，预定的距离），如将在后面进一步所描述的。
图案缝隙片150和框架155设置在沉积源110和基底500之间。框架155的形状可近似于窗口框架。图案缝隙片150被束缚在框架155内。图案缝隙片150包括沿X轴方向布置的多个图案缝隙151。图案缝隙151沿Y轴方向延伸。在沉积源110中已经蒸发并穿过沉积源喷嘴703的沉积材料115朝向基底500穿过图案缝隙151。
在一个实施例中，图案缝隙片150可由金属薄膜形成并被固定到框架150上，从而张力被施加在图案缝隙片150上。可通过将图案缝隙片150蚀刻成条纹图案来形成图案缝隙151。图案缝隙151的数量可等于将形成在基底500上的沉积图案的数量。
阻挡板组件130和图案缝隙片150可设置成相互分开预定的距离。可选择地，阻挡板组件130和图案缝隙片150可通过连接构件135连接。
如上所述，根据本发明实施例的有机层沉积组件700在相对于基底500移动的同时执行沉积。为了使有机层沉积组件700相对于基底500移动，将图案缝隙片150与基底500分开距离d（例如，预定的距离）（见图12）。另外，为了当图案缝隙片150和基底500被设置成彼此分开时防止或基本防止在基底500上形成相对大的阴影区，在沉积源喷嘴单元702和图案缝隙片150之间布置阻挡板131，以强制沉积材料115沿直线方向移动。因此，可显著减小会在基底500上形成的阴影区的尺寸。
在使用FMM的传统沉积方法中，为了防止在基底上形成阴影区，利用与基底紧密接触的FMM执行沉积。然而，当使用与基底紧密接触的FMM时，这种接触会导致缺陷，诸如形成在基底上的图案上的划痕。另外，在传统的沉积方法中，由于掩模不能相对于基底移动，所以掩模的尺寸不得不与基底的尺寸相同。因此，掩模的尺寸不得不随着显示装置的变大而增大。然而，不容易制造这么大的掩模。
为了解决这个问题，在根据本发明实施例的有机层沉积组件700中，图案缝隙片150设置成与基底500分开距离d（例如，预定的距离）。通过安装阻挡板131可有助于减小将在基底500上形成的阴影区的尺寸。
如上所述，根据本发明的实施例，掩模形成为小于基底，并且在掩模相对于基底移动的同时执行沉积。因此，可容易制造这种掩模。另外，可防止或基本防止在传统沉积方法中出现的由于基底和掩模之间的接触而导致的缺陷。此外，由于在沉积处理过程中不是必须将掩模设置成与基底紧密接触，所以可缩短制造时间。
在一个实施例中，包括在有机层沉积组件700中的沉积源110、沉积源喷嘴单元702和图案缝隙片150不是一体形成的，而是分开地包括在图1中的沉积单元730中。因此，沉积源110可容易附于有机层沉积组件700并容易从有机层沉积组件700拆卸，以用沉积材料115填充沉积源110，清洗图案缝隙片150或用另一图案缝隙片更换图案缝隙片150。
图13是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件800的示意性透视图。参照图13，有机层沉积组件800包括沉积源110、沉积源喷嘴单元702、第一阻挡板组件130、第二阻挡板组件840和图案缝隙片150。在一个实施例中，沉积源110、第一阻挡板组件130和图案缝隙片150具有与以上参照图10所描述的结构相同或相似的结构，因此，将不再重复对它们的进一步描述。有机层沉积组件800与以上参照图10所描述的有机层沉积组件700的不同之处在于第二阻挡板组件840设置在第一阻挡板组件130的一侧。
在一个实施例中，第二阻挡板组件840包括多个第二阻挡板841和第二阻挡板框架842，第二阻挡板框架842覆盖多个第二阻挡板841的侧面。在一个实施例中，多个第二阻挡板841可沿X轴方向等间隔地相互平行地设置。另外，多个第二阻挡板841中的每个可形成为在图13中的Y-Z面（即，垂直于X轴方向）延伸。
如上所述布置的多个第一阻挡板131和多个第二阻挡板841划分沉积源喷嘴单元702和图案缝隙片150之间的沉积空间。多个第一阻挡板131和多个第二阻挡板841将沉积空间划分成分别对应于沉积源喷嘴703的子沉积空间，其中，通过沉积源喷嘴703排放沉积材料115。
多个第二阻挡板841可设置成分别对应于多个第一阻挡板131。换言之，多个第二阻挡板841可分别相对于多个第一阻挡板131对齐。即，每对相应的第一阻挡板131和第二阻挡板841可位于同一平面上。多个第一阻挡板131和多个第二阻挡板841分别被示出为在X轴方向上具有基本相同的厚度，但是本发明实施例的多个方面不限于此。在一个实施例中，与图案缝隙151精确对齐的第二阻挡板841可形成为相对薄，而不需要与图案缝隙151精确对齐的第一阻挡板131可形成为相对厚。这使得制造有机层沉积组件800较为容易。
图14是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件900的示意性透视图。参照图14，有机层沉积组件900包括沉积源910、沉积源喷嘴单元920和图案缝隙片950。
沉积源910包括坩埚911和加热器912，坩埚911填充有沉积材料915，加热器912加热坩埚911以朝向沉积源喷嘴单元920蒸发容纳在坩埚911中的沉积材料915。沉积源喷嘴单元920设置在沉积源910的一侧。沉积源喷嘴单元920包括沿一方向（例如，Y轴方向）布置的多个沉积源喷嘴921。图案缝隙片950和框架955进一步设置在沉积源910和基底500之间。图案缝隙片950包括沿一方向（例如，X轴方向）布置的多个图案缝隙951。在一个实施例中，沉积源910和沉积源喷嘴单元920可通过连接构件935连接到图案缝隙片950。
有机层沉积组件900在包括在沉积源喷嘴单元920中的多个沉积源喷嘴921的布置方面不同于前面描述的实施例。对此将在下面进行更详细的描述。
沉积源喷嘴单元920设置在沉积源910的一侧，具体地讲，设置在沉积源910的面向基底500的一侧。在一个实施例中，沉积源喷嘴单元920包括多个沉积源喷嘴921，所述多个沉积源喷嘴921可沿Y轴方向（即，基底500的扫描方向）等间隔布置。在沉积源910中蒸发的沉积材料915朝向作为沉积目标基底的基底500穿过沉积源喷嘴单元920。如上所述，当沉积源喷嘴单元920包括沿Y轴方向（即，基底500的扫描方向）布置的多个沉积源喷嘴921时，由于只有沿X轴方向的一排沉积源喷嘴921，所以由通过图案缝隙片950的多个图案缝隙951中的每个所排放的沉积材料915形成的图案的尺寸受多个沉积源喷嘴921中的沉积源喷嘴的尺寸的影响。因此，可防止或基本防止在基底500上形成阴影区。另外，由于多个沉积源喷嘴921沿基底500的扫描方向布置，所以即使沉积源喷嘴921之间的流量存在差异，也可以补偿这种差异并可保持沉积均匀性恒定。此外，有机层沉积组件900不包括如图10中所示出的阻挡板组件，从而提高了沉积材料915的利用率。
图15是根据本发明实施例的通过使用有机层沉积装置制造的有源矩阵有机发光显示装置10的剖视图。参照图15，有源矩阵有机发光显示装置10形成在基底30上，例如，基底30可为图1中的基底500。例如，基底30可由诸如玻璃、塑料或金属的透明材料形成。在一个实施例中，诸如缓冲层的绝缘层31形成在基底30的整个表面上。
参照图15，薄膜晶体管（TFT）40、电容器50和有机发光二极管（OLED）60设置在绝缘层31上。
在一个实施例中，半导体有源层41以预定的图案形成在绝缘层31上，并且栅极绝缘层32形成为覆盖半导体有源层41。半导体有源层41可包括p型或n型半导体材料。
TFT40的栅电极42形成在栅极绝缘层32的与半导体有源层41对应的区域中。层间绝缘层33形成为覆盖栅电极42。在一个实施例中，栅极绝缘层32和层间绝缘层33被蚀刻（例如，通过干蚀刻）以形成用于暴露半导体有源层41的部分的接触孔。
源/漏电极43形成在层间绝缘层33上以接触通过接触孔暴露的半导体有源层41。在一个实施例中，钝化层34形成为覆盖源/漏电极43，并被蚀刻为暴露漏电极43的一部分。额外的绝缘层（未示出）还可以形成在钝化层34上以使钝化层34平坦化。
当电流流过OLED60时，OLED60通过发射红光、绿光或蓝光来显示图像信息（例如，预定的图像信息）。OLED60包括设置在钝化层34上的第一电极61。第一电极61电连接到TFT40的漏电极43。
像素限定层35形成为覆盖第一电极61。开口形成在像素限定层35中，包括发射层（未示出）的有机层63形成在由开口限定的区域中。第二电极62形成在有机层63上。
限定相应像素的像素限定层35由有机材料形成。像素限定层35使基底30的形成有第一电极61的区域的表面平坦化，具体地讲，使钝化层34的表面平坦化。
第一电极61和第二电极62彼此绝缘，并且分别将极性相反的电压施加到包括发射层的有机层63以引起光发射。
有机层63可由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。如果使用低分子量有机材料，则有机层63可具有包括从由空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发射层（EML）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）组成的组中选择的至少一个的单层或多层结构。可用的有机材料的示例可包括铜钛菁（CuPc）、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺（NPB）、三-8-羟基喹啉铝（Alq3）等。
在形成有机层63之后，可根据与用于形成有机层63的沉积方法相同的沉积方法形成第二电极62。
第一电极61可用作阳极，第二电极62可用作阴极，或反之亦然。第一电极61可被图案化以与相应的像素区域对应，第二电极62可形成为覆盖全部像素。
第一电极61可形成为透明电极或反射电极。例如，透明电极可由氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）或氧化铟（In2O3）形成。例如，反射电极可通过由银（Ag）、镁（Mg）、铝（Al）、铂（Pt）、钯（Pd）、金（Au）、镍（Ni）、钕（Nd）、铱（Ir）、铬（Cr）或它们的化合物形成反射层，然后在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明电极层来形成。可通过形成层（例如，通过溅射），然后将该层图案化（例如，通过光刻）来形成第一电极61。
第二电极62也可以形成为透明电极或反射电极。当第二电极62形成为透明电极时，第二电极62用作阴极。可通过在有机层63的表面上沉积具有低逸出功的材料，然后在其上由ITO、IZO、ZnO、In2O3等形成辅助电极层或汇流电极线，从而形成透明电极，其中，具有低逸出功的材料例如为锂（Li）、钙（Ca）、氟化锂/钙（LiF/Ca）、氟化锂/铝（LiF/Al）、铝（Al）、银（Ag）、镁（Mg）或它们的化合物。当第二电极62形成为反射电极时，可通过在有机层63上沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物来形成反射层。可根据与用于形成有机层63的沉积方法相同的沉积方法来形成第二电极62。
根据本发明的上述实施例的有机层沉积装置可应用于形成有机TFT的有机层或无机层以及由各种材料形成层。
图16是示出根据本发明实施例的在有机层沉积组件的图案缝隙片150中以等间隔形成的图案缝隙151的俯视图。图17是示出根据本发明实施例的通过利用图16中的图案缝隙片150在基底500上形成的有机层的剖面图。
参照图16和图17，图案缝隙151以等间隔布置在图案缝隙片150中。即，参照图16，建立I1=I2=I3=I4的关系。
在这种情况下，沿子沉积空间SA的中心线C穿过的沉积材料具有基本垂直于基底500的入射角。因此，由穿过图案缝隙151a的沉积材料形成的有机层P1可具有包括相互对称的右侧阴影区SR1和左侧阴影区SL1的最小整体阴影区。
然而，穿过远离子沉积空间SA的中心线C的图案缝隙的沉积材料会具有较大的临界入射角θ，因此，在一个实施例中，穿过设置在基底500的端部区域处的图案缝隙151e的沉积材料会具有大约55°的临界入射角θe。因此，沉积材料进入以一定角度倾斜的图案缝隙151e，因此通过穿过图案缝隙151e形成有机层P5，其中，有机层P5具有左侧阴影区SL5比右侧阴影区SR5宽的最大整体阴影区。
换言之，沉积材料的临界入射角θ越大，有机层的整体阴影区越大，具体地讲，距离子沉积空间SA的中心线C越远的有机层的侧阴影区越大。另外，沉积材料的临界入射角θ在子沉积空间SA的中心线C与对应的图案缝隙之间的距离越大处变得越大。因此，子沉积空间SA的中心线C与图案缝隙之间的距离越大，由已经穿过该图案缝隙的沉积材料形成的有机层的整体阴影区越大，并且远离子沉积空间SA的中心线C的有机层的侧阴影区比越靠近中心线C的一侧的侧阴影区大。
换言之，参照图17，对于形成在子沉积空间SA的中心线C的左侧的有机层，其向左倾斜的一侧比其向右倾斜的一侧宽。相反，对于形成在子沉积空间SA的中心线C的右侧的有机层，其向右倾斜的一侧比其向左倾斜的一侧宽。
另外，在形成在子沉积空间SA的中心线C的左侧的有机层中，与其它有机层相比，位于距离中心线C更左的有机层的向右倾斜的一侧比向左倾斜的一侧宽。类似地，在形成在子沉积空间SA的中心线C的右侧的有机层中，与其它有机层相比，位于距离中心线C更右的有机层的向左倾斜的一侧比向右倾斜的一侧宽。此外，形成在子沉积空间SA中的有机层关于子沉积空间SA的中心线C对称。
沉积材料以临界入射角θb穿过图案缝隙151b以形成包括具有宽度SL2的左侧阴影区和具有宽度SR2的右侧阴影区的有机层P2。类似地，沉积材料以临界入射角θc穿过图案缝隙151c以形成包括具有宽度SL3的左侧阴影区和具有宽度SR3的右侧阴影区的有机层P3。类似地，沉积材料以临界入射角θd穿过图案缝隙151d以形成包括具有宽度SL4的左侧阴影区和具有宽度SR4的右侧阴影区的有机层P4。沉积材料以临界入射角θe穿过图案缝隙151e以形成包括具有宽度SL5的左侧阴影区和具有宽度SR5的右侧阴影区的有机层P5。
这里，建立了θb<θc<θd<θe的关系，因此，也满足了SL1<SL2<SL3<SL4<SL5的关系，其中，关系SL1<SL2<SL3<SL4<SL5限定了由已经穿过图案缝隙151的沉积材料形成的有机层的左侧阴影区的宽度之间的关系。
如上所述，根据本发明的多个方面的有机层沉积装置可以容易地制造，并可简单地应用于大尺寸显示装置的大规模生产。根据本发明实施例的有机层显示装置改进了基底移动的精确度，提高了生产产率和沉积效率。
尽管已经参照本发明的一些示例性实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员应该理解，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节上的各种改变。

Claims (32)

1.一种用于在基底上形成有机层的有机层沉积装置，所述有机层沉积装置包括：
沉积源，用于排放沉积材料；
沉积源喷嘴单元，布置在沉积源的一侧并包括多个沉积源喷嘴；
图案缝隙片，与沉积源喷嘴单元相对地布置并包括多个图案缝隙；
静电吸盘，基底能够附于静电吸盘并能够从静电吸盘拆卸；
吸盘移动构件，与静电吸盘组合并被构造为使静电吸盘移动；以及
引导构件，引导吸盘移动构件的移动，
其中，吸盘移动构件包括第一磁力发生器，
其中，引导构件包括与第一磁力发生器对应的第二磁力发生器，
其中，吸盘移动构件由于在第一磁力发生器和第二磁力发生器产生的磁力而能够在引导构件上移动，
其中，基底与图案缝隙片分隔开，并且基底和图案缝隙片中的至少一个能够相对于另一个移动，以及
其中，图案缝隙片在第一方向和垂直于第一方向的第二方向中的至少一个方向上小于基底。
2.根据权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，第一磁力发生器中的每个包括位于吸盘移动构件中的一个吸盘移动构件的表面上的多个磁体。
3.根据权利要求2所述的有机层沉积装置，其中，在磁体轨道中，磁体布置成行并且所述多个磁体中的相邻的磁体具有不同的极性。
4.根据权利要求2所述的有机层沉积装置，其中，所述多个磁体包括电磁体、永磁体或超导磁体。
5.根据权利要求2所述的有机层沉积装置，其中，第二磁力发生器中的每个包括：
多个磁辊，与磁体轨道分隔开；
轴，连接所述多个磁辊；和
轴固定单元，将轴固定在引导构件上，以使轴绕着沿轴的长度方向延伸的轴旋转。
6.根据权利要求5所述的有机层沉积装置，其中，所述多个磁辊包括沿轴的长度方向螺旋缠绕的多个磁体。
7.根据权利要求6所述的有机层沉积装置，其中，在所述多个磁辊中，相邻的磁体具有不同的极性。
8.根据权利要求5所述的有机层沉积装置，其中，当磁辊旋转时，磁辊产生的第一电场改变，以使吸盘移动构件在引导构件上移动，吸盘移动构件均包括磁体轨道。
9.根据权利要求5所述的有机层沉积装置，其中，第二磁力发生器中的每个还包括用于使轴旋转的驱动单元。
10.根据权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，第一磁力发生器中的每个包括：
多个磁辊；
轴，连接所述多个磁辊；和
轴固定单元，将轴固定在引导构件上，以使轴绕着沿轴的长度方向延伸的轴旋转。
11.根据权利要求10所述的有机层沉积装置，其中，所述多个磁辊包括沿轴的长度方向螺旋缠绕的多个磁体。
12.根据权利要求11所述的有机层沉积装置，其中，在所述多个磁辊中，相邻的磁体具有不同的极性。
13.根据权利要求10所述的有机层沉积装置，其中，第二磁力发生器中的每个包括位于吸盘移动构件的表面上的包括多个磁体的磁体轨道，所述多个磁辊与磁体轨道分隔开。
14.根据权利要求13所述的有机层沉积装置，其中，在磁铁轨道中，磁体布置成行，并且所述多个磁体中的相邻的磁体具有不同的极性。
15.根据权利要求13所述的有机层沉积装置，其中，所述多个磁体包括电磁体、永磁体或超导磁体。
16.根据权利要求13所述的有机层沉积装置，其中，当磁辊旋转时，磁辊产生的第一电场改变第二电场，并且第二电场改变，以使吸盘移动构件在引导构件上移动，吸盘移动构件均包括磁体轨道。
17.根据权利要求13所述的有机层沉积装置，其中，第一磁力发生器中的每个还包括用于使轴旋转的驱动单元。
18.根据权利要求17所述的有机层沉积装置，其中，驱动单元位于吸盘移动构件中的每个上，并且与相应的吸盘移动构件一起在相应的引导构件上移动。
19.根据权利要求1所述的有机层沉积装置，所述有机层沉积装置还包括位于每个吸盘移动构件与相应的引导构件之间的线性运动引导件。
20.根据权利要求19所述的有机层沉积装置，其中，线性运动引导件中的每个包括：
引导块，位于吸盘移动构件中的相应的吸盘移动构件上；
引导轨道，位于引导构件中的相应的引导构件上，
其中，引导块能够在引导轨道上移动。
21.根据权利要求1所述的有机层沉积装置，所述有机层沉积装置还包括：
装载单元，用于将基底附于静电吸盘上；和
卸载单元，用于从静电吸盘拆卸已经执行过沉积的基底。
22.根据权利要求1所述的有机层沉积装置，其中，沉积源喷嘴单元包括沿一个方向布置的多个沉积源喷嘴，并且图案缝隙片的所述多个图案缝隙沿垂直于所述一个方向的另一方向布置。
23.一种利用权利要求1中的有机层沉积装置制造的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基底；以及
至少一个有机层，通过利用所述有机层沉积装置形成在基底上，
其中，所述至少一个有机层具有线形图案。
24.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个有机层包括发射层。
25.根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个有机层包括从由空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层组成的组中选择的至少一层。
26.根据权利要求23所述的有机发光显示装置，其中，所述至少一个有机层具有非均匀的厚度。
27.一种包括至少一个有机层的有机发光显示装置，所述至少一个有机层具有非均匀的厚度并通过利用根据权利要求1所述的有机层沉积装置形成。
28.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
将基底固定在静电吸盘上；
将静电吸盘与吸盘移动构件组合；
通过使吸盘移动构件在引导构件上移动来将静电吸盘移动到室中；以及
通过使布置在室中的基底和有机层沉积组件中的至少一个相对于另一个移动来在基底上形成有机层，
其中，吸盘移动构件由于磁力而在引导构件上移动，
其中，基底与有机层沉积组件分隔开，以及
其中，有机层沉积组件的图案缝隙片在第一方向和垂直于第一方向的第二方向中的至少一个方向上小于基底。
29.根据权利要求28所述的方法，
其中，吸盘移动构件中的每个包括位于其表面上的第一磁力发生器，以及
其中，引导构件中的每个包括位于其表面上且与第一磁力发生器中的一个对应的第二磁力发生器。
30.根据权利要求29所述的方法，其中，第一磁力发生器中的每个包括多个磁体。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，第二磁力发生器中的每个包括：
多个磁辊，与磁体轨道分隔开；
轴，连接所述多个磁辊；和
轴固定单元，将轴固定在相应的引导轨道上，以使轴绕着沿轴的长度方向延伸的轴旋转。
32.根据权利要求31所述的方法，其中，使静电吸盘移动的步骤包括：
通过利用驱动单元产生驱动力，以使轴旋转，
其中，当轴旋转时，磁辊旋转以产生第一电场，并且吸盘移动构件由于第一电场和磁体之间的磁力而在引导构件上移动。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107437522A (zh) * 2017-07-24 2017-12-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 传送装置、基板离子植入系统以及方法
CN109055898A (zh) * 2018-09-29 2018-12-21 汪玉洁 一种薄膜蒸镀装置
CN109154066A (zh) * 2016-05-18 2019-01-04 应用材料公司 用于运输沉积源的设备和方法
CN110777332A (zh) * 2018-07-31 2020-02-11 佳能特机株式会社 静电吸盘系统、成膜装置和方法、吸附方法及电子器件的制造方法
CN115480457A (zh) * 2016-12-30 2022-12-16 谷歌有限责任公司 补偿电路元件中的沉积不均匀性

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8882920B2 (en) * 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR102013318B1 (ko) * 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102081254B1 (ko) * 2013-07-09 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 금속 마스크 고정 장치
KR102149657B1 (ko) 2013-10-08 2020-08-31 주식회사 선익시스템 대면적 박막 증착장치
KR102203100B1 (ko) * 2013-10-30 2021-01-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108950475B (zh) * 2018-07-25 2020-11-10 京东方科技集团股份有限公司 张网结构、张网装置及张网方法
CN112452650A (zh) * 2020-11-09 2021-03-09 南京欧汉智能设备有限公司 连续作业式防拉丝点胶机器人整机
CN112452648B (zh) * 2020-11-09 2021-12-07 深圳市物新智能科技有限公司 滚动式防拉丝点胶机器人
JP7177130B2 (ja) * 2020-11-30 2022-11-22 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び足場ユニット

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4468648A (en) * 1982-10-15 1984-08-28 Mamoru Uchikune Switchable permanent magnetic chuck
US5641054A (en) * 1992-07-07 1997-06-24 Ebara Corporation Magnetic levitation conveyor apparatus
CN101024875A (zh) * 2006-01-27 2007-08-29 佳能株式会社 有机化合物的汽相沉积系统及汽相沉积方法
US20080298947A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Lg Display Co., Ltd. Apparatus for transferring substrates
CN102005541A (zh) * 2009-08-27 2011-04-06 三星移动显示器株式会社 薄膜沉积设备和制造有机发光显示设备的方法

Family Cites Families (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125279B2 (ja) 1991-02-25 2001-01-15 東海カーボン株式会社 真空蒸着用黒鉛ルツボ
JP2572861Y2 (ja) 1991-05-13 1998-05-25 テイエチケー株式会社 直線運動用スライドユニット
KR0151312B1 (ko) 1995-07-27 1998-10-15 배순훈 2열종대로 공급되는 부품의 역방향 피딩 장치
CH691680A5 (de) 1996-10-15 2001-09-14 Unaxis Deutschland Gmbh Transportvorrichtung für Werkstücke in einer Vakuumanlage.
US6274198B1 (en) 1997-02-24 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Shadow mask deposition
KR100257219B1 (ko) 1997-10-23 2000-05-15 박용관 가스배관용 폴리에틸렌 밸브의 개폐 안전 구동장치 및 그 방법
US6206176B1 (en) * 1998-05-20 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle having a magnetic drive
JP2000068054A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子の製造方法
KR20000019254A (ko) 1998-09-08 2000-04-06 석창길 화학 기상 증착 장치의 박막 두께 균일도 개선을 위한 장치
JP2001052862A (ja) 1999-08-04 2001-02-23 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法と装置
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
WO2001030404A1 (en) 1999-10-29 2001-05-03 E. One Co., Ltd. Scent diffusion apparatus and method thereof
KR100302159B1 (ko) 1999-10-29 2001-09-22 최중호 향발생장치 및 방법
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100653515B1 (ko) 1999-12-30 2006-12-04 주식회사 팬택앤큐리텔 이동통신 시스템의 단말기
JP4268303B2 (ja) * 2000-02-01 2009-05-27 キヤノンアネルバ株式会社 インライン型基板処理装置
KR20020000201A (ko) 2000-06-23 2002-01-05 최승락 레이저와 기상을 이용한 엘씨디 세정 방법
JP2002175878A (ja) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
KR100726132B1 (ko) 2000-10-31 2007-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US6468496B2 (en) 2000-12-21 2002-10-22 Arco Chemical Technology, L.P. Process for producing hydrogen peroxide
KR100625403B1 (ko) 2000-12-22 2006-09-18 주식회사 하이닉스반도체 버추얼 채널 에스디램
KR100698033B1 (ko) 2000-12-29 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조 방법
KR100405080B1 (ko) 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법.
KR100463212B1 (ko) 2001-05-19 2004-12-23 주식회사 아이엠티 건식 표면 클리닝 장치
JP2003003250A (ja) 2001-06-22 2003-01-08 Alps Electric Co Ltd 真空蒸着重合装置及びこれを用いた有機被膜の形成方法
JP2003077662A (ja) 2001-06-22 2003-03-14 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置
KR100406059B1 (ko) 2001-06-22 2003-11-17 미래산업 주식회사 트레이 피더용 트랜스퍼
JP3705237B2 (ja) 2001-09-05 2005-10-12 ソニー株式会社 有機電界発光素子を用いた表示装置の製造システムおよび製造方法
TW591202B (en) 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
KR100430336B1 (ko) 2001-11-16 2004-05-03 정광호 양산용 유기 전계 발광소자의 제작장치
KR100450978B1 (ko) 2001-11-26 2004-10-02 주성엔지니어링(주) 정전척
US20030101937A1 (en) 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US20030168013A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
JP2003297562A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法
US6749906B2 (en) 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US20030232563A1 (en) 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
JP4030350B2 (ja) 2002-05-28 2008-01-09 株式会社アルバック 分割型静電吸着装置
JP4292777B2 (ja) 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
KR100908232B1 (ko) 2002-06-03 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
CN100464440C (zh) 2002-06-03 2009-02-25 三星移动显示器株式会社 用于有机电致发光装置的薄层真空蒸发的掩模框组件
MY164487A (en) 2002-07-11 2017-12-29 Molecular Imprints Inc Step and repeat imprint lithography processes
JP2004043898A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
KR100397196B1 (ko) 2002-08-27 2003-09-13 에이엔 에스 주식회사 유기 반도체 장치의 유기물질 증착원 장치 및 그 방법
JP2004103269A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2004103341A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
JP4139186B2 (ja) 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
JP2004143521A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
JP2004183044A (ja) 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP2004199919A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR100646160B1 (ko) 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
US20040144321A1 (en) 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
JP3966292B2 (ja) 2003-03-27 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
JP2004342455A (ja) 2003-05-15 2004-12-02 Tokki Corp フラットパネルディスプレイ製造装置
US6995035B2 (en) 2003-06-16 2006-02-07 Eastman Kodak Company Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
WO2005004229A1 (ja) 2003-07-08 2005-01-13 Future Vision Inc. 基板ステージ用静電チャック及びそれに用いる電極ならびにそれらを備えた処理システム
US6837939B1 (en) 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
JP2005044592A (ja) 2003-07-28 2005-02-17 Toyota Industries Corp 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置
KR100520159B1 (ko) 2003-11-12 2005-10-10 삼성전자주식회사 다중 안테나를 사용하는 직교주파수분할다중 시스템에서간섭신호 제거 장치 및 방법
JP2005213616A (ja) 2004-01-30 2005-08-11 Pioneer Electronic Corp 蒸着方法および装置ならびにプラズマディスプレイパネルの製造方法
JP4441282B2 (ja) 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 蒸着マスク及び有機ｅｌ表示デバイスの製造方法
JP2005235568A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Seiko Epson Corp 蒸着装置及び有機ｅｌ装置の製造方法
JP2005293968A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2005296737A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Mikuni Corp ビートプレート
JP4455937B2 (ja) 2004-06-01 2010-04-21 東北パイオニア株式会社 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
KR20060008602A (ko) 2004-07-21 2006-01-27 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착 방법
KR100579406B1 (ko) 2004-08-25 2006-05-12 삼성에스디아이 주식회사 수직 이동형 유기물 증착 장치
KR101070539B1 (ko) 2004-09-08 2011-10-05 도레이 카부시키가이샤 증착 마스크 및 이를 사용한 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
US7821199B2 (en) 2004-09-08 2010-10-26 Toray Industries, Inc. Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
TWI447840B (zh) 2004-11-15 2014-08-01 尼康股份有限公司 基板搬運裝置、基板搬運方法以及曝光裝置
US20060102078A1 (en) * 2004-11-18 2006-05-18 Intevac Inc. Wafer fab
KR100700641B1 (ko) 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치, 패터닝 방법 및 그를 이용한 레이저열전사 패터닝 방법과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법
KR20060073367A (ko) 2004-12-24 2006-06-28 엘지전자 주식회사 클리닝룸의 유기물 처리장치
KR100796148B1 (ko) 2005-01-05 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 수직이동형 증착시스템
KR100645719B1 (ko) 2005-01-05 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 물질증착용 증착원 및 이를 구비한 증착장치
KR100600357B1 (ko) 2005-01-05 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 증착시스템용 증착원의 구동축 밀폐장치 및 이를 구비한증착시스템
JP4384109B2 (ja) 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム
KR20060083510A (ko) 2005-01-17 2006-07-21 삼성전자주식회사 결함성 부산물들을 제거하는 포토마스크 장비
US7918940B2 (en) 2005-02-07 2011-04-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
KR100719314B1 (ko) 2005-03-31 2007-05-17 세메스 주식회사 기판 이송 장치 및 기판 상에 유기 박막을 증착하는 장치
KR100687007B1 (ko) 2005-03-22 2007-02-26 세메스 주식회사 유기전계 발광 소자 제조에 사용되는 유기 박박 증착 장치
JP2006275433A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 吸収式小型冷却及び冷凍装置
KR100637714B1 (ko) 2005-03-31 2006-10-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100773249B1 (ko) 2005-04-18 2007-11-05 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 형성용 마스크
EP1717339A2 (de) 2005-04-20 2006-11-02 Applied Films GmbH & Co. KG Kontinuierliche Beschichtungsanlage
JP4701815B2 (ja) 2005-04-26 2011-06-15 株式会社アルバック 成膜装置
CN100481369C (zh) 2005-04-28 2009-04-22 信越工程株式会社 静电夹盘装置
JP2006318837A (ja) 2005-05-16 2006-11-24 Hitachi Displays Ltd 有機電界発光素子及び有機電界発光装置
KR100797787B1 (ko) 2005-06-03 2008-01-24 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 건식세정시스템
KR101174154B1 (ko) 2005-06-13 2012-08-14 엘지디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치
JP4655812B2 (ja) 2005-08-08 2011-03-23 カシオ計算機株式会社 楽音発生装置、及びプログラム
TWI414618B (zh) 2005-08-26 2013-11-11 尼康股份有限公司 A holding device, an assembling system, a sputtering device, and a processing method and a processing device
US8070145B2 (en) 2005-08-26 2011-12-06 Nikon Corporation Holding unit, assembly system, sputtering unit, and processing method and processing unit
KR100711885B1 (ko) 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
KR20070035796A (ko) 2005-09-28 2007-04-02 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자의 제조장치
KR101254335B1 (ko) 2005-11-29 2013-04-12 황창훈 금속판 벨트 증발원을 이용한 선형 유기소자 양산장비
KR100741142B1 (ko) 2005-11-29 2007-07-23 주식회사 알파로보틱스 복수의 테이블을 가진 리니어 가이드 장치
KR100696547B1 (ko) 2005-12-09 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 증착 방법
JP5064810B2 (ja) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
KR20070080635A (ko) 2006-02-08 2007-08-13 주식회사 아바코 유기물증발 보트
KR100994505B1 (ko) 2006-03-06 2010-11-15 엘아이지에이디피 주식회사 바이폴라 전극 패턴이 형성된 정전 척
KR20070105595A (ko) 2006-04-27 2007-10-31 두산메카텍 주식회사 유기박막 증착장치
KR101264329B1 (ko) 2006-07-18 2013-05-14 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 그를 이용한 기판 정렬 방법
US7835001B2 (en) 2006-05-24 2010-11-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of aligning a substrate, mask to be aligned with the same, and flat panel display apparatus using the same
KR100770653B1 (ko) 2006-05-25 2007-10-29 에이엔 에스 주식회사 박막형성용 증착장치
KR101248004B1 (ko) 2006-06-29 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 증착 스템과, 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100800125B1 (ko) 2006-06-30 2008-01-31 세메스 주식회사 유기발광소자 증착장비의 소스셔터 및 기판 제어방법
KR100980729B1 (ko) 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 증착 공정용 다중 노즐 증발원
JP2008019477A (ja) 2006-07-13 2008-01-31 Canon Inc 真空蒸着装置
KR100723627B1 (ko) 2006-08-01 2007-06-04 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치의 증발원
KR100815265B1 (ko) 2006-08-28 2008-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 마이크로 히터 및 도가니 제조 방법, 그리고 이들을 구비한유기물 진공 증착 장치
KR100823508B1 (ko) 2006-10-19 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 구비한 증착 장치
KR100839380B1 (ko) 2006-10-30 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 진공 증착 장치
JP4768584B2 (ja) 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
KR20080046761A (ko) 2006-11-23 2008-05-28 엘지디스플레이 주식회사 기판이송장치 및 이를 구비하는 박막 형성 장치
US20080131587A1 (en) 2006-11-30 2008-06-05 Boroson Michael L Depositing organic material onto an oled substrate
JP2008153543A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Shinko Electric Ind Co Ltd 静電チャック
KR20080060400A (ko) 2006-12-27 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생장치의 제조 방법
KR20080061132A (ko) 2006-12-28 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기막 증착 장치
KR20080062212A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
KR100899279B1 (ko) 2007-01-26 2009-05-27 창원대학교 산학협력단 상면 평판냉각기와 측면 열유도판을 결합한 리니어모터의 냉각장치
KR101403328B1 (ko) 2007-02-16 2014-06-05 엘아이지에이디피 주식회사 돌기 모양의 전극 패턴을 가지는 바이폴라 정전척 및 이를이용한 기판 처리 방법
KR101409524B1 (ko) 2007-05-28 2014-06-20 엘지디스플레이 주식회사 기판 이송 장치
JP5081516B2 (ja) 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
JP4889607B2 (ja) 2007-09-10 2012-03-07 株式会社アルバック 供給装置、蒸着装置
KR20090038733A (ko) 2007-10-16 2009-04-21 주식회사 실트론 Ｓｏｉ 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법 및이를 위한 열처리 장치
JP5280667B2 (ja) 2007-11-08 2013-09-04 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び蒸着マスクのクリーニング方法
KR20100103493A (ko) * 2007-12-06 2010-09-27 인테벡, 인코포레이티드 패터닝된 미디어의 상업적 제조를 위한 시스템 및 방법
KR20090062088A (ko) 2007-12-12 2009-06-17 삼성전자주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조방법
KR100979189B1 (ko) 2007-12-20 2010-08-31 다이나믹솔라디자인 주식회사 연속 기판 처리 시스템
KR20090079765A (ko) 2008-01-17 2009-07-22 이태환 중력을 이용한 동력발생장치
KR101415551B1 (ko) 2008-01-25 2014-07-04 (주)소슬 정전척, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101352567B1 (ko) 2008-03-04 2014-01-24 삼성테크윈 주식회사 리니어 이송 스테이지 장치
KR100994114B1 (ko) 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 방법
KR101487382B1 (ko) 2008-10-22 2015-01-29 주식회사 원익아이피에스 인라인 반도체 제조시스템
KR101017654B1 (ko) 2008-11-26 2011-02-25 세메스 주식회사 기판 척킹 부재, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판 처리 방법
KR101542398B1 (ko) 2008-12-19 2015-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
KR101067709B1 (ko) 2009-05-28 2011-09-28 주식회사 태성기연 자기부상방식 판유리 이송장치
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP4745447B2 (ja) 2010-02-04 2011-08-10 キヤノンアネルバ株式会社 基板搬送装置及び真空処理装置
KR100965416B1 (ko) 2010-03-12 2010-06-24 엘아이지에이디피 주식회사 다중 전극 패턴을 가지는 정전척

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4468648A (en) * 1982-10-15 1984-08-28 Mamoru Uchikune Switchable permanent magnetic chuck
US5641054A (en) * 1992-07-07 1997-06-24 Ebara Corporation Magnetic levitation conveyor apparatus
CN101024875A (zh) * 2006-01-27 2007-08-29 佳能株式会社 有机化合物的汽相沉积系统及汽相沉积方法
US20080298947A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Lg Display Co., Ltd. Apparatus for transferring substrates
CN102005541A (zh) * 2009-08-27 2011-04-06 三星移动显示器株式会社 薄膜沉积设备和制造有机发光显示设备的方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109154066A (zh) * 2016-05-18 2019-01-04 应用材料公司 用于运输沉积源的设备和方法
CN109154066B (zh) * 2016-05-18 2019-09-13 应用材料公司 用于运输沉积源的设备和方法
CN115480457A (zh) * 2016-12-30 2022-12-16 谷歌有限责任公司 补偿电路元件中的沉积不均匀性
CN115480457B (zh) * 2016-12-30 2024-03-12 谷歌有限责任公司 补偿电路元件中的沉积不均匀性
CN107437522A (zh) * 2017-07-24 2017-12-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 传送装置、基板离子植入系统以及方法
WO2019019313A1 (zh) * 2017-07-24 2019-01-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 传送装置、基板离子植入系统以及方法
CN110777332A (zh) * 2018-07-31 2020-02-11 佳能特机株式会社 静电吸盘系统、成膜装置和方法、吸附方法及电子器件的制造方法
CN110777332B (zh) * 2018-07-31 2023-06-27 佳能特机株式会社 静电吸盘系统、成膜装置和方法、吸附方法及电子器件的制造方法
CN109055898A (zh) * 2018-09-29 2018-12-21 汪玉洁 一种薄膜蒸镀装置
CN109055898B (zh) * 2018-09-29 2020-09-22 浙江环迪工贸有限公司 一种薄膜蒸镀装置

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