KR102081254B1 - 금속 마스크 고정 장치 - Google Patents

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Abstract

마스크 고정 장치는 제1 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 일 방향의 자기장 세기를 증가하는 자석 배열 구조(magnet array structure), 상기 자석 배열 구조상에 배치되는 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 배치되는 금속 마스크(metal mask)를 포함한다. 따라서, 자기장의 세기가 증가한다.

Description

금속 마스크 고정 장치{APPARATUS FOR FIXING METAL MASK}
본 발명은 금속 마스크 고정 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 자석 배열 구조를 이용하는 금속 마스크 고정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 또는 유기 발광소자 등의 제작과정에 있어서, 기판 위에 박막을 제조하는 경우에는, 기판 홀더에 상기 기판을 부착한 후에, 증발원과 상기 기판 사이에 원하는 형태의 개구부를 가진 쉐도우 마스크를 위치시킨다. 그 다음으로, 증착 또는 여러 가지 방법을 이용하여 상기 기판 위에 일정한 패턴으로 박막을 제작하게 된다. 보통의 경우에 상기 쉐도우 마스크는 기판과 함께 기판 홀더에 부착되어 챔버에서 박막이 제작되게 된다.
고정 방법에는, 핀이나 클립 등을 이용하여 기판 홀더, 기판, 및 쉐도우 마스크의 양측면 등을 고정시키는 기계식 고정 방법과 쉐도우 마스크가 약한 자성을 띠는 물질임을 고려하여 영구자석이나 전자석을 이용하여 기판과 쉐도우 마스크를 고정시키는 자기식 고정 방법이 있다. 이 때, 영구자석 및 전자석의 불균일한 자력 분포 및 약한 자기장 세기로 인하여 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 자기장의 세기가 균일하면서, 자기장의 세기를 증가시키는 자석 배열 구조를 구비하는 금속 마스크 고정 장치를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 상술한 과제들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 금속 마스크 고정 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되며, 자기축이 서로 교차하는 방향으로 배열된 복수개의 자석들을 포함하는 자석 배열 구조(magnet array structure), 상기 자석 배열 구조상에 배치되는 제2 기판 및 상기 제2 기판 상에 배치되는 금속 마스크(metal mask)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 자석 배열 구조는 상기 제1 기판 상에서 순차적으로 배열된 제1 자석, 제2 자석, 제3 자석, 제4 자석 및 제5 자석을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 자석의 N극의 위치가 제1 방향, 상기 제2 자석의 N극의 위치가 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향, 상기 제3 자석의 N극의 위치가 상기 제2 방향과 교차하는 제3 방향, 상기 제4 자석의 N극의 위치가 상기 제1 방향 및 상기 제3 방향과 교차하는 제4 방향 및 상기 제5 자석의 N극의 위치가 상기 제1 방향을 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 자석의 상기 제4 방향으로 이격되어 배치되는 상기 제2 자석, 상기 제2 자석의 상기 제4 방향으로 이격되어 배치되는 상기 제3 자석, 상기 제3 자석의 상기 제4 방향으로 이격되어 배치되는 상기 제4 자석, 상기 제4 자석의 상기 제4 방향으로 이격되어 배치되는 상기 제5 자석을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 자석과 상기 제2 자석, 상기 제2 자석과 상기 제3 자석, 상기 제3 자석과 상기 제4 자석 및 상기 제4 자석과 상기 제5 자석의 이격된 거리는 동일할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 자석 배열 구조에서, 제1 자석, 제2 자석 및 제3 자석의 제3 방향 자기력선과 제2 자석 및 제4 자석의 제3 방향 자기력선의 방향은 서로 반대 방향이고, 상기 제3 방향의 자기력선을 모두 조합하면 상기 제3 방향의 자기장의 세기는 상쇄될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 자석 배열 구조에서, 제1 자석, 제2 자석 및 제3 자석의 제1 방향 자기력선과 제2 자석 및 제4 자석의 제1 방향 자기력선의 방향은 서로 동일한 방향이고, 상기 제1 방향의 자기력선을 모두 조합하면 상기 제1 방향의 자기장의 세기는 증가될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 자석, 상기 제2 자석, 상기 제3 자석, 상기 제4 자석 및 상기 제5 자석의 위치는 상기 제1 자석과 상기 제3 자석 및 상기 제3 자석과 상기 제5 자석의 상기 제1 방향의 자기장의 크기가 최대 값을 가질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 자석 배열 구조는 적어도 5개의 자석으로 구성할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 기판 및 상기 금속 마스크는 상기 자석 배열 구조의 자기장을 이용하여 상기 자석 배열 구조상에 부착될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 기판 및 상기 금속 마스크는 자성체(magnetic substance)일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 기판은 상기 금속 마스크의 패턴 영역 상에 증착 재료의 박막이 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 금속 마스크는 패턴 영역 및 프레임 영역을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 자석 배열 구조에 순차적으로 배열된 제2 자석, 제3 자석, 제4 자석, 제5 자석을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 자석들은 상기 자기축이 상기 제1 기판에 수직한 자석들 및 상기 자기축이 상기 제1 기판에 평행한 자석들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 기판에 수직한 자기축을 갖는 자석들과 상기 제1 기판에 수평한 자기축을 갖는 자석들은 서로 엇갈리게 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 기판에 수직한 자기축을 갖는 자석들의 상기 자기축들은 서로 엇갈리게 배치될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 기판에 수평한 자기축을 갖는 자석들의 상기 자기축들은 서로 엇갈리게 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 금속 마스크 고정 장치는 자석 배열 구조를 포함함으로써, 자기장의 세기를 균일하게 유지하면서 자기장의 세기를 증가시킬 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 다른 실시예에 따른 자석 구조를 구비한 금속 마스크 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 마스크 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 금속 마스크 고정 장치의 자석 배열 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 마스크 고정 장치에 다수의 자석 배열 구조를 갖는 금속 마스크 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4의 금속 마스크 고정 장치를 나타내는 평면도이다.
이하, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 금속 마스크 고정 장치에 대하여 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의해 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.
본 명세서에 있어서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이며, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접촉되어"있다고 기재된 경우, 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접촉되어 있을 수도 있지만, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 또한, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접촉되어"있다고 기재된 경우에는, 중간에 또 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해될 수 있다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 예를 들면, "~사이에"와 "직접 ~사이에" 또는 "~에 인접하는"과 "~에 직접 인접하는" 등도 마찬가지로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어는 단지 예시적인 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도는 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다", "구비하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지는 않는다.
제1, 제2및 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들면, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 다른 실시예에 따른 자석 구조를 구비한 금속 마스크 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 금속 마스크 고정 장치는 제1 기판(110), 자석 배열 구조(10), 제2 기판(210), 금속 마스크(230)를 포함할 수 있다. 제1 자석(120) 및 제3 자석(140)은 제1 기판(110) 상에 형성되고, 서로 이격되어 교차하며 배치될 수 있다. 제2 기판(210)은 자석 배열 구조(10) 상에 배치되고, 금속 마스크(230)는 제2 기판(210) 상에 배치된다. 자석 배열 구조(10)는 제1 자석(120), 제3 자석(140) 및 제5 자석(160)의 배열로 구성된다. 이러한 경우, 자기력선은 2가지 종류가 형성될 수 있다. 구체적으로, 자기력선(20)은 제1 자석(120)과 제3 자석(140)에 의해 형성되고, 자기력선(30)은 제3 자석(140)과 제5 자석(160)에 의해 형성된다. 자기력선(20) 및 자기력선(30)은 위쪽 방향과 아래쪽 방향의 자기력선을 동시에 형성된다.

마스크 두께(㎛)
부착력(N/m)

50
3.36

40
2.21

30
1.43

20
0.81
표 1은 도 1의 금속 마스크 고정 장치의 마스크 두께에 따른 부착력을 나타내는 표이다.
표 1을 참조하면, 금속 마스크(230)의 두께에 따라 자석 배열 구조(10)와 제2 기판(210) 및 제2 기판(210) 상에 배치되는 금속 마스크(230)의 부착력에 대해 나타내고 있다. 고해상도의 유기 전계 디스플레이를 제작함에 있어서, 금속 마스크(230)의 천공 영역이 작아지고 이에 따라, 그림자(shadow) 현상 발생을 줄이기 위해 금속 마스크(230)의 두께를 얇게 만들어야 한다.
표 1에 나타낸 봐와 같이, 금속 마스크(230)의 두께가 얇아질 경우, 자석 배열 구조(10)와 제2 기판(210) 및 제2 기판(210) 상에 배치되는 금속 마스크(230)의 상기 부착력은 감소할 수 있다. 실질적으로, 금속 마스크(230)의 두께가 50㎛에서 20㎛로 얇아지면 자석 배열 구조(10)와 제2 기판(210) 및 제2 기판(210) 상에 배치되는 금속 마스크(230)의 상기 부착력은 1/4로 감소하게 된다. 따라서, 금속 마스크(230)의 두께가 줄어들 경우 자석 배열 구조(10)보다 상기 부착력이 향상된 방법이 필요하다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 마스크 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 금속 마스크 고정 장치(100)는 제1 기판(110), 자석 배열 구조(magnet array structure)(200), 제2 기판(210) 및 금속 마스크(230)를 포함할 수 있다.
제1 기판(110)은 자성체(magnetic substance)로 제조될 수 있다. 예를 들면, 니켈(Ni) 기판 또는 내식성이 강한 서스(SUS: Steel use stainless) 기판 등을 포함할 수 있다. 제1 기판(110) 상에는 다수의 사각형 형태의 개구가 형성될 수 있다(도시하지 않음). 상기 다수의 사각형 개구에 다수의 영구 자석이 배치될 수 있다.
자석 배열 구조(200)는 제1 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 자석 배열 구조(200)는 5개의 영구자석을 포함할 수 있다. 자석 배열 구조(200)의 상기 5개의 영구자석은 제1 자석(120), 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150) 및 제5 자석(160)을 포함할 수 있다.
제1 자석(120)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제1 자석(120)의 N극의 방향은 제1 방향을 향할 수 있다. 제2 자석(130)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제1 자석(120)의 제4 방향으로 이격되어 배치되며, 제2 자석(130)의 N극의 방향은 제2 방향을 향할 수 있다. 제3 자석(140)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제2 자석(130)의 제4 방향으로 이격되어 배치되며, 제3 자석(140)의 N극의 방향은 제3 방향을 향할 수 있다. 제4 자석(150)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제3 자석(140)의 제4 방향으로 이격되어 배치되며, 제4 자석(150)의 N극의 방향은 제4 방향을 향할 수 있다. 제5 자석(160)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제4 자석(150)의 제4 방향으로 이격되어 배치되며, 제5 자석(160)의 N극의 방향은 제1 방향을 향할 수 있다.
이러한 경우, 자기력선은 2가지 종류가 형성될 수 있다. 구체적으로, 자기력선(250)은 제1 자석(120)의 N극에서 나와서 제3 자석(140)의 S극으로 들어가고, 자기력선(270)은 제5 자석(160)의 N극에서 나와서 제3 자석(140)의 S극으로 들어간다. 자기력선(250) 및 자기력선(270)은 제1 방향으로 향하는 자기력선을 형성한다. 결론적으로, 상기 제1 방향으로 향하는 자기력선을 얻기 위해 자석 배열 구조(200)는 적어도 5개의 영구자석으로 구성될 수 있다.
제2 기판(210)은 글라스기판, 석영기판, 합성수지기판 등을 포함할 수 있다. 제2 기판(210)은 자석 배열 구조(200) 상에 배치될 수 있다. 또한, 제2 기판(210)의 표면은 금속 마스크(230)의 패턴에 의해 증착 재료의 박막이 형성될 수 있다. 실험적으로, 제2 기판(210)의 양측부에서는 박막 형성을 하지 않는다. 제2 기판(210)의 스태틱(static)한 공간에서 박막은 형성될 수 있다.
금속 마스크(230)는 제2 기판(210) 상에 배치될 수 있다. 금속 마스크(230)는 자성체(magnetic substance)로 제조될 수 있다. 예를 들면, 인바(invar), 슈퍼-인바(super-invar), 니켈(Ni), 철-니켈 합금 또는 내식성이 강한 서스(SUS: Steel use stainless) 물질 등을 포함할 수 있다. 금속 마스크(230)는 패턴 영역 및 프레임 영역을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 패턴 영역은 상기 니켈로 제조될 수 있고, 상기 프레임 영역은 상기 인바로 제조될 수 있다. 금속 마스크(230)는 자성체로서, 자석 배열 구조(200)의 자기장에 의해 제2 기판(210)을 사이에 두고, 자석 배열 구조(200)와 금속 마스크(230)는 부착될 수 있다.
도 3은 도 2의 금속 마스크 고정 장치의 자석 배열 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 자석 배열 구조(200)에서 자기력선(250) 및 자기력선(270)의 생성 과정을 나타낸다. 자기력선(410)은 제1 자석(120)의 N극에서 나와서 제3 자석(140)의 S극으로 들어가고, 자기력선(430)은 제3 자석(140)의 N극에서 나와서 제1 자석(120)의 S극으로 들어간다. 또한, 자기력선(420)은 제5 자석(160)의 N극에서 나와서 제3 자석(140)의 S극으로 들어가고, 자기력선(440)은 제3 자석(140)의 N극에서 나와서 제5 자석(160)의 S극으로 들어간다. 제3 자석(140)을 중심으로 제1 자석(120)과 제5 자석(160)은 대칭을 이룰 수 있다. 본 실시예에서, 제3 자석(140)의 N극은 제3 방향을 향할 수 있고, 제1 자석(120) 및 제5 자석(160)의 N극은 제1 방향을 향할 수 있다.
자기력선(450) 및 자기력선(470)은 제2 자석(130)의 N극에서 나와서 제2 자석(130)의 S극으로 들어가고, 자기력선(460) 및 자기력선(480)은 제4 자석(150) 자석의 N극에서 나와서 제4 자석(150)의 S극으로 들어간다. 제2 자석(130)과 제4 자석(150)은 서로 대칭을 이룰 수 있다. 본 실시예에서, 제2 자석(130)의 N극은 제2 방향을 향할 수 있고, 제4 자석(150)의 N극은 제4 방향을 향할 수 있다.
이와 같이, 자석 배열 구조(200)는 제1 자석(120), 제3 자석(140) 및 제5 자석(160)으로 형성되는 자기력선(410), 자기력선(420), 자기력선(430) 및 자기력선(440)과 제2 자석(130) 및 제4 자석(150)으로 형성되는 자기력선(450), 자기력선(460), 자기력선(470) 및 자기력선(480)이 합쳐진 형태가 될 수 있다. 상세하게는, 자기력선(430)과 자기력선(470)은 서로 반대 방향으로 향할 수 있다. 또한, 자기력선(440)과 자기력선(480)도 반대 방향으로 향할 수 있다. 따라서, 자기력선(430)과 자기력선(470)은 서로 상쇄될 수 있고, 자기력선(440)과 자기력선(480)도 서로 상쇄될 수 있다.
반면에, 자기력선(410)과 자기력선(450)은 같은 방향으로 향할 수 있다. 또한, 자기력선(420)과 자기력선(460)도 같은 방향으로 향할 수 있다. 따라서, 자기력선(410)과 자기력선(450)은 자기장의 크기가 더 커질 수 있고, 자기력선(420)과 자기력선(460)도 자기장의 크기가 더 커질 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 제1 자석(120), 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150) 및 제5 자석(160)의 서로 이격되어 제1 기판(110) 상에 배치된 위치는 상기 자기장의 크기가 최대 값을 갖는 위치일 수 있다.
결론적으로, 자석 배열 구조(200)는 자기력선(410)과 자기력선(450)이 합쳐진 자기력선(250) 및 자기력선(420)과 자기력선(460)이 합쳐진 자기력선(270)을 포함할 수 있다. 자석 배열 구조(200)는 제3 방향으로 향하는 자기장을 상쇄시키고, 제1 방향으로 향하는 자기장을 증가 시킬 수 있다. 이로써, 금속 마스크 고정 장치(100)는 제1 방향으로 향하는 자기장을 증가 시키는 자석 배열 구조(200)를 구비함으로써, 자석 배열 구조(200)와 제2 기판(210) 및 제2 기판(210) 상에 배치되는 금속 마스크(230)의 부착력을 향상 시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 금속 마스크 고정 장치에 다수의 자석 배열 구조를 갖는 금속 마스크 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 금속 마스크 고정 장치(300)는 제1 기판(110), 자석 배열 구조(magnet array structure)(200), 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150), 제5 자석(160), 제2 기판(210) 및 금속 마스크(230)를 포함할 수 있다.
제1 기판(110)은 자성체(magnetic substance)로 제조될 수 있다. 예를 들면, 니켈(Ni) 기판 또는 내식성이 강한 서스(SUS: Steel use stainless) 기판 등을 포함할 수 있다. 제1 기판(110) 상에는 다수의 사각형 형태의 개구가 형성될 수 있다(도시하지 않음). 상기 다수의 사각형 개구에 다수의 영구 자석이 배치될 수 있다.
자석 배열 구조(200)는 제1 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 자석 배열 구조(200)는 5개의 영구자석을 포함할 수 있다. 자석 배열 구조(200)의 상기 5개의 영구자석은 제1 자석(120), 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150) 및 제5 자석(160)을 포함할 수 있다.
제1 자석(120)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제1 자석(120)의 N극의 방향은 제1 방향을 향할 수 있다. 제2 자석(130)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제1 자석(120)의 제4 방향으로 이격되어 배치되며, 제2 자석(130)의 N극의 방향은 제2 방향을 향할 수 있다. 제3 자석(140)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제2 자석(130)의 제4 방향으로 이격되어 배치되며, 제3 자석(140)의 N극의 방향은 제3 방향을 향할 수 있다. 제4 자석(150)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제3 자석(140)의 제4 방향으로 이격되어 배치되며, 제4 자석(150)의 N극의 방향은 제4 방향을 향할 수 있다. 제5 자석(160)은 제1 기판(110) 상에 배치되고, 제4 자석(150)의 제4 방향으로 이격되어 배치되며, 제5 자석(160)의 N극의 방향은 제1 방향을 향할 수 있다.
이러한 경우, 자기력선은 2가지 종류가 형성될 수 있다. 구체적으로, 자기력선(250)은 제1 자석(120)의 N극에서 나와서 제3 자석(140)의 S극으로 들어가고, 자기력선(270)은 제5 자석(160)의 N극에서 나와서 제3 자석(140)의 S극으로 들어간다. 자기력선(250) 및 자기력선(270)은 제1 방향으로 향하는 자기력선을 형성한다. 결론적으로, 상기 제1 방향으로 향하는 자기력선을 얻기 위해 자석 배열 구조(200)는 적어도 5개의 영구자석으로 구성될 수 있다.
자석 배열 구조(200)의 제4 방향으로 이격되어 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150), 제5 자석(160)이 배치될 수 있다. 이러한 배열은 자석 배열 구조(200)의 제5 자석(160)과 제5 자석(160)의 제4 방향으로 이격되어 배치된 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150) 및 제5 자석(160)이 한 세트가 되어 또 하나의 자석 배열 구조를 가질 수 있다. 실질적으로, 자석 배열 구조(200)의 제5 자석(160)은 상기 세트에서 제1 자석(120) 역할을 할 수 있다.
따라서, 자석 배열 구조(200)의 제4 방향으로 이격된 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150), 제5 자석(160)은 자석 배열 구조(200)와 동일한 패턴의 자기력선을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 기판(110), 제2 기판(210) 및 금속 마스크(230)의 길이가 더 길어질 경우, 자석 배열 구조(200)와 자석 배열 구조(200)의 제4 방향으로 이격된 상기 세트(제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150) 및 제5 자석(160))를 반복적으로 더 연결할 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 제1 자석(120), 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150) 및 제5 자석(160)의 서로 이격되어 제1 기판(110) 상에 배치된 위치는 상기 자기장의 크기가 최대 값을 갖는 위치일 수 있다.
제2 기판(210)은 글라스기판, 석영기판, 합성수지기판 등을 포함할 수 있다. 제2 기판(210)은 자석 배열 구조(200) 상에 배치될 수 있다. 또한, 제2 기판(210)의 표면은 금속 마스크(230)의 패턴에 의해 증착 재료의 박막이 형성될 수 있다. 실험적으로, 제2 기판(210)의 양측부에서는 박막 형성을 하지 않는다. 제2 기판(210)의 스태틱(static)한 공간에서 박막은 형성될 수 있다.
금속 마스크(230)는 제2 기판(210) 상에 배치될 수 있다. 금속 마스크(230)는 자성체(magnetic substance)로 제조될 수 있다. 예를 들면, 인바(invar), 슈퍼-인바(super-invar), 니켈(Ni), 철-니켈 합금 또는 내식성이 강한 서스(SUS: Steel use stainless) 물질 등을 포함할 수 있다. 금속 마스크(230)는 패턴 영역 및 프레임 영역을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 패턴 영역은 상기 니켈로 제조될 수 있고, 상기 프레임 영역은 상기 인바로 제조될 수 있다. 금속 마스크(230)는 자성체로서, 자석 배열 구조(200)의 자기장에 의해 제2 기판(210)을 사이에 두고, 자석 배열 구조(200)와 금속 마스크(230)는 부착될 수 있다.
도 5는 도 4의 금속 마스크 고정 장치를 나타내는 평면도이다.
도 5를 참고하면, 제1 자석(120)은 자석 배열 구조(200), 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150) 및 제5 자석(160)을 포함할 수 있다. 제1 자석(120) 및 제5 자석(160)은 제1 기판(110) 상에 S극이 접촉할 수 있다. 제3 자석(140)은 제1 기판(110) 상에 S극이 접촉할 수 있다. 제2 자석(130) 및 제4 자석(150)은 N극 및 S극 모두가 접촉할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 자석 배열 구조(200), 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150) 및 제5 자석(160)의 세로 열은 모두 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 기판(110)의 가로 길이가 더 늘어날 경우에도, 제1 기판(110)은 제2 자석(130), 제3 자석(140), 제4 자석(150) 및 제5 자석(160)을 반복적으로 더 연결하여 포함할 수 있다.
부착력(N/m)

A
B

제1기판 무
7.5
221

제1기판 유
10.3
220
표 2는 도 1 및 도 4의 금속 마스크 고정 장치의 부착력을 나타내는 표이다.
표 2를 참고하면, A는 자석 배열 구조(10)와 금속 마스크(230) 사이 거리가 13mm 일 경우 및 B는 자석 배열 구조(200)와 금속 마스크(230) 사이 거리가13mm 일 경우에 대해서 제1 기판(110)의 유/무에 따라 부착력을 비교한 것이다. 실험적으로, 제1 기판(110)은 자성체로 제조된다. 따라서, 제1 기판(110)이 자화(magnetization)될 경우 실험값에 영향을 줄 수 있으므로 제1 기판(110)의 유/무에 따라 부착력을 비교한다.
표 2에 도시된 바와 같이, 자석 배열 구조(10) 보다 자석 배열 구조(200)의 부착력이 20배 이상 향상된 것을 알 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 기판(210)의 두께를 증가시키는 방법 또는 자석 간의 이격된 거리를 조절하는 방법으로 상기 부착력이 향상되어 제2 기판(210) 및 금속 마스크(230)의 손상을 예방할 수 있다.
본 발명은 자석 배열 구조를 이용한 금속 마스크 고정 장치를 구비하는 모든 시스템에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 자석 배열 구조 20: 자기력선
30: 자기력선 100: 금속 마스크 고정 장치
110: 제1 기판 120: 제1 자석
130: 제2 자석 140: 제3 자석
150: 제4 자석 160: 제5 자석
200: 자석 배열 구조 210: 제2 기판
230: 금속 마스크 250: 자기력선
270: 자기력선 300: 금속 마스크 고정 장치
410: 자기력선 420: 자기력선
430: 자기력선 440: 자기력선
450: 자기력선 460: 자기력선
470: 자기력선 480: 자기력선

Claims (18)

  1. 제1 기판;
    N극이 제1 방향을 향하는 제1 자석;
    N극이 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 향하는 제2 자석;
    N극이 상기 제1 방향과 반대되는 제3 방향을 향하는 제3 자석;
    N극이 상기 제2 방향과 반대되는 제4 방향을 향하는 제4 자석; 및
    N극이 상기 제1 방향을 향하는 제5 자석을 포함하고, 상기 제1 기판 상에 배치되는 자석 배열 구조(magnet array structure);
    상기 자석 배열 구조상에 배치되는 제2 기판; 및
    상기 제2 기판 상에 배치되는 금속 마스크(metal mask)를 포함하고, 상기 제1 내지 제5 자석들은 순서대로 배열되는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 방향은 상기 제1 기판으로부터 제2 기판으로의 방향이고, 상기 제3 방향은 상기 제2 기판으로부터 상기 제1 기판으로의 방향인 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 자석의 N극의 위치가 제1 방향, 상기 제2 자석의 N극의 위치가 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향, 상기 제3 자석의 N극의 위치가 상기 제2 방향과 교차하는 제3 방향, 상기 제4 자석의 N극의 위치가 상기 제1 방향 및 상기 제3 방향과 교차하는 제4 방향 및 상기 제5 자석의 N극의 위치가 상기 제1 방향을 향하는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 자석은 상기 제1 자석으로부터 상기 제4 방향으로 이격되어 배치되고, 상기 제3 자석은 상기 제2 자석으로부터 상기 제4 방향으로 이격되며, 상기 제4 자석은 상기 제3 자석으로부터 상기 제4 방향으로 이격되고, 상기 제5 자석은 상기 제4 자석으로부터 상기 제4 방향으로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 자석과 상기 제2 자석, 상기 제2 자석과 상기 제3 자석, 상기 제3 자석과 상기 제4 자석 및 상기 제4 자석과 상기 제5 자석의 이격된 거리는 동일한 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 자석 배열 구조에서, 제1 자석, 제2 자석 및 제3 자석의 제3 방향 자기력선과 제2 자석 및 제4 자석의 제3 방향 자기력선의 방향은 서로 반대 방향이고, 상기 제3 방향의 자기력선을 모두 조합하면 상기 제3 방향의 자기장의 세기는 상쇄되는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 자석 배열 구조에서, 제1 자석, 제2 자석 및 제3 자석의 제1 방향 자기력선과 제2 자석 및 제4 자석의 제1 방향 자기력선의 방향은 서로 동일한 방향이고, 상기 제1 방향의 자기력선을 모두 조합하면 상기 제1 방향의 자기장의 세기는 증가하는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 자석, 상기 제2 자석, 상기 제3 자석, 상기 제4 자석 및 상기 제5 자석의 위치는 상기 제1 자석과 상기 제3 자석 및 상기 제3 자석과 상기 제5 자석의 상기 제1 방향의 자기장의 크기가 최대 값을 갖도록 결정되는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 자석 배열 구조는 적어도 5개의 자석으로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 기판 및 상기 금속 마스크는 상기 자석 배열 구조의 자기장을 이용하여 상기 자석 배열 구조상에 부착되는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 금속 마스크는 자성체(magnetic substance)인 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  12. 제 13 항에 있어서, 상기 제2 기판의 상기 패턴 영역 상에는 증착 재료의 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 금속 마스크는 패턴 영역 및 프레임 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 자석 배열 구조에 순차적으로 배열된 제2 자석, 제3 자석, 제4 자석, 제5 자석을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 자석들은 자기축이 상기 제1 기판에 수직한 자석들 및 자기축이 상기 제1 기판에 평행한 자석들을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 제1 자석, 상기 제3 자석 및 상기 제5 자석은 상기 제1 기판에 수직한 자기축을 갖고, 상기 제2 자석 및 상기 제4 자석은 상기 제1 기판에 수평한 자기축을 갖는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 제1 기판에 수직한 자기축을 갖는 자석들의 상기 자기축들은 서로 엇갈리게 배치되는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 제1 기판에 수평한 자기축을 갖는 자석들의 상기 자기축들은 서로 엇갈리게 배치되는 것을 특징으로 하는 금속 마스크 고정 장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106835023B (zh) * 2016-12-23 2019-10-01 上海天马微电子有限公司 蒸镀装置以及蒸镀方法
WO2018189833A1 (ja) 2017-04-12 2018-10-18 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN108251795A (zh) * 2018-01-31 2018-07-06 上海天马微电子有限公司 一种蒸镀装置及其蒸镀方法
KR20220126847A (ko) * 2021-03-09 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 마그넷 조립체 및 이를 포함하는 증착 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4492180A (en) 1981-03-16 1985-01-08 Applied Magnetics Corporation Apparatus for indexing and registering a selected deposition mask to a substrate and method therefor
US5107238A (en) 1991-04-01 1992-04-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Magnetic cladding for use in periodic permanent magnet stacks
US20070009671A1 (en) 2005-04-20 2007-01-11 Dieter Manz Process and device for positioning the mask

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4777909A (en) * 1981-02-09 1988-10-18 Applied Magnetics Corporation Carriage apparatus for indexing and accurately registering a selected stabilized mask of a plurality of stabilizing masks between a substrate and a source
JP2904042B2 (ja) * 1995-01-20 1999-06-14 ノーリツ鋼機株式会社 ネガマスク装置
KR100313415B1 (ko) * 1999-12-23 2001-11-07 배경빈 자력식 진공증착용 섀도우마스크 지지장치
KR100468792B1 (ko) 2002-05-28 2005-01-29 주식회사 야스 기판과 쉐도우 마스크 고정장치
KR100563619B1 (ko) 2004-03-11 2006-03-22 주식회사 야스 자석을 이용한 마스크의 고정장치
PL1715075T3 (pl) * 2005-04-20 2008-10-31 Applied Mat Gmbh & Co Kg Magnetyczny uchwyt maski
KR20090127288A (ko) 2007-11-30 2009-12-10 캐논 아네르바 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
CN101790597A (zh) * 2008-03-28 2010-07-28 佳能安内华股份有限公司 真空处理设备、使用该真空处理设备制造图像显示设备的方法以及由该真空处理设备制造的电子装置
JP2009299184A (ja) * 2008-05-12 2009-12-24 Canon Anelva Corp 磁場発生装置、磁場発生方法、スパッタ装置及びデバイスの製造方法
DE102008037387A1 (de) * 2008-09-24 2010-03-25 Aixtron Ag Verfahren sowie Vorrichtung zum Abscheiden lateral strukturierter Schichten mittels einer magnetisch auf einem Substrathalter gehaltenen Schattenmaske
JP2010113771A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置
KR101810683B1 (ko) * 2011-02-14 2017-12-20 삼성디스플레이 주식회사 자석 수단의 교체가 가능한 마스크 고정장치 및 이를 포함하는 증착장치
KR20130069037A (ko) * 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4492180A (en) 1981-03-16 1985-01-08 Applied Magnetics Corporation Apparatus for indexing and registering a selected deposition mask to a substrate and method therefor
US5107238A (en) 1991-04-01 1992-04-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Magnetic cladding for use in periodic permanent magnet stacks
US20070009671A1 (en) 2005-04-20 2007-01-11 Dieter Manz Process and device for positioning the mask

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