JP4766793B2 - 表面処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表面処理装置に関し、特に、半導体産業での集積回路の作製で基板への絶縁膜、配線金属、ゲート電極材等の成膜または基板表面での微細加工処理に有用なイオン、電子、中性ラジカル等を供給するプラズマ源を有し、反応容器内でプラズマ源によりプラズマを作りこのプラズマの分布をポイントカスプ磁場で制御し当該プラズマを利用して基板表面を処理する表面処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の表面処理装置の代表的構成を図８を参照して説明する。図８は表面処理装置を概略的に示している。この表面処理装置は、金属板材で作られた反応容器（真空槽または処理チャンバ）であって、付設された真空ポンプ１１によって内部が所要の減圧状態に真空排気された反応容器１２を備える。この反応容器１２の内部には、例えば平行平板型電極構造の形式で上側に位置する電極（カソード電極）１３と基板（またはウェハ）１４を搭載する下側に位置する電極（基板電極）１５を備えている。基板電極１５の上に搭載される基板１４は、基板搬入口部１６から搬送装置（図示せず）によって搬入される。基板電極１５上で所定の処理を行った後、基板搬出口部１７から搬出される。反応容器１２内で基板１４を処理するときには、反応容器１２の内部空間を所要の減圧状態にし、プロセスガスを導入し、さらに給電条件を満たして基板の前面空間にプラズマを生成し、このプラズマで基板表面を処理する。プロセスガスの導入機構の図示は省略されている。
【０００３】
表面処理装置の反応容器１２の構成として、さらに、反応容器１２は接地電位１８に保持される。取付け構成の上でカソード電極１３と基板電極１５は反応容器１２から電気的に絶縁されている。図示例では絶縁のための詳細な構造は省略されている。さらに、カソード電極１３と基板電極１５のそれぞれには独立に高周波電源１９，２０が接続されており、それぞれに独立に高周波電力が給電される。高周波電力の周波数および電力量は目的に応じて任意に定められる。
【０００４】
また基板電極１５上に配置された基板１４は、静電吸着等の固定機構１５ａで固定される。このように基板電極１５には基板ホルダの構造が付加されている。反応容器１２内の真空度は、例えばアルゴンのような基板１４の表面処理用のプロセスガスが一定量導入される一方で、１〜１０Ｐａ程度の真空状態が維持される。
【０００５】
カソード電極１３の背面側には多数のマグネット（永久磁石）２１を備えたマグネット板２２が設けられている。マグネット板２２は、非磁性部材で作られた板材２２ａに多数の棒状またはブロック状のマグネット２１が固定されて形成されている。棒状のマグネット２１は、すべて同じ長さでかつ同じ磁気強度を有し、両端面に反対の磁極（Ｎ極とＳ極）が形成され、一方の端面が板材２２ａに固定されている。マグネット板２２において、多数のマグネット２１の各々は、板材２２ａの面に対してその長さ方向が垂直になるように固定されている。マグネット板２２において、板材２２ａの表面に向かう多数のマグネット２１の磁極端面は最近接の隣り合うマグネット同士で異なるように配列され、図８に示すごとく板材２２ａの面上でＮ極とＳ極が等間隔で交互に配列されている。なお反応容器１２におけるマグネット板２２の配置の仕方は、板材２２ａをカソード電極１３の側に設けてもよいし、反対にマグネット２１をカソード電極１３の側に設けてもよい。
【０００６】
以上のような多数のマグネット２１の配列に関する構造を開示した従来の技術文献としては、本出願人が先に出願した例えば特開平１１−２８３９２６号公報（図１、図３、図４等を参照）を挙げることができる。さらに、その他の文献として、特開２０００−１４４４１１号公報、特開平６−６９１６３号公報、特開平６−３１６７７９号公報、特開平８−２８８０９６号公報等を挙げることができる。
【０００７】
表面処理装置の反応容器１２において、基板電極１５に搭載された基板１４の表面を処理するため、基板１４の前面空間２３、すなわちカソード電極１３の下側空間にプラズマが生成される。このプラズマは、例えば高周波電力の静電結合に基づいて生成される。
【０００８】
図９にマグネット板２２の平面図を示す。図９はマグネット板２２に設けられた多数のマグネット２１の配列構造を平面的に示している。図９において、多数の小径の円２１ａは、円柱棒状のマグネット２１の端面位置および磁極の極性を示している。マグネット板２２の平面形状は、基板１４あるいはカソード電極１３の平面形状に対応してほぼ同径の円形である。円形のマグネット板２２において、多数のマグネット２１が正方形の４つの頂点の場所に位置するように配列されている。この配列構造は、マグネット配置位置を正方形の格子点とみなし、正方格子構造と呼ぶことにする。この正方格子構造によれば、マグネット板２２の中央の領域では正方格子配列の周期性が維持されるが、周縁の領域では円形の輪郭形状に制限されて周期性が乱れ、図９に示された例では、例えば同一極性（Ｎ極）のマグネット２１が一列に並ぶ領域２４が４箇所形成される。最近接の隣合う任意の２つのマグネット２１（対角線位置は除く）は等間隔の位置関係にある。図９において、斜線が施された円形２１ａのマグネット２１は端面がＮ極であることを意味し、単なる円形２１ａのマグネット２１は端面がＳ極であることを意味する。正方格子点に配置された多数のマグネット２１の各々の極性は、最近接の格子点に配置された隣りの他のマグネット２１の極性と反対になっている。図９において、正方形を形成する一辺の長さは例えば２ｃｍであり、マグネット２１の円形端面２１ａの直径は例えば８ｍｍである。
【０００９】
反応容器１２の内部空間であってカソード電極１３の内側空間には、カソード電極１３の背面に配置されたマグネット板２２における多数のマグネット２１による上記配列に基づいて、カスプ磁場が形成される。このカスプ磁場は、Ｎ極から周囲のＳ極に向かう磁力線が形成されて成るポイントカスプ磁場である。多数のマグネット２２のそれぞれは、同じ磁気力（保磁力）で同一平面内で周期的な正方格子状に配列されているので、ポイントカスプ磁場も周期的な分布形態で形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記表面処理装置では、円形の平面形状を有するカソード電極１３の上側において、マグネット板２２に基づき、多数のマグネット２１が板材２２ａの円形の取付け表面の制限を受けて正方格子構造にて配列されている。このマグネット配列によれば、反応容器１２の内部空間で、正方格子構造が周期的に正しく維持されている領域に対応するカソード電極１３の内側領域では上記ポイントカスプ磁場は同じ強度分布により周期的に繰り返されるが、カソード電極１３の周縁部では円形の輪郭形状による制約を受けてマグネット配列の周期性が乱れ、磁力線の行き先がなくなるため、対応する内側領域に生じる磁場の強度について基板１４の中心から見た径方向の分布が大きく異なるように変化する。一般的に、反応容器１２の内部空間であってカソード電極１３の内側領域で、プラズマ密度を広範囲に均一にするため、マグネット板２２に近い領域に存在する強磁場中で生成されたプラズマを当該マグネット板２２から離れた弱静磁場の中に拡散させるようにしている。しかしながら、従来の表面処理装置の構成によれば、前述のごとく、マグネット板２２から離れた空間では弱静磁場が不均一になっており、かつ周縁部では磁場分布が乱れ、プラズマ中のイオン、電子の密度や拡散方向が一様でない。このために、プラズマに基づく基板１４の表面処理が不均一になるという問題が生じる。
【００１１】
より具体的に説明すると、マグネット２１の配列が正方格子構造を有するマグネット板２２によれば、マグネット板２２の周縁部の当該マグネット板から例えば１０ｍｍ以上離れた空間において、単位の正方格子の対角線方向２５に強いラインカスプが現れる。この結果、当該空間に対応する基板領域の表面処理結果が、他の空間に対応する基板領域の表面処理結果と異なるという問題があった。
【００１２】
本発明の目的は、上記問題を解決することにあり、反応容器の内部空間に作られるポイントカスプ磁場の周期性を周縁部でも可能な限り維持し、周縁部の周期性が乱れる領域で磁場分布の非対称性を小さくし、装置構成に大きな変更を加えることなくポイントカスプ磁場の対称性を維持し、均一な表面処理を行うことができる表面処理装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係る表面処理装置は、上記目的を達成するために、次の通り構成される。
【００１４】
第１の表面処理装置（請求項１に対応）：内部にプラズマが生成されかつプラズマで表面を処理される処理対象物が置かれる反応容器を有し、さらに反応容器内のプラズマが生成される空間に分布されるポイントカスプ磁場を作るマグネット板を備えている。マグネット板は、処理対象物の処理面に平行に対向する円形平面の上に配置された複数のマグネットを備え、複数のマグネットの各々の一方の磁極端面が、円形平面上で複数の格子点の各々の位置に配置され、隣り合う２つのマグネットの磁極端面の極性が反対になるように配置され、かつ複数のマグネットのうち円形平面の最外周の領域に配置される一部のマグネットでは磁気力（保磁力）が低減されている。
【００１５】
上記の表面処理装置では、反応容器の内部空間でプラズマ源によりプラズマが生成され、当該プラズマが生成される空間にポイントカスプ磁場を周期的に形成するマグネットの配列構成において、周期的な格子構造においてその最外周の領域に磁気力（保磁力）を低減させた他のマグネットを配置させることで、反応容器の磁場の周期性を高め、磁場の均一性を保持する。
【００１６】
第２の表面処理装置（請求項２に対応）は、上記の構成において、好ましくは上記の格子点は正方形を形成する格子点であることを特徴とする。
【００１７】
第３の表面処理装置（請求項３に対応）は、上記の構成において、好ましくは、前記最外周の領域に配置される一部のマグネットの長さは短くされていることを特徴とする。断面積は他のマグネットと同じとし、長さを短くすることによりマグネットの磁気力を低減させるようにしている。
【００１８】
第４の表面処理装置（請求項４に対応）は、上記の構成において、好ましくは、磁極端面が他のマグネットの磁極端面と同じ高さに位置するように長さが短いマグネットを取り付けることを特徴とする。多数のマグネットを備えて形成されるマグネット板のマグネット板表面を同一の平面内に揃えることにより例えば正方格子構造に基づくポイントカスプ磁場の分布における周期性を高め、かつ周縁部の磁場を適切に低減することができる。
【００１９】
第５の表面処理装置（請求項５に対応）は、上記の構成において、好ましくは、上記格子点の各々の位置に少なくとも２個以上のマグネットが配置されることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００２１】
実施形態で説明される構成、形状、大きさおよび配置関係については本発明が理解・実施できる程度に概略的に示したものにすぎず、また数値および各構成の組成（材質）については例示にすぎない。従って本発明は、以下に説明される実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示される技術的思想の範囲を逸脱しない限り様々な形態に変更することができる。
【００２２】
本発明に係る表面処理装置の基本的な構成は図８に示した従来の構成と同じであるので、本実施形態での装置構成の説明も図８に基づく。装置構成は図８を参照して既に説明したので、ここで再度説明を行わない。本発明に係る表面処理装置の特徴的構成は、カソード電極１３の背面側に設けられたマグネット板２２における多数のマグネット２１の配列構造にある。従って本実施形態の説明は、マグネット２１の配列構造と、当該配列構造によってもたらされる磁場の分布特性を説明する。
【００２３】
図１と図２は本発明に係る表面処理装置におけるマグネット配列構造の第１実施形態を示す。図１は、図９と同様な図であり、マグネット板２２の平面図である。
【００２４】
本実施形態によるマグネット板２２では、基本的な構成として、図９に説明した正方格子構造に基づくマグネット配列を有している。マグネット板２２の中心部から周縁部の近傍に至る領域では前述の正方格子構造に基づいて多数のマグネット２１が配列されている。当該領域では多数の正方格子３１が周期性をもって並んでいる。これらの正方格子構造によるマグネット２１の配列では、最近接する隣り合う任意の２つのマグネット２１の磁極の極性は反対になっており、Ｎ極とＳ極が交互に並んでいる。この正方格子構造によってポイントカスプ磁場が形成されている。図１で、多数のマグネット２１は、それぞれ、円形の端面２１ａとして示されている。また円形端面２１ａのうち、斜線で示された円形端面はＮ極端面を示し、単なる円形の端面波Ｓ極端面を示している
【００２５】
さらに上記正方格子構造によるマグネット配列の外側であって、マグネット板２２の最外周領域の周期性の乱れる領域に、すなわち板材２２ａの周縁部の最も外側に、マグネット２２と同じように両端部に磁極を有する円柱棒状であって、かつマグネット２２に比較してその長さが短いマグネット３２が所要の箇所に複数設けられる。具体的に、マグネット３２の長さはマグネット２１の長さの好ましくは２分の１である。マグネット板２２の周縁部に近いマグネット３２が作り出す磁場は、マグネット板２２の中心部に配置されるマグネット２１で作り出される磁場よりも弱くなっている。マグネット３２によって弱い双極子磁場が作られる。
【００２６】
次に上記の図１および図２、さらに対比のための従来の構成を示した図３を参照して上記のマグネット板２２の磁場に関する特性を説明する。図１に示したマグネット板２２では、一例として、使用するマグネット２１は長さ２４ｍｍ、直径８ｍｍの円柱棒状のマグネット（例えば住友特殊金属社製のＮＥＯＭＡＸ−３５（型名））が使用され、かつ円形板材２２ａにおいて最近接する２つのマグネット２１の間隔ｄ１が２０ｍｍである正方格子構造で配列されている。またマグネット板２２の一部の側面図を示した図２と図３において、マグネット板表面３３が定義される。このマグネット板表面３３から垂直方向にて例えば２２ｍｍの距離ｄ２に位置する平面３４を定め、この平面３４を磁場測定を行う平面領域として定義する。図３に示した構成では、マグネット板２２におけるすべてのマグネット２１は同じ長さ（同じ形状および材質）を有する。従って、マグネット板表面３３は板材２２ａに平行な平面となる。これに対して図２に示された本実施形態に係る構成では、前述のごとく最外周の領域には長さが短いマグネット３２が配置されている。従ってマグネット板２２の周縁部のマグネット３２はマグネット板表面３３に到達しない状態で配置されている。
【００２７】
図４と図５を参照して、図１と図２に示した構成を有する本実施形態によるマグネット板２２と、図９と図３に示された従来のマグネット板２２に基づく磁場強度分布を具体的な測定例を比較する。本実施形態によるマグネット板２２は図１と図２に示した正方格子構造のマグネット配列を有するものであり、従来のマグネット板２２は図９と図３に示した従来の正方格子構造のマグネット配列を有するものである。磁場強度分布は、図２と図３に示したようにマグネット板表面３３から２２ｍｍ離れた平面３４で測定されたマグネット板２２に垂直な方向の磁場強度に関する分布である。図４はＹ軸方向の磁場強度分布を示し、図５は対角線方向（３６）の磁場強度分布を示す。図４と図５において、分布特性Ａが本実施形態によるマグネット板２２に関する磁場強度分布を示し、分布特性Ｂが従来のマグネット板２２に関する磁場強度分布を示す。
【００２８】
図４に示されるように、マグネット板２２の中心部の領域（中心から径方向で０〜１４０ｍｍ近くの範囲）では分布特性Ａ，Ｂでは−２．０〜２．０ｍＴの範囲で磁場が変化し、１４０ｍｍより外側では、分布特性Ｂでは６．０ｍＴ程度に大きく変化しているのに対して、分布特性Ａでは−３．０〜２．０ｍＴ程度の範囲で変化している。また図５に示されるように、マグネット板２２の中心部の領域（中心から径方向で０〜１４０ｍｍ近くの範囲）では分布特性Ａ，Ｂでは０．０〜２．０ｍＴ程度の範囲で磁場が変化し、１４０ｍｍより外側では、分布特性Ｂでは６．０ｍＴ程度に大きく変化しているのに対して、分布特性Ａでは−２．０〜１．０ｍＴ程度の範囲で変化している。
【００２９】
以上により、最外周領域の所要場所にマグネット３２を配置した正方格子構造のマグネット配列を有するマグネット板２２の周縁部の磁場強度は、従来の正方格子構造のマグネット配列を有するマグネット板２２の周縁部の磁場強度に比較して改善されたことがわかる。
【００３０】
上記のごとき本実施形態による正方格子構造で配列された多数のマグネット２１を備えたマグネット板２２を利用して構成される表面処理装置で、図８に示すごとく構成で基板１４上のシリコン酸化膜の微細加工処理を行ったところ、マグネット板２２の周縁部に対応する所定空間の磁場強度分布が改善されたので、従来の正方格子構造のマグネット配列が原因で問題になった基板周縁部の処理不均一性の問題を解消することができた。
【００３１】
上記の実施形態は次のように変形させることができる。前述の実施形態では、最外周領域のマグネット３２に関してその長さを短くしたが、その代わりに、マグネットの長さは同じで、かつマグネットの断面積を小さくするようにすることもできる。またマグネット３２に関してマグネット２１と同じ形状であっても、保磁力が小さい材質でマグネットを作ることにより弱い磁場を作るマグネットを作ることもできる。さらに保磁力の大きさはマグネット２１と同等にしておいて、マグネット配列の周期性が乱れる領域に用いるマグネットのマグネット板表面３３からの距離を、マグネット配列の周期性が維持される領域に用いるマグネットのマグネット板表面３３からの距離よりも長くすることで反応容器１２の内部空間のポイントカスプ磁場の均一化を達成することもできる。さらに上記の各構成を適宜に組み合わせ同時に実施することにより、前述した効果と同等な効果を達成することができる。
【００３２】
また長さが短くされたマグネット３２について、図６に示されるごとく、その板材２２ａ側にアルミニウム製の支持台３７を付設して、長さの長い他のマグネット２１と同じ長さとして用いることもできる。
【００３３】
さらに、正方形の各格子点に対応させて少なくとも２個以上のマグネット２１等が配置されるように構成することもできる。
【００３４】
次に図７を参照して本発明の第２の実施形態を説明する。この実施形態でも、マグネット板２２の最外周の周期性が乱れる領域の所要の箇所にマグネット３２を複数配置している。図７はマグネット板２２の平面図であり、図９と同等の図である。
【００３５】
本実施形態では、マグネット板２２の中心部の領域ではハニカム格子構造によるマグネット配列に基づいて多数のマグネット２１が配列されている。このマグネット板２２では、同じ形状でかつ同じ磁気強度を有する多数のマグネット２１の配列構造は、マグネット配置位置を格子点とみなすと、６個の格子点で正六角形を構成するハニカム格子４１を単位として多数並べて成るハニカム格子構造となっている。前述のごとく、マグネット板２２は円板形状を有しているため、円板状の板材２２ａの表面に取り付けられるマグネット２１は、板材２２ａの円形面に単位のハニカム格子４１を隙間なくかつはみ出すことなく敷き詰めて固定されている。
【００３６】
マグネット板２２に関し、上記のハニカム格子構造によるマグネット２１の配列によれば、前述した従来の正方格子構造によるマグネット２１の配列に比較して、マグネット板２２のマグネットを固定するための円形の板材２２ａで、板材２２ａに類似した円形形状で板材２２ａの全表面を可能な限り覆うごとく取り付けることができる。図７に示すごとく、円形の板材２２ａの中央部の領域では周期性を持たせてハニカム格子３１を配列させることができ、さらに円形の板材２２ａの周縁部でも領域３２で示されるようにＮ極端面２１ａを有するマグネット２１とＳ極端面２１ａを有するマグネット２１がそれぞれ一列を形成するように配列されかつ正方格子構造に比較してより狭い間隔で近接して配置されている。このように本実施形態による表面処理装置のマグネット板２２では、多数のマグネット２１をハニカム格子構造によって配列し、従来の正方格子構造に比較してマグネット板２２の周縁部（最外周マグネット領域）における磁力線の分布状態に関する対称性の形態を可能な限り保持するようにしている。その上に前述のごとく最外周の領域にマグネット３２を複数配置している。
【００３７】
上記の平面３４で磁場強度を測定したところ、本実施形態によるハニカム格子構造のマグネット配列を有するマグネット板２２によれば、マグネット板２２の中心部の磁場強度は代表的に０〜２ｍＴ程度の範囲で変化し、周縁部の磁場強度は代表的に０〜６ｍＴ程度の範囲で変化する。これを、従来の正方格子構造のマグネット配列（最近接のマグネット間隔は例えば２０ｍｍ）を有しかつマグネット長さはすべて同じ長さであるマグネット板２２に基づき同じ条件で測定した磁場強度と比較すると、従来のマグネット板によればマグネット板２２の中心部の磁場強度は代表的に０〜２ｍＴ程度の範囲で変化し、周縁部の磁場強度は代表的に０〜１０ｍＴ程度の範囲で変化するものであった。すなわち、正方格子構造の従来のマグネット板では、周縁部のマグネット板表面３３から１０ｍｍ以上離れた空間で、中心部に対応する空間よりも５倍程度の強い磁場強度分布が、マグネット配列における単位の正方格子の対角線方向の直線状に現れているのに対して、ハニカム格子構造のマグネット配列を有するマグネット板２２では、周縁部のマグネット板表面３３から１０ｍｍ以上離れた空間で、中心部に対応する空間よりも３倍程度に磁場強度が抑制された磁場強度分布が円周状に現れる。本実施形態によるマグネット板２２では、最外周のマグネット領域は、平面形状が円形である本実施形態によるマグネット板２２の周縁の円周部に沿ってほぼ円形の形状を有する。前述の中心部の磁場強度よりも３倍程度に抑制された磁場強度が分布する領域に対応する。加えて最外周に設けられたマグネット３２によってさらにポイントカスプ磁場の分布は周期性および均一性の点で改善される。
【００３８】
前述の各実施形態によるマグネット板２２では、一枚の所要の厚みを有する板材２２ａの一方の表面上に多数のマグネット２１を配列するように構成したが、マグネット２１は、板材２２ａの厚みを厚くして当該板材の中に配列してもよいし、また板材２２ａを使用せず、マグネット２１だけを設置することで同様なマグネット配列構造を作ることも可能である。またマグネット板２２の配置位置は、カソード電極１３の背面であってもよいし、反応容器１２の内部空間側であってもよい。さらには反応容器１２の外側に配置することもできる。
【００３９】
先に説明された実施形態について、本発明に係る表面処理装置のマグネット板２２は、いずれの実施形態による構成を任意に組み合わせても、実現することができるのは勿論である。またマグネットは通常の永久マグネットの外、電磁的な作用で生じるマグネットであってもよい。電磁的なマグネットを利用すれば、個々のマグネットが作り出す磁場強度を任意に調節できるという利点を有する。
【００４０】
上記の実施形態では、マグネット板に設けられる多数のマグネットについて、マグネット板における中心部では代表的に正方格子構造による配列を行い、その最外周領域の適宜な場所に例えば長さのみを短くして磁気力を低減した異なるマグネットを配列するようにしたが、すべてのマグネットの形を同じとし、かつ保持力を同じとしても、最外周部のマグネットを遠ざけることで前述の実施形態と同様の効果を得るようにすることもできる。
【００４１】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように本発明によれば、カソード電極の近傍に多数のマグネットを配列して成るマグネット板を備え、プラズマが生成される空間にポイントカスプ磁場を周期的に作ってプラズマを制御し、基板の表面に処理を施す表面処理装置において、上記のマグネット板における中心部では例えば正方格子構造による配列を行いかつその最外周領域の適宜な場所に磁気力を低減したマグネットを配列するようにしたため、反応容器の内部空間に作られるポイントカスプ磁場の周期性を周縁部でも可能な限り維持し、周縁部の周期性が乱れる領域で磁場分布の非対称性を小さくし、装置構成に大きな変更を加えることなくポイントカスプ磁場の対称性を維持し、基板の表面を均一に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置に備えられるマグネット板におけるマグネット配列の具体例を示す平面図である。
【図２】第１実施形態によるマグネット板の部分側面図である。
【図３】従来のマグネット板の部分側面図である。
【図４】第１実施形態に係るマグネット板と従来のマグネット板を対比するための磁場強度分布特性（Ｙ軸方向）を示すグラフである。
【図５】第１実施形態に係るマグネット板と従来のマグネット板を対比するための磁場強度分布特性（対角線方向）を示すグラフである。
【図６】第１実施形態の変形例を示すマグネット板の部分側面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る表面処理装置に備えられるマグネット板におけるマグネット配列の具体例を示す平面図である。
【図８】表面処理装置の内部構成を示す縦断面図である。
【図９】従来の表面処理装置に用いられているマグネット板におけるマグネット配列を示す平面図である。
【符号の説明】
１２ 反応容器
１３ カソード電極
１４ 基板
１５ 基板電極
２１ マグネット
２２ マグネット板
２２ａ 板材
３１ 正方格子
３２ 他のマグネット
３３ マグネット板表面
３７ 支持台
４１ ハニカム格子

Claims (5)

1. 内部にプラズマが生成されかつ前記プラズマで表面を処理される処理対象物が置かれる反応容器を有し、さらに前記反応容器内の前記プラズマが生成される空間に分布されるポイントカスプ磁場を作るマグネット板を備える表面処理装置において、
   前記マグネット板は、前記処理対象物の処理面に平行に対向する円形平面の上に配置された複数のマグネットを備え、前記複数のマグネットの各々の一方の磁極端面が、前記円形平面上で複数の格子点の各々の位置に配置され、隣り合う２つの前記マグネットの前記磁極端面の極性が反対になるように配置され、かつ前記複数のマグネットのうち前記円形平面の最外周の領域に配置される一部の前記マグネットでは磁気力が低減されていることを特徴とする表面処理装置。
2. 前記格子点は正方形を形成する格子点であることを特徴とする請求項１記載の表面処理装置。
3. 前記最外周の領域に配置される前記一部のマグネットの長さは短くされていることを特徴とする請求項１記載の表面処理装置。
4. 磁極端面が他の前記マグネットの磁極端面と同じ高さに位置するように長さが短い前記マグネットを取り付けることを特徴とする請求項３記載の表面処理装置。
5. 前記格子点の各々の位置に少なくとも２個以上の前記マグネットが配置されることを特徴とする請求項１記載の表面処理装置。

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