CN108251795A - 一种蒸镀装置及其蒸镀方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种蒸镀装置及其蒸镀方法，涉及蒸镀技术领域，用于消除掩膜版上的褶皱。其中，蒸镀装置包括可调节磁铁阵列和掩膜版，所述可调节磁铁阵列包括m个磁铁块，至少一个所述磁铁块的磁化方向可调节，以使所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx，用于消除所述掩膜版在第二方向上延伸的褶皱，使所述掩膜版表面平整；调节所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第三方向上分力Fz的大小，用于抵消重力；m≥1，m为正整数。上述蒸镀装置用于膜层的制备。

Description

一种蒸镀装置及其蒸镀方法
技术领域
本发明涉及蒸镀技术领域，尤其涉及一种蒸镀装置及其蒸镀方法。
背景技术
蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基板表面析出的过程。将蒸镀材料加热并镀到基板上称为真空蒸镀，或叫真空镀膜。真空镀膜工艺大量应用于设备(如显示面板)的制造过程中。
在显示面板的蒸镀制程中，掩膜版被用来对待蒸镀基板特定区域进行遮挡，以使蒸镀材料在未遮挡区域析出成膜。
真空蒸镀技术作为目前面板制备的一种主要工艺制程，如何改善掩膜版由张网技术造成的褶皱，提高蒸镀效果，是业内当前面临的主要技术难题。
发明内容
本发明提供一种蒸镀装置及其蒸镀方法，用于改善掩膜版由张网技术造成的褶皱，提高蒸镀效果。
第一方面，本发明提供一种蒸镀装置，蒸镀装置包括可调节磁铁阵列和掩膜版，
所述可调节磁铁阵列包括m个磁铁块，至少一个所述磁铁块的磁化方向可调节，
以使所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx，用于消除所述掩膜版在第二方向上延伸的褶皱，使所述掩膜版表面平整；
调节所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第三方向上分力Fz的大小，用于抵消重力；m≥1，m为正整数。
第二方面，本发明提供一种蒸镀方法，蒸镀方法适用于上述本发明第一方面所涉及到的蒸镀装置；
蒸镀方法包括：
提供蒸镀基板和蒸发源；
调节至少一个所述磁铁块的磁化方向，使得所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx，用于消除所述掩膜版在第二方向上延伸的褶皱，使所述掩膜版表面平整；调节所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第三方向上分力Fz的大小，用于抵消所述掩膜版的重力；
加热所述蒸发源，进行蒸镀。
如上所述的方面和任一可能的实现方式的有益效果如下：
本发明，通过调整可调节磁铁阵列中至少一个磁铁块的磁化方向，使得可调节磁铁阵列对掩膜版产生的磁力在与褶皱垂直的第一方向上产生分力Fx，从而达到消除褶皱的目的。并且，本实施例可根据褶皱的形态对可调节磁铁阵列中的个或多个磁铁块进行调节，从而使得第一方向上的分力Fx，能够消除褶皱。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的蒸镀原理示意图；
图2为本发明实施例所提供的蒸镀装置立体装配示意图；
图3为本发明实施例所提供的蒸镀装置的一种结构示意图；
图4为本发明实施例所提供的图3中A位置处的局部放大示意图；
图5为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图；
图6为本发明实施例所提供的掩膜版与可调节磁铁阵列之间在不同距离下，第一方向和第三方向上的加速度随位置的一种变化关系示意图；
图7为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图；
图8为本发明实施例所提供的掩膜版与可调节磁铁阵列之间在不同距离下，第一方向和第三方向上的加速度随位置的另一种变化关系示意图；
图9为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图；
图10为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图；
图11为本发明实施例所提供的掩膜版与可调节磁铁阵列在不同距离下，第一方向和第三方向上的加速度随位置的另一种变化关系示意图；
图12为本发明实施例所提供的蒸镀方法的一种流程示意图；
图13为本发明实施例所提供的蒸镀方法的另一种流程示意图；
图14为本发明实施例所提供的蒸镀方法的另一种流程示意图；
图15为本发明实施例所提供的蒸镀方法的另一种流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述方向，但这些方向不应限于这些术语。这些术语仅用来将方向彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一方向也可以被称为第二方向，类似地，第二方向也可以被称为第一方向。
需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。
在详细的阐述本发明的技术方案之前，对蒸镀的原理以及过程进行简单介绍：
如图1所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀原理示意图，对待蒸镀基板3进行蒸镀，主要采用蒸镀方法(物理气相沉积的方法)，该蒸镀方法是将蒸发源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，并通过掩膜版2遮盖住不需要蒸镀的区域，将气化成气态的原子或者分子沉积到待蒸镀基板3表面需要蒸镀的区域，在待蒸镀基板3表面的特定区域形成薄膜。
在对待蒸镀基板3进行蒸镀时，通常是在真空腔室(图中未示出)内进行，对该蒸发源进行加热，通过设置在掩膜版2上的沉积通孔，使气化出的原子、分子或者离子凝聚在温度较低的待蒸镀基板3上。
在实际应用过程中，蒸镀工艺对掩膜版的平坦度的要求非常高，但是，掩膜版会出现其受到掩膜版和/或待蒸镀基板重力的作用而发生形变的情况，从而影响掩膜版的平坦度，进而影响蒸镀效果。
为了消除重力对掩膜版的平坦度的影响，通常使用张网技术，即对掩膜版施加一定的拉力，使得掩膜版处于紧绷的状态，在此状态下将掩膜版的两端固定在掩膜框架上，同时配合在掩膜版的上方设置磁板，利用磁板的磁作用力来平衡掩膜版和/或待蒸镀基板重力，从而降低掩膜版和/或待蒸镀基板重力对掩膜平坦度造成的影响。
然而，在张网过程中，由于掩膜版受到拉伸，其表面会产生褶皱，褶皱方向主要沿拉伸方向，示例性的如本实施例中的第二方向，其具体的褶皱形态以及幅度与特定的掩膜版有关，例如掩膜版的长、宽、厚、掩膜材料性质、面板形状、面板排布、开孔形状以及开孔密度等均会导致褶皱的产生。产生褶皱的原因较多，造成对褶皱的可控性差，进而对后续蒸镀造成较为严重的影响。
为了解决掩膜版上的褶皱问题，改善蒸镀效果，发明人设计了如下技术方案：
本实施例提供一种蒸镀装置，如图2所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀装置立体装配示意图，蒸镀装置100包括可调节磁铁阵列1和掩膜版2，其中，可调节磁铁阵列1包括m个磁铁块10，其中，m≥1，m为正整数，至少一个磁铁块10的磁化方向可调节，如图2所示，该磁铁块10的初始磁化方向为虚线箭头所示方向，调节之后的磁化方向为实线箭头所示方向，对该磁铁块10的磁化方向进行调整之后，以使可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F在第一方向x上具有分力Fx，用于消除掩膜版2在第二方向y上延伸的褶皱21，使掩膜版2表面平整。
并且，调节可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F在第三方向z上分力Fz的大小，用于抵消掩膜版2和/或待蒸镀基板3的重力G。可以理解的是，如图2所示的实施例中，在对磁铁块10的磁化方向进行调节之前，该可调节磁铁阵列1只存在可用于消除掩膜版2和/或待蒸镀基板3重力G的第三方向z上的磁力Fz。对至少一块磁铁块10的磁化方向进行调节之后，该可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F即会在第一方向x上产生分力Fx，最后需要调节第三方向z上的分力的大小，例如可通过调节掩膜版2与可调节磁铁阵列1之间的距离来调节第三方向z上的分力Fz的大小，以使该方向上的分力Fz＝G。
需要说明的是，“可调节磁铁阵列1包括m个磁铁块10”可以有如下两种理解：第一种，该可调节磁铁阵列1由m个磁铁块10组成；第二种，该可调节磁铁阵列1可理解为不可调节的磁铁阵列在特定位置(需要在第一方向x上产生分力Fx的位置)处设置有至少一个可调节磁铁块10，示例性的如图2所示，两块磁铁阵列之间设置有一个可调节磁铁块10。并且，掩膜版2的材质为铁磁材料，示例性的可为因瓦36或超因瓦合金。该可调节磁铁阵列1的材料可为永磁体，示例性的可为钐钴磁铁、钕铁硼磁铁或铝镍钴磁铁等，因此，当该掩膜版2设置在可调节磁铁阵列1的磁场范围内时，该可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生磁力F。并且，示例性的，本实例中所示出的第一方向x与第二方向y垂直，第三方向z垂直于第一方向x和第二方向y所在的平面。由于褶皱是在张网过程中产生的，褶皱的方向主要是沿拉伸方向，其可理解为本实施例中所示出的第二方向y，此时可通过在第一方向x方向(与第二方向y垂直)上的分力Fx，来达到消除褶皱的目的。
现有技术中，在蒸镀过程中，可在掩膜版上设置过渡区域，该过渡区域设置有过渡孔，但是该过渡孔不用来蒸镀，该过渡孔的目的是利用有过渡孔的过渡区域调节褶皱的位置，通过让褶皱远离蒸镀区域，或通过调节褶皱的形貌，降低褶皱的幅度，来改善褶皱情况，从而改善蒸镀效果，但该手段也未能从根本上消除褶皱，特别是在在高分辨率(PPI，PixelsPer Inch，每英尺中像素的数目)显示屏、异形显示屏(非矩形显示屏，例如圆形、带凹口显示屏)等产品中，这些褶皱所带来的问题很难甚至无法通过设置过渡孔的方式来解决。
本实施例中，通过调整可调节磁铁阵列1中至少一个磁铁块10的磁化方向，使得可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力在与褶皱垂直的第一方向x上产生分力Fx，从而达到消除褶皱的目的。并且，本实施例可根据褶皱的形态对可调节磁铁阵列中的1个或多个磁铁块10进行调节，从而使得第一方向x上的分力Fx能够消除褶皱。
作为示例，图2示出的磁铁块10的形状为长方体，但是本实施例中磁铁块10的形状还可为圆柱体、正方体或多边形柱体等，本实施例中并不对磁铁块10的具体形状做出特别限定。并且，图2示例性的示出了一行或一列中的部分可调节磁铁阵列，事实上，本实例中的可调节磁铁阵列1是由多行和多列构成。为了清楚的示出可调节磁铁阵列1对掩膜版2的磁力，图2以及下文涉及到的图中均未将待蒸镀基板3示出，待蒸镀基板3与可调节磁铁阵列1以及掩膜版2的位置关系可参考图1所示。
在一种实施方式中，参见图3，其为本发明实施例所提供的蒸镀装置的一种结构示意图，可调节磁铁阵列1由m个磁铁块10构成；并且，可调节磁铁阵列1包括至少一个磁化单元11，也就是说，每一个磁化单元11可包括m个磁铁块10。
进一步的，在一种实施方式中，可调节磁铁阵列1由至少一个磁化单元11构成，也就是说，本实施例中的可调节磁铁阵列1可包括多个磁化单元11，本实施例中并不对其包括的具体数量进行限定。可调节磁铁阵列1包括的磁化单元11的数量可由具体的产品而定。
并且，继续参见图3，磁化单元11可包括连续设置的N个磁铁块10，其中，N≥1。磁化单元11的磁化方向从角度α开始沿顺时针方向或逆时针方向连续旋进至角度β，其中，0°<|β-α|≤360°。从角度α旋转至角度β即为一个磁化单元11，该磁化单元11的长度可称之为该磁化单元11的周期T，可由如下公式得到：
T＝N(D+s)，
结合图4所示，其为本发明实施例所提供的图3中A位置处的局部放大示意图，D表示磁铁块10的直径，如图4所示方位，该磁铁块10的直径可理解为该长方体磁铁块在第一方向x上的宽度；s表示相邻两个磁铁块10之间的间隙。本实施例中，通过对磁铁块10的直径D的调节，从而控制磁化单元周期T的大小范围，进而可得到可调节磁铁阵列1对掩膜版2不同的磁力F的大小范围；也可通过调节相邻两个磁铁块10之间的间隙s，从而控制磁化单元周期T的大小范围，进而可得到可调节磁铁阵列1对掩膜版2不同的磁力F的大小范围。当制作好某一可调节磁铁阵列1后，即意味着磁铁块直径D和磁铁块间隙s的大小固定，通过对一个周期中包含的磁铁数N的调节，从而控制磁化单元周期T的大小，进而可得到可调节磁铁阵列1对掩膜版2不同的磁力F。进而结合上述实施例，可得到可调节磁铁阵列1对掩膜版2在第一方向x上的分力Fx，该分力Fx用于消除褶皱，保持掩膜版表面平整，使得掩膜版的平坦度较好，蒸镀效果较佳。
需要说明的是，作为示例，图3从左至右共有11块磁铁块10，此时N＝11，左边第一块磁铁块10的磁化方向的角度为α，此时α＝0°，从左至右每一块磁铁10块依次顺时针旋转一定的角度，直至最后一块磁铁块10的磁化方向的角度为β为止，此时β＝360°。
进一步的，在一种实施方式中，|β-α|＝360°，即，α可为0°～360°之间的任意角度，同理β也可为0°～360°之间的任意角度。磁化单元11中第一块磁铁块的角度α和最后一块磁铁块的角度β可由具体的产品而定。
示例性的，如图5所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图，其中，|β-α|≠360°时，该可调节磁铁阵列1为可被称为可调节磁铁阵列B，根据掩膜版2上出现的褶皱的形态，对该可调节磁铁阵列B的周期进行调节，从而调节该可调节磁铁阵列1对掩膜版2在第一方向x上的分力Fx的位置，对其中α和β的大小作调节，从而调节该可调节磁铁阵列1对掩膜版2在第一方向x上的分力Fx的大小。
结合图5和图6，对本实例进行详细介绍，图5为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图，图6为本发明实施例所提供的掩膜版与可调节磁铁阵列之间不同距离下，第一方向和第三方向上的加速度随位置x的一种变化关系示意图，对上述图5所示出的调节方式进行详细介绍，图6中的(a)和(b)分别为本发明实施例所提供的掩膜版2与可调节磁铁阵列1之间在不同距离下在第三方向和第一方向上的加速度az和ax随位置x变化关系的示意图，由于掩膜版2受到的来自可调节磁铁阵列1的吸引力的大小和掩膜版2自身尺寸成正比，即，随着掩膜版2尺寸的变化，磁力的大小也会发生变化，所以磁力的大小不能很好地反映出可调节磁铁阵列1对掩膜版2的影响，而加速度的大小则可以直观地反映出掩膜版2受到的来自可调节磁铁阵列1的吸引力的大小，所以可以把掩膜版2受到的来自可调节磁铁阵列1的吸引力折合为加速度，并将该加速度分解在第一方向x和第三方向z上，进而可以得到掩膜版2在第一方向x上的加速度分量(记作第一方向x上的加速度ax)，和第三方向z上的加速度的分量(记作第三方向z上的加速度az)。如图6所示，图6所示出的横坐标表示在第一方向x上的位置，单位为毫米(mm)；图6中的(a)和(b)所示纵坐标分别表示掩膜版2在第三方向z上的加速度az和在第一方向x上的加速度ax，单位为米每二次方秒(m/s2)，distance表示的是掩膜版2在第三方向z上距可调节磁铁阵列1的距离z0。可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F与掩膜版2在第三方向z上距可调节磁铁阵列1的距离z0成单调递减关系，即，距离z0越小，该磁力F越大。示例性的，以距离z0＝12mm为例，掩膜版2在第一方向x上，在位置0～45mm范围内有一方向沿着x轴正方向的分量Fx1，折合为第一方向x上的加速度ax1，并且，掩膜版2在第三方向z上，在位置0～45mm范围内有一分量Fz1，折合为第三方向z上的加速度az1，两个方向上的合力为F1，折合的合加速度为a1；掩膜版在第一方向x上，在位置-45～0mm范围内有一方向沿着x轴负方向的分量Fx2，折合为第一方向x上的加速度ax2，并且，掩膜版2在第三方向z上，在位置-45～0mm范围内有一分量Fz2，折合为第三方向z上的加速度az2，两个方向上的合力为F2，折合的合加速度为a2，示例性的如图5所示。磁力F1和磁力F2共同作用，在第一方向x上的分力Fx1和Fx2用于消除褶皱，在第三方向z上的分力Fz用于平衡掩膜版2和/或待蒸镀基板3的重力G。
另外，还需要补充的是，本实施例中，可针对不同的褶皱的不同形态，调整可调节磁铁阵列1对掩膜版2在第一方向x上的分力Fx的大小和/或位置，从而从根本上消除褶皱。
结合图5所示的实施方式，在另外一种实施方式中，将可调节磁铁阵列1与掩膜版2在第三方向z上的距离表示为z0，通过调节磁化方向角度α和/或β、周期T和距离z0来调节可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F在第三方向z上的分力Fz和第一方向x上的分力Fx的大小，从而在第一方向x上得到一个合适的分力Fx用于消除褶皱，并且在第三方向z上得到一个合适的分力Fz来平衡掩膜版2和/或待蒸镀基板基板3重力G。示例性的，可调节磁铁阵列1与掩膜版2在第三方向z之间的距离z0与可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F之间存在单调递减的关系，距离z0越小，则磁力F越大，因此可通过调节距离z0来调节磁力F的大小。
示例性的，当|β-α|＝360°时，有该磁铁的磁化单元11组成的可调节磁铁阵列可被称为海尔贝克磁铁阵列，在海尔贝克磁铁阵列的基础上，可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F在第一方向x上具有分力Fx的方式有如下两种：
第一种，在一种具体的实施的方式中，如图7所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图，调节前为海尔贝克磁铁阵列，在海尔贝克磁铁阵列的基础上，第j至k个连续的磁铁块10的磁化方向被调节，以使可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F在第一方向x上具有分力Fx；其中，1≤j≤k≤m。如图7所示，第j至第k个连续的磁铁块10的磁化方向被调节，即，第j至第k个连续的磁铁块10沿着顺时针或者逆时针的方向被调节，图7中，虚线箭头即为调节之前的磁化方向，实线箭头即为调节之后的磁化方向，对第j至第k个连续的磁铁块10的磁化方向进行调节之后，使得该磁力F在第一方向x上具有分力Fx，该分力Fx用于消除掩膜版沿着第二方向y上的褶皱，使得掩膜版表面平整。示例性的，以图7所示方位为基准，左右两侧产生磁力F1和磁力F2，磁力F1在第一方向x上产生向右的分力Fx1，磁力F2在第一方向x上产生向左的分力Fx2，分力Fx1和分力Fx2共同作用，用于消除掩膜版2上的褶皱，并且，在第三方向z上的分力Fz1和Fz2用于平衡掩膜版2和/或待蒸镀基板3的重力G。
进一步的，如图7所示，第j至k个连续的磁铁块10的磁化方向被调节，具体为：第j至k个连续的磁铁块10的磁化方向均被旋转一角度θ，其中，0°<θ<360°，即，该旋转角度θ可为0°～360°之间的任意角度，从而该旋转方向可为逆时针或者顺时针旋转，本实施例中并不对旋转角度θ和顺时针或逆时针旋转进行特别限定。可根据具体产品中的褶皱存在位置和消除该褶皱需要的磁力F的大小和方向而定。
结合图7和图8，对上述第一种调节方式进行详细介绍，图8中的(a)和(b)分别为本发明实施例所提供的掩膜版2与可调节磁铁阵列1之间不同距离下在第三方向和第一方向上的加速度az和ax随位置x变化关系的示意图，由于掩膜版2受到的来自可调节磁铁阵列1的吸引力的大小和掩膜版2自身尺寸成正比，即，随着掩膜版2尺寸的变化，磁力的大小也会发生变化，所以磁力的大小不能很好地反映出可调节磁铁阵列1对掩膜版2的影响，而加速度的大小则可以直观地反映出掩膜版2受到的来自可调节磁铁阵列1的吸引力的大小，所以可以把掩膜版2受到的来自可调节磁铁阵列1的吸引力折合为加速度，并将该加速度分解在第一方向x和第三方向z上，进而可以得到掩膜版2在第一方向x上的加速度分量(记作第一方向x上的加速度ax)，和第三方向z上的加速度的分量(记作第三方向z上的加速度az)。如图8所示，图8所示出的横坐标表示在第一方向x上的位置，单位为毫米(mm)；图8中的(a)和(b)所示纵坐标分别表示掩膜版2在第三方向z上的加速度az和在第一方向x上的加速度ax，单位为米每二次方秒(m/s2)，distance表示的是掩膜版2在第三方向z上距可调节磁铁阵列1的距离z0。可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F与掩膜版2在第三方向z上距可调节磁铁阵列1的距离z0成单调递减关系，即，距离z0越小，该磁力F越大。示例性的，以距离z0＝12mm为例，掩膜版2在第一方向x上，在位置x1＝240mm附近有一方向沿着x轴正方向的分量Fx1，折合为第一方向x上的加速度ax1，并且，掩膜版在第三方向z上，在位置x1＝240mm附近有一方向沿着x轴负方向的分量Fz1，折合为第三方向z上的加速度az1，两个方向上的合力为F1，折合的合加速度为a1；掩膜版在第一方向x上，在位置x2＝-240mm附近有一分量Fx2，折合为第一方向x上的加速度ax1，并且，掩膜版2在第三方向z上，在位置x2＝-240mm附近有一分量Fz2，折合为第三方向z上的加速度az2，两个方向上的合力为F2，折合的合加速度为a2，示例性的如图7所示。磁力F1和磁力F2共同作用，在第一方向x上的分力Fx1和Fx2用于消除褶皱，在第三方向z上的分力Fz用于平衡掩膜版2和/或待蒸镀基板3的重力G。
第二种，在另一种具体的实施方式中，如图9所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图，第i个磁铁块10的磁化方向被调节，以使可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F在第一方向x上具有分力Fx，该分力Fx，用于消除掩膜版2在第二方向y上的褶皱，使得掩膜版2表面平整，其中，1≤i≤m。本实施例中的第i个磁铁块为m个磁铁块中的任意一个。
结合图10和图11，对本实例中的第二种调节方式进行详细介绍，图10为本发明实施例所提供的蒸镀装置的另一种结构示意图，图11为本发明实施例所提供的掩膜版与可调节磁铁阵列之间在不同距离下，在第一方向和第三方向上的加速度随位置的另一种变化关系示意图，以图10所示的方位为基准，从左至右数起，对第一块磁铁块10和第九块磁铁块10的磁化方向进行调整，得到该可调节磁铁阵列1对掩膜版2在第一方向x和第三方向z的分力。由于掩膜版2受到的来自可调节磁铁阵列1的吸引力的大小和掩膜版2自身尺寸成正比，即，随着掩膜版2尺寸的变化，磁力的大小也会发生变化，所以磁力的大小不能很好地反映出可调节磁铁阵列1对掩膜版2的影响，而加速度的大小则可以直观地反映出掩膜版2受到的来自可调节磁铁阵列1的吸引力的大小，所以可以把掩膜版2受到的来自可调节磁铁阵列1的吸引力折合为加速度，并将该加速度分解在第一方向x和第三方向z上，进而可以得到掩膜版2在第一方向x上的加速度分量(记作第一方向x上的加速度ax)，和第三方向z上的加速度的分量(记作第三方向z上的加速度az)。图11所示出的横坐标表示在第一方向x上的位置，单位为毫米(mm)，图11中的(a)和(b)所示出纵坐标分别表示掩膜版2在第三方向z上的加速度az和在第一方向x上的加速度ax，单位为米每二次方秒(m/s2)，distance表示的是掩膜版2在第三方向z上距可调节磁铁阵列1的距离z0。可调节磁铁阵列1对掩膜版2产生的磁力F与掩膜版2在第三方向z上距可调节磁铁阵列1的距离z0成单调递减关系，即，距离z0越小，该磁力F越大。示例性的，以距离z0＝12mm为例，掩膜版2在第一方向x上，在位置x3＝250mm处有方向沿着x轴正方向的一分量Fx3，折合为第一方向x上的加速度ax3，并且，掩膜版2在第三方向z上，在位置x3＝250mm处有一分量Fz3，两个方向上的合力为F3，折合的合加速度为a3；掩膜版2在第一方向x上，在位置x4＝-250mm处有一方向沿着x轴负方向的分量Fx4，折合为第一方向x上的加速度ax4，并且，掩膜版2在第三方向z上，在位置x4＝-250mm处有一分量Fz4，折合为第三方向z上的加速度az4，两个方向上的合力为F4，折合的合加速度为a4。磁力F3和磁力F4共同作用，在第一方向x上的分力Fx3和Fx4用于消除褶皱，在第三方向z上的分力Fz用于平衡掩膜版2和/或待蒸镀基板3的重力G。
可以理解的是，本实例中根据褶皱的形态，可调节第j至k个连续的磁铁块10的磁化方向，亦可只调节第i个磁铁块10的磁化方向。也就是说，为了得到在第一方向x上力的方向发生反转的分力Fx，可采用第一种方式，连续调节第j至k个磁铁块10的磁化方向；亦可只调整第i个磁铁块10的磁化方向，得到在第一方向x上力的方向几乎不发生反转的的分力Fx。
在一种实施方式中，继续如图5、图7、图9和图10所示，本实施例中的磁铁块10的形状可为圆柱体。本实施例中的磁铁块10还可为正方体或多边形柱体等。
本实施例提一种蒸镀方法，如图12所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀方法的一种流程示意图，该蒸镀方法适用于本实施例所涉及到的蒸镀装置100。
其中，该蒸镀方法包括：
S1、提供蒸镀基板和蒸发源；
S2、调节至少一个磁铁块的磁化方向，使得可调节磁铁阵列对掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx，用于消除掩膜版在第二方向上延伸的褶皱，使掩膜版表面平整；调节可调节磁铁阵列对掩膜版产生的磁力在第三方向z上分力Fz的大小，用于抵消掩膜版和/或待蒸镀基板的重力；
S3、加热蒸发源，进行蒸镀。
在一种实施方式中，该可调节磁铁阵列由m个磁铁块构成；可调节磁铁阵列包括至少一个磁化单元；磁化单元包括连续设置的N个磁铁块，磁化单元的磁化方向从角度α开始沿顺时针方向或逆时针方向连续旋进至角度β；磁化单元的长度为周期T，可调节磁铁阵列与掩膜版在第三方向z上的距离为z0；
该蒸镀方法还包括S4、调节磁铁阵列和掩膜版的距离z0和可调节磁铁阵列的周期T，用来调节可调节磁铁阵列对掩膜版产生的磁力在第三方向z上的分力Fz的大小，用于抵消掩膜版和/或待蒸镀基板的重力。示例性的，步骤S4可在步骤S2和步骤S1之间，如图13所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀方法的另一种流程示意图；亦可在步骤S2和步骤S3之间；还可以与步骤S2并列，本实施例中不对步骤S4的具体位置进行限定。
具体的，调节至少一个磁铁块的磁化方向，使得可调节磁铁阵列对掩膜版产生的磁力在第一方向x上具有分力Fx包括如下两种方式：
第一种，如图14所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀方法的另一种流程示意图，该蒸镀方法包括S22、调节第j至k个连续的磁铁块的磁化方向，以使可调节磁铁阵列对掩膜版产生的磁力在第一方向x上具有分力Fx。
第二种，如图15所示，其为本发明实施例所提供的蒸镀方法的另一种流程示意图，该蒸镀方法包括S23、调节第i个磁铁块的磁化方向，以使可调节磁铁阵列对掩膜版产生的磁力在第一方向x上具有分力Fx。
需要说明的是，步骤S23和步骤S22是并列的两个实施方案，在对可调节磁铁阵列进行调节时，可通过步骤S23进行调节，亦可通过步骤S22进行调节，还可以结合步骤S22和S23进行调节，具体的调节方式可根据具体的可调节磁铁阵列的排布确定。
在一种具体的实施方式中，调节至少一个磁铁块的磁化方向的方法包括，手动调节磁铁块的磁化方向或者利用马达调节磁铁块的磁化方向。具体的调节方式可根据具体的可调节磁铁阵列进行选择。
在一种实施方式中，在加热蒸发源，进行蒸镀之前，该蒸镀方法还包括，对蒸镀装置抽真空至预设真空度。
上述蒸镀方法适用于上述蒸镀装置，在对可调节磁铁阵列中的至少一个磁铁块进行调节之后，使得该可调节磁铁阵列在第一方向x上具有分力Fx，用来消除掩膜版在第二方向y上产生的褶皱，使得该掩膜版的表面平整；并且通过调节该可调节磁铁阵列对掩膜版在第三方向z上的分力Fz的大小，可消除掩膜版的重力。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种蒸镀装置，其特征在于，包括可调节磁铁阵列和掩膜版，
所述可调节磁铁阵列包括m个磁铁块，至少一个所述磁铁块的磁化方向可调节，
以使所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx，用于消除所述掩膜版在第二方向上延伸的褶皱，使所述掩膜版表面平整；
调节所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第三方向上分力Fz的大小，用于抵消重力；m≥1，m为正整数。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述可调节磁铁阵列由m个磁铁块构成；
所述可调节磁铁阵列包括至少一个磁化单元；
所述磁化单元包括连续设置的N个所述磁铁块，所述磁化单元的磁化方向从角度α开始沿顺时针方向或逆时针方向连续旋进至角度β，
0°<|β-α|≤360°；
其中，所述磁化单元的长度为周期T，由如下公式得到：
T＝N(D+s)，
N≥1，D表示磁铁块的直径，s表示相邻两个磁铁块之间的间隙。
3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述可调节磁铁阵列与所述掩膜版在所述第三方向上的距离为z0，通过调节所述周期T和所述距离z0来调节所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在所述第三方向上的分力Fz和所述第一方向上的分力Fx的大小。
4.根据权利要求2所述蒸镀装置，其特征在于，
所述可调节磁铁阵列由所述至少一个磁化单元构成。
5.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，
|β-α|＝360°。
6.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，
第j至k个连续的所述磁铁块的磁化方向被调节，以使所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx；
其中，1≤j≤k≤m。
7.根据权利要求6所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述第j至k个连续的所述磁铁块的磁化方向被调节，具体为：
第j至k个连续的所述磁铁块的磁化方向均被旋转一角度θ，
其中，0°<θ<360°。
8.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，
第i个所述磁铁块的磁化方向被调节，以使所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx；
其中，1≤i≤m。
9.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述磁铁块的形状为圆柱体。
10.一种蒸镀方法，适用于上述权利要求1～9任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，包括：
提供蒸镀基板和蒸发源；
调节至少一个所述磁铁块的磁化方向，使得所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx，用于消除所述掩膜版在第二方向上延伸的褶皱，使所述掩膜版表面平整；调节所述可调节磁铁阵列以调节所述掩膜版产生的磁力在第三方向上分力Fz的大小，用于抵消重力；
加热所述蒸发源，进行蒸镀。
11.根据权利要求10所述的蒸镀方法，其特征在于，
所述可调节磁铁阵列由m个磁铁块构成；
所述可调节磁铁阵列包括至少一个磁化单元；
所述磁化单元包括连续设置的N个所述磁铁块，所述磁化单元的磁化方向从角度α开始沿顺时针方向或逆时针方向连续旋进至角度β；
所述磁化单元的长度为周期T，所述可调节磁铁阵列与所述掩膜版在所述第三方向上的距离为z0；
所述蒸镀方法还包括：
调节所述距离z0和所述周期T，用来调节所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第三方向上的分力Fz的大小，用于抵消所述掩膜版的重力。
12.根据权利要求11所述的蒸镀方法，其特征在于，
调节第j至k个连续的所述磁铁块的磁化方向，以使所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx。
13.根据权利要求11所述的蒸镀方法，其特征在于，
调节第i个所述磁铁块的磁化方向，以使所述可调节磁铁阵列对所述掩膜版产生的磁力在第一方向上具有分力Fx。
14.根据权利要求10所述的蒸镀方法，其特征在于，所述调节至少一个所述磁铁块的磁化方向，包括：
手动调节所述磁铁块的磁化方向或者利用马达调节所述磁铁块的磁化方向。
15.根据权利要求10所述的蒸镀方法，其特征在于，在所述加热所述蒸发源，进行蒸镀之前，还包括：
对所述蒸镀装置抽真空至预设真空度。
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