KR100450978B1

KR100450978B1 - 정전척

Info

Publication number: KR100450978B1
Application number: KR10-2001-0073968A
Authority: KR
Inventors: 권기청; 변홍식; 김홍습
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2001-11-26
Filing date: 2001-11-26
Publication date: 2004-10-02
Also published as: KR20030043012A

Abstract

본 발명은 챔버(chamber)의 내부에 장착되어 웨이퍼(wafer)의 파지 및 온도를 제어하는 정전척에 관한 것으로, 냉각부와, 동일 평면상에 배열되는 다수의 알에프전극과, 정전척전극이 각각 내장된 정전척 몸체와; 상기 정전척 몸체의 상부에 위치하여, 웨이퍼가 안착되는 상면에 소정의 그루브(groove) 패턴을 가지는 헬륨 유로판넬과; 상기 냉각부에 각각 냉각용매를 유입 및 유출하는 냉각용매 유입관 및 냉각용매 유출관과; 상기 정전척전극에 직류전압을 인가하는 직류 전압봉과; 상기 다수의 알에프전극에 각각 일단이 연결되는 다수의 알에프전압봉과; 상기 다수의 알에프전압봉의 타단에 각각 연결되는 다수의 임피던스 정합장치와; 상기 다수의 임피던스 정합장치에 알에프 전원을 인가하는 알에프 전원과; 상기 그루브 패턴에 각각 헬륨을 유입 및 유출하는 헬륨 유입관 및 헬륨 유출관을 포함하는 정전척을 제공한다.

Description

정전척{electrostatic chuck}

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 좀 더 자세하게는 반도체 제조장치인 챔버 내에 장착되어, 그 상면에 안착되는 웨이퍼를 파지하고 이의 온도를 제어하는 정전척(electrostatic chuck)에 관한 것이다.

근래에 들어 과학이 발달함에 따라 새로운 물질의 개발 및 처리를 가능하게 하는 신소재 분야가 급속도로 발전하였고, 이러한 신소재 분야의 개발 성과물은 반도체 산업의 비약적인 발전 원동력이 되고 있다.

반도체 소자는 웨이퍼의 상면에 수 차례에 걸친 박막의 증착 및 이의 패터닝(patterning) 등의 처리공정을 통해 구현되는 고밀도 집적회로(LSI: Large Scale Integration)로서, 전술한 박막의 증착 및 패터닝 등의 공정은 통상 밀폐된 반응 용기인 챔버에서 진행된다.

이에 낱장으로 공급되는 웨이퍼를 고정하기 위하여 챔버의 내부에 설치되는 장치가 척(chuck)인데, 이러한 척으로는 현재 그 중심부에서 진공을 웨이퍼에 가해 고정하는 배큠척(vacuum chuck)이나 또는 직류전압을 인가하여 정전장을 형성하고, 이 정전장과 웨이퍼와의 정전상호 작용으로 웨이퍼를 고정하는정전척(electrostatic chuck)등이 활용되고 있다.

이 중 특히 정전척은 다른 여타의 척에 비해 우수한 특징을 가지고 있어, 현재 에칭 또는 화학기상증착(Chemical Vapour Deposition : CVD) 장치 등에 널리 사용되고 있는데, 한편 전술한 챔버 내에서 진행되는 반도체 제조공정에 있어서 웨이퍼의 온도제어는 완성소자의 특성 즉, 반도체 소자의 균일도(Uniformity), 선폭(critical dimension, CD), 프로파일(profile) 및 재현성(repeatability) 등에 중요한 영향을 미치게 된다. 따라서 일반적인 정전척은 그 상면에 안착되는 웨이퍼의 온도제어를 위한 다수의 장치를 포함하고 있는 바, 이를 도면을 통하여 상세히 설명한다.

이때 일반적인 정전척은 목적에 따라 내부 구성요소의 배열 및 구성에 있어서 일정정도의 변형이 있을 수 있으나, 이들의 목적 및 기능 면에 있어서는 공통되므로 이하 플라즈마를 통해 웨이퍼를 처리하는 플라즈마 처리 챔버 내에 장착되는 정전척을 일례로 설명한다.

도 1은 일반적인 정전척(30)의 구조를 도시한 단면도로서, 이는 그 내부에 각각 냉각부(38)와, 알에프(Radio Frequency : RF)전극(34)과, 정전척전극(40)이 실장되고, 상단에 위치하는 헬륨유로 판넬(32)을 더욱 포함하는 바, 이러한 정전척(30)은 비록 도시되지는 않았지만, 챔버의 저면을 관통하여 승강 가능하도록 설치되는 벨로우즈(bellows)에 결합되어, 이의 상면, 즉 헬륨유로 판넬(32)의 상면에 웨이퍼(1)가 안착되는 것이다.

이때 상기 정전척전극(40)에는 외부로부터 직류전압을 인가하는 직류전압봉(41)이 연결되어 전기장을 형성함으로써 웨이퍼(1)를 보다 긴밀하게 파지하며, 정전척 몸체(36)의 내부에 설치된 냉각부(38)는 후술하는 헬륨 유로판넬(32)의 상면에 안착되는 웨이퍼(1)와 대응되는 정도의 직경을 가지는 냉각용매 패스(path)로서, 각각 외부에서부터 냉각용매를 유입하는 냉각용매 유입관(39a)과, 상기 냉각부(38)에서 순환된 냉각용매를 유출하는 냉각용매 유출관(39b)이 연결되어, 그 내부에 냉각용매를 저장 및 순환함으로써 웨이퍼(1)의 온도를 제어하게 된다.

또한 상기 알에프전극(34)에는 알에프전압봉(35)의 일단이 연결되고, 이의 타단에는 접지된 알에프전원(54)과, 상기 알에프전원(54)으로부터 발생된 고주파 전력을 부하인 알에프전극(34)에 최대로 전달하기 위한 임피던스 정합장치(52)를 포함하는 바이어스 소스(50)가 구비되어, 상기 알에프전극(34)에 전압을 공급함으로써 플라즈마 이온의 임팩트(impact) 정도를 조절하게 된다.

이러한 정전척 몸체(36)의 상단에 결합된 헬륨 유로판넬(32)은, 그 상면에 안착되는 웨이퍼(1)와의 경계면에 헬륨가스를 순환시킴으로써 웨이퍼(1)의 온도제어를 보조하게 되는데, 이를 위하여 상기 헬륨 유로판넬(32)의 상면에는 헬륨가스가 순환할 수 있는 하는 헬륨 유로, 즉 그루브(groove) 패턴(미도시)이 형성되어 있고, 이러한 그루브 패턴에는 각각 외부로부터 헬륨가스를 인입하는 헬륨 유입관(33a)과, 이를 유출하는 헬륨 유출관(33b)이 연결되어 있다.

이에 상기 헬륨 유입관(33a)을 통하여 유입된 헬륨 가스는 상기 그루브 패턴을 순환한 후 헬륨 유출관(33b)을 통하여 외부로 배출되는 과정을 거치면서 웨이퍼(1)와의 열 전도 형상을 통해 온도 제어를 보조하게 된다.

이상에서 설명한 일반적인 정전척(30)은 그 종류에 따라 전술한 헬륨 유입관(33a) 및 헬륨 유출관(33b)과, 냉각용매 유입관(39a) 및 유출관(39b)과, 알에프전압봉(35) 및 직류전압봉(41)과, 알에프전극(34) 및 정전척전극(40)의 위치나 배열순서에 일정정도의 차이가 있을 수 있으나 통상 유사한 구조를 가지고 있다.

그러나 이러한 구성을 가지는 일반적인 정전척(30)은 사용상에 있어서 몇 가지 치명적인 문제점을 나타내고 있는데, 이는 특히 처리대상물인 웨이퍼(1)의 직경이 300mm 이상의 대형 웨이퍼일 경우에 더욱 심각하게 나타난다.

즉, 최근에 들어 보다 높은 생산성을 위하여, 웨이퍼의 사이즈를 종래의 직경이 200mm 보다 큰 300mm 이상으로 대형화하는 방법이 개발되어 널리 활용되고 있는데, 이러한 300mm 이상의 직경을 가지는 대형 웨이퍼를 통해 반도체 소자를 제조함에 있어서, 전술한 일반적인 정전척(30)을 사용할 경우에 위치에 따라 웨이퍼에 불균일한 전기장이 부여되는 현상이 관찰되고 있다.

다시 말해 일반적인 정전척(30)의 내부에 실장되는 알에프전극(34)에서 알에프파워(RF power)는 표면으로 흐르는 성질을 가지므로, 알에프전극(34)을 구성하는 전도성 물질의 자체 표면저항(임피던스)에 의해서, 바이어스 소스(50)로부터 전달된 전압 파장이 균일하게 확산되지 못함에 따라 불 균일한 전기장을 형성하게 되는데, 이러한 불 균일한 전기장은 정전척(30)의 면적 확대에 따라 더욱 심화되고 있는 실정이다.

또한 전술한 바와 같이 이러한 정전척(30)을 플라즈마 처리 챔버에 장착할 경우에 있어서, 알에프전극(34)에서 발생된 전기장은 플라즈마 이온 임팩트를 조절하는 역할을 하게 되는데, 이러한 불균일한 전기장의 형성은 결국 웨이퍼(1)의 불 균일한 가공, 처리로 나타나게 된다.

그리고 웨이퍼(1)의 면적이 확대됨에 따라, 상기 알에프전극(34)이 발생하는 전기장도 이에 비례해서 증가해야만 하는데, 이를 위하여 무리하게 높은 전압을 인가할 경우 정전척의 수명을 단축시키게 되는 문제점을 가지고 있다. 이에 결국 웨이퍼에 부여되는 균일하지 못한 전기장은 완성소자의 균일도나 선폭, 프로파일 또는 재현성 등을 저하시켜 신뢰성을 저하시키는 원인이 되고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 웨이퍼의 면적 확대에도 보다 균일한 전기장의 발생이 가능한, 보다 개선된 정전척을 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 일반적인 정전척의 구조를 도시한 단면도

도 2는 본 발명에 따른 정전척의 구조를 도시한 단면도

도 3은 본 발명에 따른 정전척에 내장되는 알에프전극의 평면도

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 웨이퍼 130 : 정전척

132 : 헬륨 유로판넬

133a, 133b : 헬륨 유입관 및 헬륨 유출관

134a, 134b : 제 1 및 제 2 알에프전극

135 : 알에프전압봉 135a : 제 1 서브 전압봉

135b : 제 2 서브 전압봉 136 : 정전척 몸체

138 : 냉각부

139a, 139b : 냉각용매 유입관 및 냉각용매 유출관

140 : 정전척전극 141 : 직류전압봉

150 : 바이어스 소스

152a, 152b : 제 1 및 제 2 임피던스 정합장치

154 : 알에프 전원

본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 챔버(chamber)의 내부에 장착되어 웨이퍼(wafer)의 파지 및 온도를 제어하는 정전척에 관한 것으로, 냉각부와, 동일 평면상에 배열되는 다수의 알에프전극과, 정전척전극이 각각 내장된 정전척 몸체와; 상기 정전척 몸체의 상부에 위치하여, 웨이퍼가 안착되는 상면에 소정의 그루브(groove) 패턴을 가지는 헬륨 유로판넬과; 상기 냉각부에 각각 냉각용매를 유입 및 유출하는 냉각용매 유입관 및 냉각용매 유출관과; 상기 정전척전극에 직류전압을 인가하는 직류 전압봉과; 상기 다수의 알에프전극에 각각 일단이 연결되는 다수의 알에프전압봉과; 상기 다수의 알에프전압봉의 타단에 각각 연결되는 다수의 임피던스 정합장치와; 상기 다수의 임피던스 정합장치에 알에프 전원을 인가하는 알에프 전원과; 상기 그루브 패턴에 각각 헬륨을 유입 및 유출하는 헬륨 유입관 및 헬륨 유출관을 포함하는 정전척을 제공한다.

이때 상기 알에프전극은 제 1 알에프전극과; 내부에 상기 제 1 알에프전극이 삽입되는 개구부를 가지는 제 2 알에프전극을 포함하며, 상기 제 1 또는 제 2 알에프전극의 재질은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중 선택된 하나인 것을 특징으로 한다.

한편 대형 웨이퍼를 처리하기 위해, 웨이퍼가 안착되는 상기 헬륨유로판넬의 상면은 직경이 300mm를 초과하도록 제작할 수 있다.

이하 본 발명에 대한 올바른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

본 발명에 따른 정전척의 내부에 실장되는 알에프전극은, 전도성 물질로 구성되는 다수의 알에프전극을 동일 평면상에 배열하고, 여기에 각각 알에프 전력이 인가되는 구성을 가짐을 특징으로 하는데, 이러한 본 발명에 따른 정전척의 단면을 도 2에 도시하였다.

이때 이하에 있어서, 통상 플라즈마를 사용하여 웨이퍼를 처리하는 플라즈마처리 챔버에 적용되는 정전척을 일례로 설명하나, 본 발명은 비단 이에 한정되지는 않으며, 다양한 변형이 가능함은 이하의 설명을 통해 당업자에게 자명한 사실이 될 것이다.

본 발명에 따른 정전척(130)은 각각 정전척 몸체(136)와, 상기 정전척 몸체(136)의 상단에 결합되는 헬륨 유로판넬(132)로 구분 가능하고, 이는 비록 도시되지는 않았지만, 챔버의 저면을 관통하여 승강 가능하도록 설치되는 벨로우즈 상에 설치되어, 이의 상면 특히 헬륨 유로판넬(132)의 상면에 웨이퍼(1)가 안착된다.

이때 이러한 정전척 몸체(136)의 내부에는 냉각부(138)와, 다수의 알에프전극(134a, 134b) 및 정전척전극이 설치되는데, 먼저 상기 냉각부(138)에는 각각 외부에서부터 냉각용매를 유입하는 냉각용매 유입관(139a)과, 상기 냉각부에서 순환된 냉각용매를 유출하는 냉각용매 유출관(139b)이 연결되어, 그 내부에 냉각용매를 저장 및 순환함으로써 웨이퍼(1)의 온도를 제어하는 방식을 사용하게 된다.

또한 정전척전극(140)은 외부 직류전원(미도시)으로부터 인가되는 직류전압을 전달하는 직류전압봉(141)에 의해 정전장을 형성함으로써, 웨이퍼(1)를 긴밀하게 파지함은 일반적인 경우와 동양(同樣)이라 할 것이다.

이때 특히 본 발명은 이러한 냉각부(138) 및 정전척전극(140)과 함께 정전척(130) 내부에 실장되는 알에프전극이 다수인 것을 특징으로 하는데 이는 바람직하게는 도시된 바와 같이 제 1 알에프전극(134a)과, 제 2 알에프전극(134b)으로 구분된다.

즉, 제 1 알에프전극(134a)과, 이러한 제 1 알에프전극(134a)의 가장자리를 따라 둘러싸는 제 2 알에프전극(134b)이 동일 평면상에 배열되는 구성을 가지게 되는데, 다시 말해 본 발명에 따른 알에프전극의 평면도를 도시한 도 3과 같이, 그 내부 중앙에 제 1 알에프전극(134a)이 삽입될 수 있는 개구부가 형성되어 도우넛 형상을 가지는 제 2 알에프전극(134b)과, 상기 제 2 알에프전극(134b)의 개구부에 삽입되는 제 1 알에프전극(134a)으로 이루어진다.

이때 이러한 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)의 재질로는, 통상의 정전척몸체(136)를 구성하는 알루미늄(Al)보다 전기 전도도가 뛰어난 구리(Cu), 금(Au), 또는 은(Ag) 중 선택된 하나가 사용될 수 있으며, 목적에 따라 전술한 금속 중 서로 상이한 재질로 각각 제 1 알에프전극(134a)과 제 2 알에프전극(134b)을 형성할 수 있다.

또한 이러한 제 1 알에프전극(134a)과 제 2 알에프전극(134b)에는 각각 제 1 및 제 2 서브 전압봉(135a, 135b)의 일단이 연결되는데, 이러한 제 1 및 제 2 서브 전압봉(135a, 135b)의 타단은 각각 제 1 및 제 2 임피던스 정합장치(152a, 152b) 및 알에프 전원(154)을 포함하는 바이어스 소스(150)에 전기적으로 연결되어 있다.

즉, 본 발명에 따른 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)에 각각 전력을 인가하는 바이어스 소스(150)는, 하나의 고주파 알에프 전원(154)과, 상기 고주파 전류를 인출하는 제 1 전압봉(135)과, 상기 제 1 전압봉(135)으로부터 각각 분지된 제 1 및 제 2 서브 전압봉(135a, 135b)과, 상기 제 1 및 제 2 서브 전압봉(135a, 135b)의 중간에 각각 설치되어 전술한 알에프 전원(154)으로부터 발생된 전력을 각각 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)에 적절히 제어하여 인가할 수 있도록 하는 제 1 및 제 2 임피던스 정합장치(152a, 152b)를 포함하고 있다.

따라서 상기 알에프전원(154)으로부터 발생된 고주파 전력은 각각 제 1 및 제 2 임피던스 정합장치(152a, 152b)를 통하여 적절히 제어된 상태로 각각 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)으로 인가됨으로써, 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)은 서로 독립되어 정전장을 형성하게 되는 것이다.

이에 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)이 각각 유도한 전기장은 플라즈마 이온의 웨이퍼(1)로의 임팩트 정도를 각각 제어하게 되는데, 이러한 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)을 통해, 특히 300mm 이상의 직경을 가지는 웨이퍼에도 동일한 전기장을 부여할 수 있는 것이다.

또한 이와 같이 그 내부에 냉각부(138) 및 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)이 각각 설치된 정전척 몸체(136)의 상단에는 헬륨유로 판넬(132)이 결합되는데, 이는 그 상면에 안착되는 웨이퍼(1)와의 경계면에 헬륨가스를 순환시킴으로써 웨이퍼(1)의 온도제어를 보조하게 된다.

이를 위하여 상기 헬륨 유로판넬(132)의 상면에는 헬륨가스가 순환할 수 있게 하는 헬륨 유로, 즉 그루브 패턴(미도시)이 형성되어 있고, 이러한 그루브 패턴에는 각각 외부로부터 헬륨가스를 인입하는 헬륨 공급관(133a)과, 이를 유출하는 헬륨 유출관(133b)이 연결되어 있어, 상기 헬륨 공급관(133a)을 통하여 유입된 헬륨 가스는 그루브 패턴을 순환한 후 헬륨 유출관(133b)을 통하여 외부로 배출되는 과정을 통해서 웨이퍼(1)의 온도를 제어하게 된다.

이상에서 설명한 구조를 가지는 본 발명에 따른 정전척(130)의 동작을 도 2와 도 3을 통하여 설명하면, 먼저 챔버 내에 설치된 정전척(130)의 상면에 웨이퍼(1)를 안착하고, 정전척 몸체(136) 내부의 정전척전극(140)에 직류전압을 인가하여 형성된 정전장으로 웨이퍼를 정전척에 긴밀하게 파지시킨다.

이후 챔버의 내부로 공정가스가 공급되어 반응이 진행되는데, 이러한 공정 진행 중에 웨이퍼(1)의 온도가 지나치게 고온 과열되어 손상되는 것을 방지하기 위하여, 공정의 진행과 동시에 정전척 몸체(136)에 내장된 냉각부(138)를 구동하게 되고, 이는 냉각용매 유입관(139a)을 통하여 냉각부(138)에 냉각용매를 공급한 후, 냉각용매 유출관(139b)을 통하여 냉각용매를 유출시키는 과정을 연속적으로 반복함으로써 냉각부(138)에 냉각용매를 순환시키게 된다.

이때 웨이퍼(1)의 냉각을 보조하기 위하여 헬륨 유입관(133a)을 통하여 헬륨을 유입시켜 헬륨 유로 판넬(132)의 상면과 웨이퍼(1)의 배면사이에 형성된 그루브 패턴을 따라 헬륨을 순환시키고, 순환된 헬륨은 헬륨 유출관(133b)을 통해 외부로 배출시킨다. 이러한 과정과 동시에 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)을 구동하여 웨이퍼에 균일한 전기장을 부여함으로써 플라즈마의 이온 임팩트를 제어하게 된다.

이는 알에프 전원(154)을 온(on) 하여 제 1 전압봉(135)에 전력을 전달하면, 이는 각각 제 1 및 제 2 서브 전압봉(135a, 135b)으로 분배되어 인가되는 바, 이와 같이 분배된 전압은 각각 제 1 및 제 2 임피던스 정합장치(152a, 152b)를 통해 적절히 제어된 상태로 각각 제 1 및 제 2 알에프전극(134a, 134b)에 인가된다.

이때 제 1 및 제 2 임피던스 정합장치(152a, 152b)는 목적에 따라 선택적으로 제 1 알에프전극(134a) 또는 제 2 알에프전극(134b) 중 어느 하나에만 전력을 인가하거나 또는 둘 모두에 인가되는 전력을 각각 적절히 조절하여 인가할 수 있으므로, 일반적인 경우와 비교하여 알에프전극의 가장자리로 갈수록 정전장이 약해지거나 또는 불균일한 정전장이 형성되는 현상을 충분히 해소 할 수 있다.

본 발명은 알에프전극을 다수 개 구비하여, 이를 정전척의 몸체의 내부에 동일 평면상에 배열함으로써 보다 균일하면서도 충분한 양의 전기장을 형성할 수 있는 장점을 가지고 있다.

특히 이러한 다수의 알에프전극의 배열에 있어서, 바람직하게는 그 갯수를 두 개로 하고, 이 중 하나의 중앙에 개구부를 형성하여 여기에 다른 하나를 끼워 넣음으로써, 일반적인 정전척에서 흔히 발생할 수 있는 불균일한 전기장을 충분히 해소 할 수 있다.

또한 이러한 두 개의 알에프전극에 인가되는 전력을 각각 조절할 수 있는 두 개의 임피던스 정합장치를 구비하여, 목적에 따라 각각의 알에프전극이 형성하는 전기장의 분포를 용이하게 제어할 수 있는 장점을 아울러 가지게 된다.

이러한 본 발명의 효과는 그 직경이 300mm 이상의 대형 웨이퍼에 적용될 경우 보다 큰데, 즉 각각의 임피던스 정합장치를 통해 알에프전극이 형성하는 균일한 전기장을 웨이퍼에 부여하여, 플라즈마 이온 임팩트를 웨이퍼 전면적에 걸쳐 균일하게 조절할 수 있으므로, 플라즈마 식각에서 흔히 웨이퍼의 가장자리 부분에서 발생되는 포토레지스트의 산화(burning) 현상 및 불균일한 식각 현상을 쉽게 해결할 수 있는 장점을 가지고 있다.

Claims

챔버(chamber)의 내부에 장착되어 웨이퍼(wafer)의 파지 및 온도를 제어하는 정전척으로서,

냉각부와, 동일 평면상에 배열되는 다수의 알에프전극과, 정전척전극이 각각 내장된 정전척 몸체와;

상기 정전척 몸체의 상부에 위치하여, 웨이퍼가 안착되는 상면에 소정의 그루브(groove) 패턴을 가지는 헬륨 유로판넬과;

상기 냉각부에 각각 냉각용매를 유입 및 유출하는 냉각용매 유입관 및 냉각용매 유출관과;

상기 정전척전극에 직류전압을 인가하는 직류 전압봉과;

상기 다수의 알에프전극에 각각 일단이 연결되는 다수의 알에프전압봉과;

상기 다수의 알에프전압봉의 타단에 각각 연결되는 다수의 임피던스 정합장치와;

상기 다수의 임피던스 정합장치에 알에프 전원을 인가하는 알에프 전원과;

상기 그루브 패턴에 각각 헬륨을 유입 및 유출하는 헬륨 유입관 및 헬륨 유출관

을 포함하는 정전척
청구항 1에 있어서,

상기 알에프전극은 제 1 알에프전극과;

내부에 상기 제 1 알에프전극이 삽입되는 개구부를 가지는 제 2 알에프전극

을 포함하는 정전척
청구항 2에 있어서,

상기 제 1 또는 제 2 알에프전극의 재질은 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중 선택된 하나인 정전척
청구항 1에 있어서,

웨이퍼가 안착되는 상기 헬륨유로판넬의 상면은 직경이 300mm를 초과하는 정전척