TW201326434A - 有機層沉積設備、使用其製造有機發光顯示裝置之方法及有機發光顯示裝置 - Google Patents

有機層沉積設備、使用其製造有機發光顯示裝置之方法及有機發光顯示裝置 Download PDF

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Abstract

一種有機層沉積設備包含：沉積源，係用以釋出沉積材料；沉積源噴嘴單元，排列於沉積源之側邊且包含複數個沉積源噴嘴；圖樣化狹縫片，係排列以相對於沉積源噴嘴單元且包含複數個圖樣化狹縫；靜電夾盤，基板係附加於靜電夾盤上及自靜電夾盤卸載；夾盤移動構件，與靜電夾盤結合且配置以移動靜電夾盤；以及導引構件，引導夾盤移動構件之移動，夾盤移動構件包含第一磁力產生器，導引構件包含對應至第一磁力產生器之第二磁力產生器，藉由第一磁力產生器與第二磁力產生器產生之磁力，夾盤移動構件於導引構件上係可移動的。

Description

有機層沉積設備、使用其製造有機發光顯示裝置之方法及有機發光顯示裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年12月16日向韓國智慧財產局提出，申請號為10-2011-0136558之韓國專利申請案之優先權及效益，其全部內容納於此處作為參考。
本發明之實施例之態樣係關於一種有機層沉積設備、使用其製造有機發光顯示裝置之方法及有機發光顯示裝置。
有機發光顯示裝置相較於其他顯示裝置具有較大視角、較佳對比特性以及較快反應速度，故而已視為下一代顯示裝置而受重視。
一般而言，有機發光顯示裝置具有包含陽極、陰極以及插設於陽極與陰極間之發光層之堆疊結構。當分別從陽極與陰極注入之電洞與電子於發光層中再結合從而發光時，裝置顯示彩色影像。然而，以如此結構難以達成高發光效率。故而，包含電子注入層、電子傳輸層、電洞注入層、電洞傳輸層及/或其相似物之中間層可額外插設於發光層與每一電極之間。
根據本發明實施例之態樣，有機層沉積設備係被輕易製造、可簡單地應用於大量地製造大尺寸顯示裝置、改進生產量及沉積效率、以及具有基板轉移之改良精度。根據本發明實施例之進一步態樣，提供藉由使用上述有機層沉積設備製造之有機發光顯示裝置之方法及一種有機發光顯示裝置。
根據本發明之實施例，一種用以形成有機層於基板上之有機層沉積設備包含沉積源，係用以釋出沉積材料；沉積源噴嘴單元，排列於沉積源之側邊且包含複數個沉積源噴嘴；圖樣化狹縫片，係排列以相對於沉積源噴嘴單元且包含複數個圖樣化狹縫；靜電夾盤，基板係附加於靜電夾盤上及自靜電夾盤卸載；夾盤移動構件，與靜電夾盤結合且配置以移動靜電夾盤；以及導引構件，引導夾盤移動構件之移動。夾盤移動構件包含第一磁力產生器。導引構件包含對應至第一磁力產生器之第二磁力產生器。藉由第一磁力產生器與第二磁力產生器產生之磁力，夾盤移動構件於導引構件上係可移動的。基板係與圖樣化狹縫片隔開，且基板與圖樣化狹縫片之至少其一係彼此相對移動。圖樣化狹縫片於第一方向與垂直於第一方向之第二方向之至少其一係小於該基板。
每一第一磁力產生器可包含含有複數個磁鐵之磁性軌道於夾盤移動構件之其ㄧ之表面上。
於磁性軌道中，磁鐵可排列於直線且複數個磁鐵之相鄰磁鐵可具有不同極性。
複數個磁鐵包含電磁鐵、永久性磁鐵或超導性磁鐵。
每一第二磁力產生器可包含複數個磁性滾筒，係與磁性軌道間隔開；軸件，連接複數個磁性滾筒；以及軸件固定單元，固定軸件於導引構件上以沿著軸件之長度方向沿伸之軸而轉動軸件。
複數個磁性滾筒可包含於軸件之長度方向螺旋扭轉之複數個磁鐵。
於複數個磁性滾筒中，相鄰磁鐵可具有不同極性。
當磁性滾筒轉動時，藉由磁性滾筒產生之第一磁場可變化以移動夾盤移動構件，每一夾盤移動構件包含於導引構件上之磁性軌道。
每一第二磁力產生器可更包含用以轉動軸件之驅動單元。
每一第一磁力產生器可包含複數個磁性滾筒；軸件，連接複數個磁性滾筒；以及軸件固定單元，固定軸件於導引構件上以沿著軸件之長度方向沿伸之軸而轉動軸件。
複數個磁性滾筒可包含於該軸件之長度方向螺旋扭轉之複數個磁鐵。
於複數個磁性滾筒中，相鄰磁鐵具有不同極性。
每一第二磁力產生器可包含含有複數個磁鐵之磁性軌道於夾盤移動構件之表面上，磁性滾筒係與磁性軌道相隔。
於磁性軌道中，磁鐵可排列於直線且複數個磁鐵之相鄰磁鐵具有不同極性。
複數個磁鐵可包含電磁鐵、永久性磁鐵或超導性磁鐵。
當磁性滾筒轉動時，藉由磁性滾筒產生之第一磁場可變化以移動夾盤移動構件，每一夾盤移動構件包含於導引構件上之磁性軌道。
每一第一磁力產生器可更包含用以轉動軸件之驅動單元。
驅動單元可於每一夾盤移動構件上，且於對應之導引構件上與對應之夾盤移動構件一起移動。
有機層沉積裝置可更包含介於每一夾盤移動構件及對應之導引構件間之線性移動(linear motion, LM)導軌。
每一線性移動導軌可包含導引塊，係於個別的夾盤移動構件上；以及導引軌道，係於個別的導引構件上，其中導引塊於導引軌道上可為可移動的。
有機層沉積設備可更包含負載單元，係用以將基板附加到靜電夾盤上；以及卸載單元，係用以將已執行沉積之基板從靜電夾盤卸載。
圖樣化狹縫片可小於基板。
沉積源噴嘴單元可包含排列於一方向之複數個沉積源噴嘴，且圖樣化狹縫片之複數個圖樣化狹縫可排列於垂直於該方向之另一方向。
根據本發明之另一實施例，一種使用有機層沉積設備製造之有機發光顯示裝置包含基板；以及至少一有機層，係藉由使用有機層沉積設備而形成於基板上。至少一有機層具有線形圖樣。
至少一有機層可包含發光層。
至少一有機層可更包含選自由電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層以及電子注入層所組成之群組之至少一層。
至少一有機層可具有不均勻厚度。
根據本發明之另一實施例，有機發光顯示裝置包含具有不均勻厚度且係藉由使用有機層沉積設備而形成之至少一有機層。
根據本發明之另一實施例，製造有機發光顯示裝置之方法包含固定基板於靜電夾盤上；結合夾盤移動構件與靜電夾盤；藉由移動夾盤移動構件於導引構件上而移動靜電夾盤進入腔室；以及藉由相對移動基板及排列於腔室中之有機層沉積組件之至少其一而形成有機層於基板上。夾盤移動構件係藉由磁力而移動於導引構件上，且基板係與有機層沉積組件間隔開。有機層沉積組件之圖樣化狹縫片係於第一方向及垂直於第一方向之第二方向之至少其一小於基板。
每一夾盤移動構件可包含於其表面上之第一磁力產生器，以及每一導引構件可包含於其表面上且對應至第一磁力產生器之之第二磁力產生器。
每一第一磁力產生器可包含含有複數個磁鐵之磁性軌道。
每一第二磁力產生器可包含：複數個磁性滾筒，係與磁性軌道間隔開；軸件，連接複數個滾筒；以及軸件固定單元，固定軸件於導引構件上以沿著軸件之長度方向沿伸之軸而轉動軸件。
移動靜電夾盤可包含藉由使用驅動單元而產生驅動力以轉動軸件，其中當軸件轉動時，磁性滾筒係轉動以產生第一磁場，且藉由第一磁場與磁性軌道間之磁力，夾盤移動構件移動至導引構件上。
本發明實施例之上述及其他特徵與態樣將藉由參閱附圖以詳細描述其部份例示性實施例而變得更加顯而易見，其中：
第1圖 係根據本發明實施例之有機層沉積設備之示意圖；
第2圖 係根據本發明實施例之具有基板附加於其之第1圖之有機層沉積設備之靜電夾盤之剖面圖；
第3圖 係根據本發明實施例之包含於第1圖之有機層沉積設備之第一傳輸單元與第一有機層沉積組件之透視圖；
第4圖 係第3圖之第一傳輸單元與第一有機層沉積組件之前視圖；
第5圖 係根據本發明實施例之包含於第1圖之有機層沉積設備之夾盤移動構件與導引構件之透視圖；
第6圖 係根據本發明另一實施例之包含於有機層沉積設備之第一傳輸單元與第一有機層沉積組件之透視圖；
第7圖 係包含於第6圖之有機層沉積設備之第一傳輸單元之前視圖；
第8圖 係包含於第6圖之有機層沉積設備之第一傳輸單元之側視圖；
第9圖 係根據本發明實施例之包含於第6圖之有機層沉積設備之夾盤移動構件及導引構件之透視圖；
第10圖 係根據本發明實施例之第1圖之有機層沉積設備之有機層沉積組件之透視圖；
第11圖 係第10圖之有機層沉積組件之剖面側視圖；
第12圖 係第10圖之有機層沉積組件之剖面平面圖；
第13圖 係根據本發明另一實施例之有機層沉積組件之透視圖；
第14圖 係根據本發明另一實施例之有機層沉積組件之透視圖；
第15圖 係根據本發明實施例之使用有機層沉積設備製造之主動矩陣有機發光顯示裝置之剖面圖；
第16圖 係根據本發明實施例之於有機層沉積組件之圖樣化狹縫片中以等間隔形成之圖樣化狹縫之俯視圖；以及
第17圖 係根據本發明實施例之藉由使用第16圖之圖樣化狹縫片而形成於基板上之有機層之剖面側視圖。
下文中，本發明之部分例示性實施例將參閱附圖而更詳細地描述；然而，本發明之實施例可以不同形式實施且不該受限於所示且闡明於此之例示性實施例。相反地，此些實施例係用以使所屬領域具有通常知識者理解本發明及涵蓋本發明之範疇。對於技術領域具一般知識者要了解的是，所描述實施例可在不脫離本發明之精神與範疇下進行各種修改。
第1圖係根據本發明實施例之有機層沉積設備之示意圖。參閱第1圖，有機層沉積設備包含負載單元710、沉積單元730、卸載單元720、第一傳輸單元610及第二傳輸單元620。
於一實施例中，負載單元710可包含第一框架712、傳送機械714、傳送腔室716及第一反轉腔室718。
沉積材料尚未塗於其上之複數個基板500係堆疊於第一框架712上。傳送機械714從第一框架712拾起基板500之其中之一，放置於藉由第二傳輸單元620傳輸之靜電夾盤600，且移動具有基板500於其上之靜電夾盤600進入傳送腔室716。
第一反轉腔室718係設置與傳送腔室716鄰近。於一實施例中，設置於第一反轉腔室718中之第一反轉機械719將具有基板500於其上之靜電夾盤600反轉，然後將其負載於沉積單元730之第一傳輸單元610上。
參閱第2圖，於一實施例中，靜電夾盤600可包含嵌入於以陶瓷形成之主體601中之電極602，其中電源供應至電極602。當高電壓供應至電極602時，基板500係附加於主體601之表面。
參閱第1圖，傳送機械714放置基板500之其中之一於靜電夾盤600之上表面上，且基板500設置於其上之靜電夾盤600係負載進入傳送腔室716。第一反轉機械719將靜電夾盤600反轉以使基板500於沉積單元730中上下顛倒。
於一實施例中，卸載單元720係建構以前述之負載單元710之相反方式運作。於一實施例中，於第二反轉腔室728中之第二反轉機械729將已通過沉積單元730之具有基板500於其上之靜電夾盤600反轉，然後移動具有基板500於其上之靜電夾盤600進入噴射腔室726。接著，噴射機械724將具有基板500於其上之靜電夾盤600從噴射腔室726移除，將基板500從靜電夾盤600分離，然後將基板500負載於第二框架722上。與基板500分離之靜電夾盤600透過第二傳輸單元620重回負載單元710。
然而，本發明不受限於上述描述。例如，於其他實施例中，當基板500初始設置於靜電夾盤600上時，基板500可固定於靜電夾盤600之底表面上，然後移動進入沉積單元730內。在此情況下，舉例而言，並不需要第一反轉腔室718與第一反轉機械719以及第二反轉腔室728與第二反轉機械729。
沉積單元730可包含至少一沉積腔室。參閱第1圖，沉積單元730可包含第一至第四有機層沉積組件100、200、300及400設置於其中之第一腔室731。雖然第1圖繪示4個有機層沉積組件全部(即，第一至第四有機層沉積組件100至400)係安裝於第一腔室731，可安裝於第一腔室731中之有機層沉積組件之全部數量可改變，例如根據沉積材料與沉積條件。第一腔室731於沉積製程中維持於真空狀態。
於一實施例中，具有基板500於其上之靜電夾盤600可至少移動至沉積單元730或可藉由第一傳輸單元610而依序移至負載單元710、沉積單元730及卸載單元720。當基板500藉由卸載單元720而與靜電夾盤600分離，然後靜電夾盤600藉由第二傳輸單元620移回至負載單元710。
第3圖係根據本發明實施例之包含於第1圖之有機層沉積設備之第一傳輸單元610與第一有機層沉積組件100之透視圖。第4圖係第3圖之第一傳輸單元與第一有機層沉積組件之前視圖。為了清晰之目的，第一腔室731未繪示於第3圖中。第5圖係根據本發明實施例之包含於第1圖之有機層沉積設備之夾盤移動構件230與導引構件221之透視圖。
參閱至第3圖至第5圖，有機層沉積設備包含第一傳輸單元610及第一有機層沉積組件100。
於一實施例中，第一有機層沉積組件100包含沉積源110、沉積源噴嘴單元120及圖樣化狹縫片150。沉積源110包含填滿沉積材料115之坩堝111及加熱坩堝111以朝向沉積源噴嘴單元120汽化含於坩堝111之沉積材料115之加熱器112。沉積源噴嘴單元120係設置於沉積源110之側邊。於一實施例中，沉積源噴嘴單元120包含排列於一方向(例如，Y軸方向)之複數個沉積源噴嘴121。圖樣化狹縫片150及框架155係更設置於沉積源110與基板500間。圖樣化狹縫片150包含排列於一方向(例如，X方向)之複數個圖樣化狹縫151。於一實施例中，沉積源110、沉積源噴嘴單元120及圖樣化狹縫片150可形成為沉積單元730中之獨立單元。這將於稍後描述。
第一傳輸單元610現在將更詳細地描述。
第一傳輸單元610藉由使用夾盤移動構件230而移動固定基板500之靜電夾盤600。於一實施例中，第一傳輸單元610包含支架211、一個或多個薄片支撐單元215、導引構件221、第二磁力產生器240、線性移動(LM)導軌220以及夾盤移動構件230。支架211包含下盤213即上盤217。薄片支撐單元215係形成於支架211內。導引構件221係形成於支架211上。第二磁力產生器240分別位於導引構件221之側邊。每一線性移動導軌220係設置於導引構件221之其中之一與夾盤移動構件230之其中之一間。每一線性移動導軌220係與靜電夾盤600結合，且包含座落以分別對應第二磁力產生器240之第一磁力產生器231之其一。靜電夾盤600與夾盤移動構件230可透過夾具250而結合或分離。這點將於下文更詳細地描述。
支架211係用以作為第一傳輸單元610之底座，且係形成為具有普通空箱形狀。下盤213形成支架211之下表面，且沉積源110可設置於下盤213上。上盤217形成支架211之上表面，且可具有開口217a，其中於沉積源110汽化之沉積材料115可通過圖樣化狹縫片150，然後沉積於基板500上。支架211的這些元件可個別製造且然後彼此結合，或可整體製造。
雖然未示於此，沉積源110設置於其上之下盤213可形成盒形以使下盤213可自支架211分開。所以，沉積源110可輕易換成另一沉積源。
每一薄片支撐單元215可從支架211之內側表面突出且支撐圖樣化狹縫片150。薄片支撐單元215可導引透過複數個沉積源噴嘴121釋出之沉積材料115以直線移動(例如，不流動於X軸方向)。雖然未示於此，於另一實施例中，薄片支撐單元可從導引構件221之內側表面突出且支撐圖樣化狹縫片150。
於一實施例中，導引構件221係形成於上盤217上。導引構件221係安裝以使基板500通過沉積單元730之第一腔室731。導引構件221係形成為一對導引構件以於一方向(例如Y方向)為長且於一方向(例如Y方向)彼此對稱。導引構件221提供夾盤移動構件230之移動路徑。
於一實施例中，導引構件221之上表面係實質上平坦表面，且夾盤移動構件230係分別設置於導引構件221上。每一線性移動導軌220可設置於導引構件221之其中之ㄧ與夾盤移動構件230之其中之一間，且將於下文稍後描述。
於一實施例中，每一第二磁力產生器240係設置於導引構件221之其中之ㄧ之外側表面上。第一磁力產生器231可分別設置於夾盤移動構件230以對應第二磁力產生器240。由於藉由第一磁力產生器231與第二磁力產生器240產生之磁力，夾盤移動構件230移至導引構件221上。
特別地，每一第一磁力產生器231係設置於夾盤移動構件230之其一之表面上以對應第二磁力產生器240之其一。於每一第一磁力產生器231中，複數個磁鐵2311於夾盤移動構件230之移動方向上(例如，Y方向)以一直線排列。於一實施例中，每一磁鐵2311係排列以具有與鄰近磁鐵不同之極性。於一實施例中，如果磁鐵2311之磁鐵231a具有朝向對應之第二磁力產生器240之N極，然後磁鐵2311之鄰近於磁鐵231a之磁鐵231b具有朝向對應之第二磁力產生器240之S極，且磁鐵2311之鄰近於磁鐵231b之磁鐵231c具有朝向對應之第二磁力產生器240之N極。亦即，於第一磁力產生器231中，磁鐵231a、231b及231c可排列於一直線以分別具有例如N極、S極及N極。
磁鐵2311可為電磁鐵、永久性磁鐵或超導性磁鐵。
於一實施例中，每一第二磁力產生器240可包含複數個磁性滾筒241、軸件242及軸件固定單元243。
於一實施例中，每一磁性滾筒241包含螺旋扭轉之複數個磁鐵241a與241b。磁鐵241a與241b係於夾盤移動構件230之移動方向上(例如，Y方向)扭轉。於一實施例中，相鄰磁鐵241a與241b具有不同極性。亦即，如果磁鐵241a具有朝向外之N極，然後相鄰於磁鐵241a之磁鐵241b具有朝向外之S極。
軸件242連接複數個磁性滾筒241。複數個磁性滾筒241於夾盤移動構件230之移動方向上(例如，Y方向)係設置彼此分離。軸件242連接於夾盤移動構件230之移動方向上(例如，Y方向)排列之複數個磁性滾筒241。軸件242傳遞由驅動單元(未示)產生的驅動力至複數個性滾筒241。於一實施例中，軸件242之ㄧ端係連接至驅動單元，且驅動單元沿著於縱向(例如Y軸方向)延伸之軸旋轉軸件242。連接至軸件242之複數個磁性滾筒241沿著於縱向(例如Y軸方向)延伸之軸與軸件242一起被旋轉。
軸件固定單元243固定軸件242於對應之導引構件221之側邊。軸件固定單元243具有通孔(圖未示)，且軸件242可通過通孔並於通孔中旋轉。軸件固定單元243可與暴露於磁性滾筒241彼此分離設置之軸件242結合，且可設置於對應之導引構件221之外側表面上。
每一線性移動導軌220可設置夾盤移動構件230之其一與導引構件221之其ㄧ間。於一實施例中，線性移動導軌220包含各設置導引構件221之其ㄧ的表面上之一對導引軌道223、以及各設置於夾盤移動構件230之其一的表面之一對導引塊225。導引塊225係分別插入導引軌道223中，且於導引軌道223上進行往復運動。
一對線性移動軌道可用來作為一對導引軌道223，且一對線性移動塊可用來作為一對導引塊225，從而形成線性移動系統。線性移動系統係提供非常高位置精確度之傳輸系統，因為與傳統滑動導引系統相較，其具有低摩擦係數及低定位誤差。於本說明書中，不提供線性移動系統之詳細描述。
夾盤移動構件230移至導引構件221之作動現在將參考第5圖更詳細地描述。
由於藉第一磁力產生器231與第二磁力產生器240產生之磁力，夾盤移動構件230移至導引構件221上。於一實施例中，各第二磁力產生器240係設置於對應之導引構件221之外側表面，且包含複數個磁性滾筒241及連接複數個磁性滾筒241之軸件242。軸件242連接至驅動單元，且傳遞由驅動單元產生之旋轉力(rotational force)至複數個磁性滾筒241。故而，磁性滾筒241沿著於軸件242之縱向(例如Y軸方向)延伸之軸旋轉。複數個磁性滾筒241包含如前述之螺旋形狀磁鐵241a及241b。當磁性滾筒241旋轉且螺旋移動時，磁場係藉由磁鐵241a及241b產生。當磁場移動時，包含磁鐵231a、231b及231c之夾盤移動構件230於導引構件221上移動。
第6圖係根據本發明另一實施例之包含於有機層沉積設備之第一傳輸單元610’及第一有機層沉積組件100之透視圖。第7圖係第6圖之包含於有機層沉積設備之第一傳輸單元610’之前視圖。第8圖係第6圖之包含於有機層沉積設備之第一傳輸單元610’之側視圖。第9圖係第6圖之包含於有機層沉積設備之夾盤移動構件330及導引構件322之透視圖。
參閱第6至第8圖，根據本發明之另一實施例之有機層沉積設備包含第一傳輸單元610’及第一有機層沉積組件100。
參閱第6圖，有機層沉積組件100包含沉積源110、沉積源噴嘴單元120及圖樣化狹縫片組件150。這些元件係已參考第3圖描述，所以不再重複描述。
第一傳輸單元610’藉由使用夾盤移動構件330而移動支撐基板500之靜電夾盤600。於一實施例中，第一傳輸單元610’包含支架211、一或多個薄片支撐單元215、導引構件321、輔助導引構件322、第二磁力產生器331、線性移動導軌220及夾盤移動構件330。支架211包含下盤213及上盤217。薄片支撐單元215係形成於支架211內側。導引構件321及輔助導引構件322係形成於支架211上。第二磁力產生器331分別位於輔助導引構件322上。各線性移動導軌220係設置介於導引構件321之其ㄧ及夾盤移動構件330之其ㄧ之間。各夾盤移動構件330係與靜電夾盤600結合，且包含位於分別對應之第二磁力產生器331之第一磁力產生器340之其ㄧ。此於下文更詳細地描述。
於一實施例中，導引構件321可形成於上盤217上，且輔助導引構件322可分別形成於導引構件321之外側表面。導引構件321及輔助導引構件322係安裝以使基板500通過第1圖之沉積單元730之第一腔室731。導引構件321及輔助導引構件322係形成於一方向(例如Y軸方向)為長且於一方向彼此對稱(例如Y軸方向)。導引構件321提供夾盤移動構件330之移動路徑。第二磁力產生器331可分別形成於輔助導引構件322上。
於一實施例中，導引構件321之上表面係實質上平坦表面，且夾盤導引構件330係分別設置於導引構件321上。各線性移動導軌220可設置介於導引構件321之其ㄧ及夾盤移動構件330之其ㄧ之間。此於下文更詳細地描述。
輔助導引構件322可分別設置於導引構件321之外側表面上。可分別或整體製造導引構件321及輔助導引構件322。各第二磁力產生器331可設置於輔助導引構件322之其ㄧ之表面上以對應第一磁力產生器340。各第一磁力產生器340可設置於夾盤移動構件330之其一上以對應第二磁力產生器331之其ㄧ。夾盤移動構件330由於藉第一及第二磁力產生器340及331產生之磁力而移至導引構件321上。
於一實施例中，各第二磁力產生器331係設置於輔助導引構件322之其一之表面上以對應第二磁力產生器331之其ㄧ。於各第二磁力產生器331中，複數個磁鐵3311於夾盤移動構件330之移動方向(例如Y軸方向)排列於一線。於一實施例中，各磁鐵3311係排列以具有不同於鄰近磁鐵之磁極極性。於一實施例中，如果磁鐵3311之磁鐵331a具有朝向對應之第一磁力產生器340之N極，則相鄰於磁鐵331a的磁鐵3311之磁鐵331b具有朝向對應之第一磁力產生器340之S極，且相鄰於磁鐵331b的磁鐵3311之磁鐵331c具有朝向對應之第一磁力產生器340之N極。亦即，於第二磁力產生器331中，磁鐵331a、331b及331c可排列於一線以分別具有例如N極、S極及N極。
磁鐵3311可為電磁鐵、永久性磁鐵或超導性磁鐵。
於一實施例中，各第一磁力產生器340可包含複數個磁性滾筒341、軸件342及軸件固定單元343。
於一實施例中，各磁性滾筒341包含螺旋扭轉之複數個磁鐵341a及341b。磁鐵341a及341b於夾盤移動構件330之移動方向(例如Y軸方向)扭轉。於一實施例中，相鄰磁鐵341a及341b具有不同磁極極性。亦即，如果磁鐵341a具有朝外之N極，則相鄰於341a之磁鐵341具有朝外之S極。
軸件342連接複數個磁性滾筒341。於一實施例中，複數個磁性滾筒341係設置於夾盤移動構件330之移動方向(例如Y軸方向)彼此分離。軸件342連接排列於夾盤移動構件330之移動方向(例如Y軸方向)之複數個磁性滾筒341。軸件342傳遞由驅動單元360產生之驅動力至複數個磁性滾筒341。於一實施例中，軸件342之ㄧ端係連接至驅動單元360，且驅動單元360以沿著軸件342之縱向(例如Y軸方向)延伸之軸旋轉軸件342。連接至軸件342之複數個磁性滾筒341沿著軸件342之縱向(例如Y軸方向)延伸之軸與軸件342一起被旋轉。
軸件固定單元343於對應之夾盤移動構件330之側邊固定軸件342。軸件固定單元343具有通孔(未示)，且軸件342可通過通孔且於通孔中被旋轉。軸件固定單元343可結合暴露於彼此分離設置之相鄰之磁性滾筒341間之軸件342，且可設置於對應之夾盤移動構件330之表面(例如下表面)上。
各線性移動導軌220可設置介於夾盤移動構件330之其ㄧ及導引構件321之其ㄧ之間。於一實施例中，線性移動導軌220包含一對各設置於導引構件321之其ㄧ之表面上之導引軌道223及一對各設置於夾盤移動構件330之其ㄧ之表面上之導引塊225。導引塊225分別插設進導引軌道223，且於導引軌道223往復移動。一對線性移動導軌可用來作為一對導引軌道223，且一對線性移動塊可用以作為一對導引塊225，從而形成線性移動系統。線性移動系統係提供非常高位置精確度之傳輸系統，因為與傳統滑動導引系統相較，其具有低摩擦係數及低定位誤差。於本說明書中，不提供線性移動系統之詳細描述。
夾盤移動構件330移至導引構件221之作動現在將參考第9圖更詳細地描述。
由於藉第一磁力產生器331與第二磁力產生器340產生之磁力，夾盤移動構件330移至導引構件221上。於一實施例中，各第一磁力產生器340係設置於對應之夾盤移動構件330之一表面上，且包含複數個磁性滾筒341、連接複數個磁性滾筒341之軸件342、以及產生旋轉力之驅動單元360。軸件342連接至驅動單元360，且傳遞由驅動單元360產生之旋轉力至複數個磁性滾筒341。故而，磁性滾筒341沿著於軸件342之縱向(例如Y軸方向)延伸之軸旋轉。當磁性滾筒341旋轉且螺旋移動時，磁場係藉由磁鐵241a及341b產生。當磁場移動時，夾盤移動構件330於導引構件321及包含磁鐵331a、331b及331c之輔助導引構件322上移動。
於第6圖至第9圖所示之有機層沉積設備中，驅動單元360係貼附於夾盤移動構件330，且夾盤移動構件330可因此獨立控制。更進一步，複數個磁鐵331a、331b及331c於輔助導引構件322上排列成一線，所以夾盤移動構件330可於導引構件321上穩定移動。
參考第10圖至第12圖，根據本發明實施例之有機層沉積設備之有機層沉積組件700包含沉積源110、沉積源噴嘴單元702、隔板組件130及圖樣化狹縫片150。
雖然腔室為了清楚之目的並未繪示於第10圖至第12圖，有機層沉積組件700之元件可設置於維持於適當程度真空之腔室中。腔室維持於適當程度真空以使沉積材料115經有機層沉積組件700於實質上直線移動。
於腔室中，為沉積標靶基板之基板500係藉由靜電夾盤600輸送，如第1圖所示。基板500可為用於平板顯示器之基板。大基板，例如用於製造複數個平板顯示器之母基板，可用來作為基板500。然而，亦可用其他基板實現。
於一實施例中，基板500可相對有機層沉積組件700移動。例如，於一實施例中，如第10圖所示，基板500可以箭頭A之方向相對於有機層沉積組件700移動。
於使用精密金屬遮罩(fine metal mask, FMM)之傳統沉積方法中，精密金屬遮罩之尺寸必須大於或等於基板之尺寸。故而，當基板變大時，精細金屬遮罩之尺寸增加。然而，顯然不容易製造大精細金屬遮罩或延展精細金屬遮罩以用精密圖樣而精確對準。
為了解決此問題，於根據本發明實施例之有機層沉積組件700中，當至少一有機層沉積組件700與基板500彼此相對移動時，可執行沉積。於一實施例中，當設置以面對有機層沉積組件700之基板500於一方向移動(例如Y軸方向)，可連續執行沉積。亦即，於第10圖中，當基板500於箭號A方向移動時，可以掃描方式執行沉積。雖然基板500係繪示為當執行沉積時於腔室(見第1圖之腔室731)中於Y軸方向移動，本發明之實施例之態樣不受限於此。例如，於另一實施例中，於有機層沉積組件700於Y軸方向移動且基板500固定時，可執行沉積。
故而，於有機層沉積組件700中，圖樣化狹縫片150可明顯小於用於傳統沉積方法之精密金屬遮罩。於有機層沉積組件700中，當基板500於Y軸方向移動時，可連續執行沉積(即，以掃描方式)。故而，於一實施例中，圖樣化狹縫片150於Y軸方向之長度可明顯小於基板500之長度，以使圖樣化狹縫片150於X軸方向之寬度與基板500於X軸方向之寬度實質上彼此相同。然而，於另一實施例中，即使圖樣化狹縫片150於X軸方向之寬度係小於基板500於X軸方向之寬度，當基板500或有機層沉積組件700彼此相對而移動時，可以掃描方式執行沉積於整個基板500上。
如上所述，因為圖樣化狹縫片150可形成為明顯小於用於傳統沉積方法之精密金屬遮罩，故相對地容易製造圖樣化狹縫片150。換言之，相較於使用精密金屬遮罩之傳統沉積方法，使用小於用於傳統沉積方法之精密金屬遮罩之圖樣化狹縫片150係於所有製程中更方便，製程包含蝕刻及其他隨後製程，例如精密延展、接合、移動及清洗製程。此有利於製造相對大的顯示裝置。
如前所述，為了於有機層沉積組件700或基板500彼此相對移動時執行沉積，有機層沉積組件700及基板500可彼此分離一距離(例如預定距離)。此將於後文描述。
含有且加熱沉積材料115之沉積源110係設置於腔室之基板500設置之側之相反側。
沉積源110包含填充沉積材料115之坩堝111及加熱坩堝111之加熱器112。
沉積源噴嘴單元702係設置於沉積源110之側邊，特別是，於沉積源110面對基板500之側邊。於一實施例中，沉積源噴嘴單元702包含可於一方向(例如X軸方向)以等間距排列之複數個沉積源噴嘴703。於沉積源110汽化之沉積材料115通過沉積源噴嘴單元702之沉積源噴嘴703朝向作為沉積標靶積板之基板500。
隔板組件130係設置於沉積源噴嘴單元702之側邊。於一實施例中，隔板組件130包含複數個隔板131及覆蓋隔板131側邊之隔板框132。於一實施例中，複數個隔板131可彼此以等間距於X軸方向平行排列。各隔板131可平行排列於第10圖之Y-Z平面，且可具有一般矩形形狀。如前述排列之複數個隔板131分隔介於沉積源噴嘴單元702及圖樣化狹縫片150間之沉積空間為複數個子沉積空間S。於有機層沉積組件700中，如第12圖所示，沉積空間藉由隔板131分隔為子沉積空間S，其係分別對應至沉積材料115從其釋出之沉積源噴嘴703。
隔板131可分別設置於相鄰沉積源噴嘴703間。換言之，各沉積源噴嘴703可設置於兩相鄰隔板131間。於一實施例中，沉積源噴嘴703可分別位於兩相鄰隔板131間之各自中點。然而，本發明並不限於此。舉例而言，在其他實施例中，複數個沉積源噴嘴703可設置於兩相鄰隔板131間。於此例中，複數個沉積源噴嘴703也可分別位於兩相鄰隔板131間之中點。
如前所述，因為隔板131分隔於沉積源噴嘴702與圖樣化狹縫片150間之沉積空間為複數個子沉積空間S，故經各沉積源噴嘴703釋出之沉積材料115不與經其他沉積源噴嘴703釋出之沉積材料115相混合，且通過複數個圖樣化狹縫151以便沉積於基板500上。換言之，隔板131導引經沉積源噴嘴703釋出之沉積材料115以直線移動，且不會於X軸方向流動。
如前所述，藉由安裝隔板131而使沉積材料115以直線移動，以相較於沒有安裝隔板的例子使形成於基板500上之陰影區減少。所以，有機層沉積組件700及基板500可以一距離(例如預定距離)分開設置，此將於後文描述。
圖樣化狹縫片150及框架155係設置於沉積源110及基板500之間。框架155之形狀可相似於窗戶框。圖樣化狹縫片150被約束於框架155內。圖樣化狹縫片150包含排列於X軸方向之複數個圖樣化狹縫151。圖樣化狹縫151於Y軸方向延伸。已於沉積源110中被汽化且通過沉積源噴嘴703之沉積材料115通過圖樣化狹縫151朝向基板500。
於一實施例中，圖樣化狹縫片150可由金屬薄膜形成且固定於框架155以使張力施加於其上。圖樣化狹縫151藉由蝕刻圖樣化狹縫片150為條紋圖樣而形成。圖樣化狹縫151之數量可相等於待形成於基板500上之沉積圖樣之數量。
隔板組件130及圖樣化狹縫片150可設置以預定距離而彼此分離。或者是，隔板組件130及圖樣化狹縫片150可藉由連接構件135連接。
如前所述，根據本發明實施例之有機層沉積組件700於相對基板500移動時執行沉積。為了相對於基板500移動有機層沉積組件700，圖樣化狹縫片150以距離d(例如預定距離)與基板500相分離(見第12圖)。此外，為了防止或實質上防止於當圖樣化狹縫片150與基板500分隔設置時於基板500上形成想對大的陰影區，隔板131排列於沉積源噴嘴單元702及圖樣化狹縫片150之間以限制沉積材料115於直線方向移動。所以，可使形成於基板500上之陰影區的尺寸可實質上減小。
於傳統使用精密金屬遮罩之沉積方法中，係以精密金屬遮罩緊密接觸基板以防止陰影區形成於基板上而執行沉積。然而，當精密金屬遮罩用於緊密接觸基板時，接觸可能造成缺陷，例如於基板上形成刮痕圖樣。此外，於傳統沉積方法中，由於遮罩無法相對於基板而移動，因此遮罩的尺寸必須與基板之尺寸相同。故，當顯示裝置變大時，遮罩的尺寸必須增加。然而，並不容易製造如此大的遮罩。
為了解決此問題，於根據本發明實施例之有機層沉積組件700中，圖樣化狹縫片150係設置以距離d(例如預定距離)與基板500分隔。藉由安裝阻片131以降低形成於基板500之陰影區尺寸對此有幫助。
如前所述，根據本發明之實施例，遮罩係形成以小於基板，且於遮罩相對基板移動時執行沉積。所以，遮罩可輕易製造。此外，可防止或實質上防止由於基板與遮罩之接觸所造成的缺陷，其發生於傳統沉積方法中。更進一步，因為於沉積製程不需設置遮罩緊密接觸基板，故可減少製造時間。
於一實施例中，包含於有機層沉積組件700之沉積源110、沉積源噴嘴單元702及圖樣化狹縫片150不為一體成型而是獨立地包含於第1圖之沉積單元730中。因此，沉積源110可輕易從有機層沉積組件700裝上及卸下以將沉積材料115填滿沉積源110、清潔圖樣化狹縫片150、或以另一圖樣化狹縫片更換圖樣化狹縫片150。
第13圖係根據本發明另一實施例之有機層沉積組件800之透視圖。參閱第13圖，有機層沉積組件800包含沉積源包含沉積源110、沉積源噴嘴單元702、隔板組件130、第二隔板阻件840及圖樣化狹縫片150。於一實施例中，沉積源110、隔板組件130、及圖樣化狹縫片150具有之前參考第10圖描述之相同或相似結構，且其描述將不再重複。有機層沉積組件800不同於之前參考第10圖描述之有機層沉積組件700之處係第二隔板組件840設置於隔板組件130之側邊。
於一實施例中，第二隔板組件840包含複數個第二隔板841及覆蓋複數個第二隔板841之側邊之第二隔板框842。於一實施例中，複數個第二隔板841可於X軸方向以相等間距平行排列。此外，各複數個第二隔板841可形成以於第13圖之Y-Z平面延伸(即，垂直於X軸方向)。
如前述排列之複數個隔板131及複數個第二隔板841分隔沉積源噴嘴單元702及圖樣化狹縫片150間之沉積空間。沉積空間係藉由複數個隔板131及複數個第二隔板841分隔為子沉積空間，其係分別對應至沉積材料115經其釋出之沉積源噴嘴703。
複數個第二隔板841可設置以分別對應於複數個隔板131。換言之，複數個第二隔板841可對準以分別對應複數個隔板131。亦即，各一對相對應之隔板131及第二隔板841可位於相同平面上。複數個隔板131及複數個第二隔板841係分別繪示以於X軸方向上具有實質上相同厚度，但本發明實施例之態樣不受限於此。於一實施例中，精確對準圖樣化狹縫151之第二隔板841可形成為相對地薄，然而不須精確對準圖樣化狹縫151之隔板131可形成為相對地厚。這使其更容易製造有機層沉積組件800。
第14圖係根據本發明另一實施例之有機層沉積組件900之透視圖。參閱第14圖，有機層沉積組件900包含沉積源910、沉積源噴嘴單元920及圖樣化狹縫片950。
沉積源910包含填滿沉積材料915之坩堝911及加熱器912，其係加熱坩堝911以汽化包含於坩堝911中之沉積材料915朝向沉積源噴嘴單元920。沉積源噴嘴單元920係設置於沉積源910之側邊。沉積源噴嘴單元920包含排列於一方向(例如Y軸方向)之複數個沉積源噴嘴921。圖樣化狹縫片950及框架955係更設置於沉積源910及基板500之間。圖樣化狹縫片950包含排列於一方向(例如X軸方向)複數個圖樣化狹縫951。於一實施例中，沉積源910及沉積源噴嘴單元920可藉由連接構件935而連接至圖樣化狹縫片950。
有機層沉積組件900不同於前述實施例之處為包含於沉積源噴嘴單元920之複數個沉積源噴嘴921之排列。現在更詳細地描述。
沉積源噴嘴單元920係設置於沉積源910之側邊，特別是沉積源910面對基板500之側邊。於一實施例中，沉積源噴嘴單元920包含可於Y軸方向(即，基板500之掃描方向)以等間距排列之複數個沉積源噴嘴921。於沉積源910中汽化之沉積材料915通過沉積源噴嘴單元920之沉積源噴嘴921以朝向作為沉積標靶基板之基板500。如前所述，因為沉積源噴嘴921於X軸方向只有一條線，當沉積源噴嘴單元920包含排列於Y軸方向，亦即，基板500之掃描方向，之複數個沉積源噴嘴921時，以透過圖樣化狹縫片950之各圖樣化狹縫951釋出之沉積材料形成之圖樣的尺寸係受沉積源噴嘴921之其一的尺寸所影響。故而，可防止或實質上防止陰影區形成於基板500上。此外，因為複數個沉積源噴嘴921排列於基板500之掃描方向，故即使沉積源噴嘴921間流量有差異，此差異可補償且可均勻沉積。更進一步，有機層沉積組件900不包含例如第10圖所示之隔板組件，從而改進沉積材料915之實用效率。
第15圖係根據本發明之實施例之藉由使用有機層沉積設備製造之主動矩陣有機發光顯示裝置10。參閱第15圖，主動矩陣有機發光顯示裝置10係形成於可為例如第1圖之基板500之基板30上。基板30可由透明材料例如玻璃、塑膠或金屬形成。於一實施例中，絕緣層31例如緩衝層，係形成於基板30之整個表面上。
參閱第15圖，薄膜電晶體(TFT) 40、電容50及有機發光二極體(OLED) 60係設置於絕緣層31上。
於一實施例中，半導體主動層41係形成於絕緣層31之預定圖樣上，且閘極絕緣層32係形成以覆蓋半導體主動層41。半導體主動層41可包含p型或n型半導體材料。
薄膜電晶體40之閘極電極42係形成於對應至半導體主動層41之閘極絕緣層32上。層間絕緣層33係形成以覆蓋閘極電極42。於一實施例中，閘極絕緣層32及層間絕緣層33係被蝕刻(例如乾蝕刻)以形成用以暴露半導體主動層41之部分的接觸孔。
源極/汲極電極43係形成於層間絕緣層33上以接觸透過接觸孔暴露之半導體主動層41。於一實施例中，鈍化層34係形成以覆蓋源極/汲極電極43，且被蝕刻以暴露汲極電極43之部分。額外的絕緣層(未示)可更形成於鈍化層34上以平坦化鈍化層34。
有機發光二極體60於電流流經時藉由發出紅色、綠色或藍色光而顯示影像資訊(例如預定影像資訊)。有機發光二極體60包含設置於鈍化層34上之第一電極61。第一電極61電性連接至薄膜電晶體40之汲極電極43。
像素定義層35係形成以覆蓋第一電極61。開口係形成於像素定義層35中，且包含於發光層(未示)之有機層63係形成於由開口介定之區域。第二電極62係形成於有機層63上。
定義各別像素之像素定義層35係由有機材料形成。像素定義層35平坦化第一電極61形成於其上之第一基板30之區域之表面，特別是鈍化層34之表面。
第一電極61及第二電極62係彼此絕緣，且分別施加電壓於包含於發光層之有機層63之相反極以導致發光。
有機層63可由低分子量有機材料或高分子量有機材料形成。如果使用低分子量有機材料，則有機層63可具有包含選自由電洞注入層(HIT)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、及電子注入層(EIL)之群組之至少其一之單層或多層結構。可接受的有機材料之範例可包含銅酞菁(copper phthalocyanine, CuPc)、N,N'-二-(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯基(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)、三(8-羥基喹啉)鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)及其相似物。
於有機層63形成後，第二電極62可根據用以形成有機層63之相同沉積方法形成。
第一電極61可作為陽極，且第二電極62可做為陰極，或相反。第一電極61可圖樣化以對應至個別像素區域，且第二電極62可形成以覆蓋所有電極。
第一電極61可形成為透明電極或反射電極。透明電極可以例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成。反射電極可藉由以銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成反射層，且然後以例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦形成之透明電極層形成於反射層上而形成。第一電極61可藉由形成層(例如藉由濺鍍)，然後圖樣化該層(例如藉由光刻法)而形成。
第二電極62也可形成透明電極或反射電極。當第二電極62係形成為透明電極時，第二電極作為陰極。透明電極可藉由沉積具有低功函數之金屬形成，例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或其化合物於有機層63之表面上，且以氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦或其相似物形成之輔助電極層或匯流排電極線形成於其上而形成。當第二電極62形成為反射電極時，反射層可藉由沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂或其化合物於有機層63上。第二電極62可根據用來形成有機層63之相同沉積方法形成。
根據本發明上述實施例之有機層沉積設備可應用於形成有機薄膜電晶體之有機層或無機層，且以各種材料形成層。
第16圖係繪示根據本發明之實施例之有機層沉積組件之圖樣化狹縫片150之以等間距形成之圖樣化狹縫151之俯視圖。第17圖係繪示根據本發明之實施例之藉由使用第16圖之圖樣化狹縫片150而形成於基板500上之有機層之剖面側視圖。
參閱第16圖及第17圖，圖樣化狹縫151以等間距排列於圖樣化狹縫片150。亦即，參閱第16圖，建立I1= I2= I3= I4之關係，其中I1、I2、I3、I4為分別介於圖樣化狹縫151a至151e之間距之寬度。
於此例中，沿子沉積空間SA之中心線C通過之沉積材料具有實質上垂直於基板500之入射角。故而，以通過圖樣化狹縫151a之沉積材料形成之有機層P1可具有包含彼此對稱之右側陰影區SR1及左側陰影區SL1之最小全陰影區。
然而，通過較遠於子沉積空間SA之中心線C之圖樣化狹縫的沉積材料可具有較大的臨界入射角θ，故而，於一實施例中，通過設置於基板500之末端區域之圖樣化狹縫151e之沉積材料可具有約55°之臨界入射角θe。故而，沉積材料傾斜一角度進入圖樣化狹縫151e，且因此藉由通過圖樣化狹縫151e形成有機層P5，其中有機層P5具有左側邊陰影區SL5較右側邊陰影區SR5寬之最大全陰影區。
換言之，若沉積材料之臨界入射角θ越大，則有機層之全陰影區越大，特別是，距子沉積空間SA之中心線C更遠之有機層之側邊陰影區越大。此外，沉積材料之臨界入射角θ於距子沉積空間SA之中心線C越大距離變的越大以對應圖樣化狹縫。故而，若子沉積空間SA之中心線C距離圖樣化狹縫越大，則以已通過圖樣化狹縫之有機材料形成之有機層之全陰影區越大，且距子沉積空間SA之中心線C更遠之有機層之側陰影區係較靠近中心線C之側邊之側陰影區更大。
換言之，參考第17圖，於形成於子沉積空間SA之中心線C之左側之有機層，其左斜側邊係較其右斜側邊寬。相反地，於形成於子沉積空間SA之中心線C之右側之有機層，其右斜側邊係較其左斜側邊寬。
此外，於形成於子沉積空間SA之中心線C左側之有機層中，相較於其他有機層，於中心線C更左側之有機層具有較右斜側邊更寬的左斜側邊。相似地，於形成於子沉積空間SA之中心線C右側之有機層中，相較於其他有機層，於中心線C更右側之有機層具有較左斜側邊更寬的右斜側邊。更進一步，形成於子沉積空間SA之有機層係於子沉積空間SA之中心線C對稱。
沉積材料以臨界角θb通過圖樣化狹縫151b以形成包含具有SL2之寬度的左側陰影區及具有SR2之寬度的右側陰影區之有機層P2。相似地，沉積材料以臨界角θc通過圖樣化狹縫151c以形成包含具有SL3之寬度的左側陰影區及具有SR3之寬度的右側陰影區之有機層P3。相似地，沉積材料以臨界角θd通過圖樣化狹縫151d以形成包含具有SL4之寬度的左側陰影區及具有SR4之寬度的右側陰影區之有機層P4。沉積材料以臨界角θe通過圖樣化狹縫151e以形成包含具有SL5之寬度的左側陰影區及之有機層P5。
此處，建立θb< θc< θd< θe之關係，故而滿足SL1< SL2< SL3< SL4< SL5之關係，其定義以已通過圖樣化狹縫151之有機材料形成之有機層之左側陰影區之關係。
如前述，根據本發明態樣之有機層沉積設備可輕易地被製造且可簡單地應用至大量地製造大尺寸顯示裝置。根據本發明實施例之有機層沉積設備改進基板轉移之精度、生產量及沉積效率。
雖然本發明藉由參照例示性實施例而描述，應理解的是本發明不受限於所揭露的實施例，而相反的是，意圖涵蓋包含於如後附之申請專利範圍定義之本發明之精神與範疇及其等效之各種修改與等效置換。
10．．．有機發光顯示裝置
30．．．基板
31．．．絕緣層
32．．．閘極絕緣層
33．．．層間絕緣層
34．．．鈍化層
35．．．像素定義層
40．．．薄膜電晶體
41．．．半導體主動層
42．．．閘極電極
43．．．源極/汲極電極
50．．．電容
60．．．有機發光二極體
61．．．第一電極
62．．．第二電極
63．．．有機層
100、200、300、400、700、800、900．．．有機層沉積組件
110、910．．．沉積源
111、911．．．坩堝
112、912．．．加熱器
115、915．．．沉積材料
120、702、920．．．沉積源噴嘴單元
121、703、921．．．沉積源噴嘴
130．．．隔板組件
131．．．隔板
132．．．隔板框
135、935．．．連接構件
150、950．．．圖樣化狹縫片
151、151a…151e、951．．．圖樣化狹縫
155、955．．．框架
211．．．支架
213．．．下盤
215．．．薄片支撐單元
217．．．上盤
217a．．．開口
220．．．線性移動導軌
221、321．．．導引構件
223．．．導引軌道
225．．．導引塊
230、330．．．夾盤移動構件
231、340．．．第一磁力產生器
2311、231a、231b、231c、241a、241b、3311、331a、331b、331c、341a、341b．．．磁鐵
240、331．．．第二磁力產生器
241、341．．．磁性滾筒
242、342．．．軸件
243、343．．．軸件固定單元
250．．．夾具
322．．．輔助導引構件
360．．．驅動單元
500．．．基板
600．．．靜電夾盤
601．．．主體
602．．．電極
610、610’．．．第一傳輸單元
620．．．第二傳輸單元
710．．．負載單元
712．．．第一框架
714．．．傳送機械
716．．．傳送腔室
718．．．第一反轉腔室
719．．．第一反轉機械
720．．．卸載單元
722．．．第二框架
724．．．噴射機械
726．．．噴射腔室
728．．．第二反轉腔室
729．．．第二反轉機械
730．．．沉積單元
731．．．第一腔室
840．．．第二隔板阻件
841．．．第二隔板
842．．．第二隔板框
I1、I2、I3、I4．．．寬度
P1、P2、P3、P4、P5．．．有機層
θb、θc、θd、θe．．．臨界入射角
C．．．中心線
A．．．箭號
S、SA．．．沉積空間
d．．．距離
SL1、SL2、SL3、SL4、SL5．．．左側陰影區
SR1、SR2、SR3、SR4、SR5．．．右側陰影區
100、200、300、400．．．有機層沉積組件
500．．．基板
600．．．靜電夾盤
610．．．第一傳輸單元
620．．．第二傳輸單元
710．．．負載單元
712．．．第一框架
714．．．傳送機械
716．．．傳送腔室
718．．．第一反轉腔室
719．．．第一反轉機械
720．．．卸載單元
722．．．第二框架
724．．．噴射機械
726．．．噴射腔室
728．．．第二反轉腔室
729．．．第二反轉機械
730．．．沉積單元
731．．．第一腔室

Claims (32)

  1. 一種用以形成有機層於基板上之有機層沉積設備，其包含：
    一沉積源，係用以釋出一沉積材料；
    一沉積源噴嘴單元，排列於該沉積源之ㄧ側邊且包含複數個沉積源噴嘴；
    一圖樣化狹縫片，係排列以相對於該沉積源噴嘴單元且包含複數個圖樣化狹縫；
    一靜電夾盤，該基板係附加於該靜電夾盤及自該靜電夾盤卸載；
    複數個夾盤移動構件，與該靜電夾盤結合且配置以移動該靜電夾盤；以及
    複數個導引構件，引導該些夾盤移動構件之移動，
    其中該夾盤移動構件包含複數個第一磁力產生器，
    其中該導引構件包含對應至該些第一磁力產生器之複數個第二磁力產生器，
    其中藉由該些第一磁力產生器與該些第二磁力產生器產生之磁力，該些夾盤移動構件於該些導引構件上係可移動的，
    其中該基板係與該圖樣化狹縫片隔開，且該基板與該圖樣化狹縫片之至少其一係彼此相對移動，以及
    其中該圖樣化狹縫片於一第一方向與垂直於該第一方向之一第二方向之至少其一係小於該基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中每一該些第一磁力產生器包含含有複數個磁鐵之一磁性軌道於該些夾盤移動構件之其ㄧ之一表面上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機層沉積設備，其中於該磁性軌道中，該些磁鐵係排列於一直線且該些磁鐵之相鄰磁鐵具有不同極性。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之有機層沉積設備，其中該些磁鐵包含電磁鐵、永久性磁鐵或超導性磁鐵。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之有機層沉積設備，其中每一該些第二磁力產生器包含：
    複數個磁性滾筒，係與該磁性軌道間隔開；
    一軸件，連接該些磁性滾筒；以及
    一軸件固定單元，固定該軸件於該導引構件上以沿著該軸件之一長度方向沿伸之ㄧ軸而轉動該軸件。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機層沉積設備，其中該些磁性滾筒包含於該軸件之該長度方向螺旋扭轉之複數個磁鐵。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機層沉積設備，其中於該些磁性滾筒中，相鄰的磁鐵具有不同極性。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之有機層沉積設備，其中當該些磁性滾筒轉動時，藉由該些磁性滾筒產生之一第一磁場係變化以移動該些夾盤移動構件，每一該些夾盤移動構件包含於該些導引構件上之該磁性軌道。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之有機層沉積設備，其中每一該些第二磁力產生器更包含用以轉動該軸件之ㄧ驅動單元。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中每一該些第一磁力產生器包含：
    複數個磁性滾筒；
    一軸件，連接該些磁性滾筒；以及
    一軸件固定單元，固定該軸件於該導引構件上以沿著該軸件之一長度方向沿伸之ㄧ軸而轉動該軸件。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機層沉積設備，其中該些磁性滾筒包含於該軸件之該長度方向螺旋扭轉之複數個磁鐵。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機層沉積設備，其中於該些磁性滾筒中，相鄰的磁鐵具有不同極性。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之有機層沉積設備，其中每一該些第二磁力產生器包含含有複數個磁鐵之一磁性軌道於該些夾盤移動構件之一表面上，該些磁性滾筒係與該磁性軌道相隔。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之有機層沉積設備，其中於該磁性軌道中，該些磁鐵係排列於一直線，且該些磁鐵之相鄰的磁鐵具有不同極性。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之有機層沉積設備，其中該些磁鐵包含電磁鐵、永久性磁鐵或超導性磁鐵。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之有機層沉積設備，其中當該些磁性滾筒轉動時，藉由該些磁性滾筒產生之一第一磁場係變化以移動該些夾盤移動構件，每一該些夾盤移動構件包含於該些導引構件上之該磁性軌道。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之有機層沉積設備，其中每一該些第一磁力產生器更包含用以轉動該軸件之ㄧ驅動單元。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機層沉積設備，其中該驅動單元係於每一該些夾盤移動構件上，且於該些導引構件之相對應的一個上與該些夾盤移動構件之相對應的一個一起移動。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，更包含介於每一該些夾盤移動構件及對應的該些導引構件間之一線性移動(LM)導軌。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之有機層沉積設備，其中每一該些線性移動導軌包含：
    一導引塊，係於個別的該些夾盤移動構件上，以及
    一導引軌道，係於個別的該些導引構件上，
    其中該些導引塊於該些導引軌道上係可移動的。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，更包含
    一負載單元，係用以將該基板附加到該靜電夾盤上；以及
    一卸載單元，係用以將已執行沉積之該基板從該靜電夾盤卸載。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備，其中該沉積源噴嘴單元包含排列於一方向之該些沉積源噴嘴，且該圖樣化狹縫片之該些圖樣化狹縫係排列於垂直於該方向之另一方向。
  23. 一種使用如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備製造之有機發光顯示裝置，其包含：
    該基板；以及
    至少一有機層，係藉由使用該有機層沉積設備而形成於該基板上，
    其中該至少一有機層具有一線形圖樣。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光顯示裝置，其中該至少一有機層包含一發光層。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之有機發光顯示裝置，其中該至少一有機層更包含選自由一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層以及一電子注入層所組成之群組之至少一層。
  26. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光顯示裝置，其中該至少一有機層具有一不均勻厚度。
  27. 一種有機發光顯示裝置，包含具有不均勻厚度且係藉由使用如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積設備而形成之至少一有機層。
  28. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：
    固定一基板於一靜電夾盤上；
    結合複數個夾盤移動構件與該靜電夾盤；
    藉由移動該些夾盤移動構件於複數個導引構件上而移動該靜電夾盤進入一腔室；以及
    藉由相對移動該基板及排列於該腔室中之一有機層沉積組件之至少其一而形成一有機層於該基板上，
    其中該些夾盤移動構件係藉由磁力而移動於該些導引構件上，
    其中該基板係與該有機層沉積組件間隔開，以及
  29. 如申請專利範圍第28項所述之方法，
    其中每一該些夾盤移動構件包含於其一表面上之一第一磁力產生器，以及
    其中每一該些導引構件包含於其一表面上且對應至該些第一磁力產生器之一之一第二磁力產生器。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中每一該些第一磁力產生器包含含有複數個磁鐵之一磁性軌道。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之方法，其中每一該些第二磁力產生器包含：
    複數個磁性滾筒，係與該磁性軌道間隔；
    一軸件，連接該些磁性滾筒；以及
    一軸件固定單元，固定該軸件於個別的該導引構件上以沿著該軸件之一長度方向沿伸之ㄧ軸而轉動該軸件。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中移動該靜電夾盤包含：
    藉由使用一驅動單元而產生一驅動力以轉動該軸件，
    其中當該軸件轉動時，該些磁性滾筒係轉動以產生一第一磁場，且藉由該第一磁場與該磁性軌道間之一磁力，該些夾盤移動構件移動至該些導引構件上。
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