TWI414618B - A holding device, an assembling system, a sputtering device, and a processing method and a processing device - Google Patents

A holding device, an assembling system, a sputtering device, and a processing method and a processing device Download PDF

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TWI414618B
TWI414618B TW095131265A TW95131265A TWI414618B TW I414618 B TWI414618 B TW I414618B TW 095131265 A TW095131265 A TW 095131265A TW 95131265 A TW95131265 A TW 95131265A TW I414618 B TWI414618 B TW I414618B
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Description

保持裝置、組裝系統、濺鍍裝置、以及加工方法及加工裝置
本發明係關於保持裝置、組裝系統、濺鍍裝置、以及加工方法及加工裝置，進一步詳言之，係關於保持至少一部分包含磁性體之物體的保持裝置，使用該保持裝置的組裝系統，於真空室內使離子撞擊靶材以在基材形成薄膜的濺鍍裝置，用以加工至少一部分包含磁性體之物體的加工方法及加工裝置。
最近，為進行微細裝置之積體化，採用了使用微加工(micromachining)技術之半導體加工技術，作為其代表例，例如有MEMS(微機電系統、Micro Electro Mechanical System(或MST(微系統科技、Micro System technology)))。MEMS係指使用微加工技術(應用積體電路技術、特別是應用半導體製程)所製造之奈米單位之超小型感測器、致動器、以及電氣機械構造物，將電氣系統與機械系統之零件及機構微細化至極限並加以整合者。此處所謂之極限，例如，係指露出之凹凸等形狀的最短寬度在100 μ m以下、至少1000 μ m以下。
MEMS所使用之微加工技術可分類成2類，其一係使用矽塊蝕刻(bulk etching)之塊狀微加工，另一係在矽上蒸鍍多結晶矽、矽氮化膜及氧化膜等，依據所設計之形狀施以蝕刻來製作構造物的表面微加工。
無論此種MEMS、或LSI等之微細裝置，皆是從一片矽晶圓上使用半導體製造技術來製造多數個，因此在製程之最終階段，皆須切割矽晶圓以切出各微細裝置(例如參照專利文獻1)。
如前所述，藉由採用在一片晶圓上一次製造複數個元件之製造方法，能將形成在晶圓上一部分之對準標記，利用於用來提高對各層施以微影轉印等加工精度之定位的優點，以及在顯影及蝕刻等步驟中，以一片大晶圓為單位進行處理之易於處理的優點。即使說此等優點是現今半導體製造技術之所以飛躍發展之理由之一亦絕非過言。
然而，另一方面，由於對矽晶圓之加工方法被限定於依序進行光阻塗布、曝光光、顯影、蝕刻、摻雜…，以及在平面上積層出構造物等構成上之限制等，使得製作非積層構造物之立體微細構造物較為困難，可進行製造之裝置(零件)受到限制。
最近，由作業員使用機械臂將微細零件彼此加以組裝，以製作出一個微機械之案例雖在研究程級上已存在，但並無將此量產之技術。即使有微馬達、微內燃機等要件之研究案例的發表，但目前不僅沒有為組合該等之量產技術，研究案例亦非常缺乏。由於無法組合微馬達等新的要素以製作出一個微機械，因此現在所有的MEMS模組等，皆不得不由一家公司一貫的來進行製造。
相反的，若能組裝出複數個微馬達等新的要素以製造最終模組的話，則產業的分布將會大幅擴張，產業益加發展是可以預測的。
亦即，例如，若能將現存機械直接縮小尺寸的話，即能將其應用於各種領域。具體而言，若能藉由將目前的核子動力引擎所有零件縮小而將裝置全體縮小的話，則核子動力引擎即有可能用作為家庭用的發電機。此外，若能將現有的致動器縮小而製造出微細致動器的話，藉由將數個該微細致動器加以連接的話，即有可能例如製造出人工肌肉等。
然而，現實上，卻完全未見到此等嘗試之徵兆。究其理由，有可能是因如何處理被縮小之零件(組裝、2次加工)一事，遠較如何縮小零件來得困難之故。由此觀點來看，能夠自由處理微細零件之技術是必須的。
[專利文獻1]日本特開平11－40520號
本發明，係在上述情況下完成，就第1觀點來看，係一種第1保持裝置，係保持至少一部分包含磁性體之物體，其特徵在於，具備：基座，係具有供該物體定位之基座面；複數個導電體，係設於該基座、與該磁性體相互作用以將電磁力作用於該物體；以及浮力機構，對該物體賦予浮力。
根據此發明，能於基座面上將物體定位在所欲位置(對應供應電流之導電體的位置)，且以該狀態保持物體。此外，能在定位物體時，降低物體基座面間所產生之摩擦力等之引力。
本發明就第2觀點來看，係一種第2保持裝置，係保持至少一部分包含磁性體之物體，其特徵在於，具備：基座，係具有供該物體定位之基座面；複數個導電體，係設於該基座、與該磁性體相互作用以將電磁力作用於該物體；以及預對準裝置，係在使該電磁力作用於該物體之前，先將該物體相對該基座予以定位。
根據此發明，由於能使用預對準裝置，在將物體相對基座予以定位後，使電磁力作用於物體，因此能將物體正確的定位在所欲位置(對應供應電流之導電體的位置)，且以該狀態保持物體。
本發明就第3觀點來看，係一種第3保持裝置，係保持至少一部分包含磁性體之物體，其特徵在於，具備：基座，係具有供該物體定位之基座面；複數個微線圈，係排列於該基座、與該磁性體相互作用以將電磁力作用於該物體；以及控制裝置，係與該複數個微線圈連接，用以切換對該複數個微線圈之電流供應與電流供應之停止。
根據此發明，藉由控制裝置進行對複數個微線圈(排列於具有供物體定位之基座面的基座)各個之電流供應與停止，能以適切之時序將物體定位於基座面上之所欲位置(對應供應電流之微線圈的位置)，以該狀態加以保持。
本發明就第4觀點來看，係一種加工裝置，其特徵在於，具備：本發明第1~第3保持裝置，係保持至少一部分包含磁性體之物體；以及與該保持裝置之基座面間之相對位置關係為可變，對該保持裝置所保持之物體施以加工的加工物。
根據此發明，由於係對本發明第1~第3保持裝置所保持之物體以加工物施以加工，因此藉由對已定位之物體進行加工，即能實現高精度之加工。
本發明就第5觀點來看，係一種組裝系統，其特徵在於，具備：第1保持裝置，係由保持至少一部分包含磁性體之第1物體之本發明第1~第3保持裝置所構成；以及第2保持裝置，係與該第1保持裝置對向配置、保持第2物體之第2物體。
根據此發明，藉由對向配置第1保持裝置與第2保持裝置，能使第1物體與第2物體成為既定之位置關係，據此，即能以良好精度進行使用第1物體與第2物體之組裝。
本發明就第6觀點來看，係一種濺鍍裝置，係在真空內使離子撞擊靶材以在基材形成薄膜，其特徵在於，具備：基座，具有複數個微線圈、用以保持配置在該靶材附近之該基材；以及控制裝置，係與該複數個微線圈連接，用以切換對該複數個微線圈之電流供應與電流供應之停止。
根據此發明，由於係由連接於複數個微線圈之控制裝置來進行對複數個微線圈之電流供應與電流供應之停止，因此能在基材保持側之面形成磁場，而能形成對應所形成之磁場的薄膜。因此，藉由控制裝置之電流供應與電流供應停止之切換來控制磁場，即能形成具有所欲圖案之薄膜。
本發明就第7觀點來看，係一種加工方法，係對至少一部分包含磁性體之第1物體使用第2物體予以加工，其特徵在於：對配置於基座保持面之該第1物體賦予浮力，使排列於該基座之複數個導電體與該磁性體相互作用，以使電磁力作用於該第1物體，以使該第2物體接近或接觸該第1物體。
根據此發明，由於能以高精度使該第2物體接近或接觸該第1物體，因此能藉由第2物體以高精度對第1物體進行加工。
本發明就第8觀點來看，係一種加工方法，係對至少一部分包含磁性體之第1物體使用第2物體予以加工，其特徵在於：相對基座之保持面將該第1物體予以預對準；使排列於該基座之複數個導電體與該磁性體相互作用，以使電磁力作用於該第1物體；以及使該第2物體接近或接觸該第1物體。
根據此發明，由於能以良好精度使第2物體接近或接觸經高精度定位之第1物體，因此能藉由第2物體以高精度對第1物體進行加工。
本發明就第9觀點來看，係一種加工方法，係對至少一部分包含磁性體之第1物體使用第2物體予以加工，其特徵在於：使排列於基座(具有該第1物體待定位之基座面)之複數個微線圈與該磁性體相互作用以使電磁力作用於該第1物體，切換對複數個微線圈之電流供應與電流供應停止，使使該第2物體接近或接觸該第1物體。
根據此發明，藉由各別切換對複數個微線圈之電流供應與電流供應停止，能將第1物體高精度的定位於基座保持面上對應特定微線圈之位置。據此，由於能使第2物體以高精度接近或接觸第1物體，因此能藉由第2物體以高精度對第1物體進行加工。
本發明就第10觀點來看，係一種加工裝置，係用以加工物體，該物體具有一部分包含磁性體之磁性體部、與大致圍繞該磁性體部之狀態形成之空所部，其特徵在於，具備：基座，具有能保持該物體之保持面；磁吸附裝置，係設於該基座，與該磁性體相互作用而能磁吸附該磁性體部；以及移動裝置，係在以該磁吸附裝置將該磁性體部予以磁吸附、且該空所部未被磁吸附之狀態下，使該基座往與該保持面交叉之方向移動。
根據此發明，由於係以磁吸附裝置磁吸附磁性體部，且在空所部未被磁吸附之狀態，由移動裝置使基座往與該保持面交叉之方向移動，而僅有被磁性吸附裝置磁吸附之磁性體部與基座一起移動，因此能使磁性體部與連結與此之部分視該基座之移動方向變形。
本發明就第11觀點來看，係一種加工裝置，係用以加工物體，該物體具有一部分包含磁性體之磁性體部、與大致圍繞該磁性體部之狀態形成之空所部，其特徵在於，具備：第1基座，具有能保持該物體之保持面；磁吸附機構，係設於該第1基座，與該磁性體相互作用而能磁吸附該磁性體部；第2基座，係隔著該物體與該第1基座對向配置；以及吸附裝置，係設於該第2基座，用以吸附該物體中未被該磁吸附機構磁吸附之部分。
根據此發明，由於在第1基座設有磁吸附磁性體之磁吸附機構，於第2基座設有用來真空吸附未被磁吸附部分的真空吸附裝置，因此在將物體保持於第1基座與第2基座間之狀態，使第1基座與第2基座之至少一方移動，即能對物體施以對應該移動方向之加工。
 <第1實施形態>
以下，根據圖1~圖9說明本發明之第1實施形態。圖1，係顯示第1實施形態之組裝系統100。此組裝系統100，係用以對MEMS元件及LSI等之微細構造物施以加工之系統。
此組裝系統100，其全體係設於例如具有地面F及頂面CE之框體內，具備：設於剛框體地面F上之第1保持裝置50，以和第1保持裝置50上下對向之狀態、從框體頂面CE垂吊支撐之第2保持裝置150，以及分別與第1保持裝置50及第2保持裝置150對應設置之預對準裝置PA1，PA2。
前述第1保持裝置50，包含：載台(可動體、或台)ST1，該載台ST1上面所保持之電磁夾頭20，以及使載台ST1至少往Y軸方向(圖1紙面內之左右方向)移動之移動裝置30。
前述移動裝置30包含Y軸線性馬達36，此Y軸線性馬達36，例如具有：由磁極單元構成之移動件單元32，以及由透過支撐構件38A,38B支撐在地面F上方之電樞單元所構成之固定件單元34。
圖2中顯示載台ST1及電磁夾頭20的立體圖。由此圖2可知，載台ST1具有大致板狀的形狀。於此載台ST1(＋Z側之面)之上面，透過真空吸附機構91(圖2中未圖示，參照圖9)吸附保持著電磁夾頭20。
接著，根據圖2及電磁夾頭20之縱截面圖的圖3，說明前述電磁夾頭20之具體構成。
如圖2所示，電磁夾頭20，具備：俯視略呈正方形之框狀構件22，設在該框狀構件22之內部空間的本體部24，以及設在框狀構件22之＋Y側端部、用以將配線及配管等與本體部24連接的連接部26。
前述本體24，如圖3之截面圖所示，具有層狀構造，具備：包含平板狀矽基板28A、及形成在該平板狀矽基板28A上面之配線層28B的配線基板28，於該配線基板28上配置成矩陣狀的複數個微線圈MC，以及以填補該微線圈MC之縫隙之方式設置的絕緣層40。此處，本實施形態係包含配線基板28與絕緣層40來構成線圈保持盤29，該線圈保持盤29之上面為基座面(保持面)29a。又，複數個微線圈MC，例如係以1mm之間距排列。
前述配線層28B，係於矽基板28A上以例如使用半導體曝光裝置等之微影技術等所形成。於此配線層28B透過連接器26連接配線43之一端。於配線43之另一端連接有電源92(圖3中未圖示，參照圖9)，在圖9之控制裝置90之指示下，進行從電源92透過配線43及連接器26之電流供應。
前述複數個微線圈MC係由平面微線圈構成，例如，經下述步驟加以製造。
(1)首先，準備矽基板，於此矽基板上面之全面，以旋轉塗布法等塗布例如感光性聚醯亞胺前驅物，且使用曝光裝置等將感光性聚醯亞胺前驅物加以圖案化，例如形成矩形之底層。
(2)接著，於底層及其周圍以旋轉塗布法等塗布光阻後，使用半導體曝光裝置等進行曝光並進行顯影，再僅除去存在於微線圈形成範圍之光阻。又，作為半導體曝光裝置，例如可使用國際公開WO2004/073053號小冊子(對應美國公開2005/248744)所揭示之半導體曝光裝置。
(3)接著，以噴濺沉積法將白金(Pt)沉積至矽基板之上面全面以形成觸媒金屬層，當除去光阻時，即會僅在前述形成範圍內殘存觸媒金屬層。
(4)其次，於矽基板之上面全面，以旋轉塗布法等厚厚的塗布例如含有光反應性硬化劑之環氧樹脂以形成環氧樹脂層。之後，將環氧樹脂加以圖案化，形成微線圈之膜(form)。藉由此圖案化，除去在微線圈之配線形成預定部分之所有環氧樹脂(形成螺旋狀之槽)。
(5)之後，在存在於膜底部之觸媒金屬層之一部分上，以化學鍍法析出銅，據以形成化學鍍用電極，且使用該化學鍍用電極進行化學鍍，在膜之螺旋狀槽之相對向壁面之間，以銅形成配線。以此方式即能製造微線圈。
藉由半導體曝光裝置之圖案形成來製造微線圈，即能一次製造微線圈。
複數個微線圈MC，係在線圈保持盤29內(配線基板28上)排列成矩陣狀(XY2維方向)。此等微線圈MC，係電氣連接於配線基板28，且相鄰微線圈MC之間為絕緣，因此微線圈彼此不致接觸，而呈埋在絕緣層40內之狀態。控制裝置90，可切換對各微線圈MC之電流供應、及電流供應之停止。
又，如圖3所示，在複數個微線圈MC各個之中央中空部設有鐵心31，可藉由此鐵心31來強化微線圈MC之磁場。
以上述方式構成之本體部24，如圖3所示，進一步於其內部形成有氣體供應路42。
針對此進一步詳加說明。氣體供應路24，具有：於配線基板28內沿水平方向形成之主路42a，於配線基板28內從主路42a朝向垂直方向形成之第1支路42b，以及以和第1支路連通之狀態形成在絕緣層40內之第2支路42c。第1支路42b與第2支路42c，係形成為不致於干涉配線層28B之配線位置、微線圈MC及鐵心31之位置。
於此氣體供應部42之端部，透過連接器26連接氣體供應管44(參照圖2)之一端部，於該氣體供應管44之另一端部連接有氣體供應裝置93(未示於圖2，參照圖9)。控制裝置90(參照圖9)藉由控制氣體供應裝置93之氣體供應，透過主路42a、第1支路42b及第2支路42c將氣體噴出至電磁夾頭20之上面。此氣體之噴出量係以控制裝置90加以管理。又，亦可採用在氣體供應路42之一部分設置電磁閥等，而僅從電磁夾頭29上面之一部分噴出氣體般之構成。
上述電磁夾頭20，只要是其一部分含有磁性體之物體的話，即能定位在電磁夾頭20上之所欲位置附近，本實施形態中，為進行更為正確之定位及姿勢控制，如圖4(A)所示，係在定位對象之物體M下面側設有磁鐵48A,48B。
此情形下，磁鐵48A與磁鐵48B係被設定為逆極性。因此，例如，當如圖4(A)之示意圖所示具有24個微線圈MC1~MC24時，藉由對微線圈MC11與微線圈MC24供應反向之電流，即能將定位對象之物體M以磁吸附方式定位於如圖4(B)所示之位置。此外，由於磁鐵48A,48B為逆極性，藉由微線圈MC11與磁鐵48B之相互作用、微線圈MC24與磁鐵48A之相互作用，物體M不會以在水平面內旋轉方向偏移的狀態被定位，而能進行物體M之正確的定位。
另一方面，當採用圓柱狀物體作為物體M時，如圖5(A)所示，係於其長邊方向兩端部設置磁鐵48A,48B。據此，對一個線圈(此處，係微線圈MC20)供應電流，即能如圖5(A)所示，在微線圈MC20之上方將物體以垂直立起的狀態加以定位。又，如圖5(B)所示，例如，藉由對微線圈MC20與微線圈MC15供應反向之電流，即能將物體M以水平之狀態加以定位。再者，如圖5(C)所示，例如對微線圈MC20供應電流(大小為a)且對微線圈15供應反向電流(大小為a’、(a’<a))，即能將物體M以從垂直狀態略為傾斜之狀態加以定位。
接著，進一步說明作為定位對象之物體M。
作為定位對象之物體M，例如，係LSI(Large Scale Integration)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)元件等。關於MEMS元件，最近被用於加速度感測器、迴轉感測器、DMD(Digital Micro－mirror Device)、噴墨印表機之印字頭等，以使用微影技術等之能量束加工技術、組裝等之機械加工技術加以製造。製造時，於晶圓上之每一層以半導體曝光裝置形成圖案，然後進行顯影、蝕刻，製作零件之模具。一般的LSI係在曝光後除去光阻，但於MEMS元件，則係將作為犧牲層之光阻留至最後，於製造立體構造之過程中，以犧牲層來填住間隙。並在最後將所有犧牲層(光阻)以氧電漿處理一次去除以完成立體構造。
又，由於MEMS元件係如前述般在一片矽晶圓上，使用半導體製造技術(微影技術)製造多數個，因此在製程之最終階段須切割矽晶圓，以切出各元件。
此時，切出後之MEMS元件實際上具有數μ m左右之大小。當以接觸於電磁夾頭20上面之狀態裝載此種微細物體時，一般皆知，會增強摩擦力、靜電力、凡得瓦(Van Der Waal’s)力等之作用。此等力在物體尺寸大於厘米時幾乎可完全忽視，但如MEMS元件等微細物體，則較慣性敝爭體積力大。因此，本實施形態中，為消除物體M與電磁夾頭20間之摩擦力等之力量，係從前述氣體供應裝置93透過氣體供應路42將氣體噴出於電磁夾頭20之基座面29a上，以對物體賦予浮力。
回到圖1，前述第2保持裝置150雖然係上下反轉，但基本上與前述第1保持裝置50為相同構成。進一步詳言之，第2保持裝置150，包含：載台(可動體、或台)ST2，於該載台ST2下面保持之電磁夾頭20，以及使載台ST2至少往Y軸方向移動之移動裝置130。
前述載台ST2係與載台ST1相同之構成。電磁夾頭120係與電磁夾頭20相同之構成，在載台ST2之下面側透過真空吸附機構94(圖2中未圖示，參照圖9)加以保持。又，移動裝置130係與移動裝置30相同之構成，包含Y軸線性馬達136，此Y軸線性馬達136具有：移動件單元132、以及透過支撐構件138A,138B被支持在頂面CE下方之固定件單元134。此外，於載台ST2設有能將電磁夾頭120驅動於上下方向(Z軸方向)之上下動機構95(圖2中未圖示，參照圖9)之點，與載台ST1不同(參照圖1)。
其次，根據圖6(A)~圖7(C)說明預對準裝置PA1。又，預對準裝置PA1之各動作，實際上雖係在圖9之控制裝置90的指示下進行，但此處為避免說明之複雜化，省略此部分。
預對準裝置PA1，包含：內部具有液體lq之攪槽52(參照圖6(B))，設在攪拌槽52內部、其一部分安裝有把手54a之篩網54(參照圖6(B))，以及粗定位機構55(參照圖7(B))。篩網54之網眼格子間隔係設定為物體M無法穿過程度之大小。
此預對準裝置PA1(參照圖1)，首先，係將圖6(A)所示內部保管有既定數物體M之匣56，搬送至攪拌槽52附近。接著，將匣56內部之物體M投入圖6(B)所示攪拌槽52內之液體lq中。此階段中，亦有物體M之磁鐵彼此吸附，物體M彼此連結之情形。
接著，如圖6(C)所示，將拌槽52內之液體lq加以攪拌以解除物體M彼此間之連結。並在物體M彼此間之連結解除的狀態下拉起篩網54，即能使物體M分散在篩網54之網眼上(圖7(A)參照)。
其次，將分散之物體M之位置，例如透過使用影像處理等手法之觀察裝置99A(參照圖9)加以辨識，使用拾取機構96(參照圖9)將物體M一個一個拾起，粗略的將物體M依序定位在圖7(B)所示之粗定位機構55上。此粗定位機構55，基本上雖係與電磁夾頭20為相同之構成，但線圈之配置間隔等則較電磁夾頭20設定得較大。因此，本實施形態中，係使用拾取機構96將一個物體M定位在粗定位機構55之所欲位置附近，藉由將電流供應至所欲位置附近，將物體粗略的加以定位。不過，就物體之姿勢而言則未成為所欲之姿勢。當結束此作業時，例如圖7(B)所示，成為物體排列在粗定位機構55上。又，作為前述粗定位機構55，亦可以是僅在表面形成有矩陣狀之複數個真空用開口的板狀構件。
其次，如圖7(C)所示，將粗定位機構55以保持物體M之面朝向下側之狀態配置成與電磁夾頭20相對向，藉由停止對粗定位機構55之線圈的電流供應，M供應至(交至)電磁夾頭20上。於電磁夾頭20，對所欲之微線圈MC供應電流，以將預對準之物體更正確的加以定位。此時，由於物體M已藉由預對準裝置PA1粗略的予以定位，因此與未進行預對準之情形相較，能縮短各物體在電磁夾頭20上之移動距離，進行高精度之定位。
另一方之預對準裝置PA2(參照圖1)亦為同樣之構成。亦即，預對準裝置PA2，如圖9所示，具備粗定位機構55、拾取機構96、以及觀察裝置99B。此外，本實施形態中，以預對準裝置PA2進行預對準，被保持於電磁夾頭120之物體，係採用能對MEMS元件等施以鑽孔、或切削等加工之加工工具N(參照圖8(A))。於此加工工具N之一端埋有磁鐵。又，於電磁夾頭120之內部，設有能對經定位之各加工工具N分別供應電流的配線。因此，能對所有加工工具N同時供應電流，而能同時使用所有的加工工具N。此外，對加工工具N之電流供應並非必須，當加工工具N是不需要電流之工具時，可不設置電流供應用之配線。
圖1中，顯示了於下方之電磁夾頭20定位由MEMS元件等構成之物體M，於上方之電磁夾頭120定位妥加工工具N之狀態。之後，物體M與加工工具N，係如圖8(A)所示，以上下對向之位置關係定位。
又，組裝系統100，係將電磁夾頭20與電磁夾頭120定位於上下對向之位置。其次，例如將電磁夾頭120透過上下動機構95移動至下方，據以如圖8(B)所示，使各物體M與對應之加工工具N接觸，且藉由對電磁夾頭120所保持之所有加工工具N供應電流，即能對電磁夾頭20所保持之所有物體M施以鑽孔等之加工。
此處，電磁夾頭20之位置係透過干涉儀97(參照圖9)加以測量，控制裝置90根據該測量結果透過移動裝置30移動載台ST1。又，電磁夾頭120之位置係透過干涉儀98(參照圖9)加以測量，控制裝置90根據該測量結果透過移動裝置130移動載台ST2。
又，本實施形態中，雖然上側之電磁夾頭(120)僅設置一個，但例如在對物體M連續施以不同加工時，可將保持有別種類加工工具之電磁夾頭(第3保持裝置)設置在電磁夾頭120之附近，其數量、種類以及配置等無特別限定。
如以上之詳細說明，根據本第1實施形態，於電磁夾頭20，由於係對複數個微線圈MC中之特定微線圈供應電流，與物體M之磁鐵相互作用使電磁力作用於物體M，因此可將物體M以定位在基座面上所欲位置之狀態加以保持。此外，可藉由從氣體供應路42噴出之氣體，對物體M賦予浮力，因此進行物體M之定位時，能降低作用在物體M與電磁夾頭上面間之力量的影響。
又，使用預對準裝置PA1(或PA2)將物體M(或工具N)對電磁夾頭20(或120)之基座面進行定位後，藉由複數個微線圈MC，與物體M(或工具N)之磁鐵相互作用使電磁力作用於物體M，因此能將物體M在正確的定位於電磁夾頭20(或120)之所欲位置的狀態下加以保持。
又，由於能藉由控制裝置90進行對複數個微線圈MC各個之定流供應與停止，與物體M(或工具N)之磁鐵相互作用使電磁力作用於物體、或不作用，因此能以適當之時序、在以定位於適當位置之狀態加以保持。
又，本實施形態中，由於係以第1保持裝置50將物體M以良好精度加以定位，以第2保持裝置150來保持物體(加工工具N)，因此藉由將第1保持裝置50與第2保持裝置150對向配置，即能使物體M與物體N成為既定之位置關係，據此，能以良好精度進行使用物體M及物體N之組裝。
此外，上述實施形態中，雖係說明了第1保持裝置50與第2保持裝置150，分別具有能於Y軸方向移動之載台ST1,ST2之情形，但不限於此，只要載台係設置在第1、第2保持裝置之至少一方即可。又，上述實施形態中，雖係就載台ST1,ST2能藉由Y軸線性馬達僅移動於Y方向之情形作了說明，但亦可藉由進一步設置X軸線性馬達，作成亦能往X軸方向移動。又，亦可將電磁夾頭20,120之雙方作成能移動於Z軸方向，亦可作成就各軸移動於傾斜(旋轉)方向。
又，上述實施形態中，雖係就採用線性馬達來作為移動載台ST1之移動裝置的情形作了說明，但不限於此，亦可採用其他驅動機構，例如音圈馬達、平面馬達、滾珠螺桿方式之馬達等各種驅動機構，此外，亦可適當組合此種驅動機構。
又，上述實施形態中，雖係透過干涉儀97(參照圖9)來測量電磁夾頭20之位置，此外，電磁夾頭120之位置亦係透過干涉儀98(參照圖9)來加以測量，但不限於此，亦可使用解碼器等之測量裝置、其他各種測量裝置來進行該位置測量。
又，上述實施形態中，雖係說明了將複數個加工工具N保持於上側電磁夾頭120，對保持於下側電磁夾頭20之複數個物體同時進行加工之情形，但本發明並限於此，例如，可僅準備一個加工工具N。亦即，如圖10所示，可不設置圖1之第2保持裝置150，而在電磁夾頭20之上方設置加工工具170，一邊使載台ST1在2維面內及垂直方向移動、一邊對電磁夾頭20上所保持之所有物體依序施以加工。此時，可一邊以影像處理方法等測量電磁夾頭20上所保持之物體M的位置、一邊隨時移動載台ST1，若能預先知道物體M之定位位置的話，亦能以物體M與加工工具170一致之方式移動載台ST1。此外，不僅如此，亦可固定電磁夾頭20之位置，且將加工工具170構成為能在水平面內及垂直方向移動，一邊移動加工工具170一邊對物體M施以加工。又，加工工具170並不限於圖10所示之僅設置一個的情形，亦可設置二個以上。
又，上述實施形態中，為了使浮力作用於物體M係作成將氣體噴出至電磁夾頭20之基座面29a上方，但本發明並不限於此，例如，亦可使用磁力使浮力作用於物體M。
又，上述實施形態中，雖係說明設置絕緣層40來作為線圈保持盤29之情形，但不限於此，亦可不設置絕緣層40，此時，線圈保持盤29僅以配線基板28構成。
<第2實施形態>
其次，根據圖11(A)~圖12說明本發明之第2實施形態。
圖11(A)顯示本第2實施形態之概略構成。由此圖11(A)可知，設有電磁夾頭20及電磁夾頭120之點與前述第1實施形態相同，但於電磁夾頭120連接有電弧熔接用電源70之點則與第1實施形態不同。電磁夾頭120，與第1實施形態同樣的，可藉由上下動機構95(參照圖12)移動於上下方向(Z軸方向)。
本實施形態中，例如，如圖11(A)所示，係使用電磁夾頭20將具有大致立方體狀之物體M(與第1實施形態同樣的，一部分設有磁鐵)以定位成等間隔之狀態加以保持，且使用電磁夾頭120將物體M以定位成等間隔之狀態加以保持。此時，相鄰物體M間彼此之間隔係設定為小於物體M之寬度。又，圖11(A)中，為便於圖示，看起來物體M係僅沿一軸方向排列，但實際上係於2維方向以等間斷排列。此外，於此物體M之定位時，亦係使用與前述第1實施形態之預對準PA1,PA2同樣的預對準裝置，預先大致的予以定位。
以上述方式將物體M保持於電磁夾頭20,120，且以兩電磁夾頭對向之狀態透過上下動機構958(參照圖12)驅動電磁夾頭120下降，使兩電磁夾頭接近。然後，在上側之物體M與下側之物體M接觸的狀態，從電源70供應電壓。據此，如圖11(B)所示，上側物體與下側物體接觸之部分即被電弧熔接，接觸之物體彼此即被固定。此情形下，可以說上側物體係作為一般電弧熔接中的熔接棒，而下側物體則作為母材。
採用此方式，當結束電弧熔接時，即解除上側電磁夾頭120對物體M的保持力，且透過上下動機構95(參照圖12)將電磁夾頭120移動至上方，來使上側之電磁夾頭120遠離下側之電磁夾頭20(圖11(C)參照)。
之後，以同樣方式將物體M保持於上側之電磁夾頭120，且使兩電磁夾頭接近並進行電弧熔接，即能以3維方式組裝(組合)物體M(參照圖11(D))。
以此方式組合成之構造體，著眼於其大的表面積，例如，可用於散熱裝置(Heat sink)、加熱器、過濾器等。再者，著眼於物體間形成有非常多的間隙，作為一種輕量且高剛性之金屬可期待各種使用方法。
如以上之說明，根據本第2實施形態，即使是微細之物體，亦能使用本發明之電磁夾頭正確的加以排列，且藉由從電弧熔接用之電源70施加電壓，即能將物體加以接合，因此能組合(製造)出各種3維構造物。
又，上述第2實施形態中，雖係說明了採用大致立方體狀之物體M來作為物體之情形，但本發明並不限於此，可使用具有規格化構造之各種形狀的物體。例如，可藉由球狀物體、圓柱狀物體、或三角錐狀物體等組合(製造)出各種3維構造。此時，如圖5(A)~圖5(C)所示，亦可一邊變化物體之姿勢一邊加以組合。
又，上述第2實施形態中，雖係說明了使用電弧熔接之情形，但本發明並不限於此，例如，亦可使用黏著劑來連接物體，亦可使用氫鍵等方式來連接物體。
<第3實施形態>
其次，根據圖13(A)~圖14(C)說明本發明之第3實施形態。本第3實施形態中，係使用第1、第2實施形態所使用的電磁夾頭20來作為加工裝置80之構成要素。
本第3實施形態之加工裝置80，如圖13(A)所示，具備電磁夾頭20、與和該電磁夾頭20對向設置之真空夾頭220。
前述電磁夾頭20雖與第1實施形態中者上下相反，但為相同構成，具備線圈保持盤29、與設於該線圈保持盤29之複數個微線圈MC。此電磁夾頭20，能藉由與第1、第2實施形態中設於電磁夾頭120側之上下動機構相同之上下動機構移動於上下方向(Z軸方向)。
前述真空夾頭220，具備基座222，於該基座222內部形成有真空用管路242，藉由透過該真空管路242之真空吸力，來吸附保持裝載在真空夾頭220上面之物體M。於真空用管路222設有閥，由控制裝置控制該閥之開關，即能變化真空吸附該物體M之位置。
如圖13(A)所示，於真空夾頭220之上真空吸附著薄板狀之物體M。此物體M係MEMS面鏡，形成有被空處87區劃出的複數個區域，於各該區域內形成有圖13(B)所示之面鏡部分82。於面鏡部分82附近的2處設有磁鐵84a,84b。磁鐵84a,84b可以互為同極性、亦可互為反極性。又，真空夾頭220係真空吸附被空處87所區劃之區域以外的部分。
本實施形態中，係使用以上述方式構成之加工裝置80，將包含面鏡部分82的部分加工成從鉸鏈86之位置立起的狀態(彎折加工)。
具體而言，係將物體M如圖14(A)所示般裝載於真空夾頭220之上，以真空吸附保持之狀態，使電磁夾頭20從上方接觸或接近物體M(參照圖14(B))。然後，在此狀態下，將電流供應至電磁夾頭20之微線圈(位於對應物體M之磁鐵84a,84b之部分，圖14(B)中以塗黑狀態顯示之微線圈)，以吸附物體M之磁鐵84a,84b。
其次，在維持磁鐵84a,84b之吸附的狀態下，透過上下動機構往與水平面交叉之方向(此處為＋Z方向)移動電磁夾頭20，即能如圖14(C)所示，使面鏡部分82成為從鉸鏈86部分附近立起的狀態。
如以上說明，藉由本第3實施形態加工裝置80之使用，即使是MEMS面鏡之面鏡等微細部分，亦能容易的加工(彎折)成立起狀態，且所有面鏡部分82之加工(彎折)能一次進行。
又，上述第3實施形態中，雖係說明將電磁夾頭20透過上下動機構移動至上方，據以將MEMS面鏡加工成立起狀態之情形，但本發明並不限於此，亦可將真空夾頭220作成能透過上下動機構於上下方向移動，透過該上下動機構相對電磁夾頭20將真空夾頭220移動至下方，據以將面鏡部分82加工(彎折)成立起狀態。此外，亦可於真空夾頭220與電磁夾頭20之雙方設置上下動機構，透過該等上下動機構使真空夾頭220與電磁夾頭20往遠離之方向移動，據以將面鏡部分82加工成立起狀態。又，作為上下動機構，除線性馬達外，亦可採用各種驅動機構。
此外，上述第3實施形態中，雖係針對使真空夾頭220與電磁夾頭20相對往Z軸方向移動之情形作了說明，但本發明並不限於此，只要是與XY面交叉之方向，且係適於對物體進行加工之方向的話，可使兩夾頭往各個方向相對移動。
又，上述第3實施形態中，為保持物體(MEMS面鏡)雖採用了真空夾頭220，但本發明並不限於此，例如，亦可採用將MEMS面鏡外周部附近以機械方式加以保持之挾持機構。
此外，上述第3實施形態，雖係針對使用加工裝置80來加工MEMS面鏡之情形作了說明，但不限於此，亦相當適合應用於經微加工之各種物體(具有磁性體部與空處部之物以體)的加工。
<第4實施形態>
其次，根據圖5說明本發明之第4實施形態。
本第4實施形態之濺鍍裝置60，如圖15所示，具備：真空室65，用以保持設在該真空室65內之基材W的電磁夾頭20’，包含設在電磁夾頭20’附近之靶Tg的陰極68，以及在真空室65外部設在陰極68被面側的磁極62。
前述真空室65，具有用以導入濺鍍用氬氣的導入管63，以及於一部分連接有泵的排氣管64，其內部在透過排氣管64進行排氣後，透過導入管63導入既定量之例如氬氣。
前述電磁夾頭20’與前述第1實施形態之電磁夾頭20為相同之構成，但未設置氣體供應路。又，亦可取代氣體供應路，設置用以保持基材W之真空挾持機構。
前述陰極68，具備：靶Tg，與設在該靶Tg背面側之背板68a。此背板內部形成之液體流路中流有冷卻水，藉由該冷卻水來冷卻靶Tg。此陰極68連接有未圖示之電源，以供應濺鍍電力。
前述磁極62具有S極與N極，供產生磁力。
如此構成之濺鍍裝置60，當從未圖示之電源對陰極68賦予負的直流電壓時，即對陰極68供應濺鍍電力(例如，200W)。據此，從陰極68朝向電磁夾頭形成高電場，與此同時在磁極62之S極與N極之間產生磁力，據以形成濺鍍磁場。
氬原子，藉由在靶Tg附近暴露於電場而游離，捕捉磁場，因此更促進游離。此外，因游離而產生之電子會撞擊氬原子而進一步促進游離。
以此方式進行，而在靶Tg附近產生氬離子，因靶Tg附近之電場而加速，以良好勁道撞擊靶Tg。藉由此撞擊，靶Tg之一部分成為微粒(clutter)而濺射，濺射之靶微粒子中，朝向基材W方向者即撞擊基材W而附著於此。藉由此種靶微粒子之附著的反複進行，於基材W表面形成薄膜。
此處，靶微粒子具有被吸引至產生磁場處的性質。因此，藉由對構成電磁夾頭20’之複數個微線圈選擇性的供應電流，能使靶微粒子僅沉積於基材W之表面中、對應有電流供應之微線圈的部分。據此，即能在基材W表面以圖案化之狀態形成薄膜。
又，本第4實施形態，雖係針對真空室65內充填氬氣體之情形作了說明，但不限於此，亦可充填例如氮氣、或氖氣。
如以上之說明，本第4實施形態之濺鍍裝置，藉由對微線圈之電流供應的控制，能在基材W上形成對應有電流供應之微線圈之分布的圖案。
又，上述各實施形態，雖係針對由控制裝置進行對各微線圈之電流供應及停止電流供應之切換的情形作了說明，但不限於此，例如亦可將對線圈之電流供應及停止電流供應的功能賦予設在配線基板之IC等，透過此IC來進行電流之供應。
又，上述各實施形態，雖係針對以電磁夾頭保持物體之情形作了說明，但本發明並不限於此，例如，亦可採用如圖16所示之平面馬達裝置之固定件。
亦即，雖然固定件320側係與上述第1實施形態之電磁夾頭20相同之構成，且可動件330側亦與第1實施形態之物體M同樣的設有磁鐵148a,148b，但對微線圈供應電流或停止供應電流之切換的控制方法不同。具體而言，係視移動可動件33之速度(要求速度)來變化供應電流之微線圈的方式進行控制，據以使可動件往所欲方向移動。
此時，藉由從氣體供應路42供應至可動件下面與基座面29a之間的氣體，於可動件330縣面與基座面29a之間形成數μ m之間隙。此外，亦可與氣體供應路42一起，或取代此而將可動件330移動所產生之動壓力用作為軸承。例如，可將可動件330之至少進行方向之下面部分形成為楔狀，利用與個人電腦之硬碟磁頭浮起相同的原理，根據可動件330之移動速度產生浮力，以在可動件330縣面與基座面29a之間形成數μ m之間隙。
如以上之說明，本發明之保持裝置，非常適合保持至少一部分包含磁性體之物體。又，本發明之組裝系統，非常適合使用至少一部分包含磁性體之物體所進行之組裝。又，本發明之艦鍍裝置，非常適合在真空內使離子撞擊靶材以在基材形成薄膜。進一步的，本發明之加工方法及加工裝置，非常適合加工至少一部分包含磁性體之物體。
20,20’,120．．．電磁夾頭
22．．．框狀構件
24．．．本體部
26．．．連接部
28．．．配線基板
28A．．．矽基板
28B．．．配線層
29．．．線圈保持盤
29a．．．基座面
30,130．．．移動裝置
31．．．鐵心
32,132．．．移動件單元
34．．．固定件單元
36．．．Y軸線性馬達
38A,38B,138A,138B．．．支撐構件
40．．．絕緣層
42．．．氣體供應路
42a．．．主路
42b．．．第1支路
42c．．．第2支路
43．．．配線
44．．．氣體供應管
48A,48B,84a,84b,148a,148b．．．磁鐵
50．．．第1保持裝置
52．．．攪拌槽
54．．．篩網
54a．．．把手
55．．．粗定位機構
56．．．匣
60．．．濺鍍裝置
62．．．磁極
63．．．導入管
64．．．排氣管
65．．．真空室
68．．．陰極
68a．．．背板
70．．．弧熔接用電源
80．．．加工裝置
82．．．面鏡部分
86．．．鉸鏈
87．．．空處
90．．．控制裝置
91．．．真空吸附機構
92．．．電源
93．．．氣體供應裝置
95．．．上下動機構
96．．．拾取機構
97,98．．．干涉儀
99A,99B．．．觀察裝置
100．．．組裝系統
150．．．第2保持裝置
170．．．加工工具
220．．．真空夾頭
222．．．基座
242．．．真空用管路
320．．．固定件
330．．．可動件
Lq．．．液體
M．．．物體
MC．．．微線圈
N．．．加工工具
PA1,PA2．．．預對準裝置
ST1,ST2．．．載台(可動體)
Tg．．．靶
W．．．基材
圖1，係顯示第1實施形態之組裝系統的概略圖。
圖2，係圖1之電磁夾頭及載台的立體圖。
圖3，係電磁夾頭之縱截面圖。
圖4(A)、(B)，係用以說明物體M之構成及定位方法的圖(之一)。
圖5(A)~(C)，係用以說明物體M之構成及定位方法的圖(之二)。
圖6(A)~(C)，係用以說明預對準之構成及預對準之方法的圖(之一)。
圖7(A)~(C)，係用以說明預對準之構成及預對準之方法的圖(之二)。
圖8(A)、(B)，(A)係顯示使物體M與加工工具N相對向之狀態的圖，(B)係顯示以加工工具N進行物體M之加工狀態的圖。
圖9，係第1實施形態之控制系統的方塊圖。
圖10，係顯示第1實施形態之變形例的圖。
圖11(A)~(D)，係用以說明第2實施形態的圖。
圖12，係第2實施形態之控制系統的方塊圖。
圖13(A)、(B)，(A)係顯示第3實施形態之加工裝置之構成的圖，(B)係用以說明(A)之加工裝置之待加工對象之物體之構成的圖。
圖14(A)~(C)，係用以說明使用圖13(A)之加工裝置進行之加工方法的圖。
圖15，係顯示第4實施形態之濺鍍裝置之構成的圖。
圖16，係顯示變形例之平面馬達裝置之構成的圖。
24．．．本體部
28．．．配線基板
28A．．．矽基板
28B．．．配線層
29．．．線圈保持盤
29a．．．基座面
31．．．鐵心
42．．．氣體供應路
42a．．．主路
42b．．．第1支路
42c．．．第2支路
MC．．．微線圈

Claims (48)

  1. 一種保持裝置，係保持至少一部分包含磁性體之物體，其特徵在於，具備：基座，係供配置該物體；複數個導電體，係設於該基座、與該磁性體相互作用以將電磁力作用於該物體；以及浮力機構，對該物體賦予浮力，據以抑制或防止在該物體載置於該基座上時作用於該物體之面積力大於體積力。
  2. 如申請專利範圍第1項之保持裝置，其中，該浮力機構係使用氣體來對該物體賦予浮力。
  3. 如申請專利範圍第2項之保持裝置，其中，該浮力機構具有形成於該基座之氣體供應路。
  4. 如申請專利範圍第1項之保持裝置，其中，該浮力機構係使用磁力來對該物體賦予浮力。
  5. 如申請專利範圍第1項之保持裝置，其中，該導電體具有微線圈。
  6. 如申請專利範圍第5項之保持裝置，其中，該微線圈係使用半導體製程之至少一部分來加以製造。
  7. 如申請專利範圍第5項之保持裝置，其進一步具備控制裝置，係與該導電體之複數個微線圈連接，用以切換對該複數個微線圈之各個之電流供應與電流供應之停止。
  8. 如申請專利範圍第1項之保持裝置，其中，該磁性體具有磁鐵。
  9. 如申請專利範圍第1項之保持裝置，其中，該基座具有由矽構成之部分。
  10. 如申請專利範圍第1項之保持裝置，其進一步具備使該基座移動之移動裝置。
  11. 一種保持裝置，係保持至少一部分包含磁性體之物體，其特徵在於，具備：基座，係供配置該物體；複數個導電體，係設於該基座、與該磁性體相互作用以將電磁力作用於該物體；以及預對準裝置，係在使該電磁力作用於該物體之前，先將該物體相對該基座予以定位。
  12. 如申請專利範圍第11項之保持裝置，其中，該物體為複數個；該對準裝置，具有使用流體來解除該複數個物體之連結的解除裝置。
  13. 如申請專利範圍第12項之保持裝置，其中，該流體為液體；該解除裝置係在該液體中解除該複數個物體之連結。
  14. 如申請專利範圍第11項之保持裝置，其中，該磁性體具有磁鐵。
  15. 如申請專利範圍第11項之保持裝置，其中，該基座具有由矽構成之部分。
  16. 如申請專利範圍第11項之保持裝置，其進一步具備使該基座移動的移動裝置。
  17. 一種保持裝置，係保持至少一部分包含磁性體之物體，其特徵在於，具備：基座，係供配置該物體；複數個微線圈，係設於該基座、與該磁性體相互作用以將電磁力作用於該物體；以及控制裝置，係與該複數個微線圈連接，用以切換對該複數個微線圈之電流供應與電流供應之停止。
  18. 如申請專利範圍第17項之保持裝置，其中，該控制裝置係控制該物體之姿勢。
  19. 如申請專利範圍第17項之保持裝置，其中，該磁性體具有磁鐵。
  20. 如申請專利範圍第17項之保持裝置，其中，該基座具有由矽構成之部分。
  21. 如申請專利範圍第17項之保持裝置，其進一步具備使該基座移動的移動裝置。
  22. 一種加工裝置，其特徵在於，具備：申請專利範圍第1~21項中任一項之保持裝置，係保持至少一部分包含磁性體之物體；以及加工物，係對該保持裝置所保持之物體施以加工；該保持裝置與該加工物之相對位置關係為可變。
  23. 如申請專利範圍第22項之加工裝置，其具備複數個該加工物。
  24. 一種組裝系統，其特徵在於，具備：第1保持裝置，係由保持至少一部分包含磁性體之第1 物體之申請專利範圍第1~21項中任一項之保持裝置所構成；以及第2保持裝置，係保持與該第1保持裝置所保持之第1物體對向配置之第2物體。
  25. 如申請專利範圍第24項之組裝系統，其中，該第2物體至少於一部分包含磁性體；該第2保持裝置，係申請專利範圍第1~21項中任一項的保持裝置。
  26. 如申請專利範圍第24項之組裝系統，其中，該第2物體係對該第1物體施以加工的加工物；並進一步具備控制以該第2物體進行之對第1物體之加工的加工控制裝置。
  27. 如申請專利範圍第24項之組裝系統，其進一步具備熔接裝置，以將該第1物體與該第2物體加以連接。
  28. 如申請專利範圍第24項之組裝系統，其進一步具備使該第1保持裝置與該第2保持裝置相對移動的相對移動裝置。
  29. 如申請專利範圍第24項之組裝系統，其進一步具備第3保持裝置，係與該第2保持裝置另外設置，用以保持與該第1保持裝置所保持之第1物體對向配置，且至少一部分包含磁性體的第3物體。
  30. 如申請專利範圍第29項之組裝系統，其中，該第3保持裝置係申請專利範圍第1~21項中任一項之保持裝置。
  31. 一種濺鍍裝置，係使離子撞擊靶材以在基材形成薄膜，其特徵在於，具備：基座，具有複數個微線圈、用以保持基材；以及控制裝置，係與該複數個微線圈連接，用以切換對該複數個微線圈之電流供應與電流供應之停止。
  32. 一種加工方法，係對至少一部分包含磁性體之第1物體使用第2物體予以加工，其特徵在於，包含：對配置於基座之該第1物體賦予浮力之動作；使設於該基座之複數個導電體與該磁性體相互作用，以使電磁力作用於該第1物體之動作；以及使該第2物體接近或接觸該第1物體之動作。
  33. 一種加工方法，係對至少一部分包含磁性體之第1物體使用第2物體予以加工，其特徵在於：相對基座將該第1物體予以對準；使設於該基座之複數個導電體與該磁性體相互作用，以使電磁力作用於該第1物體；以及使該第2物體接近或接觸該第1物體。
  34. 如申請專利範圍第33項之加工方法，其中，該第1物體為複數個；該對準，包含使用液體來解除該複數個第1物體之連結。
  35. 一種加工方法，係對至少一部分包含磁性體之第1物體使用第2物體予以加工，其特徵在於，包含：切換對配置該第1物體之基座之複數個微線圈之電流 供應、與電流供應之停止之動作；使該微線圈與該磁性體間之電磁力作用於該第1物體之動作；以及使該第2物體接近或接觸該第1物體之動作。
  36. 如申請專利範圍第32至35項中任一項之加工方法，其中，係將第2物體結合於該第1物體。
  37. 如申請專利範圍第33項之加工方法，其中，該第1物體與該第2物體之結合係以熔接進行。
  38. 如申請專利範圍第36項之加工方法，其中，係藉由該第1物體與該第2物體之結合來生成3維構造。
  39. 如申請專利範圍第38項之加工方法，其中，該第1物體與該第2物體係形狀已規格化之物體。
  40. 如申請專利範圍第35項之加工方法，其中，係藉由該切換使該第1物體在該基座上移動。
  41. 如申請專利範圍第35項之加工方法，其中，該微線圈係利用半導體製程之至少一部分來加以製造。
  42. 一種加工裝置，係用以加工物體，該物體具有一部分包含磁性體之磁性體部、與大致圍繞該磁性體部之狀態形成之空所部，其特徵在於，具備：基座，具有能保持該物體之保持面；磁吸附裝置，係設於該基座，與該磁性體相互作用而能磁吸附該磁性體部；以及移動裝置，係在以該磁吸附裝置將該磁性體部予以磁吸附、且該空所部未被磁吸附之狀態下，使該基座往與該 保持面交叉之方向移動。
  43. 如申請專利範圍第42項之加工裝置，其中，該保持面係形成在該基座下面；該移動裝置係使該基座往上方移動。
  44. 一種加工裝置，係用以加工物體，該物體具有一部分包含磁性體之磁性體部、與大致圍繞該磁性體部之狀態形成之空所部，其特徵在於，具備：第1基座，具有能保持該物體之保持面；磁吸附機構，係設於該第1基座，與該磁性體相互作用而能磁吸附該磁性體部；第2基座，係以隔著該物體與該第1基座對向配置；以及吸附裝置，係設於該第2基座，用以吸附該物體中未被該磁吸附機構磁吸附之部分。
  45. 如申請專利範圍第44項之加工裝置，其進一步具備移動裝置，係使該第1基座與該第2基座沿與該保持面交叉之方向相對移動。
  46. 如申請專利範圍第44項之加工裝置，其中，該吸附裝置係將該物體中未被該磁吸附裝置吸附之部分予以真空吸附。
  47. 如申請專利範圍第42至46項中任一項之加工裝置，其中，該磁吸附機構具有複數個導電體。
  48. 如申請專利範圍第47項之加工裝置，其中，該導電體包含微線圈。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7592760B2 (en) * 2006-09-11 2009-09-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP2016142234A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 ボッシュ株式会社 ポンプ装置、車体挙動制御用の液圧制御システム、及び、ポンプ装置の製造方法
TWI588081B (zh) * 2015-04-30 2017-06-21 Target laminating machine structure
EP3403954A4 (en) * 2016-01-15 2019-08-14 Nano-Tem Co., Ltd. CONTACTLESS CARRIER DEVICE AND CONTACTLESS CARRIER SYSTEM
US20190301022A1 (en) * 2018-04-03 2019-10-03 Global Solar Energy, Inc. Systems and methods for depositing a thin film onto a flexible substrate
CN110078384B (zh) * 2019-06-11 2023-11-24 张家港市和瑞创先智能光学有限公司 一种玻璃镀膜用的挂载组件

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5542559A (en) * 1993-02-16 1996-08-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus
US5610683A (en) * 1992-11-27 1997-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Immersion type projection exposure apparatus
TW322593B (zh) * 1997-05-19 1997-12-11 Aneruba Kk
US5715039A (en) * 1995-05-19 1998-02-03 Hitachi, Ltd. Projection exposure apparatus and method which uses multiple diffraction gratings in order to produce a solid state device with fine patterns
TW340295B (en) * 1996-03-27 1998-09-11 Materials Research Corp Plasma source and method and apparatus for processing at least a surface of an article with plasma
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
TW450999B (en) * 1997-01-14 2001-08-21 Applied Materials Inc Target for a physical vapor deposition system and sputter chamber utilizing the same

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56151729U (zh) * 1980-03-18 1981-11-13
JP3185270B2 (ja) * 1991-08-07 2001-07-09 株式会社安川電機 磁気浮上装置
JPH08264359A (ja) * 1995-03-20 1996-10-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 小型電磁石及びその製造方法
JP3885261B2 (ja) * 1996-11-21 2007-02-21 東レ株式会社 基板支持具および基板の支持方法
JPH10256355A (ja) * 1997-03-17 1998-09-25 Nikon Corp 位置決めデバイス、基板保持装置、及び該装置を備えた露光装置
EP0866375A3 (en) * 1997-03-17 2000-05-24 Nikon Corporation Article positioning apparatus and exposing apparatus having the same
US6005281A (en) * 1997-05-07 1999-12-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for the non-contact manipulation of a semiconductor die
JPH1174182A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Nikon Corp マスク搬送装置及びマスクステージ
JP3341687B2 (ja) * 1998-10-16 2002-11-05 株式会社富士電機総合研究所 リニア電磁型マイクロアクチュエータ
JP2001170835A (ja) * 1999-12-20 2001-06-26 Okamoto Machine Tool Works Ltd 摺動テ−ブル上に電磁チャックを有する金属工作機械装置
JP4509369B2 (ja) * 2000-12-26 2010-07-21 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ支援スパッタ成膜装置
JP2003100727A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd シートフィルム保持機構、カセット、搬送機構、薄膜形成装置ならびにシートフィルム搬送方法
JP2003241116A (ja) * 2002-02-14 2003-08-27 Mitsubishi Cable Ind Ltd 光スイッチおよびその製造方法
US20030234994A1 (en) * 2002-06-19 2003-12-25 Pan Shaoher X. Reflective spatial light modulator
JP4236430B2 (ja) * 2002-08-30 2009-03-11 株式会社ジェイテクト マグネット治具
JP4027764B2 (ja) * 2002-09-26 2007-12-26 日立ビアメカニクス株式会社 ワークの固定方法
JP2004243333A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Hitachi Ltd 溶接装置および溶接方法
JP4027359B2 (ja) * 2003-12-25 2007-12-26 キヤノン株式会社 マイクロ揺動体、光偏向器、画像形成装置
JP2005336520A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Victor Co Of Japan Ltd マグネトロンスパッタリング装置
JP2005288548A (ja) * 2005-04-22 2005-10-20 Nakata Mac Corporation 板状体折曲装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5610683A (en) * 1992-11-27 1997-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Immersion type projection exposure apparatus
US5542559A (en) * 1993-02-16 1996-08-06 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Plasma treatment apparatus
US5715039A (en) * 1995-05-19 1998-02-03 Hitachi, Ltd. Projection exposure apparatus and method which uses multiple diffraction gratings in order to produce a solid state device with fine patterns
TW340295B (en) * 1996-03-27 1998-09-11 Materials Research Corp Plasma source and method and apparatus for processing at least a surface of an article with plasma
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
TW450999B (en) * 1997-01-14 2001-08-21 Applied Materials Inc Target for a physical vapor deposition system and sputter chamber utilizing the same
TW322593B (zh) * 1997-05-19 1997-12-11 Aneruba Kk

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