TWI570978B - 有機層沉積裝置及使用其製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

有機層沉積裝置及使用其製造有機發光顯示裝置之方法 Download PDF

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南命佑
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金鍾憲
洪鍾元
蔣允豪
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Description

有機層沉積裝置及使用其製造有機發光顯示裝置之方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年7月4日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號10-2011-0066124之優先權及效益，其全部內容係於此併入作為參考。
根據本發明之實施例之一態樣係關於一種有機層沉積裝置及使用其製造有機發光顯示裝置之方法。
有機發光顯示裝置相較於其他顯示裝置，具有較大之視角、較好之對比特性以及較快之反應速度，且因此作為下一代顯示裝置而受到注目。
有機發光顯示裝置一般具有堆疊結構，其包含陽極、陰極以及插設於陽極與陰極之間之發射層。當電洞與電子分別從陽極與陰極注入而於發射層再結合以發光時，有機發光顯示裝置顯示彩色影像。然而，具此類結構很難達到高發光效率，且因此中間層(intermediate layer)可額外插設於發射層與各電極之間，其中中間層包括電子注入層(electron injection layer)、電子傳輸層(electron transport layer)、電洞傳輸層(hole transport layer)、電洞注入層(hole injection layer)等。
根據本發明之實施例之態樣係針對一種可輕易地製造之有機層沉積裝置，此有機層沉積裝置可簡單應用於大規模製造大尺寸顯示裝置，且改善製造產量及沉積效率、以及一種藉由使用此有機層沉積裝置製造有機發光顯示裝置之方法。
根據本發明之一實施例，係提供一種有機層沉積裝置，其包含：靜電夾盤，係用以支撐基板；沉積單元，係包括用於維持真空之腔室以及用以沉積至少一有機層於藉由靜電夾盤所支撐之基板上之有機層沉積組件；以及第一傳送單元，係通過腔室並用於移動支撐有基板之靜電夾盤至沉積單元中，其中第一傳送單元包括導引單元，且導引單元具有接收構件，當靜電夾盤與第一傳送單元相隔時，導引單元用以支撐靜電夾盤沿一方向移動，且其中基板與有機層沉積組件係分隔，且於沉積期間基板或有機層沉積組件係設置以相對另一者而移動。
於一實施例中，有機層沉積裝置更包括：裝載單元，係用以固定基板於靜電夾盤；以及卸載單元，係用以從靜電夾盤卸除其上沉積已完成之基板。第一傳送單元可配置以依序地移動靜電夾盤至裝載單元、沉積單元以及卸載單元。有機層沉積裝置可更包括第二傳送單元，用以將從基板分開之靜電夾盤從卸載單元回傳至裝載單元。
於一實施例中，導引單元包括：驅動單元，用以產生驅動力以移動靜電夾盤；以及磁浮軸承，用於懸浮靜電夾盤於接收構件上，以在不接觸接收構件下移動。驅動單元可包括線性馬達。線性馬達可包括設置於靜電夾盤一 側之磁軌以及設置於接收構件內之線圈。磁浮軸承可包括設置於靜電夾盤一側之側磁浮軸承與設置於靜電夾盤上之上磁浮軸承，且驅動單元可設置於靜電夾盤之另一側。磁浮軸承可包括選自由電磁鐵(electromagnet)、永久磁鐵(permanent magnet)、超導磁鐵(superconducting magnet)及其組合所組成之群組之磁鐵。
於一實施例中，有機層沉積裝置更包括用以量測接收構件與靜電夾盤之間之間隔間距之間隔感測器。有機層沉積裝置可更包括藉由間隔感測器所控制之磁浮軸承，以提供磁力用於懸浮靜電夾盤於接收構件之上方。磁浮軸承可包括設置於靜電夾盤一側之側磁浮軸承以及設置於靜電夾盤上之上磁浮軸承。間隔感測器可包括用於量測靜電夾盤與第一傳送單元之間沿著第一方向之間隔間距之第一間隔感測器、以及用於量測靜電夾盤與第一傳送單元之間沿著交叉第一方向之第二方向之間隔間距之第二間隔感測器。
於一實施例中，有機層沉積裝置更包括：第一磁浮軸承，係用以懸浮靜電夾盤以沿著第一方向與第一傳送單元分隔；以及第二磁浮軸承，係用以懸浮靜電夾盤沿著交叉第一方向之第二方向與第一傳送單元分隔。
於一實施例中，接收構件包括用於接收靜電夾盤之相對側邊之接收溝槽。
於一實施例中，複數個有機層沉積組件係設置於腔室中。
於一實施例中，腔室包括相互連接之第一腔室與第二腔室，且複數個有機層沉積組件係設置於各別之第一腔室與第二腔室。
於一實施例中，有機層沉積組件包括：沉積源，係配置以排出沉積材料；沉積源噴嘴單元，係設置於沉積源之一側且包括複數個沉積源噴嘴； 以及圖樣細縫板，係設置以與沉積源噴嘴單元面對且相隔，圖樣細縫板具有複數個圖樣細縫，且小於基板。
根據本發明之另一實施例，係提供一種主動陣列有機發光顯示裝置，其包括：具有尺寸為至少40英吋(inch)之前述之基板；以及於基板上具有使用前述之有機層沉積裝置所形成之線性圖樣之至少一有機層。
於一實施例中，至少一有機層包括發射層。至少一有機層可更包括選自由電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層及其組合所組成之群組之層。
於一實施例中，此至少一有機層具有非均勻厚度。
根據本發明之另一實施例，係提供一種主動陣列有機發光顯示裝置，其包括：至少一有機層，係使用前述之有機層沉積裝置所形成而具有非均勻厚度。
根據本發明之另一實施例，係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，此方法包括：以靜電夾盤支撐基板；藉由利用通過腔室之第一傳送單元來傳送支撐有基板之靜電夾盤至維持於真空之腔室中；以及在基板或有機層沉積組件相對於另一者移動時，藉由利用設置於腔室之有機層沉積組件沉積至少一有機層於基板上，其中當與第一傳送單元相隔時，靜電夾盤於腔室中隨第一傳送單元移動，且其中基板係與有機層沉積組件分隔。
於一實施例中，靜電夾盤之傳送包括懸浮靜電夾盤以與第一傳送單元分隔。靜電夾盤之傳送可包括：藉著驅動單元產生驅動力以移動靜電夾盤；以及藉著磁浮軸承懸浮靜電夾盤，以在不接觸第一傳送單元下移動。
於一實施例中，靜電夾盤之傳送包括藉著間隔感測器量測第一傳送單元與靜電夾盤之間之間隔間距。靜電夾盤之傳送可包括：藉著間隔感測器控制磁浮軸承以提供磁力；以及藉著磁力懸浮靜電夾盤以在不接觸第一傳送單元下移動。磁浮軸承可包括設置於靜電夾盤一側之側磁浮軸承與設置於靜電夾盤上之上磁浮軸承。間隔間距之量測可包括：藉著第一間隔感測器量測靜電夾盤與第一傳送單元之間沿著第一方向之間隔間距；以及藉著第二間隔感測器量測靜電夾盤與第一傳送單元之間沿著交叉第一方向之第二方向之間隔間距。藉著磁力懸浮靜電夾盤以在不接觸第一傳送單元下移動可包括：藉著第一磁浮軸承懸浮靜電夾盤以沿著第一方向與第一傳送單元分隔；以及藉著第二磁浮軸承懸浮靜電夾盤以沿著交叉第一方向之第二方向與第一傳送單元分隔。
於一實施例中，此方法於有機層之沉積後更包括：藉著利用第一傳送單元從腔室移除其上已完成沉積之基板；分開此基板與靜電夾盤；以及藉著利用設置於腔室外之第二傳送單元，回傳已與基板分開之靜電夾盤，以藉著靜電夾盤支撐另一基板。
於一實施例中，複數個有機層沉積組件設置於腔室中，且沉積藉由依序利用複數個有機層沉積組件而執行。
於一實施例中，腔室包括相互連接之第一腔室與第二腔室，且複數個有機層沉積組件係設置於各別之第一腔室與第二腔室，其中執行係於基板移動於第一腔室與第二腔室之間時連續地沉積。
於一實施例中，有機層沉積組件包括：沉積源，係配置以排出沉積材料；沉積源噴嘴單元，係設置於沉積源之一側且包括複數個沉積源噴嘴； 以及圖樣細縫板，係設置以與沉積源噴嘴單元面對且分隔，圖樣細縫板具有複數個圖樣細縫，且係小於基板。
於一實施例中，第一傳送單元包括：導引單元，係包括接收構件用以支撐靜電夾盤能夠沿一方向移動；線性馬達，係用以產生驅動力以移動靜電夾盤；以及磁浮軸承，係用以懸浮靜電夾盤以與接收構件分隔。線性馬達可包括設置於靜電夾盤一側之磁軌以及設置於接收構件內之線圈。磁浮軸承可包括設置於靜電夾盤一側之側磁浮軸承以及設置於靜電夾盤上之上磁浮軸承，且線性馬達係設置於靜電夾盤之另一側。
根據本發明之另一實施例，係提供一種主動陣列有機發光顯示裝置，其包括：具有尺寸至少40英吋之基板；以及於基板上具有使用前述方法所形成之線性圖樣之至少一有機層。
根據本發明之另一實施例，係提供一種主動陣列有機發光顯示裝置，其包括：利用前述方法所形成之具有不均勻厚度之至少一有機層。
10、110、810、910‧‧‧沉積源
31‧‧‧絕緣層
32‧‧‧閘極絕緣層
33‧‧‧層間絕緣層
34‧‧‧鈍化層
35‧‧‧像素定義層
40‧‧‧薄膜電晶體
41‧‧‧半導體主動層
42‧‧‧閘極電極
43‧‧‧源極/汲極電極
50‧‧‧電容
51‧‧‧第一電容電極
52‧‧‧第二電容電極
60‧‧‧有機發光二極體
61‧‧‧第一電極
62‧‧‧第二電極
63‧‧‧有機層
63B‧‧‧第一條紋
63G‧‧‧第二條紋
63R‧‧‧第三條紋
64‧‧‧保護層
65‧‧‧開口
100、200、300、400、800、900、900'‧‧‧有機層沉積組件
111、811、911‧‧‧冷卻塊
112、812、912‧‧‧坩堝
115、815、915‧‧‧沉積材料
120、820、920‧‧‧沉積源噴嘴單元
121、821、921、921a、921b‧‧‧沉積源噴嘴
130‧‧‧阻隔板組件
131‧‧‧阻隔板
132‧‧‧阻隔板框架
135、614c、935‧‧‧連接構件
150、850、950‧‧‧圖樣細縫板
151、851、951‧‧‧圖樣細縫
155、611、955‧‧‧框架
500‧‧‧基板
600‧‧‧靜電夾盤
601‧‧‧主體
602‧‧‧電極
610‧‧‧第一傳送單元
613‧‧‧下盤
614‧‧‧第一導引單元
614a‧‧‧第一接收構件
614b‧‧‧第二接收構件
614d‧‧‧接收溝槽
615‧‧‧板片支承
616‧‧‧驅動單元
616a‧‧‧線圈
616b‧‧‧磁軌
617‧‧‧上磁浮軸承
618‧‧‧側磁浮軸承
620‧‧‧第二傳送單元
621、622‧‧‧間隔感測器
634‧‧‧第二導引單元
710‧‧‧裝載單元
712‧‧‧第一齒軌
714‧‧‧傳送機械手臂
716‧‧‧傳送腔
718‧‧‧第一反轉腔
719‧‧‧第一反轉機械手臂
720‧‧‧卸載單元
722‧‧‧第二齒軌
724‧‧‧排出機械手臂
726‧‧‧排出腔
728‧‧‧第二反轉腔
729‧‧‧第二反轉機械手臂
730‧‧‧沉積單元
731‧‧‧第一腔室
732‧‧‧第二腔室
830‧‧‧第一阻隔板組件
831‧‧‧第一阻隔板
832‧‧‧第一阻隔板框架
840‧‧‧第二阻隔板組件
841‧‧‧第二阻隔板
842‧‧‧第二阻隔板框架
h1、h2、h3、h4、h5‧‧‧厚度
P1‧‧‧第一部分
P2‧‧‧第二部分
P3‧‧‧第三部分
P4‧‧‧第四部分
P5‧‧‧第五部分
S‧‧‧子沉積空間
本發明之上述及其他特徵及態樣將藉由參照附圖而詳述其例示性實施例而變得更顯而易見，其中：第1圖 係為根據本發明之一實施例之有機層沉積裝置之結構示意圖；第2圖 係為第1圖之有機層沉積裝置之改良示例之結構圖；第3圖 係為靜電夾盤之一示例圖；第4圖 係為根據本發明之一實施例之第一傳送單元之剖面圖； 第5圖 係為根據本發明之一實施例之第二傳送單元之剖面圖；第6圖 係為根據本發明之一實施例之第1圖之有機層沉積裝置之有機層沉積組件之剖面透視示意圖；第7圖 係為根據本發明之一實施例之第6圖之有機層沉積組件之側視剖面圖；第8圖 係為根據本發明之一實施例之第6圖之有機層沉積組件於XZ平面之剖面示意圖；第9圖 係為根據本發明之另一實施例之有機層沉積組件之剖面透視示意圖；第10圖 係為根據本發明之另一實施例之有機層沉積組件之透視示意圖；第11圖 係為根據本發明之另一實施例之有機層沉積組件之透視示意圖；以及第12圖 係為本發明之一實施例藉由使用有機層沉積裝置所製造之主動陣列有機發光顯示裝置之剖面圖。
第13圖 係為根據本發明之一實施例在基板上之一或多個有機層之平面圖。
第14圖 係為根據本發明之一實施例沿著第13圖之I-I線段所截取之於基板上之一或多個有機層之剖面圖。
現將詳細參照本發明之實施例，其示例係繪示於附圖中。然而本發明可以許多不同形式實施且不應詮釋為受限於此處所述之實施例；相反 地，此些實施例係提供以使得本揭露將徹底且完整，且將充分傳達本發明之範疇予所屬技術領域具有通常知識者。
第1圖係為根據本發明之實施例之有機層沉積裝置之結構示意圖。第2圖係為第1圖之有機層沉積裝置之改良示例圖。第3圖係為靜電夾盤600之示例圖。
參照第1圖，根據本實施例之有機層沉積裝置包括裝載單元710、沉積單元730、卸載單元720、第一傳送單元610與第二傳送單元620。
裝載單元710可包括第一齒軌712、傳送機械手臂714、傳送腔716與第一反轉腔718。
複數個其上未塗佈沉積材料之基板500係堆疊於第一齒軌712上。傳送機械手臂714從第一齒軌712拾取基板500之其中之一，將其設置於藉著第二傳送單元620傳送之靜電夾盤600上，且將其上設置有基板500之靜電夾盤600移動至傳送腔716中。
第一反轉腔718係設置相鄰於傳送腔716。第一反轉腔718包括反轉靜電夾盤600之第一反轉機械手臂719，接著將反轉之靜電夾盤600裝載至沉積單元730之第一傳送單元610上。
參照第3圖，靜電夾盤600可包括內嵌於靜電夾盤600之主體601中之電極602。於此，主體601係由陶瓷所形成，且電極602提供電力。當高電壓施加於電極602時，靜電夾盤600可固定基板500於主體601之表面上。
參照回第1圖，傳送機械手臂714放置基板500之其中之一於靜電夾盤600之表面上，且其上設置有基板500之靜電夾盤600係裝載入傳送腔716。 第一反轉機械手臂719反轉靜電夾盤600，以使得基板500於沉積單元730中係為上下翻轉的。
卸載單元720係架構以前述之裝載單元710之相反方式運作。詳言之，第二反轉機械手臂729於第二反轉腔728反轉通過沈積單元730之靜電夾盤600，同時基板500係設置於靜電夾盤600上，且接著移動其上設置有基板500之靜電夾盤600至排出腔726中。然後，排出機械手臂724從排出腔726移除其上設置有基板500之靜電夾盤600，分離基板500與靜電夾盤600，並接著裝載基板500於第二齒軌722上。與基板500分離之靜電夾盤600藉由第二傳送單元620回傳至裝載單元710。
然而，本發明並不侷限於前述之描述。舉例而言，當設置基板500於靜電夾盤600上時，基板500可固定於靜電夾盤600之底面上，接著移動至沉積單元730中。於此情況中，舉例而言，並不會使用第一反轉腔718及第一反轉機械手臂719、以及第二反轉腔728與第二反轉機械手臂729。
沉積單元730可包括至少一個沈積腔。如第1圖所示，沉積單元730可包括第一腔室731。於第1圖所示之實施例中，有機層沉積組件100、200、300及400可設置於第一腔室731中。儘管第1圖係繪示共四個有機層沉積組件，亦即，有機層沉積組件100至400係安裝於第一腔室731中，然可安裝於第一腔室731之有機層沉積組件之總數可依據沉積材料及沉積條件而改變。於沉積期間，第一腔室731係維持於真空狀態。
於第2圖所示之有機層沉積裝置中，沉積單元730可包括相互連接之第一腔室731與第二腔室732。於第2圖所示之實施例中，有機層沉積組件100 及200可設置於第一腔室731中，而有機層沉積組件300及400可設置於第二腔室732中。於其他實施例中，有機層沉積裝置可包括二個以上之腔室。
於第1圖所示之實施例中，其上設置有基板500之靜電夾盤600可藉由第一傳送單元610而至少移動至沉積單元730，或可依序地移動至裝載單元710、沉積單元730與卸載單元720。於卸載單元720中與基板500分離之靜電夾盤600係藉由第二傳送單元620而移動回裝載單元710。
第4圖係為根據本發明之實施例之第一傳送單元610之剖面圖。
第一傳送單元610移動固定支撐有基板500之靜電夾盤600。第一傳送單元610可包括框架611、下盤613、第一導引單元614與板片支承615。
框架611形成第一傳送單元610之基底。框架611可實質上為空箱之型式。下盤613形成框架611之底側。沉積源10可設置於下盤613上。框架611與下盤613可形成為可相互組合之獨立單元。於一實施例中，框架611與下盤613係整體地(原本地)形成為一體。
僅管並未說明，但具有沉積源10於其上之下盤613可形成為卡帶結構(cassette-like structure)以從框架611上撤下，以便於更換沉積源10。
板片支承615可形成以自框架611之內側突出。此板片支承615可支撐圖樣細縫板(patterning slit sheet)150。板片支承615可導引沉積材料經由沉積源噴嘴垂直移動地排出，而不會沿著X軸方向流動。
第一導引單元614可設置於框架611上，且第一導引單元614可導引靜電夾盤600沿一方向移動。第一導引單元614係設置以通過沉積單元730之第一腔室731。
第一導引單元614接收靜電夾盤600之相反邊緣，藉以導引靜電夾盤600之移動。第一導引單元614可包括各別設置於靜電夾盤600上方及下方之第一接收構件614a與第二接收構件614b、以及連接第一接收構件614a與第二接收構件614b之連接構件614c。第一接收構件614a、第二接收構件614b與連接構件614c共同定義接收溝槽614d。靜電夾盤600之一側係容納於接收溝槽614d中，且靜電夾盤600係沿著接收溝槽614d移動。
驅動單元616係設置於接收溝槽614d中連接構件614c之側邊，以對應於靜電夾盤600之一側，而側磁浮軸承(side magnetic levitation bearing)618係設置以對應至靜電夾盤600之另一側，其係相反於(以對立狀態面對)驅動單元616。於一實施例中，側磁浮軸承618包括磁鐵，且此磁鐵選自由電磁鐵(electromagnet)、永久磁鐵(permanent magnet)、超導磁鐵(superconducting magnet)及其組合所組成的群組。
於此，驅動單元616可為線性馬達。線性馬達相對於現存之滑動導引系統，具有較低之摩擦係數以及幾乎無位置誤差常數錯誤之高階位置定位。作為驅動單元616之線性馬達可包括線圈616a與磁軌616b。線圈616a係設置於第一導引單元614之連接構件614c之一側，而磁軌616b係設置於靜電夾盤600之一側以對應至線圈616a。因為移動之靜電夾盤600上設置的為磁軌616b，而非線圈616a，故毋需施加電力即可驅動靜電夾盤600。
側磁浮軸承618係設置於第一導引單元614之連接構件614c上，以對應於靜電夾盤600相反於驅動單元616之另一側。側磁浮軸承618提供間隙於靜電夾盤600與第一導引單元614之間，因而使得靜電夾盤600沿著第一導引單元614移動而與第一導引單元614不接觸。
上磁浮軸承617可設置於第二接收構件614b上，以位於靜電夾盤600之上方。上磁浮軸承617使得靜電夾盤600能夠以不變之間距沿著第一導引單元614移動而與第一接收構件614a及第二接收構件614b不相接觸。儘管並未描述，磁浮軸承可設置於第一接收構件614a上，以對應於靜電夾盤600之底側。於一實施例中，上磁浮軸承617包括磁鐵，且此磁鐵選自由電磁鐵、永久磁鐵、超導磁鐵及其組合所組成之群組。
第一導引單元614可更包括間隔感測器621。間隔感測器621可量測靜電夾盤600與第一導引單元614之間之間隔。參照第4圖，間隔感測器621可設置於第一接收構件614a上，以對應於靜電夾盤600之底側。位於第一接收構件614a上之間隔感測器621可量測第一接收構件614a與靜電夾盤600之間之間隔。間隔感測器622可設置於側磁浮軸承618上。設置於側磁浮軸承618上之間隔感測器622可量測靜電夾盤600之一側與側磁浮軸承618之間之間隔。然而，本發明之態樣並不侷限於此。間隔感測器622可設置於連接構件614c上。
根據藉由間隔感測器621及622所量測之間隔，改變上磁浮軸承617及側磁浮軸承618之磁力，從而即時調整靜電夾盤600與第一導引單元614之間之間隔。靜電夾盤600可利用上磁浮軸承617及側磁浮軸承618、以及間隔感測器621及622藉著回授控制(feedback control)而精準地移動。
第5圖係為根據本發明之一實施例之第二傳送單元620之剖面圖。
第二傳送單元620可包括第二導引單元634，以用於移動已經移除基板500之靜電夾盤600。
第二導引單元634可包括第一接收構件614a、第二接收構件614b及連接構件614c。靜電夾盤600係容納於藉由第一接收構件614a、第二接收構件614b及連接構件614c所定義之接收溝槽614d內，且係沿著接收溝槽614d而移動。
驅動單元616係設置於連接構件614c上以對應於靜電夾盤600之一側。驅動單元616產生驅動力用於沿著第二導引單元634移動靜電夾盤600。驅動單元616可為線性馬達，線性馬達可包括設置於連接構件614c上之線圈616a與設置於靜電夾盤600之一側以對應於線圈616a之磁軌616b。
側磁浮軸承618係設置於第二導引單元634之連接構件614c上，以對應於靜電夾盤600相反於驅動單元616之另一側。上磁浮軸承617可設置於第二接收構件614b上，以位於靜電夾盤600之上方。上磁浮軸承617與側磁浮軸承618提供間隔於靜電夾盤600與第二導引單元634之間，從而使得靜電夾盤600沿著第二導引單元634移動而不會接觸第二導引單元634。
第二傳送單元620可更包括間隔感測器621及622，以用於量測靜電夾盤600與第二導引單元634之間之間隔。間隔感測器621可設置於第一接收構件614a上以對應於靜電夾盤600之底側。間隔感測器622可設置於側磁浮軸承618上以對應於靜電夾盤600之一側。
以下，將描述上述之有機層沉積裝置之有機層沉積組件100之一實施例。第6圖係為第1圖之有機層沉積裝置之有機層沉積組件100之剖面透視示意圖，第7圖係為第6圖所示之有機層沉積組件100之剖面側視圖，而第8圖係為第6圖所示之有機層沉積組件100之剖面平面圖。
參照第6圖至第8圖，根據本發明之本實施例之有機層沉積組件100包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、阻隔板組件130及圖樣細縫板150。
儘管為了方便描述，第6圖至第8圖中並未繪示腔室，但有機層沉積組件100之全部構件可設置於維持在適度真空之腔室內。腔室係維持於適當真空以使得沉積材料於有機層沉積組件100內係實質上沿著直線移動。
在第1圖之其中設置機層沉積組件100之第一腔室731中，組成為沉積材料115將沉積於其上之沉積目標之基板500係藉由靜電夾盤600而傳輸。基板500可為平板顯示器之基板。例如用於製造複數個平板顯示器之母玻璃的大基板可用於作為基板500。
於一實施例中，基板500或有機層沉積組件100可相對於另一者移動。舉例而言，如第6圖所示，基板500可相對有機層沉積組件100而沿著箭頭A之方向移動。
在使用微細金屬遮罩(fine metal mask,FMM)之傳統沉積方法中，微細金屬遮罩之尺寸係大於或等於基板之尺寸。因此，當執行沉積於較大之基板上時，需增加微細金屬遮罩之尺寸。然而，製造大型微細金屬遮罩以及伸展微細金屬遮罩以精準地對齊圖樣係相當困難的。
為了克服此問題，根據本發明之本實施例之有機層沉積組件100中，可於有機層沉積組件100或基板500相對於另一者移動時執行沉積。換言之，可於基板500沿Y軸方向移動時連續地執行沉積，其中基板500係設置以面向有機層沉積組件100。換言之，沉積係於基板500沿著第6圖中箭頭A方向移動時以掃描方式執行。儘管於第6圖繪示為在執行沉積時，基板500於第一腔室731(第1圖)中係沿著Y軸方向移動，然本發明並不侷限於此。沉積可於固定基板500且有機層沉積組件100沿著Y軸方向移動時執行。
因此，於根據本發明之本實施例之有機層沉積組件100中，圖樣細縫板150可顯著地小於傳統沉積方法所使用之微細金屬遮罩。換言之，在有機層沉積組件100中，當基板500沿著Y軸方向移動時，沈積係連續地亦即以掃描方式執行。因此，圖樣細縫板150於Y軸方向之長度可顯著地小於基板500於Y軸方向之長度。於此，圖樣細縫板150於X軸方向之寬度與基板500於X軸方向之寬度係實質上彼此相同。然而，縱使當圖樣細縫板150於x軸方向之寬度小於基板500於X軸方向之寬度時，在基板500或有機層沉積組件100相對於另一者移動時，仍可以掃描方式於整個基板500上執行沉積。
如上所述，因為圖樣細縫板150可形成以顯著地小於傳統沉積方法中所使用之微細金屬遮罩，故製造本發明所使用之圖樣細縫板150係為相對簡單的。換言之，相較於使用較大微細金屬遮罩之傳統沈積方法，於全部製程中使用小於傳統沈積方法所使用之微細金屬遮罩的圖樣細縫板150係更加方便，其中製程係包括蝕刻及其他後續製程，例如精確伸展(extension)、焊接(welding)、移動及清理製程。於製造相對較大之顯示裝置中有較多優勢。
為了如上所述在有機層沉積組件100或基板500相對於另一者移動時執行沉積，有機層沉積組件100及基板500可以設定或預定距離相互分隔。此將詳述於後。
包含並加熱沉積材料115之沉積源110係設置於腔室其(上)設置基板500之一側之相反側。
沉積源110包括以沉積材料115所填充之坩堝(crucible)112與環繞坩堝112之冷卻塊111。冷卻塊111降低或防止坩堝112之熱輻射至外面，亦即至 腔室(例如第一腔室731及/或第二腔室732)。冷卻塊111可包括加熱坩堝112之加熱器。
沉積源噴嘴單元120係設置於沉積源110之一側，且特別是於沉積源110面對基板500之一側。沉積源噴嘴單元120包括以固定間距排列於X軸方向之複數個沉積源噴嘴121。於沉積源110中蒸發之沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120之沉積源噴嘴121朝向基板500，其中基板500為沉積材料115將沉積於其上之沉積目標。
阻隔板組件130係設置於沉積源噴嘴單元120之一側。阻隔板組件130包括複數個阻隔板131、以及覆蓋阻隔板131之一側之阻隔板框架132。複數個阻隔板131可於X軸方向以相同之間距平行排列。此外，每一個阻隔板131可平行於第4圖之YZ平面而排列，且可具有矩形之形狀。依前所述排列之複數個阻隔板131係將沉積源噴嘴單元120與圖樣細縫板150之間之空間分隔成複數個子沉積空間S(見第8圖)。如第5圖所示，根據本發明之本實施例之有機層沉積組件100中，沉積空間係藉由阻隔板131分割為子沉積空間S，其係各別對應於排出沉積材料115之沉積源噴嘴121。
阻隔板131可各別設置於相鄰之沉積源噴嘴121之間。換言之，每一個沉積源噴嘴121可設置於相鄰之兩個阻隔板131之間。沉積源噴嘴121可各別位於相鄰之兩個阻隔板131之間之中點。然而，本發明並不侷限於此結構。舉例而言，相鄰之兩個阻隔板131之間可設置複數個沉積源噴嘴121。在此情況，沉積源噴嘴121亦可分別位於相鄰之兩個阻隔板131之間之中點。
如上所述，因為阻隔板131將沉積源噴嘴單元120與圖樣細縫板150之間之空間分隔成複數個子沉積空間S，從每一個沉積源噴嘴121排出之沉積 材料115並不會與透過其他沉積源噴嘴121排出之沉積材料115混合，且沉積材料115係通過圖樣細縫151以沉積於基板500上。換言之，阻隔板131導引經由沉積源噴嘴121所排出之沉積材料115以直線移動，亦即沿著Z軸方向流動。
如上所述，相較於並未安裝阻隔板131之情況，沉積材料115藉由安裝阻隔板131被迫或導引至直線移動，使得可於基板500上形成較小之陰影區。因此，如後續將詳述者，有機層沉積組件100與基板500可以設定或預定距離相互分隔。此將於之後詳細說明。
圖樣細縫板150與其中界定圖樣細縫板150之框架155係設置於沉積源110與基板500之間。框架155可形成以具有格子形狀，類似於窗框。圖樣細縫板150具有沿X軸方向排列之複數個圖樣細縫151。圖樣細縫151係沿著Y軸方向延伸。已經於沉積源110中蒸發且通過沉積源噴嘴121之沉積材料115係通過圖樣細縫151朝向基板500。
圖樣細縫板150可由金屬薄膜所形成。圖樣細縫板150係固定於框架155，以使得於其上施加拉力。圖樣細縫151可藉由蝕刻圖樣細縫板150以具條紋圖樣而形成。圖樣細縫151之數量可相等於基板500上將形成之沉積圖樣之數量。
另外，阻隔板組件130與圖樣細縫板150可設置以藉由設定或預定距離相互分隔。或者，阻隔板組件130與圖樣細縫板150可藉由(透過)連接構件135而連接。
如上所述，根據本發明之本實施例在有機層沉積組件100相對於基板500移動時執行沉積。為了相對於基板500移動有機層沉積組件100，圖樣細縫板150可以設定或預定距離與基板500分隔。此外，為了防止當圖樣細縫板150 與基板500相互分隔時於基板500上形成相對較大之陰影區，阻隔板131係排列於沉積源噴嘴單元120與圖樣細縫板150之間，以迫使或導引沉積材料115沿著直線方向移動。因此，大幅降低可能形成於基板500上之陰影區之尺寸。
於使用微細金屬遮罩之典型沉積方法中，沉積係以微細金屬遮罩緊密接觸基板而執行，以防止於基板上形成陰影區。然而，當使用微細金屬遮罩緊密接觸基板時，此接觸可能造成缺陷，例如劃傷形成於基板上之圖樣。此外，於典型沉積方法中，因為遮罩可能不會相對於基板移動，故遮罩之尺寸必須相等於基板之尺寸。因此，隨著顯示裝置變得更大，需增加遮罩之尺寸。然而，並不容易製造如此大之遮罩。
為了克服此及/或其他問題，根據本發明之本實施例之有機層沉積組件100中，圖樣細縫板150係設置以設定或預定距離與基板500相隔，其可藉由安裝阻隔板131而輔助以降低於基板500上形成之陰影區之大小。可藉由安裝阻隔板131而降低或最小化基板500上之陰影區。
可使用任何具有上述結構之適當之有機層沉積裝置形成例如為有機發光顯示裝置之有機層(參照第12圖中之有機層63)之薄膜。
第9圖係為根據本發明之另一實施例之有機層沉積組件800之剖面透視示意圖。
參照第9圖，根據本發明之本實施例之有機層沉積組件800包括沉積源810、沉積源噴嘴單元820、第一阻隔板組件830、第二阻隔板組件840以及圖樣細縫板850。沉積源810、第一阻隔板組件830以及圖樣細縫板850之結構係相同於參照第6圖所示之實施例，且因此，於此將不再提供詳細說明。其中參考符號“811”、“812”及“832”係各自表示為“冷卻塊”、“坩堝”及“第一阻隔板框架”。 本實施例與之前之實施例不同在於第二阻隔板組件840係設置於第一阻隔板組件830之一側。
第二阻隔板組件840包括複數個第二阻隔板841、以及覆蓋此些第二阻隔板841之側邊之第二阻隔板框架842。複數個第二阻隔板841可以相同之間距於X軸方向相互平行排列。此外，各第二阻隔板841可形成以於第10圖之YZ平面平行延伸，亦即垂直於X軸方向。
如上所述排列之複數個第一阻隔板831與第二阻隔板841分隔了介於沉積源噴嘴單元820與圖樣細縫板850之間之空間。沉積空間係藉由第一阻隔板831與第二阻隔板841分隔成子沉積空間S，子沉積空間S係各別對應於沉積材料815通過排出之沉積源噴嘴821。
第二阻隔板841可設置以各別對應於第一阻隔板831。換言之，第二阻隔板841可分別設置以與第一阻隔板831平行且位於相同平面上。每一對相對應之第一阻隔板831與第二阻隔板841可位於相同之平面上。儘管描述第一阻隔板831與第二阻隔板841於X軸方向係各別具有相同之厚度，然本發明之態樣並不侷限於此。換言之，需要精確對齊圖樣細縫851之第二阻隔板841可形成為相對較薄的，然而，不需精確地對齊圖樣細縫851之第一阻隔板831可形成為相對較厚的。此使得製造有機層沉積組件800更加容易。
第10圖係為根據本發明之另一實施例之有機層沉積組件900之透視示意圖。
參照第10圖，根據本實施例之有機層沉積組件900包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920以及圖樣細縫板950。
尤其是，沉積源910包括以沉積材料915所填充之坩堝912、環繞坩堝912之冷卻塊911以及可位於冷卻塊911中之加熱器。加熱器加熱坩堝912以蒸發包含於坩堝912中之沉積材料915，以移動蒸發之沉積材料915至沉積源噴嘴單元920。具有平面形狀之沉積源噴嘴單元920係設置於沉積源910之一側。沉積源噴嘴單元920包括沿著Y軸方向排列之複數個沉積源噴嘴921。圖樣細縫板950與框架955係更設置於沉積源910與基板500之間。圖樣細縫板950包括沿著X軸方向排列之複數個圖樣細縫951。此外，沉積源910與沉積源噴嘴單元920可藉由連接構件935而連接於圖樣細縫板950。
第10圖之本實施例與之前之實施例之不同在於沉積源噴嘴單元920中之複數個沉積源噴嘴921之排列，其現將詳述。
沉積源噴嘴單元920係設置於沉積源910之一側，且特別是，於沉積源910面對基板500之一側。沉積源噴嘴單元920包括以相同間距沿著Y軸方向，即基板500之掃描方向排列之複數個沉積源噴嘴921。於沉積源910中蒸發之沉積材料915係經由沉積源噴嘴單元920朝向基板500。如上所述，當沉積源噴嘴單元920包括沿著Y軸方向，亦即基板500之掃描方向排列之複數個沉積源噴嘴921時，由經由圖樣細縫板950之圖樣細縫951排出之沉積材料915所形成之圖樣的大小係受沉積源噴嘴921之其中之一的大小而影響(因為於X軸方向僅有一排沉積噴嘴)，所以基板500上可不形成陰影區。此外，因為複數個沉積源噴嘴921係沿著基板500之掃描方向排列，縱使沉積源噴嘴921之間有流量差異，仍可彌補差異，並可維持不變之沉積均勻度。
第11圖係為根據本發明之另一實施例之有機層沉積組件900'之透視示意圖。參照第11圖，根據本實施例之有機層沉積組件900'包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920以及圖樣細縫板950。
本實施例與之前之實施例不同在於形成於沉積源噴嘴單元920之複數個沉積源噴嘴921係以設定或預定角度傾斜。特別是，沉積源噴嘴921可包括以相對應列排列之沉積源噴嘴921a及921b。沉積源噴嘴921a及921b可排列於相對應之列而以鋸齒狀圖樣交替。沉積源噴嘴921a及921b可以設定或預定角度相對於XZ平面傾斜。
因此，於本發明之本實施例中，沉積源噴嘴921a及921b係以設定或預定角度相互排列。第一列之沉積源噴嘴921a與第二列之沉積源噴嘴921b可面對彼此而傾斜。亦即，位於沉積源噴嘴單元920左側之第一列之沉積源噴嘴921a可面向圖樣細縫板950之右側部分傾斜，而位於沉積源噴嘴單元920右側之第二列之沉積源噴嘴921b可面向圖樣細縫板950之左側部分傾斜。
由於依據本實施例之有機層沉積組件900'之結構，可調整沉積材料915之沉積，以緩減基板500之中央部分與末端部分之厚度差，且改善沉積膜之厚度均勻度。更甚者，亦可改善沉積材料915之利用效率。
第12圖係為根據本發明之實施例藉由使用有機層沉積裝置製造之主動陣列有機發光顯示裝置之剖面圖。
參照第12圖，根據本實施例之主動陣列有機發光顯示裝置係形成於基板500上。基板500可由透明材料所形成，例如玻璃、塑膠或金屬。例如為緩衝層之絕緣層31係形成於基板500之整個表面上。
如第12圖所示，薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)40、電容50以及有機發光二極體(organic light-emitting diode,OLED)係設置於絕緣層31上。 於此，電容50包括第一電容電極51與第二電容電極52。
半導體主動層41係以設定或預定圖樣形成於絕緣層31之上表面上。閘極絕緣層32係形成以覆蓋半導體主動層41。半導體主動層41可包括p型或n型半導體材料。
薄膜電晶體40之閘極電極42係形成於對應於半導體主動層41之閘極絕緣層32之區域。層間絕緣層33係形成以覆蓋閘極電極42。層間絕緣層33及閘極絕緣層32係藉著例如乾蝕刻而蝕刻，以形成暴露半導體主動層41之一部份之接觸孔。此外，層間絕緣層33係形成(圖樣化)於第一電容電極51與第二電容電極52之間。
源極/汲極電極43係形成於層間絕緣層33上，以透過接觸孔接觸半導體主動層41。鈍化層34形成以覆蓋源極/汲極電極43，且係蝕刻以露出部分之汲極電極43。於鈍化層34上更可形成絕緣層(未繪示)，以平坦化鈍化層34。
此外，隨著電流流動，有機發光二極體60藉由發出紅光、綠光或藍光以顯示設定或預定之影像資訊。有機發光二極體60包括設置於鈍化層34上之第一電極61。第一電極61係電性連接於薄膜電晶體40之汲極電極43。
像素定義層35係形成以覆蓋第一電極61。開口65形成於像素定義層35中，且接著包括發射層之有機層63係形成於藉由開口65所定義之區域中。第二電極62係形成於有機層63上。
定義個別像素之像素定義層35係由有機材料所形成。像素定義層35亦平坦化其中形成第一電極61之基板500之區域之表面，且特別是，鈍化層34之表面。
第一電極61與第二電極62係相互絕緣，且各別施加相反極性之電壓至包括發射層之有機層63，以促使發光。
包括發射層(emission layer,EML)之有機層63可由低分子量有機材料或高分子量有機材料所形成。當使用低分子量有機材料時，有機層63(包括發射層)可具有單層或多層結構，此結構包括選自由電洞注入層(hole injection layer,HIL)、電洞傳輸層(hole transport layer,HTL)、發射層、電子傳輸層(electron transport layer,ETL)、以及電子注入層(electron injection layer,EIL)所組成之群組中之至少其一。可用之有機材料之示例可包括銅鈦菁(copper phthalocyanine,CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(N，N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine,NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum,Alq3)等。
於形成這樣的有機層63後，可藉由如用於形成有機層63之相同沉積方法而形成第二電極62。
第一電極61可作為陽極，且第二電極62可作為陰極。或者，第一電極61可作為陰極，且第二電極62可作為陽極。第一電極61可圖樣化以對應於個別像素區域，且第二電極62可形成以覆蓋全部像素。
第一電極61可形成為透明電極或反射電極。透明電極可由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)和/或氧化銦(indium oxide,In2O3)所形成。反射電極可藉由形成來自銀、鎂、 鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹(neodymium,Nd)、銥(iridium,Ir)、鉻或其化合物之反射層，以及在反射層上形成氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅和/或氧化銦之層而形成。第一電極61可藉由以例如濺鍍形成一層，且接著以例如微影蝕刻來圖樣化此層而形成。
第二電極62亦可形成為透明電極或反射電極。當第二電極62形成為透明電極時，第二電極62作用為陰極。為此，可藉由沉積具有低功函數之金屬例如鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂或其化合物於包括發射層之有機層63之表面上，以及形成來自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦等之輔助電極層或匯流電極線路於其上而形成這樣的透明電極。當第二電極62形成為反射電極時，可藉由沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂或其化合物於有機層63之整個表面上而形成反射層。可藉由使用與用於形成包括發射層之有機層63之前述之相同沉積方法而形成第二電極62。
第二電極62上可更形成保護層64。於從非像素區域移除有機層63中，形成於第二電極62上之保護層64可作為遮罩，且同時保護第二電極62。
第13圖係為根據本發明之實施例之形成於基板500上之一或多個有機層之平面圖。
參照第13圖，根據一實施例之基板500具有至少40英吋(inches)之尺寸，且有機層係形成以具有線性圖樣。亦即，有機層係形成以具有複數個線性條紋，其包括第一條紋63B、第二條紋63G以及第三條紋63R。根據本發明之實施例，有機層之線性圖樣係使用任何一個適當的前述之有機層沉積裝置而形成。於此，有機層可具有發射層，用以發出藍光(B)、綠光(G)或紅光(R)。舉例而言，第一條紋63B具有發射層用以發出藍光，第二條紋63G具有發射層用以發 出綠光，以及第三條紋63R具有發射層用以發出紅光。另外，有機層各可更包括選自由電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層及其組合所組成之群組之層。
第14圖係為根據本發明之一實施例沿第13圖之I-I線段所截取之形成於基板上的一或多層之剖面圖。
現參照於第14圖，有機層係形成於基板500上以具有非均勻之厚度。亦即，基板500上之有機層之第一部分P1顯示具有厚度h1，基板500上之有機層之第二部分P2顯示具有厚度h2，基板500上之有機層之第三部分P3顯示具有厚度h3，基板500上之有機層之第四部分P4顯示具有厚度h4，以及基板500上之有機層之第五部分P5顯示具有厚度h5。於此，厚度h1係大於厚度h2，厚度h2係大於厚度h3，厚度h3係大於厚度h4，以及厚度h4係大於厚度h5。此外，第一部分P1、第二部分P2、第三部分P3、第四部分P4或第五部分P5可為第一條紋63B、第二條紋63G或第三條紋63R之截面部分。亦即，於一實施例中，第五部分P5係第一條紋63B之截面部分，第四部分P4係第二條紋63G之截面部分，以及第三部分P3係第三條紋63R之截面部分。
於此，根據本發明之實施例，有機層之非均勻厚度(第一部分至第五部分P1、P2、P3、P4及P5)係使用任何一個適當之前述之有機層沉積裝置而形成。
此外，適當之有機層沉積裝置包括組成以具有圖樣細縫板150之有機層沉積組件。亦即，如第14圖所示，利用有機層沉積組件之圖樣細縫板150以形成有機層於基板500上。於此，圖樣細縫板150係設置以與基板500相隔且尺寸係小於基板500。另外，依據本實施例於沉積有機層於基板500上中，圖樣細 縫板150或基板500係配置以相對於另一者而移動。如此一來，有機層係形成於基板500上以具有如第13圖所示之線性圖樣，且/或形成以具有如第14圖所示之非均勻厚度。
綜上所述，根據本發明之實施例之有機層沉積裝置可應用以形成有機薄膜電晶體之有機層或無機層，以及用以自不同之適當材料形成分層。
此外，如上所述，根據本發明之態樣之有機層沉積裝置可輕易地製造，且可簡單地應用於大規模製造大尺寸顯示裝置。有機層沉積裝置可改善製造產量及沉積效率。
雖然本發明已參照其例示性實施例而具體地顯示及說明，本發明所屬技術領域具有通常知識者將了解，在未脫離由下列申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇下可對其進行形式及細節之各種變更。
100、200、300、400‧‧‧有機層沉積組件
500‧‧‧基板
600‧‧‧靜電夾盤
610‧‧‧第一傳送單元
620‧‧‧第二傳送單元
710‧‧‧裝載單元
712‧‧‧第一齒軌
714‧‧‧傳送機械手臂
716‧‧‧傳送腔
718‧‧‧第一反轉腔
719‧‧‧第一反轉機械手臂
720‧‧‧卸載單元
722‧‧‧第二齒軌
724‧‧‧排出機械手臂
726‧‧‧排出腔
728‧‧‧第二反轉腔
729‧‧‧第二反轉機械手臂
730‧‧‧沉積單元
731‧‧‧第一腔室

Claims (40)

  1. 一種有機層沉積裝置，其包含：一靜電夾盤，係用以支撐一基板；一沉積單元，係包含用於維持真空之一腔室以及用於沉積至少一有機層於藉由該靜電夾盤所支撐之該基板上之一有機層沉積組件；以及一第一傳送單元，係通過該腔室且係用於移動支撐有該基板之該靜電夾盤至該沉積單元中，其中，該第一傳送單元包含一導引單元，當該靜電夾盤與該第一傳送單元分隔時，該導引單元用以支撐該靜電夾盤能夠沿一方向移動，且該導引單元包含一接收構件，該接收構件用以圍繞該靜電夾盤的一側表面、一上表面的一部分及一下表面的一部分且未從該有機層沉積組件遮蔽該基板；以及其中，該基板係與該有機層沉積組件分隔，且於沉積期間，該基板或該有機層沉積組件係配置以相對於另一者移動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置，其更包含：一裝載單元，係用以固定該基板於該靜電夾盤；以及一卸載單元，係用以從該靜電夾盤卸除其上沉積已完成之該基板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機層沉積裝置，其中該第一傳送單元係配置以依序地移動該靜電夾盤至該裝載單元、該沉積單元及該卸載單元。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之有機層沉積裝置，其更包含一第 二傳送單元，係用以將與該基板分開之該靜電夾盤從該卸載單元回傳至該裝載單元。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置，其中該導引單元包含：一驅動單元，係用以產生一驅動力以移動該靜電夾盤；以及一磁浮軸承，係用以懸浮該靜電夾盤於該接收構件上，以在不接觸該接收構件下移動。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機層沉積裝置，其中該驅動單元包含一線性馬達。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機層沉積裝置，其中該線性馬達包含設置於該靜電夾盤之一側之一磁軌以及設置於該接收構件內之一線圈。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之有機層沉積裝置，其中該磁浮軸承包含設置於該靜電夾盤之一側之一側磁浮軸承、以及設置於該靜電夾盤上之一上磁浮軸承，且該驅動單元設置於該靜電夾盤之另一側。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之有機層沉積裝置，其中該磁浮軸承包含一磁鐵，該磁鐵係選自由電磁鐵、永久磁鐵、超導磁鐵及其組合所組成之群組。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置，其更包含一間隔感測器，係用於量測該接收構件與該靜電夾盤之間之一間隔間距。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機層沉積裝置，其更包含藉由 該間隔感測器所控制之一磁浮軸承，以提供一磁力用於懸浮該靜電夾盤於該接收構件上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之有機層沉積裝置，其中該磁浮軸承包含設置於該靜電夾盤之一側之一側磁浮軸承、以及設置於該靜電夾盤上之一上磁浮軸承。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機層沉積裝置，其中該間隔感測器包含一第一間隔感測器與一第二間隔感測器，該第一間隔感測器用於量測該靜電夾盤與該第一傳送單元之間沿著一第一方向之一間隔間距，該第二間隔感測器用於量測該靜電夾盤與該第一傳送單元之間沿著交叉該第一方向之一第二方向之一間隔間距。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置，其更包含：一第一磁浮軸承，係用以懸浮該靜電夾盤沿著一第一方向與該第一傳送單元分開；以及一第二磁浮軸承，係用以懸浮該靜電夾盤沿著交叉該第一方向之一第二方向與該第一傳送單元分開。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置，其中該接收構件包含一接收溝槽用於接收該靜電夾盤之相對側邊。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置，其中複數個該有機層沉積組件係設置於該腔室中。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置，其中該腔室包含相互連接之一第一腔室與一第二腔室，且複數個該有機層沉積組件係設置於各別之該第一腔室與該第二腔室。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置，其中該有機層沉積組件包含：一沉積源，係配置以排出一沉積材料；一沉積源噴嘴單元，係設置於該沉積源之一側且包含複數個沉積源噴嘴；以及一圖樣細縫板，係設置以與該沉積源噴嘴單元面對且相隔，該圖樣細縫板具有複數個圖樣細縫，且小於該基板。
  19. 一種主動陣列有機發光顯示裝置，其包含：一基板，係具有至少40英吋之尺寸；一第一電極，係設置於該基板上；至少一有機層，係位於該第一電極上且用以發光，該至少一有機層具有使用如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置所形成之一線性圖樣；以及一第二電極，係設置於該至少一有機層上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之主動陣列有機發光顯示裝置，其中該至少一有機層包含一發射層。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之主動陣列有機發光顯示裝置，其中該至少一有機層更包含選自由一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層、一電子注入層及其組合所組成之群組之一層。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之主動陣列有機發光顯示裝置，其中該至少一有機層具有一非均勻厚度。
  23. 一種主動陣列有機發光顯示裝置，其包含：一基板； 一第一電極，係設置於該基板上；至少一有機層，係位於該第一電極上且用以發光，該至少一有機層具有使用如申請專利範圍第1項所述之有機層沉積裝置所形成之一非均勻厚度；以及一第二電極，係設置於該至少一有機層上。
  24. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：以一靜電夾盤支撐一基板；藉著利用通過一腔室之一第一傳送單元，傳送支撐有該基板之該靜電夾盤至維持於真空之該腔室中；以及當該基板或一有機層沉積組件相對於另一者移動時，藉由利用設置於該腔室中之該有機層沉積組件於該基板上沉積至少一有機層，其中在與該第一傳送單元分隔時，該靜電夾盤於該腔室中隨著該第一傳送單元移動，其中該基板係與該有機層沉積組件分隔，以及其中，該第一傳送單元包含一接收構件，該接收構件用以圍繞該靜電夾盤的一側表面、一上表面的一部分及一下表面的一部分且未從該有機層沉積組件遮蔽該基板。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該靜電夾盤之傳送包含懸浮該靜電夾盤以與該第一傳送單元分隔。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該靜電夾盤之傳送包含：藉由一驅動單元產生一驅動力以移動該靜電夾盤；以及 藉由一磁浮軸承懸浮該靜電夾盤以在不接觸該第一傳送單元下移動。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該靜電夾盤之傳送包含藉由一間隔感測器量測該第一傳送單元與該靜電夾盤之間之一間隔間距。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之方法，其中該靜電夾盤之傳送包含：藉由該間隔感測器控制一磁浮軸承以提供一磁力；以及藉由該磁力懸浮該靜電夾盤以在不接觸該第一傳送單元下移動。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該磁浮軸承包含設置於該靜電夾盤之一側之一側磁浮軸承與設置於該靜電夾盤上之一上磁浮軸承。
  30. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該間隔間距之量測包含：藉由一第一間隔感測器量測該靜電夾盤與該第一傳送單元之間沿著一第一方向之一間隔間距；以及藉由一第二間隔感測器量測該靜電夾盤與該第一傳送單元之間沿著交叉該第一方向之一第二方向之一間隔間距。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之方法，其中藉由該磁力懸浮該靜電夾盤以在不接觸該第一傳送單元下移動包含：藉由一第一磁浮軸承懸浮該靜電夾盤以沿著該第一方向與該第一傳送單元分隔；以及 藉由一第二磁浮軸承懸浮該靜電夾盤以沿著交叉該第一方向之該第二方向與該第一傳送單元分隔。
  32. 如申請專利範圍第24項所述之方法，於該有機層之沉積後，其更包含：藉由利用該第一傳送單元從該腔室移除其上沉積已完成之該基板；分隔該基板與該靜電夾盤；以及藉由利用設置於該腔室外之一第二傳送單元，回傳與該基板分隔之該靜電夾盤，以藉著該靜電夾盤支撐另一基板。
  33. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中複數個該有機層沉積組件係設置於該腔室，且沈積係藉由依序使用該複數個有機層沉積組件而執行。
  34. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該腔室包含相互連接之一第一腔室與一第二腔室，且複數個該有機層沉積組件係設置於各別之該第一腔室與該第二腔室，其中沈積於該基板移動於該第一腔室與該第二腔室之間時連續地執行。
  35. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該有機層沉積組件包含：一沉積源，係配置以排出一沉積材料；一沉積源噴嘴單元，係設置於該沉積源之一側且包含複數個沉積源噴嘴；以及一圖樣細縫板，係設置以與該沉積源噴嘴單元面對且分隔，該圖樣細縫板具有複數個圖樣細縫，且小於該基板。
  36. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該第一傳送單元包含：一導引單元，係包含該接收構件用於支撐該靜電夾盤能夠沿著一方向移動；一線性馬達，係用於產生一驅動力以移動該靜電夾盤；以及一磁浮軸承，係用於懸浮該靜電夾盤以與該接收構件分隔。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之方法，其中該線性馬達包含設置於該靜電夾盤之一側之一磁軌以及設置於該接收構件內之一線圈。
  38. 如申請專利範圍第36項所述之方法，其中該磁浮軸承包含設置於該靜電夾盤之一側之一側磁浮軸承、以及設置於該靜電夾盤上之一上磁浮軸承，且該線性馬達係設置於該靜電夾盤之另一側。
  39. 一種主動陣列有機發光顯示裝置，其包含：一基板，係具有至少40英吋之尺寸；一第一電極，係設置於該基板上；至少一有機層，係位於該第一電極上且用以發光，該至少一有機層具有使用如申請專利範圍第24項所述之方法所形成之一線性圖樣；以及一第二電極，係設置於該至少一有機層上。
  40. 一種主動陣列有機發光顯示裝置，其包含：一基板；一第一電極，係設置於該基板上； 至少一有機層，係位於該第一電極上且用以發光，該至少一有機層具有使用如申請專利範圍第24項所述之方法所形成之一非均勻厚度；以及一第二電極，係設置於該至少一有機層上。
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