CN105814231A - 用于有机材料的蒸发源、具有用于有机材料的蒸发源的设备、具有带有用于有机材料的蒸发源的蒸发沉积设备的系统、以及操作用于有机材料的蒸发源的方法 - Google Patents

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Abstract

描述了一种用于有机材料的蒸发源。所述蒸发源包括蒸发坩埚，其中所述蒸发坩埚配置成蒸发所述有机材料；具有一个或多个出口的分布管，其中所述分布管与所述蒸发坩埚流体地连通，并且其中所述分布管可在蒸发期间绕轴旋转；以及用于所述分布管的支撑件，其中所述支撑件可连接至第一驱动器或包括所述第一驱动器，其中所述第一驱动器配置成用于所述支撑件和所述分布管的平移运动。

Description

用于有机材料的蒸发源、具有用于有机材料的蒸发源的设备、具有带有用于有机材料的蒸发源的蒸发沉积设备的系统、以及操作用于有机材料的蒸发源的方法
技术领域
本发明的实施例涉及有机材料的沉积、用于有机材料的源以及用于有机材料的沉积设备。本发明的实施例尤其涉及用于有机材料的蒸发源、用于在真空腔室中沉积有机材料的沉积设备以及用于沉积有机材料的方法。
背景技术
有机蒸发器是一种用于有机发光二极管(OLED)的生产的工具。OLED是一种特殊类型的发光二极管，其中发射层包括某些有机化合物的薄膜。有机发光二极管(OLED)用在电视屏幕、计算机监视器、移动电话、其他手持装置等的制造以用于显示信息。OLED也可用于一般的空间照明。由于OLED像素直接发射光且不要求背光，OLED显示器可能的颜色、亮度和视角的范围大于传统LCD显示器的范围。因此，OLED显示器的能耗大幅低于传统LCD显示器的能耗。此外，OLED可被制造在柔性基板上的事实带来了进一步的应用。例如，典型的OLED显示器可包含位于两个电极之间的多个有机材料层，所述多个有机材料层以形成具有可独立供能的像素的矩阵显示面板的方式而全都沉积在基板上。OLED一般被放置在两个玻璃面板之间，并且密封所述玻璃面板的边缘以将OLED封装于其中。
在这类显示器装置的制造中遇到很多挑战。在一个示例中，具有将OLED封装在两个玻璃面板之间来防止可能的装置污染所需的许多劳动密集型步骤。在另一个示例中，不同尺寸显示器屏幕以及由此产生的不同尺寸的玻璃面板可能要求基本上重新配置用于形成显示器装置的工艺和工艺硬件。总体上，存在对在大面积基板上制造OLED装置的期望。
在大规模OLED显示器的制造中，带来各种挑战的一个步骤是对基板的掩模，例如用于沉积图案化的层。另外，已知的系统典型地具有小的总材料利用率，例如小于50％。
因此，对于用于形成OLED显示器装置的新的、改进的设备和方法，存在持续的需要。
发明内容
鉴于上述内容，提供一种用于有机材料的改进的蒸发源、用于蒸发有机材料的改进的沉积设备以及蒸发有机材料的方法。通过从属权利要求、描述和附图，本发明的实施例的进一步的方面、优点和特征将变得显而易见。
根据一个实施例，提供了用于有机材料的蒸发源。所述蒸发源包含蒸发坩锅，其中所述蒸发坩锅配置成蒸发所述有机材料；具有一个或更多个出口的分布管，其中所述分布管与所述蒸发坩锅流体地连通，并且其中所述分布管在蒸发期间可绕轴旋转；以及用于所述分布管的支撑件，其中所述支撑件可连接到第一驱动器或包括所述第一驱动器，其中所述第一驱动器配置成用于所述支撑件和所述分布管的平移移动。
根据另一实施例，提供了用于在真空腔室中沉积有机材料的沉积设备。所述沉积设备包含：处理真空腔室；用于有机材料的蒸发源，其中所述蒸发源在所述处理真空腔室中蒸发所述有机材料；以及基板支撑系统，设置在所述蒸发腔室中并且具有至少两个轨道，其中所述基板支撑系统的轨道(例如，每一个轨道)配置成用于在所述真空腔室中对所述基板或携载所述基板的载具的基本上竖直的支撑。所述蒸发源包含：蒸发坩锅，其中所述蒸发坩锅配置成蒸发有机材料；具有一个或更多个出口的分布管，其中所述分布管与所述蒸发坩锅流体地连通并且其中所述分布管在蒸发期间可绕轴旋转；以及用于所述分布管的支撑件，其中所述支撑件可连接到第一驱动器或包括所述第一驱动器，其中所述第一驱动器配置成用于所述支撑件和所述分布管的平移移动。
根据又一实施例，提供用于蒸发有机材料的方法。蒸发有机材料的方法包含以下步骤：将所述第一基板移动到基本上竖直的第一处理位置中；当蒸发源蒸发所述有机材料时，至少利用平移移动、沿第一基板来移动所述蒸发源；将所述第二基板移动到基本上竖直的第二处理位置中，所述第二处理位置与所述第一处理位置不同；在蒸发期间绕轴旋转蒸发源的分布管；以及当所述蒸发源蒸发所述有机材料时，至少利用平移移动、沿所述第二基板来移动所述蒸发源。
附图说明
因此，为了能够详细地理解本发明上述特征的方式，可通过参照各实施例对上文中简要概述的本发明作出更具体的描述。附图有关于本发明的实施例并且描述如下：
图1A至1D示出示出根据本文所述的实施例的用于有机材料的蒸发源的示意图，该蒸发源处于根据本文所述的更进一步的实施例的沉积设备的真空腔室中的不同沉积位置处；
图2示出根据本文所述的实施例的用于在真空腔室中沉积有机材料的沉积设备的示意性俯视图；
图3示出根据本文所述的实施例的用于在真空腔室中沉积有机材料的另一沉积设备的示意性俯视图；
图4A和4B示出根据本文所述的实施例的用于在真空腔室中沉积有机材料的沉积设备以及处于真空腔室中的不同位置处的根据本文所述的实施例的用于有机材料的蒸发的蒸发源示意性侧视图；
图5A和5B示出根据本文所述的实施例的用于在真空腔室中沉积有机材料的沉积设备以及处于真空腔室中的不同位置处的根据本文所述的实施例的用于有机材料的蒸发的多个蒸发源的示意图；
图6示出根据本文所述的实施例的具有至少两个沉积设备和用于有机材料的蒸发的蒸发源的系统的示意图；
图7A和7B示出根据本文所述的实施例的蒸发源的多个部分的示意图；
图7C示出根据本文所述的实施例的另一蒸发源的示意图；
图8A和8B示出根据本文所述的实施例的用于在真空腔室中沉积有机材料的沉积设备以及处于真空腔室中的不同位置处的根据本文所述的实施例的用于有机材料的蒸发的多个蒸发源示意图；
图9示出根据本文所述的实施例的用于在一真空腔室中沉积有机材料的另一沉积设备的示意图。
图10示出描绘根据本文所述的实施例的用于蒸发有机材料的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的各种实施例，这些实施例的一个或多个示例在附图中描绘。在以下对于附图的描述中，相同的参考数字来指示相同的部件。总体上，仅描述相对于单独实施例的区别。每个示例通过解释本发明的方式来提供并且不意味着作为本发明的限制。另外，描绘或描述为一个实施例的部分的特征可被用在其他实施例上或与其他实施例结合使用以产生又进一步的实施例。本描述意在包含这样的修改和变型。
图1A至1D示出位于真空腔室110中的各个位置处的蒸发源100。不同位置之间的运动由箭头101B、101C和101D所指示。根据本文所述的实施例，蒸发源配置成用于平移运动和绕轴旋转。图1A至1D示出具有蒸发坩锅104和分布管106的蒸发源100。分布管106由支撑件102来支撑。另外，根据一些实施例，蒸发坩锅104也可由支撑件102来支撑。两个基板121被提供在真空腔室110中。典型地，用于对基板上的层沉积的进行掩模的掩模132可被提供在基板与蒸发源100之间。如图1A至1图所示，有机材料从分布管106蒸发。这由参考数字10来指示。
在图1A中，蒸发源100示出为在第一位置。如图1B所示，通过如箭头101B所指示的蒸发源的平移运动，真空腔室110中的左基板被沉积有机材料层。当左基板121被沉积了此有机材料层时，可交换第二基板，例如图1A至1D中的右手侧上的基板。图1B示出用于基板的传送轨道124。在左基板121已被沉积有机材料层之后，如图1C中的箭头101C所指示旋转蒸发源的分布管106。当在第一基板(图1B中左手侧上的基板)上沉积有机材料期间，已相对于掩模132定位并对准第二基板。因此，在图1C中示出的旋转之后，右手侧上的基板(即第二基板121)可如箭头101D所指示般被涂覆有机材料层。当第二基板121被涂覆有机材料时，第一基板可被移出真空腔室110。图1D示出在第一基板的位置(图1D中的左手侧)处的传送轨道124。
根据本文所述的实施例，基板在基本上竖直的位置中被涂覆有机材料。也就是说，在图1A至1D中示出的视图是包含蒸发源100的设备的俯视图。典型地，分布管是蒸气分布喷头，特别是线性蒸气分布喷头。由此，分布管提供基本上竖直地延伸的线源(linesource)。根据可与本文所述的其他实施例结合的本文所述的实施例，尤其在提到基板取向时，基本上竖直要理解成允许与竖直方向偏差10°或更小。因为具有与竖直取向的某个偏差的基板支撑件可带来更稳定的基板位置，所以可提供此偏差。而且，在有机材料的沉积期间的基板取向被视为基本上竖直的，这被视为与水平的基板取向不同。由此通过在对应于一个基板维度的一个方向上延伸的线源以及沿着对应于另一基板维度的另一方向的平移运动来涂覆基板的表面。
如图1C所示，分布管106的旋转(即从第一基板121至第二基板121的旋转)可以是180°。当已如图1D所示对第二基板沉积之后，分布管106可被往回旋转180°或者可以在如图1C中所指示的相同方向上旋转。由此，基板总共旋转360°。根据可与本文所述的其他实施例结合的本文所述的实施例，例如，在由参考数字10所指示的蒸发线圈(evaporationcoil)未被提供成垂直于基板121的表面情况下，分布管106最少旋转160°。然而，基板典型地旋转180°或至少360°。
根据本文所述的实施例，线源(例如线性蒸气分布喷头)的平移运动和线源(例如线性蒸气分布喷头)的旋转的结合允许OLED显示器制造的高蒸发源效率和高材料利用率，其中期望对基板的高精确度的掩模。由于基板和掩模可保持静止，源的平移运动允许高掩模精确度。旋转运动允许当另一基板被涂覆有机材料时对一个基板的交换。这显著地改善了材料利用率，因为显著地减小了空闲时间(即蒸发源蒸发有机材料而不涂覆基板期间的时间)。
本文所述的实施例尤其涉及例如用于OLED显示器制造的并且在大面积基板上的有机材料的沉积。根据一些实施例，大面积基板或支撑一个或多个基板的载具(即大面积载具)可具有至少0.174平方米的尺寸。典型地，载具的尺寸可以是约1.4平方米至约8平方米，更典型地约2平方米至约9平方米，或甚至达到12平方米。典型地，针对其提供了根据本文描述的实施例的固持布置、设备和方法的矩形区域(基板被支撑在此矩形区域中)是具有本文描述的大面积基板的载具。例如，对应于单一个大面积基板的区域的大面积载具可以是对应于约1.4平方米基板(1.1米×1.3米)的第5代、对应于约4.29平方米基板(1.95米×2.2米)的第7.5代、对应于约5.7平方米基板(2.2米×2.5米)的第8.5代、或甚至对应于约8.7平方米基板(2.85米×3.05米)的第10代。可以类似地实现诸如第11代和第12代之类的甚至更高的世代以及对应的基板面积。根据可与本文所述的其他实施例结合的典型实施例，基板厚度可以从0.1至1.8毫米，并且固持布置(特别是固持装置)可适用于这样的基板厚度。然而，具体地，基板厚度可以为约0.9毫米或更小，诸如0.5毫米或0.3毫米，且固持布置(特别是固持装置)适用于这样的基板厚度。典型地，基板可由适合于材料沉积的任何材料制造而成。例如，基板可由从下列各项构成的群组中选择的材料制造而成：玻璃(例如钠钙玻璃(soda-limeglass)、硼硅玻璃(borosilicateglass)等等)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料、或可由沉积工艺涂覆的任何其他材料或材料的组合。
为了实现良好的可靠性和良率(yieldrate)，本文所述的实施例在有机材料的沉积期间保持掩模和基板静止。提供用于大面积基板的均匀涂覆的可移动线性源。与在每次沉积之后需要交换基板的操作(包含掩模和基板相对于彼此的新对准步骤)相比，，减少了空闲时间。在空闲时间期间，源在浪费材料。因此，使第二基板位于沉积位置并相对于掩模容易地对准减少空闲时间并增加材料利用率。
图2描绘用于在真空腔室110中沉积有机材料的沉积设备200的实施例。蒸发源100被提供在真空腔室110中的轨道或线性引导件220上。线性引导件220配置成用于蒸发源100的平移运动。从而，根据可与本文所述的其他实施例结合的不同实施例，可在蒸发源100中、轨道或线性引导件220处、在真空腔室110内或上述位置的组合中提供用于平移运动的驱动器(drive)。图2示出阀205，例如闸阀(gatevalve)。阀205允许对相邻真空腔室(未在图2中示出)的真空密封。阀可被开启以用于将基板121或掩模132传送至真空腔室110中或传送出真空腔室110。
根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，邻近真空腔室110提供进一步的真空腔室，诸如维护真空腔室210处。进而利用阀207将真空腔室110和维护真空腔室210连接。阀207配置成用于开启和关闭真空腔室110和维护真空腔室210之间的真空密封。当阀207在开启状态时，蒸发源100可被移送至维护真空腔室210。之后，阀可被关闭以提供真空腔室110和维护真空腔室210之间的真空密封。如果阀207被关闭，那么维护真空腔室210可通风(vent)并且开启，以便在不破坏真空腔室110中的真空的情况下维护蒸发源100。
两个基板121被支撑在真空腔室110内的相应传送轨道上。另外，提供用于提供掩模132于其上的两个轨道。从而，可由相应的掩模132对基板121的涂层掩模。根据典型的实施例，掩模132(即对应于第一基板121的第一掩模132和对应于第二基板121的第二掩模132)被提供在掩模框131中以将掩模132固持在预定位置。
根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，基板121可由基板支撑件126来支撑，基板支撑件126连接至对准单元112。对准单元112可调整基板121相对于掩模132的位置。图2描绘基板支撑件126连接至对准单元112的实施例。因此，相对于掩模132移动基板以在有机材料的沉积期间提供基板和掩模之间的正确对准。根据可与本文所述的其他实施例结合的进一步实施例，替代性地或者附加地，掩模132和/或固持掩模132的掩模框131可连接至对准单元112。由此，可相对于基板121定位掩模，或者掩模132和基板121两者皆可相对于彼此定位。配置成用于相对于彼此地调整基板121和掩模132之间的相对位置的对准单元112，允许在沉积工艺期间正确地对准掩模，这对于高质量或者LED显示器制造是有益的。
掩模和基板相对于彼此的对准的示例包含对准单元，对准单元允许在定义平面的至少两个方向上的相对对准，该平面基本上平行于基板的平面和掩模的平面。例如，可至少在x方向和y方向(即，定义上述平行平面的两个笛卡尔方向(Cartesiandirection))上进行对准。典型地，掩模和基板可基本上平行于彼此。特别地，对可进一步在基本上垂直于基板的平面和掩模的平面的方向上进行对准。如此，对准单元配置成至少用于掩模和基板相对于彼此的X-Y对准，特别地，用于X-Y-Z对准。可与本文所述的其他实施例结合的一个特定示例是可在x方向、y方向和z方向中将基板与掩模对准，可在真空腔室110中保持掩模静止。
如图2所示，线性引导件220提供蒸发源100的平移运动的方向。在蒸发源100的两侧上提供掩模132。掩模132进而可以基本上平行于平移运动的方向而延伸。另外，在蒸发源100的相对侧的基板121也可以基本上平行于平移运动的方向而延伸。根据典型的实施例，可通过阀205将基板121移动至真空腔室110中以及移出真空腔室110。从而，沉积设备200可包含用于基板121的每一个的传送的相应传送轨道。例如，传送轨道可以平行于图2所示的基板位置而延伸，并进入至真空腔室110中以及离开真空腔室110。
典型地，提供进一步的轨道用于支撑掩模框131并且由此支撑掩模132。因此，可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例可在真空腔室110内包含四个轨道。为了将掩模132中的一者移出腔室(例如为了掩模的清洗)，可将掩模框131并进而将掩模可被移动至基板121的传送轨道上。随后，相应的掩模框可在用于基板的传送轨道上离开或进入真空腔室110。即使有可能为掩模框131提供进出真空腔室110的单独传送轨道，但如果仅两个轨道(即用于基板的传送轨道)延伸进出真空腔室，并且此外可通过适当的致动器或机器人将掩模框131移动至用于基板的传送轨道中的相应一个，则可减小沉积设备200的拥有成本。
图2描绘蒸发源100的另一示例性实施例。蒸发源100包含支撑件102。支撑件102配置成沿着线性引导件220平移运动。支撑件102支撑蒸发坩锅104和提供在蒸发坩锅104上方的分布管106。从而，在蒸发坩锅中产生的蒸气可向上移动并从分布管的一个或多个出口离开。根据本文所述的实施例，分布管106也可被视为蒸气分布喷头，例如线性蒸气分布喷头。
该一个或多个出口可以是一个或多个开口或一个或多个喷嘴，它们例如可提供在喷头或另一蒸气分布系统中。蒸发源可包含蒸气分布喷头，例如具有多个喷嘴或开口的线性蒸气分布喷头。在本文中，喷头可被理解成包含具有开口的外罩，如此使得喷头内的压力比喷头外部要高，例如高至少一个数量级。
图2还描绘具有至少一个防护罩202的防护罩组件。典型地，如图2所示，实施例可包含两个防护罩202，例如侧面防护罩。由此，有机材料的蒸发可被限定在朝向基板的方向上。可避免或仅在空闲模式中使用相对于分布管的侧向(即在例如垂直于正常蒸发方向的方向)上的蒸发。考虑到与切断有机材料的蒸气束相比，阻挡有机材料的蒸气束可更容易的事实，也可朝着侧面防护罩202中的一者旋转分布管106，以在不期望蒸气发射的操作模式期间避免蒸气离开蒸发源100。
根据可与本文所述其他实施例结合的本文所述的实施例，可通过蒸发器控制外壳(controlhousing)的旋转来提供分布管的旋转，至少分布管安装在该蒸发器控制外壳上。典型地，蒸发坩锅也安装在蒸发器控制外壳上。因此，蒸发源至少包含要被可旋转地安装的分布管，特别地，包含两者(即一起)将被可旋转地安装的分布管和蒸发坩锅，更特别地，包含要一起被可旋转地安装的控制外壳、分布管和蒸发坩锅。典型地，一个或多个侧面防护罩可被固定地安装，以使得它们不随分布管一起旋转。根据典型的示例，如图2和3所示，可提供侧面防护罩，使得蒸气出口开口被提供在蒸发源的两侧上，其中该两侧分别面对两个基板中的一个。因此，固定的侧面防护罩相对于分布管绕着轴的旋转是静止的。然而，侧面防护罩跟随平移运动，并相对于此平移运动是可移动的。
图3描绘可与本文所述的其他实施例结合的更进一步的修改。由此，为了易于引用，将省略参照图2描述的细节、方面和特征。与图2相比，图3所示的蒸发源100包含三个蒸发坩锅104和三个分布管106。为了以有机材料层涂覆基板，可蒸发一种有机材料或者可蒸发两种或更多种有机材料以沉积一层有机材料。从而，这两种或更多种有机材料在蒸气状态中和/或在基板的表面上混和并形成一层有机材料。有鉴于此，根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，两个或更多个蒸发坩锅104和两个或更多个分布管106可由支撑件102来支撑。如上所述，分布管可提供线源(例如作为线性分布喷头)，此外，支撑件102沿着线性引导件220移动以在基板121上沉积有机材料。
根据可与本文所述的其他实施例结合的更进一步的实施例，可通过线性引导件220的延长部分提供蒸发源100在维护真空腔室210中的移送。从而，进一步的线性引导件320被提供在维护真空腔室210中。又更进一步地，第二蒸发源100可被提供在维护真空腔室210中的等待位置中。图3示出位于维护真空腔室的左侧上的等待位置中的进一步的蒸发源100。根据操作沉积设备200的一些实施例，例如当期望维护时，真空腔室110中示出的蒸发源100可被移动至维护真空腔室210中。为了此移动，可开启阀207。可将此进一步的蒸发源100移动到真空腔室中，该进一步的蒸发源在图3中示出在等待位置中并处于准备好要操作的状态。随后，可关闭阀207，并且维护真空腔室210可以被通风并开启以维护刚被移动至维护真空腔室中的等待位置中的第一蒸发源100。由此，蒸发源的快速交换是可能的。沉积设备200由此具有减少的停机时间，停机时间产生如先前所知的沉积设备的拥有成本的显著部分。
另外，本文所述的实施例允许稳定的蒸发速率，例如在一星期或更长的时间尺度上约±5％或更小的蒸发速率。这特别可由改良的维护条件来提供。不过，又进一步根据操作有机材料的方法，在不破坏真空的情况下并且甚至在不停止沉积设备的蒸发的情况下可进行蒸发坩锅中的有机材料的重新填充。一个蒸发源的维护和重新填充可独立于另一个源的操作来进行。这改善了拥有成本(costofownership,CoO)，由于源维护和它的重新填充是许多其他OLED制造系统中的瓶颈。。换而言之，通过在例行维护期间或在掩模交换期间不需要通风基板搬运腔室或沉积腔室而达成的高的系统正常工作时间(uptime)可显著地改善拥有CoO。如上所述，此改善的一个原因是维护真空腔室和/或与本文所述的维护真空腔室相关的其他部件，其中提供了提供了对可排空的单独腔室(即，维护真空腔室或另一源存储腔室)中的一个或多个蒸发源的维护和预调节。
图4A和4B示出用于沉积有机材料的沉积设备200的示意性剖面侧视图。由此，图4A示出其中真空腔室110中的左基板121被涂覆有机材料的操作条件。图4B示出其中在已旋转分布管106(可在图4A和4B中看到的两个分布管)之后，真空腔室110中的右基板121被涂覆有机材料的操作条件。
图4A和4B示出用于第一基板121的第一传送轨道和用于第二基板121的第二传送轨道。第一辊组件被示出在真空腔室110的一侧，且第二辊组件被示出在真空腔室的另一侧。在图4A和4B中，示出第一辊组件和第二辊组件的相应辊424。辊可绕着轴425旋转并由驱动器系统驱动。典型地，多个辊由一个电机来旋转。基板121支撑在载具421中。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，载具421具有在其下侧的杆，该杆可与辊啮合(engage)。因此，根据可与本文所述的其他实施例结合的典型实施例，提供用于第一基板的第一传送轨道和用于一第二基板的第二传送轨道。例如由相应的辊组件提供两个进一步的轨道。图4A和4B示出真空腔室110的两侧上的一个辊403。该进一步的轨道配置成用于支撑掩模132，掩模132可被支撑在掩模框131中。根据示例性实施例，掩模框131可在其下侧具有杆431以与相应的辊组件的辊403啮合。
根据一些可与本文所述的其他实施例结合的实施例，适用于在处理系统中使用的载具包含电极组件和支撑基座。电极组件配置成产生静电夹持力以将基板固定至基板载具。根据又进一步的附加或替代性的修改，支撑基座具有形成在其中的加热储存库/冷却储存库。电极组件和支撑基座形成配置成用于在处理系统内的传送的单一主体。载具可以是可连接的以在处理系统中供应介质。快速断开器(quickdisconnect)可耦接至所述主体并配置成在主体从热调节介质的源去耦时来捕捉加热储存库/冷却储存库中的热调节媒介。可耦接快速断开器以施加夹持电荷。
根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，致动器或机器人被提供在真空腔室110中以将掩模框131从辊403移动至辊424。由此，在提供传送轨道的辊组件上提供掩模框并由此提供掩模。因此，可沿着由用于基板的辊组件所提供的传送轨道将掩模框131移动至真空腔室110中以及移出真空腔室。
在图4A中，左手侧上的基板121被涂覆有机材料。这由参考数字10指示，描绘了从分布管106中的多个出口开口或喷嘴中被引导的有机材料的蒸气。在图4A中以虚线示出真空腔室110右手侧上的基板和载具。虚线指示基板正在传送至真空腔室110中或离开真空腔室110，或者指示基板和掩模132目前相对于彼此对准。典型地，有机材料在左手侧上的基板上的沉积完成之前，完成待涂覆有机材料的基板的传送和掩模对准。由此，蒸发源100可立即从左手侧上的基板的沉积位置旋转至右手侧上的基板的沉积位置，这在图4B中示出。
蒸发源100包含致动器108，例如扭矩电机、电转子、或气动转子。致动器108可经由真空旋转馈通件(feed-through)109(例如铁磁流体馈通件)提供扭矩。致动器108配置成绕着基本上竖直的轴至少旋转分布管106。蒸发源包含支撑件102，支撑件102例如可容纳致动器108和馈通件109。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，蒸发源100还包含蒸发器控制外壳402。蒸发器控制外壳402可以是大气压盒(atmosphericbox)，即一种配置成即使在将真空腔室110抽真空至技术真空时也在其中维持大气压的盒。例如，可在蒸发器控制外壳402中提供选自由下列各项构成的组的至少一个元件：开关、阀、控制器、冷却单元以及冷却控制单元。支撑件102还支撑蒸发坩锅104和分布管106。
根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，以与线性引导件433啮合的方式提供支撑件102。可通过在线性引导件433内移动支撑件102或将支撑件102移动到线性引导件433上来提供蒸发源的平移运动。由此，致动器、驱动器、电机、驱动带和/或驱动链可被提供在线性引导件中或支撑件102中。根据又进一步的替代方案，致动器、驱动器、电机、驱动带和/或驱动链的相应部分可被提供在线性引导件和支撑件两者中。
在已将分布管已从真空腔室110中左手侧上的基板121被涂覆的涂覆位置(见图1A)旋转至真空腔室110中右手侧上的基板121被涂覆有机材料的位置(见图4B)之后，通过沿着线性引导件433的平移运动来移动蒸发源100以用于沉积真空腔室110中右手侧上的基板121。如图4B中左手侧上的虚线所指示，先前被涂覆有机材料的第一基板现在被移出真空腔室110。新的基板被提供在真空腔室110中左手侧上的处理区域中，且掩模132和基板121相对于彼此对准。因此，在右手侧上的基板121已被涂覆有机材料层之后，分布管106可由致动器108来旋转以再次在左手侧上的新基板121上沉积有机材料。
如上所述，本文所述的实施例包含提供线源的至少一个气体分布管沿着基板121的一个维度的平移运动以及该至少一个分布管从第一处理区域至第二处理区域的旋转，其中第一处理区域和第二处理区域中的每一个配置成具有支撑于其中的基板。例如，处理区域中的基板被支撑在载具中，该载具进而被提供在传送轨道和/或用于基板位置对准的致动器上。典型地，形成线源的至少一个分布管106在基本上竖直的方向上延伸，即定义线源的线在基本上竖直的方向上延伸，且该至少一个分布管106的旋转轴也在基本上竖直的方向上延伸。至少一个分布管106配置成在操作期间旋转。例如关于图4A和4B可见，形成线源的方向和旋转轴的方向可以是平行的。
根据一些实施例，蒸发源可包含至例如具有滑动触点(slidingcontact)的源的机械信号和/或电力传输。例如，对于至蒸发源的信号和/或电力传输，可提供线性驱动器、真空旋转单元和/或滑动触点的组合。根据可与本文所述的其他实施例结合的更进一步的实施例，蒸发源可包含感性(inductive)电力传输和/或感性信号传输。图4A和4B示出在蒸发源100(例如在支撑件102)处的第一线圈布置452以及在真空腔室110中的第二线圈布置453。由此，能以感性方式将电力和/或控制信号从真空腔室110内传输至蒸发源100。例如，线圈布置453可在真空腔室中延伸，使得无论平移运动的位置如何都可提供电力和/或信号传输。根据不同的实施方式，可由线圈布置的组合来提供以下各项中的至少一者：用于蒸发坩锅的电力(即蒸发有机材料的电力)、用于致动器108(即分布管的旋转)的电力、用于蒸发的控制的控制信号、用于分布管的旋转的控制的控制信号以及用于平移运动的控制信号。
根据可与本文所述的其他实施例结合的典型实施例，蒸发源包含至少一个蒸发坩锅以及至少一个分布管(例如至少一个线性蒸气分布喷头)。然而，蒸发源可包含两个或三个、最后甚至是四个或五个蒸发坩锅以及对应的分布管。由此，可在若干坩锅中的至少两者中蒸发不同的有机材料，如此使得不同的有机材料在基板上形成一个有机层。附加地或者替代性地，可在若干坩锅中的至少两者中蒸发类似的有机材料，使得可增加沉积速率。这是特别真实的，由于有机材料通常仅可在相对小的温度范围(例如20℃或甚至更小)中蒸发，因此不可通过增加坩锅中的温度来大幅增加蒸发速率。
根据本文所述的实施例，蒸发源、沉积设备、操作蒸发源和/或沉积设备的方法以及制造蒸发源和/或沉积设备的方法配置成用于竖直沉积，即在层沉积期间以基本上竖直的取向(例如竖直方向+-10°)支撑基板。另外，线源、平移运动以及蒸发方向的旋转(特别是绕着基本上竖直(例如平行于基板取向和/或线源的线延伸的方向)的轴的旋转)的组合允许约80％或更高的高材料利用率。这与其他系统相比是至少30％的改进。
位于工艺腔室(即用于在其中的层沉积的真空腔室)内的可移动且可转向的蒸发源允许以高材料利用率连续的或几乎连续的涂覆。一般来说，本文所述的实施例通过使用具有180°转向机构的扫描源方法以交替地涂覆两个基板来允许高的蒸发源效率(>85％)和高的材料利用率(至少50％或更高)。由此，源效率考虑了由于蒸气束延伸超过大面积基板的尺寸以允许待涂覆基板的整体面积的均匀涂覆的事实所造成的材料损失。材料利用率附加地考虑到蒸发源的空闲时间(即其中蒸发源不能将被蒸发的材料沉积在基板上的时间)期间所造成的损失。
更进一步地，本文所述的并关于竖直基板取向的实施例允许沉积设备、特别是包含用于在基板上涂覆若干有机材料层的若干沉积设备的沉积系统的小占地面积。由此，可认为本文所述的设备配置成用于大面积基板的处理或在大面积载具中的多个基板的处理。竖直取向进一步允许对于当前和未来的基板尺寸世代(即目前和未来的玻璃尺寸)的良好可缩放性。
图5A和5B示出沉积设备500的更进一步的实施例。图5A示出沉积设备500的示意性俯视图。图5B示出沉积设备500的示意性剖面图。沉积设备500包含真空腔室110。阀205(例如闸阀)允许对于相邻真空腔室的真空密封。阀可被打开以将基板121或掩模132传送至真空腔室110中或传送出真空腔室110。两个或更多个蒸发源100被提供在真空腔室110中。图5A中所示的示例示出七个蒸发源。根据可与本文所述的其他实施例结合的典型实施例，可有益地提供两个蒸发源、三个蒸发源或四个蒸发源。与也可以根据一些实施例提供的更高数目的蒸发源相比，有限数目的蒸发源(例如二至四个)的维护的后勤可能较为容易。因此，对于这样的系统，拥有成本可能较佳。
根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例并且例如图5A所示，可提供环形轨道530。环形轨道530可包含直线部分534和弯曲部分533。环形轨道530提供蒸发源的平移运动和蒸发源的旋转。如上所述，蒸发源可典型地为线源，例如线性蒸气分布喷头。
根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，环形轨道包含轨或轨布置、辊布置或磁性引导件，以沿着环形轨道移动一个或多个蒸发源。
基于环形轨道530，一列源可以随着平移运动沿着基板121移动，该基板121典型地由掩模132来掩模。环形轨道530的弯曲部分533提供蒸发源100的旋转。另外，弯曲部分533可提供在第二基板121前方的蒸发源的定位。环形轨道530的进一步的直线部分534提供沿着进一步的基板121的进一步的平移运动。由此，如上所述，根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，基板121和掩模132在沉积期间基本上保持静止。沿着静止的基板移动提供线源(例如具有基本上竖直的线取向的线源)的蒸发源。
根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，在真空腔室110中示出的基板121可由具有辊403和424的基板支撑件支撑，进一步，在静止的沉积位置由连接至对准单元112的基板支撑件126支撑。对准单元112可相对于掩模132调整基板121的位置。因此，可相对于掩模132移动基板以在有机材料的沉积期间提供基板和掩模之间的正确对准。根据可与本文所述的其他实施例结合的进一步的实施例，替代性地或另外，掩模132和/或固持掩模132的掩模框131可被连接至对准单元112。从而，可相对于基板121定位掩模，或者掩模132和基板121两者可相对于彼此而定位。
在图5A和5B中示出的实施例示出提供在真空腔室110中的两个基板121。然而，特别是对于在真空腔室中包含一列蒸发源100的实施例，可提供至少三个基板或至少四个基板。从而，甚至对于具有较大数量的蒸发源因而具有较高产量的沉积设备500，可提供用于基板的交换(即将新的基板传送至真空腔室中并将已处理的基板传送出真空腔室)的足够的时间。
图5A和5B示出用于第一基板121的第一传送轨道和用于第二基板121的第二传送轨道。第一辊组件示出在真空腔室110的一侧。第一辊组件包含辊424。另外，传送系统包含磁性引导元件524。类似地，具有辊和磁性引导元件的第二传送系统被提供在真空腔室的相反侧上。可例如像参照图4和4B所述那样操作传送系统。载具421的上部由磁性引导元件524引导。类似地，根据一些实施例，掩模框131可由辊403和磁性引导元件503支撑。
图5B示例性地示出分别提供在环形轨道530的相应直线部分534上的两个支撑件102。蒸发坩锅104和分布管106由相应的支撑件102支撑。由此，图5B描绘由支撑件102支撑的两个分布管106。支撑件102示出为被引导在环形轨道的直线部分534上。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，可提供致动器、驱动器、电机、驱动带和/或驱动链以沿着环形轨道(即沿着环形轨道的直线部分534并沿着环形轨道的弯曲部分533(见图5A))移动支撑件102。
图6示出沉积系统600的实施例，所述沉积系统600具有第一沉积设备200和第二沉积设备200。根据可与本文所述的其他实施例结合的本文所述的实施例，提供一个或多个移送腔室。图6示例性地示出第一移送腔室610和第二移送腔室611。另外，示出部分的移送腔室609和612。如图6所示，闸阀605被提供在移送腔室610和移送腔室609之间。闸阀605可关闭或开启以提供移送腔室610和移送腔室609之间的真空密封。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，一个或多个闸阀可被提供在两个相邻的移送腔室之间。闸阀605的存在取决于沉积系统600的应用，即取决于沉积在基板上的有机材料的层的种类、数目和/或顺序。因此，一个或多个闸阀605可被提供在移送腔室之间。替代性地，没有闸阀被提供在任何移送腔室之间。
根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，移送腔室中的一者或多者可被提供为真空旋转腔室。在其中，可绕着中央轴(例如竖直的中央轴)旋转基板121。从而，传送轨道621的取向可变化。如在移送腔室611中所示，旋转二个基板121。相对于从沉积设备200的传送轨道621延伸的二个传送轨道621旋转基板121位于的二个传送轨道621R。由此，传送轨道621R上的两个基板121分别被提供在待移送至相邻移送腔室610或612的位置。
第一沉积设备200通过阀205连接至第一移送腔室610。如图6所示并根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，传送轨道621从真空腔室110延伸至移送腔室610中。由此，基板121的一者或多者可从真空腔室110移送至移送腔室610。从而，典型地开启阀205以传送一个或多个基板。进一步的沉积设备200通过进一步的阀205连接至第二移送腔室611。因此，基板可从沉积设备被移送至移送腔室、从该移送腔室被移送至另一移送腔室、以及从该另一移送腔室被移送至另一沉积设备。由此，可在不将基板暴露于大气和非真空条件和/或不期望的环境的情况下将若干有机材料层沉积在基板上。根据可与本文所述的其他实施例结合的典型实施例，移送腔室是真空移送腔室，所述真空移动腔室例如配置成用于在真空条件和/或期望的环境下移送一个或多个基板。
图6所示的沉积设备200可与参照图3所描述的沉积设备相似或类似。为图6中示例性示出的沉积系统600提供针对本文的位置设备所述的方面、细节和特征。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，蒸发源100’可被提供在沉积设备200中。蒸发源100’包含四个分布管，配置成在基板121上引导有机材料。由此，可以在四个坩锅中的至少两个中蒸发不同的有机材料，使得不同的有机材料在基板上形成一个有机层。附加地或者替代性地，可以在四个坩锅中的至少二个中蒸发类似的有机材料，使得可增加沉积速率。通过在图6中示出的四个分布管的相应的一个分布管朝向基板121引导在四个蒸发坩锅中蒸发的相应材料。根据可与本文所述的其他实施例结合的更进一步实施例，根据一些实施例可省略例如图2和图3所示的侧面防护罩。这示例性地针对蒸发源100’示出。
如上所述，根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，可沿第一方向将基板121移出真空腔室110。由此，沿着基本上直线的路径将基板121移动至相邻的真空腔室(例如移送腔室)中。在移送腔室中，可旋转基板以使得可沿着第二方向上的第二直线路径移动基板，所述第二方向不同于所述第一方向。根据典型的实施例，第二方向基本上垂直于第一方向。这允许容易的沉积系统设计。为了基板在真空腔室110中的装载，可沿着第二方向在移送腔室中移动基板并且可在移送腔室中旋转该基板。之后，可沿着不同于第二方向的第一方向将基板移动至真空腔室110中。
图7A至7C可根据本文的实施例利用的蒸发源的多个部分。蒸发源可包含分布管106和蒸发坩锅104，如图7A所示。由此，例如，该分布管可以是具有加热单元715的细长立方体。蒸发坩锅可以是用于将利用加热单元725蒸发的有机材料的储存库。根据可与本文所述的其他实施例结合的典型实施例，分布管106提供线源。例如，沿着至少一条线布置多个开口和/或喷嘴。根据替代的实施例，可提供沿着该至少一条线延伸的一个细长开口。例如，细长开口可以是狭缝。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，所述线基本上竖直地延伸。例如，分布管106的长度至少对应于要在沉积设备中沉积的基板的高度。在许多情况中，分布管106的长度将比待沉积的基板的高度更长，至少长10％或甚至20％。由此，可提供在基板的上端和/或基板的下端处的均匀沉积。
根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，分布管的长度可以是1.3米或更长，例如2.5米或更长。根据一种配置，如图7A所示，蒸发坩锅104被提供在分布管106的下端。在蒸发坩锅104中蒸发有机材料。有机材料的蒸气在分布管的底部进入分布管106并且基本上侧向地被引导通过分布管中的多个开口，例如朝向基本上竖直的基板。出于说明性目的，蒸发坩锅104和分布管106在图7A中示出没有热防护罩。由此，可在图7A所示的示意性透视图中看见加热单元715和加热单元725。
图7B示出蒸发源的中分布管106连接至蒸发坩锅104的部分的放大的示意图。提供凸缘单元(flangeunit)703，配置成提供蒸发坩锅104和分布管106之间的连接。例如，蒸发坩锅和分布管被提供为分开的单元，所述分开的单元可在凸缘单元处被分开和连接或组装，例如用于蒸发源的操作。
分布管106具有内部中空空间710。提供加热单元715以加热分布管。因此，分布管106可被加热至由蒸发坩锅104所提供的有机材料的蒸气不会在分布管106的壁的内部冷凝的温度。绕着分布管106的管子提供防护罩717。防护罩配置成将加热单元715所提供的热能往回反射到中空空间710。由此，由于防护罩717减少热量损失，可以减少加热分布管所需的能量(即提供至加热单元715的能量)。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，防护罩717可包含一个热防护层。或者，二个或更多个热防护层可被提供在热防护罩717内。
典型地，如图7B所示，热防护罩717包含在分布管106中的开口712的位置处的开口。在图7B中示出的蒸发源的放大图示出四个开口712。沿着基本上平行于分布管106的轴的线提供开口712。如本文所述，分布管106可被提供为线性分布喷头，例如，具有设置在所述分布管106中的多个开口。从而，本文所理解的喷头具有包围空间、中空空间或管，可在所述包围空间、中空空间或管中提供或引导例如来自蒸发坩锅的材料。喷头可具有多个开口(或细长狭缝)，使得喷头的内的压力比喷头外要高。例如，喷头内的压力可以比喷头外部高至少一个数量级。
在操作期间，分布管106在凸缘单元703处连接至蒸发坩锅104。蒸发坩锅104配置成接收待蒸发的有机材料并蒸发有机材料。图7B示出穿透蒸发坩锅104的外壳的剖面。例如在蒸发坩锅的上部提供再填充开口，所述重新填充开口可使用插塞722、盖、遮盖物等来封闭，以封闭蒸发坩锅104的包围空间。
外部加热单元725被提供在蒸发坩锅104的包围空间内。外部加热元件可至少沿着蒸发坩锅104的壁的一部份延伸。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，可附加地或替代性地提供一个或多个中央加热元件726。图7B示出两个中央加热元件726。中央加热元件726可包含用于将电功率提供至中央加热元件组件的导体729。根据一些实施方式，蒸发坩锅104还可包含防护罩727。防护罩727可配置成将热能往回反射到蒸发坩锅104的包围空间中，所述热能由外部加热单元725和中央加热元件726(如果中央加热元件726存在)提供。从而，可提供在蒸发坩锅104内的有机材料的有效加热。
根据本文已经描述的一些实施例，可为蒸发源提供热防护罩(诸如防护罩717和防护罩727)。热防护罩可减少蒸发源的能量损失。从而，可减少能量消耗。然而，作为进一步的方面，特别是对于有机材料的沉积而言，可以减少源自蒸发源的热辐射，特别是在沉积期间去往掩模和基板的热辐射。特别对于有机材料在被掩模的基板上的沉积而言，更甚至对于显示器制造而言，基板和掩模的温度需要被精准地控制。因此，可减少或避免源自蒸发源的热辐射。因此，本文所述的一些实施例包含热防护罩，诸如防护罩717和防护罩727。
这些防护罩可包含若干防护层以减少到蒸发源外部的热辐射。作为进一步的选项，热防护罩可包含由流体(诸如空气、氮气、水、或其他适合的冷却流体)主动冷却的防护层，。根据可与本文所述的其他实施例结合的更进一步的实施例，提供给蒸发源的一个或多个热防护罩可包含环绕蒸发源的相应部分(诸如分布管106和/或蒸发坩锅104)的薄片金属，。例如，薄片金属可具有0.1毫米至3毫米的厚度，可从选自由铁金属(SS)和非铁金属(Cu、Ti、Al)构成的组中的至少一个材料中选择，和/或可相对于彼此间隔，例如0.1毫米或更大的间隙。
根据一些实施例，如参照图7A至7B所示例性示出的，蒸发坩锅104被提供在分布管106的下侧。根据可与本文所述的其他实施例结合的又一些实施例，可在分布管的中央部分或分布管的下端和分布管的上端之间的另一位置处将蒸气导管732提供给分布管106。图7C描绘蒸发源的示例，该蒸发源具有分布管106和提供在分布管的中央部分处的蒸气导管732。有机材料的蒸气在蒸发坩锅104中产生并被引导通过蒸气导管732而到达分布管106的中央部分。蒸气通过多个开口712离开分布管106。分布管106由支撑件102支撑，如参照本文所述的其他实施例所述。根据可与本文所述的其他实施例结合的更进一步实施例，可在沿着分布管106的长度的不同位置处提供两个或更多个蒸气导管732。从而，蒸气导管732可连接至一个蒸发坩锅104或者可连接至若干蒸发坩锅104。例如，每一个蒸气导管732可具有对应的蒸发坩锅104。或者，蒸发坩锅104可与连接至分布管106的两个或更多个蒸气导管732流体地连通。
如本文所述，分布管可以是中空的柱体。由此，可如一般所接受的那样将术语柱体理解成具有圆形的底面形状和圆形的顶面形状以及连接上部圆形和小的下部圆形的弯曲表面区域或壳。根据可与本文所述的其他实施例结合的进一步的实施例，可进一步在数学意义上将术语柱体理解成具有任意的底面形状和完全相同的上部形状以及连接上部形状和下部形状的弯曲表面区域或壳。因此，柱体不一定需要具有圆形的截面。相反，底表面和上表面可具有不同于圆形的形状。
如参照图5A和5B所述，具有一列蒸发源的实施例和/或具有用于蒸发源的平移和旋转运动的环形轨道的实施例可获益于具有在真空腔室中提供的多于两个的基板。在真空腔室110内提供多于两个基板的不同实施例在图8A、8B和图9中描绘。例如如图8A所示，真空腔室110可包含四个位置或处理区域，在所述位置或处理区域中可处理基板121，例如在所述位置或处理区域中有机材料可被沉积在基板121上。从而，根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，可加快基板的交换以增加产量，特别是对于在其中提供多个蒸发源的沉积设备500而言。在图8A中示出的沉积设备500包含两个移送腔室810。邻近真空腔室110提供移送腔室的每一个。例如，移送腔室810可经由阀205连接至真空腔室110。如参照本文示出的其他实施例所述，可提供一个移送腔室，而不是图8A中示出的两个移送腔室810。
传送轨道621被提供在移送腔室810中。传送轨道621延伸至真空腔室110中。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，可由辊的布置、磁性引导元件的布置和/或配置成用于基板和/或具有基板的载具的基本上线性的运动的其他传送元件来限定传送轨道，其中基板典型地基本上竖直地取向。如图8A所示，可例如通过支撑载具421来提供支撑基板的基板支撑件126，所述载具421具有设置在所述载具421中的基板。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，基板121可被提供在处理位置中，处理位置自然地与传送轨道621偏离。例如，可在基本上垂直于传送轨道621的方向的方向上移动基板121，以将基板定位至处理位置中或定位离开处理位置。
四个基板121被提供在真空腔室110中，其中可沿基本上平行于传送轨道621的方向的线来定位两个基板。因此，沿着第一线定位两个基板，沿着第二线定位两个基板。用于移动多个蒸发源100的环形轨道530被提供在第一线和第二线之间。根据一些实施例，环形轨道可包含两个直线部分和两个弯曲部分。两个直线部分可以基本上平行于第一线和/或基本上平行于基板121。例如，对于线性分布喷头，可沿着环形轨道530的直线部分移动蒸发源100，以提供用于有机材料在基板上的位置的平移运动。通过蒸发源沿着环形轨道的弯曲部分的运动来旋转蒸发源100。从而，由蒸发源的分布管引导的有机材料的蒸气的方向旋转例如180°。因此，蒸发源的分布管可旋转至少160°。
根据可与本文所述其他实施例结合的一些实施例，例如可由掩模框131支撑的掩模132被分别提供在由基板位置所定义的第一线与环形轨道530之间或由进一步的基板位置所定义的第二线与环形轨道530之间。环形轨道530允许多个蒸发源100沿着基板的平移运动，所述基板由掩模132来掩模。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，两个或更多个蒸发源100被提供在环形轨道530上。例如，图8A示出提供在环形轨道530上的八个蒸发源100。可以利用一个接着一个的平移运动、跨基板传送两个或更多个蒸发源。从而，例如，蒸发源100中的每一个可沉积一种有机材料层。因此，若干不同的有机材料层可被沉积在提供在处理位置中的基板上。根据可与本文所述的其他实施例结合的一些实施例，蒸发源100中的两个或更多个或甚至每个蒸发源可在基板上沉积不同的有机材料层。
根据可与本文所述的其他实施例结合的更进一步的实施例，可提供维护真空腔室210。例如，维护真空腔室210可通过阀207与真空腔室110分开。阀207配置成用于开启和关闭真空腔室110和维护真空腔室210之间的真空密封。蒸发源100可被移送至维护真空腔室210。之后，可以关闭阀以提供真空腔室110和维护真空腔室210之间的真空密封。因此，可在不破坏真空腔室110的真空的情况下通风和开启维护真空腔室。
进一步的轨道820(例如进一步的环形轨道)被提供在维护真空腔室210中。如在图8A中示例性地示出，该进一步的轨道820的弯曲部分可与环形轨道530的弯曲部分重叠。这允许蒸发源100从环形轨道530到进一步的轨道820的移送。因此，可将蒸发源从环形轨道530移动至进一步的轨道820，反之亦然。这允许了在维护真空腔室210中移动蒸发源，以用于蒸发源的维护并允许将维护好的蒸发源从维护真空腔室210移动至真空腔室110中。维护好的蒸发源可在真空腔室110中蒸发基板上的有机材料。
即使未在图8A中示出，用于基板和掩模相对于彼此的对准的一个或多个对准单元可被提供在如图8A所示的沉积设备500中。图8A示出其中环形轨道530被提供在由两个基板的处理位置所定义的第一线与由两个进一步的基板的处理位置所定义的第二线之间的实施例。
环形轨道530的替代性布置在图8B中示出。从而，环形轨道530环绕至少一个基板，典型地环绕沿着由基板的处理位置定义的线所布置的两个或更多个基板。考虑到上述内容，根据一种选项(见图8A)，至少两个基板可被定向以使得它们相应的表面(其上沉积有机材料的表面)是彼此面对。根据另一种选项(见图8B)，真空腔室110中的基板和它们相应的表面(其上沉积有机材料的表面)被定向在相同的方向上。虽然在图8A和8B中示出的沉积设备500描绘了配置成容纳四个基板121的真空腔室110，但是也可提供配置成容纳两个基板121的真空腔室的相应修改。能以与参照图8A中所示的实施例所述的方式类似的方式、在图8B中示出的实施例中实施进一步的细节、方面和特征(例如关于维护真空腔室210、进一步的轨道820、传送轨道621、移送腔室810等)。
根据本文所述的实施例，沉积设备包含具有两个或更多个基板(即基板处理区域)的腔室。当正在处理一个基板时，另一基板被移动至腔室中或移出腔室。因此，可在一个基板处理区域中处理一个基板。另外，可移出位于第二基板处理区域中的基板可，且可将新的基板移动至第二基板处理区域中。
如本文所述，一个或多个蒸发源可提供为一个或多个线源，其通过平移运动扫描静止的基板。特别是对于具有源列(sourcetrain)和/或环形轨道的实施例而言，可为每一个有机层提供至少一个线源。例如，在制造显示器的情况中，可为发射层、空穴传送层、空穴注入层等提供线源。
图9描绘沉积设备500的更进一步的实施例。沉积设备500包含如先前本文所述的实施例描述的移送腔室810、阀205、维护真空腔室210以及进一步的轨道820。虽然图9示出的实施例包含四个移送腔室810，以协助更好地将基板121交换至真空腔室中以在基板上沉积有机材料，类似地，传送轨道被提供在移送腔室810中。传送轨道延伸进入真空旋转隔室910中，以将基板移送至真空旋转隔室中以及将基板移送出真空旋转隔室。图9示出四个真空旋转隔室910连接至真空腔室110的示例。环形轨道530被提供在真空腔室110中。多个蒸发源100由环形轨道530支撑，并因可进行沿着环形轨道的直线部分的平移运动以及沿着环形轨道的弯曲部分的旋转运动。
真空旋转隔室910连接至真空腔室110，使得包含真空腔室110和真空旋转隔室910的系统可被抽真空。或者，可提供包含旋转模块的一个腔室。基板在真空旋转隔室910内的旋转由参考标记911指示的圆来指示。根据可与本文所述其他实施例结合的典型实施例，真空旋转隔室中的每一个包含一真空旋转模块，其中可在真空旋转模块的第一位置中装载或卸载基板。从移送腔室810装载的基板的例如180°的旋转移动到处于处理位置中的基板，在所述处理位置中，蒸发源沿着基板的表面扫描。根据更进一步的替代方案，例如，如果以不同的方式布置真空腔室和隔室，则也可以提供用于将基板提供至处理位置中的不同于180°的角度的基板旋转。然而，将基板从移送位置移动至处理位置的180°旋转提供了可比较的小占地面积。
如图9所示，例如，旋转模块可包含两个对准单元112，使得对于提供在旋转模块中的两个基板位置中的每一个位置，基板121和掩模132可相对于彼此对准。根据一个实施例，沉积设备可包含例如四个真空旋转模块和八个基板支撑位置。然而，根据可与本文所述的更进一步的实施例结合的其他实施例，可提供不同数目的基板支撑位置和/或不同数目的真空旋转模块。例如，根据此本文所述的实施例，提供至少两个基板处理位置。基板处理位置由此布置成允许至少通过蒸发源的分布管的旋转来处理基板。作为另一个示例，也可提供至少两个旋转模块、至少两个基板处理位置以及至少四个基板支撑位置(其中两个也是基板处理位置)。
图10示出描绘根据本文所述的实施例的蒸发有机材料的方法的流程图。一般来说，提供两个基板位置以改善材料利用率。这与蒸发源(特别是诸如线性分布喷淋头之类的线源)的平移运动和旋转运动相结合。在步骤802中，将以基本上垂直的取向上提供的第一基板移动到第一处理位置中。蒸发源至少利用平移运动、沿着定位在第一处理位置中的第一基板移动，例如扫描第一基板，其中在步骤804中，在第一基板上沉积有机材料。当处理第一基板时，可准备第二处理位置以在其中处理第二基板。例如，在步骤806中，可将第二基板移动到不同于第一处理位置的第二处理位置中。更进一步的，第二基板的准备可包含将先前处理好的基板从第二处理位置中移除和/或掩模与第二基板相对于彼此对准。在步骤808中，至少旋转蒸发源的分布管以便随后将其向第二处理位置引导。如本文所述，所述旋转可绕着基本上竖直的轴进行，典型地绕着线源沿着其延伸的轴进行。在步骤809中，蒸发源至少利用平移运动、沿着定位在第二处理位置中的第二基板移动，例如是扫描第二基板，其中在第二基板上沉积有机材料。
虽然以上内容针对本发明的实施例，但是可设计本发明的其他和进一步的实施例而不背离本发明的基本范围，并且本发明的范围由所附权利要求书来确定。

Claims (15)

1.一种用于有机材料的蒸发源，包含：
蒸发坩锅，其中所述蒸发坩锅配置成蒸发所述有机材料；
分布管，具有一个或多个出口，其中所述分布管与所述蒸发坩锅流体地连通，并且其中所述分布管在蒸发期间可绕轴旋转；以及
支撑件，用于分布管，其中所述支撑件可连接至第一驱动器或包含所述第一驱动器，其中所述第一驱动器配置成用于所述支撑件和所述分布管的平移运动。
2.根据权利要求1所述的蒸发源，其中所述分布管是包含所述一个或多个出口的蒸气分布喷头，其中特别地，所述蒸气分布喷头是线性的蒸气分布喷头。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的蒸发源，其中所述分布管提供基本上竖直延伸的线源，和/或其中旋转所述分布管的轴基本上竖直地延伸。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的蒸发源，其中所述分布管可旋转至少160°，特别是可旋转180°或至少360°。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的蒸发源，其中所述分布管通过第二驱动器可绕着所述轴旋转，所述第二驱动器相对于所述支撑件旋转所述分布管，并且特别地，所述第二驱动器还相对于所述支撑件旋转所述蒸发坩锅。
6.根据权利要求5所述的蒸发源，其中所述支撑件包含支撑件外壳，配置成维持所述支撑件外壳中的大气压，且其中所述支撑件经由可旋转的真空馈通件支撑所述分布管，所述真空馈通件特别是铁磁流体馈通件。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的蒸发源，其中所述分布管通过沿环形轨道行进而可绕所述轴旋转。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的蒸发源，还包含：
蒸发器控制外壳，配置成维持所述蒸发器外壳中的大气压力，其中所述外壳由所述支撑件支撑，且配置成容纳选自下列各项构成的组的至少一个元件：开关、阀、控制器、冷却单元以及冷却控制单元。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的蒸发源，进一步包含：至少一个侧面防护罩，特别是两个侧面防护罩，用于防护所述有机材料的蒸发。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的蒸发源，进一步包含：
线圈，用于感性电力传输和感性信号传输中的至少一者。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的蒸发源，还包含：
至少一个第二蒸发坩锅，由所述支撑件支撑；以及
至少一个第二分布管，由所述支撑件支撑，其中所述至少一个第二分布管与所述至少一个第二蒸发坩锅流体地连通。
12.一种用于在真空腔室中沉积有机材料的沉积设备，包含：
处理真空腔室；
根据权利要求1至11中任一项所述的蒸发源，其中所述蒸发源在所述处理真空腔室中蒸发所述有机材料；以及
基板支撑件系统，设置在所述真空腔室中并具有至少二个轨道，其中所述基板支撑件系统的至少两个轨道配置成用于在所述真空腔室中对所述基板或载运基板的载具的基本上竖直的支撑。
13.根据权利要求12所述的沉积设备，还包含：
维护真空腔室，与所述处理真空腔室相连接；以及
真空阀，用于开启和关闭所述处理真空腔室与所述维护真空腔室之间的真空密封，其中所述蒸发源可从所述处理真空腔室被移送至所述维护真空腔室并且从所述维护真空腔室被移送至所述处理真空腔室。
14.一种用于蒸发有机材料的方法，包含以下步骤：
将第一基板移动到基本上竖直的第一处理位置中；
当蒸发源蒸发所述有机材料时，至少利用平移运动、沿所述第一基板来移动所述蒸发源；
将第二基板移动到基本上竖直的第二处理位置中，所述第二处理位置不同于所述第一处理位置；
在蒸发期间，绕轴旋转所述蒸发源的分布管；以及
当所述蒸发源蒸发所述有机材料时，至少利用进一步的平移运动、沿所述第二基板来移动所述蒸发源。
15.根据权利要求14所述的方法，其中当沿所述第一基板移动所述蒸发源时，将所述第二基板移动到基本上竖直的第二处理位置中。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108966659A (zh) * 2017-03-17 2018-12-07 应用材料公司 沉积系统、沉积设备、和操作沉积系统的方法
CN109072412A (zh) * 2017-03-17 2018-12-21 应用材料公司 用于基板的真空处理的设备、用于制造具有有机材料的装置的系统、用于使处理真空腔室和维护真空腔室相互密封的方法
CN109563609A (zh) * 2017-07-24 2019-04-02 应用材料公司 用于在真空腔室中处理基板的设备与系统和在真空腔室中运输载体的方法
CN110234792A (zh) * 2017-03-17 2019-09-13 应用材料公司 操作真空处理系统的方法
TWI680196B (zh) * 2017-07-24 2019-12-21 美商應用材料股份有限公司 用於真空腔內處理基板之設備與系統及用於使基板載體相對遮罩載體對準之方法
CN112867808A (zh) * 2018-10-24 2021-05-28 应用材料公司 用于替换坩埚的蒸发沉积系统

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101932943B1 (ko) * 2014-12-05 2018-12-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 재료 증착 시스템 및 재료 증착 시스템에서 재료를 증착하기 위한 방법
JP6488400B2 (ja) * 2015-07-13 2019-03-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 蒸発源
CN109477204B (zh) * 2016-05-10 2020-10-23 应用材料公司 操作沉积设备的方法和沉积设备
US20190292653A1 (en) * 2016-05-18 2019-09-26 Stefan Bangert Apparatus and method for transportation of a deposition source
US10249525B2 (en) * 2016-10-03 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Dynamic leveling process heater lift
KR102030683B1 (ko) * 2017-01-31 2019-10-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 재료 증착 어레인지먼트, 진공 증착 시스템 및 이를 위한 방법
WO2018144107A1 (en) * 2017-02-03 2018-08-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for continuous evaporation having substrates side by side
CN109563608A (zh) * 2017-02-24 2019-04-02 应用材料公司 用于基板载体和掩模载体的定位配置、用于基板载体和掩模载体的传送系统及其方法
US11004704B2 (en) 2017-03-17 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Finned rotor cover
US20200016557A1 (en) * 2017-04-07 2020-01-16 Andre Brüning Supply line guide for a vacuum processing system, use of a supply line guide and processing system
EP3642633A4 (en) 2017-06-21 2021-05-12 Abbott Molecular Inc. METHODS FOR AUTOMATED LOADING AND PROCESSING OF SAMPLES AND ASSOCIATED DEVICES AND SYSTEMS
US10276411B2 (en) 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
CN109715847A (zh) * 2017-08-25 2019-05-03 应用材料公司 用于在真空腔室中蒸发材料的设备和用于在真空腔室中蒸发材料的方法
US11028480B2 (en) 2018-03-19 2021-06-08 Applied Materials, Inc. Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films
WO2019209401A1 (en) 2018-04-27 2019-10-31 Applied Materials, Inc. Protection of components from corrosion
CN214361638U (zh) * 2018-05-30 2021-10-08 应用材料公司 沉积设备
WO2020030252A1 (en) * 2018-08-07 2020-02-13 Applied Materials, Inc. Material deposition apparatus, vacuum deposition system and method of processing a large area substrate
US11009339B2 (en) 2018-08-23 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Measurement of thickness of thermal barrier coatings using 3D imaging and surface subtraction methods for objects with complex geometries
US11512389B2 (en) 2019-03-20 2022-11-29 Samsung Electronincs Co., Ltd. Apparatus for and method of manufacturing semiconductor device
CN113795908A (zh) 2019-04-08 2021-12-14 应用材料公司 用于修改光刻胶轮廓和调整临界尺寸的方法
CN113677825B (zh) 2019-04-16 2023-10-24 应用材料公司 沟槽中薄膜沉积的方法
US11629402B2 (en) 2019-04-16 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition on optical structures
EP3959356A4 (en) 2019-04-26 2023-01-18 Applied Materials, Inc. METHODS FOR PROTECTING AEROSPACE ELEMENTS AGAINST CORROSION AND OXIDATION
US11794382B2 (en) 2019-05-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components
US11628478B2 (en) 2019-05-29 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Steam cleaning of CMP components
US11633833B2 (en) 2019-05-29 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Use of steam for pre-heating of CMP components
TW202110575A (zh) 2019-05-29 2021-03-16 美商應用材料股份有限公司 用於化學機械研磨系統的蒸氣處置站
US11697879B2 (en) 2019-06-14 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components
TWI753460B (zh) * 2019-06-27 2022-01-21 美商應用材料股份有限公司 用於化學機械研磨的蒸汽產生
US11466364B2 (en) 2019-09-06 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide
EP4094307A4 (en) * 2020-01-22 2024-02-28 Applied Materials, Inc. ONLINE MONITORING OF OLED LAYER THICKNESS AND DOPANT CONCENTRATION
CN115088092A (zh) 2020-01-22 2022-09-20 应用材料公司 Oled层厚度和掺杂剂浓度的产线内监测
CN111334756B (zh) * 2020-04-09 2021-12-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 金属蒸镀设备
US11519066B2 (en) 2020-05-21 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same
WO2021245154A1 (en) * 2020-06-03 2021-12-09 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus, processing system, and method of manufacturing a layer of an optoelectronic device
KR20220116324A (ko) 2020-06-29 2022-08-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학 기계적 연마를 위한 스팀 생성의 제어
WO2022005696A1 (en) 2020-07-03 2022-01-06 Applied Materials, Inc. Methods for refurbishing aerospace components
CN112342516B (zh) * 2020-11-09 2022-10-18 湘潭宏大真空技术股份有限公司 磁控溅射镀膜装置
DE102021117574A1 (de) 2021-07-07 2023-01-12 Thyssenkrupp Steel Europe Ag Beschichtungsanlage zur Beschichtung eines flächigen Gegenstands sowie ein Verfahren zum Beschichten eines flächigen Gegenstands

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004035964A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Tokki Corp 蒸着装置
CN1578549A (zh) * 2003-06-27 2005-02-09 株式会社半导体能源研究所 制造设备
US20050281950A1 (en) * 2004-06-18 2005-12-22 Chi Mei Optoelectronics Corp. Deposition apparatus and method
US20090220691A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Gong-Min Kim Evaporation apparatus and thin film forming method using the same
US20090308316A1 (en) * 2008-06-16 2009-12-17 Jae-Wan Park Transfer apparatus and organic deposition device with the same
CN101880865A (zh) * 2009-05-04 2010-11-10 三星移动显示器株式会社 用于沉积有机材料的装置及其沉积方法和沉积系统
US20120064728A1 (en) * 2010-09-15 2012-03-15 Jeong-Ho Yi Substrate depositing system and depositing method using the same
CN103270189A (zh) * 2010-12-24 2013-08-28 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法
US20130260499A1 (en) * 2010-12-14 2013-10-03 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic electroluminescent display device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001003168A (ja) * 1999-06-18 2001-01-09 Sony Corp 真空成膜装置
JP4078813B2 (ja) * 2001-06-12 2008-04-23 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4156885B2 (ja) * 2002-09-11 2008-09-24 株式会社アルバック 薄膜形成装置
KR101006938B1 (ko) * 2002-09-20 2011-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조 시스템 및 발광장치 제작방법
KR100926437B1 (ko) * 2008-11-17 2009-11-13 에스엔유 프리시젼 주식회사 증착 물질 공급 장치 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR101097737B1 (ko) * 2009-03-31 2011-12-22 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막 증착 장치와 박막 증착 방법 및 박막 증착 시스템
JP5694679B2 (ja) * 2009-05-04 2015-04-01 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機物蒸着装置及び蒸着方法
KR100977374B1 (ko) * 2009-08-03 2010-08-20 텔리오솔라 테크놀로지스 인크 대면적 박막형 ｃｉｇｓ 태양전지 고속증착 및 양산장비, 그 공정방법
KR101662606B1 (ko) * 2010-05-11 2016-10-05 엘지디스플레이 주식회사 유기박막 증착장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
JP2012233242A (ja) * 2011-05-09 2012-11-29 Hitachi High-Technologies Corp 有機ｅｌデバイス製造装置及び有機ｅｌデバイス製造方法
JP2013167001A (ja) * 2012-02-16 2013-08-29 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着システム及び真空蒸着方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004035964A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Tokki Corp 蒸着装置
CN1578549A (zh) * 2003-06-27 2005-02-09 株式会社半导体能源研究所 制造设备
US20050281950A1 (en) * 2004-06-18 2005-12-22 Chi Mei Optoelectronics Corp. Deposition apparatus and method
US20090220691A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Gong-Min Kim Evaporation apparatus and thin film forming method using the same
US20090308316A1 (en) * 2008-06-16 2009-12-17 Jae-Wan Park Transfer apparatus and organic deposition device with the same
CN101880865A (zh) * 2009-05-04 2010-11-10 三星移动显示器株式会社 用于沉积有机材料的装置及其沉积方法和沉积系统
US20120064728A1 (en) * 2010-09-15 2012-03-15 Jeong-Ho Yi Substrate depositing system and depositing method using the same
US20130260499A1 (en) * 2010-12-14 2013-10-03 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic electroluminescent display device
CN103270189A (zh) * 2010-12-24 2013-08-28 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光显示装置的制造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108966659A (zh) * 2017-03-17 2018-12-07 应用材料公司 沉积系统、沉积设备、和操作沉积系统的方法
CN109072412A (zh) * 2017-03-17 2018-12-21 应用材料公司 用于基板的真空处理的设备、用于制造具有有机材料的装置的系统、用于使处理真空腔室和维护真空腔室相互密封的方法
CN110234792A (zh) * 2017-03-17 2019-09-13 应用材料公司 操作真空处理系统的方法
CN109563609A (zh) * 2017-07-24 2019-04-02 应用材料公司 用于在真空腔室中处理基板的设备与系统和在真空腔室中运输载体的方法
TWI680196B (zh) * 2017-07-24 2019-12-21 美商應用材料股份有限公司 用於真空腔內處理基板之設備與系統及用於使基板載體相對遮罩載體對準之方法
CN109563609B (zh) * 2017-07-24 2021-04-13 应用材料公司 用于在真空腔室中处理基板的设备与系统和在真空腔室中运输载体的方法
CN112867808A (zh) * 2018-10-24 2021-05-28 应用材料公司 用于替换坩埚的蒸发沉积系统

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Publication number Publication date
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