TWI604553B - 一種用於處理裝置的處理設備，尤指其中包含有機材料的裝置，及一種用於將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室，或從維護真空腔室傳送至處理真空腔室之方法 - Google Patents
一種用於處理裝置的處理設備，尤指其中包含有機材料的裝置，及一種用於將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室，或從維護真空腔室傳送至處理真空腔室之方法 Download PDFInfo
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims description 294
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims description 291
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 275
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 title claims description 137
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 239000011368 organic material Substances 0.000 title claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 68
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 51
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000011554 ferrofluid Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Description
本揭示的實施例有關於用於處理裝置的處理設備，特別是在其中包含有機材料的裝置，且有關用於從處理真空腔室傳送蒸發源至維護真空腔室，或從該維護真空腔室至該處理真空腔室的方法。
有機蒸發器為用於生產有機發光二極體(OLED)的工具。OLED為發光二極體，其中發光層包含特定有機化合物
的薄膜。OLED用於電視螢幕、電腦顯示器、行動電話、其他手持裝置等的製造，以用於顯示資訊。OLED亦可用於一般空間照明。OLED顯示器可能的顏色、亮度及視角的範圍係大於傳統LCD顯示器，因為OLED像素直接發光且不需要背光源。OLED顯示器的能量消耗係大幅地少於傳統LCD顯示器。進一步而言，OLED可製造於可撓基板上，造成了進一步的應用。一個OLED顯示器，舉例而言，可包含介於兩個電極之間的多層有機材料，該等電極以形成矩陣顯示面板的方式而設置於基板上，該矩陣顯示面板具有獨立可充電的像素。該OLED可擺設於兩個玻璃面板之間，且該等玻璃面板的邊緣被密封以在其中包覆該OLED。
在OLED顯示裝置的製造上遇到了挑戰。一個範例中，需要多個勞力密集的步驟以將該OLED包覆於該兩個玻璃面板之間，以防止該裝置的可能污染。另一個範例中，不同尺寸的顯示螢幕及玻璃面板可能需要處理及處理硬體的大幅重組，該等處理及處理硬體用於形成該等顯示裝置。大致而言，在大面積基板上製造OLED裝置係所期望的。
OLED顯示器或OLED照明應用包含多個有機材料的堆疊，該等有機材料舉例而言在處理設備之真空腔室中蒸發。有機材料係以隨後的方式透過使用蒸發源的陰影光罩而設置於基板上。該基板、陰影光罩及蒸發源係提供於該真空腔室內。該蒸發源需要不時的服務及再填充。為了服務及再填充蒸發源，該等處理設備需要被關閉，該真空腔室需要被通風，且該蒸發源需要從該真空腔室被移除。有鑑於此，服
務及再填充蒸發源造成了大量的工作量且係耗時的，導致該處理設備增加的停工時間及減少的處理效率或產量。
因此，用於處理裝置的處理設備係所需要的，特別是在其中包含有機材料的裝置，及用於傳送蒸發源的方法，該方法促成蒸發源的服務及再填充，並減少該處理設備的停工時間。
鑑於上述，用於處理裝置的處理設備，特別是在其中包含有機材料的裝置，及將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室或從該護真空腔室至該處理真空腔室的方法被提供。本揭示的進一步態樣、益處及特徵將顯見於請求項、描述及附圖。
依據本揭示的一個態樣，用於處理裝置的處理設備，特別是在其中包含有機材料的裝置被提供。該處理設備包含處理真空腔室；用於材料的至少一個蒸發源，其中該至少一個蒸發源包含至少一個蒸發坩鍋，其中該至少一個蒸發坩鍋經配置以蒸發該材料，及具有一或更多個出口的至少一個分佈管路，其中該至少一個分佈管路與該至少一個蒸發坩鍋流體溝通；及與該處理真空腔室連接的維護真空腔室，其中該至少一個蒸發源可從該處理真空腔室被傳送至該維護真空腔室，及從該維護真空腔室至該處理真空腔室。
依據本揭示的另一個態樣，用於處理裝置的處理設備，特別是在其中包含有機材料的裝置被提供。該處理設備包含處理真空腔室；用於材料的至少一個蒸發源，其中該至
少一個蒸發源包含至少一個蒸發坩鍋，其中該至少一個蒸發坩鍋經配置以蒸發該材料，及具有一或更多個出口的至少一個分佈管路，其中該至少一個分佈管路與該至少一個蒸發坩鍋流體溝通；及與該處理真空腔室連接的維護真空腔室，其中該至少一個蒸發源可從該處理真空腔室被傳送至該維護真空腔室，及從該維護真空腔室至該處理真空腔室，其中該維護真空腔室與該處理真空腔室的該連接包含開口，其中該開口經配置以用於該至少一個蒸發源從該處理真空腔室至該維護真空腔室，及從該維護真空腔室至該處理真空腔室的該轉移，其中該處理設備進一步包含密封裝置，該密封裝置經配置以用於封閉該開口，且其中該密封裝置附接至該至少一個蒸發源。
依據本揭示的又另一個態樣，用於將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室或從該維護真空腔室至該處理真空腔室的方法被提供。該方法包含透過開口而將蒸發坩鍋及該蒸發源的分佈管路從該處理真空腔室移動至該維護真空腔室或從該維護真空腔室至該處理真空腔室，該開口提供於該處理真空腔室與該維護真空腔室之間。
實施例亦針對用於實現所揭示之方法的設備，且包含用於行使每個所述方法態樣的設備部件。該等方法態樣可藉由硬體元件、由合適軟體程式化的電腦、任何該兩者之組合或任何其他方式而行使。進一步而言，依據本揭示的實施例亦針對用於運作所述設備的方法。該方法包含用於實現該設備之每個功能的方法態樣。
100‧‧‧處理設備
105‧‧‧閥
106‧‧‧真空腔室
110‧‧‧處理真空腔室
112‧‧‧對準單元
121‧‧‧基板
126‧‧‧基板支座
131‧‧‧遮罩框架
132‧‧‧遮罩
150‧‧‧維護真空腔室
152‧‧‧開口
200‧‧‧處理設備
220‧‧‧軌道
221‧‧‧第一軌道區段
222‧‧‧第二軌道區段
300‧‧‧處理設備
400‧‧‧處理設備
410‧‧‧密封裝置
420‧‧‧連接裝置
430‧‧‧可旋轉裝置
500‧‧‧處理設備
510‧‧‧密封裝置
520‧‧‧連接裝置
530‧‧‧可旋轉裝置
532‧‧‧第一臂
534‧‧‧第二臂
536‧‧‧鉸鏈
603‧‧‧凸緣單元
610‧‧‧中空空間
612‧‧‧開口或出口
615‧‧‧第一加熱單元
617‧‧‧熱屏蔽
622‧‧‧插座
625‧‧‧第二加熱單元
626‧‧‧中央加熱元件
627‧‧‧屏蔽
629‧‧‧導體
632‧‧‧蒸氣導管
700‧‧‧方法
710‧‧‧方塊
720‧‧‧方塊
1000‧‧‧蒸發源
1002‧‧‧支座
1004‧‧‧蒸發坩鍋
1006‧‧‧分佈管路
為了使本揭示的上述特徵能被詳細地理解，以上簡要總結的本揭示更具體之描述可參考實施例。該等附圖有關於本揭示的實施例且在以下描述：第1A至1C圖依據在此描述的實施例顯示用於處理裝置的處理設備之示意頂視圖，特別是在其中包含有機材料的裝置；第2圖依據在此描述的進一步實施例顯示用於處理裝置的處理設備之示意頂視圖，特別是在其中包含有機材料的裝置；第3A及3B圖依據在此描述的更進一步實施例顯示用於處理裝置的處理設備之示意頂視圖，特別是在其中包含有機材料的裝置；第4A至4C圖依據在此描述的又更進一步實施例顯示用於處理裝置的處理設備之示意頂視圖，特別是在其中包含有機材料的裝置；第5圖依據在此描述的實施例顯示用於處理裝置的處理設備之示意透視圖，特別是在其中包含有機材料的裝置；第6A至6C圖依據在此描述的實施例顯示處理設備之部分蒸發源的示意圖；及第7圖依據在此描述的實施例顯示方法的流程圖，該方法用於將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室，或從該維護真空腔室至該處理真空腔室。
現將詳細參考本揭示之各種實施例，該等實施例的一或更多個範例繪示於圖式中。在以下的圖式描述中，相同的參考符號代表相同的元件。一般而言，僅有關於獨立實施例的差異被描述。每個範例藉由解釋本揭示之方式而提供，且並非意於作為本揭示的限制。進一步而言，繪示或描述作為一個實施例之部分的特徵可被用於或連結其他實施例以產出又進一步的實施例。本描述係意於包含這樣的修改及變化。
第1A至1C圖依據茲描述的實施例顯示用於處理裝置之處理設備100的示意頂視圖，特別是在其中包含有機材料的裝置。
依據本揭示的一個態樣，用於處理裝置(特別是在其中包含有機材料的裝置)之處理設備100包含處理真空腔室110；用於有機材料的蒸發源1000，其中蒸發源1000包含蒸發坩鍋1004，其中蒸發坩鍋1004經配置以蒸發該有機材料，及具有一或更多個出口的分佈管路1006，其中分佈管路1006係與蒸發坩鍋1004流體溝通；及與處理真空腔室110連接的維護真空腔室150，其中蒸發源1000可從處理真空腔室110被傳送至維護真空腔室150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室110。某些實作中，分佈管路1006可於蒸發時繞軸旋轉。
依據在此揭示的實施例之處理設備促成了蒸發源1000的服務及/或再填充，且可減少該處理設備的停工時間。藉由將可獨立於處理真空腔室110通風的維護真空腔室150附接至處理真空腔室110，則可能在例如該蒸發源耗盡之後交
換蒸發源1000，並在不將該真空系統通風及/或不停止生產的情況下在維護真空腔室150中服務該蒸發源。
第1A至1C圖顯示處理設備100，其中蒸發源1000在不同的位置。第1A及1B圖中，蒸發源1000定位於處理真空腔室110中，且在第1C圖中蒸發源1000定位於維護真空腔室150中，例如為了服務及/或再填充。雖然第1A至1C圖繪示一個蒸發源1000，但在某些範例中二或更多個蒸發源1000可提供於處理設備100中。作為範例，第一蒸發源可定位於處理真空腔室110中，且第二蒸發源可定位於維護真空腔室150中。第一蒸發源可為了製造裝置(特別是在其中包含有機材料的裝置)而運作，而定位於維護真空腔室150中的該第二蒸發源可同時被服務及/或再填充，且該處理設備的停工時間可進一步被減少或甚至避免。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備100包含傳送裝置(未顯示)，該傳送裝置經配置以用於將蒸發源1000從處理真空腔室110傳送至維護真空腔室150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室110。該傳送裝置可包含位移裝置，例如致動器、驅動器，或臂，該位移裝置可連接至蒸發源1000以行使該傳送。
蒸發源1000具有一或更多個蒸發坩鍋1004且具有一或更多個分佈管路1006，該蒸發坩鍋經適配以包含該蒸發材料。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備100，且特別是蒸發源1000，包含用於分佈管路1006的支座1002。分佈管路1006由支座1002所支撐。進一步而
言，依據某些實施例，蒸發坩鍋1004亦可由支座1002所支撐。某些實作中，蒸發源1000經配置以繞著軸旋轉，特別是在蒸發時。各種用於OLED裝置製造的應用包含處理，其中二或更多個有機材料係同時蒸發。某些實施例中，二或更多個分佈管路及對應的蒸發坩鍋可彼此相鄰而提供。這樣的蒸發源亦可稱為蒸發源陣列，例如，其中一種以上的有機材料係同時蒸發。蒸發源1000的一個範例係參考第6A至6C圖而描述。
某些實作中，分佈管路1006為蒸氣分佈噴淋頭，特別是線性蒸氣分佈噴淋頭。分佈管路1006可提供幾乎垂直延伸的線源。依據可與在此描述之其他實施例組合的實施例，幾乎垂直係在特別指基板定向時，理解為允許從垂直方向偏離20度或更低的角度，例如10度或更低。此偏離可提供作為範例，因為從垂直定向偏離一些的基板支座可能造成更穩固的基板位置。然而，於該有機材料沉積時的該基板定向係認定為幾乎垂直的，該定向係認定為不同於水平基板定向。
某些實施例中，基板121的表面被蒸發源1000塗層，該蒸發源在對應至一個基板維度的一個方向中延伸且沿著對應至另一個基板維度的另一個方向平移運動。在蒸發坩鍋1004中產生的蒸氣可向上移動且離開分佈管路1006的一或更多個出口(未顯示)。分佈管路1006的該一或更多個出口可為一或更多個開口或一或更多個噴嘴，該等開口或噴嘴可例如提供於噴淋頭中或另一個蒸氣分佈系統中。蒸發源1000可包含蒸氣分佈噴淋頭，例如，具有複數個噴嘴或開口的線
性蒸氣分佈噴淋頭。如在此理解的噴淋頭可包含具有開口的封閉體，使得該噴淋頭中的壓力高於該噴淋頭的外部，舉例而言至少大一階的規模。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，分佈管路1006可設計為三角形狀，使得該等開口或該等噴嘴陣列可盡可能接近彼此而定位。此舉允許達成不同有機材料的改善混合，例如，對於二、三或甚至更多種不同有機材料的共同蒸發之情況。
依據可與在此描述之其他實施例組合的在此描述之實施例，分佈管路1006的該旋轉可由蒸發器控制殼體的旋轉而提供，至少分佈管路1006係安裝於該蒸發器控制殼體上。額外地或替代地，分佈管路1006的該旋轉可由將蒸發源1000沿著迴圈軌道之彎曲部分移動而提供。作為範例，蒸發坩鍋1004安裝於蒸發器控制殼體上，且蒸發源1000可包含分佈管路1006及蒸發坩鍋1004，該分佈管路與該蒸發坩鍋可兩者，亦即一起，可旋轉地安裝。
某些實作中，用於遮蔽基板121上的該層沉積之遮罩132可提供於基板121與蒸發源1000之間。有機材料從分佈管路1006蒸發並透過遮罩132而沉積於基板121上。依據某些實施例，遮罩132，亦即對應至顯示於第1A至1C圖中之兩個基板121的第一基板之第一遮罩，及對應至兩個基板121之第二基板的第二遮罩係提供於遮罩框架131中以將遮罩132維持在預定位置中。
依據可額外地或替代地實作之又進一步的實施例，
在此描述的蒸發源1000允許在遮罩132位置上的溫度變化，該溫度變化可為，舉例而言，低於凱氏5度，或甚至低於1K。從蒸發源1000至遮罩132的熱傳導之減少可由改善的冷卻而提供。額外地或替代地，例如，當分佈管路1006具有三角形狀時，朝向遮罩132放射的該面積被減少。額外地，金屬板材的堆疊，舉例而言至多10個金屬板材，可被提供以減少從蒸發源1000至遮罩132的熱傳導。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，熱屏蔽或金屬板材可與用於出口或噴嘴的孔口提供，且該等熱屏蔽或金屬板材可被附接至蒸發源1000的至少前側，亦即面向基板121的側面。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，蒸發源1000經配置以用於平移運動，具體而言在處理真空腔室110內。作為範例，處理設備100包含第一驅動器，該第一驅動器經配置以用於蒸發源1000的平移運動。某些實施例中，該第一驅動器可連接至蒸發源1000或係包含於蒸發源1000中。依據某些實施例，支座1002可連接至該第一驅動器或包含該第一驅動器。該第一驅動器可為馬達或另一種合適的致動器。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備100進一步包含蒸發源支撐系統，該蒸發源支撐系統設置於處理真空腔室110中且具有至少兩個軌道220，其中蒸發源支撐系統的至少兩個軌道220經配置以用於至少在處理真空腔室110內的蒸發源1000之平移運動。作為範例，該第一驅動器可經配置以沿著至少兩個軌道220移動
或傳送蒸發源1000。
某些實作中，蒸發源1000在至少兩個軌道220上提供於處理真空腔室110中，該等軌道例如迴圈軌道或線性導軌。至少兩個軌道220經配置以用於蒸發源1000的平移運動，具體而言於例如沉積處理的運作時。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，用於蒸發源1000的該平移運動之該第一驅動器可提供於至少兩個軌道220上、蒸發源1000中、處理真空腔室110內，或其組合。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備100進一步包含另一個真空腔室106，該真空腔室透過閥105連接至處理真空腔室110，其中另一個真空腔室106可舉例而言經配置以用於將基板121傳輸至處理真空腔室110中及離開處理真空腔室110。第1A至1C圖顯示閥105，舉例而言門閥。閥105允許處理真空腔室110與另一個真空腔室106之間的真空密封。閥105可被開啟以用於將基板121及/或遮罩132傳輸至處理真空腔室110中或離開處理真空腔室110。
某些實施例中，維護真空腔室150相鄰於處理真空腔室110而提供，且維護真空腔室150與處理真空腔室110係連接的。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，維護真空腔室150與處理真空腔室110的該連接包含開口152，其中開口152經配置以用於蒸發源1000從處理真空腔室110至維護真空腔室150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室110的傳送。某些實施例中，處理設備100進一步
包含密封裝置(未顯示)，該密封裝置經配置以用於封閉開口152。具體而言，密封裝置經配置以用於幾乎真空密閉地密封開口152。作為範例，密封裝置附接至蒸發源1000，如將參考第4A至4C圖及第5圖而解釋。當開口152由密封裝置封閉或密封時，維護真空腔室150可通風且開啟以在不中斷處理真空腔室110中的該真空下而用於蒸發源1000的維護。
某些範例中，開口152及該密封裝置可包含於閥中，該閥連接處理真空腔室110與維護真空腔室150。該閥可經配置以用於開啟及關閉處理真空腔室110與維護真空腔室150之間的該真空密封。蒸發源1000可在該閥於開啟狀態時傳送至維護真空腔室150。而後，該閥可被關閉以提供處理真空腔室110與維護真空腔室150之間的該真空密封。若該閥為關閉的，則維護真空腔室150可通風且開啟以在不中斷處理真空腔室110中的該真空下而用於蒸發源1000的維護。
某些實作中，進一步的軌道被提供以用於支撐遮罩框架131及/或遮罩132。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備100可在處理真空腔室110中包含四個軌道。為了將遮罩132之其中一個移出處理真空腔室110，舉例而言為了遮罩132的清洗，遮罩框架131及遮罩132可移動至基板121之傳輸軌道上。分別的遮罩框架131則可在用於基板121的傳輸軌道上離開或進入處理真空腔室110。雖然可能為了遮罩框架131而提供進入及離開處理真空腔室110的分離傳輸軌道，但若只有兩個軌道(亦即，用於基板121的傳輸軌道)延伸進出處理真空腔室110，則擁有處理
設備200的支出可被減少，且額外地，遮罩框架131可藉由合適的致動器或機器人而移動至用於基板121之該等傳輸軌道的分別一者上。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，基板121可由基板支座126而支撐，該基板支座連接至對準單元112。對準單元112可調整基板121相對於遮罩132的位置。第1A至1C圖繪示的實施例中，基板支座126連接至對準單元112。基板121可相對於遮罩132而移動，以於該有機材料沉積時提供用於基板121與遮罩132之間的對準。依據可與在此描述之其他實施例組合的進一步實施例，替代地或額外地，遮罩132及/或持定遮罩132的遮罩框架131可連接至對準單元112。遮罩132可相對於基板121定位或者遮罩132及基板121可兩者相對於彼此而定位。對準單元112經配置以調整基板121與遮罩132之間相對於彼此的位置，且允許於沉積處理時的遮罩對準，此舉有益於高品質或OLED顯示器製造。
遮罩132與基板121相對於彼此的對準之範例包含對準單元112，該對準單元經配置以在定義平面的至少兩個方向中用於相對對準，該平面幾乎平行於基板121的平面與遮罩132的平面。舉例而言，對準可至少在x方向及y方向中執行，亦即定義上述平行平面的兩個笛卡爾方向。作為範例，遮罩132與基板121可實質上平行於彼此。該對準可進一步在幾乎垂直於基板121之平面與遮罩132之平面的方向中執行。對準單元112可經配置以至少用於遮罩132與基板121
相對於彼此的X-Y對準，且特別是X-Y-Z對準。作為範例，基板121可在x方向、y方向及z方向中對準至遮罩132，且遮罩132可在處理真空腔室110中維持固定。
如第1A至1C圖中所顯示，至少兩個軌道220，例如線性導軌，在處理真空腔室110內提供蒸發源1000的平移運動之方向。在蒸發源1000的兩個側邊上，分別的遮罩132被提供。遮罩132可實質上平行於該平移運動的該方向而延伸。進一步而言，在蒸發源1000之相對側邊上的基板121亦可實質上平行於該平移運動的該方向而延伸。依據某些實施例，基板121可透過閥105而移動至處理真空腔室110中及離開處理真空腔室110。處理設備100可包含分別的傳輸軌道以用於每個基板121的輸送。舉例而言，傳輸軌道可平行於第1A至1C圖中顯示的基板位置而延伸且進出處理真空腔室110。
處理設備100促成了蒸氣源1000的服務及/或再填充，且可減少該處理設備的停工時間。藉由將維護真空腔室150附接至處理真空腔室110並將蒸發源1000從處理真空腔室110傳送至維護真空腔室150，維護真空腔室150可獨立於處理真空腔室110而通風。蒸發源1000可在例如其耗盡之後被交換或服務，在不將處理設備100之該真空系統通風及/或不停止生產的情況下。
第2圖依據在此描述的進一步實施例顯示用於處理裝置(特別是在其中包含有機材料的裝置)之處理設備200的示意頂視圖。
第2圖的處理設備200類似於上述參考第1A至1C圖的處理設備100，且以下僅描述差異。
處理設備200中，蒸發源1000的蒸發坩鍋1004及分佈管路1006從處理真空腔室110傳送至維護真空腔室150且從維護真空腔室150至處理真空腔室110，其中用於分佈管路1006的支座1002沒有從處理真空腔室110傳送至維護真空腔室150且沒有從維護真空腔室150傳送至處理真空腔室110。換言之，用於分佈管路1006的支座1002維持在處理真空腔室110中，而蒸發源1000的蒸發坩鍋1004及分佈管路1006被傳送。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備200包含傳送裝置(未顯示)，該傳送裝置經配置以用於將蒸發源1000從處理真空腔室110傳送至維護真空腔室150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室110。該傳送裝置可包含位移裝置，例如致動器、驅動器、線性驅動器，或臂，該位移裝置可連接至蒸發源1000以用於執行該傳送。該傳送裝置可額外地或替代地由機器人所提供，該機器人例如具有至少兩個移動方向且可位於該維護模組中。
藉由將支座1002留在處理真空腔室110中，將被服務及/或交換的部分之蒸發源1000可被傳送至維護真空腔室150，其中不被服務及/或交換的部分之蒸發源1000維持在處理真空腔室110中。此舉允許執行該傳送的工作量最小化。
第3A及3B圖依據在此描述的更進一步實施例顯示用於處理裝置(特別是在其中包含有機材料的裝置)之處理設
備300的示意頂視圖。
第3A及3B圖的處理設備300類似於上述參考第1A至1C圖及第2圖的處理設備，且以下僅描述差異。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備300包含蒸發源支撐系統，該蒸發源支撐系統設置於處理真空腔室110中且具有至少兩個軌道220，其中該蒸發源支撐系統的至少兩個軌道220經配置以用於蒸發源1000至少在處理真空腔室110內的平移運動。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，至少兩個軌道220的每一個包含第一軌道區段221及第二軌道區段222，且其中第一軌道區段221及第二軌道區段222可分離。某些實作中，第一軌道區段221經配置可從處理真空腔室110被傳送至維護真空腔室150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室110，例如，與蒸發源1000一起。
某些實作中，蒸發坩鍋1004與分佈管路1006連同第一軌道區段221一起傳送。其他實作中，蒸發坩鍋1004、分佈管路1006及用於分佈管路1006的支座1002係與第一軌道區段221一起傳送。
蒸發源1000在至少兩個軌道220上(例如迴圈軌道或線性導軌)提供於處理真空腔室110中。至少兩個軌道220經配置以用於蒸發源1000的該平移運動，具體而言在例如沉積處理的運作時。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，用於蒸發源1000的該平移運動之該第一驅動器可提供於至少兩個軌道220上，具體而言在第一軌道區段221
上、蒸發源1000中、處理真空腔室110內，或其組合。
依據某些實施例，經配置以用於該蒸發源的該平移運動的該第一驅動器可與蒸發源1000一起從處理真空腔室110傳送至維護真空腔室150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室110。作為範例，該第一驅動器可經配置以用於移動或驅動蒸發源1000及第一軌道區段221從處理真空腔室110至維護真空腔室150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室110。某些範例中，當用於該平移運動之該第一驅動器亦用於該傳送時，不需要為了該蒸發源的傳送而額外提供裝置。
當第一軌道區段221與蒸發源1000一起傳送時，蒸發源1000在從處理真空腔室110至維護真空腔室150的該傳送發生之前不需要從該蒸發源支撐系統去耦合。進一步而言，蒸發源1000在維護真空腔室150至處理真空腔室110的該傳送行使後不需要耦合至該蒸發源支撐系統，節省了時間及工作量。
第4A至4C圖依據在此描述的又更進一步實施例顯示用於處理裝置(特別是在其中包含有機材料的裝置)之處理設備400的示意頂視圖。
第4A至4C圖的處理設備400類似於上述的該等處理設備且以下僅描述差異。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，維護真空腔室150與處理真空腔室110的該連接包含開口(指示於第1至3圖中的參考符號152)，其中該開口經配置以用於蒸發源1000從處理真空腔室110至維護真空腔室
150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室110的傳送。
某些實施例中，處理設備400進一步包含用於封閉該開口的密封裝置410。具體而言，密封裝置410經配置以用於幾乎真空密閉地密封該開口。當該開口關閉或由密封裝置410密封時，維護真空腔室150可被通風及開啟以在不中斷處理真空腔室110中的該真空下而用於蒸發源1000的維護。
某些實作中，密封裝置410附接至，或包含於蒸發源1000。作為範例，密封裝置410可在幾乎垂直定向中安裝至蒸發源1000的側邊，例如在支座1002上。某些實施例中，密封裝置410可為板材，該板材經配置以用於密封或封閉處理真空腔室110與維護真空腔室150之間的該開口。將密封裝置410與蒸發源1000整合允許節省處理真空腔室110及/或維護真空腔室150內的空間。
依據某些實施例，蒸發源1000可相對於密封裝置410移動。作為範例，至少分佈管路1006及蒸發坩鍋1004可相對於密封裝置410移動。某些實作中，處理設備400可包含連接裝置420，該連接裝置連接蒸發源1000及密封裝置410。連接裝置420可經配置以提供蒸發源1000與密封裝置410之間的可移動連接。作為範例，密封裝置410可包含二或更多個由鉸鏈連接的臂部分，以提供該可移動連接。
某些實作中，連接裝置420可為平移裝置，該平移裝置經配置以用於將密封裝置410相對於蒸發源1000，且具體而言相對於分佈管路1006及蒸發坩鍋1004而移動。為了關閉該開口，蒸發源1000可合適地定位於處理真空腔室110
或維護真空腔室150內，且該平移裝置可將密封裝置410相對於蒸發源1000朝向該開口移動，以幾乎真空密閉地封閉或密封該開口。密封裝置410於從維護真空腔室150傳送至處理真空腔室110時係相對於蒸發源1000而固定，且反之亦然。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備400包含提供於維護真空腔室150中的可旋轉裝置430。可旋轉裝置430可經配置以用於接收蒸發源1000及/或第一軌道區段(指示於第3A及3B圖中的參考符號221)。作為範例，可旋轉裝置430可為可旋轉平台。
參考第4A圖，顯示了兩個蒸發源1000。兩個蒸發源的第一蒸發源定位於處理真空腔室110中，且該兩個蒸發源的第二蒸發源定位於維護真空腔室150中。作為範例，該兩個蒸發源的該第二蒸發源可定位於可旋轉裝置430上。
如第4B圖中所顯示，例如將被服務或交換的該第一蒸發源可從處理真空腔室110傳送至維護真空腔室150，且具體而言至可旋轉裝置430上。作為範例，該第一蒸發源及該第二蒸發源可背對背定位於可旋轉裝置430上，例如，該第一蒸發源及該第二蒸發源的密封裝置可朝向彼此定向。換言之，兩個密封裝置可定位或夾在該第一蒸發源及該第二蒸發源之間。
當兩個蒸發源(亦即該第一蒸發源及該第二蒸發源)定位於可旋轉裝置430上時，可旋轉裝置430被旋轉，例如大約180度，使得該第一蒸發源及該第二蒸發源交換位置。第4B圖中，該旋轉以箭頭指示。接著，該第二蒸發源可傳送
至處理真空腔室110且連接處理真空腔室110與維護真空腔室150的該開口可被密封，例如，藉由該第二蒸發源的密封裝置410。維護真空腔室150可通風以用於該第一蒸發源的服務或移除。此舉允許在不需要中斷處理真空腔室110中的該真空下而交換蒸發源。
第5圖依據在此描述的實施例顯示用於處理裝置(特別是在其中包含有機材料的裝置)之處理設備500的示意頂視圖。
第5圖的處理設備500類似於上述參考第4A至4C圖的該處理設備，且以下僅描述差異。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備500包含蒸發源支撐系統，該蒸發源支撐系統設置於處理真空腔室110中且具有至少兩個軌道220，其中該蒸發源支撐系統的至少兩個軌道220經配置以用於至少在處理真空腔室110內的蒸發源1000之移動。至少兩個軌道220的每一個包含第一軌道區段221及第二軌道區段222，其中第一軌道區段221及第二軌道區段222可分離。某些實作中，第一軌道區段221經配置與蒸發源1000一起從處理真空腔室110傳送至維護真空腔室150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室110。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，維護真空腔室150與處理真空腔室110的該連接包含開口，該開口經配置以用於蒸發源1000從處理真空腔室110至維護真空腔室150，及從維護真空腔室150至處理真空腔室
110的傳送。
某些實施例中，處理設備500進一步包含密封裝置510，該密封裝置經配置以用於封閉該開口。某些實作中，密封裝置510附接至蒸發源1000。密封裝置510可為板材，該板材經配置以用於密封處理真空腔室110與維護真空腔室150之間的該開口。
依據某些實施例，蒸發源1000可相對於密封裝置510移動。作為範例，處理設備500可包含連接裝置520，該連接裝置連接蒸發源1000與密封裝置510。作為範例，連接裝置520經配置以用於導引密封裝置510相對於蒸發源1000的該平移運動。額外地或替代地，連接裝置520可提供或容納用於蒸發源1000的媒介供應。作為範例，連接裝置520可為臂，具體而言為被動臂。某些實施例中，至少部分的連接裝置520提供大氣環境以防止任何該媒介供應上的粒子撞擊。作為範例，該大氣環境可提供於連接裝置520內，且可具體而言提供於該臂內。
某些實作中，該臂可包含二或更多個臂部分，該等臂部分藉由分別的鉸鏈連接以允許蒸發源1000與密封裝置510之間的該相對移動。作為範例，連接裝置520包含第一臂532及第二臂534。第一臂532具有連接至蒸發源1000的第一端點部分及第二端點部分，該第二端點部分透過鉸鏈536連接至第二臂534之第三端點部分。第二臂534具有連接至處理真空腔室110及/或維護真空腔室150的第四端點部分。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施
例，處理設備500包含提供於維護真空腔室150內的可旋轉裝置530。可旋轉裝置530可經配置以用於接收蒸發源1000及/或第一軌道區段221。作為範例，可旋轉裝置530可為可旋轉平台。某些實施例中，處理設備500包含驅動器，該驅動器經配置以用於驅動或旋轉可旋轉裝置530。該驅動器可透過軸桿(例如中空軸桿)而連接至可旋轉裝置530。
依據某些實施例，可旋轉裝置530經配置以支撐二或更多個蒸發源。作為範例，例如將被服務或交換的第一蒸發源可從處理真空腔室110被傳送至維護真空腔室150，且具體而言至可旋轉裝置530上。第二蒸發源，例如已被服務或新的蒸發源，亦可被提供於可旋轉裝置530上。當兩個蒸發源，亦即該第一蒸發源及該第二蒸發源，被定位於可旋轉裝置530上時，可旋轉裝置530旋轉例如大約180度，使得該第一蒸發源及該第二蒸發源交換位置。接著，該第二蒸發源可傳送至處理真空腔室110中，且連接處理真空腔室110與維護真空腔室150的該開口可被密封，例如，藉由該第二蒸發源的密封裝置510。維護真空腔室150可被通風以用於該第一蒸發源的服務或移除，例如藉由開啟維護真空腔室150的門154。此舉允許在不中斷處理真空腔室110中的該真空下而交換蒸發源。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，蒸發源1000包含致動器，舉例而言扭矩馬達、電動轉子或氣動轉子。該致動器可透過真空旋轉饋通而提供扭矩，舉例而言鐵磁流體密封的旋轉饋通。該致動器經配置以繞軸旋
轉至少分佈管路1006，該軸實質上為垂直的。蒸發源1000包含支座1002，該支座可舉例而言收容該致動器與該饋通。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，蒸發源1000進一步包含蒸發器控制殼體。該蒸發器控制殼體可為大氣盒，亦即經配置以在其中維持大氣壓力的盒子，即使於處理真空腔室110抽空至技術上真空時。舉例而言，從包括開關、閥、控制器、冷卻單元及冷卻控制單元的群組所選擇的至少一個元件可提供於該蒸發器控制殼體中。支座1002進一步支撐蒸發坩鍋1004及分佈管路1006。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，處理設備500可包含供應通道，例如，供應線路。該供應通道可經配置以用於供應蒸發源1000，例如經由電子連接及/或如流體(例如水)及/或氣體的媒介。該供應通道可經配置以用於導引一或更多個線路及/或纜線通過其中，例如水供應線路、氣體供應線路及/或電纜。某些實作中，該供應通道具有大氣環境，亦即該供應通道可經配置以在其中維持大氣壓力，即使例如處理真空腔室110及/或維護真空腔室150的環境係抽空至技術上真空。作為範例，該供應通道可包含連接裝置520的至少一部分。
某些實作中，該供應通道從蒸發源1000延伸至饋通，該饋通提供於處理真空腔室110與維護真空腔室150之間。作為範例，該饋通可提供於密封裝置510或壁部分之中或之上，該壁部分分離處理真空腔室110與維護真空腔室150。依據某些實施例，該供應通道透過蒸發器控制殼體(可為
大氣盒)與連接裝置520的其中至少一者而從蒸發源1000延伸至該饋通。
某些實施例中，該供應通道從維護真空腔室150的外側延伸至該維護真空腔室中，例如透過可旋轉裝置530的該驅動器之中空軸桿，且進入可旋轉裝置530的中間空間或底部。該供應通道可進一步從可旋轉裝置530的該中間空間或底部延伸，例如透過如波狀軟管的線路，至提供於密封裝置510之中或之上的大氣盒。該大氣盒可包含於附接至密封裝置510的「背包」中。上述的饋通可提供於該大氣盒之中或之上，該大氣盒提供於密封裝置510之中或之上。作為範例，提供於密封裝置510之中或之上的該大氣盒可經配置成為該饋通。該供應通道可進一步從提供於密封裝置510之中或之上的該大氣盒透過連接裝置520而延伸至該蒸發器控制殼體。該供應通道接著可從該蒸發器控制殼體延伸至蒸發源1000，例如通過該致動器的中空軸桿至蒸發源1000的大氣盒，該致動器經配置以至少旋轉分佈管路1006。
依據一個實施例，用於處理裝置(特別是在其中包含有機材料的裝置)之處理設備被提供。該處理設備包含處理真空腔室及至少一個用於材料的蒸發源，其中該至少一個蒸發源包含至少一個蒸發坩鍋及具有一或更多個出口的至少一個分佈管路，其中該至少一個蒸發坩鍋經配置以蒸發該材料，且其中該至少一個分佈管路與該至少一個蒸發坩鍋流體溝通。該處理設備具有在該蒸發源之中或之上的大氣盒，該大氣盒經配置以用於至該蒸發源的媒介供應。該處理設備進一
步包含連接裝置，該連接裝置經配置以用於從該大氣盒至該處理設備外側的大氣之媒介供應。舉例而言，該處理設備進一步包含與該處理真空腔室連接的維護真空腔室。該連接裝置可提供從該處理真空腔室中之大氣盒至該維護真空腔室的大氣路徑，例如，至該維護真空腔室中的進一步之大氣盒。依據更進一步的選擇修改，從該進一步之大氣盒至該維護真空腔室之外側(亦即該處理設備之外側)的進一步之大氣路徑可被提供。依據某些實施例，在此揭示中描述的進一步之變化、特徵、態樣及細節可與包含該大氣盒的該處理設備結合。
依據本揭示的一個態樣，該處理設備包含處理真空腔室；用於有機材料或非有機材料(例如Ag、Mg或類者)的至少一個蒸發源，其中該至少一個蒸發源包含至少一個蒸發坩鍋，其中該蒸發坩鍋經配置以蒸發該有機材料或非有機材料(例如Ag、Mg或類者)，及具有一或更多個出口的至少一個分佈管路，其中該至少一個分佈管路與該至少一個蒸發坩鍋流體溝通；及與該處理真空腔室連接的維護真空腔室，其中該至少一個蒸發源可從該處理真空腔室傳送至該維護真空腔室，及從該維護真空腔室至該處理真空腔室，其中該維護真空腔室與該處理真空腔室的該連接包含開口，其中該開口經配置以用於該至少一個蒸發源從該處理真空腔室至該維護真空腔室的該傳送，及從該維護真空腔室至該處理真空腔室的該傳送，其中該處理設備進一步包含密封裝置，該密封裝置經配置以用於封閉該開口，且其中該密封裝置附接至該至少一個蒸發源。
第6A至6C圖依據在此描述的實施例顯示部分的蒸發源1000。蒸發源1000可包含分佈管路1006及蒸發坩鍋1004，如第6A圖中所顯示。舉例而言，分佈管路1006可為具有第一加熱單元615的延長方體。蒸發坩鍋1004可為用於將被第二加熱單元625蒸發之該有機材料的儲存器。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，分佈管路1006提供接線源。舉例而言，複數個開口及/或出口，例如噴嘴，係沿著至少一個接線安排。依據替代實施例，沿著該至少一個接線延伸的一個延長開口可被提供。舉例而言，該延長開口可為狹縫。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，該接線實質上垂直延伸。舉例而言，分佈管路1006的長度至少對應至將儲放於本實施例之該處理設備中的該基板之該高度。某些案例中，分佈管路1006的長度可比將儲放之該基板的該高度更長至少10%或甚至20%。在基板之該上端點及/或該基板的該下端點的均勻沉積可被提供。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，分佈管路1006的該長度可為1.3m或更長，舉例而言2.5m或更長。依據一個配置，如第2A圖中所顯示，蒸發坩鍋1004提供於分佈管路1006的該下端點。該有機材料在蒸發坩鍋1004中蒸發。有機材料的蒸氣從分佈管路1006的底部進入分佈管路1006且實質上側向導引通過分佈管路1006中的該複數個開口，例如，朝向實質上垂直的基板。
依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，出口(例如噴嘴)經安排而具有水平+- 20°的主要蒸發方
向。依據某些特定實施例，該蒸發方向可稍微向上定向，例如從水平至15°向上的範圍中，例如3°至7°向上。該基板可稍微傾斜以幾乎垂直於該蒸發方向且不期望的粒子產生可被減少。為了例示目的，蒸發坩鍋1004及分佈管路1006在第6A圖中顯示為不具有熱屏蔽。作為範例，第一加熱單元615及第二加熱單元625可在第6A圖中所顯示的該示意透視圖中所見。
第6B圖顯示部分蒸發源1000的放大示意圖，其中分佈管路1006連接至蒸發坩鍋1004。凸緣單元603被提供，該凸緣單元經配置以提供蒸發坩鍋1004與分佈管路1006之間的連接。作為範例，蒸發坩鍋1004及分佈管路1006係提供為分離單元，該等分離單元可在凸緣單元603處被分離及連接或組合，例如為了該蒸發源的運作。
分佈管路1006具有內部中空空間610。第一加熱單元615被提供以加熱分佈管路1006。作為範例，分佈管路1006可加熱至一溫度，使得蒸發坩鍋1004提供的該有機材料之該蒸氣不在分佈管路1006的該壁之內部部分上冷凝。二或更多個熱屏蔽617提供於分佈管路1006的該管路周圍。該等熱屏蔽經配置以將第一加熱單元615的熱能量反射朝向回中空空間610。有鑑於此，加熱分佈管路1006所需要的能量，亦即提供至第一加熱單元615的能量可被減少，因為熱屏蔽617減少了熱損失。進一步而言，至其他分佈管路及/或至該遮罩或基板的熱傳送可減少。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，該二或更多個熱屏蔽617可包含二或更多
個熱屏蔽層，例如，五或更多個熱屏蔽層，例如十個熱屏蔽層。
例如第6B圖中顯示的某些範例中，二或更多個熱屏蔽617包含定位於分佈管路1006中之該開口或出口612的開口。第6B圖中顯示的該蒸發源之放大視圖顯示了四個開口或出口612。開口或出口612可沿著一或更多個接線而提供，該等接線實質上平行於分佈管路1006的軸。如在此所述，分佈管路1006可提供為線性分佈噴淋頭，舉例而言，具有設置於其中的複數個開口。如在此理解的噴淋頭具有封閉體、中空空間或管路，其中該材料可被提供或導引，舉例而言從蒸發坩鍋1004。該噴淋頭可具有複數個開口(或延長狹縫)使得該噴淋頭內的該壓力係高於該噴淋頭的外側。舉例而言，該噴淋頭內的該壓力可比該噴淋頭外側的壓力高至少一階大小。
於運作時，分佈管路1006於凸緣單元603連接至蒸發坩鍋1004。蒸發坩鍋1004經配置以接收將被蒸發的有機材料並蒸發該有機材料。第6B圖顯示通過蒸發坩鍋1004之殼體的剖面。再填充開口被提供，舉例而言在蒸發坩鍋1004的上部分，該再填充開口可利用插座622、蓋子、遮罩或類者而封閉，以用於封閉蒸發坩鍋1004的封閉體。
第二加熱單元625，例如外部加熱單元，可提供於蒸發坩鍋1004的該封閉體中。第二加熱單元625可至少沿著蒸發坩鍋1004的壁之一部分而延伸。依據可與在此描述之其他實施例組合的某些實施例，一或更多個中央加熱元件626可被提供。第6B圖顯示兩個中央加熱元件626。中央加熱元
件626可包含導體629以用於提供電力給中央加熱元件626。依據某些實作，蒸發坩鍋1004可進一步包含屏蔽627。屏蔽627可經配置以將第二加熱單元625及中央加熱元件626(若存在的話)提供的熱能量反射回蒸發坩鍋1004的該封閉體中。蒸發坩鍋1004內的該有機材料之有效加熱可被提供。
依據某些實施例，如關於第6A至6B圖範例顯示，蒸發坩鍋1004提供於分佈管路1006的下側。依據可與在此描述之其他實施例組合的更進一步之實施例，蒸氣導管632可在分佈管路1006的中央部分或分佈管路1006之下端點與分佈管路1006之上端點之間的另一個位置而提供至分佈管路1006。第6C圖繪示蒸發源之範例，該蒸發源具有分佈管路1006與蒸氣導管632提供於分佈管路1006之該中央部分。有機材料的蒸氣產生於蒸發坩鍋1004中且導引通過蒸氣導管632至分佈管路1006的該中央部分。該蒸氣通過複數個開口或出口612而離開分佈管路1006。分佈管路1006由支座1002所支撐，如關於在此描述的其他實施例所述。依據可與在此描述之其他實施例組合的更進一步之實施例，二或更多個蒸氣導管632可提供於沿著分佈管路1006之長度的不同位置。作為範例，蒸氣導管632可為連接至一個蒸發坩鍋1004或連接至多個蒸發坩鍋1004。作為範例，每個蒸氣導管632可具有對應的蒸發坩鍋1004。替代地，蒸發坩鍋1004可與二或更多個蒸氣導管632流體連接，該等蒸氣導管與分佈管路1006連接。
在此描述的實施例可利用於大面積基板上的蒸發。
依據某些實施例，大面積基板可具有至少0.67m2的尺寸。通常，該尺寸可為大約0.67m2(0.73 x 0.92m-Gen 4.5)至大約8m2，更通常為大約2m2至大約9m2或甚至高達12m2。例如，大面積基板或載體可為對應至大約0.67m2基板(0.73m x 0.92m)的GEN 4.5、對應至大約1.4m2基板(1.1m x 1.3m)的GEN 5、對應至大約4.29m2基板(1.95m x 2.2m)的GEN 7.5、對應至大約5.7m2基板(2.2m x 2.5m)的GEN 8.5，或甚至對應至大約8.7m2基板(2.85m x 3.05m)的GEN 10。如GEN 11及GEN 12之甚至更大的世代及對應的基板面積可類似地被實作。
第7圖依據在此描述的實施例顯示方法700的流程圖，該方法用於將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室或從該維護真空腔室至該處理真空腔室。
依據本揭示的一個態樣，方法700包含方塊710，方塊710通過提供於該處理真空腔室與該維護真空腔室之間的開口，將該蒸發源的蒸發坩鍋及分佈管路從該處理真空腔室移動至該維護真空腔室，及從該維護真空腔室至該處理真空腔室。
依據某些實作，方法700進一步包含，在方塊720中，透過該開口，將設置於該處理真空腔室中的蒸發源支撐系統之軌道的兩個軌道區段之第一軌道區段連同該蒸發源的該蒸發坩鍋及該分佈管路一起從該處理真空腔室移動至該維護真空腔室，或從該維護真空腔室至該處理真空腔室；及/或藉由附接至該蒸發源的密封裝置而密封該開口。
依據在此描述的實施例，用於將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室，或從該維護真空腔室至該處理真空腔室的方法可藉由電腦程式、軟體、電腦軟體產品及相關控制器的構件而執行，該等相關控制器可具有CPU、記憶體、使用者介面及輸入及輸出構件，該等輸入及輸出構件與用於處理大面積基板的相應元件溝通。
雖然前述係針對本揭示的實施例，本揭示其他及進一步的實施例可在不背離本揭示基本範疇的情況下設計，且本揭示的範疇係取決於以下的請求項。
100‧‧‧處理設備
105‧‧‧閥
106‧‧‧真空腔室
110‧‧‧處理真空腔室
112‧‧‧對準單元
121‧‧‧基板
126‧‧‧基板支座
131‧‧‧遮罩框架
132‧‧‧遮罩
150‧‧‧維護真空腔室
152‧‧‧開口
220‧‧‧軌道
1000‧‧‧蒸發源
1002‧‧‧支座
1004‧‧‧蒸發坩鍋
1006‧‧‧分佈管路
Claims (20)
- 一種用於處理裝置的處理設備，該處理設備包括：一處理真空腔室；用於一材料的至少一個蒸發源，其中該至少一個蒸發源包括：至少一個蒸發坩鍋，其中該至少一個蒸發坩鍋經配置以蒸發該材料；及具有一或更多個出口的至少一個分佈管路，其中該至少一個分佈管路與該至少一個蒸發坩鍋流體溝通並提供幾乎垂直延伸的一線源；該處理設備進一步包括：與該處理真空腔室連接的一維護真空腔室，其中該至少一個蒸發源可從該處理真空腔室傳送至該維護真空腔室及從該維護真空腔室至該處理真空腔室。
- 如請求項1所述之處理設備，其中該至少一個蒸發源包含用於該分佈管路的一支座。
- 如請求項2所述之處理設備，其中該支座可連接至一第一驅動器或包含該第一驅動器，其中該第一驅動器經配置以用於該蒸發源的一平移運動。
- 如請求項3所述之處理設備，其中該第一驅動器經配置以用於該處理真空腔室內的該蒸發源之該平移運動。
- 如請求項2所述之處理設備，其中該蒸發源的該蒸發坩鍋與該分佈管路可從該處理真空腔室傳送至該維護真空腔室及從該維護真空腔室至該處理真空腔室，且其中用於該分佈管路的該支座不從該處理真空腔室傳送至該維護真空腔室及不從該維護真空腔室傳送至該處理真空腔室。
- 如請求項3所述之處理設備，其中該蒸發源的該蒸發坩鍋與該分佈管路可從該處理真空腔室傳送至該維護真空腔室及從該維護真空腔室至該處理真空腔室，且其中用於該分佈管路的該支座不從該處理真空腔室傳送至該維護真空腔室及不從該維護真空腔室傳送至該處理真空腔室。
- 如請求項1至6其中一項所述之處理設備，其中該維護真空腔室與該處理真空腔室的該連接包含一開口，其中該開口經配置以用於該蒸發源從該處理真空腔室至該維護真空腔室的該傳送，及從該維護真空腔室至該處理真空腔室的該傳送。
- 如請求項7所述之處理設備，進一步包含一密封裝置，該密封裝置經配置以用於封閉該開口。
- 如請求項8所述之處理設備，其中該密封裝置經配置以用於幾乎真空密閉地密封該開口。
- 如請求項8所述之處理設備，其中該密封裝置附接至該至少一個蒸發源。
- 如請求項8所述之處理設備，其中至少該分佈管路及該蒸發坩鍋可相對於該密封裝置而移動。
- 如請求項1至6其中一項所述之處理設備，進一步包含一蒸發源支撐系統，該蒸發源支撐系統設置於該處理真空腔室中且具有至少兩個軌道，其中該蒸發源支撐系統的該至少兩個軌道經配置以用於至少在該處理真空腔室內的該蒸發源之一平移運動。
- 如請求項12所述之處理設備，其中該至少兩個軌道的每一者包含一第一軌道區段及一第二軌道區段，且其中該第一軌道區段及該第二軌道區段可分離。
- 如請求項13所述之處理設備，其中該第一軌道區段經配置以可與該蒸發源一起從該處理真空腔室傳送至該維護真空腔室，及從該維護真空腔室至該處理真空腔室。
- 如請求項1至6其中一項所述之處理設備，其中該處理設備經配置以用於處理在其中包含有機材料的裝置。
- 如請求項1至6其中一項所述之處理設備，進一步包含另一個真空腔室，該真空腔室透過一閥連接至該處理真空腔室，其中該進一步的真空腔室經配置以用於一基板進入該處理真空腔室及離開該處理真空腔室的傳送。
- 一種用於處理在其中包含有機材料之裝置的處理設備，該處理設備包括：一處理真空腔室；用於一材料的至少一個蒸發源，其中該至少一個蒸發源包括：至少一個蒸發坩鍋，其中該至少一個蒸發坩鍋經配置以蒸發該材料；及具有一或更多個出口的至少一個分佈管路，其中該至少一個分佈管路與該至少一個蒸發坩鍋流體溝通；該處理設備進一步包括：與該處理真空腔室連接的一維護真空腔室，其中該至少一個蒸發源可從該處理真空腔室傳送至該維護真空腔室及從該維護真空腔室至該處理真空腔室；其中該維護真空腔室與該處理真空腔室的該連接包含一開口，其中該開口經配置以用於該至少一個蒸發源從該處理真空腔室至該維護真空腔室的該傳送，及從該維護真空腔室至該處理真空腔室的該傳送，其中該開口可由一密封裝置封閉，且其中該密封裝置附接至該至少一個蒸發源。
- 一種用於將一蒸發源從一處理真空腔室傳送至一維護真空腔室，或從該維護真空腔室傳送至該處理真空腔室的方法，該方法包括以下步驟：透過提供於該處理真空腔室與該維護真空腔室之間的一開口，將該蒸發源的一蒸發坩鍋及一分佈管路從該處理真空腔室傳送至該維護真空腔室，或從該維護真空腔室傳送至該處理真空腔室，該分佈管路提供幾乎垂直延伸的一線源。
- 如請求項18所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：透過該開口，將設置於該處理真空腔室中的一蒸發源支撐系統之一軌道的兩個軌道區段之一第一軌道區段連同該蒸發源的該蒸發坩鍋及該分佈管路一起從該處理真空腔室移動至該維護真空腔室，或從該維護真空腔室移動至該處理真空腔室。
- 如請求項18或19所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：利用附接至該蒸發源的一密封裝置而密封該開口。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/EP2013/076120 WO2015086049A1 (en) | 2013-12-10 | 2013-12-10 | Evaporation source for organic material, apparatus having an evaporation source for organic material, system having an evaporation deposition apparatus with an evaporation source for organic materials, and method for operating an evaporation source for organic material |
| PCT/EP2014/067673 WO2015086168A1 (en) | 2013-12-10 | 2014-08-19 | A processing apparatus for processing devices, particularly devices including organic materials therein, and method for transferring an evaporation source from a processing vacuum chamber to a maintenance vacuum chamber or from the maintenance vacuum chamber to the processing vacuum chamber |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201528411A TW201528411A (zh) | 2015-07-16 |
| TWI604553B true TWI604553B (zh) | 2017-11-01 |
Family
ID=49753180
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103141635A TWI604553B (zh) | 2013-12-10 | 2014-12-01 | 一種用於處理裝置的處理設備，尤指其中包含有機材料的裝置，及一種用於將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室，或從維護真空腔室傳送至處理真空腔室之方法 |
| TW106132201A TWI611497B (zh) | 2013-12-10 | 2014-12-01 | 一種用於處理裝置的處理設備，尤指其中包含有機材料的裝置，及一種用於將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室，或從維護真空腔室傳送至處理真空腔室之方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106132201A TWI611497B (zh) | 2013-12-10 | 2014-12-01 | 一種用於處理裝置的處理設備，尤指其中包含有機材料的裝置，及一種用於將蒸發源從處理真空腔室傳送至維護真空腔室，或從維護真空腔室傳送至處理真空腔室之方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20170005297A1 (zh) |
| EP (2) | EP3080327A1 (zh) |
| JP (2) | JP6328766B2 (zh) |
| KR (3) | KR101920333B1 (zh) |
| CN (3) | CN106995911B (zh) |
| TW (2) | TWI604553B (zh) |
| WO (2) | WO2015086049A1 (zh) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2013
- 2013-12-10 EP EP13802641.4A patent/EP3080327A1/en not_active Withdrawn
- 2013-12-10 KR KR1020167018445A patent/KR101920333B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-10 US US15/100,282 patent/US20170005297A1/en not_active Abandoned
- 2013-12-10 JP JP2016537004A patent/JP6328766B2/ja active Active
- 2013-12-10 CN CN201710018205.6A patent/CN106995911B/zh active Active
- 2013-12-10 CN CN201380081500.6A patent/CN105814231B/zh active Active
- 2013-12-10 WO PCT/EP2013/076120 patent/WO2015086049A1/en active Application Filing
- 2013-12-10 EP EP17150278.4A patent/EP3187618A1/en not_active Withdrawn
- 2013-12-10 KR KR1020177000782A patent/KR101927925B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-08-19 JP JP2016537025A patent/JP6568853B2/ja active Active
- 2014-08-19 CN CN201480066877.9A patent/CN106068334B/zh active Active
- 2014-08-19 KR KR1020167018525A patent/KR101903139B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-19 US US15/039,397 patent/US20190032194A2/en not_active Abandoned
- 2014-08-19 WO PCT/EP2014/067673 patent/WO2015086168A1/en active Application Filing
- 2014-12-01 TW TW103141635A patent/TWI604553B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-12-01 TW TW106132201A patent/TWI611497B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20190032194A2 (en) | 2019-01-31 |
| US20170005297A1 (en) | 2017-01-05 |
| TWI611497B (zh) | 2018-01-11 |
| WO2015086049A1 (en) | 2015-06-18 |
| CN105814231B (zh) | 2020-03-06 |
| TW201802994A (zh) | 2018-01-16 |
| JP2017500447A (ja) | 2017-01-05 |
| CN106995911B (zh) | 2020-07-31 |
| KR20170007545A (ko) | 2017-01-18 |
| CN106995911A (zh) | 2017-08-01 |
| KR101903139B1 (ko) | 2018-10-01 |
| TW201528411A (zh) | 2015-07-16 |
| CN106068334A (zh) | 2016-11-02 |
| KR20160098342A (ko) | 2016-08-18 |
| EP3187618A1 (en) | 2017-07-05 |
| US20170022601A1 (en) | 2017-01-26 |
| CN106068334B (zh) | 2018-11-13 |
| CN105814231A (zh) | 2016-07-27 |
| WO2015086168A8 (en) | 2016-06-09 |
| JP6328766B2 (ja) | 2018-05-23 |
| EP3080327A1 (en) | 2016-10-19 |
| KR101927925B1 (ko) | 2018-12-11 |
| KR20160098333A (ko) | 2016-08-18 |
| WO2015086168A1 (en) | 2015-06-18 |
| JP2017500446A (ja) | 2017-01-05 |
| JP6568853B2 (ja) | 2019-08-28 |
| KR101920333B1 (ko) | 2018-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |