JP2019508571A - 材料堆積装置、真空堆積システム、及び真空堆積を行う方法 - Google Patents

材料堆積装置、真空堆積システム、及び真空堆積を行う方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019508571A
JP2019508571A JP2017537292A JP2017537292A JP2019508571A JP 2019508571 A JP2019508571 A JP 2019508571A JP 2017537292 A JP2017537292 A JP 2017537292A JP 2017537292 A JP2017537292 A JP 2017537292A JP 2019508571 A JP2019508571 A JP 2019508571A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
deposition
deposition apparatus
substrate
evaporated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2017537292A
Other languages
English (en)
Inventor
シュリーニヴァース サルグ,
シュリーニヴァース サルグ,
シュテファン バンゲルト,
シュテファン バンゲルト,
シュテファン ケラー,
シュテファン ケラー,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2019508571A publication Critical patent/JP2019508571A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C23C14/543Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)

Abstract

真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積させるための材料堆積装置(100)が記載されている。材料堆積装置は、少なくとも1つの材料堆積源を備え、少なくとも1つの材料堆積源は、材料を蒸発させるように構成されたるつぼ(110)と、るつぼに接続され、蒸発させた材料を基板へ供給するように構成された分配アセンブリ(120)と、るつぼ(110)から分配アセンブリ(120)への蒸発させた材料の流れを制御するように構成されたバルブ(130)とを備える。
【選択図】図1

Description

[0001]本開示の実施形態は具体的に、基板に一又は複数の層、具体的には内部に有機材料を含む層を堆積させるための堆積装置に関する。具体的には、本開示の実施形態は、特にOLED製造のための真空堆積チャンバ、真空堆積システム、及び真空堆積を行う方法で、基板に蒸発させた材料を堆積させるための材料堆積装置に関する。
[0002]有機蒸発器は、有機発光ダイオード(OLED)の生産用ツールである。OLEDは、特殊な発光ダイオードであり、その中で発光層がある有機化合物の薄膜を含んでいる。有機発光ダイオード(OLED)は、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の手持ちデバイスなどの製造時に使用される。OLEDはまた、一般的な空間照明にも使用することができる。OLEDピクセルは直接発光し、バックライトを必要としないので、OLEDディスプレイで可能な色、輝度、及び視野角の範囲は従来のLCDディスプレイの範囲よりも広い。したがって、OLEDディスプレイのエネルギー消費は、従来のLCDディスプレイのエネルギー消費よりもかなり少ない。更に、OLEDをフレキシブル基板上に製造することができるという事実により、更なる用途が得られる。
[0003]OLEDの機能は、有機材料のコーティング厚さによって変化する。この厚さは、所定範囲内でなければならない。OLEDの生産においては、高解像度OLED機器を達成するための蒸発させた材料の堆積に対し、技術的な問題がある。
[0004]したがって、改善された材料堆積装置、真空堆積システム及び真空堆積を行う方法、堆積率制御システム、蒸発器、及び堆積装置の提供に対する、継続的な需要がある。
[0005]上記に照らして、独立請求項による材料堆積装置、真空堆積システム及び基板に材料を堆積させる方法が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、特許請求の範囲、明細書、及び添付図面から明らかになる。
[0006]本開示の一態様によれば、真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積させるための材料堆積装置が提供される。材料堆積装置は、材料を蒸発させるように構成されたるつぼと、るつぼに接続され、蒸発させた材料を基板へ供給するように構成された分配アセンブリと、るつぼから分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御するように構成されたバルブとを有する少なくとも1つの材料堆積源を含む。
[0007]本開示の別の態様によれば、第1の堆積源と第2の堆積源とを含む、真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積させるための材料堆積装置が提供される。第1の堆積源は、第1の材料を蒸発させるように構成された第1のるつぼと、蒸発させた第1の材料を基板へ供給するように構成された第1の分配アセンブリと、第1のるつぼから第1の分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御するように構成された第1のバルブとを含む。第2の堆積源は、第2の材料を蒸発させるように構成された第2のるつぼと、蒸発させた第2の材料を基板へ供給するように構成された第2の分配アセンブリと、第2のるつぼから第2の分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御するように構成された第2のバルブとを含む。
[0008]本開示の更に別の態様によれば、真空堆積システムが提供される。真空堆積システムは、真空堆積チャンバと、真空堆積チャンバ内の、本書に記載される実施形態のいずれかによる材料堆積装置と、材料の堆積中に基板を支持するように構成された基板支持体とを含む。
[0009]本開示の別の態様によれば、真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積させるように構成された材料堆積装置を操作する方法が提供される。本方法は、分配アセンブリに接続されたるつぼにおいて堆積させる材料を蒸発させることと、るつぼから分配アセンブリへ蒸発させた材料を供給することとを含み、るつぼから分配アセンブリへ蒸発させた材料を供給することは、るつぼから少なくとも1つの分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御することを含む。
[0010]実施形態は、開示される方法を実施するための装置も対象としており、記載される各方法態様を実行するための装置部分を含む。これらの方法態様は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの2つの任意の組合せによって、又はそれ以外の任意の態様で、実行されうる。更に、本開示による実施形態は、記載される装置を操作する方法も対象とする。記載される装置を操作する方法は、装置のあらゆる機能を実施するための方法態様を含む。
[0011]本開示の上述の特徴を細部まで理解しうるように、実施形態を参照することによって、上記に簡単に要約されている本開示のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は本開示の実施形態に関し、以下に記載される。
本書に記載される実施形態に係る材料堆積装置の概略側面断面図である。 本書に記載される別の実施形態に係る材料堆積装置の概略側面断面図である。 本書に記載される実施形態に係る材料堆積装置の上部の詳細を示す概略側面断面図である。 本書に記載される実施形態に係る材料堆積装置の下部の詳細を示す概略側面断面図である。 本書に記載される別の実施形態に係る材料堆積装置の上部の詳細を示す概略側面断面図である。 本書に記載される実施形態に係る連結装置を含む図4の断面図である。 閉じた状態のバルブを有する、本書に記載される実施形態に係る材料堆積装置の下部の概略等角断面図である。 開いた状態のバルブを有する、本書に記載される実施形態に係る材料堆積装置の下部の概略等角断面図である。 本書に記載される別の実施形態に係る材料堆積装置を示す概略側面図である。 図7Aに例示的に示す本書に記載される別の実施形態に係る材料堆積装置をより詳細に示す概略上面断面図である。 開いた状態のバルブを有する、本書に記載される実施形態に係る真空堆積を示す概略図である。 本書に記載される実施形態に係る材料堆積装置を操作する方法を示すフロー図である。
[0012]次に、各図面に一または複数の実施例が示されている様々な実施形態を細部にわたり参照する。各実施例は単なる説明として提示されており、限定を意味するものではない。例えば、一実施形態の一部として図示又は説明される特徴は、他の任意の実施形態に、又は他の任意の実施形態と併せて使用して、更に別の実施形態を生み出すことが可能である。本開示は、このような修正及び変形を含むことが意図される。
[0013]図面についての以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ又は類似の構成要素を指す。全体的に、個々の実施形態に関して相違点のみが説明される。他に特に規定がない限り、一実施形態の部分又は態様の説明は、別の実施形態の対応する部分又は態様に適用されうる。
[0014]本開示の様々な実施形態を更に詳細に説明する前に、本書で使用する幾つかの用語及び表現に対する幾つかの態様を本書で説明する。
[0015]本開示において、「材料堆積装置」とは、本書に記載するように、基板に材料を堆積させるように構成された装置として理解すべきである。具体的には、「材料堆積装置」は、例えばOLEDディスプレイの製造においては、大面積基板に有機材料を堆積させるように構成された装置として理解することができる。例えば、「大面積基板」は、0.5m2以上、具体的には1m2以上の面積を有する主要面を有していてよい。いくつかの実施形態では、大面積基板は、約0.67mの基板(0.73×0.92m)に相当するGEN4.5、約1.4mの基板(1.1m×1.3m)に相当するGEN5、約4.29mの基板(1.95m×2.2m)に相当するGEN7.5、約5.7mの基板(2.2m×2.5m)に相当するGEN8.5、又はさらに約8.7mの基板(2.85m×3.05m)に相当するGEN10であってもよい。GEN11及びGEN12のようなさらに次の世代、並びにそれに相当する基板面積を同様に実装することができる。
[0016]本書で使用する「基板」という用語は具体的には、ウエハ、サファイアなどの透明結晶体のスライス、又はガラス板のような実質的非フレキシブル基板を含みうる。しかしながら、本開示はこれらに限定されず、「基板」という語は例えばウェブ又はホイル等のフレキシブル基板も包含しうる。「実質的非フレキシブル」という用語は、「フレキシブル」とは区別して理解される。具体的には、実質的非フレキシブル基板、例えば0.5mm以下の厚さを有するガラス板でも、ある程度の柔軟性を有し得、実質的非フレキシブル基板の柔軟性は、フレキシブル基板と比べて低くなっている。本書に記載される実施形態によれば、基板は、材料を堆積させるのに適した任意の材料から作られていてよい。例えば、基板は、ガラス(例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、ならびに堆積プロセスによってコーティングできる任意の他の材料および材料の組合せからなる群から選択された材料から作られたものとすることができる。
[0017]本開示において、「真空堆積チャンバ」は、真空堆積用に構成されたチャンバとして理解すべきである。本書で使用する「真空」という用語は、例えば10mbar未満の真空圧を有する工業的真空の意味として捉えることができる。本書に記載される処理チャンバの圧力は、典型的には、約10−5mbarと約10−8mbarとの間、より典型的には、約10−5mbarと約10−7mbarとの間、さらにより典型的には、約10−6mbarと約10−7mbarとの間であってよい。幾つかの実施形態によれば、真空チャンバの圧力は、真空チャンバ内で蒸発させた材料の分圧、又は全圧のいずれかと見なすことができる(分圧及び全圧は、蒸発させた材料のみが真空チャンバで堆積させる構成要素として存在する場合、おおよそ同じであってよい)。幾つかの実施形態では、真空チャンバの全圧は、特に蒸発させた材料以外の第2の構成要素(例えばガス等)が真空チャンバに存在する場合、約10−4mbarから約10−7mbarまでの範囲であってよい。
[0018]本開示において、「材料堆積源」とは、基板に堆積させる材料の供給源を提供するように構成された装置又はアセンブリとして理解することができる。具体的には、「材料堆積源」とは、堆積させる材料を蒸発させるように構成されたるつぼを有する装置又はアセンブリ、及び蒸発させた材料を基板に供給するように構成された分配アセンブリとして理解することができる。「基板へ蒸発させた材料を供給するように構成された分配アセンブリ」という表現は、分配アセンブリが、排出口126を通る矢印によって、図1に例示的に示す堆積方向に気体の原料を案内するように構成されていると理解することができる。従って、気体の原料、例えばOLED装置の薄膜を堆積させるための材料は、分配アセンブリ内に案内され、一又は複数の排出口126を通って分配アセンブリから排出される。
[0019]本開示において「るつぼ」とは、るつぼを加熱することによって蒸発させる材料のリザーバを有する機器として理解することができる。従って、「るつぼ」とは、原料の蒸発及び昇華のうちの少なくとも一方によって、原料を蒸発させて気体にするために加熱しうる原料リザーバとして理解することができる。通常、るつぼは、るつぼにおいて原料を蒸発させて気体の原料にする、ヒータを含む。例えば、蒸発させる材料は最初、粉の形態であってよい。リザーバは、蒸発させる原料、例えば有機材料を受け入れるための容積を有しうる。例えば、るつぼの容積は、100cmと3000cmの間、具体的には700cmと1700cmの間、より具体的には1200cmであってよい。具体的には、るつぼは、るつぼの容積に供給される原料を、原料が蒸発する温度に至るまで加熱するように構成された加熱装置を含みうる。例えば、るつぼは、例えば約100℃から約600℃までの蒸発温度を有する有機材料等の有機材料を蒸発させるためのるつぼであってよい。
[0020]本開示において、「分配アセンブリ」は、分配アセンブリから基板へ蒸発させた材料、特に蒸発させた材料のプルームを供給するように構成されたアセンブリとして理解すべきである。例えば、分配アセンブリは、細長い立方体であってよい分配管を含みうる。例えば、本書に記載される分配管は、分配管の長さに沿って少なくとも1つの線に配置された複数の開口部及び/又はノズルを有する線源を提供しうる。
[0021]従って、分配アセンブリは、例えば複数の開口部(又は細長いスリット)が配置された直線的な分配シャワーヘッドであってよい。本明細書中で理解されるシャワーヘッドは、例えば、蒸発るつぼから基板へ蒸発させた材料を提供又は案内することができる、筐体、空洞、又は管を有しうる。本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、分配管の長さは、少なくとも堆積される基板の高さに相当しうる。具体的には、分配管の長さは、堆積される基板の高さよりも、少なくとも10%ほど又は20%ほどさえも長くてよい。例えば、分配管の長さは、1.3m以上、例えば2.5m以上であってよい。これにより、基板の上端及び/又は基板の下端における均一な堆積を提供することができる。代替構成によれば、分配アセンブリは、垂直軸に沿って配置されうる一又は複数の点源を含みうる。
[0022]従って、本書に記載される「分配アセンブリ」は、基本的に垂直に延在する線源を提供するように構成されうる。本開示において、「基本的に垂直に」という用語は、特に基板の配向を指すときに、垂直方向からの10°以下の偏差を許容するものである。この偏差は、例えば、垂直配向からのいくらかの偏差を有する基板支持体がより安定した基板位置をもたらし得るので、提供できる。しかし、有機材料の堆積中の基板配向は、本質的に垂直と考えられ、水平の基板配向とは異なると考えられる。これにより、基板の表面は、1つの基板寸法及び他の基板寸法に対応する他の方向に沿った並進運動に対応する1つの方向に延びる線源によってコーティングされうる。
[0023]本開示において、「蒸発させた材料の流れを制御するように構成されたバルブ」とは、本書に記載されるるつぼから本書に記載される分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御できるように制御可能なバルブとして理解すべきである。具体的には、本書に記載されるバルブは、(例えばるつぼから分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを止めるための)閉じた状態と、(例えばるつぼから分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを提供するための)開いた状態とを提供するように構成されうる。例えば、バルブは、貫通孔、例えば両方向に開く、本書に記載されるバルブの開口部135を開ける、及び閉めるスイッチとして構成されうる。あるいは、バルブは、例えば本書に記載されるバルブの開口部135等の貫通孔を、(例えばるつぼから分配アセンブリへの)一方向には開くが、(例えば分配アセンブリからるつぼへの)別方向には閉じているスイッチとして構成されうる。更に、本書に記載されるバルブは、るつぼから分配アセンブリへの材料の流量を制御するように構成されうる。
[0024]図1は、本明細書に記載された実施形態に係る材料堆積装置100を示す概略断面図である。具体的には、材料堆積装置は、真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積させるように構成される。図1に例示的に示すように、材料堆積装置は、材料を蒸発させるように構成されたるつぼ110を有する少なくとも1つの材料堆積源を含む。更に、材料堆積装置は、蒸発させた材料を基板に供給するように構成された分配アセンブリ120を含む。通常、分配アセンブリ120はるつぼ110に接続される。例えば、分配アセンブリは、るつぼに直接接続されうる。具体的には、分配アセンブリとるつぼは、分配アセンブリがるつぼと接触する、少なくとも1つの接触面を有しうる。例えば、分配アセンブリの底部は、るつぼの上部と接触しうる。図1に例示的に示すように、少なくとも1つの堆積源の分配アセンブリ120は、分配管の長さに沿って配設された一又は複数の排出口126を有する分配パイプを含みうる。
[0025]図1に例示的に示すように、本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、材料堆積装置は、るつぼ110から分配アセンブリ120への蒸発させた材料の流れを制御するように構成されたバルブ130を有する。具体的には、バルブ130は、分配アセンブリ120の底部、特に底壁121に配設されうる。従って、バルブ130は、分配アセンブリ120の底部に配設された開口部135を閉じるように構成されうる。例えば、分配アセンブリ120の底部に配設された開口部135は、例えばるつぼの上壁に配設された開口部を介してるつぼとの流体連通を可能にするように配置され、構成されうる。あるいは、バルブ130は、るつぼ、特にるつぼの上壁に配設された開口部を閉じるように構成されうる。通常、るつぼと分配アセンブリは互いに接続可能なように構成され、それによって、るつぼと分配アセンブリとの間の流体連通がそれぞれの開口部エリアに限定され、例えば、開口部135の接続部は、るつぼの上壁に開口部が配設された分配アセンブリ120の底部に配設される。
[0026]従って、るつぼから少なくとも1つの材料堆積源の分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れが制御可能な材料堆積装置が有益に提供される。るつぼから分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御する機能を持つ材料堆積装置を提供することは特に、堆積プロセスの開始中に例えば初期テスト堆積プロセスにおいて予め選択された堆積率を調節するため等に有益でありうる。更に、少なくとも1つの材料堆積源が2つ以上の堆積源を含む場合、個々の堆積源の各堆積率は、それぞれのるつぼからそれぞれの分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御することによって、個別に調節され確認されうる。従って、本書に記載される材料堆積装置の実施形態は、例えば予め選択された堆積率の調節中に、又は維持管理中に、原料、特に高価な有機材料の廃棄が削減されうるため、所有コストを削減するように構成される。
[0027]例えば、本書に記載される実施形態によれば、材料堆積装置の維持管理のために、るつぼから分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを短期間、非常に効率的に停止することができる。対照的に、従来の材料堆積システムでは、るつぼが堆積させる材料を蒸発させ続ける限り、蒸発させた材料は分配アセンブリのノズルを通過し続ける。これに関し、蒸発させる材料の熱容量のために、蒸発を開始し、また停止することは時間がかかるプロセスであることに留意すべきである。従って、本書に記載されるようなバルブを有する材料堆積装置を提供することは、堆積プロセスの制御性を改善することにおいて有益でありうる。
[0028]図2を例示的に参照すると、本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、バルブ130は、アクチュエータ装置140に接続されたシャッター131を含む。例えば、シャッター131は、分配アセンブリ120の底壁121に配設された開口部135を閉じるように構成されうる。アクチュエータ装置140は、シャッター131を作動させるように構成されうる。図2に例示的に示すように、アクチュエータ装置140は、分配アセンブリ120の内部空間125に少なくとも部分的に配置されうる。通常、分配アセンブリ120の内部空間125は、るつぼ110から蒸発させた材料を受けるように構成される。
[0029]図2、3A及び3Bに例示的に示すように、本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、アクチュエータ装置140は、アクチュエータ141と可動要素142を含む。図2、3A及び3Bに例示的に示すように、可動要素142の第1の端部142Aはアクチュエータ141に接続され得、可動要素142の第2の端部142Bはシャッター131に接続されうる。更に、図2を例示的に参照すると、可動要素142は、分配アセンブリ120の内部空間125を通って延在するように構成されうる。
[0030]図2を例示的に参照すると、本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、アクチュエータ装置140の可動要素142は、細長い要素であってよい。具体的には、可動要素142は棒であってよい。図2、3A及び3Bに例示的に示すように、可動要素142はチューブ143の内部に配設されうる。例えば、細長い要素は、少なくともバルブケーシング133から少なくとも分配アセンブリ120の内部空間125の上壁151まで、分配アセンブリの内部空間125を通って延在しうる。従って、チューブ143は、図3A及び3Bに例示的に示すように、バルブケーシング133から分配アセンブリ120の内部空間125の上壁151まで延在しうる。例えば、可動要素142及び/又はチューブ143は、チタンでできていてよい。
[0031]図3B、6A及び6Bを例示的に参照すると、本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、バルブは、可動要素142の第2の端部142Bを囲むベロー(bellow)134を含みうる。通常、ベロー134は、蒸発させた材料がアクチュエータ装置140に入るのを防ぐように構成される。例えば、図6Bに例示するように、ベローは変形可能に構成されうる。
[0032]本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、可動要素142は、図4及び5に例示するように、連結装置160を介してアクチュエータに連結されうる。具体的には、連結装置160は、断熱要素161を含みうる。例えば、断熱要素161は、酸化ジルコニウムでできていてよい。断熱要素161を配設することは、可動要素からアクチュエータへの熱伝導を削減し、それによってアクチュエータの機能性が確保されうるため、有益でありうる。
[0033]図5に例示するように、連結装置160は、連結要素165の受容部162内に設けられたバネ163を含みうる。従って、連結要素165は、断熱要素161を受容するように構成された受容部162を有しうる。具体的には、図5に示すように、通常バネ163は、受容部162の第1の当接面162Aと、断熱要素161の第2の当接面161Aとの間に配置される。バネを設けることは、バルブ座139にシャッター131の一定圧力をかけるのに有益でありうる。バルブ座139を、図6Bに例示する。更に、バネを設けることは、アクチュエータ装置、具体的には可動要素142の位置の変化に適応するのに有益でありうる。
[0034]図6Aは、閉じた状態で示されるバルブ130を有する、本書に記載される実施形態に係る材料堆積装置100の下部を示す概略等角断面図である。図6Bにおいて、バルブは開いた状態で示される。例示のため、るつぼ110から分配アセンブリ120の内部空間125への蒸発させた材料、例えば気体の有機材料の流れを、点線の矢印で例示的に示す。更に、図6A及び6Bとの比較からわかるように、ベロー134は変形可能に構成されうる。ベローは、金属製のベローであってよい。例えば、ベローはステンレス鋼でできていてよい。
[0035]本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、分配管の一又は複数の排出口は、蒸発方向に沿って延在するノズルである。通常、蒸発方向は基本的に水平、例えば図1及び2に示すx方向に対応しうる水平方向である。
[0036]本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、アクチュエータ141は、図3Aに例示するように、分配アセンブリ120のハウジング150の外面に接続されうる。例えば、アクチュエータ141は、図4に例示するように、電気式アクチュエータ、空気圧式アクチュエータ145、又はその他いずれかの好適なアクチュエータであってよい。電気式アクチュエータは、端位置において自動ロックがかかるという利点を有しうる。空気圧式アクチュエータ、すなわち空気圧シリンダーを有するアクチュエータは、図4に例示するように、コスト効率が高いという利点を有しうる。
[0037]本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、アクチュエータ141は、100Nの軸方向の力を提供するように構成されうる。更に、アクチュエータ141は、バルブの直径のおおよそ半分の移動距離、具体的にはバルブのシャッターの直径のおおよそ半分、又はバルブの開口部135の直径のおおよそ半分を提供するように構成されうる。例えば、バルブの直径D、具体的にはシャッターの直径D及び/又はバルブの開口部135の直径は、D=10mmの下限値、具体的にD=15mmの下限値、より具体的にはD=20の下限値と、D=30mmの上限値、具体的にはD=40mmの上限値、より具体的にはD=50mmの上限値を有する範囲から選択されうる。例えば、バルブの直径D、具体的にはシャッターの直径Dは、D=26mmであってよい。
[0038]本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、バルブの直径Dと、(アクチュエータのストロークとも称される)アクチュエータの移動距離は、堆積源における蒸発させた材料の流体コンダクタンスに対して調節される。例えば、アクチュエータのストロークは、バルブの直径のおおよそ半分、具体的にはバルブのシャッターの直径のおおよそ半分になるように、又はバルブの開口部135の直径のおおよそ半分になるように調節されうる。従って、堆積源における蒸発させた材料の流れ、具体的にはるつぼから分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを、有益に最適化することができる、例えば流れの減少を避けることができる。
[0039]本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、少なくとも1つの材料堆積源は、第1の堆積源101と、第2の堆積源102とを含みうる。加えて、図7Aに例示するように、第3の堆積源103も配設されうる。第1の堆積源101は、第1の材料を蒸発させるように構成された第1のるつぼ110Aと、蒸発させた第1の材料を基板へ供給するように構成された第1の分配アセンブリ120Aと、第1のるつぼ110Aから第1の分配アセンブリ120Aへの蒸発させた材料の流れを制御するように構成された第1のバルブ130Aとを含む。第2の堆積源102は、第2の材料を蒸発させるように構成された第2のるつぼ110Bと、蒸発させた第2の材料を基板へ供給するように構成された第2の分配アセンブリ120Bと、第2のるつぼ110Bから第2の分配アセンブリ120Bへの蒸発させた材料の流れを制御するように構成された第2のバルブ130Bとを含む。第3の堆積源103は、第3の材料を蒸発させるように構成された第3のるつぼ110Cと、第3の蒸発させた材料を基板へ供給するように構成された第3の分配アセンブリ120Cと、第3のるつぼ110Cから第3の分配アセンブリ120Cへの蒸発させた材料の流れを制御するように構成された第3のバルブ130Cとを含む。
[0040]図7Bは、図7Aに例示する本書に記載される別の実施形態による材料堆積装置を更に詳細に示す概略上面断面図である。具体的には、図7Bは、第1の堆積源101、第2の堆積源102、及び第3の堆積源を含む材料堆積装置を示す上面断面図である。
[0041]したがって図7A及び7Bから、3つの分配アセンブリ、例えば分配管と対応する蒸発るつぼを隣同士に配設することができることが理解できる。したがって、材料堆積装置を、例えば2種類以上の材料を同時に蒸発させることができる蒸発源のアレイとして配設することができる。更に、3つの分配アセンブリと、有機材料を蒸発させるように構成された対応する蒸発るつぼを有する蒸発源のアレイは、三重有機源とも称されうる。
[0042]具体的に、図7Bを例示として参照すると、材料堆積装置100の少なくとも1つの材料堆積源は、3つの堆積源、例えば第1の堆積源101、第2の堆積源102、及び第3の堆積源103を含みうる。通常、各堆積源は、本書に記載される分配アセンブリ、本書に記載されるるつぼ、及び本書に記載されるように、るつぼからそれぞれの分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御するように構成されたバルブを含む。例えば、第1の分配アセンブリ120A、第2の分配アセンブリ120B、及び第3の分配アセンブリ120Cは、本書に記載される分配管として構成されうる。
[0043]具体的に、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、少なくとも1つの堆積源の分配アセンブリは、分配管の長さに対して垂直な非円形断面を有する分配管として構成されうる。例えば、分配管の長さに対して垂直な断面は、丸い角を有する三角形、及び/又は角が切り取られた三角形であってよい。例えば、図7Bに、分配管の長さに対して垂直なほぼ三角形の断面を有する3つの分配管を示す。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、各分配アセンブリは、それぞれの蒸発るつぼと流体連通している。
[0044]本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、図7に例示するように、例えば第1の分配アセンブリ120A、第2の分配アセンブリ120B、及び第3の分配アセンブリ120Cを有する少なくとも1つの材料堆積源に隣接して、蒸発器制御ハウジング180を配設することができる。具体的には、蒸発器制御ハウジングは、内部で大気圧を維持するように構成され、かつスイッチ、バルブ、コントローラ、冷却ユニット、冷却制御ユニット、加熱制御ユニット、電源、及び測定装置から成る群から選択された少なくとも1つの要素を収納するように構成されうる。
[0045]本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、分配アセンブリ、具体的には分配管を、分配アセンブリ内部に配設された加熱要素によって加熱することができる。加熱要素は、チューブに留められた又は別な方法で固定された、例えば、コーティングされた加熱ワイヤなどの、加熱ワイヤによって提供することができるヒータであってよい。図7Bを例示として参照すると、冷却シールド138を配設することができる。冷却シールド138は、堆積エリア、即ち、基板及び/又はマスクに向かう熱放射を低減するために、U字型の冷却シールドを配設するために配置された側壁を含みうる。例えば、冷却シールドに、例えば水等の冷却液用の導管を有する金属板を取り付ける、又は内部に配設することができる。加えて、又は代替的に、冷却シールドを冷却するために熱電性冷却装置又は他の冷却装置を配設することができる。典型的には、外側シールド、即ち、分配管の内部空洞を取り囲む最も外側のシールドを冷却することができる。
[0046]例示のため、図7Bに分配アセンブリの排出口から出る蒸発する原料を矢印で示す。分配アセンブリの形状が本質的に三角形であるため、3つの分配アセンブリに基づく蒸発円錐は、互いに接近しており、そのため異なる分配アセンブリからの原料の混合が改善されうる。具体的には、分配管の断面形状により、隣接する分配管の排出口又はノズルを互いに接近して置くことが可能になる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができるいくつかの実施形態によれば、第1の分配アセンブリの第1の排出口又はノズルと、第2の分配アセンブリの第2の排出口又はノズルとは、50mm又はそれ未満の距離、例えば、30mm又はそれ未満、又は25mm又はそれ未満、例えば5mmから25mmまでの距離などを有していてよい。更に具体的には、第1の排出口又はノズルの第2の排出口又はノズルまでの距離は、10mm又はそれ未満とすることができる。
[0047]図7Bに更に示すように、シールド装置、具体的にはシェーパシールド装置137が、例えば、冷却シールド138に取り付けられ、又は冷却シールドの一部として、配設されうる。シャーパシールドを配設することによって、排出口を通って分配管(単数又は複数)を出る蒸気の方向を制御することができる、即ち、蒸気放出の角度を低減することができる。いくつかの実施形態によれば、排出口又はノズルを通って蒸発する材料の少なくとも一部は、シェーパシールドによって遮断される。これによって、放出角度の幅を制御することができる。
[0048]本開示の別の態様によれば、図8に例示するように、真空堆積システム200が提供される。真空堆積システムは、真空堆積チャンバ210、真空堆積チャンバ210の、本書に記載されるいずれかの実施形態に係る材料堆積装置100、及び材料の堆積中に基板105を支持するように構成された基板支持体220を含む。
[0049]具体的には、材料堆積装置100を、図8に例示するように、軌道又はリニアガイド222に配設することができる。リニアガイド222は、材料堆積装置100に並進運動をさせるように構成されうる。更に、材料堆積装置100の並進運動を提供するためのドライバを設けることができる。具体的には、材料堆積装置の供給源を非接触搬送するための搬送装置を、真空堆積チャンバに設けることができる。図8に例示するように、真空堆積チャンバ210はゲートバルブ215を有し、ゲートバルブ215を介して真空堆積チャンバを隣接するルーティングモジュール又は隣接するサービスモジュールに接続させることができる。通常、ルーティングモジュールは、別の処理のために別の真空堆積システムへ基板を搬送するように構成され、サービスモジュールは、材料堆積装置の維持管理を行うように構成される。具体的には、ゲートバルブにより、例えば隣接するルーティングモジュール又は隣接するサービスモジュールの隣接する真空チャンバに対する真空シールが可能になり、真空堆積システム200から基板及び/又はマスクを出し入れするために開け閉めすることができる。
[0050]図8を例示的に参照すると、本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、2つの基板、例えば第1の基板105A及び第2の基板105Bを、真空堆積チャンバ210内でそれぞれの搬送軌道で支持することができる。更に、その上にマスク333を供給する2つの軌道を設けることができる。具体的には、キャリアを非接触搬送するための別の搬送装置に、基板キャリア及び/又はマスクキャリアの搬送軌道を設けることができる。
[0051]通常、基板のコーティングには、それぞれのマスクによって、例えばエッジ除外マスクによって、又はシャドウマスクによって基板を遮蔽することが含まれ得る。典型的な実施形態によれば、図8に例示するように、マスク、例えば第1の基板105Aに対応する第1のマスク333A、及び第2の基板105Bに対応する第2のマスク333Bがマスクフレーム331に設けられ、所定の位置でそれぞれのマスクを保持する。
[0052]図8に示すように、リニアガイド522は、蒸発堆積装置100の並進運動の方向を提供する。材料堆積装置100の両側には、マスク333、例えば第1の基板105Aを遮蔽するための第1のマスク333Aと、第2の基板105Bを遮蔽するための第2のマスク333Bを設けることができる。マスクは、材料堆積装置100の並進運動の方向に基本的に平行して延在しうる。更に、蒸発源100の対向する側面における基板121はまた、並進運動の方向に本質的に平行に延在していてよい。
[0053]図8を例示的に参照すると、リニアガイド222に沿って材料堆積装置100を並進運動させるように構成された供給源支持体231が配設されうる。通常、供給源支持体231は、図8に概略的に示すように、るつぼ110と、蒸発るつぼの上に設けられた分配アセンブリ120とを支持する。これにより、蒸発るつぼで生成された蒸気は、上に向かって、分配アセンブリの一又は複数の排出口から移動することができる。従って、本書に記載するように、分配アセンブリは、蒸発させた材料、特に蒸発した有機材料のプルームを分配アセンブリ120から基板105へ供給するように構成される。図8には、材料堆積装置100の概略図のみを示したが、真空堆積システム200の真空堆積チャンバ210に配設される材料堆積装置100は、図1〜7Bを参照して例示的に記載されるように、本書に記載される実施形態のいずれかの構成を有しうることを理解すべきである。
[0054]本開示の別の態様によれば、真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積させるように構成された材料堆積装置を操作する方法300が提供される。本方法は、分配アセンブリ、るつぼ110、分配アセンブリ120、及びるつぼ110から分配アセンブリ120への蒸発させた材料の流れを制御するように構成されたバルブ130を含む少なくとも1つの堆積源を有する材料堆積装置100を用いることを含みうる(ブロック310を参照)。本方法は、分配アセンブリ120に接続されたるつぼ110において、堆積させる材料を蒸発させることを含む(ブロック320参照)。加えて、本方法は、るつぼ110から分配アセンブリ120へ蒸発させた材料を供給することを含み(ブロック330参照)、るつぼ110から分配アセンブリ120へ蒸発させた材料を供給することは、るつぼから少なくとも1つの分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御することを含む。
[0055]具体的には、るつぼ110から分配アセンブリ120へ蒸発させた材料を供給することは、蒸発させた材料をバルブ130を通って案内することを含みうる。より具体的には、蒸発させた材料をバルブ130を通って案内することは、るつぼ110から分配アセンブリ120への蒸発させた材料の流れを制御することを含みうる。例えば、るつぼ110から分配アセンブリ120への蒸発させた材料の流れを制御することは通常、るつぼから分配アセンブリ、例えば第1の堆積源の分配アセンブリ、第2の堆積源の分配アセンブリ、及び/又は第3の堆積源の分配アセンブリへ供給される蒸発させた材料の量を制御することを含む。
[0056]本書に記載の他のいずれの実施形態とも組み合わされうる実施形態によれば、本方法は、本書に記載されるいずれかの実施形態に係る材料堆積装置100を用いることを含みうる。
[0057]このため、本書に記載される実施形態を考慮して、特にOLEDの製造において、改良された材料堆積装置、改良された真空堆積システム及び材料堆積装置を操作するための、改良された方法が提供されることを理解すべきである。具体的には、本書に記載されるバルブを堆積源、特に例えばるつぼと分配アセンブリとの間の蒸発路に導入することによって、るつぼから分配アセンブリまでの蒸発させた材料の流れを制御する可能性が得られる。これは特に堆積プロセスの開始中、例えば初期の堆積テストプロセスにおいて予め選択された堆積率を調節するのに有益でありうる。
[0058]更に、少なくとも1つの材料堆積源が2つ以上の堆積源を含む場合、個々の堆積源の堆積率は、それぞれのるつぼからそれぞれの分配アセンブリへの蒸発させた材料の流れを制御することによって、個別に調節し、チェックすることができる。従って、本書に記載される材料堆積装置の実施形態は、例えば予め選択された堆積率の調節中に、あるいは維持管理中に、原料、特に高価な有機材料の廃棄を削減することができるため、所有コストを削減するように構成される。対照的に、従来の堆積システムは、るつぼから分配アセンブリまでの材料の流れを止めることができない。具体的には、従来のシステムでは、蒸発した有機材料は、るつぼにおける蒸発が続く限り、分配アセンブリの排出口を通過し続ける。
[0059]以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱せずに本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
具体的には、本明細書では実施例を用いて、ベストモードを含めて本開示を開示し、また当業者が記載される主題を実施することを、任意のデバイスまたはシステムを作製および使用すること、および組み込まれる任意の方法を実施することを含めて可能にしている。前述において様々な特定の実施形態を開示してきたが、上述した実施形態の相互に非排他的な特徴は、互いに組み合わせることが可能である。特許性のある範囲は特許請求の範囲によって規定され、その他の実施例は、それが特許請求の範囲の文字通りの言葉と相違しない構造要素を有する場合、または特許請求の範囲の文字通りの言葉とは実質的な違いがない等価の構造要素を含む場合には、特許請求の範囲内にあるものとする。

Claims (15)

  1. 真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積させるための材料堆積装置(100)であって、
    少なくとも1つの材料堆積源を備え、前記少なくとも1つの材料堆積源は、
    前記材料を蒸発させるように構成されたるつぼ(110)と、
    前記るつぼに接続され、前記蒸発させた材料を前記基板へ供給するように構成された分配アセンブリ(120)と、
    前記るつぼ(110)から前記分配アセンブリ(120)への前記蒸発させた材料の流れを制御するように構成されたバルブ(130)と
    を有する、材料堆積装置(100)。
  2. 前記バルブは、アクチュエータ装置(140)に接続されたシャッター(131)を備え、
    前記アクチュエータ装置は、前記分配アセンブリ(120)の内部空間(125)に少なくとも部分的に配置される、請求項1に記載の材料堆積装置(100)。
  3. 前記アクチュエータ装置(140)は、アクチュエータ(141)と可動要素(142)を備え、前記可動要素(142)は前記分配アセンブリ(120)の前記内部空間(125)を通って延在する、請求項2に記載の材料堆積装置(100)。
  4. 前記可動要素(142)は、少なくともバルブケーシング(133)から少なくとも前記分配アセンブリ(120)の前記内部空間(125)の上壁(151)まで延在する細長い要素である、請求項3に記載の材料堆積装置(100)。
  5. 前記バルブは、前記蒸発させた材料が前記アクチュエータ装置(140)に侵入するのを防ぐように構成されるベロー(134)を備える、請求項3又は4に記載の材料堆積装置(100)。
  6. 前記可動要素(142)は、断熱要素(161)を備える連結装置(160)を介して前記アクチュエータに連結される、請求項3から5のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。
  7. 前記連結装置(160)は、連結要素(165)の受容部(162)内に配設されたバネ(163)を備える、請求項6に記載の材料堆積装置(100)。
  8. 前記分配アセンブリ(120)は分配管を備え、前記分配管は、前記分配管の長さに沿って配設された一又は複数の排出口(126)を有する、請求項1から7のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。
  9. 前記一又は複数の排出口は、蒸発方向に沿って延在するノズルであり、前記蒸発方向は基本的に水平である、請求項8に記載の材料堆積装置(100)。
  10. 前記アクチュエータ(141)は、前記分配アセンブリ(120)のハウジング(150)の外面に接続される、請求項3から9のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。
  11. 前記少なくとも1つの材料堆積源は、第1の堆積源(101)と、第2の堆積源(102)と、第3の堆積源(103)とを含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)。
  12. 真空チャンバにおいて基板に材料を堆積させるための材料堆積装置(100)であって、
    第1の堆積源(101)であって、
    第1の材料を蒸発させるように構成された第1のるつぼ(110A)と、
    蒸発させた前記第1の材料を前記基板へ供給するように構成された第1の分配アセンブリ(120A)と、
    前記第1のるつぼ(110A)から前記第1の分配アセンブリ(120A)への前記蒸発させた材料の流れを制御するように構成された第1のバルブ(130A)と
    を有する第1の堆積源(101)と、
    第2の堆積源(102)であって、
    第2の材料を蒸発させるように構成された第2のるつぼ(110B)と、
    蒸発させた前記第2の材料を前記基板へ供給するように構成された第2の分配アセンブリ(120B)と、
    前記第2のるつぼ(110B)から前記第2の分配アセンブリ(120B)への前記蒸発させた材料の流れを制御するように構成された第2のバルブ(130B)と
    を有する第2の堆積源(102)と
    を備える、材料堆積装置(100)。
  13. 真空堆積システム(200)であって、
    真空堆積チャンバ(210)と、
    前記真空堆積チャンバ(210)内の、請求項1から12のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)と、
    材料の堆積中に基板を支持するように構成された基板支持体(220)と
    を備える、真空堆積システム(200)。
  14. 真空堆積チャンバにおいて基板に材料を堆積させるように構成された材料堆積装置を操作する方法(300)であって、
    分配アセンブリ(120)に接続されたるつぼ(110)において堆積させる材料を蒸発させることと、
    前記るつぼ(110)から前記分配アセンブリ(120)へ前記蒸発させた材料を供給することと
    を含み、前記るつぼ(110)から前記分配アセンブリ(120)へ前記蒸発させた材料を供給することは、前記るつぼから少なくとも1つの前記分配アセンブリへの前記蒸発させた材料の流れを制御することを含む方法(300)。
  15. 前記方法が更に、請求項1から12のいずれか一項に記載の材料堆積装置(100)を用いることを含む、請求項14に記載の方法(300)。
JP2017537292A 2017-01-31 2017-01-31 材料堆積装置、真空堆積システム、及び真空堆積を行う方法 Ceased JP2019508571A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2017/052048 WO2018141365A1 (en) 2017-01-31 2017-01-31 Material deposition arrangement, vacuum deposition system and method therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019508571A true JP2019508571A (ja) 2019-03-28

Family

ID=57944431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017537292A Ceased JP2019508571A (ja) 2017-01-31 2017-01-31 材料堆積装置、真空堆積システム、及び真空堆積を行う方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20190338412A1 (ja)
EP (1) EP3374540A1 (ja)
JP (1) JP2019508571A (ja)
KR (1) KR102030683B1 (ja)
CN (1) CN110199050A (ja)
TW (1) TWI660057B (ja)
WO (1) WO2018141365A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021013326A1 (en) * 2019-07-19 2021-01-28 Applied Materials, Inc. Evaporation source, vacuum deposition system, valve assembly, and method therefor
WO2021013328A1 (en) * 2019-07-19 2021-01-28 Applied Materials, Inc. Evaporation source for depositing an evaporated material on a substrate, vacuum deposition system, and method therefor
WO2021085685A1 (en) * 2019-10-31 2021-05-06 Applied Materials, Inc Material deposition arrangement, vacuum deposition system, and method for manufacturing a material deposition arrangement
CN113957389B (zh) * 2020-07-21 2023-08-11 宝山钢铁股份有限公司 一种具有多孔降噪及均匀化分配金属蒸汽的真空镀膜装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012092373A (ja) * 2010-10-25 2012-05-17 Hitachi Displays Ltd 真空蒸着装置
JP2012248486A (ja) * 2011-05-31 2012-12-13 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置および真空蒸着方法
JP2014005478A (ja) * 2010-10-08 2014-01-16 Kaneka Corp 蒸着装置
JP2014136804A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置
JP2014234549A (ja) * 2013-06-05 2014-12-15 日東電工株式会社 成膜装置及び有機elデバイスの製造方法
WO2016070942A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 Applied Materials, Inc. Material deposition arrangement and material distribution arrangement for vacuum deposition

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004105095A2 (en) * 2003-05-16 2004-12-02 Svt Associates Inc. Thin-film deposition evaporator
FR2878863B1 (fr) * 2004-12-07 2007-11-23 Addon Sa Dispositif de depot sous vide a reservoir de recharge et procede de depot sous vide correspondant.
JP4673190B2 (ja) * 2005-11-01 2011-04-20 長州産業株式会社 薄膜堆積用分子線源とその分子線量制御方法
GB0619163D0 (en) * 2006-09-28 2006-11-08 Oxford Instr Plasma Technology Effusion and cracking cell
JP5328134B2 (ja) * 2007-10-31 2013-10-30 キヤノン株式会社 蒸着装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US8327845B2 (en) * 2008-07-30 2012-12-11 Hydrate, Inc. Inline vaporizer
EP2186920A1 (en) * 2008-10-22 2010-05-19 Applied Materials, Inc. Arrangement and method for regulating a gas stream or the like
KR20110138259A (ko) * 2009-03-25 2011-12-26 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 고증기압재료의 증착
JP5840055B2 (ja) * 2012-03-29 2016-01-06 日立造船株式会社 蒸着装置
EP2747122B1 (en) * 2012-12-20 2019-07-03 Applied Materials, Inc. Plasma enhanced deposition arrangement for evaporation of dielectric materials, deposition apparatus and methods of operating thereof
GB201307073D0 (en) * 2013-04-19 2013-05-29 Fernandez Ivan Pulsed valve cracker effusion cell
KR102152147B1 (ko) * 2013-07-26 2020-09-04 주식회사 선익시스템 증발유닛 및 이를 구비한 증착장치
JP6207319B2 (ja) * 2013-09-25 2017-10-04 日立造船株式会社 真空蒸着装置
EP3080327A1 (en) * 2013-12-10 2016-10-19 Applied Materials, Inc. Evaporation source for organic material, apparatus having an evaporation source for organic material, system having an evaporation deposition apparatus with an evaporation source for organic materials, and method for operating an evaporation source for organic material
WO2016095997A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Applied Materials, Inc. Material deposition arrangement, a vacuum deposition system and method for depositing material

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014005478A (ja) * 2010-10-08 2014-01-16 Kaneka Corp 蒸着装置
JP2012092373A (ja) * 2010-10-25 2012-05-17 Hitachi Displays Ltd 真空蒸着装置
JP2012248486A (ja) * 2011-05-31 2012-12-13 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置および真空蒸着方法
JP2014136804A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置
JP2014234549A (ja) * 2013-06-05 2014-12-15 日東電工株式会社 成膜装置及び有機elデバイスの製造方法
WO2016070942A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 Applied Materials, Inc. Material deposition arrangement and material distribution arrangement for vacuum deposition

Also Published As

Publication number Publication date
EP3374540A1 (en) 2018-09-19
CN110199050A (zh) 2019-09-03
TW201829814A (zh) 2018-08-16
WO2018141365A1 (en) 2018-08-09
KR102030683B1 (ko) 2019-10-10
US20190338412A1 (en) 2019-11-07
KR20180117027A (ko) 2018-10-26
TWI660057B (zh) 2019-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109477204B (zh) 操作沉积设备的方法和沉积设备
KR102220321B1 (ko) 재료 증착 어레인지먼트, 진공 증착 시스템 및 이를 위한 방법들
JP6466469B2 (ja) 有機材料用の蒸発源
KR101877908B1 (ko) 유기 재료를 위한 증발 소스, 유기 재료를 위한 증발 소스를 갖는 장치, 및 유기 재료를 증착시키기 위한 방법
JP2017509794A (ja) 有機材料用の蒸発源
CN107002221B (zh) 用于真空沉积的材料沉积布置和材料分配布置
JP2019508571A (ja) 材料堆積装置、真空堆積システム、及び真空堆積を行う方法
JP2017509796A5 (ja)
WO2017054890A1 (en) Variable shaper shield for evaporators and method for depositing an evaporated source material on a substrate
TWI625876B (zh) 線性分佈管及使用其之材料沈積配置與真空沈積設備及提供材料沈積配置之方法
KR101983009B1 (ko) 증발원 및 이를 구비한 진공 증착 장치
KR102018865B1 (ko) 진공 증착을 위한 재료 소스 배열체 및 노즐
TW201926418A (zh) 材料沉積裝置、真空沉積系統及應用其之方法
WO2016082874A1 (en) Crucible assembly for evaporation purposes
US11795541B2 (en) Method of cooling a deposition source, chamber for cooling a deposition source and deposition system

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170907

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190607

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20191001

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200203

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20200210

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200512

A045 Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20200923