JP2014234549A - 成膜装置及び有機ｅｌデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 材料の状態に関わらず、吐出量を所望の量で迅速に安定させることができる成膜装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る成膜装置は、弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応すべく、材料の状態ごとにおける弁開度に対する吐出量の情報を記憶する記憶部と、吐出量検出部で検出した吐出量と弁開度検出部で検出した弁開度とに基づいて、記憶部で記憶されている複数の情報から該当する材料の状態における情報を判定する判定部と、設定されている吐出量に制御すべく、判定部で判定した情報に基づいて、弁開度を演算する演算部と、を備える。【選択図】 図３

Description

本発明は、基材に向けて材料を吐出することにより、基材に膜を形成する成膜装置に関し、また、成膜装置を用いる有機ＥＬ（エレクトロルミネッサンス）デバイスの製造方法に関する。

従来、成膜装置として、材料の吐出量を検出する吐出量検出部と、材料の吐出量を制御するために弁開度を制御される弁と、設定値（設定された吐出量）に基づいて弁開度を制御する制御部とを備える成膜装置が知られている（例えば、特許文献１）。そして、吐出量検出部で検出した吐出量が設定値よりも小さい場合には、制御部が弁開度を徐々に大きくする。反対に、吐出量検出部で検出した吐出量が設定値よりも大きい場合には、制御部が弁開度を徐々に小さくする。

斯かる制御、具体的には、現状の吐出量と設定値とを比較して、弁開度を単に上下させる制御においては、吐出量を設定値で安定させるために、非常に長い時間が必要となる。しかも、斯かる制御においては、弁開度に対する吐出量が材料の状態（例えば、材料の温度、材料の溶融状態等）で異なることが考慮されていないため、さらに長い時間が必要となる。

特開２００７−１２６３０３号公報

よって、本発明は、斯かる事情に鑑み、材料の状態に関わらず、吐出量を所望の量で迅速に安定させることができる成膜装置及び有機ＥＬデバイスの製造方法を提供することを課題とする。

本発明に係る成膜装置は、基材に向けて材料を吐出することにより、基材に膜を形成する成膜装置において、材料の吐出量を検出する吐出量検出部と、材料の吐出量を制御するために弁開度を制御される弁と、弁開度を検出する弁開度検出部と、弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応すべく、材料の状態ごとにおける弁開度に対する吐出量の情報を記憶する記憶部と、前記吐出量検出部で検出した吐出量と前記弁開度検出部で検出した弁開度とに基づいて、前記記憶部で記憶されている複数の情報から該当する材料の状態における情報を判定する判定部と、設定されている吐出量に制御すべく、前記判定部で判定した情報に基づいて、弁開度を演算する演算部とを備えることを特徴とする。

本発明に係る成膜装置によれば、記憶部は、材料の状態ごとにおける弁開度に対する吐出量の情報を記憶している。そして、判定部は、吐出量検出部で検出した吐出量と弁開度検出部で検出した弁開度とに基づいて、記憶部で記憶されている複数の情報から該当する材料の状態における情報を判定する。

その後、演算部が、判定部で判定した情報に基づいて、弁開度を演算するため、弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応できている。そして、弁が、演算部で演算された弁開度に基づいて制御されることにより、吐出量が、設定されている吐出量に制御される。したがって、材料の状態に関わらず、吐出量を所望の量で迅速に安定させることができる。

また、本発明に係る成膜装置においては、前記記憶部が記憶する情報は、弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応すべく、一つの変数を用いて、吐出量と弁開度との関係を表す式である、という構成でもよい。

斯かる構成によれば、記憶部に記憶されている情報が、一つの変数を用いて、吐出量と弁開度との関係を表す式である。これにより、一つの変数が求められることにより、弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応することができる。したがって、例えば、構成（ハードウェア、ソフトウェア等）を簡素化することができる。

また、本発明に係る成膜装置は、基材に向けて材料を吐出するための吐出口と、前記吐出量検出部に検出される材料を吐出するための検出口と、前記弁を通過した材料を前記吐出口に案内する吐出口案内部と、前記吐出口案内部から分岐して形成され、材料を前記検出口に案内する検出口案内部と、を備え、前記演算部が弁開度を演算する時間の間隔は、材料が前記弁を通過してから前記検出口を経由して前記吐出量検出部に検出されるまでの時間よりも長くなるように、設定されている、という構成でもよい。

斯かる構成によれば、弁を通過した材料は、吐出口案内部により、吐出口に案内され、吐出口を経由して、基材に向けて吐出される。また、吐出口案内部により案内されている材料の一部は、吐出口案内部から分岐して形成される検出口案内部により、検出口に案内され、検出口から吐出して、吐出量検出部に検出される。

これにより、従来のように、吐出量検出部が、吐出口から吐出された材料により吐出量を検出していた構成に対して、吐出量検出部の配置における設計自由度が大きくなる。これに併せて、吐出口の配置における設計自由度も大きくなるため、例えば、吐出口を基材に近づけて配置することもできる。

さらに、演算部が弁開度を演算する時間の間隔は、材料が弁を通過してから検出口を経由して吐出量検出部に検出されるまでの時間よりも長い。これにより、演算部で演算された弁開度に基づいて、吐出量が制御され、その後、吐出量検出部が、その制御された弁開度における吐出量を検出した後に、演算部が、その検出した吐出量に基づいて弁開度の演算を開始することになる。したがって、吐出量を所望の吐出量で安定させることができる。

また、本発明に係る成膜装置においては、前記演算部が弁開度を演算する時間の間隔は、材料が前記弁を通過してから前記吐出口を経由して基材に到達するまでの時間よりも短くなるように、設定されている、という構成でもよい。

斯かる構成によれば、演算部が弁開度を演算する時間の間隔は、材料が弁を通過してから吐出口を経由して基材に到達するまでの時間よりも短い。これにより、従来のように、吐出量検出部が、吐出口から吐出された材料により吐出量を検出していた構成に対して、演算部が弁開度を演算する時間の間隔を短くすることができる。したがって、吐出量の変化を迅速に検出し、吐出量の制御に反映させることができる。

また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、前記の成膜装置を用いて、基材に膜を形成することにより有機ＥＬデバイスを製造する。

以上の如く、本発明は、材料の状態に関わらず、吐出量を所望の量で迅速に安定させることができるという優れた効果を奏する。

図１は、本発明の一実施形態に係る成膜装置を備える有機ＥＬデバイスの製造装置の概略図を示す。 図２は、同実施形態に係る成膜装置の概略図を示す。 図３は、同実施形態に係る成膜装置の制御ブロック図を示す。 図４は、同実施形態に係る成膜装置に記憶されている情報を示す。 図５は、同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの要部断面図を示す。 図６は、同実施形態に係る成膜装置の制御フロー図を示す。 図７は、同実施形態に係る成膜装置の制御方法を説明する図である。 図８は、同実施形態に係る成膜装置の制御方法を説明する図である。 図９は、同実施形態に係る成膜装置の制御方法を説明する図である。 図１０は、同実施形態に係る成膜装置の制御方法を説明する図である。 図１１は、本発明の他の実施形態に係る成膜装置の制御ブロック図を示す。 図１２は、本発明のさらに他の実施形態に係る成膜装置の概略図を示す。

以下、本発明に係る成膜装置における一実施形態について、図１〜図１０を参酌して説明する。なお、本実施形態において、成膜装置は、有機ＥＬデバイスの製造装置に用いられている。

図１に示すように、有機ＥＬデバイスの製造装置１は、帯状の基材１００ａを長手方向に沿う搬送方向Ｄ１に搬送する搬送装置２と、内部が真空状態にされ、並列されている複数（本実施形態においては５つ）の真空チャンバ３とを備えている。

製造装置１は、基材１００ａに向けて所定の材料を吐出することにより、基材１００ａに膜（有機ＥＬ素子）を形成する複数（本実施形態においては３つ）の成膜装置４を備えている。なお、複数の成膜装置４は、上流側から、陽極層１００ｂ、有機ＥＬ層１００ｃ、陰極層１００ｄの各有機ＥＬ素子（図５参照）を形成している。

搬送装置２は、ロール状に巻かれた帯状の基材１００ａを繰り出して供給する供給部２１と、搬送される基材１００ａを外周部で支持する複数の回転体２２と、基材１００ａをロール状に巻き取って回収する回収部２３とを備えている。搬送装置２は、基材１００ａが各真空チャンバ３の内部を通過するように、基材１００ａを搬送方向Ｄ１に搬送している。

成膜装置４は、図２及び図３に示すように、供給源（図示していない）から供給される材料を収容する収容部５と、材料を加熱する加熱部６と、加熱された材料を基材１００ａに向けて吐出する吐出部７とを備えている。本実施形態においては、成膜装置４は、加熱部６に加熱されることで気化した材料を基材１００ａに蒸着させる蒸着装置である。

成膜装置４は、材料の吐出量を制御するために弁開度を制御される弁８と、弁８の弁開度を変更させるべく、弁８を駆動する弁駆動部９とを備えている。成膜装置４は、弁８の弁開度を検出する弁開度検出部１０と、材料の吐出量を検出する吐出量検出部１１と、各検出部１０，１１で検出した情報を処理する処理部１２と、処理部１２に情報を入力するための入力部１３とを備えている。

吐出部７は、筒状に形成される吐出部本体７１を備えている。吐出部７は、基材１００ａに向けて材料を吐出するための吐出口７２と、吐出量検出部１１に検出される材料を吐出するための検出口７３とを備えている。吐出部７は、弁８を通過した材料を吐出口７２に案内する吐出口案内部７４と、吐出口案内部７４から分岐して形成され、材料を検出口７３に案内する検出口案内部７５とを備えている。

吐出口７２は、吐出部本体７１の先端部に配置されている。検出口７３は、吐出部本体７１の側部に配置されている。吐出口案内部７４は、吐出部本体７１の軸線方向に沿って材料を案内している。検出口案内部７５は、吐出部本体７１の径方向に沿って材料を案内している。

これにより、吐出部７は、吐出口７２を経由して、吐出部本体７１の軸線方向と平行な吐出方向Ｄ２に材料を吐出している。また、吐出部７は、検出口７３を経由して、吐出部本体７１の径方向と平行な検出方向Ｄ３に材料を吐出している。具体的には、吐出部７は、検出口７３を経由して、吐出量検出部１１に向けて材料を吐出している。なお、吐出方向Ｄ２と検出方向Ｄ３とは、略直交している。

材料が流れる流路において、弁８から吐出口７２までの流路の距離は、弁８から検出口７３までの流路の距離よりも、長い。即ち、材料が弁８を通過してから吐出口７２に到達するまでの時間は、材料が弁８を通過してから検出口７３に到達するまでの時間よりも、長い。

弁８は、収容部５と吐出部７とを通じさせる開口部８１と、開口部８１を開閉するテーパ状の弁体８２とを備えている。弁８は、弁体８２が開口部８１に対して変位することにより、弁開度を変更する。弁８の弁開度が変更されることにより、吐出部７から吐出される材料の吐出量が変更される。なお、弁開度は、開口部８１における流路になりえる度合、即ち、開口部８１の開放されている度合をいう。

弁体８２は、弁開度を変更するために、弁駆動部９により、開口部８１に対して接離するように（移動方向Ｄ４に）、直線的に移動する。なお、弁開度検出部１０は、弁駆動部９から弁体８２の位置情報を取得し、弁体８２の位置情報に基づいて、弁８の弁開度を検出している。

吐出量検出部１１は、材料に付着されることで吐出量を検出するように構成されている。本実施形態においては、吐出量検出部１１は、水晶振動子を用いており、付着した量に応じて変化する水晶振動子の共振周波数に基づいて、材料の吐出量を検出している。

処理部１２は、弁開度及び吐出量に関する情報を記憶する記憶部１４と、現在の材料の状態を判定する判定部１５とを備えている。処理部１２は、入力部１３により設定された吐出量に制御すべく、弁開度を演算する演算部１６と、演算部１６で演算された弁開度に基づいて、弁８の弁開度を制御する制御部１７とを備えている。

記憶部１４は、入力部１３により設定された吐出量を設定値（以下「設定吐出量」ともいう）として記憶する設定値記憶部１４ａと、弁開度検出部１０で検出した弁開度（以下「検出弁開度」ともいう）と吐出量検出部１１で検出した吐出量（以下「検出吐出量」ともいう）とを記憶する検出値記憶部１４ｂとを備えている。記憶部１４は、弁開度と吐出量との相関情報を記憶する相関情報記憶部１４ｃを備えている。

相関情報記憶部１４ｃは、図４に示すように、弁開度に対する吐出量が材料の状態（例えば、材料の温度、材料の溶融状態等）で異なることに対応すべく、材料の状態ごとにおける弁開度に対する吐出量の情報を記憶している。具体的には、相関情報記憶部１４ｃが記憶する情報は、弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応すべく、以下のように、一つの変数（未知定数）を用いて、弁開度と吐出量との関係を表す式である。

（関係式）
Ｙ＝ａＦ（Ｘ）
ここで、Ｘは、弁開度であり、Ｙは、吐出量であり、ａは、変数である。

弁開度と吐出量との関係を表す式は、実際に測定した結果に基づいて、近似式で求められている。本実施形態においては、横軸を弁開度Ｘとし、縦軸を吐出量Ｙとした相関図は、以下のように、弁開度ＸがＢ未満の場合、吐出量Ｙは、下に凸となる弁開度Ｘの二次関数で表され、弁開度ＸがＢ以上の場合、吐出量Ｙは、上に凸となる弁開度Ｘの二次関数で表される。

（関係式）
Ｘ＜Ｂの場合 ： Ｙ＝ａＸ^２
Ｘ≧Ｂの場合 ： Ｙ＝ａ（ＣＸ^２＋ＤＸ＋Ｅ）
ここで、Ｃ、Ｄ及びＥは、定数である。

本実施形態においては、材料が所定の温度Ｔ℃の場合、変数ａは１．０としている。そして、材料の溶融状態が同じ場合であって、材料温度が（Ｔ−２０）℃の場合、変数ａは０．３となり、材料温度が（Ｔ−１０）℃の場合、変数ａは０．６となり、材料温度が（Ｔ＋１０）℃の場合、変数ａは１．５となり、材料温度が（Ｔ＋２０）℃の場合、変数ａは２．０となっている。

図３に戻り、判定部１５は、検出弁開度と検出吐出量とに基づいて、相関情報記憶部１４ｃで記憶されている複数の情報から該当する材料の状態における情報を判定する。具体的には、判定部１５は、検出弁開度Ｘと検出吐出量Ｙとから、上記関係式における一つの変数ａを演算する。

演算部１６は、設定吐出量に制御すべく、判定部１５で判定した情報に基づいて、弁開度を演算する弁開度演算部１６ａを備えている。弁開度演算部１６ａは、判定部１５が演算した変数ａに基づいた関係式と設定吐出量Ｙとから、制御すべき弁開度（以下、「演算弁開度」ともいう）Ｘを演算する。

弁開度演算部１６ａが弁開度を演算する時間の間隔は、材料が弁８を通過してから検出口７３を経由して吐出量検出部１１に検出されるまでの時間よりも長くなるように、設定されている。また、弁開度演算部１６ａが弁開度を演算する時間の間隔は、材料が弁８を通過してから吐出口７２を経由して基材１００ａに到達するまでの時間よりも短くなるように、設定されている。

制御部１７は、演算弁開度に基づいて、弁８の弁開度を制御する弁制御部１７ａを備えている。弁制御部１７ａは、弁８の弁開度が演算弁開度に変更するように、弁駆動部９を制御する。

本実施形態に係る製造装置１の構成については以上の通りであり、次に、本実施形態に係る製造装置１で製造される有機ＥＬデバイス１００の構成について、図５を参酌して説明する。

有機ＥＬデバイス１００は、帯状の基材１００ａと、基材１００ａの上に積層された陽極層１００ｂと、陽極層１００ｂの上に積層された有機ＥＬ層１００ｃと、有機ＥＬ層１００ｃの上に積層された陰極層１００ｄとを備えている。なお、本発明に係る有機ＥＬデバイス１００は、斯かる構成に限られない。

本発明に係る有機ＥＬデバイス１００は、成膜装置４をさらに追加して設けることにより、陽極層１００ｂ、有機ＥＬ層１００ｃ及び陰極層１００ｄ以外の層を備える、という構成でもよい。例えば、有機ＥＬデバイス１００は、陽極層１００ｂと陰極層１００ｄとが接触することを防止すべく、陽極層１００ｂの周囲を覆うエッジカバー層を備えてもよく、また、各層１００ｂ，１００ｃ，１００ｄが空気と接触することを防止すべく、各層１００ｂ，１００ｃ，１００ｄを覆う封止層を備えてもよい。

本発明に係る陽極層１００ｂ、有機ＥＬ層１００ｃ及び陰極層１００ｄの少なくとも一つは、複数の層からなる構成でもよい。例えば、有機ＥＬ層１００ｃは、５つの層、具体的には、陽極層１００ｂ側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５つの層からなる構成でもよい。

次に、本実施形態に係る成膜装置４の制御方法について、図６〜図１０を参酌して説明する。

弁開度検出部１０が弁８の弁開度を検出し（ステップ１０１）、吐出量検出部１１が吐出量を検出する（ステップ１０２）。なお、ステップ１０１とステップ１０２との順番は、反対でもよく、同時でもよい。図７に示すように、その検出された検出弁開度Ｘ１と検出吐出量Ｙ１とに基づいて、判定部１５は、相関情報記憶部１４ｃで記憶されている複数の情報から該当する材料の状態における情報（図７及び図８においては、ａ＝１．５）を判定する（ステップ１０３）。

図８に示すように、弁開度演算部１６ａは、目標となる設定吐出量Ｙ０と判定部１５で判定した情報とに基づいて、弁開度Ｘ２を演算する（ステップ１０４）。その演算弁開度Ｘ２に基づいて、弁制御部１７ａは、弁８の弁開度を変更する（ステップ１０５）。そして、所定時間が経過すると（ステップ１０６の「Ｙ」）、再び、ステップ１０１に戻る。

なお、その所定時間は、材料が弁８を通過してから検出口７３を経由して吐出量検出部１１に検出されるまでの時間よりも長くなるように、設定されている。また、その所定時間は、材料が弁８を通過してから吐出口７２を経由して基材１００ａに到達するまでの時間よりも短くなるように、設定されている。

ところで、例えば、材料の状態が図８に示した状態から変化することにより、検出弁開度がＸ２で同じ（ステップ１０１）であっても、検出吐出量がＹ０からＹ２に変化する（ステップ１０２）。図９に示すように、その検出弁開度Ｘ２と検出吐出量Ｙ２とに基づいて、判定部１５は、相関情報記憶部１４ｃで記憶されている複数の情報から該当する材料の状態における情報（図９及び図１０においては、ａ＝１．０）を判定する（ステップ１０３）。

図１０に示すように、弁開度演算部１６ａは、目標となる設定吐出量Ｙ０と判定部１５で判定した情報とに基づいて、弁開度Ｘ３を演算する（ステップ１０４）。その演算弁開度Ｘ３に基づいて、弁制御部１７ａは、弁８の弁開度を変更する（ステップ１０５）。このようにして、吐出口７２から吐出される材料の吐出量は、設定吐出量Ｙ０で安定する。

以上より、本実施形態に係る成膜装置４によれば、記憶部１４は、材料の状態ごとにおける弁開度に対する吐出量の情報を記憶している。そして、判定部１５は、吐出量検出部１１で検出した吐出量と弁開度検出部１０で検出した弁開度とに基づいて、記憶部１４で記憶されている複数の情報から該当する材料の状態における情報を判定する。

その後、演算部１６が、判定部１５で判定した情報に基づいて、弁開度を演算するため、弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応できている。そして、弁８が、演算部１６で演算された弁開度に基づいて制御されることにより、吐出量が、設定されている設定吐出量に制御される。したがって、材料の状態に関わらず、吐出量を所望の設定吐出量で迅速に安定させることができる。

また、本実施形態に係る成膜装置４によれば、記憶部１４に記憶されている情報が、一つの変数ａを用いて、吐出量Ｙと弁開度Ｘとの関係を表す式である。これにより、一つの変数が求められることにより、弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応することができる。したがって、構成（ハードウェア、ソフトウェア等）を簡素化することができる。

また、本実施形態に係る成膜装置４によれば、弁８を通過した材料は、吐出口案内部７４により、吐出口７２に案内され、吐出口７２を経由して、基材１００ａに向けて吐出される。また、吐出口案内部７４により案内されている材料の一部は、吐出口案内部７４から分岐して形成される検出口案内部７５により、検出口７３に案内され、検出口７３から吐出して、吐出量検出部１１に検出される。

これにより、従来のように、吐出量検出部１１が、吐出口７２から吐出された材料により吐出量を検出していた構成に対して、吐出量検出部１１の配置における設計自由度が大きくなる。これに併せて、吐出口７２の配置における設計自由度も大きくなるため、吐出口７２を基材１００ａに近づけて配置することができる。

また、本実施形態に係る成膜装置４によれば、演算部１６が弁開度を演算する時間の間隔は、材料が弁８を通過してから検出口７３を経由して吐出量検出部１１に検出されるまでの時間よりも長い。これにより、演算部１６で演算された弁開度に基づいて、吐出量が制御され、そして、吐出量検出部１１が、その制御された弁開度における吐出量を検出した後に、演算部１６が、その検出した吐出量に基づいて、弁開度の演算を開始することになる。したがって、吐出量を所望の設定吐出量で安定させることができる。

また、本実施形態に係る成膜装置４によれば、演算部１６が弁開度を演算する時間の間隔は、材料が弁８を通過してから吐出口７２を経由して基材１００ａに到達するまでの時間よりも短い。これにより、従来のように、吐出量検出部１１が、吐出口７２から吐出された材料により吐出量を検出していた構成に対して、演算部１６が弁開度を演算する時間の間隔を短くすることができる。したがって、吐出量の変化を迅速に検出し、吐出量の制御に反映させることができる。

なお、本発明に係る成膜装置及び有機ＥＬデバイスは、上記した実施形態の構成に限定されるものではなく、また、上記した作用効果に限定されるものではない。また、本発明に係る成膜装置及び有機ＥＬデバイスは、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、下記する各種の変更例に係る構成や方法等を任意に選択して、上記した実施形態に係る構成や方法等に採用してもよいことは勿論である。

本発明に係る成膜装置４は、材料の状態ごとにおける弁開度に対する吐出量の情報を自動的に演算する構成でもよい。例えば、図１１に示すように、成膜装置４は、弁開度検出部１０で検出した弁開度と吐出量検出部１１で検出した吐出量とに基づいて、弁開度に対する吐出量の相関を演算する相関演算部１６ｂを備えてもよい。また、図１１に示す成膜装置４は、材料の温度を検出する温度検出部１８と、温度検出部１８で検出した材料の温度に基づいて加熱部６を制御する加熱制御部１７ｂとを備えている。

斯かる構成によれば、加熱制御部１７ｂが材料の温度を一定となるように加熱部６を制御しつつ、弁制御部１７ａが弁８の弁開度を変化させる。そして、弁開度検出部１０が弁開度を検出し、吐出量検出部１１が吐出量を検出する。斯かる動作は、弁制御部１７ａ及び加熱制御部１７ｂにより、さまざまな温度において実施される。

相関演算部１６ｂは、これらの検出弁開度と検出吐出量とに基づいて、弁開度に対する吐出量の相関情報（例えば、関係式）を演算する。この相関情報は、例えば、近似式で求められる。そして、相関情報記憶部１４ｃは、相関演算部１６ｂで演算された相関情報を記憶する。

また、上記実施形態に係る成膜装置４においては、吐出口７２は、筒状の吐出部本体７１の先端部に配置され、検出口７３は、筒状の吐出部本体７１の側部に配置される、という構成である。しかしながら、本発明に係る成膜装置４は、斯かる構成に限れない。例えば、本発明に係る成膜装置４は、図１２に示すように、吐出口７２は、吐出部本体７１の一方側の端部に配置され、検出口７３は、吐出部本体７１の他方側の端部に配置される、という構成でもよい。図１２に示す成膜装置４においては、吐出方向Ｄ２と検出方向Ｄ３とは、略平行（正反対の方向）である。

また、上記実施形態に係る成膜装置４は、連続的に搬送される帯状の基材１００ａに向けて材料を吐出する、という構成（所謂、ロールトゥーロール式）である。しかしながら、本発明に係る成膜装置４は、斯かる構成に限られない。例えば、本発明に係る成膜装置４は、図１２に示すように、所定位置に配置される板状の基材１００ａに向けて材料を吐出する、という構成（所謂、バッチ式）でもよい。

また、上記実施形態に係る成膜装置４は、気化した材料を吐出する、という構成（所謂、ドライ式）である。しかしながら、本発明に係る成膜装置４は、斯かる構成に限られない。例えば、本発明に係る成膜装置４は、液体の材料を吐出する、という構成（所謂、ウェット式）でもよい。なお、成膜装置４がウエット式である場合、吐出量検出部１１には、例えば、液体の流量を測定する流量計が用いられる。

また、上記実施形態に係る成膜装置４においては、弁体８２は、テーパ状に形成される、という構成である。しかしながら、本発明に係る成膜装置４は、斯かる構成に限られない。例えば、本発明に係る成膜装置４においては、弁体８２は、平板状（シャッター状）又は球状に形成される、という構成でもよい。要するに、弁８は、弁開度を変更することで、材料の流量（吐出量）を変更できる構成であればよい。

また、上記実施形態に係る成膜装置４においては、記憶部１４が記憶する情報は、吐出量と弁開度との関係を表す式である、という構成である。しかしながら、本発明に係る成膜装置４は、斯かる構成に限れられない。例えば、本発明に係る成膜装置４においては、記憶部１４が記憶する情報は、吐出量と弁開度との関係を表すテーブルである、という構成でもよい。

また、上記実施形態に係る成膜装置４においては、吐出量検出部１１は、吐出口７２とは別の検出口７３から吐出された材料を検出することにより、基材１００ａに向けて吐出される材料の吐出量を検出する、という構成である。しかしながら、本発明に係る成膜装置４は、斯かる構成に限られない。例えば、本発明に係る成膜装置４においては、吐出量検出部１１は、吐出口７２から吐出された材料を検出することにより、基材１００ａに向けて吐出される材料の吐出量を検出する、という構成でもよい。

１…有機ＥＬデバイスの製造装置、２…搬送装置、３…真空チャンバ、４…成膜装置、５…収容部、６…加熱部、７…吐出部、８…弁、９…弁駆動部、１０…弁開度検出部、１１…吐出量検出部、１２…処理部、１３…入力部、１４…記憶部、１４ａ…設定値記憶部、１４ｂ…検出値記憶部、１４ｃ…相関情報記憶部、１５…判定部、１６…演算部、１６ａ…弁開度演算部、１６ｂ…相関演算部、１７…制御部、１７ａ…弁制御部、１７ｂ…加熱制御部、１８…温度検出部、２１…供給部、２２…回転体、２３…回収部、７１…吐出部本体、７２…吐出口、７３…検出口、７４…吐出口案内部、７５…検出口案内部、８１…開口部、８２…弁体、１００…有機ＥＬデバイス、１００ａ…基材、１００ｂ…陽極層、１００ｃ…有機ＥＬ層、１００ｄ…陰極層、Ｄ１…搬送方向、Ｄ２…吐出方向、Ｄ３…検出方向、Ｄ４…移動方向

Claims (5)

1. 基材に向けて材料を吐出することにより、基材に膜を形成する成膜装置において、
   材料の吐出量を検出する吐出量検出部と、
   材料の吐出量を制御するために弁開度を制御される弁と、
   弁開度を検出する弁開度検出部と、
   弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応すべく、材料の状態ごとにおける弁開度に対する吐出量の情報を記憶する記憶部と、
   前記吐出量検出部で検出した吐出量と前記弁開度検出部で検出した弁開度とに基づいて、前記記憶部で記憶されている複数の情報から該当する材料の状態における情報を判定する判定部と、
   設定されている吐出量に制御すべく、前記判定部で判定した情報に基づいて、弁開度を演算する演算部と、を備えることを特徴とする成膜装置。
2. 前記記憶部が記憶する情報は、弁開度に対する吐出量が材料の状態で異なることに対応すべく、一つの変数を用いて、吐出量と弁開度との関係を表す式である請求項１に記載の成膜装置。
3. 基材に向けて材料を吐出するための吐出口と、
   前記吐出量検出部に検出される材料を吐出するための検出口と、
   前記弁を通過した材料を前記吐出口に案内する吐出口案内部と、
   前記吐出口案内部から分岐して形成され、材料を前記検出口に案内する検出口案内部と、を備え、
   前記演算部が弁開度を演算する時間の間隔は、材料が前記弁を通過してから前記検出口を経由して前記吐出量検出部に検出されるまでの時間よりも長くなるように、設定されている請求項１又は２に記載の成膜装置。
4. 前記演算部が弁開度を演算する時間の間隔は、材料が前記弁を通過してから前記吐出口を経由して基材に到達するまでの時間よりも短くなるように、設定されている請求項３に記載の成膜装置。
5. 請求項１〜４の何れか１項に記載の成膜装置を用いて、基材に膜を形成することにより有機ＥＬデバイスを製造する有機ＥＬデバイスの製造方法。
   

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