KR20220039765A - 수직 배향으로 oled 층 스택을 증발시키기 위한 시스템 및 방법 - Google Patents

수직 배향으로 oled 층 스택을 증발시키기 위한 시스템 및 방법 Download PDF

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KR20220039765A
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Abstract

기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈이 설명된다. 이 모듈은 적어도 제1 진공 배향 챔버를 포함하며, 제1 진공 배향 챔버는: 진공 챔버; 진공 챔버 내의 이송 트랙 ― 이송 트랙은 지지 구조 및 구동 구조를 갖고, 이송 방향을 한정함 ―; 및 비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 기판 배향을 변경하기 위한 배향 액추에이터를 포함하고, 진공 챔버는 이송 방향으로 진공 챔버의 대향 측벽들에 2개의 슬릿 개구들, 특히 2개의 본질적으로 수직 슬릿 개구들을 갖는다.

Description

수직 배향으로 OLED 층 스택을 증발시키기 위한 시스템 및 방법
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 인라인(in-line) 기판 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 추가로, 본 개시내용의 실시예들은 수직 배향으로 OLED 층 스택을 증발시키기 위한, 특히 수직 배향으로 백색 OLED 층 스택과 같은 단색 OLED 층 스택을 증발시키기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 특히, 복수의 기판들의 프로세싱을 위한 기판 프로세싱 시스템, 이를테면 본질적으로 수직 배향으로 복수의 대면적 기판들을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템, 인라인 기판 프로세싱 시스템에서 기판을 프로세싱하는 방법, 기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈, 기판 프로세싱 시스템에서 대면적 기판을 이송하는 방법, 및 대면적 기판 상에 디스플레이의 층 스택을 제조하는 방법에 관한 것이다.
[0002] OLED(organic light-emitting diode)들은 발광층이 특정 유기 화합물들의 박막을 포함하는 특수한 타입의 발광 다이오드이다. OLED들은 정보를 디스플레이하기 위해 텔레비전 화면들, 컴퓨터 모니터들, 휴대 전화들, 다른 핸드헬드 디바이스들 등의 제조에 사용된다. OLED들은 일반적인 공간 조명에도 또한 사용될 수 있다. OLED 재료가 직접 빛을 방사하기 때문에 OLED 디스플레이들에서 가능한 색상들 및 밝기의 범위는 종래의 LCD 디스플레이들에서의 범위보다 더 넓다. OLED 디스플레이들의 에너지 소비는 종래의 LCD 디스플레이들의 에너지 소비보다 훨씬 더 적다.
[0003] 또한, OLED들이 가요성 기판들 상에 제조될 수 있다는 사실은 추가 응용들을 야기한다. OLED 디스플레이는 예를 들어, 2개의 전극들, 예를 들어 금속성 재료로부터의 전극들 사이에 위치된 유기 재료 층들을 포함할 수 있다. OLED는 일반적으로 2개의 유리 패널들 사이에 배치되고, 유리 패널들의 에지들은 밀폐되어 그 안에 OLED를 캡슐화한다. 대안으로, OLED는 박막 기술, 예를 들어 배리어 막으로 캡슐화될 수 있다.
[0004] OLED 디스플레이들을 제조하기 위한 프로세스는 고 진공에서의 기판 상의 유기 재료들의 열 증발 및 유기 재료들의 증착을 포함한다. 기판 영역들이 코팅되는 것을 막기 위해 그리고/또는 증착 동안 기판 상에 유기 층들을 패터닝하기 위해 마스크의 사용으로 이 프로세스를 보완하는 것이 유리하다. 본 명세서에서, 마스크는 유기 층들의 증착 동안 기판에 가깝게 유지되며, 기판은 통상적으로 증착 동안 마스크 뒤에 배열되고 마스크에 대해 정렬된다.
[0005] 도 1은 산업 표준 수평 인라인 프로세싱 시스템에 따라 사용될 수 있는 유기 디스플레이를 생성하기 위한 예시적인 시스템(10)을 설명한다. 기판들, 이를테면 디스플레이 산업을 위한 유리 기판들은 수평 배향으로 프로세싱되고, 프로세싱될 사이트를 위로 향하게 하여 탭(tab)으로 시스템(10)에 진입한다. 플립(flip) 챔버(12)에서, 기판들은 프로세싱될 기판 표면이 아래쪽을 향하게 하도록 180° 회전된다. 기판은 이송 모듈을 통해 복수의 정렬 챔버들(16) 중 하나로 이송되며, 여기서 하나 이상의 유기 증착 프로세스들을 마스킹하기 위한 마스크가 기판 위에 제공된다. 가속 모듈(18)에서, 수평으로 배향된 기판들은 복수의 유기 증착 챔버들(22)을 통해 이동하도록 가속되며, 여기서 유기 층들은 기판 아래에서부터 증착된다. 감속 모듈(23) 다음에, 복수의 분리 챔버들(26) 중 하나에서 마스크가 분리된다. 정렬 챔버들(16)에서 기판 상에 정렬되고 분리 챔버들(26)에서 기판들로부터 분리된 마스크들은 통상적으로 대기 조건들 하에 마스크 리턴 경로(72) 상에서 이송된다. 로드락(load lock) 챔버들이 마스크 리턴 경로(72)의 시작부와 끝에 제공될 수 있다.
[0006] 위에서 설명된 유기 모듈에서 유기 층들로 프로세싱된 기판은 이송 모듈(32)에서 금속성 모듈로 이송된다. 금속성 모듈은 정렬 챔버들(42), 가속 모듈(44), 금속 증착 챔버들(46), 감속 모듈(47) 및 분리 챔버들(49)을 포함한다. 금속성 모듈에서의 기판 핸들링은 위에서 설명된 유기 모듈에 대응한다. 기판의 프로세싱 후에, 기판은 제2 추가 챔버(62) 내에서 180° 회전되고, 이송 모듈(66)에 의해 시스템(10) 밖으로 이송될 수 있다. 유기 모듈과 유사하게, 금속성 모듈은 또한 마스크 리턴 경로(72)를 포함한다. 더 추가로, 기판의 프로세싱 동안 기판을 지지하는 캐리어는 통상적으로 대기 조건들 하에 캐리어 리턴 경로(74) 상에서 시스템(10)의 프론트엔드로 리턴될 수 있다.
[0007] 시스템(10)의 길이(50)는 특히, 유기 증착 챔버들의 수 및 금속성 증착 챔버들의 수에 의해 결정되며, 여기서 유기 프로세스를 위한 마스크 및 금속성 프로세스를 위한 상이한 마스크의 재사용뿐만 아니라 캐리어들의 재사용과 함께 복수의 금속성 층들 아래에 복수의 유기 층들을 갖는 증착 프로세스를 위한 시스템 아키텍처는 본질적으로 선형 어레인지먼트를 야기한다. 추가로, 시스템의 폭(90)은 특히, 수평 기판 배향, 마스크 리턴 경로 및 캐리어 리턴 경로에 의해 결정된다.
[0008] 디스플레이 제조를 위한 더 큰 기판 크기들을 향한 경향을 고려하면, 유기 층 스택을 증착하기 위한, 그리고 특히 유기 층 스택 및 유기 층 스택 위에 금속성 층 스택을 증착하기 위한 개선된 시스템 및 개선된 방법을 제공하는 것이 유리하다.
[0009] 위의 내용을 고려하면, 기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈, 복수의 기판들의 프로세싱을 위한 기판 프로세싱 시스템, 기판 프로세싱 시스템에서 대면적 기판, 특히 길이 및 길이보다 더 짧은 폭을 갖는 기판을 이송하는 방법이 제공된다. 추가 양상들, 실시예들, 특징들 및 세부사항들은 종속 청구항들, 도면들 및 명세서로부터 도출될 수 있다.
[0010] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, 기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈이 제공된다. 이 모듈은 적어도 제1 진공 배향 챔버를 포함하며, 제1 진공 배향 챔버는: 진공 챔버; 진공 챔버 내의 이송 트랙 ― 이송 트랙은 지지 구조 및 구동 구조를 갖고, 이송 방향을 한정함 ―; 및 비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 기판 배향을 변경하기 위한 배향 액추에이터를 포함하고, 진공 챔버는 이송 방향으로 진공 챔버의 대향 측벽들에 2개의 슬릿 개구들, 특히 2개의 본질적으로 수직 슬릿 개구들을 갖는다. 예를 들어, 이송 방향은 양방향 이송 방향일 수 있는데, 즉 이송은 제1 진공 배향 챔버에서 2개의 반대 방향들로 제공될 수 있다.
[0011] 일 양상에 따르면, 기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈이 제공된다. 이 모듈은 적어도 제1 진공 배향 챔버를 포함하며, 제1 진공 배향 챔버는: 진공 챔버; 진공 챔버 내의 이송 트랙 ― 이송 트랙은 지지 구조 및 구동 구조를 가짐 ―; 및 비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 기판 배향을 변경하기 위한 배향 액추에이터를 포함하고, 배향 액추에이터는 기판의 제1 단부와 기판의 제2 단부 사이에 위치된 축을 중심으로 일정 각도만큼 기판을 이동시키도록 구성되며, 제2 단부는 제1 단부에 대향한다.
[0012] 일 양상에 따르면, 복수의 기판들의 프로세싱을 위한 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 이 시스템은, 제1 인라인 모듈이며 제1 복수의 진공 증착 소스들을 갖는 제1 증착 모듈; 제2 인라인 모듈이며 제2 복수의 진공 증착 소스들을 갖는 제2 증착 모듈; 및 제1 증착 모듈과 제2 증착 모듈 사이의 유리 핸들링 모듈을 포함하고, 유리 핸들링 모듈은 본 개시내용의 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 진공 배향 모듈을 포함한다.
[0013] 일 양상에 따르면, 기판 프로세싱 시스템에서 길이 및 길이보다 더 짧은 폭을 갖는 대면적 기판을 이송하는 방법이 제공된다. 이 방법은 대면적 기판의 폭에 평행한 이동에 의해 비-수직 배향으로 진공 배향 챔버 내로 대면적 기판을 로딩하는 단계; 및 대면적 기판을 비-수직 배향에서 비-수평 배향으로 이동시키는 단계를 포함한다.
[0014] 일 양상에 따르면, 기판 프로세싱 시스템에서 대면적 기판을 이송하는 방법이 제공된다. 이 방법은 진공 챔버의 제1 측벽에 있는 제1 슬릿 개구를 통해, 진공 챔버를 갖는 적어도 제1 진공 배향 챔버 내로 대면적 기판을 이동시키는 단계; 진공 챔버의 제2 측벽에 있는 제2 슬릿 개구를 통해 적어도 제1 진공 배향 챔버 밖으로 대면적 기판을 이동시키는 단계 ― 제2 측벽은 제1 측벽에 대향함 ―; 및 적어도 제1 진공 배향 챔버에서 대면적 기판을 기판의 비-수직 배향에서 비-수평 배향으로 또는 그 반대로 이동시키는 단계를 포함한다.
[0015] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부 도면들은 실시예들에 관련되며 아래에 설명된다:
도 1은 종래 기술에 따른 산업 표준 수평 인라인 증발 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 2는 본 개시내용의 실시예들에 따른 수직 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 3은 본 개시내용의 실시예들에 따른 추가 수직 프로세싱 시스템의 개략적인 평면도를 도시한다.
도 4는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따라 유기 층 스택을 제조하기 위한 방법을 예시하는 흐름도를 도시한다.
도 5는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른, 인라인 기판 프로세싱 시스템을 위한 마스크 핸들링 모듈의 개략도를 도시한다.
도 6a 및 도 6b는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른, 인라인 기판 프로세싱 시스템을 위한 마스크 핸들링 모듈의 개략적인 측단면도들을 도시한다.
도 7a 및 도 7b는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따라 기판 프로세싱 시스템에서 기판, 예컨대 대면적 기판을 이송하는 방법들을 예시하는 흐름도를 도시한다.
[0016] 이제 다양한 실시예들에 대한 상세한 참조가 이루어질 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에 예시된다. 도면들의 다음 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개개의 실시예들에 관한 차이점들만이 설명된다. 각각의 예는 설명으로 제공되며 개시내용의 제한으로 여겨지는 것은 아니다. 또한, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 설명되는 특징들은 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용되어 더 추가 실시예를 야기할 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0017] OLED 디스플레이들을 제조하기 위한 프로세스는 고 진공에서의 기판 상의 유기 재료들의 열 증발 및 유기 재료들의 증착을 포함할 수 있다. 디스플레이 기술에 따라, 증착 동안 기판 상에 유기 층들을 패터닝하기 위한 마스크의 사용이 제공될 수 있다. 예를 들어, 마스크는 예컨대, 수 밀리미터의 에지를 갖는 유리 기판, 이를테면 직사각형 유리 기판의 파라미터를 마스킹하는 에지 배제 마스크일 수 있다. 단색 OLED 층 스택, 이를테면 백색 층 스택을 제조하기 위해 에지 배제 마스크가 이용될 수 있다. 다른 프로세스들은 패턴 마스크, 이를테면 FMM(fine metal mask)을 이용할 수 있으며, 여기서 마스크는 기판 상의 디스플레이 픽셀들을 위한 픽셀 패턴을 제공한다. 예를 들어, 이는 RGB 디스플레이 제조에 사용될 수 있다. 이에 따라, 마스크의 이용에 의한 OLED 디스플레이 제조 프로세스들은 예컨대, 마스크를 이송하기 위해 달성될 추가 프로세스들로 인해 복잡할 수 있다. 추가로, 입자 생성 및 오염이 OLED 디스플레이 제조 시스템 및 결과적인 디바이스들을 악화시킬 수 있기 때문에, 입자 생성 및 오염이 중요하다. 유사한 고려사항들이 기판들을 위한 캐리어들에 적용된다. 입자 생성 및 오염 고려사항들에 추가하여, 즉 입자 및 오염 고려사항들과 조합하여, 기판 프로세싱 시스템의 풋프린트가 대면적 기판들 상의 디스플레이 제조에 특히 유리하게 감소된다.
[0018] 본 개시내용의 실시예들은, 유기 층 스택을 제조하기 위한, 특히 유기 층 스택 및 유기 층 스택 위에 금속성 층 스택을 제조하기 위한 기판 프로세싱 시스템의 크게 감소된 풋프린트를 가능하게 한다. 추가로, 기판을 위한 마스크들 및 캐리어들은 정상 동작 동안 진공 조건들 하에 유지된다.
[0019] 도 2는 진공 프로세싱 시스템(100)을 도시한다. 도 2에 도시된 진공 프로세싱 시스템(100)은 유기 증착 모듈(130) 및 금속성 증착 모듈(160)을 포함한다. 유기 증착 모듈(130)과 금속성 증착 모듈(160) 사이에 유리 핸들링 모듈(110)이 제공된다. 유리 핸들링 모듈(110)과 유기 증착 모듈(130) 사이에 제1 마스크 핸들링 모듈(120)이 제공된다. 유리 핸들링 모듈(110)과 금속성 증착 모듈(160) 사이에 제2 마스크 핸들링 모듈(150)이 제공된다. 또한, 제1 회전 모듈(140)이 제1 마스크 핸들링 모듈(120)의 원위(distal) 단부에서 유기 증착 모듈(130)에 제공된다. 제2 회전 모듈(170)이 제2 마스크 핸들링 모듈(150)의 원위 단부에서 금속성 증착 모듈에 제공된다.
[0020] 위의 어레인지먼트를 고려하여, 기판 프로세싱 시스템(100)에서 프로세싱될 기판들은 예를 들어, 기판 캐리어들 상에서 유리 핸들링 모듈에 로딩되고, 예를 들어 기판 캐리어들로부터 유리 핸들링 모듈(110)에서 언로딩된다. 이에 따라, 빈 캐리어 상에서 새로운 기판이 로딩될 동일한 포지션에서 프로세스 기판의 언로딩 후에 빈 캐리어가 제공된다. 따라서 예를 들어, 캐리어 리턴 경로 상에서의 빈 캐리어들의 이송이 회피되거나 최소로 감소될 수 있다. 추가로, 대기 조건에 대한 캐리어의 노출이 회피되거나 최소로 감소될 수 있다.
[0021] 또한, 제1 회전 모듈(140) 및 제2 회전 모듈(170)은 유기 증착 경로 및 금속성 증착 경로를 각각 "폴딩"할 수 있게 한다. 유기 증착 모듈(130)에 대해 예시적으로 설명된 바와 같이, 유기 증착 모듈은 기판 상에 제1 그룹의 유기 층들을 증착하기 위한 순방향 이송 경로(131) 및 제1 그룹의 유기 층들 위에 제2 그룹의 유기 층들을 증착하기 위한 역방향 이송 경로(133)를 포함한다. 기판은 제1 회전 모듈(140)에 의해 순방향 이송 경로(131)와 역방향 이송 경로(133) 사이에서 회전된다. 유기 증착 경로를 "폴딩"함으로써, 유기 증착 모듈의 길이(124)가 예를 들어, 약 50%만큼 감소될 수 있다.
[0022] 유기 증착 모듈의 길이(124)를 감소시키고, 그에 따라 기판 프로세싱 시스템(100)의 길이 방향으로 풋프린트를 감소시키는 이점과 조합하여, 어레인지먼트에 의해 추가 이점이 제공된다. 제1 마스크 핸들링 모듈(120)은 유기 증착 경로의 시작부에 그리고 (동시에) 유기 증착 경로의 끝에 제공된다. 이에 따라, 증착 프로세스를 위해 이전에 이용되었던 마스크는 제1 마스크 핸들링 모듈(120)에서 프로세싱된 기판으로부터 제거되고, 제1 마스크 핸들링 모듈(120)에서 프로세싱될 새로운 기판 상에 포지셔닝될 수 있다. 이에 따라, 사용된 마스크는, 마스크가 기판에 부착되는, 아래에서 설명되는 바와 같이, 동일한 포지션에서 또는 본질적으로 동일한 포지션에서 기판으로부터 마스크를 분리한 후에 제공된다. 따라서 예를 들어, 마스크 리턴 경로 상에서의 마스크의 이송이 회피되거나 최소로 감소될 수 있다. 추가로, 대기 조건에 대한 마스크의 노출이 회피되거나 최소로 감소될 수 있다.
[0023] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가 실시예들에 따르면, 금속성 증착 모듈은 기판 상에 제1 그룹의 금속성 층들을 증착하기 위한 순방향 이송 경로(163) 및 제1 그룹의 금속성 층들 위에 제2 그룹의 금속성 층들을 증착하기 위한 역방향 이송 경로(161)를 포함한다. 기판은 제2 회전 모듈(170)에 의해 순방향 이송 경로와 역방향 이송 경로 사이에서 회전된다. 금속성 증착 경로를 "폴딩"함으로써, 금속성 증착 모듈의 길이(148)가 예를 들어, 약 50%만큼 감소될 수 있다.
[0024] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는, 본 명세서에서 설명되는 실시예들의 더 추가 특징들, 세부사항들, 양상들 및 구현들에 따르면, 유리 핸들링 모듈(110)은 비-수직 배향, 예를 들어 수평 배향에서 비-수평 배향, 예를 들어 본질적으로 수직 배향으로 기판 배향을 변경하도록 구성된 진공 배향 모듈(114)을 포함한다. 이에 따라, 기판들은 본질적으로 수직 배향으로 진공 프로세싱 시스템(100)을 통해 프로세싱 및/또는 이송될 수 있다. 이에 따라, 풋프린트는 산업 표준 수평 인라인 프로세싱 시스템과 비교하여 추가로 감소될 수 있다. 유리 핸들링 모듈은 로드락 모듈(112)을 포함할 수 있다. 로드락 모듈(112)은 기판들, 예를 들어 디스플레이 제조를 위한 대면적 기판들을 대기 조건으로부터 진공으로 그리고 그 반대로 로딩하도록 구성된다. 예를 들어, 기판들은 수평 배향으로 로드락 모듈 내로 로딩되고 로드락 모듈로부터 언로딩될 수 있다.
[0025] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 복수의 이점들의 조합이 시스템 어레인지먼트에 의해 제공될 수 있다. 기판 프로세싱 시스템의 길이는 예를 들어, 대략 50%만큼 상당히 감소될 수 있으며, 여기서 "대략"이라는 용어는 예를 들어, 프로세싱 경로에서 홀수의 진공 챔버들의 경우에, 하나 또는 2개의 추가 이송 챔버들이 포함될 수 있다는 사실을 의미한다. 기판 프로세싱 시스템의 폭은 예컨대, 본질적으로 수직 기판 배향에 의해 상당히 감소될 수 있다. 캐리어 리턴 경로 및 마스크 리턴 경로가 회피될 수 있으며, 이는 특히 오염을 감소시키고 기판 프로세싱 시스템의 폭을 추가로 감소시킬 수 있다.
[0026] 도 2 및 도 3에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본 개시내용의 실시예들은 인라인 기판 프로세싱 시스템을 위한 하나 이상의 마스크 핸들링 모듈들을 포함한다. 예를 들어, 제1 마스크 핸들링 모듈(120)은 유기 증착 경로를 위해 제공될 수 있다. 추가로, 제2 마스크 핸들링 모듈(150)이 금속성 증착 경로를 위해 제공될 수 있다. 마스크 핸들링 모듈들은 유사한 세부사항들, 특징들 및 양상들을 포함할 수 있고, 제1 마스크 핸들링 모듈(120)이 예시적으로 설명된다.
[0027] 인라인 기판 프로세싱 시스템은 디스플레이 제조 시스템 또는 디스플레이 제조 시스템의 일부, 특히 OLED 디스플레이 제조 시스템, 보다 구체적으로는 대면적 기판들을 위한 OLED 디스플레이 제조 시스템일 수 있다. 마스크 또는 기판 캐리어의 이송, 즉 인라인 기판 프로세싱 시스템을 통한 기판 캐리어의 이동은 특히, 기판 캐리어의 수직으로 배향된 상태로 제공될 수 있다. 예를 들어, 기판 캐리어들은 유리판과 같은 기판을 수직으로 배향된 상태 또는 본질적으로 수직으로 배향된 상태로 홀딩하도록 구성될 수 있다.
[0028] 도 2 및 도 3을 예시적으로 참조하면, 마스크 핸들링 모듈(120)은 진공 회전 챔버(122)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 진공 회전 챔버는 인라인 기판 프로세싱 시스템 내에 제공될 수 있고, 유리 핸들링 모듈(110)과 유기 증착 모듈(130) 사이에 제공된다. 특히, 진공 회전 챔버(122)는 챔버에 진공 조건들을 제공하도록 구성될 수 있다. 추가로, 마스크 핸들링 모듈(120)은 진공 회전 챔버(122) 내에 회전 메커니즘을 포함할 수 있다. 회전 메커니즘은 회전 지지부를 더 포함할 수 있다. 게다가, 회전 메커니즘은 또한, 진공 회전 챔버(122) 내에서 회전 지지부를 회전시키도록 구성된 액추에이터를 포함할 수 있다. 액추에이터의 예들은 전기 모터, 공압 액추에이터, 유압 액추에이터 등을 포함할 수 있다. 특히, 액추에이터는 시계 방향 및/또는 반시계 방향으로의 회전 지지부의 적어도 120°의 회전을 제공하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 액추에이터는 180°의 회전을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0029] 일부 실시예들에 따르면, 마스크 핸들링 모듈(120)은 제1 마스크 스테이지(324) 및 제2 마스크 스테이지(326)를 더 포함할 수 있다(예를 들어, 도 3 참조). 제1 마스크 스테이지 및 제2 마스크 스테이지는 각각, 기판 또는 기판 캐리어에 각각 부착되지 않으면서 마스크를 지지하기 위한 마스크 홀더 어셈블리를 포함한다. 제1 마스크 홀더 어셈블리 및/또는 제2 마스크 홀더 어셈블리는: 전자기 클램프, 영전자 자석(electropermanent magnetic) 클램프 및 기계적 클램프의 그룹 중 적어도 하나의 클램프를 포함할 수 있다.
[0030] 제1 마스크 스테이지(324)는 제1 마스크 스테이지의 회전을 위해 회전 메커니즘에 장착될 수 있다. 추가로, 제1 마스크 스테이지는 수직 배향 상태로 회전 지지부에 장착될 수 있다. "장착된"이라는 용어는 예컨대, 기계적 홀더, 전자기 홀더, 및/또는 영전자 홀더의 사용을 통해 임의의 체결 수단에 의해 회전 메커니즘에 그리고/또는 회전 지지부에 고정 또는 체결되는 상태를 의미한다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가 실시예들에 따르면, 제2 마스크 스테이지(326)는 제1 마스크 스테이지와 유사하게 제공될 수 있다.
[0031] 추가로, 마스크 핸들링 모듈(120)은 특히, 적어도 하나의 진공 챔버 및/또는 수송 모듈을 연결하도록 구성된 적어도 하나의 연결 플랜지를 포함할 수 있다. 일반적으로, 서로 다른 타입들의 연결 플랜지들의 일부 또는 전부는 케이싱 프레임형 구조를 갖는데, 이는 케이싱 프레임형 구조 내부에 진공 상태들을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0032] 일부 실시예들에 따르면, 마스크 핸들링 모듈(120)은 또한 마스크 핸들링 어셈블리를 포함할 수 있다. 마스크 핸들링 어셈블리는 진공 회전 챔버에 부착된 마스크 핸들링 챔버(123) 또는 추가 마스크 핸들링 챔버(323)에 포지셔닝될 수 있다. 특히, 마스크 핸들링 챔버 또는 마스크 핸들링 챔버들은 챔버에 진공 조건들을 제공하도록 구성될 수 있다. 마스크 핸들링 어셈블리는 하나, 둘 또는 그보다 많은 개별적으로 이동 가능한 로봇 손들을 갖는 진공 로봇을 포함할 수 있다. 각각의 로봇 손은 마스크를 잡거나 지지하도록 구성된 마스크 홀딩 부분을 포함할 수 있다. 추가로, 마스크 홀딩 부분은 마스크 핸들링 챔버(123) 또는 추가 마스크 핸들링 챔버(323) 내의 하나 이상의 마스크 홀더들(예컨대, 마스크 셸프(shelf)들)과 진공 회전 챔버(122) 간에 마스크를 이송하도록 구성될 수 있다. 더욱이, 하나 이상의 마스크 핸들링 챔버들은 회전 메커니즘으로부터, 예컨대 제1 마스크 스테이지(324)로부터 또는 제2 마스크 스테이지(326)로부터 마스크를 이송하도록 구성될 수 있다. 더욱이, 하나 이상의 마스크 핸들링 챔버들은 회전 메커니즘으로, 예컨대 제1 마스크 스테이지로 또는 제2 마스크 스테이지로 마스크를 이송하도록 구성될 수 있다.
[0033] 일부 실시예들에 따르면, 마스크 핸들링 챔버(123) 또는 마스크 핸들링 챔버(323) 내의 마스크 핸들링 어셈블리는 제1 마스크 스테이지(324)와 개개의 마스크 핸들링 챔버 간의 제1 마스크 이송을 위해 구성될 수 있다. 예컨대, 마스크 핸들링 챔버(123), 특히 마스크 핸들링 어셈블리는 마스크를 제1 마스크 스테이지에 로딩하도록 구성될 수 있다. 추가로, 마스크 핸들링 챔버, 특히 마스크 핸들링 어셈블리는 마스크를 제1 마스크 스테이지로부터 분리하도록 구성될 수 있다.
[0034] 일부 실시예들에 따르면, 마스크 핸들링 모듈(120)은 제1 마스크 스테이지(324)와 연관된 제1 기판 이송 트랙(354)을 더 포함할 수 있다. 제1 기판 이송 트랙은 제1 기판 캐리어를 지지하도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 제1 마스크 홀더 어셈블리는 제1 마스크 스테이지(324)와 제1 기판 캐리어 사이의 제2 마스크 이송을 위해 구성될 수 있다. 예컨대, 마스크는 제1 마스크 스테이지로부터 제1 기판 캐리어로 로딩 또는 이송될 수 있다. 추가로, 마스크 핸들링 모듈(120)은 또한, 제2 마스크 스테이지(326)와 연관된 제2 기판 이송 트랙(356)을 포함할 수 있다. 제2 기판 이송 트랙은 제2 기판 캐리어를 지지하도록 구성될 수 있다.
[0035] 마스크를 통한 기판 상의 재료의 증착 후에, 마스크는 제1 기판 캐리어 또는 제2 기판 캐리어에 의해 각각, 마스크 핸들링 모듈(120)로, 예를 들어 제1 마스크 스테이지로 또는 제2 마스크 스테이지로 다시 반송될 수 있다. 그 후, 예를 들어, 제2 마스크 스테이지(326)와 마스크 핸들링 챔버(123) 간의 제3 마스크 이송이 수행될 수 있다. 이에 따라, 제2 마스크 홀더 어셈블리는 제2 마스크 스테이지(326)와 마스크 핸들링 챔버(123) 간의 제3 마스크 이송을 위해 구성될 수 있다. 예컨대, 마스크는 예컨대, 세정을 위해 마스크 핸들링 챔버로, 특히 마스크 핸들링 어셈블리로 이송될 수 있다.
[0036] 일부 실시예들에 따르면, 기판 이송 트랙은 기판 캐리어의 비접촉식 이송을 위해 구성될 수 있다. 예를 들어, 기판 이송 트랙은 제1 기판 이송 트랙(354) 및/또는 제2 기판 이송 트랙(356)일 수 있다.
[0037] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제1 마스크 핸들링 모듈(120)은 하나 이상의 마스크 핸들링 챔버들, 예를 들어 마스크 핸들링 챔버(123) 및 마스크 핸들링 챔버(323)를 포함할 수 있다. 마스크 핸들링 챔버들은 진공 회전 챔버(122)에 결합된다. 유사하게, 제2 마스크 핸들링 모듈(150)은 하나 이상의 마스크 핸들링 챔버들, 예를 들어 마스크 핸들링 챔버(154) 및 마스크 핸들링 챔버(355)를 포함할 수 있다. 마스크 핸들링 챔버들은 진공 회전 챔버(152)에 결합된다. 더 추가 선택적 변형들에 따르면, 기판 캐리어 버퍼 챔버(129)가 진공 회전 챔버(122)에 결합될 수 있다. 추가로 또는 대안으로, 기판 캐리어 버퍼 챔버(159)가 진공 회전 챔버(152)에 결합될 수 있다. 기판 캐리어들은 하나 이상의 진공 회전 챔버들을 통해 하나 이상의 기판 캐리어 버퍼 챔버들로부터 기판 프로세싱 시스템(100) 내로, 즉 증착 모듈들 중 하나 내로 로딩될 수 있다.
[0038] 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 기판 프로세싱 시스템(100)이 제공되며, 여기서 제1 증착 모듈, 예를 들어 유기 증착 모듈에는 일 방향으로 제1 부분 그리고 반대 방향으로 제2 부분이 제공된다. 진공 회전 챔버, 즉 제1 회전 모듈(140)은 기판 또는 기판을 지지하는 캐리어를 제1 부분으로부터 제2 부분으로 이동시키기 위해 제공된다. 이에 따라, 제1 증착 모듈은 "폴딩"된다. 마스크 핸들링 모듈(120)은 제1 증착 모듈의 시작부에 그리고 제1 증착 모듈의 단부에 동시에 제공된다. 마스크는 진공 회전 챔버(122)에서 언로딩된다. 언로딩된 마스크는 진공 회전 챔버(122), 즉 동일한 진공 회전 챔버에서 기판 또는 기판 캐리어 상에 각각 로딩된다. 이에 따라, 개선된 마스크 이송이 제공되고 그리고/또는 개별 마스크 리턴 경로가 회피될 수 있다. 이에 따라, 기판 프로세싱 시스템(100)에서의 마스크의 오염이 감소될 수 있다. 기판 프로세싱 시스템(100)은 추가로, 유기 증착 모듈 및 금속성 증착 모듈, 즉 제1 증착 모듈 및 제2 증착 모듈 둘 다에 대해 위에서 언급된 이점들을 제공하도록 구성된다.
[0039] 기판 프로세싱 시스템의 설계로 인해, 기판 핸들링 모듈 또는 유리 핸들링 모듈(110)은 제1 증착 모듈의 시작부 근처에 그리고 제1 증착 모듈의 단부 근처에 제공된다. 이에 따라, 개선된 기판 캐리어 이송이 제공되고 그리고/또는 기판 캐리어 리턴 경로가 회피될 수 있다. 이에 따라, 기판 캐리어 및 기판 프로세싱 시스템(100)의 오염이 감소될 수 있다. 더 추가로, 기판 핸들링 모듈은 제1 증착 모듈과 제2 증착 모듈 사이에 제공된다. 이에 따라, 위에서 언급된 이점들은 또한, 유기 증착 모듈 및 금속성 증착 모듈과 같은 제1 증착 모듈 및 제2 증착 모듈을 갖는 기판 프로세싱 시스템에 이용될 수 있다.
[0040] 도 3은 증착 모듈들의 진공 챔버들 내의 증착 소스들을 추가로 예시한다. 예를 들어, 유기 증착 모듈의 진공 챔버들에 유기 증착 소스들(372)이 제공될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 유기 증착 소스들은 증발 소스들, 특히 본질적으로 수직으로 연장되는 라인 소스들일 수 있다. 예를 들어, 기판이 라인 소스를 제공하는 유기 증착 소스(372)를 지나 이동하는 동안, 기판 상에 유기 재료가 증착될 수 있다. 더 추가로, 하나 이상의 금속성 증착 소스들(374) 및/또는 하나 이상의 금속성 증착 소스들(376)이 금속성 증착 모듈에 제공될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 금속성 증착 소스들은 증발 소스들 또는 스퍼터 소스들일 수 있고, 특히 본질적으로 수직으로 연장되는 라인 소스들일 수 있다.
[0041] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 증착 모듈, 예를 들어 제1 증착 모듈 또는 제2 증착 모듈에는 하나 이상의 진공 챔버들이 제공될 수 있다. 증착 모듈은 일 방향으로 이송 경로를 갖는 제1 부분 및 반대 방향으로 이송 경로를 갖는 제2 부분을 갖는다. 제1 부분 및 제2 부분은 분리 벽에 의해 분리될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 증착 모듈은 하나의 진공 시스템, 즉 분리 벽을 갖거나 갖지 않는 챔버들의 어레인지먼트에 제공될 수 있으며, 여기서 진공 시스템은 하나 이상의 진공 펌프 시스템들에 의해 진공배기된다.
[0042] 도 3은 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따른 유리 핸들링 모듈(110)을 추가로 예시한다. 유리 핸들링 모듈(110)은 제1 로드락 챔버(312) 및 제2 로드락 챔버(313)를 포함한다. 유리 핸들링 모듈(110)은 제1 진공 배향 챔버(314) 및 제2 진공 배향 챔버(315)를 더 포함한다. 기판 프로세싱 시스템(100)에서 프로세싱될 기판들은 로드락 챔버들 중 하나의 챔버 내에 대기압에서 로딩될 수 있다. 예를 들어, 기판들은 로드락 챔버들 중 하나에 수평으로 로딩될 수 있다. 로딩 후에, 각각의 로드락 챔버는 진공배기될 수 있고, 기판은 진공 배향 챔버들 중 하나에서 이송될 수 있다. 진공 배향 챔버에서, 기판 배향은 비-수직 배향, 예를 들어 수평 배향으로부터 비-수평 배향, 예를 들어 수직 배향 또는 본질적으로 수직 배향으로 변경될 수 있다.
[0043] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 적어도 제1 진공 배향 챔버 및 제2 진공 배향 챔버가 제공될 수 있다. 진공 배향 챔버들 각각에 대해 로드락 챔버가 제공될 수 있다. 2개 이상의 진공 배향 챔버들을 제공하는 것은 기판 프로세싱 시스템(100)의 택트 타임(tact time)을 개선하는 이점을 갖는다. 예를 들어, 2개 이상의 로드락 챔버들 및 대응하는 2개 이상의 진공 배향 챔버들이 순차적으로 그리고/또는 교대로 동작될 수 있다. 예를 들어, 하나의 기판이 제1 로드락 챔버 및 제1 진공 배향 챔버에 로딩될 수 있는 한편, 다른 기판이 제2 진공 배향 챔버로부터 증착 모듈을 향해 이송된다.
[0044] 본 개시내용의 일 실시예에 따르면, 복수의 기판들의 프로세싱을 위한 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 기판 프로세싱 시스템은, 제1 인라인 모듈이며 제1 복수의 진공 증착 소스들을 갖는 제1 증착 모듈, 및 제2 인라인 모듈이며 제2 복수의 진공 증착 소스들을 갖는 제2 증착 모듈을 포함한다. 제1 증착 모듈과 제2 증착 모듈 사이에 유리 핸들링 모듈이 제공된다. 일부 실시예들에 따르면, 유리 핸들링 모듈은 진공 하에서 기판 배향을 비-수직 배향에서 비-수평 배향으로 변경하도록 구성된 진공 배향 모듈을 포함할 수 있다. 예를 들어, 진공 배향 모듈은 제1 진공 배향 챔버 및 제2 진공 배향 챔버를 포함한다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 유리 핸들링 모듈은 기판 프로세싱 시스템에서 대기 구역과 진공 사이에서 유리 기판들을 수평으로 로딩 및 언로딩하기 위한 로드락 모듈을 더 포함할 수 있다.
[0045] 본 개시내용의 실시예들의 일부 선택적인 수정들에 따르면, 기판 프로세싱 시스템은 유리 핸들링 모듈과 제1 증착 모듈 사이의 제1 마스크 핸들링 모듈, 및 유리 핸들링 모듈과 제2 증착 모듈 사이의 제2 마스크 핸들링 모듈을 더 포함할 수 있다. 특히, 제1 마스크 핸들링 모듈 및 제2 마스크 핸들링 모듈 중 적어도 하나는 진공 회전 챔버 및 진공 회전 챔버에 연결된 마스크 핸들링 챔버를 제공할 수 있다. 예를 들어, 진공 회전 챔버는 제1 마스크 스테이지 및 제2 마스크 스테이지를 포함할 수 있으며, 진공 회전 챔버는 제1 마스크 스테이지와 제2 마스크 스테이지 간에 포지션을 교환하도록 구성된다.
[0046] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가 실시예들에 따르면, 특히 제1 증착 모듈 및 제2 증착 모듈을 "폴딩"하기 위해 그리고 기판의 마스킹 및 언마스킹(unmask)을 위한 마스크 핸들링 모듈을 제공하기 위해, 기판 프로세싱 시스템은 유리 핸들링 모듈로부터 떨어진 제1 증착 모듈의 단부에 제공된 제1 진공 회전 챔버 및 유리 핸들링 모듈로부터 떨어진 제2 증착 모듈의 단부에 제공된 제2 진공 회전 챔버 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[0047] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 특징들, 세부사항들, 양상들 및 수정들이 조합될 수 있는 다른 실시예에 따르면, 본질적으로 수직 배향으로 복수의 대면적 기판들을 프로세싱하기 위한 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 기판 프로세싱 시스템은 적어도 제1 로드락 챔버, 비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 대면적 기판을 이동시키도록 구성된 적어도 제1 진공 배향 챔버, 적어도 제1 진공 배향 챔버로부터 하류에 있는 적어도 제1 마스크 핸들링 모듈, 적어도 제1 마스크 핸들링 모듈로부터 하류에 있는 유기 증착 모듈의 제1 부분, 유기 증착 모듈의 제1 부분으로부터 하류에 있는 적어도 제1 진공 회전 모듈, 및 적어도 제1 진공 회전 챔버로부터 하류에 있는 유기 증착 모듈의 제2 부분을 포함하며, 적어도 제1 마스크 핸들링 모듈은 유기 증착 모듈의 제2 부분으로부터 하류에 있다. 예를 들어, 기판 프로세싱 시스템은 제2 마스크 핸들링 모듈 ― 적어도 제1 진공 배향 챔버는 적어도 제1 마스크 핸들링 모듈과 제2 마스크 핸들링 모듈 사이에 제공됨 ―, 제2 마스크 핸들링 모듈로부터 하류에 있는 금속성 증착 모듈의 제1 부분, 금속성 증착 모듈의 제1 부분으로부터 하류에 있는 제2 진공 회전 모듈, 및 제2 진공 회전 챔버로부터 하류에 있는 금속성 증착 모듈의 제2 부분을 더 포함할 수 있으며, 제2 마스크 핸들링 모듈은 금속성 증착 모듈의 제2 부분으로부터 하류에 있다.
[0048] 도 4는 인라인 기판 프로세싱 시스템에서 기판을 프로세싱하는 방법(400) 또는 인라인 기판 프로세싱 시스템에서 디스플레이를 제조하는 방법을 예시한다. 동작(401)에서, 기판은 인라인 모듈인 제1 증착 모듈의 제1 단부로부터 제1 증착 모듈의, 제1 단부에 대향하는 제2 단부로 제1 증착 모듈의 제1 부분을 통해 이동된다. 기판은 예를 들어, 제1 증착 모듈의 제2 단부에서, 본질적으로 수직 배향으로 회전된다(동작(402) 참조). 동작(404)에서, 기판은 제1 증착 모듈의 제2 부분을 따라 제1 증착 모듈의 제2 단부로부터 제1 증착 모듈의 제1 단부로 이동된다. 제1 증착 모듈의 제1 부분 및 제2 부분을 통한 이동과 유사하게, 기판은 동작(406)에 따라 제1 부분 및 제2 부분을 통해 이동될 수 있다. 예를 들어, 기판은 인라인 모듈인 제2 증착 모듈의 제1 단부로부터 제2 증착 모듈의, 제1 단부에 대향하는 제2 단부로 제2 증착 모듈의 제1 부분을 통해 이동되고, 제2 증착 모듈의 제2 단부에서 회전되며, 제2 증착 모듈의 제2 부분을 따라 제2 증착 모듈의 제2 단부로부터 제2 증착 모듈의 제1 단부로 이동된다. 동작(408)에서, 기판은 제1 증착 모듈과 제2 증착 모듈 사이에서 기판 프로세싱 시스템 내로 로딩되고 기판 프로세싱 시스템으로부터 언로딩된다. 제1 증착 모듈 및 제2 증착 모듈에서 기판을 이동시키기 전에 기판이 기판 프로세싱 시스템 내로 로딩되고, 제1 증착 모듈 및 제2 증착 모듈에서 기판을 이동시킨 후에 기판이 언로딩된다고 이해되어야 한다. 예를 들어, 기판은 예컨대, 제1 증착 모듈에서의 프로세싱 이후 그리고 제2 증착 모듈에서의 프로세싱 전에, 기판 핸들링 모듈을 통해 제1 증착 모듈로부터 제2 증착 모듈로 이동될 수 있다.
[0049] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 배향은 비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 변경된다. 기판 배향을 변경하기 위한 진공 배향 챔버는 기판 핸들링 모듈에서 제1 증착 모듈과 제2 증착 모듈 사이에 제공된다. 추가로 또는 대안으로, 기판을 프로세싱하고 그리고/또는 디스플레이를 제조하는 방법은 마스크 핸들링 모듈에서 제1 증착 모듈과 제2 증착 모듈 사이의 포지션에서 기판을 마스킹하는 단계, 및 마스크 핸들링 모듈에서 제1 증착 모듈과 제2 증착 모듈 사이의 포지션에서 기판을 언마스킹하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 마스크 핸들링 모듈에서 기판을 언마스킹한 후에 마스크가 회전되어 추가 기판을 마스킹할 수 있다. 회전된 마스크는 추가 기판을 마스킹하는 데 사용될 수 있다. 이에 따라, 본 개시내용의 실시예들은 마스크 리턴 경로를 회피하고, 그에 따라 기판 프로세싱 시스템의 풋프린트를 감소시키는 이점을 제공한다.
[0050] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 동일한 마스크 핸들링 모듈에서 언마스킹 및 마스킹을 제공하는 마스킹 개념은 제1 증착 모듈, 예를 들어 유기 증착 모듈 및 제2 증착 모듈, 예를 들어 금속성 증착 모듈에 대해 제공될 수 있다. 이에 따라, 하나 이상의 유기 디스플레이들의 제조를 위해, 유기 증착 경로 및 금속성 증착 경로는 각각, 본 개시내용의 실시예들에 따른 마스크 핸들링 모듈을 제공한다. 이에 따라, 유기 증착 및 금속성 증착을 위한 상이한 마스크들이 제공될 수 있다. 유기 증착 및 금속성 증착 모두를 위해, 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 대해 유리한 마스킹 개념이 제공될 수 있다.
[0051] 본 개시내용의 실시예들은 기판 프로세싱 시스템에서의 기판 이송에 관련될 수 있다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 기판은 본질적으로 수직 배향으로 프로세싱될 수 있다. 추가로, 기판은 캐리어에 의해 지지될 수 있고, 기판을 지지하는 캐리어는 기판 프로세싱 시스템 내에서 이송될 수 있다. 예를 들어, 캐리어는 대면적 기판들을 지지하도록 구성된 정전 척일 수 있다. 추가로 또는 대안으로, 캐리어는 이송 시스템에 의해 부상(levitate)되도록 구성될 수 있다. 부상은 예를 들어, 자기 부상 시스템에 의한 캐리어의 비접촉식 또는 본질적으로 비접촉식 이송을 의미한다.
[0052] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 캐리어들은 실질적으로 수직 배향으로 기판 또는 기판과 마스크를 홀딩 또는 지지하도록 구성될 수 있다. 추가로, 마스크 스테이지는 실질적으로 수직 배향으로 마스크를 홀딩 또는 지지하도록 구성될 수 있다. 본 개시내용 전반에 걸쳐 사용되는 바와 같이, "실질적으로 수직"은 특히, 기판 배향을 언급할 때, ±20° 이하의, 예컨대 ±10° 이하의 수직 방향 또는 배향으로부터의 편차를 허용하는 것으로 이해된다. 예를 들어, 수직 배향으로부터의 약간의 편차를 갖는 기판 지지부가 보다 안정한 기판 위치를 야기할 수도 있기 때문에 이러한 편차가 제공될 수 있다. 추가로, 기판이 전방으로 기울어질 때, 더 적은 입자들이 기판 표면에 도달한다. 그러나 예컨대, 고 진공에서 기판 상에 유기 또는 금속성 재료들과 같은 재료들의 증착 동안의 기판 배향은 실질적으로 수직으로 간주되는데, 이는 수평 ±20° 이하로 간주될 수 있는 수평 기판 배향과 상이한 것으로 간주된다.
[0053] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 캐리어는 기판 그리고 선택적으로 마스크를 기판 캐리어에, 그리고 특히 지지부 표면에 홀딩하기 위한 정전기력을 제공하는 정전 척(E-chuck)일 수 있다. 예를 들어, 기판 캐리어는 기판 상에 작용하는 인력을 제공하도록 구성된 전극 어레인지먼트를 포함한다.
[0054] 본 명세서에서 설명되는 실시예들은 예컨대, OLED 디스플레이 제조를 위한 대면적 기판들 상에 유기 또는 금속 재료들과 같은 재료들의 증착을 위해 이용될 수 있다. 구체적으로, 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 구조들 및 방법들이 제공되는 기판들은 대면적 기판들일 수 있다. 예컨대, 대면적 기판은 약 0.67㎡(0.73m × 0.92m)의 표면적에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4㎡(1.1m × 1.3m)의 표면적에 대응하는 GEN 5, 약 4.29㎡(1.95m × 2.2m)의 표면적에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7㎡(2.2m × 2.5m)의 표면적에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7㎡(2.85m × 3.05m)의 표면적에 대응하는 GEN 10일 수 있다. 훨씬 더 큰 세대들, 이를테면 GEN 11 및 GEN 12 그리고 대응하는 표면적들이 유사하게 구현될 수 있다. OLED 디스플레이 제조에서는 GEN 세대들의 절반 크기들이 또한 제공될 수 있다.
[0055] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판 두께는 0.1㎜ 내지 1.8㎜일 수 있다. 기판 두께는 약 0.9㎜ 이하, 이를테면 0.5㎜일 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 "기판"이라는 용어는 특히, 실질적으로 비가요성 기판들, 예컨대 유리판 또는 다른 기판들을 포괄할 수 있다. 그러나 본 개시내용은 이에 한정되지 않으며 "기판"이라는 용어는 또한 웨브(web) 또는 포일(foil)과 같은 가요성 기판들을 포함할 수 있다. "실질적으로 가요성이 없는"이라는 용어는 "가요성 있는"과 구별되는 것으로 이해된다. 구체적으로, 실질적으로 가요성이 없는 기판, 예컨대 0.9㎜ 이하, 이를테면 0.5㎜ 이하의 두께를 갖는 유리판이 일정 정도의 가요성을 가질 수 있는데, 실질적으로 가요성이 없는 기판의 가요성은 가요성 기판들과 비교하여 작다.
[0056] 비접촉식 이송은 자기 부상 시스템일 수 있다. 특히, 자기 부상 시스템은, 기판 캐리어의 중량의 적어도 일부가 자기 부상 시스템에 의해 지탱되도록 제공될 수 있다. 이어서, 기판 캐리어들은 인라인 기판 프로세싱 시스템을 통해, 각각 제1 기판 이송 트랙 및/또는 제2 기판 이송 트랙을 따라 본질적으로 비접촉식으로 안내될 수 있다. 특히, 제1 기판 이송 트랙 및 제2 기판 이송 트랙은 각각 캐리어 홀딩 구조 및 캐리어 구동 구조를 포함할 수 있다. 캐리어 홀딩 구조는 기판 캐리어의 비접촉식 홀딩을 위해 구성될 수 있다. 캐리어 구동 구조는 기판 캐리어, 예를 들어 제1 기판 캐리어 또는 제2 기판 캐리어의 비접촉식 병진을 위해 구성될 수 있다. 캐리어 홀딩 구조는 기판 캐리어의 비접촉식 홀딩을 위한 자기 부상 시스템을 포함할 수 있다. 추가로, 캐리어 구동 구조는 기판 캐리어의 비접촉식 구동을 위한 자기 구동 시스템을 포함할 수 있다.
[0057] 도 5는 진공 배향 챔버(314)를 도시한다. 진공 배향 챔버는 도 2에 도시된 진공 배향 모듈(114)의 진공 배향 챔버일 수 있다. 진공 배향 챔버는 진공 챔버(502)를 포함한다. 진공 챔버(502)는 측벽들을 포함한다. 측벽(502A)과 (도 5에서 보이지 않는) 측벽(502B)은 서로 대향한다. 또한, 측벽(502C)은 2개의 대향하는 측벽들 사이에 제공된다. 진공 배향 챔버는 비-수직 배향, 예를 들어 수평 배향과 비-수평 배향, 예를 들어 수직 배향 또는 본질적으로 수직 배향 간에 기판 배향을 변경하도록 구성된다. 예시적인 배향 액추에이터가 도 6b에 도시된다.
[0058] 진공 배향 모듈 또는 진공 배향 모듈의 진공 배향 챔버는 기판 프로세싱 시스템에서 기판의 이송에 참여한다. 기판은 화살표(513)로 표시된 바와 같이 진공 배향 챔버 내로 로딩되거나 진공 배향 챔버로부터 언로딩될 수 있다. 예를 들어, 기판은 화살표(513)를 따라 로드락 챔버로부터 로딩되거나 로드락 챔버 내로 로딩될 수 있다. 로딩 및 언로딩은 비-수직 배향, 예를 들어 수평 배향으로 수행된다. 수평 슬릿 개구와 같은 슬릿 개구(512)가 진공 챔버(502)의 추가 측벽(502C)에 제공된다.
[0059] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판은 제1 슬릿 개구(514)에서 진공 챔버(502)에 진입할 수 있다. 예를 들어, 슬릿 개구(514)는 측벽(502A)에 제공될 수 있다. 기판은 측벽(502B)에서 진공 챔버(502)를 빠져나갈 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 진공 챔버(502) 내로 그리고 진공 챔버 밖으로 기판을 이동시키는 것은 진공 챔버의 대향 측들, 즉 대향 측벽들 상에서 수행될 수 있다. 진공 챔버의 대향 측벽들에서 2개의 슬릿 개구들 사이에 (도 5에 도시되지 않은) 이송 트랙이 제공된다. 기판의 이동은 화살표들(515)에 의해 표시된다. 본 개시내용의 실시예들의 경우, 기판은 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따라 기판 캐리어 상에서 이송될 수 있다.
[0060] 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 대향 측벽들에 있는 2개의 슬릿 개구들은 수직이거나 본질적으로 수직이다. 기판은 본질적으로 수직 배향으로 양방향 이송 방향을 따라 진공 챔버(502)를 통해 이송될 수 있다. 최신 기술에 따른 진공 스윙 모듈들은 통상적으로, 진공 스윙 모듈의 일 측에 수평 슬릿 개구를 갖고, 진공 스윙 모듈의 대향 측에 수직 슬릿 개구를 갖는다. 이에 따라, 기판은 로봇 등을 이용하여 세로 배향으로 수평으로 로딩될 수 있다. 기판은 기판의 더 긴 측, 즉 기판의 길이를 따라 회전되고, 수직 배향으로 그리고 가로 배향으로 진공 스윙 모듈 밖으로 이송된다. 본 개시내용의 실시예들은 예를 들어, 측벽(502C), 즉 2개의 대향 측벽들 사이의 측벽에서의 슬릿 개구(512)를 통해 가로 배향으로 기판의 수평 로딩을 제공한다. 가로 배향으로의 수평 로딩은 반-직관적이며, 일반적으로 회피될 필요가 있을 것이다. 그러나 마스크 핸들링, 기판 프로세싱 시스템의 풋프린트, 및 택트 타임에 관한 이익들은 수평 세로 핸들링으로부터의 편차를 유발한다.
[0061] 본 개시내용의 일 실시예에 따르면, 기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈이 제공된다. 진공 배향 모듈은 적어도 제1 진공 배향 챔버, 예컨대 도 5에 그리고 도 3에 도시된 진공 배향 챔버(314)를 포함한다. 도 3에 도시된 진공 배향 챔버(315)는 진공 배향 챔버(314)와 유사하게 제공될 수 있다. 진공 배향 챔버는 진공 챔버 및 진공 챔버 내의 이송 트랙을 포함하며, 이송 트랙은 지지 구조 및 구동 구조를 갖고, 양방향 이송 방향을 한정한다. 비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 기판 배향을 변경하기 위해 배향 액추에이터가 제공된다. 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 진공 챔버는 양방향 이송 방향으로 진공 챔버의 대향 측벽들에 2개의 슬릿 개구들을 갖는다. 예를 들어, 2개의 슬릿 개구들은 제1 슬릿 개구(514) 및 도 5에 도시되지 않은 추가 슬릿 개구를 포함할 수 있다. 대향 측벽들은 측벽(502A) 및 측벽(502B)일 수 있다.
[0062] 일부 실시예들에 따르면, 비-수직 슬릿 개구, 예를 들어 도 5에 도시된 수평 슬릿 개구(512)가 적어도 제1 진공 배향 챔버를 위해 제공될 수 있다. 슬릿 개구(512)는 기판들의 로딩 및 언로딩을 위해 제공될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 더 추가 실시예들에 따르면, 도 3에 예시된 바와 같이, 제2 진공 배향 챔버가 기판 프로세싱 시스템에 제공될 수 있다. 제2 진공 배향 챔버는 기판 프로세싱 시스템의 인라인 방향을 따라 적어도 제1 배향 챔버와 정렬된다. 특히, 제2 진공 배향 챔버 및 적어도 제1 진공 배향 챔버의 하나 이상의 수직 슬릿 개구들이 정렬될 수 있다.
[0063] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 배향 챔버의 진공 챔버 내의 슬릿 개구들에 슬릿 밸브가 제공될 수 있다. 슬릿 밸브는 진공 기밀 방식으로 진공 챔버를 밀폐하도록 제공될 수 있다. 특히, 수평 슬릿 개구(512)에는 슬릿 밸브가 제공될 수 있다. 더 추가 선택적인 실시예들에 따르면, 또한 슬릿 개구(514) 및/또는 슬릿 개구(514)에 대향하는 슬릿 개구에 슬릿 밸브가 제공될 수 있다.
[0064] 일 실시예에 따르면, 진공 배향 모듈이 제공된다. 진공 배향 모듈은 적어도 제1 진공 배향 챔버를 포함한다. 적어도 제1 진공 배향 챔버는 진공 챔버 및 진공 챔버 내의 이송 트랙을 포함하며, 이송 트랙은 지지 구조 및 구동 구조를 갖는다. 추가로, 비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 기판 배향을 변경하기 위한 배향 액추에이터가 제공된다. 배향 액추에이터는 기판의 제1 단부와 기판의 제2 단부 사이에 위치된 축을 중심으로 일정 각도만큼 기판을 이동시키며, 제2 단부는 제1 단부에 대향한다.
[0065] 예를 들어, 도 6a 및 도 6b는 진공 챔버(502)를 갖는 진공 배향 챔버를 예시한다. 진공 챔버(502)의 측벽(502C)에 슬릿 개구(512)가 제공된다. 기판(650)은 슬릿 개구(512)를 통해 캐리어(652) 상에 로딩될 수 있다. 캐리어(652)는 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 기판 캐리어일 수 있다. 예를 들어, 캐리어는 정전 척일 수 있다. 비-수직 배향, 예를 들어 도 6a에 도시된 수평 배향으로 캐리어(652) 상에 기판(650)을 로딩한 후에, 기판은 화살표(651)로 표시된 바와 같이 이동될 수 있다. 기판은 예를 들어, 수평 배향으로부터 수직 배향 또는 본질적으로 수직 배향으로 그리고 기판 또는 기판을 갖는 캐리어의 이송을 위한 이송 트랙 쪽으로 각각 이동된다.
[0066] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이송 트랙은 자기 부상 시스템에 의해 제공될 수 있다. 예를 들어, 지지 구조(612)는 캐리어(652) 위에 제공될 수 있고, 구동 구조(614)는 캐리어(652) 아래에 제공될 수 있다. 지지 구조(612)는 예를 들어, 캐리어(652)를 부상시키기 위한 하나 이상의 전자석들을 갖는 자기 베어링일 수 있다. 구동 구조(614)는 예를 들어, 이송 방향을 따라 캐리어(652)를 구동시키기 위한 하나 이상의 전자석들을 갖는 자기 드라이브일 수 있다. 예를 들어, 캐리어는 도 5에 도시된 화살표들(515)에 의해 표시된 바와 같이 이동될 수 있다.
[0067] 수평 배향으로부터 본질적으로 수직 배향으로의 캐리어의 이동은 배향 액추에이터, 예를 들어 도 6b에 도시된 배향 액추에이터(660)에 의해 제공될 수 있다. 도 6a에서 화살표(651)로 예시적으로 표시된 바와 같이, 배향 액추에이터는 비-수직 배향, 즉 수평 배향으로 이송 트랙으로부터 멀어지게 기판을 이동시키도록 구성된다. 이에 따라, 수평 배향으로 캐리어(652)를 지지할 때, 지지 구조(612)와 구동 구조(614) 사이의 공간은 비어 있다. 다른 기판을 갖는 다른 캐리어는, 캐리어(652)가 진공 챔버(502)에서 수평 배향으로 있는 동안, 도 5에서 화살표들(515)에 의해 예시적으로 표시된 바와 같이 진공 챔버(502)를 통해 이동할 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 이송 트랙은 비-수직(수평) 배향으로 제1 캐리어를 가지면서 제2 캐리어에 이용 가능할 수 있다. 이에 따라, 본 개시내용의 실시예들에 따른 진공 배향 챔버는 진공 챔버(502) 내에 적어도 2개의 기판들을 가질 수 있게 한다. 특히, 제1 기판은 수평 배향으로 지지될 수 있고, 제2 기판은 제1 지지 구조(612)와 제1 구동 구조(614) 사이에 지지될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 배향 챔버들의 실시예들은 진공 배향 모듈에 2개 이상의 진공 배향 챔버들을 제공함으로써 기판 프로세싱 시스템에서 택트 타임을 증가시키는 것을 가능하게 한다.
[0068] 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 진공 배향 챔버(314)가 제공될 수 있고, 제2 진공 배향 챔버(315)가 제공될 수 있다. 비-수직 배향과 비-수평 배향 사이의 기판들의 이동은 예를 들어, 2개의 진공 배향 챔버들에서 교대로 제공될 수 있다. 본질적으로 수직으로 배향된 기판은 제1 진공 배향 챔버(314)로부터 제2 진공 배향 챔버(315)를 통해 제1 증착 모듈 쪽으로 이동될 수 있다. 동시에, 제2 진공 배향 챔버(315)에서 추가 기판이 추가 캐리어 상에 로딩될 수 있다. 기판들이 캐리어 상에 수평으로 로딩되는 동안, 진공 챔버 내의 배향 액추에이터가 지지 구조(612)와 구동 구조(614) 사이에 빈 이송 트랙을 제공한다는 사실을 고려하여, 기판이 제1 진공 배향 챔버들(314)로부터 제1 증착 모듈 쪽으로 이동하는 것은 빈 이송 트랙을 이용할 수 있다. 그러한 이동은 도 5에서 화살표들(515)에 의해 개략적으로 예시된다. 본 명세서에서 설명되는 실시예들에 따른 진공 배향 모듈은 유리하게, 택트 타임을 증가시키는 것을 가능하게 한다. 예를 들어, 동시에 동작하는 2개의 진공 배향 챔버들을 가지면, 택트 타임은 본질적으로 2배가 될 수 있다.
[0069] 도 6b는 본 개시내용의 실시예들에 따른 배향 액추에이터(660)의 더 추가 세부사항들을 예시한다. 배향 액추에이터(660)는 캐리어(652)를 지지하기 위한 지지부(672)를 포함한다. 캐리어는 제1 단부(653) 및 제1 단부(653)에 대향하는 제2 단부(655)를 포함한다. 지지부(672)는 제1 단부(653)와 제2 단부(655) 사이에서 캐리어(652)를 지지하도록 구성된다. 특히, 지지부(672)는 캐리어의 중심, 즉 제1 단부(653)와 제2 단부(655) 사이의 중심에서 또는 그에 근접하게 캐리어를 지지하도록 구성될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 기판 배향을 변경하도록 배향 액추에이터가 구성되고, 배향 액추에이터는 기판의 제1 단부와 기판의 제2 단부 사이에 위치된 축을 중심으로 일정 각도만큼 기판을 이동시키며, 제2 단부는 제1 단부에 대향한다. 중심에 또는 중심에 근접하게 캐리어를 지지하는 것은, 캐리어를 본질적으로 수직 배향으로부터 수평 배향으로 이동시키면서, 이송 트랙으로부터 멀어지게 캐리어의 이동을 가능하게 한다.
[0070] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 2개의 배향들 사이의 캐리어의 이동은 도 6b에서 화살표로 표시된 바와 같이 병진 및 일정 각도만큼의 이동을 포함할 수 있다.
[0071] 도 7a 및 도 7b는 기판 프로세싱 시스템에서 길이 및 길이보다 더 짧은 폭을 갖는 대면적 기판을 이송하는 방법들 또는 디스플레이의 층 스택을 제조하며 이송 방법들을 포함하는 대응하는 방법의 실시예들을 예시한다. 방법은 동작(701)(도 7a 참조)에 의해 표시된 바와 같이, 대면적 기판의 폭에 평행한 이동에 의해 비-수직 배향으로 진공 배향 챔버 내로 대면적 기판을 로딩하는 단계를 포함할 수 있다. 이에 따라, 기판은 가로 배향으로 수평으로 로딩된다. 동작(703)에서, 대면적 기판은 예컨대, 진공 챔버에 제공된 배향 액추에이터를 이용하여 기판의 비-수직 배향으로부터 비-수평 배향으로 이동된다.
[0072] 추가로 또는 대안으로, 방법은 동작(702), 즉 진공 챔버의 제1 측벽에 있는 제1 슬릿 개구를 통해, 진공 챔버를 갖는 적어도 제1 진공 배향 챔버 내로 대면적 기판을 이동시키는 단계를 포함한다. 예를 들어, 이는 도 5에 도시된 본질적으로 수직 슬릿 개구(514)일 수 있다. 동작(704)에서, 대면적 기판은 진공 챔버의 제2 측벽에 있는 제2 슬릿 개구를 통해 적어도 제1 진공 배향 챔버 밖으로 이동되며, 제2 측은 제1 측벽에 대향할 것이다. 예를 들어, 이는 (도 5에서는 보이지 않는) 측벽(502B)에서의 슬릿 개구일 수 있다. 추가로, 동작(706)에서, 대면적 기판은 적어도 제1 진공 배향 챔버에서 기판의 비-수직 배향으로부터 비-수평 배향으로 또는 그 반대로 이동된다.
[0073] 더 추가 실시예들에 따르면, 대면적 기판 상에 디스플레이를 위한 층 스택을 제조하는 방법은 위에서 설명된 이송 방법들 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 디스플레이를 위한 층 스택의 하나 이상의 층들을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 증착 모듈, 예를 들어 유기 증착 모듈에서 층들이 증착될 수 있다. 추가로 또는 대안으로, 층들은 제2 증착 모듈, 예를 들어 금속성 증착 모듈에서 증착될 수 있다.
[0074] 기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈의 더 추가 실시예들이 도 2, 도 3, 도 5, 도 6a 및 도 6b와 관련하여 설명될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 기판은 로드락 모듈(112)을 통해 기판 프로세싱 시스템(100)에 로딩될 수 있다. 기판은 진공 배향 모듈에서 수평 배향으로 이동될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 기판은 수평 배향으로 기판 캐리어 상에 로딩될 수 있다. 추가로, 기판을 지지하는 캐리어는 기판 배향을 수평 배향에서 비-수평 배향으로 변경하도록 일정 각도만큼 이동될 수 있다. 그 후, 기판은 마스크 핸들링 모듈(120) 및 제1 증착 모듈(130)로 이동될 수 있다. 제1 증착 모듈(130), 예를 들어 유기 증착 모듈에서의 증착 후에, 마스크 핸들링 모듈에서 기판에 이전에 제공되었던 마스크가 마스크 핸들링 모듈에서 제거될 수 있다. 기판을 지지하는 캐리어가 유리 핸들링 모듈(110)을 통해 제2 증착 모듈(160) 쪽으로 이동된다. 예를 들어, 기판을 지지하는 캐리어는 제2 마스크 핸들링 모듈(150)에서 이동될 수 있고, 기판에 마스크가 제공될 수 있으며, 제2 증착 모듈, 예를 들어 금속성 증착 모듈에서 증착 프로세스가 제공될 수 있다. 제2 증착 모듈(160)에서의 프로세싱 후에, 마스크는 마스크 핸들링 모듈(150)에서 제거될 수 있다. 기판 배향은 진공 배향 챔버에서 비-수평 배향, 즉 본질적으로 수직 배향에서 수평 배향으로 변경될 수 있고, 로드락 모듈을 통해 기판 프로세싱 시스템(100)으로부터 언로딩될 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 로드락 모듈(112) 내의 로드락 챔버들의 수는 진공 배향 모듈(114) 내의 진공 배향 챔버들의 수에 대응할 수 있다.
[0075] 위에서 설명된 바와 같이, 제1 증착 모듈(130)로부터 제2 증착 모듈(160)로의 이송은 유리 핸들링 모듈(110)을 통한 이송을 포함한다. 이에 따라, 기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈은 적어도 제1 진공 배향 챔버를 포함한다. 적어도 제1 배향 챔버는 진공 챔버 및 진공 챔버 내의 제1 이송 트랙을 포함하며, 제1 지지 구조 및 제1 구동 구조를 갖는 제1 이송 트랙은 양방향 이송 방향을 한정한다. 제1 지지 구조는 도 6a에 도시된 지지 구조(612)일 수 있고, 제1 구동 구조는 도 6a에 도시된 구동 구조(614)일 수 있다. 배향 액추에이터(660)가 제공될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 배향 액추에이터는 비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 기판 배향을 변경하도록 구성되며, 진공 챔버는 양방향 이송 방향으로 진공 챔버의 대향 측벽들에 제1 쌍의 2개의 슬릿 개구들을 갖는다. 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따르면, 진공 챔버 내의 제2 이송 트랙이 제공된다. 제2 이송 트랙은 양방향 이송 방향을 따라 연장되는 제2 지지 구조 및 제2 구동 구조를 포함한다. 진공 챔버는 진공 챔버의 대향 측벽들에 제2 쌍의 2개의 슬릿 개구들을 갖는다.
[0076] 제2 이송 트랙은 도 6a에 도시된 제2 지지 구조들(622) 및 제2 구동 구조(624)에 의해 제공될 수 있다. 제2 이송 트랙을 따르는 이송을 위해 진공 챔버(502)의 대향 측벽들에 수직 슬릿 개구들이 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 5는 측벽(502A)에서의 슬릿 개구(524)를 도시한다. 슬릿 개구(524)에 대응하는 제2 슬릿 개구가 측벽(502B)에 제공될 수 있다. 이에 따라, 기판을 지지하는 캐리어는 도 5에서 화살표들(525)에 의해 표시된 바와 같이 진공 챔버(502)를 통해 이동될 수 있다. 기판을 지지하는 캐리어는 제2 지지 구조(622)에 의해 지지되면서 제2 구동 구조(624)와 함께 이동될 수 있다.
[0077] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제2 이송 트랙은, 제1 지지 구조(612) 및 제1 구동 구조(614)를 갖는 제1 이송 트랙이 슬릿 개구(512)와 제2 이송 트랙 사이에 제공되도록 포지셔닝된다. 도 6b에 도시된 바와 같이, 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 제1 이송 트랙과 제2 이송 트랙은 분리 벽(632)에 의해 분리될 수 있다. 분리 벽(632)은 진공 챔버(502)의 제1 구역과 진공 챔버(502)의 제2 구역 사이의 분리를 제공할 수 있다. 이에 따라, 분리 벽(632)은 예를 들어, 2개의 진공 펌프 시스템들을 이용하여 개별적으로 펌핑되는 2개의 진공 구역들을 분리할 수 있다. 대안으로, 2개의 구역들은 공통 진공 펌프 시스템에 의해 진공배기될 수 있다. 분리 벽의 존재와 무관하게, 제1 이송 트랙과 제2 이송 트랙 간의 수평 거리는 예를 들어, 20㎝ 이상일 수 있고 그리고/또는 100㎝ 이하일 수 있다. 예를 들어, 이송 트랙들 간의 거리는 약 50㎝일 수 있다.
[0078] 본 명세서에서 설명되는 다른 실시예들과 조합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 측벽(502A)의 슬릿 개구(524)가 측벽(502B)의 추가 슬릿 개구와 정렬되도록 제2 진공 배향 챔버가 제1 진공 배향 챔버와 정렬될 수 있다. 위의 내용을 고려하여, 기판 프로세싱 시스템이 제공될 수 있다. 기판 프로세싱 시스템은, 제1 인라인 모듈이며 제1 복수의 진공 증착 소스들을 갖는 제1 증착 모듈, 및 제2 인라인 모듈이며 제2 복수의 진공 증착 소스들을 갖는 제2 증착 모듈을 포함한다. 기판 프로세싱 시스템은 제1 증착 모듈과 제2 증착 모듈 사이의 유리 핸들링 모듈을 더 포함하며, 유리 핸들링 모듈은 본 명세서에서 설명되는 실시예들 중 임의의 실시예에 따른 진공 배향 모듈을 포함한다. 특히, 진공 배향 모듈은 제2 이송 트랙을 가질 수 있다. 또 다른 추가 또는 대안적인 변형들에 따르면, 진공 증착 모듈은 제1 진공 배향 챔버 및 제2 진공 배향 챔버를 포함할 수 있으며, 이러한 진공 배향 챔버들은 각각 제2 이송 트랙을 갖는다.
[0079] 위의 내용을 고려하여, 다음의 이점들 중 하나 이상이 본 개시내용의 실시예들에 의해 제공될 수 있다. 마스크 핸들링이 개선될 수 있다. 특히, 마스크 리턴 경로가 회피될 수 있다. 마스크 또는 마스크 캐리어의 오염을 피하기 위해 진공 프로세싱 시스템에 추가 마스크 이송이 제공될 수 있다. 추가로, 기판 캐리어의 오염을 피하기 위해, 진공 프로세싱 시스템에서 교체 또는 세정을 제외하고, 기판 캐리어 이송이 또한 제공될 수 있다. 기판 프로세싱 시스템의 풋프린트는 증착 모듈들의 폴딩 및 마스크 및/또는 기판 캐리어들에 대한 리턴 경로들의 회피에 의해 감소될 수 있다. 실시예들은 진공 프로세싱 시스템의 택트 타임을 증가시키기 위해 진공 프로세싱 시스템에서 동시에 작동하는 2개 이상의 진공 배향 챔버들을 가질 수 있게 한다. 또한, 상이한 증착 모듈들에 대한 개별적인 마스킹을 가능하게 하기 위해, 유기 증착 모듈과 금속성 증착 모듈의 분리가 제공될 수 있다. 더 추가로, 하나의 증착 모듈에 적용되는 위에서 설명된 이점들이 두 증착 모듈들 모두에 대해 제공될 수 있다.
[0080] 전술한 내용은 일부 실시예들에 관한 것이지만, 기본 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있으며, 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 적어도 제1 진공 배향 챔버를 포함하며,
    상기 제1 진공 배향 챔버는:
    진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내의 이송 트랙 ― 상기 이송 트랙은 지지 구조 및 구동 구조를 갖고, 이송 방향을 한정함 ―; 및
    비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 기판 배향을 변경하기 위한 배향 액추에이터를 포함하고,
    상기 진공 챔버는 상기 이송 방향에서 상기 진공 챔버의 대향 측벽들에 2개의 슬릿 개구들, 특히 2개의 본질적으로 수직 슬릿 개구들을 갖는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 적어도 제1 진공 배향 챔버는 기판들의 로딩 및 언로딩을 위한 비-수직 슬릿 개구를 갖는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 비-수직 슬릿 개구는 상기 대향 측벽들 사이에서 상기 진공 챔버의 추가 측벽에 제공되는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  4. 제2 항 또는 제3 항에 있어서,
    상기 비-수직 슬릿 개구는 상기 기판의 가로 배향에 대응하는 폭을 갖는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  5. 제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 프로세싱 시스템의 인라인(in-line) 방향을 따라 상기 적어도 제1 배향 챔버와 정렬된 제2 진공 배향 챔버를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 진공 배향 챔버는 상기 제2 진공 배향 챔버의 적어도 2개의 슬릿 개구들을 포함하고,
    상기 제2 진공 배향 챔버의 적어도 2개의 슬릿 개구들은 상기 이송 방향을 따라 상기 적어도 제1 진공 배향 챔버의 적어도 2개의 슬릿 개구들과 정렬되는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  7. 적어도 제1 진공 배향 챔버를 포함하며,
    상기 제1 진공 배향 챔버는:
    진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내의 이송 트랙 ― 상기 이송 트랙은 지지 구조 및 구동 구조를 가짐 ―; 및
    비-수직 배향과 비-수평 배향 간에 기판 배향을 변경하기 위한 배향 액추에이터를 포함하고,
    상기 배향 액추에이터는 기판의 제1 단부와 상기 기판의 제2 단부 사이에 위치된 축을 중심으로 일정 각도만큼 상기 기판을 이동시키며,
    상기 제2 단부는 상기 제1 단부에 대향하는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 배향 액추에이터는 상기 기판의 병진 이동을 제공하도록 구성되는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  9. 제7 항 또는 제8 항에 있어서,
    상기 배향 액추에이터는 상기 비-수직 배향으로 상기 이송 트랙으로부터 멀어지게 상기 기판을 이동시키도록 구성되는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  10. 제7 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 프로세싱 시스템의 인라인(in-line) 방향을 따라 상기 적어도 제1 배향 챔버와 정렬된 제2 진공 배향 챔버를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템을 위한 진공 배향 모듈.
  11. 제1 인라인(in-line) 모듈이며 제1 복수의 진공 증착 소스들을 갖는 제1 증착 모듈;
    제2 인라인 모듈이며 제2 복수의 진공 증착 소스들을 갖는 제2 증착 모듈; 및
    상기 제1 증착 모듈과 상기 제2 증착 모듈 사이의 유리 핸들링 모듈을 포함하며,
    상기 유리 핸들링 모듈은 제1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 따른 진공 배향 모듈을 포함하는,
    복수의 기판들의 프로세싱을 위한 기판 프로세싱 시스템.
  12. 기판 프로세싱 시스템에서 길이 및 상기 길이보다 더 짧은 폭을 갖는 대면적 기판을 이송하는 방법으로서,
    상기 대면적 기판의 폭에 평행한 이동에 의해 비-수직 배향으로 진공 배향 챔버 내로 상기 대면적 기판을 로딩하는 단계; 및
    상기 대면적 기판을 상기 비-수직 배향에서 비-수평 배향으로 이동시키는 단계를 포함하는,
    대면적 기판을 이송하는 방법.
  13. 기판 프로세싱 시스템에서 대면적 기판을 이송하는 방법으로서,
    진공 챔버의 제1 측벽에 있는 제1 슬릿 개구를 통해, 상기 진공 챔버를 갖는 적어도 제1 진공 배향 챔버 내로 상기 대면적 기판을 이동시키는 단계;
    상기 진공 챔버의 제2 측벽에 있는 제2 슬릿 개구를 통해 상기 적어도 제1 진공 배향 챔버 밖으로 상기 대면적 기판을 이동시키는 단계 ― 상기 제2 측벽은 상기 제1 측벽에 대향함 ―; 및
    상기 적어도 제1 진공 배향 챔버에서 상기 대면적 기판을 상기 기판의 비-수직 배향에서 비-수평 배향으로 또는 그 반대로 이동시키는 단계를 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 대면적 기판을 이송하는 방법.
  14. 제11 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공 배향 챔버의 제1 이송 트랙 상에서 제1 증착 모듈 내로 상기 대면적 기판을 이동시키는 단계;
    제2 이송 트랙 상에서 상기 제1 증착 모듈로부터 제2 증착 모듈 쪽으로 상기 진공 배향 챔버를 통해 상기 대면적 기판을 이송하는 단계; 및
    상기 제1 이송 트랙 상에서 상기 제2 증착 모듈로부터 상기 진공 배향 챔버 내로 상기 기판을 이동시키는 단계를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 시스템에서 대면적 기판을 이송하는 방법.
  15. 대면적 기판 상에 디스플레이의 층 스택을 제조하는 방법으로서,
    제11 항 내지 제14 항 중 어느 한 항에 따른 상기 대면적 기판을 이송하는 방법; 및
    상기 대면적 기판 상에 상기 층 스택의 하나 이상의 층들을 증착하는 단계를 포함하는,
    대면적 기판 상에 디스플레이의 층 스택을 제조하는 방법.
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